JPH11296837A - 磁気記録媒体及びそれを用いた記録再生方法 - Google Patents

磁気記録媒体及びそれを用いた記録再生方法

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JPH11296837A
JPH11296837A JP10092127A JP9212798A JPH11296837A JP H11296837 A JPH11296837 A JP H11296837A JP 10092127 A JP10092127 A JP 10092127A JP 9212798 A JP9212798 A JP 9212798A JP H11296837 A JPH11296837 A JP H11296837A
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Hiroyuki Katayama
博之 片山
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録再生が可能でかつ信号再生時のS
/Nに優れた、磁気記録媒体と記録再生方法を提供す
る。 【解決手段】 超伝導膜と磁気記録膜とが積層された磁
気記録媒体を用いて、記録時および再生時に、超伝導膜
を局所的に加熱して超伝導状態を解除した微小領域のみ
を介して、磁気記録膜に記録し、あるいは磁気記録膜に
形成されたビットの状態を読み出し再生する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体及び
それを用いた記録再生方法に関し、特に、記録媒体を昇
温させながら磁気的に記録及び再生を行うことにより高
密度記録再生が可能な磁気記録媒体及びそれを用いた記
録再生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、広帯域のマルチメディア情報を扱
うために、より大容量のメモリデバイス需要が高まって
おり、中でも書換可能な光ディスクや磁気ディスク、磁
気テープを中心にその高密度化技術の検討が活発に進め
られている。
【0003】その中には、最近注目されている高温超伝
導膜と垂直磁気記録膜とを積層して、記録時に、超伝導
膜の一部を臨界温度以上に昇温させて反磁性を除き、垂
直磁気記録膜への磁束の入り口の大きさを制限すること
で、記録ビットサイズを小さくして高密度の記録を可能
とする方式が提案されている(特開平3−130904
号公報)。
【0004】一方、磁気記録再生の際に、光をアシスト
照射することによって狭トラック化を図ることで、高密
度記録再生を可能とするような技術(以下、光アシスト
型磁気記録再生技術と呼ぶ)も提案されている。例え
ば、記録媒体として室温近傍に磁気補償点温度を有する
フェリ磁性体を用いて、記録時には、記録媒体における
記録すべきトラックに沿って光ビームを照射してキュリ
ー温度近傍に昇温させ、記録用磁気ヘッドにより外部磁
場を印加して情報記録するとともに、再生時には記録媒
体における再生すべきトラックに光ビームを照射して昇
温することで、再生部位の磁化を大きくした上でそこか
ら漏れ出る磁束を再生用磁気ヘッドにより磁気的に情報
を再生するという光アシスト型磁気記録方式(特開平4
−176034号公報、特表平6−500194号公
報)が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
超伝導膜と垂直磁気記録膜を積層した磁気記録媒体を使
う従来の高密度記録方式(特開平3−130904号公
報)では、垂直磁気記録膜に記録された情報の再生につ
いては、垂直磁気記録膜の超伝導膜がある側と反対の側
よりレーザ光照射することでカー回転による読み出しで
行うか、あるいは垂直磁気記録膜から漏洩する磁束を、
超伝導膜がある側と反対の側より再生用磁気ヘッドで検
出して読み出しすることで行われていた。このため、記
録は高密度で行われても、再生の際には、こうした微小
ビットを読み出すために、カー回転読み出し時の光ビー
ムサイズや漏洩磁束検出用の磁気ヘッド磁極のサイズを
記録ビットサイズ並に小さくしなければならなかった。
