JPH11297662A

JPH11297662A - 基板処理方法及び装置

Info

Publication number: JPH11297662A
Application number: JP9508398A
Authority: JP
Inventors: Hajime Shirakawa; 元白川; Yusuke Muraoka; 祐介村岡; Masahiro Motomura; 雅洋基村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-04-07
Filing date: 1998-04-07
Publication date: 1999-10-29
Anticipated expiration: 2018-04-07
Also published as: JP3767839B2

Abstract

(57)【要約】【課題】基板とその支持部分との間に処理液が残留す
ることを防止すると共に、仮に、支持部分に付着した場
合であっても、処理液の基板への飛散を防止できる基板
処理方法を提供することにある。【解決手段】純水内で満たされた処理槽１内におい
て、基板ガイド４１は下限位置ＬＥＰから速度Ｖ₁で上
昇を開始する。基板ガイド４１は、純水内を一定速度Ｖ
₁で上昇していくと、やがてその最上端から減圧チャン
バ２の雰囲気中に露出し、さらに、純水面から所定距離
だけ離れた位置である中間位置ＩＰに到達する。基板ガ
イド４１は、さらに上昇し続けるが、中間位置ＩＰを越
えると、速度Ｖ₂（Ｖ₁＜Ｖ₂）で上昇する。逆に、基
板ガイド４１は、上限位置ＵＥＰから速度Ｖ₄（＝−Ｖ
₂）で下降を開始するが、中間位置ＩＰを越えると、速
度Ｖ₅（｜Ｖ₁｜＜｜Ｖ₅｜＜｜Ｖ₂｜）でさらに下降
する、

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理方法及び
装置に関し、より特定的には、半導体デバイス製造プロ
セス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製
造プロセス等において、シリコンウェハ、ＦＰＤ(Flat
Panel Display)用基板、フォトマスク用ガラス基板、電
子部品等の各種基板を処理する基板処理方法及び装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】上記の基板処理装置として、基板の下端
部を支持部材で支持した状態で、処理槽に貯留された所
定の処理液内に基板を降下させ、基板を処理液中に浸漬
させて処理するものが知られている。そして、基板処理
装置は基板を処理液に所定時間、浸漬させた後、基板を
処理液から引き上げつつ、処理液面にＩＰＡ（イソプロ
ピルアルコール）蒸気等の乾燥蒸気を供給して基板を乾
燥させる。また、上述のように基板を処理液の液面に対
して引き上げるのではなく、処理槽の下部から処理液を
排出して処理槽内の処理液の液面を降下させつつ、処理
液の液面に乾燥気体を供給して基板を乾燥させる基板処
理装置も知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記基
板処理装置によると、乾燥処理を終えた基板と支持部材
との隙間に残留した処理液が十分に乾燥されず、その隙
間に処理液がそのまま残存し、基板を均一に乾燥できな
いという問題が発生する。また、このような隙間に処理
液が付着した基板が支持部材上から次工程に搬送された
後も支持部材には処理液が付着している。処理液が付着
した支持部材に新たな基板を載置して、処理液に向けて
降下させると、支持部材が液面に達したときに支持部材
に付着した処理液が基板の主面に飛散する。その結果、
処理液が飛散した個所にパーティクルが発生するという
問題が発生する。

【０００４】それ故に、本発明の目的は、隙間に処理液
が残留することを防止して基板を均一に乾燥できる基板
処理方法及び装置を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、支持部材に付着した処理液を基板に飛散
させず、基板にパーティクルが発生することを防止でき
る基板処理方法及び装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明は、基板を支持部により支持した状態で処理液に浸
漬させ、当該基板を当該処理液により処理する方法であ
って、支持部を、基板を処理液に浸漬させるために供給
される当該処理液の液面に対して相対的に昇降させる場
合において、液面から一定距離だけ上方に予め設定され
る基準の位置に、支持部が到達する前に、当該支持部と
当該液面との相対速度を第１の速度に設定し、基準の位
置に支持部が到達した時に、第１の速度と異なる第２の
速度に相対速度を設定する。支持部及び処理槽の相対移
動が一定の速い速度で行われると、当該支持部において
実際に基板を支持する部分に処理液が残り易くなった
り、処理部分に予め残留していた処理液が基板表面に飛
散したりする。そこで、第１の発明によれば、相対速度
を２種類用意して、基準の位置に基づいて、互いに異な
る第１及び第２の速度を使い分ける。そのため、この支
持部分に残留しようとする処理液を、貯留された処理液
に、その表面張力の作用により取り込めるようになる。
したがって、この支持部分には処理液が残り難くなり、
パーティクルが付着する可能性を低くすることができ
る。また、支持部分に処理液が残り難いので、処理液が
基板表面に飛散する可能性も自然と低くなる。これによ
って、本基板処理装置は高品質に基板を処理できる。

【０００６】第２の発明は、第１の発明において、支持
部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合、第１の
速度が第２の速度よりも小さいことを特徴とする。第２
の発明によれば、支持部が処理液から露出する直前に相
対速度が小さくなるので、上記支持部分には処理液が残
り難くなる。

【０００７】第３の発明は、第１又は第２の発明におい
て、支持部が基準よりも高い位置から液面に相対的に下
降する場合、第２の速度が第１の速度よりも小さいこと
を特徴とする。第３の発明によれば、支持部が処理液に
着水する直前に相対速度が小さくなるので、処理液が基
板表面に飛散する可能性も自然と低くなる。

【０００８】第４の発明は、基板を処理液に浸漬させ、
当該基板を当該処理液により処理する装置であって、基
板を支持する支持部と、基板を処理液に浸漬させるため
に、支持部を当該処理液の液面に対して相対的に昇降さ
せる昇降部と、昇降部により相対的に昇降させられる支
持部と液面との位置関係を検出する検出部と、検出部が
検出した位置関係に基づいて、液面から一定距離だけ上
方に予め設定された基準の位置に支持部が到達する前に
は、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に
制御すると共に、当該基準に当該支持部が到達した時に
は、当該第１の速度と異なる第２の速度に当該相対速度
を制御する制御部とを備える。第４の発明によれば、第
１の発明と同様に、この支持部分には処理液が残り難く
なり、パーティクルが付着する可能性を低くすることが
できる。また、支持部分に処理液が残り難いので、処理
液が基板表面に飛散する可能性も自然と低くなる。

【０００９】第５の発明は、第４の発明において、支持
部が処理液中から液面に相対的に上昇する場合、制御部
が、第１の速度を第２の速度よりも小さく制御すること
を特徴とする。上記第５の発明によれば、第２の発明と
同様に、上記支持部分には処理液が残り難くなる。

【００１０】第６の発明は、第４又は第５の発明におい
て、支持部が基準よりも高い位置から液面に相対的に下
降する場合、制御部が、第２の速度を第１の速度よりも
小さく制御することを特徴とする。上記第６の発明によ
れば、第３の発明と同様に、処理液が基板表面に飛散す
る可能性も自然と低くなる。

【００１１】第７の発明は、基板を支持部により支持し
て処理液に浸漬させた後、当該処理液の液面近傍に乾燥
蒸気を供給して、当該基板を乾燥させる方法であって、
供給された乾燥蒸気で基板を乾燥させるために、支持部
が基板を支持した状態で処理液中から液面に対して相対
的に上昇する場合において、液面から一定距離だけ上方
に予め設定される基準の位置に、支持部が到達する前
に、当該支持部と当該液面との相対速度を第１の速度に
設定し、基準の位置に支持部が到達した時に、相対速度
を第２の速度に設定し、第１の速度は、第２の速度より
も小さいことを特徴とする。

