JPH11295559A - 半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 量産性を可能とするとともに低価格化し、更
に戻り光対策を簡略化するとともにアセンブリも容易な
高性能の半導体レーザモジュールを提供することを目的
とする。 【解決手段】 半導体レーザモジュールにおいて、レセ
プタクル３３内にフェルール挿入用の第１の穴２８とレ
ンズ挿入用の第２の穴２９を設け、第１の穴２８の中心
軸と第２の穴２９の中心軸がオフセットを持つように構
成し、レンズ３１及び光ファイバ端面からの戻り光が半
導体レーザに帰還しないようにする。また、半導体レー
ザチップ２３からレンズ１第１主点までの距離と、レン
ズ第２主点からファイバ端面までの距離の比を１以下と
する。更に、レンズ３１の後方の第３の穴３０の直径を
０．２ｍｍ以上で０．５ｍｍ以下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信の分野で用
いられる光ファイバと半導体レーザを光学的に結合する
ための半導体レーザモジュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、送信用光モジュールの光源と
して用いられる半導体レーザは、反射光の影響を受けや
すいことが知られている。すなわち、何らかの経路によ
って反射光が半導体レーザの発光状態の活性層へ戻る
と、反射光と発振光との干渉が生じて、レーザ発振が不
安定となり、光出力の変化や発振スペクトルの変化等の
現象を生じる。従って、半導体レーザの発振を安定にす
るためには、反射光の入射を極力抑制する必要があっ
た。

【０００３】反射戻り光の対策を講じた半導体レーザモ
ジュールとしては、特開平８−４３６９２号公報に開示
されているものが知られている。この公報に開示された
半導体レーザモジュールの断面図を図５に示す。

【０００４】同図に示すように、半導体レーザモジュー
ルは発光素子１、光学系および光ファイバ４を一体化し
て構成されている。発光素子１はモニタ用のフォトダイ
オード８及び第１レンズ２と共に基板５上に実装されて
いる。ここで、発光素子１はチップキャリア７を介し
て、第１レンズ２はレンズホルダ（図示せず）を介して
それぞれ基板５上に実装されている。さらにこの基板５
は、ペルチェ効果素子等の温度制御素子を介してパッケ
ージ６の底面に固定されている。

【０００５】一方、パッケージ６の一方の側面にはハー
メチックガラス９で封止された窓が形成されており、こ
の窓の外側にアイソレータ１０及びレンズホルダ１１が
順に装着されている。レンズホルダ１１は第２レンズ３
を支持しており、更にレンズホルダ１１の他端にはフェ
ルールホルダ１２が固定されている。光ファイバ４の端
部を把持したフェルール１３がフェルールホルダ１２に
挿入されている。

【０００６】以上のように構成された半導体レーザモジ
ュールにおいては、発光素子１から出射された出射光は
第１レンズ２、アイソレータ１０、第２レンズ３等を順
次通過した後、最終的に光ファイバ４の端面に結合され
る。ここで、通常は第１レンズ２は発光素子１の放射光
を平行光にする機能を有しており、また第２レンズ３は
第１レンズ２から出射された平行光を光ファイバ４の入
射端面に収束させる機能を有している。なお、第１レン
ズ２と第２レンズ３との機能を一つの光学部品に集約し
て、第２レンズの装着を省略したものもある。

【０００７】上述のような構成の半導体レーザモジュー
ルにおいて、第１レンズ２、アイソレータ１０、第２レ
ンズ３、光ファイバ４等の光学素子の入射面及び出射面
では反射が生じる。このため、発光素子１の出射光の中
心軸を第１レンズ２の中心軸からオフセットさせてい
る。

【０００８】図６及び図７は従来の技術におけるオフセ
ットを示す模式図であり、発光素子１とレンズ２の間に
は距離Ｄだけのオフセットがなされる。第２レンズ３の
後の光線は第１レンズ２の中心軸から距離Ｌだけ離れた
所にあり、発光素子のオフセット量Ｄが大きくなるにつ
れてＬの値も大きくなり、発光素子への戻り光量は小さ
くなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような従来の技術では、光軸の調整に多大な時間が必要
である。すなわち、前述したように、反射戻り光量はオ
フセット量Ｄにより変化するため、オフセット量Ｄのば
らつきが反射戻り光量のばらつきに帰因し、半導体レー
ザモジュールの特性ばらつきの要因となってしまう。従
って、半導体レーザモジュール特性を安定化させるため
には、オフセット量Ｄのばらつきを小さくすることが必
要となるが、機械的な位置決めだけでは不可能であり、
次に示す観察系による調整工程をとっていた。