【0006】つまり、読み出しに光ビームを用いる場合
では、再生波長と対物レンズのNAの比でビームサイズ
の下限値が決まってしまうという回折限界の問題があっ
た。このため、これ以上微小なビットを再生しようとす
ると隣接記録ビットからの影響即ちクロストークを抑え
ることが難しくなっていた。また、磁気ヘッドを使った
再生の場合でも、磁気ヘッド磁極の微細加工という技術
的な難しさを抱えていた。
【0007】このように、上記方式では、隣接記録ビッ
トからの影響即ちクロストークを抑えながら、S/Nの
優れた信号再生を行うことが困難であった。
【0008】一方で、高密度記録時の隣接ビットからの
再生クロストークを抑えることを特徴として光アシスト
型磁気記録再生方法(特開平4−176034号公報、
特表平6−500194号公報)が考案されているが、
この方式では、室温近傍に磁気補償点温度を有するN型
フェリ磁性体を記録媒体として利用するため、光アシス
トを行わない通常の磁気記録で用いられるようなフェロ
磁性体と比較した場合、再生時における記録媒体の残留
磁化の大きさが数分の一以下と小さくなってしまってい
た。このため、記録媒体から、磁気ヘッドで検出するに
充分な漏洩磁束が得られず、信号強度不足による再生信
号のS/N上の問題を抱えていた。
【0009】また、この方式では、記録媒体面上に、磁
性体の組成分布等によって室温補償点温度という条件か
らはずれた場所があると、その場所では小さいながらも
非ゼロの残留磁化が発生してしまい、そこからの漏洩磁
界が、光アシスト磁気再生時に、やはりクロストークと
なって重なってしまい、結果的にS/Nを下げる要因と
なっていた。即ち、この方式の媒体には、極めて厳しい
組成均一性が求められていた。また、この方式に適した
記録材料選択においても、その磁気補償点温度が略室温
になるようなN型フェリ磁性体に限定されてしまうた
め、記録媒体設計の幅が狭められるという制約もあっ
た。
【0010】本発明の目的は、上記のような従来の問題
点を解決し、高密度記録再生が可能で、再生時のS/N
に優れた記録媒体および磁気記録再生方法を提供するこ
とにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気記録媒体
は、支持基板上に、少なくとも磁気記録膜と超伝導膜と
が積層されていることを特徴とする。
【0012】また、本発明の磁気記録媒体は、前記超伝
導膜と前記磁気記録膜との間に非磁性絶縁層膜が形成さ
れていることを特徴とする。
【0013】前記磁気記録膜としては、Co系合金、垂
直磁性人工格子、または垂直磁化希土類遷移金属非晶質
合金などを用いることができる。
【0014】また、前記超伝導膜は、酸化物高温超伝導
体からなることが好ましい。酸化物高温超伝導体として
は、LnBa2Cu37-δ(Ln:La、Y等ランタン
系列元素、0<δ<1)、Bi2Sr2Can-1Cuny
(n≧1)、TlmBa2Can -1Cuny(m=1、
2、n≧1)のいずれかを用いることができる。
【0015】本発明の記録再生方法は、支持基板上に少
なくとも磁気記録膜と超伝導膜とが積層された磁気記録
媒体を用いた記録再生方法であって、記録時には記録部
位の、再生時には再生部位の超伝導膜の温度をその反磁
性が解除される臨界温度以上に昇温することを特徴とす
る。
【0016】また、本発明の記録再生方法は、支持基板
上に少なくとも磁気記録膜と超伝導膜とが積層された磁
気記録媒体を用いた記録再生方法であって、記録時に
は、記録部位の超伝導膜の反磁性を解除した状態で、記
録磁気ヘッドより発生させた信号磁界を反磁性解除部位
から通すことにより磁気記録膜に情報を記録し、再生時
には、再生部位の超伝導膜の反磁性を解除した状態で、
反磁性解除部位を通して磁気記録膜より漏れ出る磁束を
再生磁気ヘッドを用いて検知することによって情報を再
生することを特徴とする。
【0017】前記磁気記録媒体の記録部位または再生部
位を昇温する手段としては、半導体レーザビーム照射を
用いると、小型化、省電力化でき好ましい。また、前記
記録磁気ヘッドまたは前記再生磁気ヘッドとしては、薄