【００１２】第８の発明は、基板を処理液に浸漬させた
後、当該処理液の液面近傍に乾燥蒸気を供給して、当該
基板を乾燥させる装置であって、処理液により浸漬され
る基板を支持する支持部と、基板を支持した支持部を、
処理液の液面に対して相対的に上昇させる上昇部と、上
昇部により支持部が処理液中から液面に対して相対的に
上昇している最中に、外部から供給される乾燥蒸気を液
面近傍に供給する供給部と、上昇部によって相対的に上
昇させられる支持部と液面との位置関係を検出する検出
部と、検出部が検出した位置関係に基づいて、液面から
一定距離だけ上方に予め設定される基準の位置に、支持
部が到達する前に、当該支持部と当該液面との相対速度
を第１の速度に制御し、当該基準に当該支持部が到達し
た時に、相対速度を第２の速度に制御する制御部とを備
え、第１の速度は、第２の速度よりも小さいことを特徴
とする。

【００１３】第７及び第８の発明によれば、第１の発明
と同様に、この支持部分には処理液が残り難くなり、パ
ーティクルが付着する可能性を低くすることができる。
また、支持部分に処理液が残り難いので、処理液が基板
表面に飛散する可能性も自然と低くなる。これによっ
て、本基板処理装置は高品質に基板を処理することがで
きる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施形態
に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。図２
は、図１に示す基板処理装置において、矢印Ａの向きに
沿う断面を、矢印Ｂの方向から見たときの断面図であ
る。図１及び図２の基板処理装置は、処理槽１と、ケー
シング２１とシャッター２２とを含む減圧チャンバ２と
を備える。

【００１５】ケーシング２１は、その上端部が開口して
いる箱状に形成されている。その内側面には、処理槽１
を完全にかつ固定的に収納するための取付け用部材２４
が固着される。また、この内側面において処理槽１の上
端部の近傍には、前述のＩＰＡ蒸気等を導入する２本の
導入管２５が取り付けられる。導入管２５は、ケーシン
グ２１の底面に対して平行にかつこの内側面に沿って延
びており、その両端部は、図示しないが、ケーシング２
１の側壁を貫通して、ＩＰＡ蒸気等の供給源等（図示せ
ず）と接続されている。また、導入管２５の所定位置に
は、供給されたＩＰＡ蒸気等を、処理槽１の上端部に吐
出する吐出口２５ａが複数形成される。シャッター２２
は、開閉自在なケーシング２１を蓋として機能し、閉じ
た際には減圧チャンバ２内の気密状態を保つことができ
る。

【００１６】ケーシング２１に収納される処理槽１につ
いて説明する。図３は、この処理槽１の構成を示す一部
破断斜視図である。処理槽１の形状は外板１０１により
規定され、その上端部は開口している略直方体である。
また、処理槽１の上部外周を取り囲むように、受け板１
０３が設けられる。受け板１０３は、外板１０１の上部
周縁と協働して、処理槽１から溢れ出た液体を受けるオ
ーバーフロー溝１０４を形成する。処理槽１の前端近傍
であって、受け板１０３の底部には孔が開けられ、この
孔にはオーバーフロー排液管１０５（図３参照）の一端
が接続される。オーバーフロー排液管１０５の他端は、
図示しないが、ケーシング２１の側面を貫通して外部へ
と導かれ、これによって、オーバーフロー溝１０４に溢
れ出た液体は、当該オーバーフロー排液管１０５を介し
て減圧チャンバ２の外部へと排出される。

【００１７】処理槽１の前端近傍であって、オーバーフ
ロー排液管１０５の下部には、アップフロー管１０６が
設けられる。このアップフロー管１０６の一端は、図示
しないが、ケーシング２１の側壁を貫通して外部へと導
かれ、純水及び薬液の供給源（図示せず）に接続されて
いる。アップフロー管１０６の他端は処理槽１の左右両
側部に設けられた２本の注入管１０７と接続される。こ
れら注入管１０７は、処理槽１の両外側面に沿って延び
ており、処理槽１の底部と左右側部とを構成する外板１
１０の間を連結している（詳しくは図１を参照）。注入
管１０７の外周には、その軸方向に沿ってかつ処理槽１
内に向けて複数の孔１０７ａが所定間隔毎に形成されて
いる。なお、左右の注入管１０７は、処理槽１の後端近
傍において、終端されている。

【００１８】外板１０１の左右側部であって、注入管１
０７の斜め上方には、槽内排液管１０９が設けられる。
この槽内排液管１０９の一端は、外板１０１の左右側部
に開けられた孔１１０と接続されている。また、左右の
槽内排液管１０９は、処理槽１の前端近傍において統合
され、その他端は、減圧チャンバ２の本体２１の側面を
貫通して外部へと導かれている。これによって、処理槽
内の液体が槽内排液管１０９を介して外部へと排出され
る。

【００１９】処理槽１内には、左右１対の基板支持部１
１１が並列する。これら基板支持部１１１の両端は、処
理槽１の対向する２つの内側面に固着される。各基板支
持部１１１には、所定間隔で複数の溝が形成されてお
り、この溝に基板Ｗが差し込まれることにより、処理槽
１内で基板Ｗが位置決めされて支持される。こうして、
処理槽１には、所定枚数の基板Ｗが互いに間隔を開け
て、かつ平行に配列される。また、基板支持部１１１の
両端は、上記２つの内側面上において、支持された各基
板Ｗが確実に処理液（薬液及び洗浄液）に浸漬される位
置に固着される。

【００２０】さらに、上記のような処理槽１に関連して
昇降装置４が設けられる。この昇降装置４は、基板ガイ
ド４１と、その下端部にフィン４２１を固着されたシャ
フト４２と、連結板４３と、タイミングベルト４４と、
サーボモータ４５と、第１〜第３のセンサ４６〜４８と
を備えている。基板ガイド４１には、前述の基板支持部
１１１に形成された溝と同様のピッチで複数の溝が形成
されており、この溝に基板Ｗが差し込まれることによ
り、基板Ｗが支持される。この基板ガイド４１は、連結
板４３を介してシャフト４２の上端部分に固定的に取り
付けられる。シャフト４２は、鉛直方向に延びており、
減圧チャンバ２の気密性を保つようにケーシング２１の
底を貫く。シャフト４２の下端は、タイミングベルト４
４に固着される。サーボモータ４５は、タイミングベル
ト４４に固着されたシャフト４２が鉛直方向に沿うよう
にかつ所定の可動範囲内で移動するような駆動力を発生
する。この駆動力により、基板ガイド４１もまた、同様
の可動範囲内で鉛直方向に沿って上下移動する。ここ
で、この基板ガイド４１が上下移動可能な下限位置を、
図１及び図２中に示すようにＬＥＰと称し、また上限位
置をＵＥＰと称する。また、ＬＥＰ及びＵＥＰの間に
は、ＩＰを称する中間位置が予め規定されている。これ
らの３つの位置ＬＥＰ、ＩＰ及びＵＥＰは、後述より明
らかになるので、ここでは詳細を説明しない。

【００２１】本実施形態では、図４に示す制御部（後
述）がこれら３つの位置ＬＥＰ、ＩＰ及びＵＥＰに基づ
いて、基板ガイド４１の昇降速度を制御する。この３つ
の位置ＬＥＰ、ＩＰ及びＵＥＰを検出するために、第１
〜第３のセンサ４６〜４８と、フィン４２１とが用いら
れる。各センサ４６〜４８は、光学式のセンサで構成さ
れており、取り付け用部材を介して減圧チャンバ２に固
定される。ここで、図２中の二点鎖線で囲まれた部分に
は、同図中、矢印Ｃの向きに沿う断面を、矢印Ｄが示す
方向から見たときの断面図である。この断面図によれ
ば、第１のセンサ４６の断面形状は、概ね「凹」の字型
をしており、ギャップが形成されていることが分かる。
このギャップ内では光の授受が行われている。他の第２
のセンサ４７及び第３のセンサ４８も、第１のセンサ４
６と同様に構成される。

