JPH11296918A - 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体用スタンパの製造方法Info
- Publication number
- JPH11296918A JPH11296918A JP10095779A JP9577998A JPH11296918A JP H11296918 A JPH11296918 A JP H11296918A JP 10095779 A JP10095779 A JP 10095779A JP 9577998 A JP9577998 A JP 9577998A JP H11296918 A JPH11296918 A JP H11296918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- stamper
- water
- soluble resin
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 露光スポットのビーム径よりも細かい溝を均
一に形成した光情報記録媒体用スタンパを作製するこ
と。 【解決手段】 ガラス基板（原盤）１上のフォトレジス
ト層３に露光して現像を行う光情報記録媒体用スタンパ
の製造方法において、ガラス基板（原盤）１とフオトレ
ジスト層３との間に、膜厚がスタンパ表面に形成される
溝深さと等しい水溶性樹脂層２を設け、原盤露光によっ
てフォトレジスト層３に微細パタンを形成し、このフォ
トレジスト層をマスクとしてその下層である水溶性樹脂
層２をエッチングして、下層（水溶性樹脂層２）に微細
パタンを形成し、その後フォトレジスト層３を除去して
微細パタンを有するガラス原盤を作成する。
一に形成した光情報記録媒体用スタンパを作製するこ
と。 【解決手段】 ガラス基板（原盤）１上のフォトレジス
ト層３に露光して現像を行う光情報記録媒体用スタンパ
の製造方法において、ガラス基板（原盤）１とフオトレ
ジスト層３との間に、膜厚がスタンパ表面に形成される
溝深さと等しい水溶性樹脂層２を設け、原盤露光によっ
てフォトレジスト層３に微細パタンを形成し、このフォ
トレジスト層をマスクとしてその下層である水溶性樹脂
層２をエッチングして、下層（水溶性樹脂層２）に微細
パタンを形成し、その後フォトレジスト層３を除去して
微細パタンを有するガラス原盤を作成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体プロセスに
おける微細パタン形成方法に関し、特に、光情報記録媒
体用スタンパの製造方法に関するものである。
おける微細パタン形成方法に関し、特に、光情報記録媒
体用スタンパの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的にフォトレジストは、露光による
架橋反応と熱架橋反応により潜像が形成されるため、ビ
ームスポット径よりも１割〜２割程度、開口部の溝幅
（台形形状の長い辺：Ｗｔｏｐ）は広くなる。また、集
光ビームの光強度分布がガウス分布であるため、フォト
レジストに形成された溝は台形形状となる（図６，図８
〜図１０参照）。台形溝の問題点は、トラックピッチが
狭くなると、溝の開口部が隣接トラック間で干渉しあ
い、溝と溝の間の平坦部分（ランド）の高さが減少し、
溝の深さのフォトレジストの膜厚で制御できなくなる点
である。また、ランドが平坦でないスタンパから作成さ
れた光情報記録媒体の記録特性が低下する問題（隣接ト
ラックからのクロストーク信号が増加し、特にジッタ特
性が低下する）がある。このために、トラックピッチが
狭い大容量の光情報記録媒体用スタンパでは、溝幅が狭
く、溝断面が矩形である必要がある。フォトレジストに
形成する溝を狭くするためには、露光ビームの波長を短
く、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすればよいが、露
光時の焦点深度が小さくなるため、溝形状の変動が懸念
される。そこで、短波長と高ＮＡにせずとも、露光ビー
ムスポット以下の細い溝断面が得られるフォトリソグラ
フィ技術が必要となる。露光ビームスポット径以下の溝
形成を可能にする従来技術として、（１）光退色性樹脂
によるコントラスト増強，（２）超解像素子によるビー
ムスポット径の小径化，（３）上層のレジストマスクパ
タンを利用て下層をエッチングする方法がある。
架橋反応と熱架橋反応により潜像が形成されるため、ビ
ームスポット径よりも１割〜２割程度、開口部の溝幅
（台形形状の長い辺：Ｗｔｏｐ）は広くなる。また、集
光ビームの光強度分布がガウス分布であるため、フォト
レジストに形成された溝は台形形状となる（図６，図８
〜図１０参照）。台形溝の問題点は、トラックピッチが
狭くなると、溝の開口部が隣接トラック間で干渉しあ
い、溝と溝の間の平坦部分（ランド）の高さが減少し、
溝の深さのフォトレジストの膜厚で制御できなくなる点
である。また、ランドが平坦でないスタンパから作成さ
れた光情報記録媒体の記録特性が低下する問題（隣接ト
ラックからのクロストーク信号が増加し、特にジッタ特
性が低下する）がある。このために、トラックピッチが
狭い大容量の光情報記録媒体用スタンパでは、溝幅が狭
く、溝断面が矩形である必要がある。フォトレジストに
形成する溝を狭くするためには、露光ビームの波長を短
く、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすればよいが、露
光時の焦点深度が小さくなるため、溝形状の変動が懸念
される。そこで、短波長と高ＮＡにせずとも、露光ビー
ムスポット以下の細い溝断面が得られるフォトリソグラ
フィ技術が必要となる。露光ビームスポット径以下の溝
形成を可能にする従来技術として、（１）光退色性樹脂
によるコントラスト増強，（２）超解像素子によるビー
ムスポット径の小径化，（３）上層のレジストマスクパ
タンを利用て下層をエッチングする方法がある。
【０００３】前記（１）の代表例としては、特開平７−
２８７８７４号公報に記載された「光ディスク原盤の製
造方法」がある。この技術は、フォトレジスト上に光退
色性樹脂層を形成し、フォトクロミック効果によりフォ
トリソレジストに集光する実行ビームスポット径を２／
３〜１／２に小さくできるものである。前記（２）の代
表例としては、特開平６−２４３５１２号公報に記載さ
れた「光ディスク用原盤の作製法」がある。この技術
は、超解像素子を光路中に挿入して、ビームスポット径
の小径化をするものである。超解像素子の回折の影響で
サイドローブが発生するため、光退色性樹脂と組み合わ
せて用いられる。前記（３）の代表例としては、特開平
９−１０６５８４号公報に記載された「光ディスク用記
録原盤の製造方法」がある。この技術は、フォトレジス
トに形成されるパタンは断面が台形になることを利用
し、このレジストパタンをマスクとしてレジストの下に
形成された中間層をエッチングし、さらに、この中間層
をマスクとして下層をエッチングすることで、ビームス
ポット径（レジストの溝パタン）よりも細く、断面の垂
直性が高い溝形成が可能になるものである。
２８７８７４号公報に記載された「光ディスク原盤の製
造方法」がある。この技術は、フォトレジスト上に光退
色性樹脂層を形成し、フォトクロミック効果によりフォ
トリソレジストに集光する実行ビームスポット径を２／
３〜１／２に小さくできるものである。前記（２）の代
表例としては、特開平６−２４３５１２号公報に記載さ