【００１０】図８はオフセット量を測定する観察系の模
式図である。図８において１は発光素子、２は第１レン
ズ、３は第２レンズ、１４は観察用のＣＣＤカメラ、１
５はレンズでありＣＣＤカメラ１４の前面に配置されて
いる。１６は画像を表示するモニタ、１７は発光素子１
からの出射光の光線、１８は光線１７の集光点を表す。

【００１１】ここで、第１レンズ２の中心軸と発光素子
１のオフセット量をＤ、集光点１８と第１レンズ２の中
心軸とのオフセット量をＬとし、発光素子１と第１レン
ズ２と第２レンズ３との間の光学定数や相対位置等から
算出される横倍率をＭとする。このとき、ＬはＤとＭに
より一意的に導くことができ、Ｌ＝Ｄ・Ｍとなる。すな
わち、Ｍは定数であるため、オフセット量Ｌを測定でき
ればオフセット量Ｄは直ちに計算される。

【００１２】オフセット量Ｌの測定は、図８の観察系を
利用して、まず第１レンズ２の中心軸をＣＣＤカメラ１
４により特定してその点をメモリする。次に集光点１８
の位置をＣＣＤカメラ１４により特定し、第１レンズ２
の中心軸と集光点１８の距離がＬとなる。Ｌが特定され
るとオフセット量Ｄは直ちに計算される。

【００１３】このように、実験的に導出したり戻り光量
が抑えられるオフセット量になるように発光素子１を第
１レンズ２に対して移動させることで、発光素子１と第
１レンズ２のオフセット調整は終了する。さらに、光フ
ァイバ４との調整は次の方法による。

【００１４】光ファイバ４の片側にはこの光ファイバ４
に入射する光量をモニタする計測器（図示せず）が接続
され、光ファイバ４を光軸方向及びそれに直交する方向
の合計３方向に微調整し、入射する光量が最大となる位
置を探す。

【００１５】以上示してきたように、前述のような従来
の技術では、半導体レーザモジュールの特性のばらつき
が大きくなるか、または特性ばらつきを抑えるためには
多大な光軸の調整時間が必要となり、量産性に乏しく、
高価格な半導体レーザモジュールとなっていた。

【００１６】そこで、本発明は、量産性を可能とすると
ともに低価格化し、更に戻り光対策を簡略化するととも
にアセンブリも容易な高性能の半導体レーザモジュール
を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、同軸型の容器
内に半導体レーザチップを搭載した半導体レーザ装置を
保持するレーザホルダと、前記半導体レーザチップから
出射される光を集光するレンズと、光ファイバが挿入固
定されたフェルールが挿入される第１の穴と、前記レン
ズが挿入固定される第２の穴と、前記第１の穴と前記第
２の穴を貫通する第３の穴とを有したレセプタクルと、
前記レーザホルダを光軸方向に移動可能とするとともに
前記レセプタクルの一端に対して摺動可能であって且つ
前記レセプタクルを光軸と垂直な方向に移動可能に連接
したリングとから構成される半導体レーザモジュールで
あって、前記第２の穴に挿入されるレンズの中心軸と前
記第１の穴に挿入される光ファイバの中心軸とがオフセ
ットを持ち、前記光ファイバに入射される光量が所望の
値を示すように、前記半導体レーザ装置を保持するレー
ザホルダを位置決めして組み立て可能としたことを特徴
とする。

