JPH11295031A - 位置決めステージ装置とその位置計測方法および位置決めステージ装置を備えた露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents

位置決めステージ装置とその位置計測方法および位置決めステージ装置を備えた露光装置ならびにデバイス製造方法

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JPH11295031A
JPH11295031A JP10112798A JP11279898A JPH11295031A JP H11295031 A JPH11295031 A JP H11295031A JP 10112798 A JP10112798 A JP 10112798A JP 11279898 A JP11279898 A JP 11279898A JP H11295031 A JPH11295031 A JP H11295031A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザ干渉計の測長基準の移動に拘らず常に
精度良く測長できかつ高精度に位置決めを行なうことが
できる位置決めステージ装置を提供する。 【解決手段】 マスク１を把持し回転方向に移動可能に
設けられたマスクθステージ２にＸＹ基準コーナーキュ
ーブ１２、１３を設置し、ウエハ３を把持してＸＹ方向
に移動可能なウエハＸＹステージ４にＸＹ測長ミラー１
０、１１を設置し、レーザ干渉計２０ｘ、２０ｙによ
り、基準コーナーキューブ１２、１３を測長基準として
ＸＹ測長ミラー１０、１１をＸＹ方向に計測するように
構成し、マスクθステージ２の回転移動にも拘わらず、
基準コーナーキューブ１２、１３を測長基準として常に
ウエハＸＹステージ４のＸＹ方向の位置や移動量を精度
良く計測でき、ウエハＸＹステージ４を高精度に位置決
めすることを可能にし、マスク１とウエハ３のアライメ
ントを高精度に管理することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
製造に用いられる露光装置等に適用することができる位
置決めステージ装置とその位置計測方法および位置決め
ステージ装置を備えた露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化等に伴
なって半導体素子の微細化、高密度化が一層進み、線幅
においても極く微細な線幅が要求されている。例えば、
２５６ＭＤＲＡＭの半導体素子においては０．２５μ
ｍ、１ＧＤＲＡＭの半導体素子では０．１８μｍの線幅
が要求されており、また、焼き付けパターンの重ね合わ
せ精度については、例えば、２５６ＭＤＲＡＭの半導体
素子の場合は８０ｎｍ、１ＧＤＲＡＭの半導体素子の場
合では６０ｎｍである。
【０００３】そして、ウエハ等の基板にマスクに描画さ
れたパターンを露光転写する露光装置も高精度でかつ線
幅精度の良いものが要望されており、露光装置の露光光
としては、ｉ線やＫｒＦレーザ等が用いられているが、
回折による解像度の劣化を避けるため、より波長の短い
Ｘ線を用いたステップアンドリピートによるプロキシミ
ティ露光装置が提案されている。
【０００４】プロキシミティ露光装置は、ウエハステー
ジに保持されたウエハをマスクステージに取り付けられ
ているマスクに対して１０μｍ〜５０μｍのような微小
間隔をもって近接させた状態で露光を行なう方式であ
り、ウエハステージをＸＹ方向に駆動してウエハの各露
光ショットを逐次マスクに対向する露光領域へステップ
移動させて、マスクとウエハをアライメント光学系によ
りアライメント計測して位置合わせを行ない、露光光で
あるＸ線をマスクを介して照射してマスクに描画された
パターンをウエハ上に転写している。
【０００５】このような露光装置においては、ウエハと
マスクを高精度に位置決めすることが重要であり、その
ために高精度の位置決めステージ装置が必要となってお
り、ウエハの位置決めステージの測長系としては、移動
体の移動量を高精度に測定することができるレーザ干渉
計が使用されている。
【０００６】この種のレーザ干渉計は、レーザ光を発振
するレーザ発振器（レーザヘッド）、計測対象物である
位置決めステージに設置された測長ミラー、測長基準と
なる基準ミラー、レーザ発振器から発振されたレーザ光
を測長ミラーと基準ミラーに分配して照射する偏光ビー
ムスプリッタ等を含む光学系および光検出器を備えてお
り、レーザ発振器から発振されたレーザ光は、偏光ビー
ムスプリッタで分離され、レーザ光の一部は偏光ビーム
スプリッタを透過して計測対象物である位置決めステー
ジに設置された測長ミラーに照射され、レーザ光の残り
は偏光ビームスプリッタで反射されて基準ミラーに照射
される。基準ミラーからの反射光は偏光ビームスプリッ
タを透過しそして測長ミラーからの反射光は偏光ビーム
スプリッタで反射されて、同一の光検出器に検出され
る。この光検出器に検出された両レーザ光は干渉して干
渉縞が形成され、この干渉縞を光検出器で計数すること
によって、基準ミラーと測長ミラーとの間の距離を得る
ことができ、これに基づいて、測長ミラーを設置した計
測対象物である位置決めステージの位置あるいは移動量
が測定される。
【０００７】ここで、基準ミラーは、測定基準であっ
て、測長用光学部品と一体的に結合され固定されたベー
ス部材に固定されていることが望ましい。また、本来基
準としたい部材（例えば、マスク）にできるだけ近く配
置することで両者間の熱膨張による誤差を低減できる。
例えば、露光光としてｇ線やｉ線等を用いる投影露光装
置においては、特開平６−１６３３５４号公報等に記載
されているように、ウエハを露光位置にステップアンド
リピートするウエハＸＹステージの基準ミラーをレンズ
鏡筒のベース部材に固定している。
【０００８】また、マスクとウエハを近接させた状態で
等倍露光するプロキシミティ方式のＸ線露光装置におい
ては、ウエハＸＹステージの測定基準はマスクまたはマ
スク近傍のマスク支持部材であることが望ましい。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のプロ
キシミティ方式のＸ線露光装置においては、基準とした
いマスクがＸＹの測長ビームに対して回転方向やチルト
方向に微動可能に設けられている場合が一般的である。
例えば、マスクを把持するマスク支持部材は、マスク面
内回転方向に自由度を持ち、マスクの製作誤差や搬送誤
差を吸収できるように構成され、あるいはマスク面内チ
ルト方向に自由度を持って、マスクのくさび成分を吸収
できるように構成されている。このような構成において
は、基準ミラーをマスクあるいはマスク支持部材に固定
すると、測定基準となるべきマスクまたはマスク支持部
材がＸＹの測長ビームに対して回転方向やチルト方向に
移動することにより、精度の良い測長を行なうことがで
きなくなり、さらに、マスクの移動によりＸＹ方向の他
成分が発生し、このＸＹ方向の他成分はｃｏｓエラーな
ので微量であるけれども、照射した測長ビームが光検出
器に帰ってこなくなるという事態等が生じ、ウエハステ
ージの位置決めを行なうことができないという問題点が
あった。またこれを避けるために、マスク支持部材の外
側の可動しない部材に基準ミラーを配置したとしても、
マスクまでの距離が長くなり、熱膨張による誤差が無視
できなくなるという問題が生じる。
【００１０】そこで、本発明は、上記の従来技術の有す
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、レーザ
干渉計の測長基準の移動に拘らず常に精度良く測長でき
かつ高精度に位置決めを行なうことができる位置決めス
テージ装置とその位置計測方法、および位置決めステー
ジ装置を備えた露光装置ならびに該露光装置を用いたデ
バイス製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の位置決めステージ装置は、回転方向とチル
ト方向の少なくともいずれか一方に移動可能な第１の位
置決めステージと、ＸＹ方向に移動可能な第２の位置決
めステージと、該第２の位置決めステージに固定された
測長ミラーと、前記第１の位置決めステージに配設され
た基準ミラーと、該基準ミラーを位置基準として前記測
長ミラーをＸＹ方向に計測するレーザ干渉計を備えた位