れた「光ディスク用原盤の作製法」がある。この技術
は、超解像素子を光路中に挿入して、ビームスポット径
の小径化をするものである。超解像素子の回折の影響で
サイドローブが発生するため、光退色性樹脂と組み合わ
せて用いられる。前記（３）の代表例としては、特開平
９−１０６５８４号公報に記載された「光ディスク用記
録原盤の製造方法」がある。この技術は、フォトレジス
トに形成されるパタンは断面が台形になることを利用
し、このレジストパタンをマスクとしてレジストの下に
形成された中間層をエッチングし、さらに、この中間層
をマスクとして下層をエッチングすることで、ビームス
ポット径（レジストの溝パタン）よりも細く、断面の垂
直性が高い溝形成が可能になるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術（１）に
ついては、光退色性樹脂層によるコントラスト増強効果
で、フォトレジスト面に集光するビームスポット径を約
５０％まで小さくすることができる。しかし、フォトレ
ジスト面に透過する光量は１／１０に低下する問題があ
る（特開平７−２８７８７４号公報，Ｐ３
ついては、光退色性樹脂層によるコントラスト増強効果
で、フォトレジスト面に集光するビームスポット径を約
５０％まで小さくすることができる。しかし、フォトレ
ジスト面に透過する光量は１／１０に低下する問題があ
る（特開平７−２８７８７４号公報，Ｐ３
【００２５】と
【００２７】参照）。そこで、露光ビームの光量を上げ
るために、大型の高出力レーザ光源が必要となる。この
結果、レーザのランニングコストが高くなってしまう。
また、原盤露光時間短縮のために露光線速度（ＣＬＶ）
を高めるためにはさらに光量を増やす必要がある。この
場合、光量不足の問題が出てくるため、タクトアップに
も限界が生じる。
るために、大型の高出力レーザ光源が必要となる。この
結果、レーザのランニングコストが高くなってしまう。
また、原盤露光時間短縮のために露光線速度（ＣＬＶ）
を高めるためにはさらに光量を増やす必要がある。この
場合、光量不足の問題が出てくるため、タクトアップに
も限界が生じる。
【０００５】前記従来技術（２）においては、超解像素
子を光路に挿入することで露光ビーム径を小さくするこ
とができるが、超解像素子でも、光量が１／２程度損失
する（特開平６−２４３５１２号公報，Ｐ４
子を光路に挿入することで露光ビーム径を小さくするこ
とができるが、超解像素子でも、光量が１／２程度損失
する（特開平６−２４３５１２号公報，Ｐ４
【００１８】参照）。超解像素子によるサイドローブの
影響を除去するために、光退色性樹脂層によるコントラ
スト増強が必要になる。このために、前記従来技術
（１）におけるよりもさらに光量不足の問題が生じる。
影響を除去するために、光退色性樹脂層によるコントラ
スト増強が必要になる。このために、前記従来技術
（１）におけるよりもさらに光量不足の問題が生じる。
【０００６】前記従来技術（３）においては、フォトレ
ジスト層或いは中間層をマスクとして利用する従来法
（特開平９−１０６５８４号公報）では、原盤がエッチ
ング材（下層）／ＳｉＯ2（中間層）／フォトレジスト
（上層）の３層で構成されている。中間層をマスク層と
して、下層をエッチングし、この下層（エッチング層）
の溝パタンをスタンパとして使用する。この結果、単層
のフォトレジスト膜を用いて溝形成する方法により、中
間層と下層を成膜する工程と、中間層と下層をエッチン
グする工程が増えるため、工程内で付着する欠陥の増加
で歩留まり低下や工数増加によるコストアップの問題が
生じる。また、溝形成された下層表面を導電皮膜処理し
ニッケル電鋳してスタンパを作製する場合、スタンパ表
面に残留付着したエッチング層を除去する必要がある。
除去には下層をエッチングする方法と同じ手段を用いる
が、この際スタンパ表面にダメージを与え、記録再生時
のノズルレベルが上昇する問題が発生する。
ジスト層或いは中間層をマスクとして利用する従来法
（特開平９−１０６５８４号公報）では、原盤がエッチ
ング材（下層）／ＳｉＯ2（中間層）／フォトレジスト
（上層）の３層で構成されている。中間層をマスク層と
して、下層をエッチングし、この下層（エッチング層）
の溝パタンをスタンパとして使用する。この結果、単層
のフォトレジスト膜を用いて溝形成する方法により、中
間層と下層を成膜する工程と、中間層と下層をエッチン
グする工程が増えるため、工程内で付着する欠陥の増加
で歩留まり低下や工数増加によるコストアップの問題が
生じる。また、溝形成された下層表面を導電皮膜処理し
ニッケル電鋳してスタンパを作製する場合、スタンパ表
面に残留付着したエッチング層を除去する必要がある。
除去には下層をエッチングする方法と同じ手段を用いる
が、この際スタンパ表面にダメージを与え、記録再生時
のノズルレベルが上昇する問題が発生する。
【０００７】本発明は上記の問題を解決すべくなされた
ものであって、各請求項に係る発明の目的は以下のとお
りである。請求項１に係る発明の目的は、露光スポット
のビーム径よりも細かい溝形成を可能にする方法を提供
することである。請求項２に係る発明の目的は、請求項
１のスタンパ製造工程において、下層に均一に溝形成で
きる方法を提供することである。請求項３，４，５に係
る発明の目的は、請求項１のスタンパ製造工程におい
て、マスク層であるフォトレジスト層に、均一に溝形成
できる方法を提供することである。請求項６に係る発明
の目的は、請求項１のスタンパ製造工程において、スタ
ンパ表面に残留付着した水溶性樹脂層を除去する際、ス
タンパにダメージを与えることなく、均一に除去する方
法を提供することである。請求項７及び８に係る発明の
目的は、請求項１のスタンパ製造工程において、露光ス
ポットのビーム径よりも細かい溝形成にあたり、その溝
幅を制御できる方法を提供することである。
ものであって、各請求項に係る発明の目的は以下のとお
りである。請求項１に係る発明の目的は、露光スポット
のビーム径よりも細かい溝形成を可能にする方法を提供
することである。請求項２に係る発明の目的は、請求項
１のスタンパ製造工程において、下層に均一に溝形成で
きる方法を提供することである。請求項３，４，５に係
る発明の目的は、請求項１のスタンパ製造工程におい
て、マスク層であるフォトレジスト層に、均一に溝形成
できる方法を提供することである。請求項６に係る発明
の目的は、請求項１のスタンパ製造工程において、スタ
ンパ表面に残留付着した水溶性樹脂層を除去する際、ス
タンパにダメージを与えることなく、均一に除去する方
法を提供することである。請求項７及び８に係る発明の
目的は、請求項１のスタンパ製造工程において、露光ス
ポットのビーム径よりも細かい溝形成にあたり、その溝
幅を制御できる方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、ガラ
ス基板上のフォトレジスト膜へ光ビームにより所定の溝
パタンを露光し、前記露光済フォトレジスト膜から所定
の溝パタンを作製してガラス原盤とし、該ガラス原盤の
表面に導電皮膜を形成し、該導電皮膜をニッケル電鋳し
てフォトレジストの溝パタンと凹凸が逆転した溝パタン
を有するニッケル板を作製する、光情報記録媒体用のス
タンパの製造方法において、前記ガラス基板と前記フオ
トレジスト層の間に、膜厚がスタンパ表面に形成される
溝深さと同じである露光により反応しない水溶性樹脂層
を設け、前記露光によって形成された前記フォトレジス