【００１８】この構成では、観察系による光軸調整を省
略し、光軸調整を１回のみに短縮することができ、大量
生産性・低価格化を図ることができ、品質の高信頼性化
を図ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、同軸型
の容器内に半導体レーザチップを搭載した半導体レーザ
装置を保持するレーザホルダと、前記半導体レーザチッ
プから出射される光を集光するレンズと、光ファイバが
挿入固定されたフェルールが挿入される第１の穴と、前
記レンズが挿入固定される第２の穴と、前記第１の穴と
前記第２の穴を貫通する第３の穴とを有したレセプタク
ルと、前記レーザホルダを光軸方向に移動可能とすると
ともに前記レセプタクルの一端に対して摺動可能であっ
て且つ前記レセプタクルを光軸と垂直な方向に移動可能
に連接したリングとから構成される半導体レーザモジュ
ールであって、前記第２の穴に挿入されるレンズの中心
軸と前記第１の穴に挿入される光ファイバの中心軸とが
オフセットを持ち、前記光ファイバに入射される光量が
所望の値を示すように、前記半導体レーザ装置を保持す
るレーザホルダを位置決めして組み立て可能としたこと
を特徴とする半導体レーザモジュールであり、光ファイ
バからの戻り光が半導体レーザチップに帰還しないとい
う作用を有する。

【００２０】請求項２に記載の発明は、同軸型の容器内
に半導体レーザチップを搭載した半導体レーザ装置を保
持するレーザホルダと、前記半導体レーザチップから出
射される光を集光するレンズと、光ファイバが挿入固定
されたフェルールが挿入される第１の穴と、前記レンズ
が挿入固定される第２の穴と、前記第１の穴と前記第２
の穴を貫通する第３の穴とを有したレセプタクルとから
構成され、前記レーザホルダ及び前記レセプタクルが光
軸と垂直な方向に移動可能とした半導体レーザモジュー
ルであって、前記第２の穴に挿入されるレンズの中心軸
と前記第１の穴に挿入される光ファイバの中心軸とがオ
フセットを持ち、前記光ファイバに入射される光量が所
望の値を示すように、前記半導体レーザ装置を保持する
レーザホルダを位置決めして組み立て可能としたことを
特徴とする半導体レーザモジュールであり、部品点数を
削減でき、光ファイバからの戻り光が半導体レーザチッ
プに帰還しないという作用を有する。

【００２１】請求項３に記載の発明は、前記第２の穴に
挿入されるレンズの中心軸と前記第１の穴に挿入される
光ファイバの中心軸との前記オフセットの値が、１００
μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする請求項
１または２に記載の半導体レーザモジュールであり、結
合効率の低下を招かずに光ファイバからの戻り光を低減
するという作用を有する。

【００２２】請求項４に記載の発明は、前記半導体レー
ザチップから前記レンズの第１主点までの距離と、前記
レンズの第２主点から前記ファイバ端面までの距離との
比で表される像倍率が１以下であることを特徴とする請
求項１から３のいずれかに記載の半導体レーザモジュー
ルであり、像倍率を１以下にしたため、半導体レーザチ
ップの位置ずれに対し結合効率の変化が小さくなるとい
う作用を有する。

【００２３】請求項５に記載の発明は、前記第３の穴の
直径が０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることを特徴
とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体レーザ
モジュールであり、平行光束に近い光のみを透過させる
ため、半導体レーザチップの位置ずれに対し結合効率の
変化が小さくなるという作用を有する。

【００２４】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態である
半導体レーザモジュールを示す断面図である。

【００２５】図１において、半導体レーザ装置２０は、
直径５．６ｍｍのステム２１、このステム２１の上に接
着等により固定されたヒートシンク２２、このヒートシ
ンク２２の上に固定されるた半導体レーザチップ２３を
備えている。２４はキャップであり、このキャップ２４
は光透過用の窓２５を備え、この窓２５はガラス窓２６
により封止されている。また、ステム２１には溶接ある
いは接着等により筒状のレーザホルダ２７を同軸配置と
して連結している。

【００２６】３３はレセプタクルであり、光ファイバが
挿入固定された直径２．５ｍｍのフェルール（図示せ
ず）が挿入される第１の穴２８と、レンズ３１が挿入さ
れる第２の穴２９、及び第１の穴２８と第２の穴２９を
貫通する第３の穴３０とから構成されている。レーザホ
ルダ２７はレセプタクル３３に取り付けたリング３２に
嵌合され、このリング３２の内周に沿って光軸方向に移
動可能であり、またリング３２の右端はレセプタクル３
３の左端と光軸と垂直な方向に摺動可能な構成となって
いる。

