JPH11288979A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11288979A JPH11288979A JP11007757A JP775799A JPH11288979A JP H11288979 A JPH11288979 A JP H11288979A JP 11007757 A JP11007757 A JP 11007757A JP 775799 A JP775799 A JP 775799A JP H11288979 A JPH11288979 A JP H11288979A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【解決手段】 配線回路基板の配線電極に半田を介して
半導体素子の電極部を当接し、半田を加熱溶融して基板
に半導体素子を接合し、次いでこの半導体素子の搭載さ
れた基板を金型キャビティー部にセットし、封止用樹脂
組成物を溶融状態で金型のゲート部からキャビティー部
に加圧下に導入して上記基板と半導体素子との空隙部に
圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化させて、上記基
板と半導体素子との空隙部を樹脂封止するようにした半
導体装置の製造方法であって、上記封止用樹脂組成物が
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）最大粒径が
２４μｍ以下の無機質充填剤を必須成分とし、（ｃ）成
分の含有量が組成物全体の５０〜８５重量％であり、成
形温度での溶融粘度が２００ポイズ以下であることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 【効果】 ボイド等の発生もなく、半田ボールを破損す
ることもなく、短時間で効率よく、しかも簡単に樹脂封
止を行うことができる。
半導体素子の電極部を当接し、半田を加熱溶融して基板
に半導体素子を接合し、次いでこの半導体素子の搭載さ
れた基板を金型キャビティー部にセットし、封止用樹脂
組成物を溶融状態で金型のゲート部からキャビティー部
に加圧下に導入して上記基板と半導体素子との空隙部に
圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化させて、上記基
板と半導体素子との空隙部を樹脂封止するようにした半
導体装置の製造方法であって、上記封止用樹脂組成物が
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）最大粒径が
２４μｍ以下の無機質充填剤を必須成分とし、（ｃ）成
分の含有量が組成物全体の５０〜８５重量％であり、成
形温度での溶融粘度が２００ポイズ以下であることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 【効果】 ボイド等の発生もなく、半田ボールを破損す
ることもなく、短時間で効率よく、しかも簡単に樹脂封
止を行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フリップチップ方
式による半導体装置の製造方法に関する。
式による半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近の
半導体デバイスは、性能の向上に伴いＩ／Ｏピンが増加
し、またパッケージサイズの小型化に伴い、従来の金線
を使用して半導体素子からリードフレームに接続する方
式は採用されなくなってきている。このような状況にお
いて、最近では半田を介して半導体素子を基板に実装す
るフリップチップ方式と呼ばれる方法が多数用いられる
ようになってきた。この種の接続方法においては、素子
の信頼性を向上させるため、半導体素子と基板の空隙部
に液状のエポキシ樹脂を注入し硬化させて信頼性を向上
させている。しかし、半導体素子と基板の空隙部に毛管
現象を利用して樹脂を充填することから、充填に非常に
長い時間を要すること、また、充填時間を短縮化するた
め樹脂組成物の粘度を低くすると、加熱硬化時に封止用
樹脂組成物中の無機質充填剤が沈降し硬化樹脂の上下で
膨張係数が異なってしまい、半導体装置の信頼性を低下
させてしまうといった問題がある。
半導体デバイスは、性能の向上に伴いＩ／Ｏピンが増加
し、またパッケージサイズの小型化に伴い、従来の金線
を使用して半導体素子からリードフレームに接続する方
式は採用されなくなってきている。このような状況にお
いて、最近では半田を介して半導体素子を基板に実装す
るフリップチップ方式と呼ばれる方法が多数用いられる
ようになってきた。この種の接続方法においては、素子
の信頼性を向上させるため、半導体素子と基板の空隙部
に液状のエポキシ樹脂を注入し硬化させて信頼性を向上
させている。しかし、半導体素子と基板の空隙部に毛管
現象を利用して樹脂を充填することから、充填に非常に
長い時間を要すること、また、充填時間を短縮化するた
め樹脂組成物の粘度を低くすると、加熱硬化時に封止用
樹脂組成物中の無機質充填剤が沈降し硬化樹脂の上下で
膨張係数が異なってしまい、半導体装置の信頼性を低下
させてしまうといった問題がある。
【０００３】本発明は上記問題点を解決したもので、基
板と半導体素子との空隙部に封止樹脂を確実に充填し得
て、ボイド等の発生もなく、また半田ボールを破損する
こともなく、しかも短時間で樹脂封止を行うことができ
て、耐湿性に優れ、信頼性の高い半導体装置を得ること
ができるフリップチップ方式による半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
板と半導体素子との空隙部に封止樹脂を確実に充填し得
て、ボイド等の発生もなく、また半田ボールを破損する
こともなく、しかも短時間で樹脂封止を行うことができ
て、耐湿性に優れ、信頼性の高い半導体装置を得ること
ができるフリップチップ方式による半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、後述する特定の封止用樹脂組成物を金型ゲート部か
ら溶融状態で基板と半導体素子との空隙部に加圧移送し
て封止用樹脂組成物を充填し、加熱硬化（いわゆるトラ
ンスファー成形）させて基板と半導体素子との空隙を樹
脂封止することで、非常に短いサイクルで封止を行うこ
とができ、かつ充填剤の沈降もない高信頼性の半導体装
置を製造することができることを見出し、本発明をなす
に至った。
発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結
果、後述する特定の封止用樹脂組成物を金型ゲート部か
ら溶融状態で基板と半導体素子との空隙部に加圧移送し
て封止用樹脂組成物を充填し、加熱硬化（いわゆるトラ
ンスファー成形）させて基板と半導体素子との空隙を樹