ト層の微細パタンをマスクとして、下層である前記水溶
性樹脂層をエッチングして微細パタンを形成し、その後
前記フォトレジスト層を除去して微細パタンを有するガ
ラス原盤を作成するスタンパの製造方法である。
ス基板上のフォトレジスト膜へ光ビームにより所定の溝
パタンを露光し、前記露光済フォトレジスト膜から所定
の溝パタンを作製してガラス原盤とし、該ガラス原盤の
表面に導電皮膜を形成し、該導電皮膜をニッケル電鋳し
てフォトレジストの溝パタンと凹凸が逆転した溝パタン
を有するニッケル板を作製する、光情報記録媒体用のス
タンパの製造方法において、前記ガラス基板と前記フオ
トレジスト層の間に、膜厚がスタンパ表面に形成される
溝深さと同じである露光により反応しない水溶性樹脂層
を設け、前記露光によって形成された前記フォトレジス
ト層の微細パタンをマスクとして、下層である前記水溶
性樹脂層をエッチングして微細パタンを形成し、その後
前記フォトレジスト層を除去して微細パタンを有するガ
ラス原盤を作成するスタンパの製造方法である。
【０００９】請求項２の発明は、請求項１に記載された
スタンパの製造方法において、前記水溶性樹脂層の材料
は、ポリビニルアルコール，メチルセルロース，もしく
はポリビニルピロドリンから選ばれた水溶性樹脂であ
り、かつ、湿式現像にて前記フォトレジスト層に微細パ
タンを形成する時に前記現像液により、もしくは、現像
後の純水洗浄時に純水によって、同時に前記水溶性樹脂
層をエッチングするスタンパの製造方法である。
スタンパの製造方法において、前記水溶性樹脂層の材料
は、ポリビニルアルコール，メチルセルロース，もしく
はポリビニルピロドリンから選ばれた水溶性樹脂であ
り、かつ、湿式現像にて前記フォトレジスト層に微細パ
タンを形成する時に前記現像液により、もしくは、現像
後の純水洗浄時に純水によって、同時に前記水溶性樹脂
層をエッチングするスタンパの製造方法である。
【００１０】請求項３の発明は、請求項１又は２に記載
されたスタンパの製造方法において、前記水溶性樹脂層
をガラス基板上に形成するに先立って、ガラス基板表面
が親水性になる洗浄処理（例えば、オゾン洗浄処理）を
施すスタンパの製造方法である。
されたスタンパの製造方法において、前記水溶性樹脂層
をガラス基板上に形成するに先立って、ガラス基板表面
が親水性になる洗浄処理（例えば、オゾン洗浄処理）を
施すスタンパの製造方法である。
【００１１】請求項４の発明は、請求項１乃至３のいず
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記水
溶性樹脂層の上に前記フォトレジスト層を塗布するに先
立って、前記水溶性樹脂層の表面をシランカップリング
処理するスタンパの製造方法である。
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記水
溶性樹脂層の上に前記フォトレジスト層を塗布するに先
立って、前記水溶性樹脂層の表面をシランカップリング
処理するスタンパの製造方法である。
【００１２】請求項５の発明は、請求項１乃至４のいず
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記水
溶性樹脂層の上に形成された前記フォトレジスト層を除
去する溶剤は、イソプロピルアルコール，アセトン，も
しくはフォトレジストを希釈するための溶媒（シンナ
ー）から選ばれた溶剤であるスタンパの製造方法であ
る。
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記水
溶性樹脂層の上に形成された前記フォトレジスト層を除
去する溶剤は、イソプロピルアルコール，アセトン，も
しくはフォトレジストを希釈するための溶媒（シンナ
ー）から選ばれた溶剤であるスタンパの製造方法であ
る。
【００１３】請求項６の発明は、請求項１乃至５のいず
れかに記載されたスタンパの製造方法において、ニッケ
ル板を剥離した後、該ニッケル板の表面に残留付着した
前記水溶性樹脂層を除去・洗浄する際、洗浄液として純
水を用いるスタンパの製造方法である。
れかに記載されたスタンパの製造方法において、ニッケ
ル板を剥離した後、該ニッケル板の表面に残留付着した
前記水溶性樹脂層を除去・洗浄する際、洗浄液として純
水を用いるスタンパの製造方法である。
【００１４】請求項７の発明は、請求項１乃至６のいず
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記フ
ォトレジスト膜に所定の溝パタンを形成する際に、前記
水溶性樹脂層が露出した前記フォトレジスト膜に形成さ
れる溝の底幅を制御するため、フォトレジストの膜厚を
一定にして、前記フォトレジストを露光するビームの光
量を変化させて露光する原盤露光方法である。
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記フ
ォトレジスト膜に所定の溝パタンを形成する際に、前記
水溶性樹脂層が露出した前記フォトレジスト膜に形成さ
れる溝の底幅を制御するため、フォトレジストの膜厚を
一定にして、前記フォトレジストを露光するビームの光
量を変化させて露光する原盤露光方法である。
【００１５】請求項８の発明は、請求項１乃至６のいず
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記フ
ォトレジスト膜に所定の溝パタンを形成する際に、前記
水溶性樹脂層が露出した前記フォトレジスト膜に形成さ
れる溝の底幅を制御するため、ビームの光量を一定にし
て、前記フォトレジストの膜厚を変化させて露光する原
盤露光方法である。
れかに記載されたスタンパの製造方法において、前記フ
ォトレジスト膜に所定の溝パタンを形成する際に、前記
水溶性樹脂層が露出した前記フォトレジスト膜に形成さ
れる溝の底幅を制御するため、ビームの光量を一定にし
て、前記フォトレジストの膜厚を変化させて露光する原
盤露光方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の光ディスク用スタンパの
作製工程を図１に従って説明する。 工程１ 基板洗浄：超純水により、基板に付着したゴミ
を除去する目的で、洗浄・乾燥する（図示せず）。 工程２ 表面洗浄：ガラス基板に対する水溶性樹脂層の
塗布性を向上させるために、オゾン処理によりガラス基
板表面の有機物の除去と表面に酸化皮膜を形成する。こ
の効果で、ガラス基板に対する水溶性樹脂の濡れ性が向
上し、水溶性樹脂の膜厚を均一化にできると共に、水溶
性樹脂ガラス基板の密着性が強まる（図１には図示せ
ず）。 工程３ 下層塗布：表面処理されたガラス基板１上に、
水溶性樹脂をスピンコートし、加熱乾燥・冷却する。こ
の時、塗布された下層２の膜厚は、スタンパ表面に形成
する溝深さと同じ大きさに塗布する必要がある（図１
（Ａ）参照）。 工程４ 前処理：工程３で下層２を成膜した上に、下層
２とフォトレジスト３の密着力を上げる目的で、シラン
カップリング処理、即ちＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）をスピンコートし、高速回転で乾燥させる（図１
に図示せず）。 工程５ マスク層（フォトレジスト）塗布：工程４でＨ
ＭＤＳ処理された表面に、フォトレジストをスピンコー
トし、加熱乾燥・冷却する（図１（Ｂ）参照）。 工程６ 原盤露光：工程５で製作した原盤をＫｒガスレ
ーザにより原盤露光する。原盤露光の概略図を図２に示