膜磁気ヘッドを兼用で用いてもよい。あるいは、薄膜磁
気ヘッドを記録用、磁気抵抗効果素子を再生用に用いて
もよい。
【0018】情報の記録および再生の際に、磁気記録媒
体の記録再生領域を局所的に昇温して超伝導膜を臨界温
度以上に加熱すると、超伝導膜の反磁性が解除された微
小部分だけが、磁束を通せるようになる。その結果、記
録の時には、この微小部分のみを介して記録用磁気ヘッ
ドから磁気記録膜への磁界印加が可能となることによっ
て、外部磁界印加手段の大きさにかかわりなく、かつ隣
接する他の磁気記録膜部に影響を与えることもなく、磁
気記録膜上に微細な磁区パターンを形成でき、微小部分
に情報を記録できる。また、再生の時には、反磁性が解
除された微小部分のみを介して磁気記録膜からの漏洩磁
束を再生用磁気ヘッドで検出することにより微小部分の
情報再生が可能となる。この場合、隣接部の反磁性状態
にある超伝導膜からは、磁束が漏洩しないため、隣接ビ
ットからのクロストークをほぼ完全に抑えることがで
き、S/Nに優れた信号再生が可能になる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を用いて具体的に説明する。 (実施の形態1)まず、図1に、本発明の実施の形態で
ある磁気記録媒体5の断面図を示す。
【0020】磁気記録媒体5は、支持基板1の上に、磁
気記録膜2、超伝導膜3、保護膜4がこの順に積層され
た構成からなる。この図には示されていないが、通常
は、後述する磁気ヘッドと磁気記録媒体5との潤滑性を
確保するため、保護膜4上に、潤滑膜例えば、パーフル
オロポリエーテルなどの液体フッ素系化合物の膜が形成
される。
【0021】磁気記録膜2は、反磁界による減磁効果の
影響を小さくできて、高密度記録に好適な垂直磁化膜で
構成されている。垂直磁化膜材料としては、Co系合金
膜、具体的には、CoCr、CoCrPt、CoCrT
a、CoCrPtTaのいずれかからなるフェロ磁性体
を用いる。Co系合金を用いると、耐環境性に優れ、高
再生出力で、クロストークを低減できる。
【0022】あるいは、磁気記録膜2として人工格子垂
直磁化膜、具体的には、Cr/Pt、Cr/Pdののい
ずれかからなるフェロ磁性体を用いてもよい。これによ
り、従来の光アシスト型磁気記録膜として使われてきた
N型フェリ磁性膜の希土類遷移金属膜と比較して、再生
時の磁気記録膜の残留磁化を大きくできるため、信号量
も大きくなるとともに、酸化しやすい希土類金属やFe
を含まないため耐環境性や信頼性にも優れる。
【0023】超伝導膜3としては、酸化物高温超伝導体
材料、具体的には、LnBa2Cu3O7-δ(Ln:L
a、Y等ランタン系列元素、0<δ<1)、Bi2Sr2
Can-1Cuny(n≧1)、TlmBa2Can-1Cun
y(m=1、2、n≧1)のいずれかを用いる。いず
れも、その常伝導と超伝導の相転移温度が、90Kから
120K近傍にあり、大がかりな冷却装置が不要で、液
体窒素による冷却でもって容易に、低コストで簡便に動
作環境温度を実現できる。また信頼性の高い高密度磁気
記録媒体を提供できる。
【0024】保護膜4としては、磁気ヘッドとの耐摺動
特性にも優れる非晶質C(カーボン)膜や、水素や窒素
を添加して膜硬度を改善した非晶質C膜、さらにはDL
C(ダイヤモンドライクカーボン)膜を用いる。特に、
DLC膜は、機械的強度と自己潤滑性を合わせ持つとい
う点で有利である。
【0025】ディスク基板1としては、NiPメッキ処
理をしたAl合金基板、表面を化学強化処理したガラス
基板や結晶化ガラス基板、さらには、化学的安定性・機
械的特性に優れる単結晶サファイア基板を用いる。これ
ら基板によって、耐衝撃性に優れ、平滑性の良い高密度
磁気記録再生が可能となる。特に、サファイア基板は、
その結晶性を利用して、磁気記録膜や超伝導膜の結晶成
長を制御することも可能となる。
【0026】次に、上記の構成からなる磁気記録媒体5
を使って、高密度でS/Nに優れた信号再生が可能とな
る記録再生方式について、図2および図3を用いて説明
する。
【0027】まず、記録過程について、図2を用いて説
明すると以下の通りである。情報の記録の際に、磁気記