【００２２】フィン４２１は、シャフト４２が上下移動
する際に、各センサ４６〜４８のギャップ内を通過する
ように、シャフト４２に固着される。第１のセンサ４６
は、自身のギャップ内をフィン４２１が通過し、光の授
受が遮断された時に、基板ガイド４１がＬＥＰに到達し
たことを示す信号であるＤＥＴ₁ を出力する。第２のセ
ンサ４７も同様にして、基板ガイド４１がＩＰに到達し
たことを示す信号であるＤＥＴ₂ を出力する。第３のセ
ンサ４８もまた同様にして、基板ガイド４１がＵＥＰに
到達したことを示す信号であるＤＥＴ₃ を出力する。

【００２３】これらＤＥＴ₁ 〜ＤＥＴ₃ は制御部５に入
力される。制御部５は、図４において点線で囲まれた部
分に示されるように、ＣＰＵ５１と、ＲＯＭ５２と、モ
ータ制御回路５３とを含んでいる。ＣＰＵ５１は、ＲＯ
Ｍ５２内のプログラムに従って動作して、上記上下移動
の速度を制御する。この制御の詳細については後述する
ので、ここでは述べない。

【００２４】また、本基板処理装置において、減圧チャ
ンバ２の外部には、排気系６、処理液供給部７及び処理
液排出部８が設けられている。排気系６は、必要に応じ
て減圧チャンバ２内を減圧する。処理液供給部７は、各
工程において必要な処理液（薬液又は洗浄液等）を処理
槽１に供給する。処理液排出部８は、槽内排液管１０９
を導かれてくる、各工程において不必要となった処理液
を処理槽１の外部に排出する。

【００２５】以下、上記構成の本基板処理装置の動作状
態を、各工程別に示した図６〜図１５に基づいて、図１
〜図４を参照しつつ説明する。また、図５に示される、
本基板処理装置の各工程（ステップＳ５１〜Ｓ５６）を
示すフローチャート、及び上記昇降速度の制御時にＣＰ
Ｕ５１が実行する動作（ステップＳ５０１〜Ｓ５１４）
を示すフローチャートに基づいて説明する。なお、この
ＣＰＵ５１の動作は、ＲＯＭ５２内のプログラムに従う
ことを改めて注釈しておく。

【００２６】まず、図６を参照して、基板処理の準備工
程について説明する。準備工程では、減圧チャンバ２の
外部に設置される純水供給源（図示せず）から処理液供
給部７を介してアップフロー管１０６に純水が供給され
る。アップフロー管１０６は、供給された純水を注入管
１０７へと導く。注入管１０７内へと導かれた純水は図
中点線矢印で示されるように、各孔１０７ａ（図３参
照）から処理槽１内に噴出し、処理槽１内に貯留されて
いく。やがて、純水は、処理槽１の開口部分から溢れ出
し、オーバーフロー溝１０４内に流れ込み、そして、オ
ーバーフロー排液管１０５（図３参照）を介して減圧チ
ャンバ２の外部へと排出される。そのため、処理槽１内
を薬液処理や基板洗浄処理の直前に清潔にする。ＣＰＵ
５１は、基板ガイド４１を予め定められた初期位置（本
説明では、ＬＥＰと同じ位置）に静止するように、モー
タ駆動回路５３を介して、サーボモータ４５を制御し
（図５；ステップＳ５０１）、これによって、基板処理
の準備工程は終了する（図５；ステップＳ５１）。

【００２７】次に、図７を参照して、基板の搬送／ロー
ディング工程について説明する。この工程において、減
圧チャンバ２内は所定の不活性ガスによりパージされ
る。また、純水の供給は準備工程以降継続されている。
フィン４２１は、図７（ｂ）に示すように、ステップＳ
５０１で基板ガイド４１が初期位置（ＬＥＰ）に静止す
るので、前述のＤＥＴ₁ がＣＰＵ５１に出力される。Ｃ
ＰＵ５１は、ＤＥＴ₁ を入力されると第１の速度（以
下、Ｖ₁ と称す）を選択し、選択したＶ₁ をモータ駆動
回路５３に通知するための信号であるＭＥＳ₁ を生成し
出力する（図５；ステップＳ５０２）。ここで、Ｖ₁ と
しては、好ましくは１２[mm/sec]以下の極力遅い速度が
選ばれる。この極力遅い速度は、サーボモータ４５のト
ルクに依存する。なお、Ｖ₁ は本願請求項２又は請求項
５に係る発明における第１の速度に相当し、Ｖ₁ がこの
ように選ばれる理由は後述する。モータ駆動回路５３
は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ₁ を入力されると、サーボモ
ータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ₁ を生成し
出力する。このＤＲＶ₁ は、５００ [pps](pulse per
second)以下のパルス信号である。サーボモータ４５
は、モータ駆動回路５３からＤＲＶ₁ を入力されると正
回転し、これに含まれるパルス数（≦５００ [pps]）に
応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイド４
１は、図７（ａ）に示すように、純水で満たされている
処理槽１内を、ＬＥＰからＶ₁ で上昇し始める。基板ガ
イド４１は、処理槽１内を上昇していくとやがて、その
最上端部分から減圧チャンバ２内の雰囲気に露出してく
る。

【００２８】ところで、基板ガイド４１の基板Ｗを支持
する溝は、上述及び図示からも明らかなように、入り組
んでいて複雑な形状をなしている。それゆえ、この溝に
は純水が残り易く、この溝に残留する純水がパーティク
ルの要因となる。しかしながら、本基板ガイド４１が純
水で満たされた処理槽１内をＶ₁ という低速で上昇する
ので、相対的に高速で上昇した場合にはこの溝に残留す
る純水が、その表面張力によって処理槽１側の純水に取
り込まれる。これによって、この溝には純水が残留し難
くなり、パーティクルが基板Ｗに付着し難くなる。ま
た、Ｖ₁ の上限値である１２[mm/sec]は実験結果により
得られた値である。本願出願人は、この実験において、
Ｖ₁ としての様々な試験的な速度で基板ガイド４１を純
水中から引き上げ、試験された各速度毎に、いわゆるパ
ーティクルマップを収集した。その結果、Ｖ₁ が１２[m
m/sec]以下であれば、基板Ｗにパーティクルが付着する
割合が極めて少ないことが判明した。以上が、Ｖ₁ が１
２[mm/sec]以下に選ばれる理由である。

【００２９】さて、基板ガイド４１が完全に上記雰囲気
内に露出した後、当該基板ガイド４１の最下端は、図８
（ａ）に示すように、純水面から鉛直上方向に所定距離
だけ離れた位置に到達する。この純水面からの所定距離
は、好ましくは２〜３[mm]である。本説明では、この純
水面は処理槽１の最上部と同じ高さを有する。ＩＰは、
純水面から鉛直上方向にこの所定距離だけ離れた位置で
ある。フィン４２１は、基板ガイド４１がＩＰに到達す
ると、図８（ｂ）に示すように、第２のセンサ４７のギ
ャップに位置するので、前述のＤＥＴ₂ がＣＰＵ５１に
出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ₂ を入力されると、
第２の速度（以下、Ｖ₂ と称す）を選択し、この選択さ
れたＶ₂ をモータ駆動回路５３に通知するための信号で
あるＭＥＳ₂ を生成し出力する（図５；ステップＳ５０
３）。なお、Ｖ₂ は本願請求項２又は請求項５に係る発
明における第２の速度に相当する。このＶ₂ としては、
好ましくは１６８[mm/sec]程度の極力速い速度が選ば
れ、基板処理の高速化が図られる。モータ駆動回路５３
は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ₂ を入力されると、サーボモ
ータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ₂ を生成し
出力する。このＤＲＶ ₂ は、７０００ [pps]程度のパル
ス信号である。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５
３からＤＲＶ₂ を入力されると正回転し、これに含まれ
るパルス数（≒７０００ [pps]）に応じた駆動力を発生
する。これによって、基板ガイド４１は、ＩＰからＶ₂
（≒１６８[mm/sec]）で上昇し始める。さらに、この
時、減圧チャンバ２のシャッター２２が開けられる。