脂封止することで、非常に短いサイクルで封止を行うこ
とができ、かつ充填剤の沈降もない高信頼性の半導体装
置を製造することができることを見出し、本発明をなす
に至った。
【０００５】即ち、本発明は、配線回路基板の配線電極
に半田を介して半導体素子の電極部を当接し、半田を加
熱溶融して基板に半導体素子を接合し、次いでこの半導
体素子の搭載された基板を金型キャビティー部にセット
し、封止用樹脂組成物を溶融状態で金型のゲート部から
キャビティー部に加圧下に導入して上記基板と半導体素
子との空隙部に圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化
させて、上記基板と半導体素子との空隙部を樹脂封止す
るようにした半導体装置の製造方法であって、上記封止
用樹脂組成物が（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、
（ｃ）最大粒径が２４μｍ以下の無機質充填剤を必須成
分とし、（ｃ）成分の含有量が組成物全体の５０〜８５
重量％であり、成形温度での溶融粘度が２００ポイズ以
下であることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
するものである。
に半田を介して半導体素子の電極部を当接し、半田を加
熱溶融して基板に半導体素子を接合し、次いでこの半導
体素子の搭載された基板を金型キャビティー部にセット
し、封止用樹脂組成物を溶融状態で金型のゲート部から
キャビティー部に加圧下に導入して上記基板と半導体素
子との空隙部に圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化
させて、上記基板と半導体素子との空隙部を樹脂封止す
るようにした半導体装置の製造方法であって、上記封止
用樹脂組成物が（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、
（ｃ）最大粒径が２４μｍ以下の無機質充填剤を必須成
分とし、（ｃ）成分の含有量が組成物全体の５０〜８５
重量％であり、成形温度での溶融粘度が２００ポイズ以
下であることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供
するものである。
【０００６】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の半導体装置の製造方法は、例えば図１に示した
ように、まず片面に配線回路が形成された基板１上の配
線電極２に半田３を介して半導体素子４の電極部５を当
接させる。次いで、半田３を加熱溶融することにより、
半導体素子４を基板１と接合する。この場合、半導体素
子と基板間の距離は１０〜１５０μｍ程度であるが、望
ましくは２０〜１００μｍである。電極の数が多くなる
と半田ボールの大きさが小さくなるため必然的に距離が
短くなる。本発明の製造方法を用いる場合は望ましくは
３０μｍ以上の距離があった方がよい。なお、図２は半
田の配列例を示す。
本発明の半導体装置の製造方法は、例えば図１に示した
ように、まず片面に配線回路が形成された基板１上の配
線電極２に半田３を介して半導体素子４の電極部５を当
接させる。次いで、半田３を加熱溶融することにより、
半導体素子４を基板１と接合する。この場合、半導体素
子と基板間の距離は１０〜１５０μｍ程度であるが、望
ましくは２０〜１００μｍである。電極の数が多くなる
と半田ボールの大きさが小さくなるため必然的に距離が
短くなる。本発明の製造方法を用いる場合は望ましくは
３０μｍ以上の距離があった方がよい。なお、図２は半
田の配列例を示す。
【０００７】本発明は、このようにして半導体素子の搭
載された基板を金型キャビティー部にセットし、封止用
樹脂組成物を溶融状態で金型のゲート部からキャビティ
ー部に加圧下に導入して基板と半導体素子との空隙部に
圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化（いわゆるトラ
ンスファー成形）させて、上記基板と半導体素子との空
隙を樹脂封止するものである。
載された基板を金型キャビティー部にセットし、封止用
樹脂組成物を溶融状態で金型のゲート部からキャビティ
ー部に加圧下に導入して基板と半導体素子との空隙部に
圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化（いわゆるトラ
ンスファー成形）させて、上記基板と半導体素子との空
隙を樹脂封止するものである。
【０００８】例えば、上記半導体素子が搭載された基板
を、図３に示されたような上金型１１と下金型１２とを
備えた金型１０の該下型１２のキャビティー部１３にセ
ットし、上金型１１を閉じ、保温する。その際金型の温
度としては１３０〜２００℃に設定することが好まし
い。金型温度が１３０℃よリも低い場合、封止用樹脂組
成物の溶融粘度が高くなり、成形時半田を押し流した
り、内部にボイドを発生させる場合がある。また、２０
０℃より高いと反応が速すぎて完全に充填させることが
できなくなるおそれがある。その後、プランジャポット
部に封止用樹脂組成物を投入し、プランジャー１４で加
圧する。封止用樹脂組成物はポットに投入する前に予め
円筒形のプリフォームにしておいてもよいし、顆粒状の
粒子のままでもよい。プランジャーポット投入前に予め
高周波予熱装置で封止用樹脂組成物を５０〜１００℃に
加熱しておくことが良好な成形性を得るために望まし
い。成形圧力としては１０〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2、望
ましくは３０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2であることがよい。
１０ｋｇｆ／ｃｍ2未満では圧力が低すぎて十分な充填
性を得ることができない場合があり、また１００ｋｇｆ
／ｃｍ2を超えると半田を押し流す場合がある。圧力は
不具合が発生しないならできるだけ高く設定した方が信
頼性の面から望ましい。
を、図３に示されたような上金型１１と下金型１２とを
備えた金型１０の該下型１２のキャビティー部１３にセ
ットし、上金型１１を閉じ、保温する。その際金型の温
度としては１３０〜２００℃に設定することが好まし
い。金型温度が１３０℃よリも低い場合、封止用樹脂組
成物の溶融粘度が高くなり、成形時半田を押し流した
り、内部にボイドを発生させる場合がある。また、２０
０℃より高いと反応が速すぎて完全に充填させることが
できなくなるおそれがある。その後、プランジャポット
部に封止用樹脂組成物を投入し、プランジャー１４で加
圧する。封止用樹脂組成物はポットに投入する前に予め
円筒形のプリフォームにしておいてもよいし、顆粒状の
粒子のままでもよい。プランジャーポット投入前に予め
高周波予熱装置で封止用樹脂組成物を５０〜１００℃に