置決めステージ装置において、前記基準ミラーを該基準
ミラーに入射するレーザ光を常に入射と同一方向に反射
するように構成したことを特徴とする。
【００１２】そして、本発明の位置決めステージ装置
は、回転方向とチルト方向の少なくともいずれか一方に
移動可能な第１の位置決めステージと、ＸＹ方向に移動
可能な第２の位置決めステージと、該第２の位置決めス
テージに固定された測長ミラーと、前記第１の位置決め
ステージに配設された基準ミラーと、該基準ミラーを位
置基準として前記測長ミラーをＸＹ方向に計測するレー
ザ干渉計を備えた位置決めステージ装置において、前記
基準ミラーにコーナーキューブまたはキャッツアイを用
いたことを特徴とする。
【００１３】さらに、本発明の位置決めステージ装置
は、回転方向とチルト方向の少なくともいずれか一方に
移動可能な第１の位置決めステージと、ＸＹ方向に移動
可能な第２の位置決めステージと、該第２の位置決めス
テージに固定された測長ミラーと、前記第１の位置決め
ステージに配設された基準ミラーと、該基準ミラーを位
置基準として前記測長ミラーをＸＹ方向に計測するレー
ザ干渉計を備えた位置決めステージ装置において、前記
基準ミラーの姿勢を前記第１の位置決めステージに対し
て相対的に変化させる手段を備えていることを特徴とす
る。
【００１４】そして、本発明の位置決めステージ装置に
おいては、基準ミラーはレーザ干渉計のレーザ光に対し
て常に一定の姿勢を維持するように構成されていること
が好ましく、また、基準ミラーはミラー姿勢矯正手段を
介して第１の位置決めステージに配設され、あるいは基
準ミラーは姿勢維持用の駆動手段により常に一定の姿勢
を維持するように構成されていることが好ましい。
【００１５】また、本発明の位置決めステージ装置にお
いては、レーザ発振器から発振されたレーザ光を基準ミ
ラーと測長ミラーに分配して照射する光学系を有し、両
ミラーからの反射光を同一の光検出器に入射させること
により測長ミラーの移動量を検出するように構成された
レーザ干渉計を用いることができ、あるいは、基準ミラ
ーと測長ミラーを、参照ミラーを内蔵したそれぞれ独立
したレーザ干渉計で計測するように構成することもでき
る。
【００１６】本発明の位置決めステージ装置において
は、第１の位置決めステージをマスクを把持しかつマス
ク面内回転方向とマスク面内チルト方向の少なくともい
ずれか一方に移動可能に設けられたマスクステージと
し、第２の位置決めステージを基板を把持して基板内Ｘ
Ｙ方向に移動可能な基板位置決めステージとすることが
好ましく、そして、基準ミラーをマスクまたはマスクス
テージに配設することが好ましい。
【００１７】そして、本発明の位置決めステージ装置の
位置計測方法は、回転方向とチルト方向の少なくともい
ずれか一方に移動可能な第１の位置決めステージとＸＹ
方向に移動可能な第２の位置決めステージとの相対的な
位置関係をレーザ干渉計を用いて計測する方法であっ
て、前記第２の位置決めステージに測長ミラーを固定
し、前記第１の位置決めステージに基準ミラーを固定
し、前記レーザ干渉計によって前記基準ミラーを位置基
準として前記測長ミラーをＸＹ方向に計測し、その際、
前記基準ミラーに入射するレーザ光が常に入射と同一方
向に反射されるようにしたことを特徴とする。
【００１８】本発明の位置決めステージ装置の位置計測
方法においては、基準ミラーに入射するレーザ光を常に
入射と同一方向に反射するように、基準ミラーにコーナ
ーキューブまたはキャッツアイを用いるか、もしくは第
１の位置決めステージに対する基準ミラーの姿勢を相対
的に変化させるように構成することが好適である。
【００１９】また、本発明の露光装置は、請求項９また
は１０記載の位置決めステージ装置と、該位置決めステ
ージ装置によって位置決めされた基板に露光光を照射す
る露光手段を備えたことを特徴とし、露光光としてＸ線
を用いることができる。
【００２０】そして、本発明の露光装置においては、マ
スクまたはマスクステージがマスク面内回転方向または
マスク面内チルト方向に移動したことにより生じる基準
ミラーのＸＹ方向の他成分をマスクステージの移動量と
の関係に基づいて予め算出し、マスクステージの移動量
に応じて予め算出された基準ミラーのＸＹ方向の他成分
を基板位置決めステージのＸＹ計測値に補正するように
構成することができ、また、マスクステージの駆動を常
に基板に対する露光前にのみ行ない、基準ミラーに対す
る測長ミラーの測長はマスクが位置決めされた状態で行
ない、基準ミラーにＸＹ方向の他成分が生じても、基準
ミラーのＸＹ方向の他成分を露光前の基板とマスクのア
ライメントにより補正するように、あるいは、マスクス
テージの駆動を常に基板に対する露光前にのみ行ない、
マスクステージの駆動時には基準ミラーを位置基準とし
て使用せず、マスク位置決め完了後に基準ミラーを位置
基準として測長ミラーの測長を行うように構成すること
が好ましい。
【００２１】さらに、本発明のデバイス製造方法は、請
求項１３ないし１７のいずれか１項記載の露光装置を用
いてデバイスを製造することを特徴とする。
【００２２】
【作用】回転方向とチルト方向の少なくともいずれか一
方に移動可能な第１の位置決めステージと、ＸＹ方向に
移動可能な第２の位置決めステージと、第２の位置決め
ステージに固定された測長ミラーと、第１の位置決めス
テージに配設された基準ミラーと、基準ミラーを位置基
準として測長ミラーをＸＹ方向に計測するレーザ干渉計
を備えた位置決めステージ装置において、計測用レーザ
光の反射光を入射するレーザ光に対して常に同一方向に
反射させることができるコーナーキューブまたはキャッ
ツアイを基準ミラーに用いることにより、第１の位置決
めステージの移動にも拘わらず、基準ミラーを測長基準
として常に測長ミラーのＸＹ方向の位置や移動量を精度
良く計測することが可能となる。また、基準ミラーをミ
ラー姿勢矯正手段またはミラー姿勢維持用の駆動手段を
介して第１の位置決めステージに設置することにより、
基準ミラーを計測用レーザ光に対して常に一定の姿勢を
維持し、基準ミラーに入射するレーザ光を常に入射と同
一方向に反射することができ、測長ミラーのＸＹ方向の
位置や移動量を常に精度良く計測することができ、第２
の位置決めステージを高精度に位置決めすることが可能
となる。
【００２３】さらに、前述した位置決めステージ装置を
Ｘ線露光装置に適用することにより、マスクを把持しマ
スク面内回転方向またはチルト方向に移動可能に設けら
れたマスクステージの移動にも拘わらず、マスクに隣接
して設置した基準ミラーを計測基準として、ウエハ等の
基板を把持する基板ステージの位置や移動量を精度良く
計測でき、マスクと基板のアライメントを高精度に管理
することが可能となる。また、マスク近傍にあるいはマ
スク自体に基準ミラーを配置できるので熱膨張による誤
差の問題は極めて少ない。
【００２４】また、マスクまたはマスクステージのマス
ク面内回転方向またはマスク面内チルト方向の移動によ
り基準ミラーのＸＹ方向他成分が生じて、基板ステージ
の位置決めの基準が移動することとなるけれども、基板
ステージの位置や移動量の計測値を補正する等により、
基板ステージを適切に駆動することができ、マスクと基
板のアライメントを高精度に管理することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
【００２６】図１は、Ｘ線露光装置に適用した位置決め
ステージ装置の一実施例を概略的に示す斜視図である。
【００２７】図１において、図示しない光源から発せら
れる露光光としてのＸ線Ｌに沿ってマスク１を保持する
マスクθステージ２と基板であるウエハ３を保持するウ
エハＸＹステージ４が近接して配置されており、マスク
１を保持するマスクθステージ２は、４個の角部にそれ
ぞれ配設された板ばねガイド６、６…を介してベース板
２ａに回転（θ）方向に移動可能に支持され、マスクθ
ステージ２に固定された作用部材８を介してθ駆動手段
７によってθ方向に回転駆動され、また、その回転方向
の角度θは角度センサ９により検出されるように構成さ
れている。ウエハＸＹステージ４は、ウエハ３を把持す
るウエハチャック４を有し、ウエハ面内ＸＹ方向に移動
可能に設けられ、図示しない駆動手段によってＸＹ方向
に駆動されるように構成されている。そして、ウエハＸ
Ｙステージ４のＸ方向の一端部にはＸ測長ミラー１０が
取り付けられ、Ｙ方向の一端部にはＹ測長ミラー１１が
