JPH11296894A - 光学装置およびその製造方法 - Google Patents
光学装置およびその製造方法Info
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- JPH11296894A JPH11296894A JP10102928A JP10292898A JPH11296894A JP H11296894 A JPH11296894 A JP H11296894A JP 10102928 A JP10102928 A JP 10102928A JP 10292898 A JP10292898 A JP 10292898A JP H11296894 A JPH11296894 A JP H11296894A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子の受光領域に透過光を正確に結合さ
せることができ、しかも、安価でかつ容易に製造できる
光学装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも一部が光透過性を有する第1
の基台35と、第1の基台35上に載置された少なくと
も一つの発光素子21と、第1の基台35上に、発光素
子21と所定間隔をおいて載置され、発光素子21の出
射光の少なくとも一部を分岐させて被照射体に照射し、
当該被照射体からの反射光を第1の基台35を透過する
ように導波する光分岐手段30と、受光素子41,42
を有し、第1の基台35の透過光が受光素子41,42
の受光領域内に結合されるように、第1の基台35が取
り付けられた第2の基台40を有する光学装置1を構成
する。
せることができ、しかも、安価でかつ容易に製造できる
光学装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも一部が光透過性を有する第1
の基台35と、第1の基台35上に載置された少なくと
も一つの発光素子21と、第1の基台35上に、発光素
子21と所定間隔をおいて載置され、発光素子21の出
射光の少なくとも一部を分岐させて被照射体に照射し、
当該被照射体からの反射光を第1の基台35を透過する
ように導波する光分岐手段30と、受光素子41,42
を有し、第1の基台35の透過光が受光素子41,42
の受光領域内に結合されるように、第1の基台35が取
り付けられた第2の基台40を有する光学装置1を構成
する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、CDプレーヤ等の
ピックアップ装置に使用される光学装置およびその製造
方法に関する。
ピックアップ装置に使用される光学装置およびその製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】CD(Compact Disc)プレーヤやLD
(Laser Disc)プレーヤ等では、ディスクの情報を読み
取るためにピックアップ装置が使用されており、ピック
アップ装置には、例えば図8に示すようなレーザカプラ
が用いられている。レーザカプラは、レーザダイオード
やプリズム、光検出器等を一つに集積化したものであ
り、薄型かつ軽量で信頼性も高く、また比較的安価であ
ることから、数多くの光学機器に使用されている。
(Laser Disc)プレーヤ等では、ディスクの情報を読み
取るためにピックアップ装置が使用されており、ピック
アップ装置には、例えば図8に示すようなレーザカプラ
が用いられている。レーザカプラは、レーザダイオード
やプリズム、光検出器等を一つに集積化したものであ
り、薄型かつ軽量で信頼性も高く、また比較的安価であ
ることから、数多くの光学機器に使用されている。
【0003】以下に、レーザカプラおよび従来の光学装
置を図面に基づいて説明する。図8は、レーザカプラを
示す斜視図、図9(a)は、従来の光学装置の側面図、
図9(b)は、図9(a)に示す光学装置の上面図、図
10は、図9に示す光学装置の斜視図、図11は、図9
に示す光学装置に使用されている受光素子を説明するた
めの図である。
置を図面に基づいて説明する。図8は、レーザカプラを
示す斜視図、図9(a)は、従来の光学装置の側面図、
図9(b)は、図9(a)に示す光学装置の上面図、図
10は、図9に示す光学装置の斜視図、図11は、図9
に示す光学装置に使用されている受光素子を説明するた
めの図である。
【0004】レーザカプラ100は、一般に、図8に示
すように、光学装置110をリードフレーム150上に
載置し、その周囲を枠型のセラミックパッケージ160
で覆い、さらにその上面に光を透過させる透明ガラス板
170を被せた構成となっている。
すように、光学装置110をリードフレーム150上に
載置し、その周囲を枠型のセラミックパッケージ160
で覆い、さらにその上面に光を透過させる透明ガラス板
170を被せた構成となっている。
【0005】光学装置110には、図9および図10に
示すように、発光素子としてのレーザダイオード121
からレーザ光を発光させ、またそのレーザ光を受けてレ
ーザ光の出力強度を検出するフォトダイオード(または
「LOP(Laser-diode OnPhoto-detector )」)12
0と、レーザダイオード121から発光されたレーザ光
を屈折させるプリズム130とが、フォトダイオード1
20を制御する集積回路基板(または「PD−IC(Ph
oto Detector-IC )」)140の上面に配置されてい
る。
示すように、発光素子としてのレーザダイオード121
からレーザ光を発光させ、またそのレーザ光を受けてレ
ーザ光の出力強度を検出するフォトダイオード(または
「LOP(Laser-diode OnPhoto-detector )」)12
0と、レーザダイオード121から発光されたレーザ光
を屈折させるプリズム130とが、フォトダイオード1
20を制御する集積回路基板(または「PD−IC(Ph
oto Detector-IC )」)140の上面に配置されてい
る。
【0006】集積回路基板140およびフォトダイオー
ド120の上面には、図9(b)に示すように、フォト
ダイオード120を集積回路基板140上に位置決めす
るときに使用される認識パターン140aおよび認識パ
ターン120aがそれぞれ付されている。
ド120の上面には、図9(b)に示すように、フォト
ダイオード120を集積回路基板140上に位置決めす
るときに使用される認識パターン140aおよび認識パ
ターン120aがそれぞれ付されている。
【0007】認識パターン140a,120aは光学装
置110の真上方向、つまりZ方向から図示しないCC
Dカメラ等を用いて撮像され、その撮像された画像によ
り、フォトダイオード120の集積回路基板140に対
するX方向、Y方向のずれ量および転び角度θが求めら
れる。それらの値に基づいてフォトダイオード120は
正規の位置に微調整され、位置決めされる。
置110の真上方向、つまりZ方向から図示しないCC
Dカメラ等を用いて撮像され、その撮像された画像によ
り、フォトダイオード120の集積回路基板140に対
するX方向、Y方向のずれ量および転び角度θが求めら
れる。それらの値に基づいてフォトダイオード120は
正規の位置に微調整され、位置決めされる。
【0008】フォトダイオード120が上述した認識パ
ターン140a,120aによって集積回路基板140
上に高精度に位置決めされると、図11に示すように、
集積回路基板140に設けられた2つのPD(Photo De
tector)141,142の受光領域には、レーザダイオ
ード121からのレーザ光が楕円形のスポット光となっ
て、それらの略中心部に映し出される。
ターン140a,120aによって集積回路基板140
上に高精度に位置決めされると、図11に示すように、
集積回路基板140に設けられた2つのPD(Photo De
tector)141,142の受光領域には、レーザダイオ
ード121からのレーザ光が楕円形のスポット光となっ
て、それらの略中心部に映し出される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところが、フォトダイ
オード120を集積回路基板140上にいかに高精度に
位置決めできたとしても、フォトダイオード120の
X,Y方向のみの位置精度を高めただけでは、図11に
示すPD141,142の受光領域に映し出されている
ようなスポット光を得ることは困難である。
