JPH11297701A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バリアメタル膜となる高融点導電膜を形成す
る際の困難な最適化を不要とし、容易且つ確実にアルミ
ニウムを含む金属膜を高配向化させて配線寿命を向上さ
せるとともに、配線抵抗を低減化させる。 【解決手段】 層間絶縁膜３上に多結晶シリコン膜４を
形成し、コンタクト孔５を形成する。このとき、コンタ
クト孔５内には多結晶シリコン膜４は存しない。そし
て、コンタクト孔５の内壁を覆うように多結晶シリコン
膜４上にＴｉ膜６を形成し、アニール処理してチタンシ
リサイド層１１を形成する。そして、Ｔｉ膜６を介して
コンタクト孔５を埋め込むようにＡｌ−１％Ｓｉ膜７を
形成し、パターニングすることで、配線層８を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アルミニウム系の
金属膜を主材料とする配線層を備えた半導体装置及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近時では、半導体装置の高集積化に伴っ
て素子の微細化が進行しており、そのため配線の電流密
度が増大化し、ひいては断線等が発生するという問題が
生じている。そこで、配線のエレクトロマイグレーショ
ン耐性（ＥＭ耐性）を向上させることが必要となってき
ている。このＥＭとは、電子により金属イオンが動かさ
れることにより、配線内に断線の原因となるボイドが発
生する現象である。

【０００３】この問題に対処する一手法として、例えば
特開平７−４１９４９号公報に開示されているように、
配線のアルミニウム合金膜の配向性を向上させることが
検討されている。この手法では、先ず、ＣＶＤ法により
特定の条件下でＲＦバイアス電圧を印加することによ
り、チタン粒子の入射角度分布を抑え（００２）配向を
有するチタン膜を形成する。続いて、ＣＶＤ法により特
定の条件下で放電を行い（１１１）配向を有する窒化チ
タン膜を形成する。しかる後、スパッタ法によりチタン
膜及びアルミニウム合金膜を形成する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
７−４１９４９号公報のような手法では、アルミニウム
系金属膜の配向性を向上させるため、バリアメタル膜を
含めた配線形成に用いられるスパッタ装置やＣＶＤ装置
等の構造、又はプロセス条件を詳細に検討し最適化させ
る必要がある。ところが、プロセス条件には様々なパラ
メータが存在し、これらのパラメータは配向性のみなら
ず膜の密着性、電気抵抗等にも影響を及ぼすことから、
前記最適化は極めて困難な作業である。

【０００５】また、例えば特開平６−１６３８７７号公
報には、バリアメタル膜を構成する高融点金属粒子の半
導体基板への異常拡散を防止する目的で、多結晶シリコ
ン膜を介してバリアメタル膜を形成し、更にアルミニウ
ム合金膜を形成する手法が開示されている。この多結晶
シリコン膜の存在により、アルミニウム合金膜を高配向
化させることが可能となるが、その反面、多結晶シリコ
ン膜によりコンタクト孔のアスペクト比が大きくなり、
コンタクト抵抗の増大化を招くという深刻な問題が生じ
る。

【０００６】そこで本発明は、バリアメタル膜となる高
融点導電膜を形成する際の困難な最適化を不要とし、容
易且つ確実にアルミニウムを含む金属膜を高配向化させ
て配線寿命を向上させるとともに、配線抵抗を低減化さ
せて、信頼性の向上に大幅に寄与する半導体装置及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板の上層に形成された層間絶縁膜に開孔が形成
されており、前記層間絶縁膜上に前記開孔を通じて下層
の導電領域と接続される配線層を備えた半導体装置であ
って、前記配線層は、前記層間絶縁膜の上面のみに形成
されたシリコン膜と、前記開孔の内壁面を覆うように前
記シリコン膜上に形成された高融点導電膜と、前記高融
点導電膜上に前記開孔を埋め込むように形成されたアル
ミニウムを含む金属膜とを有する。