取り付けられている。また、マスクθステージ側には、
マスクθステージ２のマスク１の近傍の部位に、あるい
はマスク１自体に、Ｘ方向およびＹ方向の各基準ミラー
としてのＸ基準コーナーキューブ１２およびＹ基準コー
ナーキューブ１３が配置されている。
【００２８】ウエハ３の位置をマスク１に対して高精度
に計測し位置決めするために、ウエハＸＹステージ４の
Ｘ方向およびＹ方向の位置や移動量を計測するＸ軸レー
ザ干渉計２０ｘとＹ軸レーザ干渉計２０ｙが設けられて
おり、ウエハＸＹステージ４のＸ方向の位置を計測する
Ｘ軸レーザ干渉計２０ｘは、計測用のレーザ光ｍｘを発
振するレーザ発振器（レーザヘッド）２１ｘ、計測対象
物であるウエハＸＹステージ４に設置されたＸ測長ミラ
ー１０、マスクθステージ２に配置された測長基準とな
るＸ基準コーナーキューブ１２、レーザ発振器２０ｘと
Ｘ測長ミラー１０との間に配置された偏光ビームスプリ
ッタ２２ｘ、偏光ビームスプリッタ２２ｘにて分離され
たレーザ光ｍｘの一部をＸ基準コーナーキューブ１２に
照射するための直角ミラー２３ｘ、および光検出器２４
ｘを備えている。したがって、レーザ発振器２１ｘから
発振されたレーザ光ｍｘは、偏光ビームスプリッタ２２
ｘで分離され、レーザ光ｍｘの一部は偏光ビームスプリ
ッタ２２ｘを透過して計測対象物であるウエハＸＹステ
ージ４のＸ測長ミラー１０に照射され、レーザ光ｍｘの
残りは偏光ビームスプリッタ２２ｘで反射されて直角ミ
ラー２３ｘを介して基準ミラーであるＸ基準コーナーキ
ューブ１２に照射される。Ｘ基準コーナーキューブ１２
からの反射光は偏光ビームスプリッタ２２ｘを透過し、
そしてＸ測長ミラー１０からの反射光は偏光ビームスプ
リッタ２２ｘで反射されて、ともに光検出器２４ｘに照
射される。この光検出器２４ｘに照射された両レーザ光
は干渉して干渉縞が形成され、この干渉縞を光検出器２
４ｘで計数することによって、Ｘ測長ミラー１０を設置
した計測対象物であるウエハＸＹステージ４のＸ方向の
位置および移動量を計測することができる。
【００２９】また、ウエハＸＹステージ４のＹ方向の位
置や移動量を計測するＹ軸レーザ干渉計２０ｙは、同様
に、計測用のレーザ光ｍｙを発振するレーザ発振器２１
ｙ、計測対象物であるウエハＸＹステージ４に設置され
たＹ測長ミラー１１、マスクθステージ２に配置された
測長基準となるＹ基準コーナーキューブ１３、レーザ発
振器２０ｙとＹ測長ミラー１１との間に配置された偏光
ビームスプリッタ２２ｙ、偏光ビームスプリッタ２２ｙ
にて分離されたレーザ光ｍｙの一部をＹ基準コーナーキ
ューブ１３に照射するための直角ミラー２３ｙ、および
光検出器２４ｙを備え、さらにレーザ発振器２１ｙから
発振されるレーザ光ｍｙを偏光ビームスプリッタ２２ｙ
の方向に偏光させるための直角ミラー２５ｙを備えてい
る。したがって、Ｙ測長ミラー１１を設置した計測対象
物であるウエハＸＹステージ４のＹ方向の位置およびそ
の移動量もＹ軸レーザ干渉計２０ｙにより同様に計測す
ることができる。
【００３０】以上のように、ウエハＸＹステージ４のＸ
方向およびＹ方向の位置や移動量を計測するレーザ干渉
計２０（２０ｘと２０ｙ）の測長基準となる基準ミラー
としてのコーナーキューブ１２、１３を、回動可能に設
けられているマスクθステージ２のマスク１の近傍にま
たはマスク１自体に設置することにより、マスクθステ
ージ２がマスク１の製作誤差や搬送誤差を吸収するよう
にθ駆動手段７を介して回転駆動されるとき、基準ミラ
ーとしてのコーナーキューブ１２、１３もともに回動す
るとしても、コーナーキューブ１２、１３は、計測用レ
ーザ光の反射光を入射するレーザ光を常に同一方向に反
射させるために、光検出器２４（２４ｘ、２４ｙ）が計
測用のレーザ光の反射光を捉えることができず計測がで
きなくなるということがない。したがって、マスクθス
テージ２をマスク面内回転方向に回転させてもマスク１
の近傍にあるいはマスク１自体に配置した基準ミラーと
してのコーナーキューブ１２、１３を測長基準として常
にウエハＸＹステージ４のＸＹ方向の位置や移動量を精
度良く計測することが可能である。
【００３１】また、本実施例においては、基準ミラーと
してコーナーキューブを用いているが、コーナーキュー
ブに代えて、レンズの焦点位置に基準ミラーを配置した
キャッツアイを用いることもでき、同様の作用効果を得
ることができる。さらに、本実施例では、レーザ発振器
から発振されたレーザ光を基準ミラーと測長ミラーに分
配して照射する光学系を備え、両ミラーからの反射光を
同一の光検出器で検出するようにしているけれども、参
照ミラーを内蔵したレーザ干渉計を用いて、基準ミラー
と測長ミラーに対してそれぞれ独立した２個のレーザ干
渉計を配設してウエハＸＹステージの位置や移動量を計
測することもできる。
【００３２】次に、本発明の位置決めステージ装置のさ
らに他の実施例について図２および図３に基づいて説明
する。図２は位置決めステージ装置の他の実施例を概略
的に示す斜視図であり、本実施例においては、マスクθ
ステージに設置する基準ミラーをミラー姿勢矯正手段を
介して取り付けている点で図１に図示する実施例と相違
している。なお、本実施例において、図１に図示した実
施例の部材に対応する同様の部材には同一符号を付して
あり、それらの詳細な説明は省略する。
【００３３】図２において、Ｘ基準ミラー３０ｘおよび
Ｙ基準ミラー３０ｙは、それぞれＸミラー姿勢矯正手段
３１ｘおよびＹミラー姿勢矯正手段３１ｙを介してマス
クθステージ２に設置されている。これらのＸミラー姿
勢矯正手段３１ｘおよびＹミラー姿勢矯正手段３１ｙ
は、マスクθステージ２に設置される部位が異なってい
るが、ともに同様の部材で構成されており、同様の部材
には同一符号を付し、必要に応じてｘ、ｙを付して区別
する。
【００３４】以下に、Ｙミラー姿勢矯正手段３１ｙにつ
いて、図３の（ａ）をも参照しながら説明する。Ｙミラ
ー姿勢矯正手段３１ｙは、Ｙ基準ミラー３０ｙを固定す
るＹミラー固定台３２ｙと、マスクθステージ２のＹ方
向の一側端面の中央部に配設され、Ｙミラー固定台３２
ｙをマスクθステージ２に回動可能に連接するヒンジ部
３３ｙと、Ｙミラー固定台３２ｙとベース板２ａの間に
配置され、圧縮コイルばね等の付勢力発生部材３５ｙと
ロッド３６ｙで構成された一対の付勢力発生手段３４
ｙ、３４ｙとからなり、一対の付勢力発生手段３４ｙ、
３４ｙは、ヒンジ部３３ｙを挟んでその両側の対称位置
に配置され、一端がベース板２ａに固定された一対の付
勢力発生部材３５ｙ、３５ｙは、それらの他端で一対の
ロッド３６ｙ、３６ｙをミラー固定台３２ｙの表面に当
接させて押圧するように付勢する。また、ヒンジ部３３
ｙは、その回転剛性を０もしくは極く小さく、その軸方
向の剛性を大きく設定して、マスクθステージ２に対し
て相対的に自由に回動し得るようにしかつその軸方向の
動きを規制する。したがって、一対の付勢力発生手段３
４ｙ、３４ｙは、ミラー固定台３２ｙの表面をヒンジ部
３３ｙを挟んだ両側の対称位置を押圧して、ミラー固定
台３２ｙの姿勢を常に一定に維持する。このように一対
の付勢力発生手段３４ｙ、３４ｙを有するミラー姿勢矯
正手段３１ｙを用いることによって、マスクθステージ
２が、図３の（ａ）に破線で示すようにθ方向に回動さ
れても、ミラー固定台３２ｙは一対の付勢力発生手段３
４ｙ、３４ｙによってその両側が押圧されているために
ヒンジ部３３ｙを介して移動することなく元の姿勢を維
持することができ、ミラー固定台３２ｙに固定されたＹ
基準ミラー３０ｙも計測用レーザ光に対して常に一定の
姿勢に維持することができる。なお、付勢力発生手段３
４ｙとしては、圧縮コイルばねの他にも、エアシリン
ダ、リニアモータ、磁力発生部材やゴム等の弾性体等を
用いることもできる。また、ヒンジ部３３ｙとしては、
例えば、図３の（ｂ）および（ｃ）に示すように、ヒン
ジ部に回転軸受を用いて、ミラー固定台３２とマスクθ
ステージ２の間に回転軸受３３ｏを介在させ、ミラー固
定台３２とマスクθステージ２を相対的に自由に回動し
得るようにしかつその軸方向の動きを規制するようにす
ることもできる。
【００３５】以上のように、基準ミラー３０（３０ｘ、
３０ｙ）をミラー姿勢矯正手段３１（３１ｘ、３１ｙ）
を介してマスクθステージ２に設置したことにより、ミ
ラー固定台３２（３２ｘ、３２ｙ）に固定された基準ミ
ラー３０（３０ｘ、３０ｙ）は、マスクθステージ２が
