JPH112943A

JPH112943A - 画像形成装置

Info

Publication number: JPH112943A
Application number: JP15497197A
Authority: JP
Inventors: Hajime Koyama; 一小山; Akio Kojima; 明夫小島
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-06-12
Filing date: 1997-06-12
Publication date: 1999-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】飽和領域で書込む方式を前提とし、静電潜像
パターンのエッジ電界効果を抑制して静電潜像に忠実で
現像太りのないトナー像を形成でき、高精細な画像が安
定して得られるようにする。【解決手段】導電性支持層１３上に少なくとも電荷移
動層１４と非晶質型光導電性半導体を含む電荷発生層１
５とが順に積層された感光層１２を有する感光体６に対
して光ビームにより飽和書込みを行うことで、静電潜像
が感光体６の極めて限られた表層の電荷発生層１５部分
にのみ形成される。これにより、書込み用の光ビームに
忠実な静電潜像パターンを容易に形成できる上に、その
静電潜像パターンのエッジ電界効果が出にくいためトナ
ー像も太ることなく静電潜像パターンに忠実なトナー像
として形成できる。よって、高精細な画像が安定して形
成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真方式を利
用した画像形成装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真技術を利用したデジタル複写
機、プリンタ、ファクシミリ装置等では、近年、画像情
報の高精度な再現性が求められている。これに伴い、画
像形成状態を安定化させる技術や、より細かな階調表現
を可能にする技術等の研究・開発が進められている。

【０００３】例えば、特開平１−２９７２６９号公報に
は、感光体に静電潜像を形成する発光素子の黒情報記録
のための光量を感光体の明減衰特性の飽和領域内に設定
する発明が開示されている。感光体の明減衰特性の飽和
領域内では、発光素子の光量変動に対する感光体電位の
変動が少なくなる。このため、発光素子毎の光量のバラ
ツキにより生ずる記録濃度ムラが抑えられる。

【０００４】また、特開平４−２５８７１号公報には、
感光体として高γ感光体を用い、この高γ感光体上での
ビーム光量分布の最大光量Ｉ₀ 及び感光体の電位を半減
する半減露光光量Ｐ_1/2 とが１．２×Ｐ_1/2 ≦Ｉ₀ ≦２．５×Ｐ_1/2 の条件を満たすようにした発明が開示されている。この
ような発明では、感光体の感度変化に影響されない鮮明
な画像形成を行うことができる。

【０００５】従って、安定した画像形成を行う上では、
飽和領域で書込みを行う飽和露光方式が有望と考えられ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、感光体に形
成された静電潜像を現像する方式として、接触現像方式
の他に、現像における感光体摩耗を防止できる非接触現
像方式やソフトタッチ現像方式が知られている。「磁性
１成分現像剤による非接触現像方式」というのは、トナ
ーとして磁性トナーを用いることを前提とし、現像装置
における現像ローラを予め着磁させておくことで現像ロ
ーラの周囲にトナー（現像剤）の穂立ちを形成し、この
穂立ちしたトナーを感光体に形成された静電潜像に転移
させる現像方式である。従って、磁性１成分現像剤によ
る非接触現像方式では、感光体に対して現像ローラが非
接触の状態で現像が行われることになる。また、「ソフ
トタッチ現像方式」というのは、現像ローラに付着する
トナーの層厚を規制するドクタブレードを通過する際の
粉圧よりも弱い圧で感光体と接触する現像剤層（１成分
又は２成分現像剤）をもって現像を行う現像方式であ
る。従って、ソフトタッチ現像方式では、感光体に対し
て現像ローラが極めて弱い接触圧で接触した状態で現像
が行われることになる。

【０００７】ここで、磁性１成分現像剤による非接触現
像方式やソフトタッチ現像方式では、現像の方向性が出
にくいという利点がある。つまり、感光体に現像ローラ
が接触する接触現像方式では、感光体に転移したトナー
に対して、現像ローラの接触によるスキャベンジ力（掻
き取り力）が働くため、トナー顕像画素の中央部のトナ
ー濃度が薄くなりやすい。つまり、トナー顕像画素にお
いて、感光体の回転方向先端部及び後端部よりも中央部
においてスキャベンジ力が強く働き、かつ、このスキャ
ベンジ力によってトナーの飛び散り現象も生ずるため、
トナー顕像画素ではその両端部の濃度が高くなってその
中央部の濃度が薄くなる傾向がある。このようなトナー
顕像画素内での濃淡が「現像の方向性」である。磁性１
成分現像剤による非接触現像方式やソフトタッチ現像方
式では、感光体に転移したトナーに対して現像ローラの
接触によるスキャベンジ力が働かないため、そのような
現像の方向性が出にくい。

【０００８】ところが、磁性１成分現像剤による非接触
現像方式やソフトタッチ現像方式は、現像の方向性が出
にくいという利点を有する反面、潜像パターンのエッジ
電界効果により静電潜像パターンよりも太ったトナー顕
像パターンができて高精細度画像を形成し難いという問
題がある。つまり、非接触現像方式やソフトタッチ現像
方式では感光体と現像ローラとの間の距離が長くなるた
め、それだけ現像剤の抵抗成分が増大する。このため、
静電潜像における画素よりもトナー顕像画素の方が広が
ってしまい（エッジ電界効果）、これを原因として転写
画像にいわゆるドット太りが生じてしまう。

【０００９】特に、特開平１−２９７２６９号公報に記
載されているように、感光体に静電潜像を形成する発光
素子の黒情報記録のための光量を感光体の明減衰特性の
飽和領域内に設定した場合には、感光体の感光層でも静
電潜像が画素太りするため、益々高精細度画像を形成す
るのが困難になってしまう。これに対し、特開平４−２
５８７１号公報に記載された画像形成装置のように、感
光体として光減衰特性に優れた高γ感光体を用いた場合
には、感光体の感光層での静電潜像の画素太りを防止す
ることができる。しかしながら、高γ感光体を用いたと
しても、非接触現像方式やソフトタッチ現像方式の現像
装置を採用した場合に生ずる静電潜像パターンのエッジ
電界効果までを防止することはできず、従って、高精細
度画像を形成し難いという問題は解決されない。逆にい
えば、感光体に形成される静電潜像パターンのエッジ電
界効果を抑制できれば高精細な画像を形成し得るもので
あり、静電潜像パターンのエッジ電界効果を抑制するこ
とが課題といえる。

【００１０】そこで、本発明は、求める安定性が得られ
やすい飽和露光方式を前提とし、静電潜像パターンのエ
ッジ電界効果を抑制することで、静電潜像パターンに忠
実で現像太りのないトナー像を形成することができ、高
精細な画像を安定して形成できる画像形成装置を提供す
ることを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
導電性支持層上に少なくとも電荷移動層と非晶質型光導
電性半導体を含む電荷発生層とが順に積層された感光層
を有する感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する
帯電装置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームで飽和
露光して静電潜像を形成するイメージ露光装置と、前記
感光体に形成された静電潜像をトナーにより現像する現
像装置と、前記感光体から記録媒体にトナー像を転写す
る転写装置とを備えている。従って、非晶質型光導電性
半導体を含む電荷発生層を電荷移動層よりも表層側に有
する積層型の感光体に飽和書込みを行うので、静電潜像
が感光体の極めて限られた表層の電荷発生層部分に形成
されることになり、書込み用の光ビームに忠実な静電潜
像パターンを容易に形成できる上に、その静電潜像パタ
ーンのエッジ電界効果が出にくいためトナー像も太るこ
となく静電潜像パターンに忠実なトナー像として形成さ
れる。これにより、高精細な画像を安定して形成でき
る。この場合の感光体としての感度、耐久性は、表層側
の電荷発生層中の非晶質型光導電性半導体の高感度、高
硬度性により確保され、帯電能力は、下層側の電荷移動
層の層厚により自由に制御できる。

【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の画
像形成装置において、電荷発生層は、無機系光導電性半
導体により形成されている。従って、電荷発生層が表層
側に積層されているが、この電荷発生層が高硬度な無機
系光導電性半導体により形成されているので、十分な硬
度、耐摩耗性を有することとなり、高精細な画像を長期
に渡って安定して形成できる。

【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１記載の画
像形成装置において、電荷発生層は、無機系光導電性半
導体とバインダ樹脂との混合物により形成されている。
従って、表層側に積層される電荷発生層にバインダ樹脂
が含まれているので、感光体としての帯電能力及び感度
を容易に高めることができ、形成される静電潜像パター
ンの光ビームに対する忠実度が向上し、画像の高精細化
に寄与する。

【００１４】請求項４記載の発明は、請求項１記載の画
像形成装置において、電荷移動層は、少なくとも電荷移
動物質及び熱硬化性樹脂により形成されている。従っ
て、摩耗の少ない非晶質型光導電性半導体を含む電荷発
生層に対するボケ対策として感光体に加熱ヒータ等によ
る加熱処理を施しても、その下層の電荷移動層が熱硬化
性樹脂を含んで形成されて耐熱性を有しているので支障
がなく、結果として、このような感光体を用いることで
ボケのない画像が得られる。