オード120を集積回路基板140上にいかに高精度に
位置決めできたとしても、フォトダイオード120の
X,Y方向のみの位置精度を高めただけでは、図11に
示すPD141,142の受光領域に映し出されている
ようなスポット光を得ることは困難である。
【0010】つまり、図9(a)および図10に設定し
た座標系のZ方向について、フォトダイオード120自
体の厚さの寸法誤差によるばらつき、または、フォトダ
イオード120と集積回路基板140との当接面に塗布
される例えば銀ペースト等の接着剤の厚みによるばらつ
きなどによって、レーザ発光点Pが図9(a)に矢印A
で示すZ方向に数十μm程度ばらつくことになる。それ
により、スポット光が図9(a)および図11に矢印B
で示すY方向にずれる結果を招くことになる。また同様
に、プリズム130の配置位置のZ方向へのばらつきに
よっても、上述した矢印B方向へのずれが発生する場合
もある。
た座標系のZ方向について、フォトダイオード120自
体の厚さの寸法誤差によるばらつき、または、フォトダ
イオード120と集積回路基板140との当接面に塗布
される例えば銀ペースト等の接着剤の厚みによるばらつ
きなどによって、レーザ発光点Pが図9(a)に矢印A
で示すZ方向に数十μm程度ばらつくことになる。それ
により、スポット光が図9(a)および図11に矢印B
で示すY方向にずれる結果を招くことになる。また同様
に、プリズム130の配置位置のZ方向へのばらつきに
よっても、上述した矢印B方向へのずれが発生する場合
もある。
【0011】フォトダイオード120を集積回路基板1
40上に位置決めした後、プリズム130のマウント位
置をY方向にオフセットさせることによって、図11に
示すような良好なスポット光を得ることも可能である
が、プリズム130を移動させる方法では、デフォーカ
スの発生を誘発する場合が多く、光ディスクの読み取り
不良を招くという不都合が生じる。
40上に位置決めした後、プリズム130のマウント位
置をY方向にオフセットさせることによって、図11に
示すような良好なスポット光を得ることも可能である
が、プリズム130を移動させる方法では、デフォーカ
スの発生を誘発する場合が多く、光ディスクの読み取り
不良を招くという不都合が生じる。
【0012】図12は、光磁気信号対応型光学装置を示
す斜視図、図13(a)および(b)は、図12に示す
光学装置に使用されている受光素子を説明するための
図、図14は、DPD(Differential Phase Detectio
n )法対応型光学装置を示す斜視図、図15(a)およ
び(b)は、図14に示す光学装置に使用されている受
光素子を説明するための図である。
す斜視図、図13(a)および(b)は、図12に示す
光学装置に使用されている受光素子を説明するための
図、図14は、DPD(Differential Phase Detectio
n )法対応型光学装置を示す斜視図、図15(a)およ
び(b)は、図14に示す光学装置に使用されている受
光素子を説明するための図である。
【0013】図12に示す光磁気信号対応型光学装置2
10には、入射光を偏光の違いにより2つの光に分離さ
せる複屈折性プリズム230が使用され、また集積回路
基板240には、図示しないディスクからのレーザ反射
光を複屈折性プリズム230を介して検出するPD24
1と、PD241からの反射光のうち常光のみを検出す
るPD242aおよび異常光のみを検出するPD242
bと、レーザのフロントからの出力をモニタするPD2
43とが設けられている。
10には、入射光を偏光の違いにより2つの光に分離さ
せる複屈折性プリズム230が使用され、また集積回路
基板240には、図示しないディスクからのレーザ反射
光を複屈折性プリズム230を介して検出するPD24
1と、PD241からの反射光のうち常光のみを検出す
るPD242aおよび異常光のみを検出するPD242
bと、レーザのフロントからの出力をモニタするPD2
43とが設けられている。
【0014】集積回路基板240上に高精度にフォトダ
イオード220および複屈折性プリズム230が配置さ
れると、図13(a)に示すようなスポット光が得られ
るが、この光学装置210の場合、常光および異常光が
それぞれ別のPDで検出されるので、例えばレーザダイ
オード221の発光点PのZ方向の位置にばらつきが生
じると、スポット光が図13(b)に示す矢印B方向に
移動した状態になり、スポット光の検出不良が生じ易く
なるという不都合がある。
イオード220および複屈折性プリズム230が配置さ
れると、図13(a)に示すようなスポット光が得られ
るが、この光学装置210の場合、常光および異常光が
それぞれ別のPDで検出されるので、例えばレーザダイ
オード221の発光点PのZ方向の位置にばらつきが生
じると、スポット光が図13(b)に示す矢印B方向に
移動した状態になり、スポット光の検出不良が生じ易く
なるという不都合がある。
【0015】また、DVDプレーヤ等に多用される図1
4に示すDPD法対応型光学装置310は、図15
(a)に示すように、PD341が図中左右に2分割さ
れているが、上述した場合と同様に、例えばレーザダイ
オードの発光点PのZ方向の位置にばらつきが生じる
と、スポット光が図15(b)に示す矢印B方向に移動
した状態になり、スポット光の検出不良が生じ易くなる
という不都合がある。
4に示すDPD法対応型光学装置310は、図15
(a)に示すように、PD341が図中左右に2分割さ
れているが、上述した場合と同様に、例えばレーザダイ
オードの発光点PのZ方向の位置にばらつきが生じる
と、スポット光が図15(b)に示す矢印B方向に移動
した状態になり、スポット光の検出不良が生じ易くなる
という不都合がある。
【0016】つまり、図12および図14に示す光学装
置210,310では、レーザ光のスポット光位置を良
好な状態にするためには、発光点Pに関してX,Y方向
のみならず、Z方向についてもかなり高精度な位置決め
を行う必要がある。
置210,310では、レーザ光のスポット光位置を良
好な状態にするためには、発光点Pに関してX,Y方向
のみならず、Z方向についてもかなり高精度な位置決め
を行う必要がある。
【0017】また、例えば上述した光学装置110を作
製する場合、プリズム130を集積回路基板140に取
り付ける工程では、一般に、プリズム130の各反射面
の反射角度を高精度に維持するために、各集積回路基板
140毎にプリズム130を取り付けるのではなく、複
数の集積回路基板140が形成されたウェハに棒状のプ
リズムを載置して集積回路基板140のダイシングとと
もにプリズム130もダイシングされる作業構成となっ
ている。
製する場合、プリズム130を集積回路基板140に取
り付ける工程では、一般に、プリズム130の各反射面
の反射角度を高精度に維持するために、各集積回路基板
140毎にプリズム130を取り付けるのではなく、複
数の集積回路基板140が形成されたウェハに棒状のプ
リズムを載置して集積回路基板140のダイシングとと
もにプリズム130もダイシングされる作業構成となっ
ている。
【0018】しかしながら、上述した製造方法では、例
えば図10に示すように、集積回路基板140上に形成
されるワイヤボンィングパッド部144をフォトダイオ
ード120側に極力寄せて形成する必要があり、図示し
ないリードフレームとワイヤボンィングパッド部144
とのワイヤボンィング作業の作業効率が著しく悪くなる
場合が多い。
えば図10に示すように、集積回路基板140上に形成
されるワイヤボンィングパッド部144をフォトダイオ
ード120側に極力寄せて形成する必要があり、図示し
ないリードフレームとワイヤボンィングパッド部144
とのワイヤボンィング作業の作業効率が著しく悪くなる
場合が多い。
【0019】さらに、上述したように集積回路基板14
0とプリズム130とが同時にダイシングされることか
ら、集積回路基板140のX方向の幅が拡大されるとそ
れに応じてプリズム130の幅も拡大されることにな
り、これによりプリズム130の使用効率が悪化し、光
学装置110の製造コストの増大につながることも多
い。
0とプリズム130とが同時にダイシングされることか
ら、集積回路基板140のX方向の幅が拡大されるとそ
れに応じてプリズム130の幅も拡大されることにな
り、これによりプリズム130の使用効率が悪化し、光
学装置110の製造コストの増大につながることも多
い。
【0020】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、受光素子の受光領域に透過光