マスク面内回転方向に回動されても、計測用レーザ光に
対して常に一定の姿勢を維持することができ、レーザ干
渉計２０（２０ｘ、２０ｙ）の計測用レーザ光を常に一
定方向に反射させることができ、光検出器２４（２４
ｘ、２４ｙ）が計測用レーザ光の反射光を捉えることが
できず計測ができなくなるということがない。したがっ
て、マスクθステージ２をマスク面内回転方向に回転さ
せても、マスク１の近傍に配置した基準ミラー３０を測
長基準として常にウエハＸＹステージ４のＸＹ方向の位
置や移動量を精度良く計測することができる。
【００３６】さらに、基準ミラーの姿勢を一定に維持す
る手段の他の変形例を図４に基づいて説明する。基準ミ
ラー３０を固定保持するミラー固定台３２を、マスクθ
ステージ２の一側端面の中央部にヒンジ部３３を介して
取り付ける。なお、ヒンジ部３３は、前述したと同様
に、回転剛性は０もしくは極く小さく軸方向の剛性は大
きくして、マスクθステージ２に対して相対的に回動し
得るようにしかつその軸方向の動きを規制するように設
定する。そして、基準ミラー３０を固定保持するミラー
固定台３２とマスクθステージ２の一側端面との間で、
ヒンジ部３３を挟んでその両側の対称位置に一対のミラ
ー姿勢維持用θ駆動手段３８、３８が設置されており、
これらの一対のミラー姿勢維持用θ駆動手段３８、３８
は、マスクθステージ２の回動角度を計測する角度セン
サ３９の計測結果に応じて駆動され、基準ミラー３１お
よびミラー固定台３２の姿勢を一定に維持すべく、それ
ぞれ拡張あるいは縮小するように構成されている。これ
らのミラー姿勢維持用θ駆動手段としては、ピエゾ素
子、直動シリンダ、エアシリンダ、あるいは、磁気駆動
部材等を用いることができる。
【００３７】このような構成とすることにより、マスク
θステージ２がマスクアライメント等により回動調整さ
れるとき、角度センサ３９によりマスクθステージ２の
回動角度を計測し、その角度センサ３９の計測結果に応
じて、ミラー姿勢維持用θ駆動手段３８、３８をそれぞ
れ個別に拡張あるいは縮小するように駆動することによ
って、基準ミラー３０およびミラー固定台３２の姿勢を
一定に維持することができる。例えば、図４において、
左側のミラー姿勢維持用θ駆動手段３８は拡張するよう
に駆動され、ミラー固定台３２とマスクθステージ２の
間隔を拡げるように作動し、他方の右側のミラー姿勢維
持用θ駆動手段３８は縮小するように駆動され、ミラー
固定台３２とマスクθステージ２の間隔を狭めるように
作動する。このように、一対のミラー姿勢維持用θ駆動
手段３８、３８を用いることにより、基準ミラー３０お
よびミラー固定台３２をマスクθステージ２の回動に拘
らず常に同じ姿勢を維持することができ、計測用レーザ
光ｍに対しても常に一定の姿勢とすることができる。
【００３８】次に、図２に戻って、Ｘ軸レーザ干渉計２
０ｘおよびＹ軸レーザ干渉計２０ｙによるウエハＸＹス
テージ４のＸＹ方向の位置（移動量）の計測について説
明する。Ｙ軸レーザ干渉計２０ｙのレーザ発振器２１ｙ
から発振されたレーザ光ｍｙは、直角ミラー２５ｙによ
り偏光ビームスプリッタ２２ｙの方向に向けられ、偏光
ビームスプリッタ２２ｙで分離され、レーザ光ｍｙの一
部は偏光ビームスプリッタ２２ｙを透過して計測対象物
であるウエハＸＹステージ４のＹ測長ミラー１１に照射
され、レーザ光ｍｙの残りは偏光ビームスプリッタ２２
ｙで反射されて直角ミラー２３ｙを介してＹ基準ミラー
３１ｙに照射される。Ｙ基準ミラー３１ｙからの反射光
は偏光ビームスプリッタ２２ｙを透過し、そしてＹ測長
ミラー１１からの反射光は偏光ビームスプリッタ２２ｙ
で反射されて、ともに光検出器２４ｙに照射される。こ
の光検出器２４ｙに照射された両レーザ光は干渉して干
渉縞が形成され、この干渉縞を光検出器２４ｙで計数す
ることによって、Ｙ測長ミラー１１を設置した計測対象
物であるウエハＸＹステージ４のＹ方向の位置（移動
量）を計測することができる。なお、Ｘ軸レーザ干渉計
２０ｘによるウエハＸＹステージ４のＸ方向の位置（移
動量）の計測も同様に行なうことができる。
【００３９】以上のように、ウエハＸＹステージ４のＸ
方向およびＹ方向の位置（移動量）を計測するレーザ干
渉計２０（２０ｘ、２０ｙ）の測長基準となるＸ、Ｙ基
準ミラー３０（３０ｘ、３０ｙ）は、前述したように、
ミラー姿勢矯正手段３１（３１ｘ、３１ｙ）あるいはミ
ラー姿勢維持用θ駆動手段３８等を介してマスクθステ
ージ２に設置されているために、マスクθステージ２が
マスク１の製作誤差や搬送誤差を吸収するようにマスク
面内θ方向に回動されるとしても、マスクθステージ２
に対して相対的に回動し、計測用レーザ光に対して常に
同一姿勢を維持し、基準ミラー３０（３０ｘ、３０ｙ）
に入射するレーザ光を常に入射と同一方向に反射するこ
とから、光検出器が計測用のレーザ光の反射光を捉える
ことができず計測ができなくなるということがなく、基
準ミラー３０（３０ｘ、３０ｙ）を測長基準として常に
ウエハＸＹステージ４のＸＹ方向の位置（移動量）を計
測することが可能となる。
【００４０】次に、図１および図２に図示するように構
成された位置決めステージ装置を用いたＸ線露光装置に
ついて説明する。パターンが描画されているマスク１
は、マスクθステージ２に取り付けられ、マスクアライ
メントされる。この際に、マスクθステージ２は、マス
クの製作誤差や搬送誤差等を吸収するように、θ駆動手
段７を介してマスク面内θ方向に駆動調整される。ウエ
ハ３は、ウエハチャック５を介してウエハＸＹステージ
４に把持され、ウエハ３の所定の露光ショットをマスク
１に対向する露光領域へウエハＸＹステージ４により移
動される。このとき、ウエハ３のＸＹ方向の位置はレー
ザ干渉計２０（２０ｘ、２０ｙ）により計測され、この
計測結果に基づいてウエハＸＹステージ４を駆動するこ
とにより、ウエハＸＹステージ４の位置が制御される。
そして、例えば図示しない電子蓄積リング等の光源から
発せられるシンクロトロン放射ビームを露光光とするＸ
線Ｌは、マスクθステージ２に保持されたマスク１に描
画されたパターンをウエハＸＹステージ４に把持されて
いるウエハ３に露光転写する。また、ウエハ３のＸＹ方
向の位置は、露光中においても、レーザ干渉計２０（２
０ｘ、２０ｙ）によって計測され、この計測結果に基づ
いて、ウエハＸＹステージ４を駆動することにより、ウ
エハ３とマスク１のアライメントが高精度に管理され
る。
【００４１】ところで、マスク１の製作誤差や搬送誤差
を吸収するようにマスクθステージ２をマスク面内θ方
向に回動させてマスクアライメント調整する際に、マス
ク１およびマスクθステージ２の回転によりＸＹ方向他
成分が発生し、結果としてウエハＸＹステージ２の基準
が移動することとなり、ウエハＸＹステージ４やウエハ
３のＸＹ方向の位置、移動量を精度良く計測することが
できない場合が生じる。そこで、このようにマスクθス
テージ２に設置されている基準ミラーに計測方向の他成
分が発生した場合の補正方法について、図１および図２
を参照して、以下に説明する。
【００４２】マスクθステージ２はマスク１の姿勢を調
整すべくθ駆動手段７によりθ方向に回動され、その回
転角度θはθ角度センサ９により検出される。そこで、
回転駆動による回転角度に対応して生じるＸＹ方向の他
成分を予め計測して、角度θと他成分の関係を求め、各
角度に対応するそれぞれの補正量を予め算出しておく。
そして、実際の露光処理に際して、レーザ干渉計２０
（２０ｘ、２０ｙ）によりウエハＸＹステージ４のＸＹ
方向の位置（移動量）を計測するときに、マスクθステ
ージ２の回動角度θをθ角度センサ９により検出するこ
とにより、検出された角度θに対応する補正量を呼び出
し、レーザ干渉計２０（２０ｘ、２０ｙ）により計測さ
れた計測値を前記補正量によって補正し、その補正結果
に基づいて、ウエハＸＹステージ４のＸＹ方向の駆動手
段（図示しない）を作動させて、ウエハＸＹステージ４
をＸＹ方向に駆動するようにする。このようにすること
により、基準ミラーに計測方向の他成分が発生していて
も、ウエハＸＹステージ４のより精度の高い位置決めを
行なうことが可能となる。
【００４３】また、他の補正方法としては、マスク位置
決めを露光前に行ない、露光時にはマスクの駆動をしな
いようにすることにより露光時にはＸＹ方向他成分が発
生しないように制御する。すなわち、露光前にマスクア