【００３０】基板ガイド４１は、図９（ａ）に示すよう
に、上記雰囲気内を上昇していき、ケーシング２１の開
口部から減圧チャンバ２の外部に露出しつつ、ＵＥＰに
到達する。フィン４２１は、基板ガイド４１がＵＥＰに
到達すると、図９（ｂ）に示すように、第３のセンサ４
８のギャップに位置するので、前述のＤＥＴ₃ がＣＰＵ
５１に出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ₃ を入力され
ると、基板ガイド４１を静止させるための第３の速度、
（＝０[mm/sec]；以下、Ｖ₃ と称す）を選択し、この選
択されたＶ₃ をモータ駆動回路５３に通知するための信
号であるＭＥＳ ₃ を生成し出力する（図５；ステップＳ
５０４）。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥ
Ｓ₃ を入力されると、サーボモータ４５を停止させるた
めに、前述のＤＲＶ₃ の生成を停止する。これによっ
て、サーボモータ４５は停止し、基板ガイド４１はＵＥ
Ｐに静止する。

【００３１】ところで、ＣＰＵ５１がステップＳ５０４
の実行を終了する頃、搬送ロボット７は、図１０に示す
ように、他工程の終了した基板Ｗをチャック７１によっ
て所定枚把持し、本基板処理装置の上部まで搬送してい
る。次に、搬送ロボット７は、ＵＥＰで静止中の基板ガ
イド４１上に、搬送された基板Ｗを載置し、チャック７
１を矢印Ａの向きに回動させて、基板Ｗを離す。これに
よって、基板Ｗは、基板ガイド４１の支持部分に差し込
まれ、支持される。以上の説明からも明らかなように、
本説明においてＵＥＰは、搬送ロボット７が基板Ｗを基
板ガイド４１に受け渡す位置として規定される。

【００３２】ＣＰＵ５１は、このような基板の受け渡し
が終了すると（図５；ステップＳ５０５）、第４の速度
（以下、Ｖ₄ （＝−Ｖ₂ ）と称す）を選択し、選択され
たＶ ₄ をモータ駆動回路５３に通知するための信号であ
るＭＥＳ₄ を生成し出力する（図５；ステップＳ５０
６）。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ₄
を入力されると、サーボモータ４５を駆動するための信
号であるＤＲＶ₄ を生成し出力する。このＤＲＶ₄ は、
７０００ [pps]程度でサーボモータ４５を負回転させ
る。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３からＤＲ
Ｖ₄ を入力されると、これに含まれるパルス数（≒７０
００ [pps]）に応じた駆動力を発生する。これによっ
て、基板ガイド４１は、ＵＥＰから鉛直下方向にＶ₄
（≒１６８[mm/sec]）で下降し始める（図１０中の矢印
Ｂ参照）。なお、Ｖ₄ は本願請求項３又は請求項６に係
る発明の第１の速度に相当する。図１１に示されるよう
に、基板ガイド４１及び連結板４３が完全に減圧チャン
バ２の雰囲気内に収まると、シャッター２２が閉じられ
る。

【００３３】基板ガイド４１は、ＵＥＰから下降し続け
ていくと、やがてＩＰに到達する。この時、図８（ｂ）
と同様に、フィン４２１が第２のセンサ４７のギャップ
に位置し、ＤＥＴ₂ がＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ
５１は、ＤＥＴ₂ を入力されると、第５の速度（以下、
Ｖ₅ と称す）を選択し、選択されたＶ₅ をモータ駆動回
路５３に通知するための信号であるＭＥＳ₅ を生成し出
力する（図５；ステップＳ５０７）。このＶ₅ として
は、鉛直下向きであって、４８[mm/sec]以下の遅い速度
が選ばれる。なお、Ｖ₅ は本願請求項３又は請求項６に
係る発明の第２の速度に相当し、Ｖ₅ がこのように選ば
れる理由は後述する。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５
１からＭＥＳ₅ を入力されると、サーボモータ４５を駆
動するためのパルス信号であるＤＲＶ₅ を生成し出力す
る。このＤＲＶ₅ は、２０００ [pps]以下でサーボモー
タ４５を負回転させる。サーボモータ４５は、モータ駆
動回路５３から駆動信号ＤＲＶ₅ を入力されると負回転
すると共に、基板ガイド４１は、中間位置ＩＰから鉛直
下方向にＶ₅ （≦４８[mm/sec]）で下降し始める。基板
ガイド４１は、中間位置ＩＰが処理槽１の上端部分から
所定距離だけ離れているので、Ｖ₄ で下降し始めた直後
に、図１１からも明らかなように、その最下端部分から
純水中に入っていく（同図中の矢印Ａ参照）。

【００３４】前述した通り、基板ガイド４１は、ＬＥＰ
からＵＥＰまで上昇する間、相対的に遅く上昇するよう
に制御され、基板Ｗの支持部分には純水が残りにくくな
っているが、実際には残る場合もある。この時に、純水
が基板ガイド４１に残ってしまうと、パーティクルの要
因となるのは、前述した通りである。ここで、基板ガイ
ド４１を高速に入水させる場合の弊害について検討す
る。基板ガイド４１を高速に入水させればさせる程、処
理槽１内の純水が飛沫となって激しく飛散する。その上
で、パーティクルの要因となる純水が基板ガイド４１に
残っていると、飛沫の飛散に伴って、当該基板ガイド４
１に残っていた純水が基板Ｗに飛散する。このように純
水が飛散した結果、基板処理後の基板Ｗにはパーティク
ルが付着していることが多くなる。このことから、基板
ガイド４１が着水する直前に、当該基板ガイド４１の下
降速度は遅くなるように制御されている。つまり、Ｖ₅
は低速であることが好ましい。このようにＶ₅ を低速に
選ぶことによって、処理槽１内の純水が飛沫となって飛
散することを防ぎ、この結果、基板処理後の基板Ｗには
パーティクルが付着し難くなる。また、昇降速度Ｖ₅ の
上限値である４８[mm/sec]は、Ｖ₁ を選んだ場合と同様
に、本願出願人が実験した結果より得られた値である。
以上が、Ｖ₅ が４８[mm/sec]以下に選ばれる理由であ
る。

【００３５】さて、基板ガイド４１が、Ｖ₅ で下降して
いき、処理槽１内の基板支持部１１１の間を通り抜ける
時、各基板Ｗが基板ガイド４１から基板支持部１１１へ
と受け渡される。各基板Ｗは、基板支持部１１１の溝に
差し込まれ、そこで位置決められて支持される。これに
よって、各基板Ｗは、図１２に示すように、処理槽１内
に収納される。その後、基板ガイド４１はＬＥＰに到達
し、フィン４２１は、図７（ｂ）と同様に、第１のセン
サ４６のギャップ内に位置する。そのため、ＤＥＴ₁ が
ＣＰＵ５１に出力される。ＣＰＵ５１は、ＤＥＴ₁ を入
力されると、Ｖ ₃ （＝０[mm/sec]）を選択し、この選択
されたＶ₃ をモータ駆動回路５３に通知するための信号
であるＭＥＳ₃ を生成し出力する（図５；ステップＳ５
０８）。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ
₃ を入力されると、サーボモータ４５を停止させるため
に、前述のＤＲＶ₃ の生成を停止する。これによって、
サーボモータ４５は停止し、図１２に示すように、基板
ガイド４１はＵＥＰに静止する。これによって、搬送／
ローディング工程が終了する（図５；ステップＳ５
２）。