【００１５】請求項５記載の発明は、請求項１記載の画
像形成装置において、電荷発生層の平均層厚は、トナー
体積平均粒径以下である。従って、基底の導電性支持層
に特別な光反射率低減処理を施さなくてもこの導電性支
持層に到達する光の割合を少なくすることができ、書込
み用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを容易に形成
することができ、画像の高精細化に寄与する。ここに、
トナー粒径の約４倍の露光分布が安定に再現し得る最小
ドットであると一般に言われているので、電荷発生層の
層厚はこの点を考慮してトナー体積平均粒径（例えば、
８μｍ）以下であればよい。

【００１６】請求項６記載の発明は、請求項１記載の画
像形成装置において、電荷移動層の平均層厚は、電荷発
生層の平均層厚よりも厚い。従って、書込み用の光ビー
ムに対する静電潜像の忠実度を上げるため、及び、静電
潜像パターンのエッジ電界効果を出にくくするためには
電荷発生層が薄いほうがよいものの、電荷発生層を形成
する非晶質型光導電性半導体は薄くなるにつれてその電
位保持能力が低下するが、安価な電荷移動層の膜厚を厚
くすることにより電位保持能力（例えば、数百Ｖ）を向
上させることができ、画像の高精細化に寄与する。

【００１７】請求項９記載の発明は、請求項１記載の画
像形成装置において、導電性支持層と電荷移動層との境
界面が不規則な粗面とされている。従って、この不規則
な粗面が導電性支持層表面の反射率を下げる役目をな
し、書込み用の光ビームの導電性支持層での光反射率が
低いので、導電性支持層表層付近での多重反射が防止さ
れ、書込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形
成することができ、画像の高精細化に寄与する。

【００１８】請求項１０記載の発明は、請求項１記載の
画像形成装置において、感光体は、少なくとも正極性帯
電電荷に対して光減衰特性を示す。従って、電荷発生層
が表層側に積層される積層型の感光体構造において、少
なくとも正極性帯電電荷に対して光減衰特性を示すの
で、オゾン発生量が少なく、かつ、帯電ムラの発生しに
くい作像プロセスを利用して高精細な画像を形成するこ
とができる。

【００１９】請求項１１記載の発明は、請求項１記載の
画像形成装置において、電荷発生層の表層側部分は、そ
の電荷移動層側部分より高硬度で、かつ、前記電荷移動
層中に含有される構成元素を含んで形成されている。従
って、電荷発生層として所望の帯電特性及び感光特性を
得るのに表面が高耐久性を示す感光物質を用いることが
できる上に、耐摩耗性を向上させるための保護膜（オー
バコート）を別途積層する必要はなく安価で済む。ここ
に、電荷移動層中に含有されている構成元素を含んでい
るので、電荷の移動を妨げることもない。

【００２０】請求項１２記載の発明は、導電性支持層上
に電荷発生層と少なくとも電荷移動物質、バインダ用高
分子樹脂及び低摩擦係数の高分子樹脂を含む電荷移動層
とが順に積層された感光層を有する感光体と、この感光
体の表面を一様に帯電する帯電装置と、一様帯電後の前
記感光体を光ビームで飽和露光して静電潜像を形成する
イメージ露光装置と、前記感光体に形成された静電潜像
をトナーにより現像する現像装置と、前記感光体から記
録媒体にトナー像を転写する転写装置とを備えた。従っ
て、感光体としては導電性支持層上に電荷発生層、電荷
移動層が順に積層されたものを用いるが、その電荷移動
層が少なくとも電荷移動物質、バインダ用高分子樹脂及
び低摩擦係数の高分子樹脂を含む層構成とされており、
このような感光体に飽和書込みを行うので、電荷移動層
の層厚を薄くすることで静電潜像パターンのエッジ電界
効果が出にくくなるためトナー像も太ることなく静電潜
像パターンに忠実なトナー像として形成される。これに
より、高精細な画像を安定して形成できる。この際、電
荷移動層は薄くても低摩擦係数の高分子樹脂を含んでい
るので、削れにくく、その摩耗を少なくすることができ
る。同時に、電荷移動層中でこの低摩擦係数の高分子樹
脂とバインダ用高分子樹脂とが分子レベルで混ざり合う
高分子アロイを形成しやすいので、感光体としての帯電
性能、感光特性を安定して発揮させることができ、長期
に渡って高精細な画像を安定して形成できるものとな
る。

【００２１】請求項１３記載の発明は、請求項１２記載
の画像形成装置において、感光体の電荷移動層中に含ま
れる低摩擦係数の高分子樹脂は、フッ素系樹脂又はシリ
コン系樹脂である。従って、低摩擦係数の高分子樹脂と
して、フッ素系樹脂又はシリコン系樹脂を用いることに
より、薄層形成される電荷移動層の削れ防止を容易に実
現できる。

【００２２】請求項１４記載の発明は、請求項１２記載
の画像形成装置において、感光体の電荷移動層中に含ま
れる低摩擦係数の高分子樹脂は、ホモポリマー又はコポ
リマーである。従って、低摩擦係数の高分子樹脂とし
て、ホモポリマー又はコポリマーを用いることにより、
薄層形成される電荷移動層の削れ防止を容易に実現でき
る。

【００２３】請求項１８記載の発明は、導電性支持層上
に電荷発生層と少なくとも高分子による電荷移動物質を
主成分とする電荷移動層とが順に積層された感光層を有
する感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する帯電
装置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームにより飽和
露光して静電潜像を形成するイメージ露光装置と、前記
感光体に形成された静電潜像をトナーにより現像する現
像装置と、前記感光体から記録媒体にトナー像を転写す
る転写装置とを備えた。従って、感光体としては導電性
支持層上に電荷発生層、電荷移動層が順に積層されたも
のを用いるが、その電荷移動層が少なくとも高分子ドナ
ーによる電荷移動物質を含む層構成とされており、この
ような感光体に対して飽和書込みを行うので、電荷移動
層の層厚を薄くすることで静電潜像パターンのエッジ電
界効果が出にくくなるためトナー像も太ることなく静電
潜像パターンに忠実なトナー像として形成される。これ
により、高精細な画像を安定して形成できる。この際、
電荷移動層は薄くても高分子ドナーによる電荷移動物質
を含んでおり、均質な膜を形成しやすいので、多少削れ
ても、感光体としての静電特性の安定性を維持すること
ができ、長期に渡って高精細な画像を安定して形成でき
るものとなる。

【００２４】請求項２２記載の発明は、導電性支持層上
にチタニルフタロシアニンによる電荷発生物質を含む電
荷発生層と電荷移動層とが順に積層された感光層を有す
る感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する帯電装
置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームにより飽和露
光して静電潜像を形成するイメージ露光装置と、前記感
光体に形成された静電潜像をトナーにより現像する現像
装置と、前記感光体から記録媒体にトナー像を転写する
転写装置とを備えた。従って、感光体としては導電性支
持層上に電荷発生層、電荷移動層が順に積層されたもの
を用いるが、その電荷発生層がチタニルフタロシアニン
による電荷発生物質を含む層構成とされて高感度化され
ており、このような感光体に対して飽和書込みを行うの
で、電荷移動層の層厚を薄くすることで静電潜像パター
ンのエッジ電界効果が出にくくなるためトナー像も太る
ことなく静電潜像パターンに忠実なトナー像として形成
される。これにより、高精細な画像を安定して形成でき
る。

【００２５】請求項２６記載の発明は、導電性支持層上
にドナー（正孔移動物質）、アクセプタ（電子移動物
質）、バインダ樹脂及び電荷発生物質からなる感光層が
単層積層され、ドナー／アクセプタ／バインダ樹脂／電
荷発生物質の総量に対する電荷発生物質の重量百分率が
０．１〜５重量％に設定され、かつ、電荷発生物質の分
散状態に基づき前記感光層に入射する光ビームの吸光度
がこの感光層表面から１μｍの深さまで少なくとも９９
％以上となるように設定された感光体と、この感光体の
表面を一様に帯電する帯電装置と、一様帯電後の前記感
光体を光ビームにより飽和露光して静電潜像を形成する
イメージ露光装置と、前記感光体に形成された静電潜像
をトナーにより現像する現像装置と、前記感光体から記
録媒体にトナー像を転写する転写装置とを備えた。従っ
て、感光層が単層構造の感光体を用いるが、表面硬度の
高い単層構造であり、かつ、電荷発生物質の重量百分率
が低くてその分散状態に基づき書込み用の光ビームの吸
光度が表面から１μｍの深さまでで少なくとも９９％以
上となるように設定されているので、静電潜像が表層付
近でのみ形成されるものとなり、現像の際には、静電潜
像パターンのエッジ電界効果が実効的に働かず、静電潜
像パターンに忠実で現像太りのないトナー像が得られ
る。これにより、高精細な画像を安定して形成できる。