【０００８】本発明の半導体装置は、半導体基板の上層
に形成された層間絶縁膜に開孔が形成されており、前記
層間絶縁膜上に前記開孔を通じて下層の導電領域と接続
される配線層を備えた半導体装置であって、前記配線層
は、前記層間絶縁膜の上面のみに形成されたシリコン膜
と、前記開孔の内壁面を覆うように前記シリコン膜上に
形成された第１の高融点導電膜と、前記第１の高融点導
電膜を介して前記開孔を埋め込む高融点導電プラグと、
前記高融点導電プラグ上を含む前記第１の高融点導電膜
上に形成された第２の高融点導電膜と、前記高融点導電
プラグと前記第２の高融点導電膜を介して接続されるよ
うに形成されたアルミニウムを含む金属膜とを有する。

【０００９】本発明の半導体装置の一態様例において
は、前記高融点導電膜或いは前記第１の高融点導電膜
が、チタン膜、タングステン膜、モリブデン膜及びコバ
ルト膜のうちから選ばれた１種と、窒化チタン膜、タン
グステン膜、モリブデン膜、コバルト膜、モリブデンシ
リコン膜及びチタンタングステン膜のうちから選ばれた
１種とが順次積層された２層構造膜である。

【００１０】本発明の半導体装置の一態様例において
は、前記シリコン膜と前記高融点導電膜或いは前記第１
の高融点導電膜との界面にシリサイド層が形成されてい
る。

【００１１】本発明の半導体装置の一態様例において
は、前記アルミニウムを含む金属膜が、シリコン、銅、
パラジウム及びマグネシウムのうちから選ばれた少なく
とも１種が添加されてなる。

【００１２】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板の上層に形成された層間絶縁膜上にシリコン膜を形
成する第１の工程と、前記シリコン膜及び前記層間絶縁
膜に開孔を形成し、前記層間絶縁膜の直下に存する導電
領域の表面の一部を露出させる第２の工程と、前記開孔
の内壁面及び前記シリコン膜を覆うように高融点導電膜
を形成する第３の工程と、前記開孔を前記高融点導電膜
を介して埋め込むようにアルミニウムを含む金属膜を形
成する第４の工程と、前記アルミニウムを含む金属膜、
前記高融点導電膜及び前記シリコン膜を加工して、所定
形状の配線層を形成する第５の工程とを有する。

【００１３】本発明の半導体装置の製造方法の一態様例
においては、半導体基板の上層に形成された層間絶縁膜
上にシリコン膜を形成する第１の工程と、前記シリコン
膜及び前記層間絶縁膜に開孔を形成し、前記層間絶縁膜
の直下に存する導電領域の表面の一部を露出させる第２
の工程と、前記開孔の内壁面及び前記シリコン膜を覆う
ように第１の高融点導電膜を形成する第３の工程と、前
記開孔を前記第１の高融点導電膜を介して埋め込む高融
点導電プラグを形成する第４の工程と、前記高融点導電
プラグ上を覆うように前記第１の高融点導電膜上に第２
の高融点導電膜を形成する第５の工程と、前記高融点導
電プラグと前記第２の高融点導電膜を介して接続される
ように、前記第２の高融点導電膜上にアルミニウムを含
む金属膜を形成する第６の工程と、前記アルミニウムを
含む金属膜、前記第１及び第２の高融点導電膜及び前記
シリコン膜を加工して、所定形状の配線層を形成する第
７の工程とを有する。

【００１４】本発明の半導体装置の製造方法の一態様例
においては、前記高融点導電膜或いは前記第１の高融点
導電膜が、チタン膜、タングステン膜、モリブデン膜及
びコバルト膜のうちから選ばれた１種と、窒化チタン
膜、タングステン膜、モリブデン膜、コバルト膜、モリ
ブデンシリコン膜及びチタンタングステン膜のうちから
選ばれた１種とが順次積層された２層構造膜である。

【００１５】本発明の半導体装置の製造方法の一態様例
は、前記第３の工程と前記第４の工程との間に、前記半
導体基板に熱処理を施し、前記シリコン膜と前記高融点
導電膜との界面にシリサイド層を形成する工程を更に有
する。

【００１６】本発明の半導体装置の製造方法の一態様例
においては、前記アルミニウムを含む金属膜が、シリコ
ン、銅、パラジウム及びマグネシウムのうちから選ばれ
た少なくとも１種が添加されてなる。