を正確に結合させることができ、しかも、安価でかつ容
易に製造できる光学装置およびその製造方法を提供する
ことにある。
ものであり、その目的は、受光素子の受光領域に透過光
を正確に結合させることができ、しかも、安価でかつ容
易に製造できる光学装置およびその製造方法を提供する
ことにある。
【0021】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光学装置は、少なくとも一部が光透過性を
有する第1の基台と、前記第1の基台上に載置された少
なくとも一つの発光素子と、前記第1の基台上に、前記
発光素子と所定間隔をおいて載置され、当該発光素子の
出射光の少なくとも一部を分岐させて被照射体に照射
し、当該被照射体からの反射光を前記第1の基台を透過
するように導波する光分岐手段と、受光素子を有し、前
記第1の基台の透過光が当該受光素子の受光領域内に結
合されるように、当該第1の基台が取り付けられた第2
の基台を有する。
に、本発明の光学装置は、少なくとも一部が光透過性を
有する第1の基台と、前記第1の基台上に載置された少
なくとも一つの発光素子と、前記第1の基台上に、前記
発光素子と所定間隔をおいて載置され、当該発光素子の
出射光の少なくとも一部を分岐させて被照射体に照射
し、当該被照射体からの反射光を前記第1の基台を透過
するように導波する光分岐手段と、受光素子を有し、前
記第1の基台の透過光が当該受光素子の受光領域内に結
合されるように、当該第1の基台が取り付けられた第2
の基台を有する。
【0022】また本発明の光学装置の光分岐手段は、分
光器であり、前記分光器には、前記発光素子の出射光を
分岐させ、前記被照射体からの反射光を導波する光分岐
面が形成されている。なお、前記分光器が複屈折性分光
器である場合、前記複屈折性分光器に前記被照射体から
の反射光が入射した後、前記複屈折性分光器内部で常光
と異常光の2光束に分離し、それらを別々に受光する少
なくとも2つの受光素子が設けられている。
光器であり、前記分光器には、前記発光素子の出射光を
分岐させ、前記被照射体からの反射光を導波する光分岐
面が形成されている。なお、前記分光器が複屈折性分光
器である場合、前記複屈折性分光器に前記被照射体から
の反射光が入射した後、前記複屈折性分光器内部で常光
と異常光の2光束に分離し、それらを別々に受光する少
なくとも2つの受光素子が設けられている。
【0023】本発明の光学装置は、光ディスクに照射し
た光の反射光量を検出して前記ディスクに記録された情
報を読み取る光学装置であり、少なくとも一部が光透過
性を有する第1の基台と、前記第1の基台上に載置され
た少なくとも一つの発光素子と、前記第1の基台上に、
前記発光素子と所定間隔をおいて載置され、当該発光素
子の出射光の少なくとも一部を分岐させて前記光ディス
クに照射し、当該光ディスクからの反射光を前記第1の
基台を透過するように導波する光分岐手段と、受光素子
を有し、前記第1の基台の透過光が当該受光素子の受光
領域内に結合されるように、当該第1の基台が取り付け
られた第2の基台とを有する。また本発明の光学装置の
光分岐手段は、分光器であり、前記分光器には、前記発
光素子の出射光を分岐させ、前記光ディスクからの反射
光を導波する光分岐面が形成されている。
た光の反射光量を検出して前記ディスクに記録された情
報を読み取る光学装置であり、少なくとも一部が光透過
性を有する第1の基台と、前記第1の基台上に載置され
た少なくとも一つの発光素子と、前記第1の基台上に、
前記発光素子と所定間隔をおいて載置され、当該発光素
子の出射光の少なくとも一部を分岐させて前記光ディス
クに照射し、当該光ディスクからの反射光を前記第1の
基台を透過するように導波する光分岐手段と、受光素子
を有し、前記第1の基台の透過光が当該受光素子の受光
領域内に結合されるように、当該第1の基台が取り付け
られた第2の基台とを有する。また本発明の光学装置の
光分岐手段は、分光器であり、前記分光器には、前記発
光素子の出射光を分岐させ、前記光ディスクからの反射
光を導波する光分岐面が形成されている。
【0024】本発明の光学装置の製造方法は、少なくと
も一の発光素子と、前記発光素子の出射光の少なくとも
一部を分岐させて被照射体に照射し、当該被照射体から
の反射光を第1の基台を透過するように導波する光分岐
手段とを、少なくとも一部が光透過性を有する前記第1
の基台上に載置する工程と、前記第1の基台上に載置さ
れた発光素子および光分岐手段の配置状態を計測して、
前記第1の基台における当該透過光の透過位置を算出す
る工程と、前記算出結果に基づいて、前記透過光の透過
位置が第2の基台に設けられた受光素子の受光領域内に
結合されるように、前記第1の基台を前記第2の基台上
に取り付ける工程とを有する。
も一の発光素子と、前記発光素子の出射光の少なくとも
一部を分岐させて被照射体に照射し、当該被照射体から
の反射光を第1の基台を透過するように導波する光分岐
手段とを、少なくとも一部が光透過性を有する前記第1
の基台上に載置する工程と、前記第1の基台上に載置さ
れた発光素子および光分岐手段の配置状態を計測して、
前記第1の基台における当該透過光の透過位置を算出す
る工程と、前記算出結果に基づいて、前記透過光の透過
位置が第2の基台に設けられた受光素子の受光領域内に
結合されるように、前記第1の基台を前記第2の基台上
に取り付ける工程とを有する。
【0025】また本発明の光学装置の製造方法は、好適
には、ウェハに複数形成された前記第1の基台上に前記
発光素子および光分岐手段をそれぞれ載置した後、前記
各第1の基台を光学ブロックとして各ブロック毎に切り
分ける工程を有する。さらに好適には、前記光分岐手段
は、複数の光学ブロックにわたって載置されており、前
記各光学ブロックを切り分けるときに同時に切り分けら
れる。
には、ウェハに複数形成された前記第1の基台上に前記
発光素子および光分岐手段をそれぞれ載置した後、前記
各第1の基台を光学ブロックとして各ブロック毎に切り
分ける工程を有する。さらに好適には、前記光分岐手段
は、複数の光学ブロックにわたって載置されており、前
記各光学ブロックを切り分けるときに同時に切り分けら
れる。
【0026】本発明の光学装置によれば、第1の基台上
に載置された発光素子からの出射光の少なくとも一部
は、同じく第1の基台上に載置された光分岐手段によっ
て分岐され、その分岐された出射光は被照射体に照射さ
れる。その被照射体には例えば反射面が形成されてお
り、発光素子からの出射光はその反射面によって反射さ
れる。次に、その反射光は、光分岐手段によって、第1
の基台に設けられた光透過性を有する領域を透過するよ
うに導波される。光分岐手段によって導波された透過光
は、第2の基台に設けられた受光素子の受光領域内に結
合される。上述した光分岐手段が例えば複屈折性分光器
である場合、被照射体の例えば反射面によって反射され
た反射光は、複屈折性分光器の内部に導波され、その内
部で常光と異常光の2光束に分離する。その分離した2
つの光は、最終的に第1の基台に設けられた光透過性を
有する領域を透過して、第2の基台に設けられた少なく
とも2つの受光素子の受光領域内に結合される。その間
に、それらの光は、複屈折性分光器の内側で反射された
り、一部分割されたりする。一部分割された光は、例え
ば第1の基台を透過して第2の基台に設けられた別の受
光素子に結合される。
に載置された発光素子からの出射光の少なくとも一部
は、同じく第1の基台上に載置された光分岐手段によっ
て分岐され、その分岐された出射光は被照射体に照射さ
れる。その被照射体には例えば反射面が形成されてお
り、発光素子からの出射光はその反射面によって反射さ
れる。次に、その反射光は、光分岐手段によって、第1
の基台に設けられた光透過性を有する領域を透過するよ
うに導波される。光分岐手段によって導波された透過光
は、第2の基台に設けられた受光素子の受光領域内に結
合される。上述した光分岐手段が例えば複屈折性分光器
である場合、被照射体の例えば反射面によって反射され
た反射光は、複屈折性分光器の内部に導波され、その内
部で常光と異常光の2光束に分離する。その分離した2
つの光は、最終的に第1の基台に設けられた光透過性を
有する領域を透過して、第2の基台に設けられた少なく
とも2つの受光素子の受光領域内に結合される。その間
に、それらの光は、複屈折性分光器の内側で反射された
り、一部分割されたりする。一部分割された光は、例え