【００２７】ここで、レセプタクル３３の第１の穴２８
はフェルール外径に対して数μｍの公差で加工されるた
め、光ファイバの中心軸と第１の穴２８の中心軸はほぼ
一致すると考えてよい。一方、第２の穴２９はレンズ３
１の外径に対し数μｍの公差で加工されるため、レンズ
３１の中心軸と第２の穴２９の中心軸はほぼ一致すると
考えてよい。

【００２８】本発明では、レンズ３１の中心軸と光ファ
イバの中心軸がオフセットを持つことを特徴としている
が、実際には第１の穴２８と第２の穴２９の中心軸を偏
心させてレセプタクル３３を加工することを意味する。
上記したように、第１の穴２８の中心軸と光ファイバの
中心軸は一致し、第２の穴２９の中心軸とレンズ３１の
中心軸は一致しているため、第１の穴２８の中心軸と第
２の穴２９の中心軸を偏芯させ加工すると、レンズ３１
の中心軸と光ファイバの中心軸は精度良く所望のオフセ
ット量を達成することが可能となる。

【００２９】なお、第１の穴２８の中心軸と第２の穴２
９の中心軸間のオフセット量は１００μｍ以上３００μ
ｍ以下程度が好ましい。オフセット量が１００μｍ未満
では戻り光対策が不十分であり、半導体レーザの発振が
不安定となる。また、オフセット量が３００μｍを越え
ると光ファイバへの結合効率が低下し、半導体レーザに
多大な電流を流す必要があり、消費電力の増加や発熱に
よる半導体レーザの寿命低下を引き起こすことがある。

【００３０】半導体レーザモジュールの組立方法は以下
のとおりである。レンズ３１が挿入固定されたレセプタ
クル３３とレーザホルダ２７に保持された半導体レーザ
装置２０とリング３２とを組立治具上（図示せず）に固
定する。半導体レーザ装置２０にはレーザ駆動装置（図
示せず）が接続され、半導体レーザチップ２３からレー
ザ光が放射される。一方、レセプタクル３３の第１の穴
２８には光ファイバが挿入固定されたフェルール（図示
せず）が挿入され、光ファイバの他の一端には光ファイ
バ内に入射される光量をモニタする光パワーメータ（図
示せず）が接続される。

【００３１】上記した接続状態から、半導体レーザ装置
２０とレーザホルダ２７の組立体をレンズ３１に対して
相対的に光軸方向と光軸に垂直な方向に移動させ、光パ
ワーメータの読みが最大値を示す所を探す。光パワーメ
ータの読みが最大値を示す所にて調整は終了し、レーザ
ホルダ２７とリング３２の境界線上及びリング３２とレ
セプタクル３３の境界線上を溶接あるいは接着等により
固定する。

【００３２】図２は、調整後の半導体レーザチップ２３
とレンズ３１とファイバＦとの位置関係を模式的に示す
図である。本発明では、予めレンズ３１の中心軸と光フ
ァイバの中心軸がオフセットを持つように配置したた
め、調整後の半導体レーザチップ２３の中心軸とレンズ
３１の中心軸も一致せず、従ってレンズ３１面あるいは
ファイバ面からの戻り光は半導体レーザへ帰還すること
はない。

【００３３】次に、像倍率を１以下にすることによる組
立性の向上について説明する。図３は像倍率が１．６、
１、０．７４及び０．５８のときの半導体レーザチップ
の軸ずれ量と光ファイバに入射される光の結合効率の関
係を示す図である。図に示すように、像倍率を低くする
ことにより、結合効率の最大値は低下するが、軸ずれに
対し広いトレランスを有することが分かる。例えば、結
合効率の低下２ｄＢ以内を確保できる軸ずれ許容量は、
像倍率が１．６では±１０μｍであるのに対し、像倍率
が０．５８では±２０μｍまで広げることが可能とな
る。