【００３６】次に、再度図１２を参照して、薬液処理工
程について説明する。この薬液処理の間中、基板ガイド
４１はＬＥＰに静止しており、さらに、所定量の不活性
ガスにより減圧チャンバ２内がパージされる。このよう
な状況下で、減圧チャンバ２の外部の薬液供給源（図示
せず）からアップフロー管１０６（図２参照）に薬液と
してのエッチング液が供給される。供給された薬液は、
アップフロー管１０６から注入管１０７へと導びかれ、
当該注入管１０７の各孔１０７ａから処理槽１内に噴出
する。アップフロー管１０６には、外部の薬液供給源か
ら一定時間継続的に薬液が供給されるため、処理槽１内
における薬液の濃度は、徐々に高くなり、やがて一定濃
度となる。また、その間に処理槽１から溢れ出す液体
（主として純水と薬液との混合液）は、オーバーフロー
溝１０４内に流れ込み、オーバーフロー排液管１０５を
介して減圧チャンバ２の外部へと排出される。これによ
って、基板Ｗは、常に新しい薬液に浸漬されることにな
る。そして、薬液供給源は、薬液処理工程の開始から一
定時間経過すると、薬液の供給を停止し、エッチング処
理工程等の薬液処理工程が終了する（図５；ステップＳ
５３）。

【００３７】次に、同様に図１２を参照して、洗浄工程
について説明する。この洗浄工程が開始されると、基板
の洗浄液としての純水が外部の純水供給源（図示せず）
からアップフロー管１０６に純水が供給される。この供
給された純水は、アップフロー管１０６から注入管１０
７へと導かれ、当該注入管１０７の各孔１０７ａから処
理槽１内へと噴出する。この噴出した純水は、各基板Ｗ
の間へと流れ込み、各基板Ｗの表面をまんべんなく洗浄
する。また、純水が供給され続けている間に処理槽１か
ら溢れ出る液体（主として純水と薬液との混合液）は、
オーバーフロー溝１０４内に流れ込み、オーバーフロー
排液管１０５を介して減圧チャンバ２の外部へと排出さ
れる。これによって、薬液処理工程時に各基板Ｗを浸漬
していた薬液は、処理槽１内に滞留せず、溢れ出た液体
と共に外部へと排出される。純水は処理槽１内に継続的
に供給されるため、処理槽１内の薬液の濃度は徐々に薄
まり、やがて処理槽１内は純水のみに置換される。そし
て、処理槽１内の液体の比抵抗値が所定値（例えば、純
水の比抵抗値）になったことを比抵抗計（図示せず）が
検出すると、純水の供給が停止され、洗浄工程が終了す
る（図５；ステップＳ５４）。なお、上記洗浄工程では
基板の洗浄液として純水を用いているが、基板を洗浄で
きる液体（例えば、ふっ酸添加純水）であれば、何を用
いても良い。

【００３８】次に、図１３及び図１４を参照して、引き
上げ乾燥工程について説明する。ＣＰＵ５１は、洗浄工
程が終了すると（図５；ステップＳ５０９）、第６の昇
降速度（以下、Ｖ₆ と称す）を選択し、この選択したＶ
₆ をモータ駆動回路５３に通知するための信号であるＭ
ＥＳ₆ を生成し出力する（ステップＳ５１０）。なお、
Ｖ₆ は本願請求項７又は請求項８に係る発明における第
１の速度に相当する。ここで、Ｖ₆ の大きさは、１[mm/
sec] から５[mm/sec] の範囲が好ましい。モータ駆動回
路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ₆ を入力されると、サ
ーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲＶ₆ を
生成し出力する。このＤＲＶ₆ は、上記Ｖ₆ に比例する
パルス数を有しており、サーボモータ４５を回転させ
る。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３から入力
されるＤＲＶ₆ が含むパルス数に応じた駆動力を発生す
る。これによって、基板ガイド４１は、ＬＥＰからＶ₆
で上昇し始め、基板支持部１１１の間を通り抜ける時、
各基板Ｗが基板支持部１１１から基板ガイド４１へと受
け渡される。各基板Ｗは、基板ガイド４１の溝に差し込
まれ、そこで位置決められて支持される。これによっ
て、基板ガイド４１に支持される各基板Ｗは、処理槽１
から引き上げられ、減圧チャンバ２内の雰囲気に露出し
てくる。

【００３９】このように各基板Ｗが引き上げられ始める
と、図示しない外部の供給源から、基板を乾燥させるた
めの蒸気としてのＩＰＡ蒸気が導入管２５に供給され始
める。供給されたＩＰＡ蒸気は、図１３において矢印で
示すように、導入管２５の複数の吐出口２５ａから処理
槽１の上端部に向けて吐出され、処理槽１から引き上げ
られてくる各基板Ｗに吹き付けられる。その結果、各基
板ＷではＩＰＡ蒸気が凝縮し、当該各基板Ｗに付着して
いる液滴（主として純水）はＩＰＡに置換される。この
ように、ＩＰＡ蒸気を吹き付けながら各基板Ｗを引き上
げていくと、やがて、図８（ｂ）と同様に、基板ガイド
４１がＩＰに到達するので、ＤＥＴ₂ がＣＰＵ５１に出
力される。ＣＰＵ５１は、このＤＥＴ₂ を入力されると
Ｖ₃ を（＝０[mm/sec]）選択し、前述のＭＥＳ₃ を生成
し、モータ駆動回路５３に出力する（図５；ステップＳ
５１１）。モータ駆動回路５３は、前述した通り、入力
されたＭＥＳ₃ に基づいて、ＤＲＶ₂ の生成を停止し、
その結果、基板ガイド４１はＩＰで静止する。

【００４０】このように基板ガイド４１がＩＰで静止す
ると、図１４に示すように、ＩＰＡ蒸気の供給が停止さ
れると共に、排気系６（図１参照）は、内部の真空ポン
プ（図示せず）を作動させ排気を行う。その結果、減圧
チャンバ２内は減圧され、現在静止中の各基板Ｗの表面
で凝縮して液滴と置換したＩＰＡを蒸発させ、これによ
って、当該各基板Ｗは乾燥する。排気系６は、内部の真
空ポンプを、所定時間だけ動作させた後、停止させる。
これによって、引き上げ乾燥工程が終了する（図５；ス
テップＳ５５）。ここで、この所定時間とは、各基板Ｗ
を乾燥させるのに十分な時間である。なお、蒸気引き上
げ乾燥工程では、乾燥蒸気としてＩＰＡを用いている
が、これに限られず、水溶性でかつ基板上に残る水滴の
表面張力を低下させる性質を有する有機溶剤の蒸気であ
れば、何を用いても良い。

【００４１】次に、図１５を参照して、基板のアンロー
ディング／搬送工程について説明する。ＣＰＵ５１は、
上記所定時間が経過すると（図５；ステップＳ５１
２）、前述のＶ₂ を選択して、前述のＭＥＳ₂ を生成し
出力する（図５；ステップＳ５１３）。このＶ₂ は、本
願請求項７又は請求項８に係る発明における第２の速度
に相当し、前述したように極力速い速度が選ばれるが、
このアンローディング／搬送工程において、このＶ₂
は、基板を過剰に乾燥させないための速度でもある。モ
ータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ₂ を入力さ
れると、ＤＲＶ₂ を生成し出力する。サーボモータ４５
は、入力されるＤＲＶ₂ に応じた駆動力を発生する。こ
れによって、基板ガイド４１は、処理槽１内において中
間位置ＩＰからＶ₂ （≒１６８[mm/sec]）で上昇し始め
る。さらに、この時、減圧チャンバ２のシャッター２２
が開けられる。