す。レジスト原盤１４をターンテーブル１３で回転横送
りしながら露光ビーム１１で露光することにより、フォ
トレジスト原盤１４にはスパイラル状の潜像１０が形成
される（図１（Ｃ）参照）。
作製工程を図１に従って説明する。 工程１ 基板洗浄：超純水により、基板に付着したゴミ
を除去する目的で、洗浄・乾燥する（図示せず）。 工程２ 表面洗浄：ガラス基板に対する水溶性樹脂層の
塗布性を向上させるために、オゾン処理によりガラス基
板表面の有機物の除去と表面に酸化皮膜を形成する。こ
の効果で、ガラス基板に対する水溶性樹脂の濡れ性が向
上し、水溶性樹脂の膜厚を均一化にできると共に、水溶
性樹脂ガラス基板の密着性が強まる（図１には図示せ
ず）。 工程３ 下層塗布：表面処理されたガラス基板１上に、
水溶性樹脂をスピンコートし、加熱乾燥・冷却する。こ
の時、塗布された下層２の膜厚は、スタンパ表面に形成
する溝深さと同じ大きさに塗布する必要がある（図１
（Ａ）参照）。 工程４ 前処理：工程３で下層２を成膜した上に、下層
２とフォトレジスト３の密着力を上げる目的で、シラン
カップリング処理、即ちＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）をスピンコートし、高速回転で乾燥させる（図１
に図示せず）。 工程５ マスク層（フォトレジスト）塗布：工程４でＨ
ＭＤＳ処理された表面に、フォトレジストをスピンコー
トし、加熱乾燥・冷却する（図１（Ｂ）参照）。 工程６ 原盤露光：工程５で製作した原盤をＫｒガスレ
ーザにより原盤露光する。原盤露光の概略図を図２に示
す。レジスト原盤１４をターンテーブル１３で回転横送
りしながら露光ビーム１１で露光することにより、フォ
トレジスト原盤１４にはスパイラル状の潜像１０が形成
される（図１（Ｃ）参照）。
【００１７】工程７ 現像・リンス：露光された原盤を
現像し、露光された部分（潜像が形成された部分）を除
去し、純水によりリンス，回転乾燥する（図１Ｄ参照）
また、この時、現像時にフォトレジスト層３がマスク層
の働きをして、湿式現像にて前記フォトレジスト層に微
細パタンを形成する時に前記現像液により、もしくは現
像後の純粋洗浄時に純粋により、同時に下層の水溶性樹
脂層２がエッチングされる。下層に形成される溝幅は、
マスク層の台形形状の底の幅（Ｗｂｏｔ）の大きさで決
定される（図１（Ｅ）参照）。 工程８ マスク層除去：溶剤によりマスク層（フォトレ
ジスト層）を除去し、高速回転で乾燥させる。この溶剤
は、下層水溶性樹脂層を溶解しない溶媒を選択する必要
がある（図１（Ｆ）参照）。 工程９ 導電皮膜処理：工程８の溝パタンを有する原盤
の表面に、スパッタでニッケル膜を形成する（図１
（Ｇ）参照）。 工程１０ ニッケル電鋳：工程９の導電皮膜付き原盤を
ニッケル電鋳し、ニッケルを積層する（図１（Ｈ）参
照）。 工程１１ スタンパ化：工程１０のニッケル電鋳された
板を、ガラス原盤から剥離し、裏面（溝パタンが形成さ
れていない面）を研磨、溝パタン表面に残留付着してい
る下層膜（水溶性樹脂膜）を純水で洗浄，高速回転乾
燥，内外径を所望の寸法にプレス加工することで、スタ
ンパが完成する（図１（Ｉ）参照）。
現像し、露光された部分（潜像が形成された部分）を除
去し、純水によりリンス，回転乾燥する（図１Ｄ参照）
また、この時、現像時にフォトレジスト層３がマスク層
の働きをして、湿式現像にて前記フォトレジスト層に微
細パタンを形成する時に前記現像液により、もしくは現
像後の純粋洗浄時に純粋により、同時に下層の水溶性樹
脂層２がエッチングされる。下層に形成される溝幅は、
マスク層の台形形状の底の幅（Ｗｂｏｔ）の大きさで決
定される（図１（Ｅ）参照）。 工程８ マスク層除去：溶剤によりマスク層（フォトレ
ジスト層）を除去し、高速回転で乾燥させる。この溶剤
は、下層水溶性樹脂層を溶解しない溶媒を選択する必要
がある（図１（Ｆ）参照）。 工程９ 導電皮膜処理：工程８の溝パタンを有する原盤
の表面に、スパッタでニッケル膜を形成する（図１
（Ｇ）参照）。 工程１０ ニッケル電鋳：工程９の導電皮膜付き原盤を
ニッケル電鋳し、ニッケルを積層する（図１（Ｈ）参
照）。 工程１１ スタンパ化：工程１０のニッケル電鋳された
板を、ガラス原盤から剥離し、裏面（溝パタンが形成さ
れていない面）を研磨、溝パタン表面に残留付着してい
る下層膜（水溶性樹脂膜）を純水で洗浄，高速回転乾
燥，内外径を所望の寸法にプレス加工することで、スタ
ンパが完成する（図１（Ｉ）参照）。
【００１８】ここで、図１０に示す従来法と本発明の作
製プロセスの違いを説明すると、本発明はガラス基板１
とフォトレジスト層３の間に水溶性樹脂層２を設ける点
で従来法と異なっている。従来法ではフォトレジスト層
に形成された溝パタンをスタンパにするのに対し、本発
明法ではフォトレジスト層に形成された溝パタンをマス
ク層として利用し、エッチングで形成された下層２の溝
パタンをスタンパにする。この結果、溝の底幅が下層２
の溝幅となるため、フォトレジストに形成された溝断面
よりも細かい溝を下層に形成することができ、また、台
形ではなく、断面形状が矩形の溝パタンを得ることがで
きる（図１０中、本発明と同様の部分には同じ番号を付
してある、前記相違点に関連するもの以外は本発明の既
に説明した作製プロセスと一致しているのでその説明は
省略する）。
製プロセスの違いを説明すると、本発明はガラス基板１
とフォトレジスト層３の間に水溶性樹脂層２を設ける点
で従来法と異なっている。従来法ではフォトレジスト層
に形成された溝パタンをスタンパにするのに対し、本発
明法ではフォトレジスト層に形成された溝パタンをマス
ク層として利用し、エッチングで形成された下層２の溝
パタンをスタンパにする。この結果、溝の底幅が下層２
の溝幅となるため、フォトレジストに形成された溝断面
よりも細かい溝を下層に形成することができ、また、台
形ではなく、断面形状が矩形の溝パタンを得ることがで
きる（図１０中、本発明と同様の部分には同じ番号を付
してある、前記相違点に関連するもの以外は本発明の既
に説明した作製プロセスと一致しているのでその説明は
省略する）。
【００１９】フォトレジスト層３に形成される溝断面
は、図９に示すように台形形状になる。これは、ビーム
スポットの光強度分布がガウス分布のためで、ガウス分
布のすその部分が溝断面の傾斜に影響しているためであ
る。後述するように、フォトレジスト膜厚１０００Åの
場合における露光光量と溝深さの関係については、ＡＦ
Ｍによる測定結果を示した図４、それぞれレジスト膜厚
が５００Åの場合、レジスト膜厚が１０００Åの場合及
び、レジスト膜厚が１５００Åの場合における露光光量
と溝断面積の関係を表す図６乃至８から明らかなよう
に、露光光量が低い場合（フォトレジスト膜厚よりも溝
深さが小さい場合）は、ガウス分布を有する溝断面形状
になり、さらに露光光量を高めて行くと、溝断面は台形
形状となる。露光光量が高い程、底幅（Ｗｂｏｔ）が広
がる関係になる。また、露光光量を一定にして、マスク
層の膜厚を調整しても、マスク層に形成される底幅を制
御することが可能である。この二つの方法でＷｂｏｔの
幅を調整し、下層の溝幅を制御できる。図示したよう
に、Ｗｂｏｔの幅は、集光ビーム径よりも狭くなる。
は、図９に示すように台形形状になる。これは、ビーム
スポットの光強度分布がガウス分布のためで、ガウス分
布のすその部分が溝断面の傾斜に影響しているためであ
る。後述するように、フォトレジスト膜厚１０００Åの
場合における露光光量と溝深さの関係については、ＡＦ