【００２６】請求項１５，１９，２３又は２７記載の発
明は、各々、請求項１２，１８，２２又は２６記載の画
像形成装置において、感光層の平均膜厚Ｔｐ、前記感光
体上での光ビームのエネルギー分布を露光時間で積分し
たものとして定義される露光量分布のピーク値より１／
ｅ² での最小直径を光ビームの露光径Ｄｂとした場合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように設定されている。従って、積層
型又は単層型構造の感光体における感光層の平均膜厚が
光ビームの露光径に比べて十分に薄いので、感光層にお
ける静電潜像パターンの広がりを防止でき、書込み用の
光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成することがで
き、画像の高精細化に寄与する。

【００２７】請求項７，１６，２０，２４又は２８記載
の発明は、各々、請求項１，１２，１８，２２又は２６
記載の画像形成装置において、イメージ露光装置による
光ビームの感光体における導電性支持層への透過率を１
／ｅ² 以下にした。従って、書込み用の光ビームの導電
性支持層への光到達率が低いので、導電性支持層表層付
近での多重反射が防止され、書込み用の光ビームに忠実
な静電潜像パターンを形成することができ、画像の高精
細化に寄与する。ここに、１／ｅ² 以下という範囲は厳
密な臨界値を示すものではなく、透過率を低下させる一
つの目安を示すものである。

【００２８】請求項８，１７，２１，２５，２９記載の
発明は、請求項１，１２，１８，２２又は２６記載の画
像形成装置において、イメージ露光装置による光ビーム
の感光体における導電性支持層表面での反射率を１／ｅ
² 以下にした。従って、書込み用の光ビームの導電性支
持層での光反射率が低いので、導電性支持層表層付近で
の多重反射が防止され、書込み用の光ビームに忠実な静
電潜像パターンを形成することができ、画像の高精細化
に寄与する。ここに、１／ｅ² 以下という範囲は厳密な
臨界値を示すものではなく、反射率を低下させる一つの
目安を示すものである。

【００２９】

【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
ないし図５に基づいて説明する。図１はレーザプリンタ
等に代表される画像形成装置の構成を示す模式図であ
る。図１に示すように転写紙１を収納する給紙装置２と
排紙部（図示せず）とを連絡する通紙経路３が設けら
れ、この通紙経路３中には定着装置４を含む画像プロセ
ス部５が設けられている。

【００３０】この画像プロセス部５は、例えば、後述す
るような構造のドラム構成の感光体６を主体として構成
されている。この感光体６の周囲には、帯電装置７、現
像装置８、転写装置９、クリーニング装置１０が順に配
設されている。前記帯電装置７と前記現像装置８との間
が露光位置ＥＸとなり、画像プロセス部５には、その露
光位置ＥＸにレーザビームによる光ビームを照射するイ
メージ露光装置１１が設けられている。

【００３１】このような画像プロセス部５では、帯電装
置７のコロナ放電によって感光体６に帯電電荷を注入
し、感光体６の表面を一方の極性に一様帯電する。一様
帯電済みの感光体６に対して露光位置ＥＸでイメージ露
光装置１１によって画像データに応じて光ビームを照射
することにより、感光体６表面に静電潜像が形成され
る。つまり、感光体６では、その帯電電位との電位差が
光ビームの照射部分に生じ、この部分が静電潜像とな
る。現像装置８は、露光位置ＥＸで感光体６に形成され
た静電潜像に前記感光体６の帯電極性と同極性のトナー
を付着させて顕像化する構造である。現像方式として
は、現像スリーブが感光体６に接触する接触方式でもよ
く、或いは、感光体６に対して非接触な状態で現像する
非接触方式、又は、ドクタブレード通過時に受ける粉圧
より弱い圧力で感光体と接触するトナーで現像するソフ
トタッチ現像方式等であってもよい。転写装置９は、顕
像化された感光体６上のトナー像を逆極性の電位で吸引
し、そのトナー像を転写紙１に転写させる構造であり、
通紙経路３において転写紙１を搬送する搬送構造も備え
ている。クリーニング装置１０は、転写工程後の感光体
６に残留するトナーを掻き落す等の方法でクリーニング
する構造である。定着装置４は、通紙経路３中において
転写装置９の下流側に配設されており、転写装置９を通
過した後の転写紙１に付着する未定着トナーを加熱・加
圧作用により定着する構造である。イメージ露光装置１
１は、レーザビーム偏向走査装置を含んで構成されてい
るが、例えば、ＬＥＤアレイプリンタ構成の場合であれ
ば感光体１に対向させたＬＥＤアレイヘッドとレンズア
レイとの組合せ構造とされる。

【００３２】次いで、本実施の形態の画像形成装置は、
各部を制御するマイクロコンピュータ構成の制御部（図
示せず）を備えている。この制御部は、特に図示しない
が、各種演算処理を実行して各部を集中的に制御するＣ
ＰＵと、固定データを格納したＲＯＭと、可変データを
格納したりワークエリアとして使用されるＲＡＭとを主
要な構成要素として構成されている。この制御部には、
前述した各部の駆動制御回路や画像情報を展開して保持
する画像メモリ等が接続されている。このため、制御部
によって各部が駆動制御されて電子写真プロセスによる
画像形成がなされる。この際、制御部であるマイクロコ
ンピュータによって実行される手段として、本実施の形
態の画像形成装置は、階調表現手段を備えている。この
階調表現手段は、１ドット２値の階調情報を持つ画像デ
ータに基づいてイメージ露光装置１１を駆動制御し、そ
の階調情報に従った階調表現をする手段である。即ち、
１ドット２値による誤差拡散法やディザ法等の面積階調
表現技術を用いて実行される。

【００３３】図２は、本実施の形態で用いる感光体６の
断面図である。この感光体６は積層型の感光層１２を備
えているが、この感光層１２は感光体６の基部側となる
導電性支持層１３側に配設された電荷移動層１４と表層
側に配設された電荷発生層１５との積層構造として形成
されている。ここで、前記電荷移動層１４はエポキシ樹
脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、ポリイミド樹脂、ブト
ン樹脂等の熱硬化性樹脂により形成されている。この電
荷移動層１４よりも表層側に積層された前記電荷発生層
１５は非晶質型光導電性半導体を含む層構成とされてい
る。より具体的には、アモルファスシリコン（ａ‐Ｓ
ｉ）やＡｓ₂Ｓｅ₃等のような無機系光導電性半導体或い
はＣｄＳ／バインダ樹脂、ＺｎＯ／バインダ樹脂といっ
たような無機系光導電性半導体とバインダ樹脂との混合
物が用いられている。バインダ樹脂の例としては、例え
ば、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスチレン、
ポリアクリレート、ポリサルホン酸樹脂、ポリアリレー
ト樹脂、水添スチレン、ブタジエン共重合体樹脂等があ
る。特に、ａ‐ＳｉやＡｓ₂Ｓｅ₃等のような無機非晶質
の半導体によれば、高硬度、高感度感光性を示す。

【００３４】ここで、本実施の形態における書込み特性
について説明する。まず、感光体６に対する書込み用の
光ビームの露光径Ｄｂは、感光体６の表面座標を（ｘ，
ｙ）としたとき、感光体６上での光ビームのエネルギー
分布Ｐ（ｘ，ｙ，ｔ）［watt/m² ］を露光時間で積分し
た値として定義される露光量分布Ｅ（ｘ，ｙ）［jule/m
² ］、つまり、Ｅ（ｘ，ｙ）＝∫Ｐ（ｘ，ｙ，ｔ）ｄｔのピーク値より１／ｅ² での最小直径として定義され
る。図３（ａ）は、感光体６に照射する光ビームのエネ
ルギー分布（ビームプロファイル）を示すグラフであ
り、図６（ａ）は、感光体６上での露光量分布を示すグ
ラフである。本実施の形態では、ビームプロファイルに
おいて、露光量分布のピーク値より１／ｅ² での光ビー
ムの直径が、例えば、主走査方向で３０μｍ、副走査方
向で３８μｍである（図３（ｂ）参照）。つまり、光ビ
ームのエネルギー分布は、主走査方向で３０μｍ、副走
査方向で３８μｍのガウス分布を示す。そして、１画素
分の静電潜像を感光体６に形成するために、副走査方向
に感光体６の長さ約２０μｍだけ露光するとすると、露
光量分布における光ビームの露光径は、主走査方向及び
副走査方向共に約３８μｍとなる（図４（ｂ）参照）。
つまり、主副走査方向共、近似的に３８μｍのガウス分
布を示す。従って、露光量分布のピーク値より１／ｅ²
での最小直径として定義される光ビームの露光径Ｄｂは
３８μｍである。