【００１７】

【作用】本発明においては、バリアメタル膜となる高融
点導電膜が層間絶縁膜上にシリコン膜を介して形成され
るため、層間絶縁膜上に直接形成する場合に比して配向
性の高い高融点導電膜が安定に形成されることになる。
従って、この高融点導電膜と格子定数の近いアルミニウ
ムを含む金属膜、例えば（１１１）配向を有する金属膜
が容易に形成される。

【００１８】また、シリコン膜上に高融点導電膜を形成
した後に、熱処理を施すことにより、シリコン膜と高融
点導電膜との界面にシリサイド膜を形成することがで
き、これにより配線抵抗を低減化させることが可能とな
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明を
適用した半導体装置及びその製造方法のいくつかの望ま
しい実施形態について説明する。これらの実施形態にお
いては、バリアメタル膜として高融点導電膜のチタン
（Ｔｉ）膜が形成されてなるアルミニウム系の金属膜を
備えた半導体装置について例示する。

【００２０】（第１の実施形態）この第１の実施形態で
は、例えばＭＯＳトランジスタにおいて、その配線層を
バリアメタル膜を介して開孔を埋め込んで帯状に延在す
るアルミニウム合金膜から形成する場合について説明す
る。図１及び図２は、第１の実施形態の主要工程につい
て説明する概略断面図である。

【００２１】先ず、図１（ａ）に示すように、シリコン
半導体基板１上に、ゲート電極やソース／ドレインとし
て機能する一対の不純物拡散層２を形成し、これらを覆
うシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜３を膜厚６００ｎ
ｍ程度に形成する。なお、図１及び図２の各図では、便
宜のため、ゲート電極等の図示を省略し、表面領域に形
成された一方の不純物拡散層２のみを明示し、シリコン
半導体基板１上に直接に層間絶縁膜３が形成されている
ように示す。

【００２２】続いて、図１（ｂ）に示すように、ＣＶＤ
法により層間絶縁膜３の全面に多結晶シリコン膜４を膜
厚２００ｎｍ程度に堆積形成する。ここで、多結晶シリ
コン膜４の代わりに、アモルファスシリコン膜等を形成
してもよい。即ち、層間絶縁膜３上に、上層に形成する
高融点導電膜の高配向性を安定化させる薄膜を形成すれ
ばよい。

【００２３】続いて、図１（ｃ）に示すように、多結晶
シリコン膜４及び層間絶縁膜３に当該層間絶縁膜３の下
層に存する不純物拡散層の表面の一部を露出させるコン
タクト孔５を形成する。このとき、当然のことながら、
コンタクト孔５内には多結晶シリコン膜４は存しない。
なお、第１の実施形態は、シリコン半導体基板上に各層
を堆積した後、層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜の
直下に存する導電膜の表面の一部を露出させるヴィア孔
を形成する場合にも適用できる。

【００２４】続いて、図２（ａ）に示すように、スパッ
タ法によりコンタクト孔５の内壁面を覆うように多結晶
シリコン膜４上にチタン（Ｔｉ）膜６を膜厚１００〜１
０００ｎｍ程度に形成する。ここで、Ｔｉ膜６の代わり
に、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、コ
バルト（Ｃｏ）膜等の高融点金属膜のうちから選ばれた
１種を形成してもよい。

【００２５】続いて、図２（ｂ）に示すように、窒素雰
囲気中においてシリコン半導体基板１に４５０〜５５０
℃の温度で３０分間のアニール処理を施し、不純物拡散
層２とチタン膜６とを両者の界面で反応させ、チタンシ
リサイド層１１を形成する。

【００２６】続いて、図２（ｃ）に示すように、スパッ
タ法によりコンタクト孔５をＴｉ膜６を介して埋め込む
ようにアルミニウム（Ａｌ）合金膜であるＡｌ−１％Ｓ
ｉ膜７を（１１１）配向を有するように膜厚３００〜１
０００ｎｍ程度に形成する。なお、Ｓｉが添加されたＡ
ｌ−１％Ｓｉ膜７の代わりに、銅（Ｃｕ）、パラジウム
（Ｐｄ）及びマグネシウム（Ｍｇ）等から選ばれた１種
をアルミニウムに添加した合金から金属膜を形成しても
よい。