【００３４】軸ずれ許容量が広いと、光軸合わせが容易
になるばかりでなく、溶接や接着等による固定時に生じ
る位置ずれに対して、結合効率の変化が小さく、従っ
て、組立性が向上し信頼性を高くすることができる。

【００３５】像倍率と軸ずれ許容量との間には、像倍率
が低いほど軸ずれ許容量は広くなるという関係が成立す
るが、特に部品公差や位置決め誤差等から要求される軸
ずれ許容量を確保するためには、像倍率１以下が必要と
なってくる。

【００３６】また、本発明では、フェルールが挿入され
る第１の穴２８とレンズ３１が挿入固定される第２の穴
２９との間に存在する第３の穴３０の直径を０．２ｍｍ
以上で０．５ｍｍ以下としている。これは、前述の軸ず
れ許容量のさらなる拡大を目的としたものである。以
下、第３の穴を「絞り」と呼ぶこととする。

【００３７】絞り３０の直径を０．２ｍｍ以上で０．５
ｍｍ以下にすると、絞り３０から透過する光は直径０．
２ｍｍ以上で０．５ｍｍ以下の細い光束となり、光軸に
対して傾斜角の小さな光線の集合体となる。光ファイバ
のうち、光通信に用いられるＧＩファイバでは、コア中
心では約１１度の入射角をもつ光線まで入射伝搬可能で
あるが、半径が大きくなるにつれて、その許容入射角は
低下し、コア最外周では０度の入射角しか入射伝搬でき
ない。つまり、絞り３０の直径が十分に大きくて入射角
が大きな光線を含む場合、光ファイバ中心付近で結像し
た理想状態では光ファイバ内を入射伝搬できるが、組立
時の不注意等により軸ずれが発生した場合、結像点が光
ファイバ中心からずれてしまう。その結果、入射角の大
きな光は光ファイバ内を伝搬できず結合効率の低下を招
く。

【００３８】一方、本発明では、レンズ３１の後ろの絞
り３０の直径を十分に小さくしたため、その光線の入射
角は低く、従って理想状態からずれ、光ファイバ中心か
らずれた位置に結像しても、結合効率の低下は小さい。

【００３９】図４は上記説明を示す図であり、絞り３０
の直径が０．３ｍｍと１．５ｍｍを比較したものであ
る。図４に示すように、絞り３０の直径が０．３ｍｍで
は、±１５μｍ以上の結合効率不変領域が存在し、結像
点が多少ずれても結合効率の低下は生じず、安定性のあ
る信頼性の高い半導体レーザモジュールを達成できるこ
とが分かる。なお、絞り３０の直径の範囲は０．２〜
０．５ｍｍとした。絞り３０の直径が０．２ｍｍ未満で
は、結合効率が低すぎ、半導体レーザに多大な電流を流
す必要があり、消費電力の増加や発熱による半導体レー
ザの寿命低下を引き起こすことがある。また、絞り３０
の直径が０．５ｍｍ以上では前述した様に、入射角の小
さな光線の実現は難しく、十分な特性を得ることが難し
い。

【００４０】以上示してきたように、本発明の実施の形
態では、観察系による光軸調整を省略でき、半導体レー
ザモジュールの光軸調整は１回だけで済み、大量生産に
つながり、低価格化を図ることができる。また、半導体
レーザモジュールの高性能化を図ることができる。

【００４１】更に、本発明の実施の形態では、位置決め
許容範囲が拡大し大量生産性、低価格化を図ることがで
き、位置決め許容範囲内での特性劣化が抑えられ、品質
の高信頼性化を図ることができる。

【００４２】なお、本発明の実施の形態ではリングを挿
入し半導体レーザチップが光ファイバに対し３軸方向に
調整可能な構造で説明したが、リングを省略し、レーザ
ホルダとレセプタクルが光軸と垂直な方向にのみ摺動で
きるような構造にしても、同様な効果が得られることは
言うまでもない。

【００４３】

【発明の効果】本発明では、レセプタクル内に光ファイ
バが挿入固定されたフェルールが挿入される第１の穴の
中心軸と、レンズが挿入される第２の穴の中心軸がオフ
セットを持つので、レンズ及び光ファイバからの戻り光
は半導体レーザチップに帰還せず、半導体レーザの発振
を安定化させることができる。