【００３５】図５は、露光量に対する感光体６の明減衰
特性を示すグラフである。本実施の形態では、イメージ
露光装置１１は、その光ビームの波長が６７０ｎｍであ
り、露光パワーが感光体６の表面で０．２３ｍＷとなる
ように調節されている。これにより、イメージ露光装置
１１は感光体６をその明減衰特性の飽和領域で露光す
る。つまり、露光量分布のピーク値での露光量、つま
り、露光径Ｄｂ内での最大露光量が感光層１２の微分感
度を十分に小さくする値となる。「微分感度」は、イメ
ージ露光装置が照射する光ビームと同等の波長（６７０
ｎｍ）の光ビームで感光体６を均一露光したときに得ら
れる感光体６の表面電位Ｖ（Ｅ）と露光量Ｅとの関係で
定義される。具体的には、感光体６をある露光量Ｅで露
光し、ここから露光量Ｅを微小な値△Ｅだけ増やした時
の感光体６の表面電位をＶ（Ｅ＋△Ｅ）とした場合、微
分感度は、｜Ｖ（Ｅ＋△Ｅ）−Ｖ（Ｅ）｜／△Ｅとして定義される。また、「微分感度を十分に小さくす
る値」というのは、求める安定性を得るのに十分な感光
体の明減衰特性の領域を使用することができるような露
光量Ｅの値を意味する。このような「微分感度を十分に
小さくする値」は、例えば、感光層１２の微分感度がそ
の最大値の１／３以下の値に低下する値である。参考ま
でに述べると、図５に例示する感光体６の明減衰特性で
は、露光量分布のピーク値（ピーク露光量）の露光量Ｅ
が２１ｍＪ／ｍ² であり、これに対応する微分感度は５
Ｖ・ｍ² ／ｍＪである。従って、最大微分感度の約１／
５となっている。

【００３６】また、本実施の形態においては、電荷発生
層１５の平均層厚はトナー体積平均粒径以下、具体的に
は、十分小さく（薄く）形成されている。通常、トナー
粒径の約４倍の露光分布が安定に再現し得る最小ドット
であると言われており、この点を考慮して十分に薄く形
成すればよい。電荷移動層１４の平均層厚は表層側の電
荷発生層１５の平均層厚に比べて厚く形成されている。

【００３７】このような構成において、帯電装置７によ
り感光体６の感光層１２が帯電され、露光位置ＥＸにお
いて帯電後の感光体６に画像情報に基づく静電潜像が形
成される。この際、１ドット２値の画像データが持つ階
調情報に従い階調表現手段による階調表現がなされる。
このような静電潜像には現像装置８から供給されるトナ
ーが付着することで、静電潜像が現像されて顕像化され
る。そして、所定のタイミングで電子写真プロセス部５
に搬送された転写紙１に対し、顕像化された現像画像、
つまり、トナー像が転写される。その後、転写画像は定
着装置４で定着され、これによって、転写紙１に画像が
形成される。転写後の感光体６は、クリーニング装置１
０によって掃除され、残留トナーが除去される。

【００３８】ここで、感光体６に対する露光・現像過程
に着目すると、一様に帯電された感光体６にイメージ露
光装置１１が光ビームで露光して静電潜像を形成する際
に、光ビームの露光系Ｄｂ内での最大露光量が感光体６
の明減衰特性の飽和領域に設定されているので、機械的
振動等の各種の変動に影響されにくい高品質な画像形成
が行われる。即ち、１ドット２値方式にて飽和書込みを
行うことで、基本的に、書込み用の光ビームに忠実な静
電潜像の形成が可能となる。特に、本実施の形態では、
感光層１２の表層側が極めて薄層の電荷発生層１５とさ
れているので、静電潜像が感光体６の極めて限られた表
層の電荷発生層１５部分にのみ形成され、その電荷の拡
散と静電潜像のエッジ電界効果が出にくいため、書込み
用の光ビームに対する忠実度の高い静電潜像パターンと
なり、現像時のトナー太りもなく、現像されるトナー像
の静電潜像パターンに対する忠実度も向上する。より詳
細には、電荷発生層１５の平均層厚がトナー体積平均粒
径以下に薄くされているので、基底側の導電性支持層１
３に特別な光反射率低減処理を施さなくてもこの導電性
支持層１３に到達する光の割合を少なくすることがで
き、上記のように書込み用の光ビームに忠実な静電潜像
パターンを容易に形成することができるものとなる。こ
れは、１ドット２値方式における書込み用の光ビームの
ビーム径を必要以上に絞ることなく高精細な画像を形成
し得ることを意味し、高精細画像を得る上で１ドット２
値方式による欠点が大幅に解消される。

【００３９】また、本実施の形態では、感光体６として
の耐久性や感度は、表層側に配設された電荷発生層１５
を形成する無機非晶質の高硬度、高感度感光性により確
保される。特に、ａ‐ＳｉやＡｓ₂Ｏ₃の場合には硬度が
高く安価でもあり、薄層の電荷発生層１５の高耐久化を
図る上で都合がよい。他に、感光体６の表面の硬度を高
くする手段として、珪素樹脂（炭素含有で低抵抗化）、
アクリルポリオール（酸化錫含有で低抵抗化）の他、Ａ
ＢＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、オレフィン‐ビニルモノマー共
重合体、塩素化ポリエーテル、アクリル樹脂、フェノー
ル樹脂、ポリアセタール等の樹脂の保護層又は添加が挙
げられる。このような保護層に、酸化チタン、酸化錫、
チタン酸カリウム等の無機材料を分散し、低抵抗化を適
宜図るようにしてもよい。また、本実施の形態では、書
込み用の光ビームに対する静電潜像パターンの忠実度を
向上させ、かつ、静電潜像のエッジ電界効果を出にくく
する上で、電荷発生層１５の層厚を極めて薄くすること
が重要であるものの、無機非晶質材料による場合、薄く
すると電位保持能力が低下してしまうが、安価で塗布も
容易な電荷移動層１４の層厚を厚めにすることで電位保
持能力も自在に制御できる。これにより、必要とする数
百Ｖの電位保持能力を確保できる。加えて、上記のよう
に電荷発生層１５として高感度なａ‐ＳｉやＡｓ₂Ｏ₃を
用いて安価な積層型の感光体６を構成した場合、摩耗の
少ない感光体のボケ対策として加熱ヒータによる加熱処
理を施しても、薄い電荷発生層１５の下層に位置する電
荷移動層１４が熱硬化性樹脂により形成されて耐熱性を
有しているので、何ら支障のないものとなる。これによ
り、ボケのない画像が得られる。

【００４０】また、本実施の形態においては、表層側に
電荷発生層１５を有する積層型の感光体６を用いている
が、この感光体６として、少なくとも正極性帯電電荷に
対して光減衰特性を示すものを用いれば、オゾン発生量
が少なく、かつ、帯電ムラの発生しにくい作像プロセス
を利用して高精細な画像を形成させることができ、耐環
境性等の点で好ましい。

【００４１】さらに、特に図示しないが、感光体６の電
荷発生層１５の表層側部分について、その電荷移動層側
部分より高硬度で、かつ、この電荷移動層１４中に含有
される構成元素を含んで形成しておけば、電荷発生層１
５として所望の帯電特性及び感光特性を得るのに表面が
高耐久性を示す感光物質を用いることができる上に、耐
摩耗性を向上させるための保護膜（オーバコート）を別
途積層する必要はなく安価に済ませることができる。こ
の際、電荷移動層１４中に含有されている構成元素を含
んでいるので、電荷の移動を妨げることもない。

【００４２】なお、本実施の形態では、感光体６に関し
て書込み用の光ビームが導電性支持層１３に到達する割
合を少なくするために、表層の電荷発生層１５を極端に
薄層化したが、例えば、導電性支持層１３について適宜
な透過率又は反射率の低減処理を施すことで、光ビーム
の導電性支持層１３への透過率又は導電性支持層１３表
面の反射率を低下させるようにしてもよい。この光ビー
ムの導電性支持層１３への透過率又は導電性支持層１３
表面の反射率を低下させることで導電性支持層１３の表
層付近での光ビームの多重反射が防止され、多重反射に
起因する画像ボケがないため、書込み用の光ビームに忠
実な静電潜像パターンを形成させることができる。この
場合の透過率や反射率の低下の程度としては、例えば、
１／ｅ²以下となるように設定すればよい。

【００４３】或いは、図６に示すように、導電性支持層
１３と電荷移動層１４との境界面が不規則な粗面１６と
なるようにしてもよい。このような不規則な粗面１６に
よれば、書込み用の光ビームが導電性支持層１３に到達
してもその表層の粗面１６でランダムに反射されること
になり、実質的にこの不規則な粗面１６が導電性支持層
１３の表面の反射率を下げる役目をなす。これにより、
書込み用の光ビームの導電性支持層１３での光反射率が
低くなり、導電性支持層１３の表層付近での多重反射が
防止され、書込み用の光ビームに忠実な静電潜像パター
ンを形成することができ、かつ、現像に際して潜像パタ
ーンのエッジ電界効果が出にくくなり、トナー太りを軽
減できるため、画像の高精細化に寄与する。より具体的
には、粗面１６の粗さをｒ_c、イメージ露光装置１１で
静電潜像を形成するために用いる光ビームの波長をλ、
トナーの体積平均粒径をｒ_tとした場合、粗面１６はλ
＜ｒ_c＜ｒ_tなる関係を満たす程度の粗さとするのがよ
い。