【００２７】そして、Ａｌ−１％Ｓｉ膜７、Ｔｉ膜６及
び多結晶シリコン膜４にフォトリソグラフィー及びそれ
に続くドライエッチングを施して帯状に加工し、不純物
拡散層２と接続されてなる配線層８をパターン形成す
る。

【００２８】しかる後、更なる層間絶縁膜や導電膜の形
成等の後工程を経て、例えばＭＯＳトランジスタを完成
させる。

【００２９】第１の実施形態においては、高融点導電膜
であるＴｉ膜６が層間絶縁膜３上に多結晶シリコン膜４
を介して形成されるため、Ｔｉ膜を層間絶縁膜３上に直
接形成する場合に比して配向性の高いＴｉ膜６が安定に
形成されることになる。従って、このＴｉ膜６と格子定
数の近いアルミニウムを含む金属膜、例えば（１１１）
配向を有するＡｌ−１％Ｓｉ膜７が容易に形成される。

【００３０】また、多結晶シリコン膜４上にＴｉ膜６を
形成した後に、熱処理を施すことにより、多結晶シリコ
ン膜４とＴｉ膜６との界面にチタンシリサイド膜１１を
形成することができ、これにより配線抵抗を低減化させ
ることが可能となる。

【００３１】従って、第１の実施形態によれば、バリア
メタル膜となるＴｉ膜を形成する際の困難な最適化を不
要とし、容易且つ確実にＡｌ−１％Ｓｉ膜７を高配向化
させて配線寿命を向上させるとともに、配線抵抗を低減
化させて、信頼性の向上に大幅に寄与する半導体装置を
実現することができる。

【００３２】−変形例− 次に、第１の実施形態の変形例について説明する。図３
は、変形例の主要工程について説明する概略断面図であ
る。なお、第１の実施形態と同一の構成要素等について
は同符号を記して説明を省略する。

【００３３】先ず、第１の実施形態と導電膜と同様に、
図１（ａ）〜図１（ｃ），図２（ａ）の各工程を経て、
スパッタ法によりコンタクト孔５の内壁面を覆うように
多結晶シリコン膜４上にＴｉ膜６を形成する。ここで、
Ｔｉ膜６の代わりに、タングステン（Ｗ）膜、モリブデ
ン（Ｍｏ）膜、コバルト（Ｃｏ）膜等のうちから選ばれ
た１種を形成してもよい。

【００３４】続いて、図３（ａ）に示すように、Ｔｉ膜
６を覆うように、バリヤメタル膜として機能する窒化チ
タン（ＴｉＮ）膜１２を形成する。ここで、ＴｉＮ膜１
２の代わりに、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍ
ｏ）膜、コバルト（Ｃｏ）膜、モリブデンシリコン（Ｍ
ｏＳｉ）膜及びチタンタングステン（ＴｉＷ）膜等のう
ちから選ばれた１種を形成してもよい。

【００３５】続いて、図３（ｂ）に示すように、窒素雰
囲気中においてシリコン半導体基板１に第１の実施形態
の場合と同様のアニール処理を施し、不純物拡散層２と
チタン膜６とを両者の界面で反応させ、チタンシリサイ
ド層１１を形成する。

【００３６】続いて、図３（ｃ）に示すように、スパッ
タ法によりコンタクト孔５をＴｉ膜６を介して埋め込む
ようにアルミニウム（Ａｌ）合金膜であるＡｌ−１％Ｓ
ｉ膜７を（１１１）配向を有するように形成する。

【００３７】そして、Ａｌ−１％Ｓｉ膜７、ＴｉＮ膜１
２、Ｔｉ膜６及び多結晶シリコン膜４にフォトリソグラ
フィー及びそれに続くドライエッチングを施して帯状に
加工し、不純物拡散層２と接続されてなる配線層１３を
パターン形成する。

【００３８】しかる後、更なる層間絶縁膜や導電膜の形
成等の後工程を経て、例えばＭＯＳトランジスタを完成
させる。

【００３９】この変形例によれば、上述した第１の実施
形態の諸効果に加え、バリアメタル膜となるＴｉＮ膜１
２を形成したことによりＴｉの余分な拡散を防止するこ
とができる。