【００４２】基板ガイド４１は、減圧チャンバ２内の雰
囲気を上昇して、ＵＥＰに到達した時、ＤＥＴ₃ がＣＰ
Ｕ５１に出力される。その結果、ステップＳ５０４と同
様の処理が実行され、その結果、基板ガイド４１はＵＥ
Ｐで静止する（ステップＳ５１４）。そして、図１５の
矢印Ａで示すように、搬送ロボット７はチャック７１に
よって基板Ｗを把持し、他の位置へと搬送する。

【００４３】なお、本実施形態では、基板ガイド４１は
数種類の速度Ｖで移動することが可能であった。しかし
ながら、少なくとも２つの速度、つまり相対的に速い速
度と遅い速度を準備しておけば、処理液面近傍で基板ガ
イド４１の速度を変化させることができ、これによって
基板ガイド４１と基板Ｗとの隙間に付着した純水を十分
に乾燥することができる。

【００４４】次に、本発明の第２の実施形態に係る基板
処理装置について説明する。本基板処理装置は、原則と
して、第１の実施形態と同様であるため、本基板処理装
置において、第１の実施形態のものに相当する構成部分
には、同一の参照番号を付し、その説明を省略する。し
かしながら、本基板処理装置は、第４のセンサ（図示せ
ず）を備える点で相違し、さらにＲＯＭ５２内に書き込
まれているプログラムは部分的に相違する。より具体的
には、本基板処理装置のＣＰＵ５１は、図５に示すステ
ップＳ５０１〜Ｓ５１４の内、ステップＳ５１０に代え
て、図１６に示すようなステップＳ１６０１〜Ｓ１６０
２を実行する点で異なる。以下、本基板処理装置につい
て、この相違点を中心に説明する。

【００４５】洗浄工程は、第１の実施形態でも説明した
通り、図５のステップＳ５０９が実行されることにより
終了する。ＣＰＵ５１は、ステップＳ５０９の後、第７
の昇降速度（以下、Ｖ₇ と称す）を選択し、この選択し
たＶ₇ をモータ駆動回路５３に通知するための信号であ
るＭＥＳ₇ を生成し出力する（図１６；ステップＳ１６
０１）。このＶ₇ の詳細については後述するので、ここ
では述べない。モータ駆動回路５３は、ＣＰＵ５１から
ＭＥＳ₇ を入力されると、サーボモータ４５を駆動する
ための信号であるＤＲＶ₇ を生成し出力する。このＤＲ
Ｖ₇ は、上記Ｖ ₇ に比例するパルス数を有しており、サ
ーボモータ４５を回転させる。サーボモータ４５は、モ
ータ駆動回路５３から入力されるＤＲＶ₇ が含むパルス
数に応じた駆動力を発生する。これによって、基板ガイ
ド４１は、ＬＥＰからＶ₇ で上昇し始め、前述した通
り、やがて、各基板Ｗが基板支持部１１１から基板ガイ
ド４１へと受け渡される。各基板Ｗは、基板ガイド４１
の溝によって支持される。これによって、基板ガイド４
１に支持される各基板Ｗは、処理槽１から引き上げられ
る。

【００４６】このように各基板Ｗが引き上げられ始める
と、第１の実施形態での説明と同様の方法で、所定の有
機溶剤（ＩＰＡ等）の蒸気が、引き上げられてくる各基
板Ｗに吹き付けられる（図１３参照）。その結果、各基
板ＷではＩＰＡ蒸気が凝縮し、当該各基板Ｗに付着して
いる液滴（主として純水）は所定の有機溶剤に置換され
る。そのまま、有機溶剤の蒸気を吹き付けながら各基板
Ｗを引き上げていくと、やがて、基板ガイド４１の上端
部が純水面の直下に到達する。上記第４のセンサは、第
１のセンサ４６と同様に構成されており、基板ガイド４
１の上端部が純水面の直下に到達した時に、自身のギャ
ップ間をフィン４２１が通過するように予め取り付けら
れている。また、第４のセンサは、上端部が純水面の直
下に到達したことを示す信号であるＤＥＴ₄ をＣＰＵ５
１に出力する。ＣＰＵ５１は、このＤＥＴ₄ を入力され
るとＶ₈ を選択し、この選択したＶ₈ をモータ駆動回路
５３に通知するための信号であるＭＥＳ₈ を生成し出力
する（図１６；ステップＳ１６０２）。このＶ₈ の詳細
についても後述するので、ここでは述べない。モータ駆
動回路５３は、ＣＰＵ５１からＭＥＳ₈ を入力される
と、サーボモータ４５を駆動するための信号であるＤＲ
Ｖ₈ を生成し出力する。このＤＲＶ₈ は、上記Ｖ₈ に比
例するパルス数を有しており、サーボモータ４５を回転
させる。サーボモータ４５は、モータ駆動回路５３から
入力されるＤＲＶ₈ が含むパルス数に応じた駆動力を発
生する。これによって、基板ガイド４１の上昇速度は、
基板ガイド４１の上端部が純水面の直下を境に、Ｖ₇ か
らＶ₈ でに変化する。

【００４７】この後、やがて、図８（ｂ）と同様に、基
板ガイド４１がＩＰに到達するので、ＤＥＴ₂ がＣＰＵ
５１に出力されるが、これ以降のＣＰＵ５１の動作は、
図５のステップＳ５１１以降に示される通りであるた
め、その説明を省略する。

【００４８】以上説明したように、第２の実施形態に係
る基板処理装置では、基板ガイド４１の上昇速度は、基
板ガイド４１の上端部が純水面の直下を境に、Ｖ₇ から
Ｖ₈に変化する。ここで、Ｖ₇ とＶ₈ との関係について
説明する。第１の実施形態で説明した通り、基板ガイド
４１の溝には基板Ｗの下部が差し込まれる。したがっ
て、支持された基板Ｗにおいて、溝に差し込まれている
部分よりも上側（つまり、基板ガイド４１よりも上側）
では、当該基板Ｗを相対的に高速に引き上げても、パー
ティクルの要因とならないことは、第１の実施形態より
明らかである。しかしながら、溝に填り込んでいる部分
（基板ガイド４１の溝部分）については、パーティクル
の要因となるので、基板Ｗを相対的に低速に引き上げる
必要がある。したがって、Ｖ₇ とＶ₈ のと関係は、Ｖ₇
＞Ｖ₈ を満たすことが必要最低限の条件となる。Ｖ₈
は、本願請求項７又は請求項８に係る発明における第１
の速度に相当する。また、Ｖ₈ は１[mm/sec] から５[mm
/sec] の範囲であることが好ましい。このように、第２
の実施形態によれば、引き上げ乾燥を行う場合に、支持
された基板Ｗの位置に応じて速度を最適に制御できるよ
うになり、これによって、基板ガイド４１と基板Ｗとの
隙間に付着した純水を十分に乾燥することができて基板
Ｗ表面にパーティクルが付着したり、ウォーターマーク
が発生したりすることを抑制できる。

【００４９】次に、本発明の第３の実施形態に係る基板
処理装置について説明する。本実施形態の基板処理装置
はいわゆるドレン乾燥工程を実行するが、その処理槽の
構造は図３に示すものと同様であり、減圧チャンバの構
造も、図１及び図２に示したものと部分的に似ている。
そのため、本基板処理装置において、第１の実施形態の
ものに相当する構成部分には、同一の参照番号を付し、
その説明を省略する。図１７は、本実施形態に係る基板
処理装置の構成を示す断面図である。図１７に示す減圧
チャンバ２は、図１及び図２に示す減圧チャンバと比較
すると、その上端面を低くできる点と、導入管２５の設
置位置と、第１〜第３のセンサ４６〜４８、フィン４２
１及び制御部５に代えて制御部９を備える点で相違す
る。それ以外の相違点には異なる点は無い。まず、導入
管２５は、ケーシング２１内側の最上部近傍に設置され
る。なお、制御部９については後述するので、ここでは
説明しない。