加熱しておくことが良好な成形性を得るために望まし
い。成形圧力としては１０〜１００ｋｇｆ／ｃｍ2、望
ましくは３０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ2であることがよい。
１０ｋｇｆ／ｃｍ2未満では圧力が低すぎて十分な充填
性を得ることができない場合があり、また１００ｋｇｆ
／ｃｍ2を超えると半田を押し流す場合がある。圧力は
不具合が発生しないならできるだけ高く設定した方が信
頼性の面から望ましい。
【０００９】このような溶融した封止用樹脂組成物１６
を上記圧力下に金型１０のゲート部１５よりキャビティ
ー部１３に導入し、基板１と半導体素子４との間の空隙
部６に溶融した封止用樹脂組成物を圧入し、これを硬化
して、図４に示すように空隙部６を樹脂封止１７した半
導体装置１８を得るものである。なお、硬化時間として
は６０〜２４０秒、望ましくは６０〜１２０秒である。
移送成形の方法としては３Ｐシステム（Ｐｒｅ−Ｐａｃ
ｋａｇｅｄ−ｐｒｏｃｅｓｓ）として知られているよう
なフィルムを用いた成形装置を使用することが上下金型
の合わせ目から樹脂が漏れるといった問題を防止するこ
とができる。また、この方法であれば金型と直接樹脂が
接触しないため、離型剤を含まない封止用樹脂組成物を
使用しても離型トラブルを招くこともない。更に、液状
の封止用樹脂組成物でも使用できるメリットがある。
を上記圧力下に金型１０のゲート部１５よりキャビティ
ー部１３に導入し、基板１と半導体素子４との間の空隙
部６に溶融した封止用樹脂組成物を圧入し、これを硬化
して、図４に示すように空隙部６を樹脂封止１７した半
導体装置１８を得るものである。なお、硬化時間として
は６０〜２４０秒、望ましくは６０〜１２０秒である。
移送成形の方法としては３Ｐシステム（Ｐｒｅ−Ｐａｃ
ｋａｇｅｄ−ｐｒｏｃｅｓｓ）として知られているよう
なフィルムを用いた成形装置を使用することが上下金型
の合わせ目から樹脂が漏れるといった問題を防止するこ
とができる。また、この方法であれば金型と直接樹脂が
接触しないため、離型剤を含まない封止用樹脂組成物を
使用しても離型トラブルを招くこともない。更に、液状
の封止用樹脂組成物でも使用できるメリットがある。
【００１０】この場合、本発明に使用する封止用樹脂組
成物は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）無
機質充填剤を必須成分とする、いわゆる硬化性エポキシ
樹脂組成物であるが、典型的には、１０〜１５０μｍの
空隙を有する５〜２０ｍｍ×５〜２０ｍｍ角で厚みが
０．１〜０．６ｍｍの素子を封止する必要があることか
ら、従来からよく知られている半導体装置封止用樹脂組
成物とは流動特性や硬化特性で異なった性質が要求され
る。特に、成形時の粘度が重要で、成形温度での溶融粘
度が２００ポイズ以下であることが必要であり、例えば
１３０〜２００℃、好ましくは１５０〜１８５℃、より
好ましくは１７５℃で成形する場合は、成形温度で測定
した溶融粘度が２００ポイズ以下、望ましくは５〜１０
０ポイズ以下、より望ましくは１０〜５０ポイズ以下で
ある。また、樹脂の注入を３〜３０秒程度で行う必要が
あることから、樹脂のゲル化時間としては成形温度で２
０秒以上、望ましくは３０秒以上、より望ましくは３５
秒以上であることがよい。流動性の目安となるスパイラ
ルフローは１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で測定
した場合、１００〜２５０ｃｍ、より望ましくは１５０
〜２５０ｃｍ程度流れるものであることがよい。
成物は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）無
機質充填剤を必須成分とする、いわゆる硬化性エポキシ
樹脂組成物であるが、典型的には、１０〜１５０μｍの
空隙を有する５〜２０ｍｍ×５〜２０ｍｍ角で厚みが
０．１〜０．６ｍｍの素子を封止する必要があることか
ら、従来からよく知られている半導体装置封止用樹脂組
成物とは流動特性や硬化特性で異なった性質が要求され
る。特に、成形時の粘度が重要で、成形温度での溶融粘
度が２００ポイズ以下であることが必要であり、例えば
１３０〜２００℃、好ましくは１５０〜１８５℃、より
好ましくは１７５℃で成形する場合は、成形温度で測定
した溶融粘度が２００ポイズ以下、望ましくは５〜１０
０ポイズ以下、より望ましくは１０〜５０ポイズ以下で
ある。また、樹脂の注入を３〜３０秒程度で行う必要が
あることから、樹脂のゲル化時間としては成形温度で２
０秒以上、望ましくは３０秒以上、より望ましくは３５
秒以上であることがよい。流動性の目安となるスパイラ
ルフローは１７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で測定
した場合、１００〜２５０ｃｍ、より望ましくは１５０
〜２５０ｃｍ程度流れるものであることがよい。
【００１１】更に、この封止用樹脂組成物について詳述
すると、（ａ）成分であるエポキシ樹脂は、従来から公
知の一分子当たり２個以上のエポキシ基を持ったもので
あればいかなるものでも使用することができるが、特に
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、シク
ロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン
型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹
脂等のトリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラ
ルキル型エポキシ樹脂などが例示される。また、下記構
造式で示されるエポキシ樹脂も使用可能である。
すると、（ａ）成分であるエポキシ樹脂は、従来から公
知の一分子当たり２個以上のエポキシ基を持ったもので
あればいかなるものでも使用することができるが、特に
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、シク
ロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン
型エポキシ樹脂、トリフェノールプロパン型エポキシ樹
脂等のトリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、
フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラ
ルキル型エポキシ樹脂などが例示される。また、下記構
造式で示されるエポキシ樹脂も使用可能である。
【００１２】
【化１】 （Ｇ＝グリシジル基、Ｍｅ＝メチル基、ｎは０〜１０、
好ましくは０〜３の整数）
好ましくは０〜３の整数）
【００１３】これらエポキシ樹脂中の全塩素含有量は１