【００４０】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態
について説明する。ここでは、例えばＭＯＳトランジス
タにおいて、その配線層を、バリアメタル膜を介して開
孔を埋め込む導電プラグと当該導電プラグと電気的に接
続されて帯状に延在するアルミニウム合金膜とから形成
する場合について説明する。図４は、第２の実施形態の
主要工程について説明する概略断面図である。なお、第
１の実施形態と同一の構成要素等については同符号を記
して説明を省略する。

【００４１】先ず、第１の実施形態と導電膜と同様に、
図１（ａ）〜図１（ｃ），図２（ｂ）の各工程を経て、
スパッタ法によりコンタクト孔５の内壁面を覆うように
多結晶シリコン膜４上にＴｉ膜６を形成した後、アニー
ル処理により多結晶シリコン膜４とＴｉ膜６との界面に
チタンシリサイド層１１を形成する。ここで、Ｔｉ膜６
の代わりに、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍ
ｏ）膜、コバルト（Ｃｏ）膜等のうちから選ばれた１種
を形成してもよい。

【００４２】続いて、図４（ａ）に示すように、スパッ
タ法によりコンタクト孔５をＴｉ膜６を介して埋め込む
ようにタングステン（Ｗ）膜を膜厚５００ｎｍ程度に形
成した後、このＷ膜に化学機械研磨（ＣＭＰ）を施し
て、コンタクト孔５を充填するＷプラグ２１を形成す
る。

【００４３】続いて、図４（ｂ）に示すように、Ｗプラ
グ２１の上面を覆うようにＴｉ膜６上に窒化チタン（Ｔ
ｉＮ）膜２２を形成する。ここで、ＴｉＮ膜２２の代わ
りに、タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、
コバルト（Ｃｏ）膜、モリブデンシリコン（ＭｏＳｉ）
膜及びチタンタングステン（ＴｉＷ）膜等のうちから選
ばれた１種を形成してもよい。

【００４４】続いて、図４（ｃ）に示すように、スパッ
タ法によりＴｉＮ膜２２上にアルミニウム（Ａｌ）合金
膜であるＡｌ−１％Ｓｉ膜７を（１１１）配向を有する
ように形成する。

【００４５】そして、Ａｌ−１％Ｓｉ膜７、ＴｉＮ膜２
２、Ｔｉ膜６及び多結晶シリコン膜４にフォトリソグラ
フィー及びそれに続くドライエッチングを施して帯状に
加工し、Ｗプラグ２１等を介して不純物拡散層２と接続
されてなる配線層２３をパターン形成する。

【００４６】しかる後、更なる層間絶縁膜や導電膜の形
成等の後工程を経て、例えばＭＯＳトランジスタを完成
させる。

【００４７】第２の実施形態においては、高融点導電膜
であるＴｉ膜６が層間絶縁膜３上に多結晶シリコン膜４
を介して形成されるため、Ｔｉ膜を層間絶縁膜３上に直
接形成する場合に比して配向性の高いＴｉ膜６が安定に
形成されることになる。従って、このＴｉ膜６又はＴｉ
Ｎ膜２２と格子定数の近いアルミニウムを含む金属膜、
例えば（１１１）配向を有するＡｌ−１％Ｓｉ膜７が容
易に形成される。

【００４８】また、多結晶シリコン膜４上にＴｉ膜６を
形成した後に、熱処理を施すことにより、多結晶シリコ
ン膜４とＴｉ膜６との界面にチタンシリサイド膜１１を
形成することができ、これにより配線抵抗を低減化させ
ることが可能となる。

【００４９】従って、第２の実施形態によれば、バリア
メタル膜となるＴｉ膜を形成する際の困難な最適化を不
要とし、容易且つ確実にＡｌ−１％Ｓｉ膜７を高配向化
させて配線寿命を向上させるとともに、配線抵抗を低減
化させて、信頼性の向上に大幅に寄与する半導体装置を
実現することができる。