ば第1の基台を透過して第2の基台に設けられた別の受
光素子に結合される。
【0027】また本発明の光学装置によれば、第1の基
台上に載置された発光素子からの出射光の少なくとも一
部は、同じく第1の基台上に載置された光分岐手段によ
って分岐され、その分岐された出射光は光ディスクに照
射される。その光ディスクには例えば反射面が形成され
ており、発光素子からの出射光はその反射面によって反
射される。次に、その反射光は、光分岐手段によって、
第1の基台に設けられた光透過性を有する領域を透過す
るように導波される。光分岐手段によって導波された透
過光は、第2の基台に設けられた受光素子の受光領域内
に結合される。その結果、透過光の光量が検出され、そ
の光ディスクに記録された情報が読み取られる。
台上に載置された発光素子からの出射光の少なくとも一
部は、同じく第1の基台上に載置された光分岐手段によ
って分岐され、その分岐された出射光は光ディスクに照
射される。その光ディスクには例えば反射面が形成され
ており、発光素子からの出射光はその反射面によって反
射される。次に、その反射光は、光分岐手段によって、
第1の基台に設けられた光透過性を有する領域を透過す
るように導波される。光分岐手段によって導波された透
過光は、第2の基台に設けられた受光素子の受光領域内
に結合される。その結果、透過光の光量が検出され、そ
の光ディスクに記録された情報が読み取られる。
【0028】本発明の光学装置の製造方法によれば、発
光素子と光分岐手段とを第1の基台上に載置する工程を
経た後、第1の基台上に配置された発光素子と光分岐手
段との配置状態が計測され、第1の基台における透過光
の透過位置が算出される。算出工程を経た後、その算出
結果に基づいて、透過光の透過位置が第2の基台に設け
られた受光素子の受光領域内に結合されるように、第1
の基台が第2の基台上に取り付けられる。複数の第1の
基台がウェハに形成されている場合、各第1の基台に発
光素子と光分岐手段とをそれぞれ載置した後、各々の第
1の基台は、光学ブロックとして各ブロック毎に切り分
けられる。このとき、光分岐手段が複数の光学ブロック
にわたって載置されている場合には、その光分岐手段も
同時に切り分けられる。
光素子と光分岐手段とを第1の基台上に載置する工程を
経た後、第1の基台上に配置された発光素子と光分岐手
段との配置状態が計測され、第1の基台における透過光
の透過位置が算出される。算出工程を経た後、その算出
結果に基づいて、透過光の透過位置が第2の基台に設け
られた受光素子の受光領域内に結合されるように、第1
の基台が第2の基台上に取り付けられる。複数の第1の
基台がウェハに形成されている場合、各第1の基台に発
光素子と光分岐手段とをそれぞれ載置した後、各々の第
1の基台は、光学ブロックとして各ブロック毎に切り分
けられる。このとき、光分岐手段が複数の光学ブロック
にわたって載置されている場合には、その光分岐手段も
同時に切り分けられる。
【0029】
【発明の実施の形態】以下、本発明の光学装置の実施の
形態について、図面に基づいて説明する。図1は、本発
明に係る光学装置の実施の形態を示す斜視図、図2
(a)は、図1に示す光学装置の複屈折性プリズムを説
明するための図、図2(b)は、図1に示す光学装置の
光学ブロックおよび集積回路基板を説明するための図で
ある。
形態について、図面に基づいて説明する。図1は、本発
明に係る光学装置の実施の形態を示す斜視図、図2
(a)は、図1に示す光学装置の複屈折性プリズムを説
明するための図、図2(b)は、図1に示す光学装置の
光学ブロックおよび集積回路基板を説明するための図で
ある。
【0030】図1に示す光磁気信号対応型光学装置(以
下、本実施の形態では単に「光学装置」という)10
は、例えば図示しないCD等の光ディスクに照射するレ
ーザ光を発生させ、またそのレーザ光の出力強度を検出
するフォトダイオード20と、レーザダイオード21か
らの出射光の一部を分岐させて図示しない光ディスクに
照射し、その光ディスクに形成された反射面によって反
射された反射光を、後述する透明基板35を透過するよ
うに導波する光分岐手段としての複屈折性を有するプリ
ズム30と、フォトダイオード20とがその上面に載置
され、プリズム30によって導波された反射光を透過可
能な透明基板35と、シリコン基板にフォトダイオード
20を動作させる回路が形成されている集積回路基板4
0とで構成されている。
下、本実施の形態では単に「光学装置」という)10
は、例えば図示しないCD等の光ディスクに照射するレ
ーザ光を発生させ、またそのレーザ光の出力強度を検出
するフォトダイオード20と、レーザダイオード21か
らの出射光の一部を分岐させて図示しない光ディスクに
照射し、その光ディスクに形成された反射面によって反
射された反射光を、後述する透明基板35を透過するよ
うに導波する光分岐手段としての複屈折性を有するプリ
ズム30と、フォトダイオード20とがその上面に載置
され、プリズム30によって導波された反射光を透過可
能な透明基板35と、シリコン基板にフォトダイオード
20を動作させる回路が形成されている集積回路基板4
0とで構成されている。
【0031】フォトダイオード20は、発光素子として
のレーザダイオード21と、レーザダイオード21の後
方からの出射光を受光するモニター用の光検出素子とし
てのPINダイオード(シリコンのpn接合の中に低濃
度層を有するもの)23が配置されている。レーザダイ
オード21は、プリズム30の受光面30aに対して、
透明基板35の上面に平行な方向にレーザ光を出射す
る。
のレーザダイオード21と、レーザダイオード21の後
方からの出射光を受光するモニター用の光検出素子とし
てのPINダイオード(シリコンのpn接合の中に低濃
度層を有するもの)23が配置されている。レーザダイ
オード21は、プリズム30の受光面30aに対して、
透明基板35の上面に平行な方向にレーザ光を出射す
る。
【0032】プリズム30は、図2(a)に示すよう
に、図1に設定された座標系のX方向から見たとき、受
光面30a以外の二対の対向面が平行をなす断面を有
し、受光面30aで分岐された図示しない光ディスクか
らの反射光を、その複屈折特性によって常光と異常光と
に分割する。
に、図1に設定された座標系のX方向から見たとき、受
光面30a以外の二対の対向面が平行をなす断面を有
し、受光面30aで分岐された図示しない光ディスクか
らの反射光を、その複屈折特性によって常光と異常光と
に分割する。
【0033】受光面30aと、プリズム30と透明基板
35との当接面30bのうち、集積回路基板40に設け
られた後述する受光素子としてのPD42を覆わない領
域には、受光面30aに入射される光ディスクからの反
射光を分岐する光分岐膜(以下、「BS膜」という)が
蒸着されており、光ディスクからの反射光の一部はその
BS膜を透過してPD41へ入射し、残りの光はプリズ
ム30内部に反射される。
35との当接面30bのうち、集積回路基板40に設け
られた後述する受光素子としてのPD42を覆わない領
域には、受光面30aに入射される光ディスクからの反
射光を分岐する光分岐膜(以下、「BS膜」という)が
蒸着されており、光ディスクからの反射光の一部はその
BS膜を透過してPD41へ入射し、残りの光はプリズ
ム30内部に反射される。
【0034】また図2(a)に示す当接面30bと対向
する平面30cには、受光面30aを透過してプリズム
30内部に入射された反射光を、透明基板35を介して
後述するPD42の受光領域で受光できるように、高反
射膜(以下、「HR膜」という)が蒸着されている。さ
らにプリズム30の背面側に形成された平面30dに
は、レーザダイオード21のフロントからの出力を検出
できるように、無反射膜(以下、「AR膜」という)が
蒸着されている。
する平面30cには、受光面30aを透過してプリズム
30内部に入射された反射光を、透明基板35を介して
後述するPD42の受光領域で受光できるように、高反
射膜(以下、「HR膜」という)が蒸着されている。さ
らにプリズム30の背面側に形成された平面30dに
は、レーザダイオード21のフロントからの出力を検出
できるように、無反射膜(以下、「AR膜」という)が
蒸着されている。
【0035】透明基板35は、好適には、高い熱伝導性
を有し、かつ、放熱性に優れた例えばサファイヤガラス
等で形成されている。透明基板35の上面には、図2
(b)からわかるように、レーザダイオード21からの