【００５０】本基板処理装置もまた、第１の実施形態に
係るものと同様に、準備工程→搬送／ローディング工程
→薬液処理工程→洗浄工程という一連の工程（図５参
照）を実行する。図１７はさらに、洗浄工程終了時にお
ける基板処理装置の状態も示している。この基板処理終
了時には、洗浄液が十分に処理槽１に満たされている。
また、基板ガイド４１は、前述のＬＥＰに相当する位置
に静止している。このような状況下で、ドレン乾燥工程
が開始される。ドレン乾燥工程では、まず最初に、処理
槽１内の洗浄液面を微小量低下させるため、槽内排液管
１０９から洗浄液が微小量排出される。これは、洗浄液
面で凝縮する有機溶剤が処理槽１の外部へと流出するこ
とを防ぐためである。

【００５１】洗浄液を排出後、導入管２５は、図１８に
示すように、処理槽１内に貯留されている洗浄液面に向
けて、外部の供給源から供給される有機溶剤（前述）の
蒸気をその吐出口２５ａから吐出する。その結果、有機
溶剤は洗浄液面上で凝縮する。制御部９は、有機溶剤の
供給開始から、凝縮した有機溶剤の層が一定の厚さにな
るような時間経過後、急速開放弁９７を所定量開き、後
述する降下速度の制御を実行しつつ、処理槽１内の洗浄
液を槽内排液管１０９から排出させる。この排出の間
中、導入管２５は有機溶剤の蒸気を供給し続けている。
また、制御された降下速度で洗浄液面がこの排出により
降下するにつれて、基板支持部１１１に支持された各基
板Ｗが減圧チャンバ２内の雰囲気に露出する共に、当該
各基板Ｗには洗浄液面で凝縮した有機溶剤が付着する。
したがって、各基板Ｗに付着している洗浄液の滴は、凝
縮した有機溶剤に置換される。これによって、各基板Ｗ
の表面にはこの滴が残ることなく、当該表面は十分に乾
燥する。そして、図１９に示すように洗浄液面の位置が
各基板に対して十分に低下し、かつ各基板Ｗと基板支持
部１１１の溝との間に、残留する洗浄液が十分に乾燥す
ると、有機溶剤の蒸気の供給は終了する。

【００５２】有機溶剤の蒸気の供給終了後、減圧チャン
バ２内は所定量の不活性ガスによりパージされる。同時
に、減圧チャンバ２内は排気系６により減圧される。そ
の結果、有機溶剤の沸点が低下し、減圧チャンバ２内に
残留している有機溶剤は容易に蒸発し、各基板Ｗの表面
は短時間で乾燥する。排気系６は、減圧チャンバ２内の
不必要な有機溶剤が減圧により十分に乾燥するような時
間経過後、減圧を停止する。この減圧停止後、減圧チャ
ンバ２内では、再度パージが実行されて、減圧チャンバ
２内を大気圧まで戻す。こうしてドレン乾燥工程が終了
する。以上説明したように、本基板処理装置は減圧チャ
ンバ２及び排気系６によりＬＰＤ(Low Pressure Dryin
g) を実行でき、高品質な基板Ｗを生成できる。

【００５３】本基板処理装置は、このドレン乾燥工程の
終了後、アンローディング／搬送工程を実行するが、こ
れについては図５のステップＳ５６で既に説明している
ので、その説明を省略する。

【００５４】ところで、急速開放弁９７は、槽内排液管
１０９から排出される洗浄液を導く配管上に設けられ
る。この急速開放弁９７のオリフィス径がドレン乾燥工
程の間一定に制御されている場合、減圧チャンバ２の外
部に排出される洗浄液が当該オリフィスを通過する流量
は、処理槽１内に貯留された洗浄液の位置エネルギー、
つまり洗浄液面の高さに比例する。そのため、洗浄液面
の位置が低くなってくると、急速開放弁９７から排出さ
れる洗浄液の流量が減り、その結果、洗浄液面の降下速
度は小さくなる。また、図示からも明らかなように、基
板支持部１１１の溝には基板Ｗの下部が差し込まれる。
したがって、支持された基板Ｗにおいて、溝に填り込ん
でいる部分よりも上側（つまり、基板支持部１１１より
も上側）では、当該基板Ｗを相対的に高速に引き上げて
も、パーティクルの要因とならないことは、第１の実施
形態より明らかである。

【００５５】このような背景から、制御部９は、ドレン
乾燥工程の間中、以下の洗浄液の降下速度の制御を実行
する。前述したように、制御部９は、液面センサ９１
と、微圧計９２と、ＣＰＵ９３と、ＲＯＭ９４と、電空
レギュレータ９５と、圧力調整器９６（アクチュエー
タ）と、急速開放弁９７とを含んでいる。液面センサ９
１は、処理槽１内に配置されており、微圧計９２により
微小量の不活性ガスをドレン乾燥工程の間中継続的に供
給される。液面センサ９１は、供給された不活性ガス
を、その先端から排出する。排出された不活性ガスは、
気泡となって、液面センサ９１を覆う中空円柱状のカバ
ー内を浮上していく（図１８参照）。微圧計９２は、液
面センサ９１からの気泡の排出圧に基づいて、処理槽１
内における洗浄液面の現在の高さを測定する。ここで、
本実施形態では、この微圧計９２が測定する洗浄液面の
高さは、上述のＬＥＰに対応するものとする。微圧計９
２は、測定した洗浄液面の高さＨを含む信号であるＤＥ
Ｔ_H を一定時間毎にＣＰＵ９２に出力する。

【００５６】ＲＯＭ９４には、この降下速度の制御のた
めのプログラムが予め書き込まれている。ＣＰＵ９３
は、このプログラムに従って、図２０に示す処理手順を
実行して、洗浄液の降下速度を制御する。ＣＰＵ９２
は、上述のＤＥＴ_H が入力されるのを待機している（ス
テップＳ２０１）。ＣＰＵ９２は、ＤＥＴ_H が入力され
ると、ＲＯＭ９４に予め準備されているテーブルにアク
セスする（ステップＳ２０２）。このテーブルには、Ｄ
ＥＴ_H が含む高さＨ毎に、最適なオリフィス径（Ｄ _ori
と称す）が予め書き込まれている。より具体的には、洗
浄液面の高さＨが、処理槽１の上端部の等しい高さ（以
下、Ｈ₂ と称す）から、基板支持部１１１の最上端部か
ら所定距離だけ離れた直上部分に等しい高さ（以下、Ｈ
₁ と称す）までの範囲内では、第２の実施形態のＶ₇ に
相当する相対的に高速な降下速度（以下、Ｖ₉ と称す）
が得られるようなＤ_ori がテーブルには書き込まれてい
る。それに対して、高さＨがＨ₁ からＨ₀ （上述のＬＥ
Ｐに相当する高さ）までの範囲内では、前述のＶ₈ に相
当する相対的に低速な降下速度（以下、Ｖ₁₀と称す）が
得られるようなＤ_ori がテーブルに書き込まれている。