５００ｐｐｍ以下、望ましくは１０００ｐｐｍ以下であ
る。また、１２０℃で５０％エポキシ樹脂濃度における
２０時間での抽出水塩素が５ｐｐｍ以下であることが好
ましい。全塩素含有量が１５００ｐｐｍを超え、また抽
出水塩素量が５ｐｐｍを超えると半導体の耐湿信頼性が
低下するおそれがある。
５００ｐｐｍ以下、望ましくは１０００ｐｐｍ以下であ
る。また、１２０℃で５０％エポキシ樹脂濃度における
２０時間での抽出水塩素が５ｐｐｍ以下であることが好
ましい。全塩素含有量が１５００ｐｐｍを超え、また抽
出水塩素量が５ｐｐｍを超えると半導体の耐湿信頼性が
低下するおそれがある。
【００１４】本発明の硬化剤（ｂ）としては、酸無水物
やアミン化合物、あるいはフェノール樹脂など従来から
公知のエポキシ樹脂を硬化させることができるものなら
いずれのものでも使用可能であるが、中でも信頼性の面
からフェノール樹脂が望ましい。フェノール樹脂として
は１分子中にフェノール性の水酸基が２個以上あればい
かなるものでも使用可能であるが、特に、ビスフェノー
ルＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノー
ル型樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂等のノボラック樹脂、フェノールアラルキル
樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、シクロペンタ
ジエン型フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹
脂、トリフェノールプロパン型樹脂等のトリフェノール
アルカン型樹脂、ビフェニル型樹脂、ビフェニルアラル
キル型樹脂や下記構造のフェノール性水酸基を含有する
ものなどが例示される。
やアミン化合物、あるいはフェノール樹脂など従来から
公知のエポキシ樹脂を硬化させることができるものなら
いずれのものでも使用可能であるが、中でも信頼性の面
からフェノール樹脂が望ましい。フェノール樹脂として
は１分子中にフェノール性の水酸基が２個以上あればい
かなるものでも使用可能であるが、特に、ビスフェノー
ルＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノー
ル型樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂等のノボラック樹脂、フェノールアラルキル
樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、シクロペンタ
ジエン型フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹
脂、トリフェノールプロパン型樹脂等のトリフェノール
アルカン型樹脂、ビフェニル型樹脂、ビフェニルアラル
キル型樹脂や下記構造のフェノール性水酸基を含有する
ものなどが例示される。
【００１５】
【化２】 （ｎは０〜１０、好ましくは０〜３の整数）
【００１６】フェノール樹脂もエポキシ樹脂同様、１２
０℃の温度で抽出される塩素イオンやナトリウムイオン
などはいずれも好ましくは１０ｐｐｍ以下、より望まし
くは５ｐｐｍ以下である。
０℃の温度で抽出される塩素イオンやナトリウムイオン
などはいずれも好ましくは１０ｐｐｍ以下、より望まし
くは５ｐｐｍ以下である。
【００１７】エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合割合
は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１モルに対してフェノ
ール樹脂中のフェノール性水酸基が０．５〜１．６モ
ル、望ましくは０．６〜１．４モルであることがよい。
０．５モル未満では水酸基が不足しエポキシ基の単独重
合の割合が多くなり、ガラス転移温度が低くなるおそれ
がある。また、１．６モルを超えるとフェノール性水酸
基の比率が高くなり、反応性が低下するほか架橋密度が
低く十分な強度が得られないものとなる場合がある。
は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１モルに対してフェノ
ール樹脂中のフェノール性水酸基が０．５〜１．６モ
ル、望ましくは０．６〜１．４モルであることがよい。
０．５モル未満では水酸基が不足しエポキシ基の単独重
合の割合が多くなり、ガラス転移温度が低くなるおそれ
がある。また、１．６モルを超えるとフェノール性水酸
基の比率が高くなり、反応性が低下するほか架橋密度が
低く十分な強度が得られないものとなる場合がある。
【００１８】なお、本発明で用いる封止用樹脂組成物に
は硬化促進剤として、リン系、イミダゾール誘導体、シ
クロアミジン系誘導体などを使用することができる。硬
化促進剤の量としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂
の合計量１００重量部に対し０〜１０重量部、特に０．
０１〜１０重量部であることが好ましい。
は硬化促進剤として、リン系、イミダゾール誘導体、シ
クロアミジン系誘導体などを使用することができる。硬
化促進剤の量としては、エポキシ樹脂とフェノール樹脂
の合計量１００重量部に対し０〜１０重量部、特に０．
０１〜１０重量部であることが好ましい。
【００１９】（ｃ）成分としての無機質充填剤としては
最大粒径が２４μｍ以下のもので、例えばボールミルな
どで粉砕した溶融シリカや火炎溶融することで得られる
球状シリカ、ゾルゲル法などで製造される球状シリカ、
結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッ化ア
ルミ、チッ化珪素、マグネシア、マグネシウムシリケー
トなどが使用される。半導体素子が発熱の大きい素子の
場合、熱伝導率ができるだけ大きく、かつ膨張係数の小
さなアルミナ、ボロンナイトライド、チッ化アルミ、チ
ッ化珪素などを充填剤として使用することが望ましい。
また、溶融シリカなどとブレンドして使用してもよい。
中でも、球状の無機質充填剤、通常は溶融シリカ、熱伝
導性が要求される場合はアルミナやチッ化アルミを用い
ることが好ましい。
最大粒径が２４μｍ以下のもので、例えばボールミルな
どで粉砕した溶融シリカや火炎溶融することで得られる
球状シリカ、ゾルゲル法などで製造される球状シリカ、
結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、チッ化ア
ルミ、チッ化珪素、マグネシア、マグネシウムシリケー
トなどが使用される。半導体素子が発熱の大きい素子の
場合、熱伝導率ができるだけ大きく、かつ膨張係数の小
さなアルミナ、ボロンナイトライド、チッ化アルミ、チ
ッ化珪素などを充填剤として使用することが望ましい。
また、溶融シリカなどとブレンドして使用してもよい。