出射光が受光面30aに対して45°の角度で直交する
ように、フォトダイオード20およびプリズム30が所
定間隔をおいて配置されている。
を有し、かつ、放熱性に優れた例えばサファイヤガラス
等で形成されている。透明基板35の上面には、図2
(b)からわかるように、レーザダイオード21からの
出射光が受光面30aに対して45°の角度で直交する
ように、フォトダイオード20およびプリズム30が所
定間隔をおいて配置されている。
【0036】透明基板35は、図示しない光ディスクで
反射した反射光が受光面30aを透過してプリズム30
内に入射され、その入射光は、一部が当接面30b上の
BS膜を透過して透明基板35の裏面側35aに現れる
ようになっている。また透明基板35は、図1からわか
るように、集積回路基板40よりも小さく、プリズム3
0の両側面との連続面が形成されている。このような連
続面が形成されるのは、透明基板35をダイシングする
ときにプリズム30も同時にダイシングされるからであ
る。
反射した反射光が受光面30aを透過してプリズム30
内に入射され、その入射光は、一部が当接面30b上の
BS膜を透過して透明基板35の裏面側35aに現れる
ようになっている。また透明基板35は、図1からわか
るように、集積回路基板40よりも小さく、プリズム3
0の両側面との連続面が形成されている。このような連
続面が形成されるのは、透明基板35をダイシングする
ときにプリズム30も同時にダイシングされるからであ
る。
【0037】集積回路基板40は、既に述べたように、
図示しない光ディスクからの反射光を検出するPD4
1,PD42a,PD42bと、レーザのフロント端面
からの出力を直接モニタするPD43とを有する。また
光ディスクからの反射光は、プリズム30内に入射後、
常光と異常光の2光束に分かれ、徐々に分離が大きくな
りPD42a,PD42bの位置で別々に検出される。
なお、本光学装置10のPD41,PD42a,PD4
2bの検出領域における最も好適なスポット光の状態
は、図13(a)に示されている状態である。また集積
回路基板40上面には、図1からわかるように、長手方
向に沿う方向に、図示しないパッケージのリードにワイ
ヤボンディングされる複数のワイヤボンディングパッド
部44が形成されている。
図示しない光ディスクからの反射光を検出するPD4
1,PD42a,PD42bと、レーザのフロント端面
からの出力を直接モニタするPD43とを有する。また
光ディスクからの反射光は、プリズム30内に入射後、
常光と異常光の2光束に分かれ、徐々に分離が大きくな
りPD42a,PD42bの位置で別々に検出される。
なお、本光学装置10のPD41,PD42a,PD4
2bの検出領域における最も好適なスポット光の状態
は、図13(a)に示されている状態である。また集積
回路基板40上面には、図1からわかるように、長手方
向に沿う方向に、図示しないパッケージのリードにワイ
ヤボンディングされる複数のワイヤボンディングパッド
部44が形成されている。
【0038】PD41,PD42a,PD42bは、レ
ーザダイオード21から出射されたレーザ光のスポット
径およびそのスポット径の位置変化等を検出することが
でき、これにより、トラッキングエラー信号TE、フォ
ーカスエラー信号FE、および、図示しない光ディスク
に記録された情報信号RFを読み取ることができる。な
お、これらの信号の取り出しはそれぞれ周知の方法で行
われる。
ーザダイオード21から出射されたレーザ光のスポット
径およびそのスポット径の位置変化等を検出することが
でき、これにより、トラッキングエラー信号TE、フォ
ーカスエラー信号FE、および、図示しない光ディスク
に記録された情報信号RFを読み取ることができる。な
お、これらの信号の取り出しはそれぞれ周知の方法で行
われる。
【0039】上述した各信号の算出方法について、例え
ば図11に基づいて説明する。図11に示す2組の受光
素子141,142から得られた信号、即ち、信号a,
b,c,dおよび信号i,j,k,lを用いて、次式
(1)によってトラッキングエラー信号TEが、次式
(2)によってフォーカスエラー信号FEが、次式
(3)によって図示しない光ディスクに記録された情報
信号RFがそれぞれ算出される。
ば図11に基づいて説明する。図11に示す2組の受光
素子141,142から得られた信号、即ち、信号a,
b,c,dおよび信号i,j,k,lを用いて、次式
(1)によってトラッキングエラー信号TEが、次式
(2)によってフォーカスエラー信号FEが、次式
(3)によって図示しない光ディスクに記録された情報
信号RFがそれぞれ算出される。
【0040】 TE={(a+b)−(c+d)}+{(k+l)−(i+j)} … (1)
【0041】 FE={(a+d)−(b+c)}−{(i+l)−(j+k)} … (2)
【0042】 RF=a+b+c+d+i+j+k+l … (3)
【0043】つまり、光ディスクの上下動の振れによる
フォーカスエラー信号FEの検出は、スポット光のサイ
ズを検出することによって行われ、トラッキングエラー
信号TEの検出は、周知のプッシュプル法によって行わ
れ、また光ディスクに記録された情報信号RFの検出
は、スポットS1,S2の和によってそれぞれ検出され
ることになる。
フォーカスエラー信号FEの検出は、スポット光のサイ
ズを検出することによって行われ、トラッキングエラー
信号TEの検出は、周知のプッシュプル法によって行わ
れ、また光ディスクに記録された情報信号RFの検出
は、スポットS1,S2の和によってそれぞれ検出され
ることになる。
【0044】次に、レーザダイオード21から出射され
たレーザ光の光路について、図1および図2に基づいて
説明する。透明基板35上に載置されたレーザダイオー
ド21の発光点Pから出射されたレーザ光Lの一部は、
同じく透明基板35上に載置されたプリズム30のBS
膜が蒸着された受光面30aによって分岐される。分岐
された出射光の一部は、受光面30aを透過してプリズ
ム30の内部で導波され、受光面30aによって所定角
度だけその導波方向が屈折された後、プリズム30の内
部を通過しつつ拡散される。
たレーザ光の光路について、図1および図2に基づいて
説明する。透明基板35上に載置されたレーザダイオー
ド21の発光点Pから出射されたレーザ光Lの一部は、
同じく透明基板35上に載置されたプリズム30のBS
膜が蒸着された受光面30aによって分岐される。分岐
された出射光の一部は、受光面30aを透過してプリズ
ム30の内部で導波され、受光面30aによって所定角
度だけその導波方向が屈折された後、プリズム30の内
部を通過しつつ拡散される。
【0045】プリズム30内に導波されたレーザ光Lの
一部は、最終的にプリズム30の外部にAR膜を介して
導出される。導出されたレーザ光Lの一部は、レーザ出
力モニタ用PD43に入射し、外部のレーザドライバ回
路にフィードバックされ、レーザ出力の制御に使用され
る。
一部は、最終的にプリズム30の外部にAR膜を介して
導出される。導出されたレーザ光Lの一部は、レーザ出
力モニタ用PD43に入射し、外部のレーザドライバ回
路にフィードバックされ、レーザ出力の制御に使用され
る。
【0046】分岐された出射光の残りの一部は、受光面
30aによって図中上方に反射され、図示しない対物レ
ンズを介して一点に集光されて、図示しない光ディスク
の反射面に照射される。このとき、もし反射面にピット
が存在していれば、そのピットを介して反射されるレー
ザ光と光ディスクへの照射時のレーザ光との間に位相差
が生じ、反射光の光量が減少することになる。この光量
の差をPD41,PD42a,PD42bを用いて検出
することにより、光ディスクに記録された情報を読み取
ることが可能となる。また、それらの検出信号の演算に
よってトラッキング制御やフォーカス制御が行われる。
30aによって図中上方に反射され、図示しない対物レ
ンズを介して一点に集光されて、図示しない光ディスク
の反射面に照射される。このとき、もし反射面にピット
が存在していれば、そのピットを介して反射されるレー
ザ光と光ディスクへの照射時のレーザ光との間に位相差
が生じ、反射光の光量が減少することになる。この光量
の差をPD41,PD42a,PD42bを用いて検出
することにより、光ディスクに記録された情報を読み取
ることが可能となる。また、それらの検出信号の演算に
よってトラッキング制御やフォーカス制御が行われる。
【0047】光ディスクの反射面からの反射光は、再び