ライメント調整を行ない、このとき発生するマスクのθ
移動を計測し補正する。この調整により他成分が発生
し、その結果、ウエハＸＹステージ４の基準位置がずれ
ているけれども、この状態でウエハＸＹステージ４のＸ
Ｙ方向の位置や移動量を計測して、ウエハＸＹステージ
４の位置決めを行なう。このとき、ウエハＸＹステージ
４はマスク１のθ回動によりずれた基準位置に基づいて
位置決めされており、ずれた基準位置に追従する状態と
なっている。しかしながら、このような位置ずれは、ウ
エハ３上のアライメントマークとマスク１上のアライメ
ントマークの位置合わせを行ない、このウエハアライメ
ント時にマスクアライメント時に発生する他成分ずれ量
を合わせて位置補正し、露光時にはマスクの駆動調整を
行なうことなく露光する。このようにウエハアライメン
ト時にマスクアライメント時に発生する他成分ずれ量を
合わせて位置補正することによって、同様に、より精度
の高いウエハＸＹステージの位置決めを行なうことが可
能となる。
【００４４】さらにまた他の補正方法としては、マスク
位置決めを露光前に行ない、露光時にはマスクの駆動を
しないようにし、そしてウエハＸＹステージの位置計測
はマスク位置決め完了後に行なうことにより露光時には
ＸＹ方向他成分が発生しないように制御する。すなわ
ち、露光前にマスクアライメント調整を行ない、このと
き発生するマスクの回動角度を計測し補正する。この調
整により他成分が発生するが、ウエハＸＹステージの位
置計測は、マスク位置決め完了後にマスク位置を基準と
して行なうようにする。そして、ウエハ上のアライメン
トマークとマスク上のアライメントマークの位置合わせ
を行なって露光するようにし、露光時にはマスクの駆動
調整は行なわない。このようにすることによって、より
精度の高いウエハＸＹステージの位置決めを行なうこと
が可能となる。
【００４５】次に、本発明の位置決めステージ装置の他
の実施例について説明する。本実施例はマスク面内チル
ト方向に自由度を有するマスクチルトステージを備えた
位置決めステージ装置に関するものであって図５に基づ
いて説明する。
【００４６】図５において、図示しない光源から発せら
れる露光光としてのＸ線Ｌに沿ってマスク５１を保持す
るマスクチルトステージ５２と基板であるウエハ（図示
しない）を保持するウエハＸＹステージ５４（一部のみ
図示する。）が近接して配置されており、マスク５１を
保持するマスクチルトステージ５２は、各角部に設けら
れた４個のチルト軸板ばねガイド５６、５６…を介して
ベース板５２ａに取り付けられ、マスク面内チルト方向
に自由度を有してマスク５１のくさび成分を吸収しうる
ように構成されている。ベース板５２ａとマスクチルト
ステージ５２の間にはピエゾ素子等からなる複数のチル
ト駆動手段５７、５７…が配設されており、これらのチ
ルト駆動手段５７、５７…を適宜作動することによりマ
スクチルトステージ５２をチルトさせることができる。
そして、マスクチルトステージ５２のチルトはチルトセ
ンサ５９、５９により検出されるように構成されてい
る。マスクチルトステージ側には、マスクチルトステー
ジ５２のマスク５１の近傍に、あるいはマスク５１自体
に、Ｘ方向およびＹ方向の各基準ミラーとしてのＸ基準
コーナーキューブ６２およびＹ基準コーナーキューブ６
３がそれぞれ配置され、ウエハＸＹステージ５４にはＸ
測長ミラー６０とＹ測長ミラー６１がそれぞれ取り付け
られている。
【００４７】ウエハＸＹステージ５４のＸ方向の位置や
移動量を計測するＸ軸レーザ干渉計７０ｘは、計測用の
レーザ光ｍｘを発振するレーザ発振器７１ｘ、計測対象
物であるウエハＸＹステージ５４に設置されたＸ測長ミ
ラー６０、マスクチルトステージ５２に配置された測長
基準となるＸ基準コーナーキューブ６２、レーザ発振器
７１ｘとＸ測長ミラー６０との間に配置された偏光ビー
ムスプリッタ７２ｘ、偏光ビームスプリッタ７２ｘにて
分離されたレーザ光ｍｘの一部をＸ基準コーナーキュー
ブ６２に照射するための直角ミラー７３ｘ、および光検
出器７４ｘを備えている。したがって、レーザ発振器７
１ｘから発振されたレーザ光ｍｘは、偏光ビームスプリ
ッタ７２ｘで分離され、レーザ光ｍｘの一部は偏光ビー
ムスプリッタ７２ｘを透過して計測対象物であるウエハ
ＸＹステージ５４のＸ測長ミラー６０に照射され、レー
ザ光ｍｘの残りは偏光ビームスプリッタ７２ｘで反射さ
れて直角ミラー７３ｘを介して基準ミラーであるＸ基準
コーナーキューブ６２に照射される。Ｘ基準コーナーキ
ューブ６２からの反射光は偏光ビームスプリッタ７２ｘ
を透過し、そしてＸ測長ミラー６０からの反射光は偏光
ビームスプリッタ７２ｘで反射されて、ともに光検出器
７４ｘに照射される。この光検出器７４ｘに照射された
両レーザ光は干渉して干渉縞が形成され、この干渉縞を
光検出器７４ｘで計数することによって、Ｘ測長ミラー
６０を設置した計測対象物であるウエハＸＹステージ５
４のＸ方向の位置、移動量を計測することができる。ま
た、ウエハＸＹステージ５４のＹ方向の位置や移動量を
計測するＹ軸レーザ干渉計７０ｙも同様の構成を有し、
同様に、Ｙ測長ミラー６１を設置した計測対象物である
ウエハＸＹステージ５４のＹ方向の位置、移動量を計測
することができる。
【００４８】以上のように、本実施例においては、ウエ
ハＸＹステージ５４のＸ方向およびＹ方向の位置や移動
量を計測するレーザ干渉計７０（７０ｘ、７０ｙ）の測
長基準となる基準コーナーキューブ６２、６３をチルト
可能に設けられているマスクチルトステージ５２に配置
することにより、マスクチルトステージ５２のマスク面
内チルト方向への移動によって基準ミラーとしてのコー
ナーキューブ６２、６３も傾斜するとしても、コーナー
キューブ６２、６３は、入射するレーザ光を常に入射と
同一方向に反射させるために、光検出器７４が計測用の
レーザ光の反射光を捉えることができず計測ができなく
なるということがない。
【００４９】次に、本発明の位置決めステージ装置のさ
らに他の実施例について図６に基づいて説明する。図６
に図示する本実施例においては、マスクチルトステージ
に設置する基準ミラーをミラー姿勢矯正手段を介して取
り付けている点で図５に図示する実施例と相違してい
る。なお、本実施例においても、図５に図示する実施例
の部材に対応する同様の部材には同一符号を付してあ
り、それらの詳細な説明は省略する。
【００５０】図６において、Ｘ基準ミラー８０ｘおよび
Ｙ基準ミラー８０ｙは、Ｘミラー姿勢矯正手段８１ｘお
よびＹミラー姿勢矯正手段８１ｙを介してマスクチルト
ステージ５２にそれぞれ設置されている。これらのＸミ
ラー姿勢矯正手段８１ｘおよびＹミラー姿勢矯正手段８
１ｙは、マスクチルトステージ５２に設置される部位が
異なっているが、ともに同様の部材で構成されており、
同様の部材には同一符号を付し、必要に応じてｘ、ｙを
付して区別する。以下、Ｙ基準ミラー８０ｙおよびＹミ
ラー姿勢矯正手段８１ｙについて説明する。Ｙ基準ミラ
ー８０ｙは、マスクチルトステージ５２のＹ方向の一側
端面の中央部に配置されたＹミラー姿勢矯正手段８１ｙ
により保持されている。このＹミラー姿勢矯正手段８１
ｙは、Ｙ基準ミラー８０ｙを固定するＹミラー固定台８
２ｙと、Ｙミラー固定台８２ｙをマスクチルトステージ
５２に回動可能に連接してマスクチルトステージ５２の
Ｙ方向の一側端面の中央部に配設されたヒンジ部８３ｙ
と、Ｙミラー固定台８２ｙの表面をＹ方向に押圧する一
対の付勢力発生手段８４ｙ、８４ｙとからなり、一対の
付勢力発生手段８４ｙ、８４ｙは、ヒンジ部８３ｙを挟
んでその両側の対称位置に配置され、ミラー固定台８２
ｙの表面に当接してそれぞれの位置をＹ方向下方に押圧
して、ミラー固定台８２ｙの姿勢を常に一定に維持す
る。これにより、ミラー固定台８２ｙに固定されたＹ基
準ミラー８０ｙも一定の姿勢に維持され、計測用のレー
ザ光に対して常に垂直な姿勢を維持している。したがっ
て、このようなミラー姿勢矯正手段８１ｙを用いること
によって、マスクチルトステージ５２がマスク面内チル
ト方向に傾動されても、ミラー固定台８３ｙは一対の付
勢力発生手段８４ｙ、８４ｙによりその両側が押圧され
ているためにヒンジ部８３ｙを介して一定の姿勢を維持
することができ、Ｙ基準ミラー８０ｙも一定の姿勢に維
持される。
【００５１】このように、ウエハＸＹステージ５４のＸ
方向およびＹ方向の位置（移動量）を計測するレーザ干
渉計７０（７０ｘ、７０ｙ）の測長基準となる基準ミラ