中でも、球状の無機質充填剤、通常は溶融シリカ、熱伝
導性が要求される場合はアルミナやチッ化アルミを用い
ることが好ましい。
【００２０】無機質充填剤として溶融シリカ又はアルミ
ナを例にすると、溶融シリカ又はアルミナ使用量は、エ
ポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重量部に対し１００
〜５５０重量部、特に２００〜４５０重量部であること
が好ましい。１００重量部未満では、膨張係数を十分に
下げることができず、一方、５５０重量部より多いと粘
度が高くなりすぎ、成形できなくなってしまう場合があ
る。
ナを例にすると、溶融シリカ又はアルミナ使用量は、エ
ポキシ樹脂と硬化剤の合計量１００重量部に対し１００
〜５５０重量部、特に２００〜４５０重量部であること
が好ましい。１００重量部未満では、膨張係数を十分に
下げることができず、一方、５５０重量部より多いと粘
度が高くなりすぎ、成形できなくなってしまう場合があ
る。
【００２１】ここで使用することができるシリカ、アル
ミナ等の無機質充填剤の粒度分布は、平均粒径が１〜１
５μｍ、より好ましくは２〜１０μｍで、充填剤中の２
０〜６０重量％が微細な５μｍ以下の粒径の溶融シリ
カ、アルミナ等の充填剤であって、最大粒径が２４μｍ
以下、望ましくは２０μｍ以下、更に望ましくは１０μ
ｍ以下の粒度分布を持ち、ＢＥＴ吸着法による比表面積
が３．５〜６．０ｍ2／ｇ、望ましくは４．０〜５．０
ｍ2／ｇであるものが望ましい。粒径が５μｍ以下の充
填剤が２０重量％未満では半導体素子と基板間の空隙に
対する充填性が悪く、ボイドや半田バンプの破損といっ
た問題を引き起こすおそれがある。また６０重量％より
多いと、微粉が多くなりすぎて樹脂と充填剤表面が十分
に濡れないため、逆に組成物の粘度が高くなってしま
い、成形時に圧力をあげる必要が生じ、場合によっては
半田バンプの破損を招く場合がある。望ましくは３０〜
５０重量％の範囲で粒径５μｍ以下の充填剤が含まれる
ことがよい。また、一般に充填剤の最大粒径は基板と半
導体素子の距離の１／５以下、好ましくは１／１０以下
に設定すれば、充填性に問題が発生しない。なお、この
平均粒径は例えば、レーザー光回折法などによる粒度分
布測定機を用いて、重量平均値（又はメディアン径）等
として求めることができる。
ミナ等の無機質充填剤の粒度分布は、平均粒径が１〜１
５μｍ、より好ましくは２〜１０μｍで、充填剤中の２
０〜６０重量％が微細な５μｍ以下の粒径の溶融シリ
カ、アルミナ等の充填剤であって、最大粒径が２４μｍ
以下、望ましくは２０μｍ以下、更に望ましくは１０μ
ｍ以下の粒度分布を持ち、ＢＥＴ吸着法による比表面積
が３．５〜６．０ｍ2／ｇ、望ましくは４．０〜５．０
ｍ2／ｇであるものが望ましい。粒径が５μｍ以下の充
填剤が２０重量％未満では半導体素子と基板間の空隙に
対する充填性が悪く、ボイドや半田バンプの破損といっ
た問題を引き起こすおそれがある。また６０重量％より
多いと、微粉が多くなりすぎて樹脂と充填剤表面が十分
に濡れないため、逆に組成物の粘度が高くなってしま
い、成形時に圧力をあげる必要が生じ、場合によっては
半田バンプの破損を招く場合がある。望ましくは３０〜
５０重量％の範囲で粒径５μｍ以下の充填剤が含まれる
ことがよい。また、一般に充填剤の最大粒径は基板と半
導体素子の距離の１／５以下、好ましくは１／１０以下
に設定すれば、充填性に問題が発生しない。なお、この
平均粒径は例えば、レーザー光回折法などによる粒度分
布測定機を用いて、重量平均値（又はメディアン径）等
として求めることができる。
【００２２】本発明においては、充填剤の最密充填化と
チキソ性付与による組成物の低粘度化と樹脂組成物の流
動性制御のために粒径３μｍから超微粉シリカ（０．０
５μｍ以下、通常０．００１〜０．０５μｍ）に至るシ
リカ充填剤を適宜混合して配合してもよい。例えば、ア
エロジルに代表される比表面積が５０〜３００ｍ2／ｇ
（又は粒径が０．００１〜０．０５μｍ）の超微粉シリ
カと粒径が０．０５〜０．５μｍの微粉のシリカ充填剤
及び粒径が０．５〜３μｍのシリカ充填剤を適宜混合し
て用いることがよい。これら微粉シリカの混合量として
は、無機質充填剤全体に対して超微粉シリカが０〜５重
量％、粒径０．０５〜０．５μｍのシリカが１〜１５重
量％、粒径が０．５〜３μｍのシリカが５〜２０重量％
であることが好ましく、これらのシリカ混合物の平均粒
径は１μｍ以下となるように調製して配合してもよい。
チキソ性付与による組成物の低粘度化と樹脂組成物の流
動性制御のために粒径３μｍから超微粉シリカ（０．０
５μｍ以下、通常０．００１〜０．０５μｍ）に至るシ
リカ充填剤を適宜混合して配合してもよい。例えば、ア
エロジルに代表される比表面積が５０〜３００ｍ2／ｇ
（又は粒径が０．００１〜０．０５μｍ）の超微粉シリ
カと粒径が０．０５〜０．５μｍの微粉のシリカ充填剤
及び粒径が０．５〜３μｍのシリカ充填剤を適宜混合し
て用いることがよい。これら微粉シリカの混合量として
は、無機質充填剤全体に対して超微粉シリカが０〜５重
量％、粒径０．０５〜０．５μｍのシリカが１〜１５重
量％、粒径が０．５〜３μｍのシリカが５〜２０重量％
であることが好ましく、これらのシリカ混合物の平均粒
径は１μｍ以下となるように調製して配合してもよい。
【００２３】この場合、本発明において無機質充填剤は
組成物全体の５０〜８５重量％、特に７０〜８２重量％
を含有する。５０重量％より少ないと組成物としての粘
度は低くなるものの膨張係数が大くなり、温度サイクル
試験などで封止剤が半導体チップ表面で剥離するという
問題があり、また８５重量％より多いと組成物の粘度が
高くなりすぎて、充填性が悪くなり、未充填不良が発生
する。
組成物全体の５０〜８５重量％、特に７０〜８２重量％
を含有する。５０重量％より少ないと組成物としての粘
度は低くなるものの膨張係数が大くなり、温度サイクル
試験などで封止剤が半導体チップ表面で剥離するという
問題があり、また８５重量％より多いと組成物の粘度が
高くなりすぎて、充填性が悪くなり、未充填不良が発生
する。
【００２４】なお、本発明の組成物には従来から公知の
シリコーンゴムやシリコーンゲルなどの粉末、シリコー
ン変性エポキシ樹脂やシリコーン変性フェノール樹脂、
メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱
可塑性樹脂及びその水素添加物などの誘導体等を低応力
化剤として添加してもよい。
シリコーンゴムやシリコーンゲルなどの粉末、シリコー
ン変性エポキシ樹脂やシリコーン変性フェノール樹脂、
メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレンよりなる熱
可塑性樹脂及びその水素添加物などの誘導体等を低応力
化剤として添加してもよい。
【００２５】また、粘度を下げる目的のために、従来よ