【００５０】なお、第２の実施形態においても、第１の
実施形態の変形例のように、Ｔｉ膜６を覆うように、バ
リヤメタル膜として機能する窒化チタン（ＴｉＮ）膜や
タングステン（Ｗ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、コバル
ト（Ｃｏ）膜、モリブデンシリコン（ＭｏＳｉ）膜及び
チタンタングステン（ＴｉＷ）膜等を形成してもよい。
例えばＴｉＮ膜２４を形成した配線層２５について、図
４（ｃ）に対応する様子を図５に示す。

【００５１】また、本発明は第１及び第２の実施形態に
限定されるものではなく、冒頭で述べたように例えばコ
ンタクト孔を埋め込む配線層のみならず下層のシリコン
層と接続するためのヴィア孔を埋め込む配線層にも適用
可能である。また、半導体装置としても当然のことなが
らＭＯＳトランジスタに限定されるものではなく、ＣＭ
ＯＳインバータやＤＲＡＭ、ＥＥＰＲＯＭ等のあらゆる
半導体装置に適用可能である。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、バリアメタル膜となる
高融点導電膜を形成する際の困難な最適化を不要とし、
容易且つ確実にアルミニウムを含む金属膜を高配向化さ
せて配線寿命を向上させるとともに、配線抵抗を低減化
させて、信頼性の向上に大幅に寄与する半導体装置を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製
造方法を工程順に示す概略断面図である。

【図２】図１に引き続き、本発明の第１の実施形態に係
る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図であ
る。

【図３】本発明の第１の実施形態に係る変形例における
半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製
造方法を工程順に示す概略断面図である。

【図５】本発明の第２の実施形態の他の例として、図４
（ｃ）に対応する様子を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１ シリコン半導体基板 ２ 不純物拡散層 ３ 層間絶縁膜 ４ 多結晶シリコン膜 ５ コンタクト孔 ６ Ｔｉ膜 ７ Ａｌ−１％Ｓｉ膜 ８，１３，２３，２５ 配線層 １１ チタンシリサイド層 １２，２２，２４ ＴｉＮ膜 ２１ Ｗプラグ