ー８０（８０ｘ、８０ｙ）をミラー姿勢矯正手段８１
（８１ｘ、８１ｙ）を介してマスクチルトステージ５２
に配置しているために、基準ミラー８０は、マスクチル
トステージ５２がマスク面内チルト方向に傾動されると
しても、常にマスクチルトステージ５２に対して相対的
に回動して同一姿勢を維持することができ、基準ミラー
に入射するレーザ光を常に入射と同一方向に反射するこ
とから、レーザ干渉計７０の光検出器７４が計測用レー
ザ光の反射光を捉えることができず計測ができなくなる
ということがない。したがって、マスクチルトステージ
５２をマスク面内チルト方向に傾動させても、基準ミラ
ー８０を測長基準として常にウエハＸＹステージ５４の
Ｘ方向およびＹ方向の位置や移動量を精度良く計測する
ことが可能である。
【００５２】図５および図６に図示する実施例では、レ
ーザ発振器から発振されたレーザ光を基準ミラーと測長
ミラーに分配して照射する光学系を備え、両ミラーから
の反射光を同一の光検出器で検出するようにしているけ
れども、参照ミラーを内蔵したレーザ干渉計を用いて、
基準ミラーと測長ミラーに対してそれぞれ独立した２個
のレーザ干渉計を配設してウエハステージの位置や移動
量を計測することもできる。
【００５３】次に、図５および図６に図示するように構
成された位置決めステージ装置を用いたＸ線露光装置に
ついて説明する。パターンが描画されているマスク５１
は、マスクチルトステージ５２に取り付けられ、マスク
アライメントされる。この際に、マスクチルトステージ
５２は、マスクのくさび成分等を吸収するように、チル
ト駆動手段５７を介してマスク面内チルト方向に駆動調
整される。ウエハ（図示しない）は、ウエハチャックを
介してウエハＸＹステージ５４に把持され、ウエハの所
定の露光ショットをマスク５１に対向する露光領域へウ
エハＸＹステージ５４の駆動により移動される。このと
き、ウエハのＸＹ方向の位置はレーザ干渉計７０（７０
ｘ、７０ｙ）により計測され、この計測結果に基づいて
ウエハＸＹステージ５４を移動することにより、ウエハ
ＸＹステージ５４の位置が制御される。そして、例えば
図示しない電子蓄積リング等の光源から発せられるシン
クロトロン放射ビームを露光光とするＸ線Ｌは、マスク
チルトステージ５２に把持されたマスク５１に描画され
たパターンをウエハＸＹステージ５４に把持されている
ウエハに露光転写する。また、ウエハのＸＹ方向の位置
は、露光中においても、レーザ干渉計７０（７０ｘ、７
０ｙ）によって計測され、この計測結果に基づいて、ウ
エハＸＹステージ５４を駆動することにより、ウエハと
マスク５１のアライメントが高精度に管理される。
【００５４】ところで、マスク５１のくさび成分を吸収
するようにマスクチルトステージ５２をマスク面内チル
ト方向に傾動させてマスクアライメント調整する際に、
マスク５１のチルト傾動によりＸＹ方向他成分が発生
し、結果としてウエハＸＹステージ５４の基準が移動す
ることとなり、ウエハＸＹステージ５４のＸＹ方向の位
置や移動量を精度良く計測することができない場合が生
じるけれども、このように基準ミラーに計測方向の他成
分が発生した場合の補正については、図１および図２を
参照して説明したところと同様に行なうことができ、マ
スク５１あるいはマスクチルトステージ５２にマスク面
内チルト方向の傾きがあるとしても、ウエハＸＹステー
ジの位置決めを高精度に行なうことができる。
【００５５】次に、上述したＸ線露光装置を用いたデバ
イスの製造方法の実施形態を説明する。
【００５６】図７は、微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の
半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１
（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ス
テップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成し
たマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）
ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造す
る。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、
上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技
術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステ
ップ５（組立）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって
作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であ
り、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、
パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ス
テップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デ
バイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行な
う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これ
が出荷（ステップ７）される。
【００５７】図８は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジストを塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハの複数のショット領域
に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。
【００５８】このようなデバイスの製造方法を用いれ
ば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コ
ストに製造することができる。
【００５９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位置決め
ステージ装置およびその位置計測方法によれば、基準ミ
ラーとしてコーナーキューブまたはキャッツアイを用い
ることにより、あるいは基準ミラーをミラー姿勢矯正手
段またはミラー姿勢維持用の駆動手段を介して第１の位
置決めステージに設置することにより、基準ミラーを計
測用レーザ光に対して常に一定の姿勢を維持することが
でき、基準ミラーが第１の位置決めステージとともに回
転方向あるいはチルト方向に移動するととしても、第２
の位置決めステージに設置した測長ミラーのＸＹ方向の
位置や移動量を常に精度良く計測することができ、第２
の位置決めステージを高精度に位置決めすることが可能
となる。
【００６０】さらに、本発明の位置決めステージ装置を
Ｘ線露光装置に適用することにより、マスクを把持しマ
スク面内回転方向またはチルト方向に移動可能に設けら
れたマスクステージの移動にも拘わらず、ウエハ等の基
板を把持する基板ステージの位置や移動量をマスクの近
傍にあるいはマスク自体に設置した基準ミラーを計測基
準として精度良く計測でき、また、マスクやマスクステ
ージのマスク面内回転方向またはマスク面内チルト方向
の移動により基準ミラーのＸＹ方向他成分が生じて、基
板ステージの位置決めの基準が移動することとなるけれ
ども、マスクステージの移動量を計測して基板ステージ
の位置や移動量の計測値を補正する等により、基板ステ
ージを精度良く駆動し位置決めすることができ、マスク
と基板のアライメントを高精度に管理することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の位置決めステージ装置をＸ線露光装置
に適用した実施例を模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明の位置決めステージ装置をＸ線露光装置
に適用した他の実施例を模式的に示す斜視図である。
【図３】（ａ）は本発明の位置決めステージ装置のミラ