り公知のｎ−ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリ
シジルエーテル、スチレンオキサイド、ｔ−ブチルフェ
ニルグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポ
キシド、フェノール、クレゾール、ｔ−ブチルフェノー
ルのような希釈剤を添加することができる。
り公知のｎ−ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリ
シジルエーテル、スチレンオキサイド、ｔ−ブチルフェ
ニルグリシジルエーテル、ジシクロペンタジエンジエポ
キシド、フェノール、クレゾール、ｔ−ブチルフェノー
ルのような希釈剤を添加することができる。
【００２６】更に、難燃化のためブロム化エポキシ樹脂
や三酸化アンチモンのような難燃助剤、シランカップリ
ング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カッ
プリング剤などのカップリング剤やカーボンブラックな
どの着色剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性
剤、シリコーンオイルなどの濡れ向上剤や消泡剤なども
場合によっては添加することができる。
や三酸化アンチモンのような難燃助剤、シランカップリ
ング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カッ
プリング剤などのカップリング剤やカーボンブラックな
どの着色剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性
剤、シリコーンオイルなどの濡れ向上剤や消泡剤なども
場合によっては添加することができる。
【００２７】製造方法としては上記した諸原料を高速混
合機などを用い、均一に混合した後熱二本ロールや連続
混練装置などで十分混練すればよい。
合機などを用い、均一に混合した後熱二本ロールや連続
混練装置などで十分混練すればよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、封止用樹脂組成物を基
板と半導体素子との空隙部に確実に充填することがで
き、ボイド等の発生もなく、半田ボールを破損すること
もなく、短時間で効率よく、しかも簡単に樹脂封止を行
うことができ、耐湿性に優れ、高信頼性の半導体装置を
得ることができる。
板と半導体素子との空隙部に確実に充填することがで
き、ボイド等の発生もなく、半田ボールを破損すること
もなく、短時間で効率よく、しかも簡単に樹脂封止を行
うことができ、耐湿性に優れ、高信頼性の半導体装置を
得ることができる。
【００２９】
【実施例】以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるも
のではない。
【００３０】〔実施例１〜３、比較例１，２〕表１に示
される組成成分を同表に示される割合で各成分を混合し
た。これを高速混合機で１０分間混合した後、連続混練
装置を用いて５０〜１００℃で混練し、シート化した。
冷却後粉砕し、円筒状に打錠し、ペレット化し、樹脂組
成物（実施例１〜３、比較例１，２）を得た。その特性
は表２に示す通りである。
される組成成分を同表に示される割合で各成分を混合し
た。これを高速混合機で１０分間混合した後、連続混練
装置を用いて５０〜１００℃で混練し、シート化した。
冷却後粉砕し、円筒状に打錠し、ペレット化し、樹脂組
成物（実施例１〜３、比較例１，２）を得た。その特性
は表２に示す通りである。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【化３】 硬化剤（１）：ノボラック型フェノール樹脂，水酸基当
量：１１０ 硬化剤（２）：フェノールアラルキル樹脂（明和化成社
製ＭＥＨ７８００），水酸基当量：１７５ 臭素化ノボラック型エポキシ樹脂：ＢＲＥＮ−Ｓ（日本
化薬社製），エポキシ当量：２８０ 無機質充填剤： 平均粒径（μｍ） 最大粒径（μｍ） 球状シリカ（１） ３ １０ 球状シリカ（２） ５ ２０ 球状シリカ（３） ５ ４８ 球状アルミナ ３ １５ 触媒（１）：トリフェニルホスフィン 触媒（２）：ＴＰＰ−Ｋ（テトラフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレート） カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン なお、上記無機質充填剤の平均粒径及び最大粒径は、シ
ラス社（ＣＩＬＡＳＡＬＣＡＴＥＬ（Ｆｒａｎｃｅ））
製のレーザー光回折式粒度分布測定装置：Ｇｒａｎｕｒ
ｏｍｅｔｅｒ ９２０を用いて測定した。
量：１１０ 硬化剤（２）：フェノールアラルキル樹脂（明和化成社
製ＭＥＨ７８００），水酸基当量：１７５ 臭素化ノボラック型エポキシ樹脂：ＢＲＥＮ−Ｓ（日本
化薬社製），エポキシ当量：２８０ 無機質充填剤： 平均粒径（μｍ） 最大粒径（μｍ） 球状シリカ（１） ３ １０ 球状シリカ（２） ５ ２０ 球状シリカ（３） ５ ４８ 球状アルミナ ３ １５ 触媒（１）：トリフェニルホスフィン 触媒（２）：ＴＰＰ−Ｋ（テトラフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレート） カップリング剤：γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン なお、上記無機質充填剤の平均粒径及び最大粒径は、シ
ラス社（ＣＩＬＡＳＡＬＣＡＴＥＬ（Ｆｒａｎｃｅ））
製のレーザー光回折式粒度分布測定装置：Ｇｒａｎｕｒ
ｏｍｅｔｅｒ ９２０を用いて測定した。
【００３３】
【表２】
【００３４】スパイラルフロー 成形温度１７５℃、成形圧力７０ｋｇｆ／ｃｍ2でトラ
ンスファー成形することでスパイラルフローを測定し
た。ゲル化時間 １７５℃及び１６０℃の熱板でエポキシ樹脂組成物がゲ
ルになるまでの時間を測定した。溶融粘度 高化式フローテスターを用い、１０ｋｇの加圧下、直径
１ｍｍのノズルを用い、温度１７５℃の粘度を測定し
た。ガラス転移温度、線膨張係数 １７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、成形時間２分の条件で
４×４×１５ｍｍの試験片を成形し、１８０℃で４時間
ポストキュアーしたものを用い、ディラトメーターによ
り５℃／分で昇温させることにより測定した。
ンスファー成形することでスパイラルフローを測定し
た。ゲル化時間 １７５℃及び１６０℃の熱板でエポキシ樹脂組成物がゲ
ルになるまでの時間を測定した。溶融粘度 高化式フローテスターを用い、１０ｋｇの加圧下、直径
１ｍｍのノズルを用い、温度１７５℃の粘度を測定し
た。ガラス転移温度、線膨張係数 １７５℃、７０ｋｇｆ／ｃｍ2、成形時間２分の条件で