録媒体5の記録領域を、半導体レーザ6から発せられた
光をレンズ7で集光して局所的に(例えば直径1μm以
下)昇温することで、超伝導膜3を臨界温度以上に加熱
する。その結果、臨界温度以上になって超伝導膜の反磁
性が解除された微小部分10だけが、記録用磁気ヘッド
8によって発生され記録信号で変調された外部磁束9を
通せるようになる。つまり、記録の時に、磁気記録膜2
に印加される磁界は、記録用磁気ヘッド8から発生する
磁束の内、この反磁性が解除された微小部分10のみを
通ったものだけである。この局所的に昇温する領域の大
きさは、レーザ光強度を調整して超伝導膜3の面での温
度プロファイルを変えることで、レーザビーム径以下の
大きさに任意に設定できるため、極めて高密度の記録が
可能となる。
【0028】また、昇温手段として半導体レーザビーム
を用いることにより、昇温手段部が小型化、省電力化で
きる。
【0029】次に、こうして高密度記録された情報を再
生する過程について、図3を用いて説明すると以下の通
りである。再生においても、磁気記録媒体5の記録領域
を、半導体レーザ6から発せられた光をレンズ7で集光
して局所的に(例えば直径1μm以下)昇温すること
で、超伝導膜3を臨界温度以上に加熱する。すると、反
磁性が解除された該箇所10のみを通して、既に記録済
みの磁気記録膜2上の記録ビット11からの漏洩磁束1
3を再生用磁気ヘッド12で検出することで情報再生が
可能となる。この場合、再生ビットの隣接部は、超伝導
状態の反磁性下にあるため、そこから磁束が漏れ出るこ
とはない。従って、隣接ビットからのクロストークをほ
ぼ完全に抑えることが出来、高密度記録された情報に対
し、S/Nを落とすことなく信号再生が可能となる。
【0030】超伝導膜の組成分布による臨界温度の分布
があったとしても、雰囲気温度を充分なマージンを持っ
て臨界温度以下に低く設定しておくことで、隣接領域か
らの漏洩磁束の混入を抑えることができる。また、上記
のように、隣接ビットからのクロストーク除去を媒体の
みの機能で実現できるため、従来の磁気記録では、高記
録密度化とともに、プロセス技術としても極めて難しい
磁気ヘッドの磁極幅(トラック方向)の微細化が不可欠
であったが、本発明では、こうした磁性体の微細加工と
いう問題も回避することが可能となる。
【0031】また、本磁気記録再生方式を実現するため
には、磁気記録膜のキュリー温度は、超伝導膜の臨界温
度以上であることが必要である。前記臨界温度が前記キ
ュリー温度を上回った場合、再生時に磁気記録膜上の情
報を消してしまうことになるためである。さらに、再生
温度については、磁気記録膜のキュリー温度を越えては
ならない。これも、再生時のデータ消失を避けるためで
ある。
【0032】記録温度については、少なくとも再生温度
以上に設定されることが好ましい。特に、同一に設定し
た場合、熱源である半導体レーザの出力制御が単一レベ
ルで済むので、ドライバの設計も簡便となりシステムの
低コスト化につながる。また、記録温度を再生温度より
高く設定してもよく、その場合、磁気記録媒体の保磁力
を記録温度下で充分小さくした上で記録を行うことで、
ビットの安定性に優れる高保磁力磁気記録膜に対しても
記録が可能となる。
【0033】ここでは、局所的に昇温する手段としての
光ビーム照射系として、半導体レーザ6及び集光レンズ
7のみを図示したが、フォーカスサーボやトラッキング
サーボ用の光学系も、必要に応じて設けられる。ここ
で、照射光源として、半導体レーザを用いたことで、昇
温手段部の小型、省電力化を図ることが可能となる。
【0034】記録再生用の磁気ヘッド8、12として
は、録再兼用の薄膜磁気ヘッドを用いるか、記録磁気ヘ
ッド8として薄膜磁気ヘッドを、再生磁気ヘッド12と
して、磁気抵抗効果(MR)素子を用いるかのいずれか
で構成される。前者の場合には、磁気回路を薄膜化する
ことで、ヘッドのインダクタンスを小さくでき高速記録
再生への対応が可能となる。後者の場合には、記録系と
再生系の磁気回路を独立に最適化出来る上、MR素子を
使うことで、極めて高感度の漏洩磁束検出が可能とな
り、高密度記録された情報を、高S/Nで再生が出来
る。