【００４４】本発明の第二の実施の形態を図７に基づい
て説明する。図１ないし図６で示した部分と同一部分は
同一符号を用いて示し、説明も省略する（以降の実施の
形態でも順次同様とする）。本実施の形態では、図１に
示したような画像プロセス部５中で感光体６に代えて感
光体２１が用いられている。ドラム状構造の感光体２１
も積層型の感光層２２を備えているが、この感光層２２
は感光体２１の基部側となる導電性支持層２３側に配設
された電荷発生層２４と表層側に配設された電荷移動層
２５との積層構造として形成されている。ここで、表層
側の電荷移動層２５は、少なくとも電荷移動物質、バイ
ンダ用高分子樹脂及び低摩擦係数の高分子樹脂を含む層
構成とされている。例えば、バインダ用高分子樹脂であ
るポリカーボネート、ポリサルホン酸樹脂等と低摩擦係
数の高分子樹脂材料とを含む層構成とされる。より具体
的には、低摩擦係数の高分子樹脂材料として、フッ素系
樹脂又はシリコン系樹脂が用いられ、或いは、ホモポリ
マー又はコポリマーが用いられる。

【００４５】また、本実施の形態では、感光層２２の平
均膜厚Ｔｐと書込み用の光ビームの露光径Ｄｂとした場
合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように平均膜厚Ｔｐ
が設定されている。さらに、導電性支持層２２の適宜な
表層処理により、このような感光体２１に対する書込み
用の光ビームの導電性支持層２２への透過率（又は、導
電性支持層２２表面の反射率）が１／ｅ² 以下となるよ
うに低く設定されている。

【００４６】このような構成において、帯電装置７によ
り感光体２１の感光層２２が帯電され、露光位置ＥＸに
おいて帯電後の感光体２１に画像情報に基づく静電潜像
が形成される。この際、１ドット２値の画像データが持
つ階調情報に従い階調表現手段による階調表現がなされ
る。このような静電潜像には現像装置８から供給される
トナーが付着することで、静電潜像が現像されて顕像化
される。そして、所定のタイミングで電子写真プロセス
部５に搬送された転写紙１に対し、顕像化された現像画
像、つまり、トナー像が転写される。その後、転写画像
は定着装置４で定着され、これによって、転写紙１に画
像が形成される。転写後の感光体２１は、クリーニング
装置１０によって掃除され、残留トナーが除去される。

【００４７】ここで、感光体２１に対する露光・現像過
程に着目すると、一様に帯電された感光体２１にイメー
ジ露光装置１１が光ビームで露光して静電潜像を形成す
る際に、光ビームの露光系Ｄｂ内での最大露光量が感光
体２１の明減衰特性の飽和領域に設定されているので、
機械的振動等の各種の変動に影響されにくい高品質な画
像形成が行われる。即ち、１ドット２値方式にて飽和書
込みを行うことで、基本的に、書込み用の光ビームに忠
実な静電潜像の形成が可能となる。特に、本実施の形態
では、感光体２１としては導電性支持層２３上に電荷発
生層２４、電荷移動層２５が順に積層されたものを用い
るが、表層側の電荷移動層２５が少なくとも電荷移動物
質、バインダ用高分子樹脂及び低摩擦係数の高分子樹脂
を含む層構成とされており、このような感光体２１に対
して１ドット２値方式にて飽和書込みを行うので、電荷
移動層２５の層厚を薄くすることで静電潜像パターンの
エッジ電界効果が出にくくなるためトナー像も太ること
なく静電潜像パターンに忠実なトナー像として形成され
る。これにより、高精細な画像を安定して形成できる。
この際、電荷移動層２５は薄くても低摩擦係数の高分子
樹脂を含んでいるので、削れにくく、その摩耗を少なく
することができる。同時に、電荷移動層２５中でこの低
摩擦係数の高分子樹脂とバインダ用高分子樹脂とが分子
レベルで混ざり合う高分子アロイを形成しやすいので
（特に、ホモポリマー又はコポリマーを用いた場合には
一層形成しやすい）、感光体２１としての帯電性能、感
光特性を安定して発揮させることができ、長期に渡って
高精細な画像を安定して形成できるものとなる。ちなみ
に、バインダ用樹脂を低摩擦化させるために、一般的に
は、シリコンオイルを添加するようにしているが、この
ような一般的な手法による場合マイグレードして最表層
部に集中してしまう。この結果、この最表面がブレー
ド、トナー等によって削れると摩擦係数が次第に増大し
てしまい、摩耗が多くなってしまう。

【００４８】また、本実施の形態によれば、感光層２２
の平均膜厚Ｔｐが、書込み用の光ビームの露光径Ｄｂと
の関係で、Ｄｂ＜８Ｔｐなる条件を満たすように光ビー
ムの露光径Ｄｂに比べて十分に薄く形成されているの
で、感光層２２における静電潜像パターンの広がりを防
止でき、書込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターン
を形成することができる。そして、上記のように現像に
際しては静電潜像パターンのエッジ電界効果が出にくい
ので、トナー像の太りがなく、静電潜像パターンに忠実
なトナーを形成することができ、画像の高精細化を適正
に図れる。

【００４９】加えて、本実施の形態によれば、導電性支
持層２３について適宜な透過率又は反射率の低減処理を
施すことで、光ビームの導電性支持層２３への透過率又
は導電性支持層２３表面の反射率を１／ｅ² 以下となる
ように低下させているので、導電性支持層２３の表層付
近での光ビームの多重反射を防止でき、多重反射に起因
する画像ボケがないため、書込み用の光ビームに忠実な
静電潜像パターンを形成することができ、この点からも
画像の高精細化を適正に図れる。

【００５０】本発明の第三の実施の形態を図８に基づい
て説明する。本実施の形態では、図１に示したような画
像プロセス部５中で感光体６に代えて感光体３１が用い
られている。ドラム状構造の感光体３１も積層型の感光
層３２を備えているが、この感光層３２は感光体３１の
基部側となる導電性支持層３３側に配設された電荷発生
層３４と表層側に配設された電荷移動層３５との積層構
造として形成されている。即ち、前記第二の実施の形態
の感光体２１と同タイプの積層型の感光体である。ここ
で、表層側の電荷移動層３５は、少なくとも電荷移動物
質として高分子ドナーを含む層構成とされている。ま
た、電荷発生層３４は電荷発生物質としてチタニルフタ
ロシアニン（ＴｉＯＰＣ）を含む層構成とされている。

【００５１】また、本実施の形態では、感光層３２の平
均膜厚Ｔｐと書込み用の光ビームの露光径Ｄｂとした場
合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように平均膜厚Ｔｐ
が設定されている。さらに、導電性支持層３２の適宜な
表層処理により、このような感光体３１に対する書込み
用の光ビームの導電性支持層３２への透過率（又は、導
電性支持層３２表面の反射率）が１／ｅ² 以下となるよ
うに低く設定されている。

【００５２】このような構成において、帯電装置７によ
り感光体３１の感光層３２が帯電され、露光位置ＥＸに
おいて帯電後の感光体３１に画像情報に基づく静電潜像
が形成される。この際、１ドット２値の画像データが持
つ階調情報に従い階調表現手段による階調表現がなされ
る。このような静電潜像には現像装置８から供給される
トナーが付着することで、静電潜像が現像されて顕像化
される。そして、所定のタイミングで電子写真プロセス
部５に搬送された転写紙１に対し、顕像化された現像画
像、つまり、トナー像が転写される。その後、転写画像
は定着装置４で定着され、これによって、転写紙１に画
像が形成される。転写後の感光体３１は、クリーニング
装置１０によって掃除され、残留トナーが除去される。

【００５３】ここで、感光体３１に対する露光・現像過
程に着目すると、一様に帯電された感光体３１にイメー
ジ露光装置１１が光ビームで露光して静電潜像を形成す
る際に、光ビームの露光系Ｄｂ内での最大露光量が感光
体３１の明減衰特性の飽和領域に設定されているので、
機械的振動等の各種の変動に影響されにくい高品質な画
像形成が行われる。即ち、１ドット２値方式にて飽和書
込みを行うことで、基本的に、書込み用の光ビームに忠
実な静電潜像の形成が可能となる。特に、本実施の形態
では、感光体３１としては導電性支持層３３上に電荷発
生層３４、電荷移動層３５が順に積層されたものを用い
るが、その電荷移動層３５が少なくとも高分子ドナーに
よる電荷移動物質を含む層構成とされており、このよう
な感光体３１に対して１ドット２値方式にて飽和書込み
を行うので、電荷移動層３５の層厚を薄くすることで静
電潜像パターンのエッジ電界効果が出にくくなるためト
ナー像も太ることなく静電潜像パターンに忠実なトナー
像として形成される。これにより、高精細な画像を安定
して形成できる。この際、電荷移動層３５は薄くても高
分子ドナーによる電荷移動物質を含んでおり、均質な膜
を形成しやすいので、多少削れても、感光体としての静
電特性の安定性を維持することができ、長期に渡って高
精細な画像を安定して形成できる。