Ｍによる測定結果を示した図４、それぞれレジスト膜厚
が５００Åの場合、レジスト膜厚が１０００Åの場合及
び、レジスト膜厚が１５００Åの場合における露光光量
と溝断面積の関係を表す図６乃至８から明らかなよう
に、露光光量が低い場合（フォトレジスト膜厚よりも溝
深さが小さい場合）は、ガウス分布を有する溝断面形状
になり、さらに露光光量を高めて行くと、溝断面は台形
形状となる。露光光量が高い程、底幅（Ｗｂｏｔ）が広
がる関係になる。また、露光光量を一定にして、マスク
層の膜厚を調整しても、マスク層に形成される底幅を制
御することが可能である。この二つの方法でＷｂｏｔの
幅を調整し、下層の溝幅を制御できる。図示したよう
に、Ｗｂｏｔの幅は、集光ビーム径よりも狭くなる。
【００２０】本発明はこの原理を利用し、Ｗｂｏｔの溝
幅を制御することにより、露光ビームスポット径よりも
狭い溝形状を下層に形成することを可能にするものであ
る。また、下層材料に水溶性樹脂を用いているので、現
像・リンス時に、下層を簡単にエッチングすることがで
き、面倒な下層エッチングプロセスが不必要で、プロセ
スにおける工数が増えることがない。さらに、剥離後の
スタンパ洗浄では、スタンパに残留付着した下層（水溶
性樹脂）を水洗で簡単に除去でき、残留付着物の除去洗
浄でスタンパ表面にダメージを与えないメリットがあ
る。
幅を制御することにより、露光ビームスポット径よりも
狭い溝形状を下層に形成することを可能にするものであ
る。また、下層材料に水溶性樹脂を用いているので、現
像・リンス時に、下層を簡単にエッチングすることがで
き、面倒な下層エッチングプロセスが不必要で、プロセ
スにおける工数が増えることがない。さらに、剥離後の
スタンパ洗浄では、スタンパに残留付着した下層（水溶
性樹脂）を水洗で簡単に除去でき、残留付着物の除去洗
浄でスタンパ表面にダメージを与えないメリットがあ
る。
【００２１】本発明のスタンパの作製方法を以下詳細に
説明する。 （１）原盤作製方法 研磨ガラス原盤（円盤状）を、ＵＶ／Ｏ３と呼ばれるオ
ゾン処理装置で約３分間、表面処理する。ここで、水に
対する濡れ性（親水性）が向上できる方法であれば、オ
ゾン処理以外の方法でも代用が可能である。例えば、イ
ソプロピルアルコールなどの溶剤で表面を洗浄（有機物
の除去）した後、十分に純水で洗浄しておけば、ガラス
表面を親水性に置換することができる。しかし、有機物
の除去性に優れている点、乾式でガラス原盤の乾燥が不
必要な点を考えれば、オゾン処理が最も優れた方式であ
る。
説明する。 （１）原盤作製方法 研磨ガラス原盤（円盤状）を、ＵＶ／Ｏ３と呼ばれるオ
ゾン処理装置で約３分間、表面処理する。ここで、水に
対する濡れ性（親水性）が向上できる方法であれば、オ
ゾン処理以外の方法でも代用が可能である。例えば、イ
ソプロピルアルコールなどの溶剤で表面を洗浄（有機物
の除去）した後、十分に純水で洗浄しておけば、ガラス
表面を親水性に置換することができる。しかし、有機物
の除去性に優れている点、乾式でガラス原盤の乾燥が不
必要な点を考えれば、オゾン処理が最も優れた方式であ
る。
【００２２】スピンコータで、水溶性樹脂（下層）２を
ガラス原盤上に塗布し、オーブンで、１３０度３０分間
の加熱処理を施す。水溶性樹脂材料としては、例えば、
東京応化製のＴＰＦ（主成分はポリビニルアルコール）
を使用し、下層２の膜厚は約６００Åに調整する。下層
の膜厚は、スタンパに形成する溝パタンの深さと同じ値
に設定されている。この加熱処理により水溶性樹脂の耐
水性が高まり、後述の現像・リンス工程でのサイドエッ
チングによる下層剥離を防止することができるため、下
層に形成される溝形状の品質を安定化させることができ
る。また、ポリビニルアルコールの場合、ケン化度が高
い水溶性が低くなる性質を利用して、後述の現像・リン
ス工程における水に対する溶解速度を制御することも可
能である。ここで、水溶性樹脂材料としてポリビニルア
ルコール以外に、メチルセルロース，ポリビニルピロド
リンを使用しても良い。
ガラス原盤上に塗布し、オーブンで、１３０度３０分間
の加熱処理を施す。水溶性樹脂材料としては、例えば、
東京応化製のＴＰＦ（主成分はポリビニルアルコール）
を使用し、下層２の膜厚は約６００Åに調整する。下層
の膜厚は、スタンパに形成する溝パタンの深さと同じ値
に設定されている。この加熱処理により水溶性樹脂の耐
水性が高まり、後述の現像・リンス工程でのサイドエッ
チングによる下層剥離を防止することができるため、下
層に形成される溝形状の品質を安定化させることができ
る。また、ポリビニルアルコールの場合、ケン化度が高
い水溶性が低くなる性質を利用して、後述の現像・リン
ス工程における水に対する溶解速度を制御することも可
能である。ここで、水溶性樹脂材料としてポリビニルア
ルコール以外に、メチルセルロース，ポリビニルピロド
リンを使用しても良い。
【００２３】基板を室温まで冷却した後、ＨＭＤＳ（ヘ
キサメチルジシラザン）スピンコートし、完全に乾燥さ
せる。このＨＭＤＳ処理（シランカップリング処理）
は、下層表面を疎水性にするために行う。この処理で、
下層表面にフォトレジスト３が均一塗布でき、下層２と
フォトレジスト層３との密着力を高め、現像時のフォト
レジスト剥離を防止する役割を果たす。スピンコータ
で、フォトレジスト（マスク層）を下層上に塗布し、オ
ーブンで、９０度３０分間の加熱処理を施す。フォトレ
ジスト材料としては、例えば、東京応化製のポジ型ｉ線
形レジストを使用し、マスク層の膜厚は約１０００Åに
調整する。この加熱処理温度は、下層時よりも低温に設
定する必要がある。この理由は、下層時よりも高温に設
定すると、下層２から発生する残留ガスにより、フォト
レジスト表面にピンホール欠陥が発生するためである。
キサメチルジシラザン）スピンコートし、完全に乾燥さ
せる。このＨＭＤＳ処理（シランカップリング処理）
は、下層表面を疎水性にするために行う。この処理で、
下層表面にフォトレジスト３が均一塗布でき、下層２と
フォトレジスト層３との密着力を高め、現像時のフォト
レジスト剥離を防止する役割を果たす。スピンコータ
で、フォトレジスト（マスク層）を下層上に塗布し、オ
ーブンで、９０度３０分間の加熱処理を施す。フォトレ
ジスト材料としては、例えば、東京応化製のポジ型ｉ線
形レジストを使用し、マスク層の膜厚は約１０００Åに
調整する。この加熱処理温度は、下層時よりも低温に設
定する必要がある。この理由は、下層時よりも高温に設
定すると、下層２から発生する残留ガスにより、フォト
レジスト表面にピンホール欠陥が発生するためである。
【００２４】（２）原盤露光 露光ビームの光強度分布（スポット形状）を図３に示
す。レーザ波長は４１３ｎｍ（Ｋｒガスレーザ）、対物
レンズの開口数はＮＡ＝０.９０のものを用いている。
この時、１／ｅ２のビーム径は、約０.４μｍとなる。
このビームスポットを用いて、図２に示した原盤露光方
式で露光する。また、ＣＬＶ方式（線速度一定）で露光
し、線速度を７.２ｍ／ｓとする。図７に示す、レジス
ト膜厚１０００Åの場合における、露光光量と溝断面積
の関係を示すグラフから明かなように、露光光量を調整
することによりマスク層に形成される溝の底幅（Ｗｂｏ
ｔ）を制御することができる。図７及び、ｉ線系フォト
レジストを使用し、露光線速度Ｖ１＝７.２ｍ／ｓ、レ
ジスト膜厚が１０００Åである場合における、露光光量
と底部溝幅（Ｗｂｏｔ）の関係を示すグラフから明らか
なように、露光光量Ｐｗ＝４ｍＷでは、Ｗｂｏｔ＝０.