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板の上層に形成された層間絶縁
   膜に開孔が形成されており、前記層間絶縁膜上に前記開
   孔を通じて下層の導電領域と接続される配線層を備えた
   半導体装置であって、 前記配線層は、 前記層間絶縁膜の上面のみに形成されたシリコン膜と、 前記開孔の内壁面を覆うように前記シリコン膜上に形成
   された高融点導電膜と、 前記高融点導電膜上に前記開孔を埋め込むように形成さ
   れたアルミニウムを含む金属膜とを有することを特徴と
   する半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体基板の上層に形成された層間絶縁
   膜に開孔が形成されており、前記層間絶縁膜上に前記開
   孔を通じて下層の導電領域と接続される配線層を備えた
   半導体装置であって、 前記配線層は、 前記層間絶縁膜の上面のみに形成されたシリコン膜と、 前記開孔の内壁面を覆うように前記シリコン膜上に形成
   された第１の高融点導電膜と、 前記第１の高融点導電膜を介して前記開孔を埋め込む高
   融点導電プラグと、 前記高融点導電プラグ上を含む前記第１の高融点導電膜
   上に形成された第２の高融点導電膜と、 前記高融点導電プラグと前記第２の高融点導電膜を介し
   て接続されるように形成されたアルミニウムを含む金属
   膜とを有することを特徴とする半導体装置。
3. 【請求項３】 前記高融点導電膜が、チタン膜、タング
   ステン膜、モリブデン膜及びコバルト膜のうちから選ば
   れた１種と、窒化チタン膜、タングステン膜、モリブデ
   ン膜、コバルト膜、モリブデンシリコン膜及びチタンタ
   ングステン膜のうちから選ばれた１種とが順次積層され
   た２層構造膜であることを特徴とする請求項１に記載の
   半導体装置。
4. 【請求項４】 前記第１の高融点導電膜が、チタン膜、
   タングステン膜、モリブデン膜及びコバルト膜のうちか
   ら選ばれた１種と、窒化チタン膜、タングステン膜、モ
   リブデン膜、コバルト膜、モリブデンシリコン膜及びチ
   タンタングステン膜のうちから選ばれた１種とが順次積
   層された２層構造膜であることを特徴とする請求項２に
   記載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記シリコン膜と前記高融点導電膜との
   界面にシリサイド層が形成されていることを特徴とする
   請求項１又は３に記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記シリコン膜と前記第１の高融点導電
   膜との界面にシリサイド層が形成されていることを特徴
   とする請求項２又は４に記載の半導体装置。
7. 【請求項７】 前記アルミニウムを含む金属膜が、シリ
   コン、銅、パラジウム及びマグネシウムのうちから選ば
   れた少なくとも１種が添加されてなることを特徴とする
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
8. 【請求項８】 半導体基板の上層に形成された層間絶縁
   膜上にシリコン膜を形成する第１の工程と、 前記シリコン膜及び前記層間絶縁膜に開孔を形成し、前
   記層間絶縁膜の直下に存する導電領域の表面の一部を露
   出させる第２の工程と、 前記開孔の内壁面及び前記シリコン膜を覆うように高融
   点導電膜を形成する第３の工程と、 前記開孔を前記高融点導電膜を介して埋め込むようにア
   ルミニウムを含む金属膜を形成する第４の工程と、 前記アルミニウムを含む金属膜、前記高融点導電膜及び
   前記シリコン膜を加工して、所定形状の配線層を形成す
   る第５の工程とを有することを特徴とする半導体装置の
   製造方法。
9. 【請求項９】 半導体基板の上層に形成された層間絶縁
   膜上にシリコン膜を形成する第１の工程と、 前記シリコン膜及び前記層間絶縁膜に開孔を形成し、前
   記層間絶縁膜の直下に存する導電領域の表面の一部を露
   出させる第２の工程と、 前記開孔の内壁面及び前記シリコン膜を覆うように第１
   の高融点導電膜を形成する第３の工程と、 前記開孔を前記第１の高融点導電膜を介して埋め込む高
   融点導電プラグを形成する第４の工程と、 前記高融点導電プラグ上を覆うように前記第１の高融点
   導電膜上に第２の高融点導電膜を形成する第５の工程
   と、 前記高融点導電プラグと前記第２の高融点導電膜を介し
   て接続されるように、前記第２の高融点導電膜上にアル
   ミニウムを含む金属膜を形成する第６の工程と、 前記アルミニウムを含む金属膜、前記第１及び第２の高
   融点導電膜及び前記シリコン膜を加工して、所定形状の
   配線層を形成する第７の工程とを有することを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記高融点導電膜が、チタン膜、タン
    グステン膜、モリブデン膜及びコバルト膜のうちから選
    ばれた１種と、窒化チタン膜、タングステン膜、モリブ
    デン膜、コバルト膜、モリブデンシリコン膜及びチタン
    タングステン膜のうちから選ばれた１種とが順次積層さ
    れた２層構造膜であることを特徴とする請求項８に記載
    の半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記第１の高融点導電膜が、チタン
    膜、タングステン膜、モリブデン膜及びコバルト膜のう
    ちから選ばれた１種と、窒化チタン膜、タングステン
    膜、モリブデン膜、コバルト膜、モリブデンシリコン膜
    及びチタンタングステン膜のうちから選ばれた１種とが
    順次積層された２層構造膜であることを特徴とする請求
    項９に記載の半導体装置の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記第３の工程と前記第４の工程との
    間に、前記半導体基板に熱処理を施し、前記シリコン膜
    と前記高融点導電膜との界面にシリサイド層を形成する
    第６の工程を更に有することを特徴とする請求項８又は
    １０に記載の半導体装置の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第３の工程と前記第４の工程との
    間に、前記半導体基板に熱処理を施し、前記シリコン膜
    と前記第１の高融点導電膜との界面にシリサイド層を形
    成する第８の工程を更に有することを特徴とする請求項
    ９又は１１に記載の半導体装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 前記アルミニウムを含む金属膜が、シ
    リコン、銅、パラジウム及びマグネシウムのうちから選
    ばれた少なくとも１種が添加されてなることを特徴とす
    る請求項８〜１３のいずれか１項に記載の半導体装置の
    製造方法。