【００５４】また、本実施の形態によれば、電荷発生層
３４がチタニルフタロシアニンによる電荷発生物質を含
む層構成とされて高感度化されており、このような感光
体３１に対して１ドット２値方式にて飽和書込みを行う
ので、上記のように電荷移動層３５の層厚を薄くするこ
とで静電潜像パターンのエッジ電界効果が出にくくなる
ためトナー像も太ることなく静電潜像パターンに忠実な
トナー像として形成される。これにより、高精細な画像
を安定して形成することができる。

【００５５】また、本実施の形態によれば、感光層３２
の平均膜厚Ｔｐが、書込み用の光ビームの露光径Ｄｂと
の関係で、Ｄｂ＜８Ｔｐなる条件を満たすように光ビー
ムの露光径Ｄｂに比べて十分に薄く形成されているの
で、感光層３２における静電潜像パターンの広がりを防
止でき、書込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターン
を形成することができる。そして、上記のように現像に
際しては静電潜像パターンのエッジ電界効果が出にくい
ので、トナー像の太りがなく、静電潜像パターンに忠実
なトナーを形成することができ、画像の高精細化を適正
に図れる。

【００５６】加えて、本実施の形態によれば、導電性支
持層３３について適宜な透過率又は反射率の低減処理を
施すことで、光ビームの導電性支持層３３への透過率又
は導電性支持層３３表面の反射率を１／ｅ² 以下となる
ように低下させているので、導電性支持層３３の表層付
近での光ビームの多重反射を防止でき、多重反射に起因
する画像ボケがないため、書込み用の光ビームに忠実な
静電潜像パターンを形成することができ、この点からも
画像の高精細化を適正に図れる。

【００５７】本発明の第四の実施の形態を図９に基づい
て説明する。本実施の形態では、図１に示したような画
像プロセス部５中で感光体６に代えて感光体４１が用い
られている。ドラム状構造の感光体４１は感光層４２が
導電性支持層４３上に形成された単層構造のものであ
る。ここで、前記感光層４２は、ドナー（正孔移動物
質）、アクセプタ（電子移動物質）、バインダ樹脂及び
電荷発生物質を含む層構成とされている。この場合、ド
ナー／アクセプタ／バインダ樹脂／電荷発生物質の総量
に対する電荷発生物質の重量百分率が０．１〜５重量％
に設定されている（ちなみに、通常の単層構造の感光体
では、電荷発生物質の重量百分率は５０重量％以上とさ
れている）。また、この感光層４２に入射する光ビーム
の吸光度が、感光層４２の表面から１μｍの深さまでで
９９％以上となるような電荷発生物質の分散状態が好ま
しい。

【００５８】また、本実施の形態では、感光層４２の平
均膜厚Ｔｐと書込み用の光ビームの露光径Ｄｂとした場
合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように平均膜厚Ｔｐ
が設定されている。さらに、導電性支持層４２の適宜な
表層処理により、このような感光体４１に対する書込み
用の光ビームの導電性支持層４２への透過率（又は、導
電性支持層４２表面の反射率）が１／ｅ² 以下となるよ
うに低く設定されている。

【００５９】このような構成において、帯電装置７によ
り感光体４１の感光層４２が帯電され、露光位置ＥＸに
おいて帯電後の感光体４１に画像情報に基づく静電潜像
が形成される。この際、１ドット２値の画像データが持
つ階調情報に従い階調表現手段による階調表現がなされ
る。このような静電潜像には現像装置８から供給される
トナーが付着することで、静電潜像が現像されて顕像化
される。そして、所定のタイミングで電子写真プロセス
部５に搬送された転写紙１に対し、顕像化された現像画
像、つまり、トナー像が転写される。その後、転写画像
は定着装置４で定着され、これによって、転写紙１に画
像が形成される。転写後の感光体４１は、クリーニング
装置１０によって掃除され、残留トナーが除去される。

【００６０】ここで、感光体４１に対する露光・現像過
程に着目すると、一様に帯電された感光体４１にイメー
ジ露光装置１１が光ビームで露光して静電潜像を形成す
る際に、光ビームの露光系Ｄｂ内での最大露光量が感光
体４１の明減衰特性の飽和領域に設定されているので、
機械的振動等の各種の変動に影響されにくい高品質な画
像形成が行われる。即ち、１ドット２値方式にて飽和書
込みを行うことで、基本的に、書込み用の光ビームに忠
実な静電潜像の形成が可能となる。特に、本実施の形態
では、感光体４１としては導電性支持層４３上に単層構
造の感光層４２が積層されたものを用いるが、表面硬度
の高い単層構造であり、かつ、電荷発生物質の重量百分
率が極めて低くてその分散状態に基づき書込み用の光ビ
ームの吸光度が表面から１μｍの深さまでで少なくとも
９９％以上となるように設定されているので、静電潜像
パターンが感光層４２の表層付近でのみ形成されるもの
となり、現像の際には、静電潜像パターンのエッジ電界
効果が実効的に働かず、静電潜像に忠実で現像太りのな
いトナー像が得られることになる。これにより、高精細
な画像を安定して形成できる。

【００６１】また、本実施の形態によれば、感光層４２
の平均膜厚Ｔｐが、書込み用の光ビームの露光径Ｄｂと
の関係で、Ｄｂ＜８Ｔｐなる条件を満たすように光ビー
ムの露光径Ｄｂに比べて十分に薄く形成されているの
で、感光層４２における静電潜像パターンの広がりを防
止でき、書込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターン
を形成することができる。そして、上記のように現像に
際しては静電潜像パターンのエッジ電界効果が出にくい
ので、トナー像の太りがなく、静電潜像パターンに忠実
なトナーを形成することができ、画像の高精細化を適正
に図れる。

【００６２】加えて、本実施の形態によれば、導電性支
持層４３について適宜な透過率又は反射率の低減処理を
施すことで、光ビームの導電性支持層４３への透過率又
は導電性支持層４３表面の反射率を１／ｅ² 以下となる
ように低下させているので、導電性支持層４３の表層付
近での光ビームの多重反射を防止でき、多重反射に起因
する画像ボケがないため、書込み用の光ビームに忠実な
静電潜像パターンを形成することができ、この点からも
画像の高精細化を適正に図れる。

【００６３】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、導電性支
持層上に少なくとも電荷移動層と非晶質型光導電性半導
体を含む電荷発生層とが順に積層された感光層を有する
感光体に対して光ビームにより露光書込みを行うように
したので、静電潜像が感光体の極めて限られた表層の電
荷発生層部分にのみ形成されることになり、書込み用の
光ビームに忠実な静電潜像パターンを容易に形成できる
上に、その静電潜像パターンのエッジ電界効果が出にく
いためトナー像も太ることなく静電潜像パターンに忠実
なトナー像として形成でき、よって、高精細な画像を安
定して形成することができる。

【００６４】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、電荷発生層は無機系光導電
性半導体により形成されているので、表層に位置する電
荷発生層に十分な硬度、耐摩耗性を持たせることがで
き、高精細な画像を長期に渡って安定して形成すること
ができる。

【００６５】請求項３記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、電荷発生層は無機系光導電
性半導体とバインダ樹脂との混合物により形成されてい
るので、感光体としての帯電能力及び感度を容易に高め
ることができ、形成される静電潜像の光ビームに対する
忠実度を向上させることができ、画像の高精細化に寄与
する。

【００６６】請求項４記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、電荷移動層は少なくとも電
荷移動物質及び熱硬化性樹脂により形成されているの
で、摩耗の少ない非晶質型光導電性半導体を含む電荷発
生層に対するボケ対策として感光体に加熱ヒータ等によ
る加熱処理を施しても、その下層の電荷移動層が耐熱性
を有するため何ら支障がなく、結果として、このような
感光体を用いることでボケのない画像を得ることができ
る。

【００６７】請求項５記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、電荷発生層の平均層厚はト
ナー体積平均粒径以下であるので、基礎の導電性支持層
に特別な光反射率低減処理を施さなくてもこの導電性支
持層に到達する光の割合を少なくすることができ、書込
み用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを容易に形成
することができ、画像の高精細化に寄与する。

【００６８】請求項６記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、電荷移動層の平均層厚は電
荷発生層の平均層厚よりも厚いので、電荷発生層を形成
する非晶質型光導電性半導体は薄くなるにつれてその電
位保持能力が低下するが、安価な電荷移動層の膜厚を厚
くすることにより電位保持能力を向上させることがで
き、画像の高精細化に寄与する。

【００６９】請求項７記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、イメージ露光装置による光
ビームの感光体における導電性支持層への透過率を１／
ｅ²以下にしたので、書込み用の光ビームの導電性支持
層への光到達率が低くなり、導電性支持層表層付近での
多重反射が防止されることになり、よって、書込み用の
光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成することがで
き、画像の高精細化に寄与する。