【００４４】また、像倍率を１以下にしたため、軸ずれ
許容量を広くすることができ、半導体レーザモジュール
の組立性が向上し品質の信頼性も高くなる。

【００４５】更に、レンズ後の第３の穴の直径を０．２
ｍｍ以上で０．５ｍｍ以下としたため、入射角の小さな
光線を取り出すことができ、軸ずれに対する品質特性を
安定化し得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体レーザモジ
ュールを示す断面図

【図２】調整後の半導体レーザチップとレンズとファイ
バとの位置関係を模式的に示す図

【図３】像倍率が１．６、１、０．７４及び０．５８の
ときの半導体レーザチップの軸ずれ量と光ファイバに入
射される光の結合効率の関係を示す図

【図４】本発明の一実施の形態である半導体レーザモジ
ュールの軸ずれ特性を示す図

【図５】従来の半導体レーザモジュールを示す断面図

【図６】従来の技術におけるオフセットを示す模式図

【図７】従来の技術におけるオフセットを示す模式図

【図８】オフセット量を測定する観察系の模式図

【符号の説明】 ２０ 半導体レーザ装置 ２１ ステム ２２ ヒートシンク ２３ 半導体レーザチップ ２４ キャップ ２５ 窓 ２６ ガラス窓 ２７ レーザホルダ ２８ 第１の穴 ２９ 第２の穴 ３０ 第３の穴 ３１ レンズ ３２ リング ３３ レセプタクル

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】同軸型の容器内に半導体レーザチップを搭
   載した半導体レーザ装置を保持するレーザホルダと、 前記半導体レーザチップから出射される光を集光するレ
   ンズと、 光ファイバが挿入固定されたフェルールが挿入される第
   １の穴と、前記レンズが挿入固定される第２の穴と、前
   記第１の穴と前記第２の穴を貫通する第３の穴とを有し
   たレセプタクルと、 前記レーザホルダを光軸方向に移動可能とするとともに
   前記レセプタクルの一端に対して摺動可能であって且つ
   前記レセプタクルを光軸と垂直な方向に移動可能に連接
   したリングとから構成される半導体レーザモジュールで
   あって、 前記第２の穴に挿入されるレンズの中心軸と前記第１の
   穴に挿入される光ファイバの中心軸とがオフセットを持
   ち、前記光ファイバに入射される光量が所望の値を示す
   ように、前記半導体レーザ装置を保持するレーザホルダ
   を位置決めして組み立て可能としたことを特徴とする半
   導体レーザモジュール。
2. 【請求項２】同軸型の容器内に半導体レーザチップを搭
   載した半導体レーザ装置を保持するレーザホルダと、 前記半導体レーザチップから出射される光を集光するレ
   ンズと、 光ファイバが挿入固定されたフェルールが挿入される第
   １の穴と、前記レンズが挿入固定される第２の穴と、前
   記第１の穴と前記第２の穴を貫通する第３の穴とを有し
   たレセプタクルとから構成され、前記レーザホルダ及び
   前記レセプタクルが光軸と垂直な方向に移動可能とした
   半導体レーザモジュールであって、 前記第２の穴に挿入されるレンズの中心軸と前記第１の
   穴に挿入される光ファイバの中心軸とがオフセットを持
   ち、前記光ファイバに入射される光量が所望の値を示す
   ように、前記半導体レーザ装置を保持するレーザホルダ
   を位置決めして組み立て可能としたことを特徴とする半
   導体レーザモジュール。
3. 【請求項３】前記第２の穴に挿入されるレンズの中心軸
   と前記第１の穴に挿入される光ファイバの中心軸との前
   記オフセットの値が、１００μｍ以上３００μｍ以下で
   あることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体
   レーザモジュール。
4. 【請求項４】前記半導体レーザチップから前記レンズの
   第１主点までの距離と、前記レンズの第２主点から前記
   ファイバ端面までの距離との比で表される像倍率が１以
   下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに
   記載の半導体レーザモジュール。
5. 【請求項５】前記第３の穴の直径が０．２ｍｍ以上０．
   ５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のい
   ずれかに記載の半導体レーザモジュール。