受光面30aに戻ってプリズム30内部に入射される。
この入射光は、プリズム30により常光および異常光の
2光束に分離され、PD42a,PD42bによってそ
の光量がそれぞれ検出される。この検出結果に基づい
て、光磁気信号が得られる。例えば、好適には、偏光の
回転がない状態で丁度常光と異常光の強度が等しくなる
ようにプリズム30が作製されていれば、光磁気信号
は、式(PD42aの検出結果)−(PD42bの検出
結果)で得られる。以上述べた光路を経て、レーザダイ
オード21からのレーザ光は、各PDの受光領域にそれ
ぞれ結合されることになる。
受光面30aに戻ってプリズム30内部に入射される。
この入射光は、プリズム30により常光および異常光の
2光束に分離され、PD42a,PD42bによってそ
の光量がそれぞれ検出される。この検出結果に基づい
て、光磁気信号が得られる。例えば、好適には、偏光の
回転がない状態で丁度常光と異常光の強度が等しくなる
ようにプリズム30が作製されていれば、光磁気信号
は、式(PD42aの検出結果)−(PD42bの検出
結果)で得られる。以上述べた光路を経て、レーザダイ
オード21からのレーザ光は、各PDの受光領域にそれ
ぞれ結合されることになる。
【0048】次に、本光学装置1の製造方法について図
1〜図5に基づいて説明する。図3は、図1に示す光学
装置の製造方法を示すフローチャート、図4は、図1に
示す光学装置に使用されるフォトダイオードおよびプリ
ズムを透明基板上に取り付ける様子を説明するための
図、図5は、フォトダイオードおよびプリズムが取り付
けられた透明基板を集積回路基板に取り付ける様子を説
明するための図である。
1〜図5に基づいて説明する。図3は、図1に示す光学
装置の製造方法を示すフローチャート、図4は、図1に
示す光学装置に使用されるフォトダイオードおよびプリ
ズムを透明基板上に取り付ける様子を説明するための
図、図5は、フォトダイオードおよびプリズムが取り付
けられた透明基板を集積回路基板に取り付ける様子を説
明するための図である。
【0049】最初に、図3および図4に示すように、ウ
ェハ内に複数形成された透明基板35に対して、それぞ
れフォトダイオード20とプリズム30を取り付け、銀
ペーストやUV樹脂等の接着剤を用いて固定する。この
ときに取り付けられるプリズム30は、受光面30a方
向に延長した長棒状をしており、複数の透明基板35に
わたって配置される(ST1)。なお、このようなプリ
ズム30を使用する理由としては、受光面30aをフォ
トダイオード20に対する受光面30aの角度を均一か
つ高精度に維持するためであり、これにより各透明基板
35毎に受光面30aがばらつくという不都合が解消さ
れる。
ェハ内に複数形成された透明基板35に対して、それぞ
れフォトダイオード20とプリズム30を取り付け、銀
ペーストやUV樹脂等の接着剤を用いて固定する。この
ときに取り付けられるプリズム30は、受光面30a方
向に延長した長棒状をしており、複数の透明基板35に
わたって配置される(ST1)。なお、このようなプリ
ズム30を使用する理由としては、受光面30aをフォ
トダイオード20に対する受光面30aの角度を均一か
つ高精度に維持するためであり、これにより各透明基板
35毎に受光面30aがばらつくという不都合が解消さ
れる。
【0050】フォトダイオード20およびプリズム30
が取り付けられた後、透明基板ウェハ上に形成された分
割線に沿って、フォトダイオード20およびプリズム3
0が載置された各透明基板35を一つの光学ブロックと
して、各光学ブロック毎にダイシングされる。このと
き、透明基板35のダイシングと同時に上述した長棒状
のプリズム30もダイシングされる(ST2)。
が取り付けられた後、透明基板ウェハ上に形成された分
割線に沿って、フォトダイオード20およびプリズム3
0が載置された各透明基板35を一つの光学ブロックと
して、各光学ブロック毎にダイシングされる。このと
き、透明基板35のダイシングと同時に上述した長棒状
のプリズム30もダイシングされる(ST2)。
【0051】透明基板35およびプリズム30のダイシ
ング完了後、各透明基板35にフォトダイオード20お
よびプリズム30が配置された状態で、フォトダイオー
ド20およびプリズム30の位置関係、発光点Pの座標
(X,Y,Z)、プリズム高さ、マウントあおり角度θ
および透明基板35の厚さ等複数のパラメータが計測さ
れる。この計測結果に基づく光路計算によって、発光点
Pからレーザ光が発光されたときに透明基板35の下面
に表出される各スポット光位置が算出される(ST
3)。
ング完了後、各透明基板35にフォトダイオード20お
よびプリズム30が配置された状態で、フォトダイオー
ド20およびプリズム30の位置関係、発光点Pの座標
(X,Y,Z)、プリズム高さ、マウントあおり角度θ
および透明基板35の厚さ等複数のパラメータが計測さ
れる。この計測結果に基づく光路計算によって、発光点
Pからレーザ光が発光されたときに透明基板35の下面
に表出される各スポット光位置が算出される(ST
3)。
【0052】各スポット光位置が算出された後、その各
スポット光位置が図5に示すPD41,PD42a,P
D42bの図示しない各受光領域内に収容されるよう
に、フォトダイオード20およびプリズム30が取り付
けられた透明基板35を、半導体ウェハ状に複数形成さ
れた集積回路基板40に取り付け、UV樹脂等の接着剤
で固定する(ST4)。最後に半導体ウェハを各集積回
路基板40毎にダイシングすると(ST5)、光学装置
10が作製される。
スポット光位置が図5に示すPD41,PD42a,P
D42bの図示しない各受光領域内に収容されるよう
に、フォトダイオード20およびプリズム30が取り付
けられた透明基板35を、半導体ウェハ状に複数形成さ
れた集積回路基板40に取り付け、UV樹脂等の接着剤
で固定する(ST4)。最後に半導体ウェハを各集積回
路基板40毎にダイシングすると(ST5)、光学装置
10が作製される。
【0053】本実施の形態では、透明基板35として例
えばサファイヤガラスを使用したが、これに換えてガラ
ス基板やダイヤモンド基板等を使用しても良い。なお、
プリズム内に入射した入射光を減光させたり拡散させた
りすることなく各受光素子に伝達させるような材質であ
れば、透明基板35に何を用いても構わない。また、レ
ーザダイオード21は、放出する光の量を直接変調する
ことができ、単位体積当たりの放出光量が大きいという
メリットがあるが、発光時の発熱量が比較的大きいの
で、この点においては熱伝導効率が高く放熱性の良い材
料の方が都合がよい。
えばサファイヤガラスを使用したが、これに換えてガラ
ス基板やダイヤモンド基板等を使用しても良い。なお、
プリズム内に入射した入射光を減光させたり拡散させた
りすることなく各受光素子に伝達させるような材質であ
れば、透明基板35に何を用いても構わない。また、レ
ーザダイオード21は、放出する光の量を直接変調する
ことができ、単位体積当たりの放出光量が大きいという
メリットがあるが、発光時の発熱量が比較的大きいの
で、この点においては熱伝導効率が高く放熱性の良い材
料の方が都合がよい。
【0054】本実施の形態では、プリズム30と透明基
板35との当接面30bの一部にBS膜が設けられてい
るが、BS膜はその領域に限定されない。例えば透明基
板35と集積回路基板40との当接面のうち、透明基板
35の裏面側の受光素子41の近傍領域に設けてもよ
い。
板35との当接面30bの一部にBS膜が設けられてい
るが、BS膜はその領域に限定されない。例えば透明基
板35と集積回路基板40との当接面のうち、透明基板
35の裏面側の受光素子41の近傍領域に設けてもよ
い。
【0055】本実施の形態では、光磁気信号対応型の光
学装置10について説明したが、図6に示すように、図
示しない光ディスクからの反射光を直接受光する受光素
子41が分割され、それにより反射光の位相差検出(D
PD)を行うDPD法対応型光学装置にも全く同様に対
応できる。また、1つの集積回路基板40上に取り付け
られる光学ブロックは、1つに限定されない。つまり、
図7に示すように、1つの集積回路基板40上に複数の
光学ブロックを載置してもよい。さらに、複数の光学ブ
ロックの透明基板35を1枚に共通化して、1つの集積
回路基板40上に取り付ける構成としてもよい。このよ
うな場合、図7に示すように、フォトダイオード20や
プリズム30の種類がそれぞれ異なるものを使用しても
よい。
学装置10について説明したが、図6に示すように、図