【００７０】請求項８記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、イメージ露光装置による光
ビームの感光体における導電性支持層表面での反射率を
１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導電性
支持層での光反射率が低くなり、導電性支持層表層付近
での多重反射が防止されることになり、よって、書込み
用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成すること
ができ、画像の高精細化に寄与する。

【００７１】請求項９記載の発明によれば、請求項１記
載の画像形成装置において、導電性支持層と電荷移動層
との境界面が不規則な粗面とされているので、この不規
則な粗面が導電性支持層表面の反射率を下げる役目をな
し、書込み用の光ビームの導電性支持層での光反射率が
低くなるので、導電性支持層表層付近での多重反射が防
止されることになり、よって、書込み用の光ビームに忠
実な静電潜像パターンを形成することができ、画像の高
精細化に寄与する。

【００７２】請求項１０記載の発明によれば、請求項１
記載の画像形成装置において、感光体は、少なくとも正
極性帯電電荷に対して光減衰特性を示すので、電荷発生
層が表層側に積層される積層型の感光体構造において、
オゾン発生量が少なく、かつ、帯電ムラの発生しにくい
作像プロセスを利用して高精細な画像を形成することが
できる。

【００７３】請求項１１記載の発明によれば、請求項１
記載の画像形成装置において、電荷発生層の表層側部分
は、その電荷移動層側部分より高硬度で、かつ、前記電
荷移動層中に含有される構成元素を含んで形成されてい
るので、電荷発生層として所望の帯電特性及び感光特性
を得るのに表面が高耐久性を示す感光物質を用いること
ができる上に、耐摩耗性を向上させるための保護膜を別
途積層する必要はなく安価で済ませることができる。

【００７４】請求項１２記載の発明によれば、導電性支
持層上に電荷発生層と少なくとも電荷移動物質、バイン
ダ用高分子樹脂及び低摩擦係数の高分子樹脂を含む電荷
移動層とが順に積層された感光層を有する感光体に対し
て光ビームにより露光書込みを行うようにしたので、電
荷移動層の層厚を薄くすることで静電潜像パターンのエ
ッジ電界効果が出にくくなるためトナー像も太ることな
く静電潜像に忠実なトナー像として形成することがで
き、よって、高精細な画像を安定して形成することがで
きる。また、電荷移動層は薄くても低摩擦係数の高分子
樹脂を含んでいるので、削れにくく、その摩耗を少なく
することができ、同時に、電荷移動層中でこの低摩擦係
数の高分子樹脂とバインダ用高分子樹脂とが分子レベル
で混ざり合う高分子アロイを形成しやすいので、感光体
としての帯電性能、感光特性を安定して発揮させること
ができ、よって、長期に渡って高精細な画像を安定して
形成することができる。

【００７５】請求項１３記載の発明によれば、請求項１
２記載の画像形成装置において、感光体の電荷移動層中
に含まれる低摩擦係数の高分子樹脂はフッ素系樹脂又は
シリコン系樹脂であるので、薄層形成される電荷移動層
の削れ防止を容易に実現できる。

【００７６】請求項１４記載の発明によれば、請求項１
２記載の画像形成装置において、感光体の電荷移動層中
に含まれる低摩擦係数の高分子樹脂はホモポリマー又は
コポリマーであるので、薄層形成される電荷移動層の削
れ防止を容易に実現できる。

【００７７】請求項１５記載の発明によれば、請求項１
２記載の画像形成装置において、積層型構造の感光体に
おける感光層の平均膜厚が光ビームの露光径に比べて十
分に薄く形成されているので、感光層における静電潜像
パターンの広がりを防止でき、書込み用の光ビームに忠
実な静電潜像パターンを形成することができ、画像の高
精細化に寄与する。

【００７８】請求項１６記載の発明によれば、請求項１
２記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層への透過率を
１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導電性
支持層への光到達率が低くなり、導電性支持層表層付近
での多重反射が防止されることになり、よって、書込み
用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成すること
ができ、画像の高精細化に寄与する。

【００７９】請求項１７記載の発明によれば、請求項１
２記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層表面での反射
率を１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導
電性支持層での光反射率が低くなり、導電性支持層表層
付近での多重反射が防止されることになり、よって、書
込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成する
ことができ、画像の高精細化に寄与する。

【００８０】請求項１８記載の発明によれば、導電性支
持層上に、電荷発生層と、少なくとも高分子による電荷
移動物質を主成分とする電荷移動層とが順に積層された
感光層を有する感光体に対して光ビームにより飽和書込
みを行うようにしたので、電荷移動層の層厚を薄くする
ことで静電潜像パターンのエッジ電界効果が出にくくな
るためトナー像も太ることなく静電潜像パターンに忠実
なトナー像として形成でき、よって、高精細な画像を安
定して形成することができる。また、電荷移動層は薄く
ても高分子ドナーによる電荷移動物質を含んでおり、均
質な膜を形成しやすいので、多少削れても、感光体とし
ての静電特性の安定性を維持することができ、長期に渡
って高精細な画像を安定して形成することができる。

【００８１】請求項１９記載の発明によれば、請求項１
８記載の画像形成装置において、積層型構造の感光体に
おける感光層の平均膜厚が光ビームの露光径に比べて十
分に薄くしたので、感光層における静電潜像パターンの
広がりを防止でき、書込み用の光ビームに忠実な静電潜
像パターンを形成することができ、画像の高精細化に寄
与する。

【００８２】請求項２０記載の発明によれば、請求項１
８記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層への透過率を
１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導電性
支持層への光到達率が低くなり、導電性支持層表層付近
での多重反射が防止されることになり、よって、書込み
用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成すること
ができ、画像の高精細化に寄与する。

【００８３】請求項２１記載の発明によれば、請求項１
８記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層表面での反射
率を１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導
電性支持層での光反射率が低くなり、導電性支持層表層
付近での多重反射が防止されることになり、よって、書
込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成する
ことができ、画像の高精細化に寄与する。

【００８４】請求項２２記載の発明によれば、導電性支
持層上にチタニルフタロシアニンによる電荷発生物質を
含み高感度化された電荷発生層と電荷移動層とが順に積
層された感光層を有する感光体に対して光ビームにより
飽和書込みを行うようにしたので、電荷移動層の層厚を
薄くすることで静電潜像パターンのエッジ電界効果が出
にくくなるためトナー像も太ることなく静電潜像パター
ンに忠実なトナー像として形成でき、よって、高精細な
画像を安定して形成することができる。

【００８５】請求項２３記載の発明によれば、請求項２
２記載の画像形成装置において、積層型構造の感光体に
おける感光層の平均膜厚が光ビームの露光径に比べて十
分に薄くしたので、感光層における静電潜像パターンの
広がりを防止でき、書込み用の光ビームに忠実な静電潜
像パターンを形成することができ、画像の高精細化に寄
与する。

【００８６】請求項２４記載の発明によれば、請求項２
２記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層への透過率を
１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導電性
支持層への光到達率が低くなり、導電性支持層表層付近
での多重反射が防止されることになり、よって、書込み
用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成すること
ができ、画像の高精細化に寄与する。

【００８７】請求項２５記載の発明によれば、請求項２
２記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層表面での反射
率を１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導
電性支持層での光反射率が低くなり、導電性支持層表層
付近での多重反射が防止されることになり、よって、書
込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成する
ことができ、画像の高精細化に寄与する。

【００８８】請求項２６記載の発明によれば、導電性支
持層上にドナー（正孔移動物質）、アクセプタ（電子移
動物質）、バインダ樹脂及び電荷発生物質からなる感光
層が単層積層され、ドナー／アクセプタ／バインダ樹脂
／電荷発生物質の総量に対する電荷発生物質の重量百分
率が０．１〜５重量％に設定され、かつ、電荷発生物質
の分散状態に基づき前記感光層に入射する光ビームの吸
光度がこの感光層表面から１μｍの深さまでで少なくと
も９９％以上となるように設定された感光体に対して光
ビームにより飽和書込みを行うようにしたので、感光層
が単層構造の感光体を用いるが、表面硬度の高い単層構
造であり、かつ、電荷発生物質の重量百分率が低くてそ
の分散状態に基づき書込み用の光ビームの吸光度が表面
から１μｍの深さまで少なくとも９９％以上となるよう
に設定されているため、静電潜像が表層付近でのみ形成
されることになり、現像の際には、静電潜像パターンの
エッジ電界効果が実効的に働かず、静電潜像パターンに
忠実で現像太りのないトナー像を得ることができ、よっ
て、高精細な画像を安定して形成することができる。

【００８９】請求項２７記載の発明によれば、請求項２
６記載の画像形成装置において、単層型構造の感光体に
おける感光層の平均膜厚を光ビームの露光径に比べて十
分に薄くしたので、感光層における静電潜像パターンの
広がりを防止でき、書込み用の光ビームに忠実な静電潜
像パターンを形成することができ、画像の高精細化に寄
与する。