４×４×１５ｍｍの試験片を成形し、１８０℃で４時間
ポストキュアーしたものを用い、ディラトメーターによ
り５℃／分で昇温させることにより測定した。
【００３５】次に、厚さ０．２８ｍｍのＢＴ基板と１０
ｍｍ×１０ｍｍで厚さ０．２５ｍｍの半導体素子を直径
７５μｍの半田ボール４５０個で接合した半導体装置を
図３で示されるように１６０℃に加熱されている金型に
セットした。次に円筒状に成形されたそれぞれの樹脂組
成物を高周波予熱機で６５℃に加熱した後、プランジャ
ーポットに投入し、成形圧力４０ｋｇｆ／ｃｍ2で２０
秒かけて注入した。注入後６０秒間硬化させ、次いで金
型を開き、半導体装置を取り出した。成形で得られた半
導体装置を超音波探傷装置を用いて空隙内に完全に樹脂
組成物が充填されているか、あるいはボイドが存在して
いないかどうかを確認した。結果を表３に示す。
ｍｍ×１０ｍｍで厚さ０．２５ｍｍの半導体素子を直径
７５μｍの半田ボール４５０個で接合した半導体装置を
図３で示されるように１６０℃に加熱されている金型に
セットした。次に円筒状に成形されたそれぞれの樹脂組
成物を高周波予熱機で６５℃に加熱した後、プランジャ
ーポットに投入し、成形圧力４０ｋｇｆ／ｃｍ2で２０
秒かけて注入した。注入後６０秒間硬化させ、次いで金
型を開き、半導体装置を取り出した。成形で得られた半
導体装置を超音波探傷装置を用いて空隙内に完全に樹脂
組成物が充填されているか、あるいはボイドが存在して
いないかどうかを確認した。結果を表３に示す。
【００３６】
【表３】
【００３７】更に、耐湿性の比較のために、従来使用さ
れている酸無水物硬化型のフリップチップ用アンダーフ
ィル材（エポキシ樹脂組成物）を用い、実施例で使用し
た半導体装置を封止した（比較例３）。酸無水物硬化型
のフリップチップ用アンダーフィル材としては下記配合
のものを用いた。 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ５０重量部 ４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸 ３０重量部 平均粒径５μｍで最大粒径１５μｍの球状シリカ １００重量部 ２−フェニルイミダゾール ０．２重量部耐湿性の評価 実施例１で封止した半導体装置と比較例３で封止した半
導体装置それぞれ５個を１２１℃、２．１気圧のプレッ
シャークッカー容器に入れ、所定の時間ごとに取り出
し、超音波探傷装置で素子表面と封止樹脂間の剥離状態
を観察した。結果を表４に示す。
れている酸無水物硬化型のフリップチップ用アンダーフ
ィル材（エポキシ樹脂組成物）を用い、実施例で使用し
た半導体装置を封止した（比較例３）。酸無水物硬化型
のフリップチップ用アンダーフィル材としては下記配合
のものを用いた。 ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 ５０重量部 ４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸 ３０重量部 平均粒径５μｍで最大粒径１５μｍの球状シリカ １００重量部 ２−フェニルイミダゾール ０．２重量部耐湿性の評価 実施例１で封止した半導体装置と比較例３で封止した半
導体装置それぞれ５個を１２１℃、２．１気圧のプレッ
シャークッカー容器に入れ、所定の時間ごとに取り出
し、超音波探傷装置で素子表面と封止樹脂間の剥離状態
を観察した。結果を表４に示す。
【００３８】
【表４】
【図１】半導体素子と基板が接合された状態の一例を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】半田の配列例を示す平面図である。
【図３】半導体素子が搭載された基板を樹脂封止する状
態を説明する概略図である。
態を説明する概略図である。
【図４】本発明により得られる半導体装置の一例を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
１ 基板 ２ 配線電極 ３ 半田 ４ 半導体素子 ５ 電極部 ６ 空隙部 １０ 金型 １１ 上金型 １２ 下金型 １３ ギャビティ−部 １４ プランジャー １５ ゲート部 １６ 封止用樹脂組成物 １７ 封止樹脂 １８ 半導体装置
Claims (1)
- 【請求項１】 配線回路基板の配線電極に半田を介して
半導体素子の電極部を当接し、半田を加熱溶融して基板
に半導体素子を接合し、次いでこの半導体素子の搭載さ
れた基板を金型キャビティー部にセットし、封止用樹脂
組成物を溶融状態で金型のゲート部からキャビティー部
に加圧下に導入して上記基板と半導体素子との空隙部に
圧送、充填し、封止用樹脂組成物を硬化させて、上記基
板と半導体素子との空隙部を樹脂封止するようにした半
導体装置の製造方法であって、上記封止用樹脂組成物が
（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、（ｃ）最大粒径が
２４μｍ以下の無機質充填剤を必須成分とし、（ｃ）成
分の含有量が組成物全体の５０〜８５重量％であり、成
形温度での溶融粘度が２００ポイズ以下であることを特
徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11007757A JPH11288979A (ja) | 1998-02-02 | 1999-01-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-35453 | 1998-02-02 | ||
| JP3545398 | 1998-02-02 | ||
| JP11007757A JPH11288979A (ja) | 1998-02-02 | 1999-01-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11288979A true JPH11288979A (ja) | 1999-10-19 |
Family
ID=26342102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11007757A Pending JPH11288979A (ja) | 1998-02-02 | 1999-01-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11288979A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002060468A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
| KR20030049284A (ko) * | 2001-12-14 | 2003-06-25 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 본딩용 패키지기판 |