ー姿勢矯正手段の要部を拡大して示す模式図であり、
（ｂ）および（ｃ）はミラー姿勢矯正手段の他の例を模
式的に示す正面図および側面図である。
【図４】本発明の位置決めステージ装置における基準ミ
ラーの姿勢を維持するθ駆動手段の要部を拡大して示す
模式図である。
【図５】本発明の位置決めステージ装置をＸ線露光装置
に適用した他の実施例を模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明の位置決めステージ装置をＸ線露光装置
に適用したさらに他の実施例を模式的に示す斜視図であ
る。
【図７】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャー
トである。
【図８】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【符号の説明】
１、５１ マスク ２ マスクθステージ ２ａ ベース板 ３ ウエハ（基板） ４（５４） ウエハＸＹステージ ５ ウエハチャック ６ 板ばねガイド ７ θ駆動手段 ９ 角度センサ １０（６０） Ｘ測長ミラー １１（６１） Ｙ測長ミラー １２（６２） Ｘ基準コーナーキューブ １３（６３） Ｙ基準コーナーキューブ ２０（７０） レーザ干渉計 ２１（７１） レーザ発振器 ２２（７２） 偏光ビームスプリッタ ２４（７４） 光検出器 ３０（８０） 基準ミラー ３１（８１） ミラー姿勢矯正手段 ３２（８２） ミラー固定台 ３３（８３） ヒンジ部 ３３ｏ 回転軸受 ３４（８４） 付勢力発生手段 ３５ 付勢力発生部材 ３６ ロッド ３８ ミラー姿勢維持用θ駆動手段 ３９ 角度センサ ５２ マスクチルトステージ ５６ チルト軸板ばねガイド ５７ チルト駆動手段 ５９ チルトセンサ Ｌ Ｘ線（露光光） ｍ（ｍｘ、ｍｙ） 計測用レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｋ 21/68 21/30 ５０７Ｆ ５３１Ｊ

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回転方向とチルト方向の少なくともいず
    れか一方に移動可能な第１の位置決めステージと、ＸＹ
    方向に移動可能な第２の位置決めステージと、該第２の
    位置決めステージに固定された測長ミラーと、前記第１
    の位置決めステージに配設された基準ミラーと、該基準
    ミラーを位置基準として前記測長ミラーをＸＹ方向に計
    測するレーザ干渉計を備えた位置決めステージ装置にお
    いて、前記基準ミラーを該基準ミラーに入射するレーザ
    光を常に入射と同一方向に反射するように構成したこと
    を特徴とする位置決めステージ装置。
  2. 【請求項２】 回転方向とチルト方向の少なくともいず
    れか一方に移動可能な第１の位置決めステージと、ＸＹ
    方向に移動可能な第２の位置決めステージと、該第２の
    位置決めステージに固定された測長ミラーと、前記第１
    の位置決めステージに配設された基準ミラーと、該基準
    ミラーを位置基準として前記測長ミラーをＸＹ方向に計
    測するレーザ干渉計を備えた位置決めステージ装置にお
    いて、前記基準ミラーにコーナーキューブまたはキャッ
    ツアイを用いたことを特徴とする位置決めステージ装
    置。
  3. 【請求項３】 回転方向とチルト方向の少なくともいず
    れか一方に移動可能な第１の位置決めステージと、ＸＹ
    方向に移動可能な第２の位置決めステージと、該第２の
    位置決めステージに固定された測長ミラーと、前記第１
    の位置決めステージに配設された基準ミラーと、該基準
    ミラーを位置基準として前記測長ミラーをＸＹ方向に計
    測するレーザ干渉計を備えた位置決めステージ装置にお
    いて、前記基準ミラーの姿勢を前記第１の位置決めステ
    ージに対して相対的に変化させる手段を備えていること
    を特徴とする位置決めステージ装置。
  4. 【請求項４】 基準ミラーはレーザ干渉計のレーザ光に
    対して常に一定の姿勢を維持するように構成されている
    ことを特徴とする請求項３記載の位置決めステージ装
    置。
  5. 【請求項５】 基準ミラーはミラー姿勢矯正手段を介し
    て第１の位置決めステージに配設されていることを特徴
    とする請求項３または４記載の位置決めステージ装置。
  6. 【請求項６】 基準ミラーは姿勢維持用の駆動手段によ
    り常に一定の姿勢を維持するように構成されていること
    を特徴とする請求項３または４記載の位置決めステージ
    装置。
  7. 【請求項７】 レーザ干渉計は、レーザ発振器から発振
    されたレーザ光を基準ミラーと測長ミラーに分配して照
    射する光学系を有し、前記両ミラーからの反射光を同一
    の光検出器に入射させることにより測長ミラーの移動量
    を検出することを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
    か１項記載の位置決めステージ装置。
  8. 【請求項８】 基準ミラーと測長ミラーを、参照ミラー
    を内蔵したそれぞれ独立したレーザ干渉計で計測するよ
    うにしたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか
    １項記載の位置決めステージ装置。
  9. 【請求項９】 第１の位置決めステージが、マスクを把
    持しかつマスク面内回転方向とマスク面内チルト方向の
    少なくともいずれか一方に移動可能に設けられたマスク
    ステージであり、第２の位置決めステージが基板を把持
    して基板内ＸＹ方向に移動可能な基板位置決めステージ
    であることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１
    項記載の位置決めステージ装置。
  10. 【請求項１０】 基準ミラーはマスクまたはマスクステ
    ージに配設されていることを特徴とする請求項９記載の
    位置決めステージ装置。
  11. 【請求項１１】 回転方向とチルト方向の少なくともい
    ずれか一方に移動可能な第１の位置決めステージとＸＹ
    方向に移動可能な第２の位置決めステージとの相対的な
    位置関係をレーザ干渉計を用いて計測する方法であっ
    て、前記第２の位置決めステージに測長ミラーを固定
    し、前記第１の位置決めステージに基準ミラーを固定
    し、前記レーザ干渉計によって前記基準ミラーを位置基
    準として前記測長ミラーをＸＹ方向に計測し、その際、
    前記基準ミラーに入射するレーザ光が常に入射と同一方
    向に反射されるようにしたことを特徴とする位置決めス
    テージ装置の位置計測方法。
  12. 【請求項１２】 基準ミラーにコーナーキューブまたは
    キャッツアイを用いるか、もしくは第１の位置決めステ
    ージに対する基準ミラーの姿勢を相対的に変化させるこ
    とによって、該基準ミラーに入射するレーザ光を常に入
    射と同一方向に反射するようにしたことを特徴とする請
    求項１１記載の位置決めステージ装置の位置計測方法。
  13. 【請求項１３】 請求項９または１０記載の位置決めス
    テージ装置と、該位置決めステージ装置によって位置決
    めされた基板に露光光を照射する露光手段を備えたこと
    を特徴とする露光装置。
  14. 【請求項１４】 Ｘ線を露光光としたことを特徴とする
    請求項１３記載の露光装置。
  15. 【請求項１５】 請求項１３または１４記載の露光装置
    において、マスクまたはマスクステージがマスク面内回
    転方向またはマスク面内チルト方向に移動したことによ
    り生じる基準ミラーのＸＹ方向の他成分をマスクステー
    ジの移動量との関係に基づいて予め算出し、マスクステ
    ージの移動量に応じて予め算出された基準ミラーのＸＹ
    方向の他成分を基板位置決めステージのＸＹ計測値に補
    正することを特徴とする露光装置。
  16. 【請求項１６】 請求項１３または１４記載の露光装置
    において、マスクステージの駆動を常に基板に対する露