【００９０】請求項２８記載の発明によれば、請求項２
６記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層への透過率を
１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導電性
支持層への光到達率が低くなり、導電性支持層表層付近
での多重反射が防止されることになり、よって、書込み
用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成すること
ができ、画像の高精細化に寄与する。

【００９１】請求項２９記載の発明によれば、請求項２
６記載の画像形成装置において、イメージ露光装置によ
る光ビームの感光体における導電性支持層表面での反射
率を１／ｅ² 以下にしたので、書込み用の光ビームの導
電性支持層での光反射率が低くなり、導電性支持層表層
付近での多重反射が防止されることになり、よって、書
込み用の光ビームに忠実な静電潜像パターンを形成する
ことができ、画像の高精細化に寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施の形態を示す画像形成装置
の模式図である。

【図２】感光体の一部を示す断面図である。

【図３】光ビームのエネルギー分布（ビームプロファイ
ル）を示すグラフである。

【図４】露光量分布を示すグラフである。

【図５】露光量に対する感光体の明減衰特性を示すグラ
フである。

【図６】変形例の感光体の一部を示す断面図である。

【図７】本発明の第二の実施の形態の感光体の一部を示
す断面図である。

【図８】本発明の第三の実施の形態の感光体の一部を示
す断面図である。

【図９】本発明の第四の実施の形態の感光体の一部を示
す断面図である。

【符号の説明】

１記録媒体６感光体７帯電装置８現像装置９転写装置１１イメージ露光装置１２感光層１３導電性支持層１４電荷移動層１５電荷発生層１６粗面２１感光体２２感光層２３導電性支持層２４電荷発生層２５電荷移動層３１感光体３２感光層３３導電性支持層３４電荷発生層３５電荷移動層４１感光体４２感光層４３導電性支持層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ０３Ｇ 5/06 ３７１Ｇ０３Ｇ 5/06 ３７１ 5/08 １０５ 5/08 １０５ 5/087 5/087 5/10 5/10 Ｂ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性支持層上に少なくとも電荷移動層
と非晶質型光導電性半導体を含む電荷発生層とが順に積
層された感光層を有する感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する帯電装置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームで飽和露光して静電
潜像を形成するイメージ露光装置と、前記感光体に形成された静電潜像にトナーを付着させて
現像する現像装置と、前記感光体から記録媒体にトナー像を転写する転写装置
と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】電荷発生層は、無機系光導電性半導体に
より形成されていることを特徴とする請求項１記載の画
像形成装置。
【請求項３】電荷発生層は、無機系光導電性半導体と
バインダ樹脂との混合物により形成されていることを特
徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項４】電荷移動層は、少なくとも電荷移動物質
及び熱硬化性樹脂により形成されていることを特徴とす
る請求項１記載の画像形成装置。
【請求項５】電荷発生層の平均層厚は、トナー体積平
均粒径以下であることを特徴とする請求項１記載の画像
形成装置。
【請求項６】電荷移動層の平均層厚は、電荷発生層の
平均層厚よりも厚いことを特徴とする請求項１記載の画
像形成装置。
【請求項７】イメージ露光装置による光ビームの感光
体における導電性支持層への透過率を１／ｅ² 以下にし
たことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項８】イメージ露光装置による光ビームの感光
体における導電性支持層表面での反射率を１／ｅ² 以下
にしたことを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項９】導電性支持層と電荷移動層との境界面が
不規則な粗面として形成されていることを特徴とする請
求項１記載の画像形成装置。
【請求項１０】感光体は、少なくとも正極性帯電電荷
に対して光減衰特性を示すことを特徴とする特徴とする
請求項１記載の画像形成装置。
【請求項１１】電荷発生層の表層側部分は、その電荷
移動層側部分より高硬度で、かつ、前記電荷移動層中に
含有される構成元素を含んで形成されていることを特徴
とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項１２】導電性支持層上に電荷発生層と少なく
とも電荷移動物質、バインダ用高分子樹脂及び低摩擦係
数の高分子樹脂を含む電荷移動層とが順に積層された感
光層を有する感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する帯電装置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームで飽和露光して静電
潜像を形成するイメージ露光装置と、前記感光体に形成された静電潜像にトナーを付着させて
現像する現像装置と、前記感光体から記録媒体にトナー像を転写する転写装置
と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】電荷移動層中に含まれる低摩擦係数の
高分子樹脂は、フッ素系樹脂又はシリコン系樹脂である
ことを特徴とする請求項１２記載の画像形成装置。
【請求項１４】電荷移動層中に含まれる低摩擦係数の
高分子樹脂は、ホモポリマー又はコポリマーであること
を特徴とする請求項１２記載の画像形成装置。
【請求項１５】感光体の感光層の平均膜厚Ｔｐ、前記
感光体上での光ビームのエネルギー分布を露光時間で積
分したものとして定義される露光量分布のピーク値より
１／ｅ² での最小直径を光ビームの露光径Ｄｂとした場
合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように設定されていることを特徴とす
る請求項１２記載の画像形成装置。
【請求項１６】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層への透過率を１／ｅ² 以下に
したことを特徴とする請求項１２記載の画像形成装置。
【請求項１７】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層表面での反射率を１／ｅ² 以
下にしたことを特徴とする請求項１２記載の画像形成装
置。
【請求項１８】導電性支持層上に電荷発生層と少なく
とも高分子による電荷移動物質を主成分とする電荷移動
層とが順に積層された感光層を有する感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する帯電装置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームで飽和露光して静電
潜像を形成するイメージ露光装置と、前記感光体に形成された静電潜像にトナーを付着させて
現像する現像装置と、前記感光体から記録媒体にトナー
像を転写する転写装置と、を備えたことを特徴とする画
像形成装置。
【請求項１９】感光体の感光層の平均膜厚Ｔｐ、前記
感光体上での光ビームのエネルギー分布を露光時間で積
分したものとして定義される露光量分布のピーク値より
１／ｅ² での最小直径を光ビームの露光径Ｄｂとした場
合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように設定されていることを特徴とす
る請求項１８記載の画像形成装置。
【請求項２０】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層への透過率を１／ｅ² 以下に
したことを特徴とする請求項１８記載の画像形成装置。
【請求項２１】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層表面での反射率を１／ｅ² 以
下にしたことを特徴とする請求項１８記載の画像形成装
置。
【請求項２２】導電性支持層上にチタニルフタロシア
ニンによる電荷発生物質を含む電荷発生層と電荷移動層
とが順に積層された感光層を有する感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する帯電装置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームで飽和露光して静電
潜像を形成するイメージ露光装置と、前記感光体に形成された静電潜像にトナーを付着させて
現像する現像装置と、前記感光体から記録媒体にトナー像を転写する転写装置
と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２３】感光体の感光層の平均膜厚Ｔｐ、前記
感光体上での光ビームのエネルギー分布を露光時間で積
分したものとして定義される露光量分布のピーク値より
１／ｅ² での最小直径を光ビームの露光径Ｄｂとした場
合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように設定されていることを特徴とす
る請求項２２記載の画像形成装置。
【請求項２４】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層への透過率を１／ｅ² 以下に
したことを特徴とする請求項２２記載の画像形成装置。
【請求項２５】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層表面での反射率を１／ｅ² 以
下にしたことを特徴とする請求項２２記載の画像形成装
置。
【請求項２６】導電性支持層上にドナー（正孔移動物
質）、アクセプタ（電子移動物質）、バインダ樹脂及び
電荷発生物質からなる感光層が単層積層され、ドナー／
アクセプタ／バインダ樹脂／電荷発生物質の総量に対す
る電荷発生物質の重量百分率が０．１〜５重量％に設定
され、かつ、電荷発生物質の分散状態に基づき前記感光
層に入射する光ビームの吸光度がこの感光層表面から１
μｍの深さまでで少なくとも９９％以上となるように設
定された感光体と、この感光体の表面を一様に帯電する帯電装置と、一様帯電後の前記感光体を光ビームで飽和露光して静電
潜像を形成するイメージ露光装置と、前記感光体に形成された静電潜像にトナーを付着させて
現像する現像装置と、前記感光体から記録媒体にトナー像を転写する転写装置
と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２７】感光体の感光層の平均膜厚Ｔｐ、前記
感光体上での光ビームのエネルギー分布を露光時間で積
分したものとして定義される露光量分布のピーク値より
１／ｅ² での最小直径を光ビームの露光径Ｄｂとした場
合、Ｄｂ＜８Ｔｐなる関係を満たすように設定されていることを特徴とす
る請求項２６記載の画像形成装置。
【請求項２８】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層への透過率を１／ｅ² 以下に
したことを特徴とする請求項２６記載の画像形成装置。
【請求項２９】イメージ露光装置による光ビームの感
光体における導電性支持層表面での反射率を１／ｅ² 以
下にしたことを特徴とする請求項２６記載の画像形成装
置。