| US6632320B1 (en) | 1999-08-19 | 2003-10-14 | Sony Chemicals Corp. | Adhesive material and circuit connection method |
| JP2005194502A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-07-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006016431A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP2006016433A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP2006282824A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Somar Corp | 電子部品保護用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| KR100678808B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2007-02-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| JP2007217708A (ja) * | 2007-05-16 | 2007-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| JP2008004674A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体素子及び回路基板からなる半導体装置 |
| US7397139B2 (en) | 2003-04-07 | 2008-07-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
| KR100966944B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2010-06-30 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| CN115775746A (zh) * | 2021-09-07 | 2023-03-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 巨量转移治具及巨量转移方法 |
| CN115803357A (zh) * | 2020-07-20 | 2023-03-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 电子器件的制造方法和电子器件 |
-
1999
- 1999-01-14 JP JP11007757A patent/JPH11288979A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6632320B1 (en) | 1999-08-19 | 2003-10-14 | Sony Chemicals Corp. | Adhesive material and circuit connection method |
| JP2002060468A (ja) * | 2000-08-16 | 2002-02-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板 |
| KR20030049284A (ko) * | 2001-12-14 | 2003-06-25 | 삼성전기주식회사 | 플립칩 본딩용 패키지기판 |
| KR100966944B1 (ko) * | 2003-03-28 | 2010-06-30 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| US7397139B2 (en) | 2003-04-07 | 2008-07-08 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Epoxy resin molding material for sealing use and semiconductor device |
| KR100678808B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2007-02-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물의 제조 방법 및 그에 의해 얻어지는 반도체 캡슐화용 에폭시 수지 조성물 및 반도체 장치 |
| JP2005194502A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-07-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2006016431A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP2006016433A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置 |
| JP2006282824A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Somar Corp | 電子部品保護用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP2008004674A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体素子及び回路基板からなる半導体装置 |
| JP2007217708A (ja) * | 2007-05-16 | 2007-08-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 |
| CN115803357A (zh) * | 2020-07-20 | 2023-03-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 电子器件的制造方法和电子器件 |
| CN115775746A (zh) * | 2021-09-07 | 2023-03-10 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 巨量转移治具及巨量转移方法 |
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