    光前にのみ行ない、基準ミラーに対する測長ミラーの測
    長はマスクが位置決めされた状態で行ない、基準ミラー
    にＸＹ方向の他成分が生じても、基準ミラーのＸＹ方向
    の他成分を露光前の基板とマスクのアライメントにより
    補正することを特徴とする露光装置。
  17. 【請求項１７】 請求項１３または１４記載の露光装置
    において、マスクステージの駆動を常に基板に対する露
    光前にのみ行ない、マスクステージの駆動時には基準ミ
    ラーを位置基準として使用せず、マスク位置決め完了後
    に基準ミラーを位置基準として測長ミラーの測長を行う
    ことを特徴とする露光装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１３ないし１７のいずれか１項
    記載の露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴
    とするデバイス製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008053453A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Dainippon Printing Co Ltd 露光装置及び露光方法
JP2015132542A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 株式会社荏原製作所 レーザ測長器の反射鏡の支持構造

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP2001102280A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Canon Inc 振動機構および該振動機構を組み込んだ露光装置ならびにデバイス製造方法
JP2001274223A (ja) * 2000-03-23 2001-10-05 Hitachi Ltd 移動テーブル装置
US6842248B1 (en) * 2000-11-28 2005-01-11 Nikon Corporation System and method for calibrating mirrors of a stage assembly
JP2002280283A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Canon Inc 基板処理装置
US6795197B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-21 Zygo Corporation Interferometer system and litographic step-and-scan apparatus provided with such a system
KR100407579B1 (ko) * 2001-11-22 2003-11-28 삼성전자주식회사 이온 주입 시스템의 웨이퍼 홀딩 장치
US7025498B2 (en) * 2003-05-30 2006-04-11 Asml Holding N.V. System and method of measuring thermal expansion
JP2005150527A (ja) * 2003-11-18 2005-06-09 Canon Inc 保持装置、それを用いた露光装置およびデバイス製造方法
KR101130890B1 (ko) * 2005-03-18 2012-03-28 엘지전자 주식회사 근접노광형 노광장치
WO2007072744A1 (en) * 2005-12-20 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus and laser irradiation method and method for manufacturing semiconductor device
EP2027966B1 (en) * 2007-08-20 2010-04-21 Soonhan Engineering Corp. Sample traveling stage with flexure mechanism module to absorb the deformation of the slide
US8116902B2 (en) * 2010-02-26 2012-02-14 National Formosa University Method of detecting a dynamic path of a five-axis machine tool and dectecting assembly for the same
JP2014220263A (ja) * 2013-04-30 2014-11-20 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、及び物品の製造方法
US11095096B2 (en) * 2014-04-16 2021-08-17 Yale University Method for a GaN vertical microcavity surface emitting laser (VCSEL)
DE102020213459A1 (de) 2020-10-26 2022-04-28 Volkswagen Aktiengesellschaft Ausrichthilfe sowie Anordnung der Ausrichthilfe in einer Werkzeugmaschine

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3796494A (en) * 1970-11-30 1974-03-12 Anritsu Electric Co Ltd Apparatus for interferometric measurement of displacements
JPH0674963B2 (ja) * 1988-02-08 1994-09-21 株式会社日立製作所 レーザ干渉測長器及びそれを用いた位置決め方法
US5151749A (en) * 1989-06-08 1992-09-29 Nikon Corporation Method of and apparatus for measuring coordinate position and positioning an object
US5469260A (en) * 1992-04-01 1995-11-21 Nikon Corporation Stage-position measuring apparatus
JP3173928B2 (ja) 1992-09-25 2001-06-04 キヤノン株式会社 基板保持装置、基板保持方法および露光装置
JP3266895B2 (ja) 1992-11-25 2002-03-18 株式会社ニコン 投影露光装置及び該装置を用いるデバイス製造方法
US5404222A (en) * 1994-01-14 1995-04-04 Sparta, Inc. Interferametric measuring system with air turbulence compensation
US5930324A (en) 1996-04-03 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
US6049372A (en) * 1996-06-25 2000-04-11 Nikon Corporation Exposure apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008053453A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Dainippon Printing Co Ltd 露光装置及び露光方法
JP2015132542A (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 株式会社荏原製作所 レーザ測長器の反射鏡の支持構造

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