【0035】本実施の形態では、磁気記録膜2として、
フェロ磁性体となるCo系合金膜、または、人工格子膜
からなる垂直磁化膜を用いたが、これに限られることは
なく、例えば、大きな垂直磁気異方性を持ち高保磁力を
有する希土類遷移金属非晶質合金からなる垂直磁化膜の
中で、N型以外(P型、Q型、R型)のフェリ磁性を示
す材料組成を用いることもできる。特に、TbCo、T
bFeCo、DyFeCo、GdTbFeCo、GdD
yFeCoからなる希土類遷移金属非晶質合金は、その
成分に大きな垂直磁気異方性を誘起するTbやDyを含
んでいるため、記録ビットの安定性に優れる。また、非
晶質故に、従来の結晶質膜に固有の問題であった粒界起
因の媒体ノイズも低減できる。さらに、クロストークも
低減できる。
【0036】さらに、磁気記録膜2としては、従来高密
度磁気記録膜として使われてきたCo系合金、具体的に
はCoCr、CoNiCr、CoCrPt、CoCrT
a、CoCrPtTa、CoCrPtTaNb等からな
る面内磁化膜を用いることもできる。この場合、従来の
ハードディスクシステムで採用されてきた面内磁気記録
システムにおいて、超伝導膜を追加するというメディア
構造の変更だけで、その他の、例えば磁気ヘッド構造や
ヘッドメディアI/Fや信号処理系等は殆ど変更するこ
となく、クロストークの問題を格段に低減した高密度面
内磁気記録が可能となる。
【0037】また、本実施の形態では、局所的に超伝導
膜3を昇温する手段として光照射系を利用したが、これ
に限られるものではなく、例えば、磁気記録媒体5に近
接し、かつ磁気ヘッド近傍にあってトラック方向におい
て磁気ヘッド8、12に対して先行する位置にある微小
な発熱体を使うことで目的を達成することもできる。
【0038】(実施の形態2)本発明の別の実施の形態
である磁気記録媒体5の断面図を図4に示す。なお、説
明の便宜上、前述の図面に示した部材と同一の機能を有
する部材には、同一の符号を付記し、その説明は省略す
る。
【0039】本実施の形態の磁気記録媒体5は、図4に
示すように、支持基板1の上に、磁気記録膜2、非磁性
絶縁膜14、超伝導膜3、保護膜4がこの順に積層され
た構成からなる。
【0040】非磁性絶縁膜としては、例えば、SiN、
AlN、AlSiN、AlTaN、SiAlON、Ti
N、TiON、BN、ZnS、SiO2、TiO2、Ba
TiO3、SrTiO3等の誘電体膜が好適である。その
膜厚としては超伝導膜3と磁気記録膜2との間の熱干渉
を防ぐ目的とともに、磁気記録膜3と磁気ヘッド7、1
2間の磁気スペーシングは、高密度記録の面から小さく
することが好ましいこともあって、5nm〜100nm
が望ましい。支持基板1、磁気記録膜2、超伝導膜3、
保護膜4には、前記実施の形態1と同一の材料を使用で
きる。
【0041】磁気記録膜2と超伝導膜3の間に非磁性絶
縁膜14を設けることにより、磁気的な擾乱を与えるこ
となく、効率的な超伝導膜3の昇温が出来るようにな
り、昇温動作の省電力駆動に適した磁気記録媒体5を提
供できる。これは、次の理由による。
【0042】半導体レーザから照射された光ビームの吸
収によって、超伝導膜3がまず加熱されるが、この時、
熱は超伝導膜3の厚さ方向に伝導するとともに、層内方
向にも伝導する。通常、酸化物を主体とする超伝導膜よ
りも金属からなる磁気記録膜の方が数倍熱伝導率が高い
ため、超伝導膜3と磁気記録膜2とが直接接して積層さ
れている場合、超伝導膜3の厚さ方向に伝導した熱が、
直ちに磁気記録膜2へと逃げて流れてしまう。このた
め、所望の温度まで超伝導膜3を加熱するには、余分の
光ビームパワーが要求される。また、流入した熱で、磁
気記録膜2は、その温度が上がってしまうとともに、熱
伝導率の高い磁気記録膜2内では、層内方向にも容易に
熱が広がってしまい、加熱された領域が、さらに不必要
に広がってしまうことになる。このようにして磁気記録
膜の温度が上がってしまった部分は磁化も小さくなるの
で、信号読み出しの面で好ましくない結果をもたらす。
【0043】これに対し、本実施の形態では、磁気記録
膜2と超伝導膜3の間に熱干渉を抑える非磁性絶縁膜1
4を形成しているので、超伝導膜3からの熱を磁気記録