示しない光ディスクからの反射光を直接受光する受光素
子41が分割され、それにより反射光の位相差検出(D
PD)を行うDPD法対応型光学装置にも全く同様に対
応できる。また、1つの集積回路基板40上に取り付け
られる光学ブロックは、1つに限定されない。つまり、
図7に示すように、1つの集積回路基板40上に複数の
光学ブロックを載置してもよい。さらに、複数の光学ブ
ロックの透明基板35を1枚に共通化して、1つの集積
回路基板40上に取り付ける構成としてもよい。このよ
うな場合、図7に示すように、フォトダイオード20や
プリズム30の種類がそれぞれ異なるものを使用しても
よい。
【0056】以上説明したように本実施の形態の光学装
置10によれば、フォトダイオード20およびプリズム
30を透明基板35上に載置した光学ブロックを設けた
ので、光学ブロックの状態で発光点等を含む種々のパラ
メータの計測が容易にでき、その計測結果から透明基板
35を透過する透過光の各スポット光位置を算出でき
る。したがって、その算出された各スポット光位置を集
積回路基板40に設けられたPD41,PD42a,P
D42bの受光領域内に結合させるように、透明基板3
5を集積回路基板40に取り付けることが可能となり、
高精度の位置決めが可能となる。
置10によれば、フォトダイオード20およびプリズム
30を透明基板35上に載置した光学ブロックを設けた
ので、光学ブロックの状態で発光点等を含む種々のパラ
メータの計測が容易にでき、その計測結果から透明基板
35を透過する透過光の各スポット光位置を算出でき
る。したがって、その算出された各スポット光位置を集
積回路基板40に設けられたPD41,PD42a,P
D42bの受光領域内に結合させるように、透明基板3
5を集積回路基板40に取り付けることが可能となり、
高精度の位置決めが可能となる。
【0057】また本実施の形態の光学装置10によれ
ば、プリズム30が透明基板35のダイシング時に同時
に切り分けられ、そのため、フォトダイオード20に対
する受光面30aの角度を均一かつ高精度に維持するこ
とができるという効果のみならず、プリズム30が効率
よく使用でき、製造コストが安価に抑えられる。さら
に、ワイヤボンディングパッド部44の位置が、例えば
図1に示すように集積回路基板40の中央部近傍に配列
できるから、ワイヤボンディング作業が容易になり、組
み立て作業の作業効率が向上する。
ば、プリズム30が透明基板35のダイシング時に同時
に切り分けられ、そのため、フォトダイオード20に対
する受光面30aの角度を均一かつ高精度に維持するこ
とができるという効果のみならず、プリズム30が効率
よく使用でき、製造コストが安価に抑えられる。さら
に、ワイヤボンディングパッド部44の位置が、例えば
図1に示すように集積回路基板40の中央部近傍に配列
できるから、ワイヤボンディング作業が容易になり、組
み立て作業の作業効率が向上する。
【0058】また本実施の形態の光学装置10によれ
ば、透明基板35に回路を構成する必要がないため、透
明基板35を極力小さく設定することができ、コンパク
トな光学装置10を実現できる。
ば、透明基板35に回路を構成する必要がないため、透
明基板35を極力小さく設定することができ、コンパク
トな光学装置10を実現できる。
【0059】また本実施の形態の光学装置によれば、1
つの集積回路基板40上に複数の光学ブロックを載置す
る場合、プリズム30の各平面に設けられるの膜設定が
各光学ブロック毎に独立して設定できるため、光学系と
して最適なプリズム30を構成することができる。
つの集積回路基板40上に複数の光学ブロックを載置す
る場合、プリズム30の各平面に設けられるの膜設定が
各光学ブロック毎に独立して設定できるため、光学系と
して最適なプリズム30を構成することができる。
【0060】さらに本実施の形態の光学装置によれば、
透明基板35をサファイヤ基板で構成したので、熱伝導
効率が高く、放熱性の高い光学装置10を実現できる。
透明基板35をサファイヤ基板で構成したので、熱伝導
効率が高く、放熱性の高い光学装置10を実現できる。
【0061】
【発明の効果】本発明の光学装置によれば、受光素子の
受光領域に第1の基台を透過する透過光を正確に結合さ
せることができるという利点がある。また本発明の光学
装置に製造方法によれば、上述した利点を有する光学装
置を安価でかつ容易に製造できる。
受光領域に第1の基台を透過する透過光を正確に結合さ
せることができるという利点がある。また本発明の光学
装置に製造方法によれば、上述した利点を有する光学装
置を安価でかつ容易に製造できる。
【図1】本発明に係る光学装置の実施の形態を示す斜視
図である。
図である。
【図2】(a)は、図1に示す光学装置の複屈折性プリ
ズムを説明するための図、(b)は、図1に示す光学装
置の光学ブロックおよび集積回路基板を説明するための
図である。
ズムを説明するための図、(b)は、図1に示す光学装
置の光学ブロックおよび集積回路基板を説明するための
図である。
【図3】図1に示す光学装置の製造方法を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図4】図1に示す光学装置に使用されるフォトダイオ
ードおよびプリズムを透明基板上に取り付ける様子を説
明するための図である。
ードおよびプリズムを透明基板上に取り付ける様子を説
明するための図である。
【図5】フォトダイオードおよびプリズムが取り付けら
れた透明基板を集積回路基板に取り付ける様子を説明す
るための図である。
れた透明基板を集積回路基板に取り付ける様子を説明す
るための図である。
【図6】DPD法対応型光学装置を示す斜視図である。
【図7】1つの集積回路基板上に2つの光学ブロックを
載置した状態を説明するための斜視図である。
載置した状態を説明するための斜視図である。
【図8】レーザカプラを示す斜視図である。
【図9】(a)は、従来の光学装置の側面図、図9
(b)は、図9(a)に示す光学装置の上面図である。
(b)は、図9(a)に示す光学装置の上面図である。
【図10】図9に示す光学装置の斜視図である。
【図11】図9に示す光学装置に使用されている受光素
子を説明するための図である。
子を説明するための図である。
【図12】光磁気信号対応型光学装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図13】図12に示す光学装置に使用されている受光
素子を説明するための図である。
素子を説明するための図である。
【図14】DPD法対応型光学装置を示す斜視図であ
る。
る。
【図15】図14に示す光学装置に使用されている受光
素子を説明するための図である。
素子を説明するための図である。
10,110…光学装置、20,120…フォトダイオ
ード、21,121…レーザダイオード、23…PIN
ダイオード、30,130…プリズム、30a,130
a…受光面、35,135…透明基板、40,140…
集積回路基板(PD−IC)、41,42a,42b…
受光素子(PD)、43…レーザ出力モニタ用受光素子
(PD)、44…ワイヤボンディングパッド部、100
…レーザカプラ
ード、21,121…レーザダイオード、23…PIN
ダイオード、30,130…プリズム、30a,130
a…受光面、35,135…透明基板、40,140…
集積回路基板(PD−IC)、41,42a,42b…
受光素子(PD)、43…レーザ出力モニタ用受光素子
(PD)、44…ワイヤボンディングパッド部、100
…レーザカプラ
Claims (24)
- 【請求項1】少なくとも一部が光透過性を有する第1の
基台と、 前記第1の基台上に載置された少なくとも一つの発光素
子と、 前記第1の基台上に、前記発光素子と所定間隔をおいて
載置され、当該発光素子の出射光の少なくとも一部を分
岐させて被照射体に照射し、当該被照射体からの反射光
を前記第1の基台を透過するように導波する光分岐手段
と、 受光素子を有し、前記第1の基台の透過光が当該受光素
子の受光領域内に結合されるように、当該第1の基台が
取り付けられた第2の基台とを有する光学装置。 - 【請求項2】前記光分岐手段は、分光器であり、 前記分光器には、前記発光素子の出射光を分岐させ、前
記被照射体からの反射光を導波する光分岐面が形成され
ている請求項1記載の光学装置。 - 【請求項3】前記分光器は、複屈折性分光器であり、 前記複屈折性分光器と第1の基台との当接面または前記
第1の基台と第2の基台との当接面のうちいずれかの当