２４μｍ、露光光量Ｐｗ＝５ｍＷではＷｂｏｔ＝０.３
４μｍ、露光光量Ｐｗ＝６ｍＷではＷｂｏｔ＝０.３９
μｍとなる。また、露光光量を一定にして、マスク層
（フォトレジスト層）の膜厚を調整し、マスク層に形成
される溝の底幅（Ｗｂｏｔを制御することもできる。図
６乃至８に示すグラフから明らかなように、露光光量Ｐ
ｗを４ｍＷに固定した場合、マスク層の膜厚が５００Å
ではＷｂｏｔ＝０.３４μｍ、マスク層の膜厚が１００
０ÅではＷｂｏｔ＝０.２４μｍ、マスク層の膜厚が１
５００ÅではＷｂｏｔ＝０.１６μｍとなる。
す。レーザ波長は４１３ｎｍ（Ｋｒガスレーザ）、対物
レンズの開口数はＮＡ＝０.９０のものを用いている。
この時、１／ｅ２のビーム径は、約０.４μｍとなる。
このビームスポットを用いて、図２に示した原盤露光方
式で露光する。また、ＣＬＶ方式（線速度一定）で露光
し、線速度を７.２ｍ／ｓとする。図７に示す、レジス
ト膜厚１０００Åの場合における、露光光量と溝断面積
の関係を示すグラフから明かなように、露光光量を調整
することによりマスク層に形成される溝の底幅（Ｗｂｏ
ｔ）を制御することができる。図７及び、ｉ線系フォト
レジストを使用し、露光線速度Ｖ１＝７.２ｍ／ｓ、レ
ジスト膜厚が１０００Åである場合における、露光光量
と底部溝幅（Ｗｂｏｔ）の関係を示すグラフから明らか
なように、露光光量Ｐｗ＝４ｍＷでは、Ｗｂｏｔ＝０.
２４μｍ、露光光量Ｐｗ＝５ｍＷではＷｂｏｔ＝０.３
４μｍ、露光光量Ｐｗ＝６ｍＷではＷｂｏｔ＝０.３９
μｍとなる。また、露光光量を一定にして、マスク層
（フォトレジスト層）の膜厚を調整し、マスク層に形成
される溝の底幅（Ｗｂｏｔを制御することもできる。図
６乃至８に示すグラフから明らかなように、露光光量Ｐ
ｗを４ｍＷに固定した場合、マスク層の膜厚が５００Å
ではＷｂｏｔ＝０.３４μｍ、マスク層の膜厚が１００
０ÅではＷｂｏｔ＝０.２４μｍ、マスク層の膜厚が１
５００ÅではＷｂｏｔ＝０.１６μｍとなる。
【００２５】（３）現像・リンス アルカリ性の現像液で現像し、純水でリンス・高速回転
で振り切り乾燥をする。この現像処理で、露光により形
成された潜像１０が除去され、マスク層が形成される。
さらに、現像・リンスが進むと、下層２のエッチングが
開始され、下層にＷｂｏｔと同じ溝幅を有する矩形溝が
形成できる。水溶性樹脂は、純水の温度が低いほど溶解
速度が遅くなるため、この特性を利用してリンスに使用
する純水の温度を調整して水に対する溶解速度を制御す
ることができる。そこで、リンス液（純水）の液温を比
較的低温（５〜１５度で一定に保つ）に設定すれば、リ
ンス時間に対する溝形状の変化率を小さくできる。この
結果、下層に形成される溝形状の変動（同一サンプル内
の差，もしくはサンプル間の差）を小さくすることがで
き、溝形状の品質を安定化させることができる。
で振り切り乾燥をする。この現像処理で、露光により形
成された潜像１０が除去され、マスク層が形成される。
さらに、現像・リンスが進むと、下層２のエッチングが
開始され、下層にＷｂｏｔと同じ溝幅を有する矩形溝が
形成できる。水溶性樹脂は、純水の温度が低いほど溶解
速度が遅くなるため、この特性を利用してリンスに使用
する純水の温度を調整して水に対する溶解速度を制御す
ることができる。そこで、リンス液（純水）の液温を比
較的低温（５〜１５度で一定に保つ）に設定すれば、リ
ンス時間に対する溝形状の変化率を小さくできる。この
結果、下層に形成される溝形状の変動（同一サンプル内
の差，もしくはサンプル間の差）を小さくすることがで
き、溝形状の品質を安定化させることができる。
【００２６】マスク層（フォトレジスト）３をイソプロ
ピルアルコールで溶解・除去し、高速振り切りで乾燥す
る。ここで、マスク層除去に使用する溶剤は、フォトレ
ジストの希釈やリンスに用いるシンナーや、アセトンで
も良い。下層２の耐水性を高めるために、さらに１００
度以上の温度で加熱処理しても良い。この熱処理により
吸湿による下層の経時的な変形を抑えることができる。
ピルアルコールで溶解・除去し、高速振り切りで乾燥す
る。ここで、マスク層除去に使用する溶剤は、フォトレ
ジストの希釈やリンスに用いるシンナーや、アセトンで
も良い。下層２の耐水性を高めるために、さらに１００
度以上の温度で加熱処理しても良い。この熱処理により
吸湿による下層の経時的な変形を抑えることができる。
【００２７】（４）導電皮膜処理 スパッタにより、下層２表面にニッケル膜を５００〜１
０００Åを成膜する。このニッケル膜４は電鋳時におけ
る電極となるものである。
０００Åを成膜する。このニッケル膜４は電鋳時におけ
る電極となるものである。
【００２８】（５）電鋳 板厚が約３００μｍになるまで、電鋳法でニッケルを積
層させてニッケル板５を作製する。 （６）スタンパ剥離・洗浄 前記工程で得られたニッケルの板５をガラス基板１から
剥離する。剥離後、純水により表面に残留付着している
下層（水溶性樹脂）を洗浄・除去し、乾燥させる。ここ
で、残留付着物を十分に除去できない場合、水溶性樹脂
の溶解速度が大きくなる特性を利用して、温水を用いる
と良い。
層させてニッケル板５を作製する。 （６）スタンパ剥離・洗浄 前記工程で得られたニッケルの板５をガラス基板１から
剥離する。剥離後、純水により表面に残留付着している
下層（水溶性樹脂）を洗浄・除去し、乾燥させる。ここ
で、残留付着物を十分に除去できない場合、水溶性樹脂
の溶解速度が大きくなる特性を利用して、温水を用いる
と良い。
【００２９】（７）裏面研磨 溝形成面にプラスチックコートで保護膜をつけ、裏面研
磨を行う。ここで、スタンパ剥離・洗浄工程の前に裏面
研磨をしても良い。この場合、保護膜を付ける必要がな
くなる。 （８）内外径加工 打ち抜きプレスにより、所望の大きさにスタンパの内径
と外形をカットし、スタンパが完成する。
磨を行う。ここで、スタンパ剥離・洗浄工程の前に裏面
研磨をしても良い。この場合、保護膜を付ける必要がな
くなる。 （８）内外径加工 打ち抜きプレスにより、所望の大きさにスタンパの内径
と外形をカットし、スタンパが完成する。
【００３０】（９）電鋳複製 以上の工程で作製したスタンパをマスターとして、電鋳
複製により複数枚のレプリカスタンパを作製することも
できる。このマスタースタンパの表面に剥離皮膜（酸化
膜）を形成し、溝パタンを有する電鋳・剥離して、マス
タースタンパと凹凸の異なるマザースタンパを作製す
る。このマザースタンパ作製は、１つのマスターから複
数枚転写することが可能である。さらに、マザースタン
パに同じように剥離皮膜を形成し、電鋳・剥離すること
で、マスタースタンパと凹凸が同じサンスタンパを複数
枚作製することができる。この様にして、１つのマスタ
ーから複数のサンスタンパ（レプリカスタンパ）を作製
することができるので、１枚１枚露光せずにスタンパの
量産が可能となる。酸化皮膜を形成する手段としては、
重クロム酸カリによる湿式方式や、先述したオゾン処理
による乾式方式により形成することができる。
複製により複数枚のレプリカスタンパを作製することも
できる。このマスタースタンパの表面に剥離皮膜（酸化
膜）を形成し、溝パタンを有する電鋳・剥離して、マス
タースタンパと凹凸の異なるマザースタンパを作製す
る。このマザースタンパ作製は、１つのマスターから複
数枚転写することが可能である。さらに、マザースタン
パに同じように剥離皮膜を形成し、電鋳・剥離すること
で、マスタースタンパと凹凸が同じサンスタンパを複数
枚作製することができる。この様にして、１つのマスタ
ーから複数のサンスタンパ（レプリカスタンパ）を作製
することができるので、１枚１枚露光せずにスタンパの
量産が可能となる。酸化皮膜を形成する手段としては、
重クロム酸カリによる湿式方式や、先述したオゾン処理
による乾式方式により形成することができる。
【００３１】
【発明の効果】請求項１に対応する効果：フォトレジス
ト層をマスク層としてその下層をエッチングして溝形成
するので、露光ビームスポットのビーム径よりも細かい
溝を下層に形成することができる。 請求項２に対応する効果：下層材料に水溶性樹脂を用い
ているので、フォトレジスト層を現像・洗浄するとき
に、同時に下層をエッチング処理することができる。 請求項３に対応する効果：ガラス基板表面を親水性にな
るように処理しているので、ガラス表面に対する水溶性
樹脂の濡れ性が向上し、ガラス基板に水溶性樹脂膜を均
一に塗布することができる。 請求項４に対応する効果：下層表面をシランカップリン
グ処理しているので、下層表面に対するフォトレジスト
の濡れ性が向上し、フォトレジスト膜を均一に塗布する
ことができる。
ト層をマスク層としてその下層をエッチングして溝形成
するので、露光ビームスポットのビーム径よりも細かい
溝を下層に形成することができる。 請求項２に対応する効果：下層材料に水溶性樹脂を用い
ているので、フォトレジスト層を現像・洗浄するとき
に、同時に下層をエッチング処理することができる。 請求項３に対応する効果：ガラス基板表面を親水性にな
るように処理しているので、ガラス表面に対する水溶性
樹脂の濡れ性が向上し、ガラス基板に水溶性樹脂膜を均
一に塗布することができる。 請求項４に対応する効果：下層表面をシランカップリン
グ処理しているので、下層表面に対するフォトレジスト
の濡れ性が向上し、フォトレジスト膜を均一に塗布する
ことができる。
【００３２】請求項５に対応する効果：フォトレジスト
層だけを選択的に除去できる溶剤を用いているので、下
層溝パタンにダメージを与えることなく、均一にフォト
レジスト層だけを除去できる。 請求項６に対応する効果：下層に水溶性樹脂を用いてい
るので、スタンパ表面に残留付着した下層を純水洗浄す
るだけで溶解でき、スタンパ表面にダメージを与えるこ
となく、均一に残留付着した下層を除去できる。 請求項７に対応する効果：フォトレジスト層をマスク層