膜2側に不必要に逃がすことなく、効率的に超伝導膜3
を昇温出来る。換言すると、昇温手段として、大きな外
部エネルギーを供給する必要がなくなり、温度上昇に伴
う磁気記録膜2の磁化減少も抑えられる。従って、省電
力システム構成で、高密度磁気記録再生が可能となる。
【0044】
【発明の効果】本発明によれば、情報の記録及び再生時
の際に局所的に昇温して超伝導膜を臨界温度以上に加熱
することにより、記録の時には、外部磁界印加手段の大
きさにかかわりなく、かつ隣接する他の磁気記録膜部に
影響を与えることもなく、微小部分だけに情報を記録で
き、高密度記録ができる。さらに、再生の時には、隣接
ビットからのクロストークをほぼ完全に抑えることがで
き、S/Nに優れた信号再生ができ、微小部分の情報再
生が可能になる。
【0045】また、超伝導膜と磁気記録膜との間に非磁
性絶縁層膜が形成された磁気記録媒体を用いることによ
り、効果的に超伝導膜部を昇温出来るようになり、昇温
動作の省電力駆動に適する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態である磁気記録媒体を示す
断面図である。
【図2】本発明の記録動作を示す説明図である。
【図3】本発明の再生動作を示す説明図である。
【図4】本発明の別の実施の形態である磁気記録媒体を
示す断面図である。
【符号の説明】
1 支持基板 2 磁気記録膜 3 超伝導膜 4 保護膜 5 磁気記録媒体 6 半導体レーザ 7 集光レンズ 8 記録磁気ヘッド 12 再生磁気ヘッド 14 非磁性絶縁層

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 支持基板上に、少なくとも磁気記録膜と
    超伝導膜とが積層されていることを特徴とする磁気記録
    媒体。
  2. 【請求項2】 前記超伝導膜と前記磁気記録膜との間に
    非磁性絶縁層膜が形成されていることを特徴とする請求
    項1記載の磁気記録媒体。
  3. 【請求項3】 前記磁気記録膜が、Co系合金、垂直磁
    性人工格子、垂直磁化希土類遷移金属非晶質合金のうち
    のいずれかからなることを特徴とする請求項1または2
    記載の磁気記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記超伝導膜が、酸化物高温超伝導体か
    らなることを特徴とする請求項1または2記載の磁気記
    録媒体。
  5. 【請求項5】 支持基板上に少なくとも磁気記録膜と超
    伝導膜とが積層された磁気記録媒体を用いた記録再生方
    法であって、記録時には記録部位の、再生時には再生部
    位の超伝導膜の温度をその反磁性が解除される臨界温度
    以上に昇温することを特徴とする記録再生方法。
  6. 【請求項6】 支持基板上に少なくとも磁気記録膜と超
    伝導膜とが積層された磁気記録媒体を用いた記録再生方
    法であって、記録時には、記録部位の超伝導膜の反磁性
    を解除した状態で、記録磁気ヘッドより発生させた信号
    磁界を反磁性解除部位から通すことにより磁気記録膜に
    情報を記録し、再生時には、再生部位の超伝導膜の反磁
    性を解除した状態で、反磁性解除部位を通して磁気記録
    膜より漏れ出る磁束を再生磁気ヘッドを用いて検知する
    ことによって情報を再生することを特徴とする記録再生
    方法。
  7. 【請求項7】 前記磁気記録媒体の記録部位または再生
    部位の昇温手段として半導体レーザビーム照射を用いた
    ことを特徴とする請求項5または6記載の記録再生方
    法。
  8. 【請求項8】 前記記録磁気ヘッドまたは前記再生磁気
    ヘッドとして、薄膜磁気ヘッドを用いたことを特徴とす
    る請求項6記載の記録再生方法。
  9. 【請求項9】 前記再生磁気ヘッドとして、磁気抵抗効
    果素子を用いたことを特徴とする請求項6記載の記録再
    生方法。
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