接面には、前記複屈折性分光器の内部に導波されている
前記被照射体からの反射光を、一部透過し、残りを反射
させる分岐膜が設けられ、 前記第2の基台には、前記複屈折性分光器によって分離
された常光と異常光とを検出する少なくとも2つの受光
素子が設けられている請求項2記載の光学装置。 - 【請求項4】前記分光器には、前記第1の基台に形成さ
れた一対の対向面との連続面が形成されている請求項2
記載の光学装置。 - 【請求項5】前記第1の基台には、複数の発光素子と、
各発光素子に対応して設けられた複数の光分岐手段とが
それぞれ載置されており、 前記第2の基台には、前記第1の基台を透過した各透過
光が結合する複数の受光素子が設けられている請求項1
記載の光学装置。 - 【請求項6】前記第1の基台は、高熱伝導性材料からな
る請求項1記載の光学装置。 - 【請求項7】前記第2の基台は、複数の受光素子を有
し、 前記第2の基台には、複数の発光素子と、各発光素子に
対応して設けられた複数の光分岐手段とがそれぞれ載置
された複数の第1の基台が、前記各第1の基台を透過し
た各透過光が前記複数の受光素子のそれぞれに結合され
るように取り付けられている請求項1記載の光学装置。 - 【請求項8】前記複数の第1の基台には、それぞれ発光
波長の異なる発光素子が載置されている請求項7記載の
光学装置。 - 【請求項9】前記複数の第1の基台には、それぞれ出力
強度の異なる発光素子が載置されている請求項7記載の
光学装置。 - 【請求項10】前記複数の第1の基台には、それぞれ導
波特性の異なる光分岐手段が載置されている請求項7記
載の光学装置。 - 【請求項11】光ディスクに照射した光の反射光量を検
出して前記ディスクに記録された情報を読み取る光学装
置であって、 少なくとも一部が光透過性を有する第1の基台と、 前記第1の基台上に載置された少なくとも一つの発光素
子と、 前記第1の基台上に、前記発光素子と所定間隔をおいて
載置され、当該発光素子の出射光の少なくとも一部を分
岐させて前記光ディスクに照射し、当該光ディスクから
の反射光を前記第1の基台を透過するように導波する光
分岐手段と、 受光素子を有し、前記第1の基台の透過光が当該受光素
子の受光領域内に結合されるように、当該第1の基台が
取り付けられた第2の基台とを有する光学装置。 - 【請求項12】前記光分岐手段は、分光器であり、 前記分光器には、前記発光素子の出射光を分岐させ、前
記光ディスクからの反射光を導波する光分岐面が形成さ
れている請求項10記載の光学装置。 - 【請求項13】前記分光器は、複屈折性分光器であり、 前記複屈折性分光器と第1の基台との当接面または前記
第1の基台と第2の基台との当接面のうちいずれかの当
接面には、前記複屈折性分光器の内部に導波されている
前記光ディスクからの反射光を、一部透過し、残りを反
射させる分岐膜が設けられ、 前記第2の基台には、前記複屈折性分光器によって分離
された常光と異常光とを検出する少なくとも2つの受光
素子が設けられている請求項12記載の光学装置。 - 【請求項14】前記分光器には、前記第1の基台に形成
された一対の対向面との連続面が形成されている請求項
12記載の光学装置。 - 【請求項15】前記第1の基台には、複数の発光素子
と、各発光素子に対応して設けられた複数の光分岐手段
とがそれぞれ載置されており、 前記第2の基台には、前記第1の基台を透過した各透過
光が結合する複数の受光素子が設けられている請求項1
0記載の光学装置。 - 【請求項16】前記第1の基台は、高熱伝導性材料から
なる請求項10記載の光学装置。 - 【請求項17】前記第2の基台は、複数の受光素子を有
し、 前記第2の基台には、複数の発光素子と、各発光素子に
対応して設けられた複数の光分岐手段とがそれぞれ載置
された複数の第1の基台が、前記各第1の基台を透過し
た各透過光が前記複数の受光素子のそれぞれに結合され
るように取り付けられている請求項10記載の光学装
置。 - 【請求項18】前記複数の第1の基台には、それぞれ発
光波長の異なる発光素子が載置されている請求項17記
載の光学装置。 - 【請求項19】前記複数の第1の基台には、それぞれ出
力強度の異なる発光素子が載置されている請求項17記
載の光学装置。 - 【請求項20】前記複数の第1の基台には、それぞれ導
波特性の異なる光分岐手段が載置されている請求項17
記載の光学装置。 - 【請求項21】少なくとも一の発光素子と、前記発光素
子の出射光の少なくとも一部を分岐させて被照射体に照
射し、当該被照射体からの反射光を第1の基台を透過す
るように導波する光分岐手段とを、少なくとも一部が光
透過性を有する前記第1の基台上に載置する工程と、 前記第1の基台上に載置された発光素子および光分岐手
段の配置状態を計測して、前記第1の基台における当該
透過光の透過位置を算出する工程と、 前記算出結果に基づいて、前記透過光の透過位置が第2
の基台に設けられた受光素子の受光領域内に結合される
ように、前記第1の基台を前記第2の基台上に取り付け
る工程とを有する光学装置の製造方法。 - 【請求項22】ウェハに複数形成された前記第1の基台
上に前記発光素子および光分岐手段をそれぞれ載置した
後、前記各第1の基台を光学ブロックとして各ブロック
毎に切り分ける工程を有する請求項21記載の光学装置
の製造方法。 - 【請求項23】前記光分岐手段は、複数の光学ブロック
にわたって載置されており、 前記各光学ブロックを切り分けるときに同時に切り分け
られる請求項22記載の光学装置の製造方法。 - 【請求項24】ウェハに複数形成された前記第2の基台
上に前記光学ブロックをそれぞれ載置した後、前記第2
の基台を各基台毎に切り分ける工程を有する請求項22
記載の光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102928A JPH11296894A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 光学装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10102928A JPH11296894A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 光学装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296894A true JPH11296894A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14340514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10102928A Pending JPH11296894A (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 光学装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11296894A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7011248B2 (en) * | 2002-10-02 | 2006-03-14 | Pwb -Ruhlatec Industrieprodukte Gmbh | Encoder arrangement |
| JP2008027546A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Sony Corp | 複合光学素子及び光学式信号読取装置 |
-
1998
- 1998-04-14 JP JP10102928A patent/JPH11296894A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7011248B2 (en) * | 2002-10-02 | 2006-03-14 | Pwb -Ruhlatec Industrieprodukte Gmbh | Encoder arrangement |
| JP2008027546A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Sony Corp | 複合光学素子及び光学式信号読取装置 |
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