として下層をエッチングして溝形成しているので、フォ
トレジスト層の膜厚を一定にし、フォトレジスト層を露
光するビームの光量を変化させることで、下層に形成す
る溝幅を制御することができる。 請求項８に対応する効果：フォトレジスト層をマスク層
として下層をエッチングして溝形成しているので、フォ
トレジスト層を露光するビームの光量を一定にし、フォ
トレジスト層の膜厚を変化させることで、下層に形成す
る溝幅を制御することができる。
層だけを選択的に除去できる溶剤を用いているので、下
層溝パタンにダメージを与えることなく、均一にフォト
レジスト層だけを除去できる。 請求項６に対応する効果：下層に水溶性樹脂を用いてい
るので、スタンパ表面に残留付着した下層を純水洗浄す
るだけで溶解でき、スタンパ表面にダメージを与えるこ
となく、均一に残留付着した下層を除去できる。 請求項７に対応する効果：フォトレジスト層をマスク層
として下層をエッチングして溝形成しているので、フォ
トレジスト層の膜厚を一定にし、フォトレジスト層を露
光するビームの光量を変化させることで、下層に形成す
る溝幅を制御することができる。 請求項８に対応する効果：フォトレジスト層をマスク層
として下層をエッチングして溝形成しているので、フォ
トレジスト層を露光するビームの光量を一定にし、フォ
トレジスト層の膜厚を変化させることで、下層に形成す
る溝幅を制御することができる。
【図１】 本発明の光ディスク用スタンパの作製工程を
説明するための図である。
説明するための図である。
【図２】 原盤露光方法を説明するための図である。
【図３】 原盤露光に用いる露光ビームの光強度分布を
示す図である。
示す図である。
【図４】 露光光量と形成される溝深さとの関係を示す
図である。
図である。
【図５】 露光光量と作製される溝の底部溝幅（Ｗｂｏ
ｔ）の関係を示す図である。
ｔ）の関係を示す図である。
【図６】 レジスト膜厚５００Åの場合における、露光
光量と溝断面の関係を示す図である。
光量と溝断面の関係を示す図である。
【図７】 レジスト膜厚１０００Åの場合における、露
光光量と溝断面の関係を示す図である。
光光量と溝断面の関係を示す図である。
【図８】 レジスト膜厚１５００Åの場合における、露
光光量と溝断面の関係を示す図である。
光光量と溝断面の関係を示す図である。
【図９】 従来方式において作製される溝の断面形状を
示す図である。
示す図である。
【図１０】 従来の光ディスク用スタンパの作製工程を
説明するための図である。
説明するための図である。
１…ガラス基板、２…下層（水溶性樹脂層）、３…マス
ク層（フォトレジスト層）、４…ニッケル膜、５…ニッ
ケル板、１０…潜像、１１…露光ビーム、１２…対物レ
ンズ、１３…ターンテーブル、１４…レジスト原盤。
ク層（フォトレジスト層）、４…ニッケル膜、５…ニッ
ケル板、１０…潜像、１１…露光ビーム、１２…対物レ
ンズ、１３…ターンテーブル、１４…レジスト原盤。
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス基板上のフォトレジスト膜へ光ビ
ームにより所定の溝パタンを露光し、前記露光済フォト
レジスト膜から所定の溝パタンを作製してガラス原盤と
し、該ガラス原盤の表面に導電皮膜を形成し、該導電皮
膜をニッケル電鋳してフォトレジストの溝パタンと凹凸
が逆転した溝パタンを有するニッケル板を作製する、光
情報記録媒体用のスタンパの製造方法において、前記ガ
ラス基板と前記フオトレジスト層の間に、膜厚がスタン
パ表面に形成される溝深さと同じである露光により反応
しない水溶性樹脂層を設け、前記露光によって形成され
た前記フォトレジスト層の微細パタンをマスクとして、
下層である前記水溶性樹脂層をエッチングして微細パタ
ンを形成し、その後前記フォトレジスト層を除去して微
細パタンを有するガラス原盤を作成することを特徴とす
るスタンパの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載されたスタンパの製造方
法において、前記水溶性樹脂層の材料は、ポリビニルア
ルコール，メチルセルロース，もしくはポリビニルピロ
ドリンから選ばれた水溶性樹脂であり、かつ、湿式現像
にて前記フォトレジスト層に微細パタンを形成する時に
前記現像液により、もしくは、現像後の純水洗浄時に純
水により、同時に前記水溶性樹脂層をエッチングするこ
とを特徴とするスタンパの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載されたスタンパの
製造方法において、前記水溶性樹脂層をガラス基板上に
形成するに先立って、ガラス基板表面が親水性になる洗
浄処理を施すことを特徴とするスタンパの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載された
スタンパの製造方法において、前記水溶性樹脂層の上に
前記フォトレジスト層を塗布するに先立って、前記水溶
性樹脂層の表面をシランカップリング処理することを特
徴とするスタンパの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載された
スタンパの製造方法において、前記水溶性樹脂層の上に
形成された前記フォトレジスト層を除去する溶剤は、イ
ソプロピルアルコール，アセトン，もしくはフォトレジ
ストを希釈するための溶媒から選ばれた溶剤であること
を特徴とするスタンパの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれかに記載された
スタンパの製造方法において、ニッケル板を剥離した
後、該ニッケル板の表面に残留付着した前記水溶性樹脂
層を除去・洗浄する際、洗浄液として純水を用いること
を特徴とするスタンパの製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至６のいずれかに記載された
スタンパの製造方法において、前記フォトレジスト膜に
所定の溝パタンを形成する際に、前記水溶性樹脂層が露
出した前記フォトレジスト膜に形成される溝の底幅を制
御するため、フォトレジストの膜厚を一定にして、前記
フォトレジストを露光するビームの光量を変化させて露
光することを特徴とする原盤露光方法。 - 【請求項８】 請求項１乃至６のいずれかに記載された
スタンパの製造方法において、前記フォトレジスト膜に
所定の溝パタンを形成する際に、前記水溶性樹脂層が露
出した前記フォトレジスト膜に形成される溝の底幅を制
御するため、ビームの光量を一定にして、前記フォトレ
ジストの膜厚を変化させて露光することを特徴とする原
盤露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10095779A JPH11296918A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 |
| US09/288,101 US6127100A (en) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | Method of manufacturing a stamper for use in optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10095779A JPH11296918A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11296918A true JPH11296918A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14146976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10095779A Pending JPH11296918A (ja) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6127100A (ja) |
| JP (1) | JPH11296918A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6971116B2 (en) * | 2001-06-28 | 2005-11-29 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| JP2006231134A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Ulvac Japan Ltd | 有機材料膜の形成方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60233511D1 (de) * | 2001-07-18 | 2009-10-08 | Sony Corp | Substrat für benutzung optischen aufzeichnungs-/wiedergabemediums, herstellungsverfahren für ein optisches aufzeichnungs-/wiedergabemedium, produktionsstempel und produktionsstempel für optisches aufzeichnungs-/wiedergabemedium |
| EP1296457B1 (en) * | 2001-09-21 | 2009-04-29 | Ricoh Company, Ltd. | Multi-level data processing for recording |