【００５７】ＣＰＵ９２は、ステップＳ２０２の後、ア
クセスしたテーブルから、入力されたＤＥＴ_H に含まれ
る高さＨに対応するＤ_ori を取り出し、電空レギュレー
タ９５に出力して（ステップＳ２０３）、ステップＳ２
０１に戻る。電空レギュレータ９５は、所定の演算式に
基づいて、ＣＰＵ９２から入力されるＤ_ori を用いてパ
イロットエアー圧（以下、Ｐ_PAと称す）を演算して、圧
力調整器９６に出力する。圧力調整器９６は、入力され
るＰ_PAによって急速開放弁９７の開度（オリフィス径）
を調節して、槽内排液管１０９から排出される洗浄液の
流量を制御する。これによって、ドレン乾燥工程におい
て、処理槽１の上端部から降下してくる洗浄液面の降下
速度は、Ｈ₂ ≧Ｈ≧Ｈ₁ では一定のＶ₉ であり、Ｈ₁ ＞
Ｈ≧Ｈ₀では一定のＶ₁₀である。こうして、ドレン乾燥
工程を実行する基板処理装置においても、第２の実施形
態と同様の効果を得ることができる。

【００５８】なお、以上の第１〜第２の実施形態に係る
基板処理装置は、減圧チャンバ２により減圧乾燥を実行
していた。しかしながら、減圧乾燥しないチャンバを備
える基板処理装置においても、各実施形態において特有
の効果を得ることができる。また、搬送／ローディング
工程（図５；ステップＳ５２）において、基板ガイド４
１を固定して、液面を昇降させる場合に本発明を適用し
てもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の
構成を示す断面図である。

【図２】図１に示す基板処理装置において、二点鎖線で
示される矢印Ａの方向に沿う断面を、矢印Ｂの方向から
見たときの断面図である。

【図３】図１及び図２に示す処理槽１の構成を示す一部
破断斜視図である。

【図４】図２に示す制御部５の構成を示すブロック図で
ある。

【図５】図１〜図３により示される基板処理装置の各工
程を示すフローチャート、及び上記昇降速度の制御時に
ＣＰＵ５１の動作を示すフローチャートである。

【図６】図１〜図３に示す基板処理装置の基板処理の準
備工程を説明する図である。

【図７】図１〜図３に示す基板処理装置の基板の搬送／
ローディング工程を説明する第１の図である。

【図８】図５に示すステップＳ５０３を説明する図であ
る。

【図９】図５に示すステップＳ５０４を説明する図であ
る。

【図１０】図５に示すステップＳ５０４の実行が終了す
る頃に、搬送ロボット７が実行する動作を説明する図で
ある。

【図１１】図５に示すステップＳ５０７の実行が終了し
た直後に、基板ガイド４１がその最下端部分から純水中
に入っていく時の様子を説明する図である。

【図１２】図５に示すステップＳ５０８の実行により、
各基板Ｗが処理槽１内に収納された時の様子、及び基板
ガイド４１がＵＥＰに静止した時の様子を示す図であ
る。

【図１３】図１〜図３に示す基板処理装置の引き上げ乾
燥工程を説明する第１の図である。

【図１４】図１〜図３に示す基板処理装置の引き上げ乾
燥工程を説明する第２の図である。

【図１５】図１〜図３に示す基板処理装置の基板の搬送
／ローディング工程を説明する第２の図である。

【図１６】本発明の第２の実施形態に係る基板処理装置
のＣＰＵ５１が実行する動作を説明する図である。

【図１７】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置
の構成を示す断面図である。

【図１８】図１７の基板処理装置のドレン乾燥工程にお
いて、導入管２５の吐出口２５ａが処理槽１内の洗浄液
面に向けて、有機溶剤（前述）の蒸気を吐出する様子を
示す図である。

【図１９】図１７の基板処理装置のドレン乾燥工程にお
いて、有機溶剤の蒸気の供給は終了した時の様子を示す
図である。

【図２０】図１７のＣＰＵ９３がプログラムに従って実
行する処理の手順を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１…処理槽２…減圧チャンバ４…昇降装置５，９…制御部１１１…基板支持部４１…基板ガイド２５…導入管２５ａ…吐出口ＬＥＰ…下限位置ＩＰ…中間位置ＵＥＰ…上限位置Ｗ…基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＦ２６Ｂ 21/02 Ｆ２６Ｂ 21/02 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ (72)発明者基村雅洋滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１大日本スクリーン製造株式会社野洲事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を支持部により支持した状態で処理
液に浸漬させ、当該基板を当該処理液により処理する方
法であって、前記支持部を、前記基板を前記処理液に浸漬させるため
に供給される当該処理液の液面に対して相対的に昇降さ
せる場合において、前記液面から一定距離だけ上方に予め設定される基準の
位置に、前記支持部が到達する前に、当該支持部と当該
液面との相対速度を第１の速度に設定し、前記基準の位置に前記支持部が到達した時に、前記第１
の速度と異なる第２の速度に前記相対速度を設定する、
基板処理方法。
【請求項２】前記支持部が前記処理液中から前記液面
に相対的に上昇する場合、前記第１の速度は前記第２の
速度よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の
基板処理方法。
【請求項３】前記支持部が前記基準よりも高い位置か
ら前記液面に相対的に下降する場合、前記第２の速度
は、前記第１の速度よりも小さいことを特徴とする、請
求項１又は２に記載の基板処理方法。
【請求項４】基板を処理液に浸漬させ、当該基板を当
該処理液により処理する装置であって、前記基板を支持する支持部と、前記基板を前記処理液に浸漬させるために、前記支持部
を当該処理液の液面に対して相対的に昇降させる昇降部
と、前記昇降部により相対的に昇降させられる前記支持部と
前記液面との位置関係を検出する検出部と、前記検出部が検出した位置関係に基づいて、前記液面か
ら一定距離だけ上方に予め設定された基準の位置に前記
支持部が到達する前には、当該支持部と当該液面との相
対速度を第１の速度に制御すると共に、当該基準に当該
支持部が到達した時には、当該第１の速度と異なる第２
の速度に当該相対速度を制御する制御部とを備える、基
板処理装置。
【請求項５】前記支持部が前記処理液中から前記液面
に相対的に上昇する場合、前記制御部は、前記第１の速
度を、前記第２の速度よりも小さく制御することを特徴
とする、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】前記支持部が前記基準よりも高い位置か
ら前記液面に相対的に下降する場合、前記制御部は、前
記第２の速度を、前記第１の速度よりも小さく制御する
ことを特徴とする、請求項４又は５に記載の基板処理装
置。
【請求項７】基板を支持部により支持して処理液に浸
漬させた後、当該処理液の液面近傍に乾燥蒸気を供給し
て、当該基板を乾燥させる方法であって、前記供給された乾燥蒸気で前記基板を乾燥させるため
に、前記支持部が前記基板を支持した状態で前記処理液
中から前記液面に対して相対的に上昇する場合におい
て、前記液面から一定距離だけ上方に予め設定される基準の
位置に、前記支持部が到達する前に、当該支持部と当該
液面との相対速度を第１の速度に設定し、前記基準の位置に前記支持部が到達した時に、前記相対
速度を第２の速度に設定し、前記第１の速度は、前記第２の速度よりも小さいことを
特徴とする、基板処理方法。
【請求項８】基板を処理液に浸漬させた後、当該処理
液の液面近傍に乾燥蒸気を供給して、当該基板を乾燥さ
せる装置であって、前記処理液により浸漬される前記基板を支持する支持部
と、前記基板を支持した支持部を、前記処理液の液面に対し
て相対的に上昇させる上昇部と、前記上昇部により前記支持部が前記処理液中から前記液
面に対して相対的に上昇している最中に、外部から供給
される前記乾燥蒸気を前記液面近傍に供給する供給部
と、前記上昇部によって相対的に上昇させられる前記支持部
と前記液面との位置関係を検出する検出部と、前記検出部が検出した位置関係に基づいて、前記液面か
ら一定距離だけ上方に予め設定される基準の位置に、前
記支持部が到達する前に、当該支持部と当該液面との相
対速度を第１の速度に制御し、当該基準に当該支持部が
到達した時に、前記相対速度を第２の速度に制御する制
御部とを備え、前記第１の速度は、前記第２の速度よりも小さいことを
特徴とする、基板処理装置。