| WO2003046904A1 (fr) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Tdk Corporation | Procede et dispositif de matriçage et de pressage de supports d'information |
| JPWO2003077239A1 (ja) * | 2002-03-11 | 2005-07-07 | Tdk株式会社 | フォトレジスト原盤の加工方法、記録媒体用原盤の製造方法、記録媒体の製造方法、フォトレジスト原盤、記録媒体用原盤及び記録媒体 |
| TWI255452B (en) * | 2002-03-18 | 2006-05-21 | Ricoh Kk | Multi-level information recording apparatus, multi-level information recording method, multi-level information recording medium and multi-level information recording-reproducing apparatus |
| JP2003317256A (ja) * | 2002-04-15 | 2003-11-07 | Ricoh Co Ltd | 多値データ記録再生装置 |
| US7190653B2 (en) * | 2002-10-21 | 2007-03-13 | Ricoh Company, Ltd. | Data recording/reproducing device |
| JP4027778B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2007-12-26 | 株式会社リコー | 多値データ処理方法及び装置 |
| US20050151283A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Bajorek Christopher H. | Method and apparatus for making a stamper for patterning CDs and DVDs |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0638299B2 (ja) * | 1986-08-27 | 1994-05-18 | パイオニア株式会社 | 案内溝付光デイスクの製造方法 |
| JP2754785B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1998-05-20 | ソニー株式会社 | 高密度光ディスクの製造方法 |
| JP3108962B2 (ja) * | 1992-10-16 | 2000-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 光記録媒体用スタンパの製造方法 |
| JPH06243512A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-09-02 | Hitachi Ltd | 光ディスク用原盤の作製法 |
| JPH06302015A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Nec Corp | 光ディスク原盤製造装置 |
| JPH07287874A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Sony Corp | 光ディスク原盤の製造方法 |
| JP3058062B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2000-07-04 | 日本電気株式会社 | 光ディスク用記録原盤の製造方 |
-
1998
- 1998-04-08 JP JP10095779A patent/JPH11296918A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-08 US US09/288,101 patent/US6127100A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6971116B2 (en) * | 2001-06-28 | 2005-11-29 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| US7171676B2 (en) | 2001-06-28 | 2007-01-30 | Sony Corporation | Stamper for producing optical recording medium, optical recording medium, and methods of producing the same |
| JP2006231134A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-09-07 | Ulvac Japan Ltd | 有機材料膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6127100A (en) | 2000-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11296918A (ja) | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 | |
| JP2001357567A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP2000113526A (ja) | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 | |
| US20050042427A1 (en) | Method for manufacturing stamper for information medium manufacture, stamper, and stamper intermediate with master disk | |
| US7204188B2 (en) | Method of manufacturing stamper for manufacturing information medium, stamper, and photoresist master | |
| JP2003085829A (ja) | 光情報媒体用スタンパの製造方法およびこれに用いるフォトレジスト原盤、ならびに、光情報媒体用スタンパおよび光情報媒体 | |
| EP1460626A1 (en) | Method for manufacturing stamper for information medium manufacture, stamper, and photoresist original disk | |
| JPH10241213A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| JP4647241B2 (ja) | 光記録媒体原盤の製造方法、光記録媒体スタンパの製造方法、及び光記録媒体の製造方法 | |
| JP3136759B2 (ja) | スタンパ、その製造方法、及び光記録媒体 | |
| JP2002251794A (ja) | フォトレジスト除去装置 | |
| JP2009080914A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法、光ディスク原盤、スタンパ、光ディスク基板、及び光ディスク | |
| JPH11102541A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JP2001357565A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法及び光ディスク原盤 | |
| JPH11296915A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP2003022583A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法及び光ディスク原盤 | |
| JP2002184009A (ja) | 記録媒体原盤の製造方法 | |
| JPH10241214A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| JP2001184733A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP3662305B2 (ja) | 露光パターンの形成方法及びその装置 | |
| JP2002170289A (ja) | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 | |
| JP2000276759A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP2000113520A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP2001325752A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JP2000040267A (ja) | 光ディスク用スタンパの原盤製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |