JPH11297761A - 電子部品の実装方法及び実装装置 - Google Patents

電子部品の実装方法及び実装装置

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JPH11297761A
JPH11297761A JP10097335A JP9733598A JPH11297761A JP H11297761 A JPH11297761 A JP H11297761A JP 10097335 A JP10097335 A JP 10097335A JP 9733598 A JP9733598 A JP 9733598A JP H11297761 A JPH11297761 A JP H11297761A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】超音波併用熱圧着接続方法にてフリップチップ
ボンディングする際のボンディング状態を検査しながら
実装する方法及びその実装装置を提供する。 【構成】 電子部品である半導体チップ３の実装装置２
０は超音波振動発生装置８とホーン７とコレットツール
６と基板導体加熱装置と制御系装置９と、加えてコレッ
トツール６に吸着された半導体チップ３の基板導体に対
するヘッド高さをモニタリングする高さ測定装置として
レーザー変位計１１を制御系装置９と連結して備えてな
ることを特徴とし、所定加重Ｒと超音波振動ＵＳを所定
時間半導体チップ３に設けたバンプ５に印加したことに
よるバンプの沈み込み量をレーザー変位計１１にてモニ
タリングし、沈み込み量が所望の範囲内であるか否かに
よってフリップチップボンディング方式の超音波併用熱
圧着接続による接合の良否判定を行う構成。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品の基板導
体への実装方法に関し、特にフリップチップボンディン
グを行う際のボンディングの接合の良否を検査する方法
と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品、特に半導体チップの基
板導体への高密度実装方式として、フリップチップボン
ディング方式が開発され、実用化されている。
【０００３】上記フリップチップボンディング方式は、
半導体チップの電極または基板導体の電極にバンプ（半
田バンプや金バンプ）を形成し、半導体チップの電極を
フェイスダウンで基板導体の対向する電極にバンプを介
して接合する方式であり、チップ表面の任意の位置から
電極が取り出せるので、基板導体と最短距離の接続が可
能なばかりでなく、電極数が増えてもチップサイズが大
形にならず、しかも超薄形実装ができるのが特徴であ
る。
【０００４】上記フリップチップボンディング方式にお
ける半導体チップの電極または基板導体の電極に設けた
バンプと相手側の電極との接合方法としては、半田リフ
ロー、異方導電性樹脂接続、熱圧着、超音波併用熱圧着
などが採用されている。
【０００５】この中、超音波併用熱圧着による接合方法
は、図１２のように、超音波振動発生装置８と、ホーン
７と、コレットツール６と、基板導体加熱装置４と、制
御系装置９と、からなり、フリップチップボンディング
方式の超音波併用熱圧着接続を行う電子部品である半導
体チップ３の実装装置１０における基板導体１側を基板
導体加熱装置４で加熱しながら半導体チップ３側のコレ
ットツール６に圧電素子８等によってホーン７を介して
超音波振動を加え、半導体チップ３に形成したバンプ５
と基板導体１の電極２とを拡散接合する方法である。
【０００６】この超音波併用熱圧着は他の方式と比べ
て、（イ）接合材料が不要であること、（ロ）短時間で
接続可能なこと、（ハ）比較的低温で接続可能なこと、
等のメリットがある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のフリップチップボンディング方式の超音波併用熱圧
着接続方法による実装方法は、上記種々のメリットがあ
る一方で、超音波振動の伝搬が不安定で接合不良を起こ
す危険性があるという問題が生じている。これは、図１
２における従来の半導体チップ３の裏面（図の上面）と
コレットツール６の間での滑り、ホーン７からの振動の
拡散、圧電素子８の経時劣化等が原因と考えられる。
【０００８】また、フリップチップボンディング方式で
は、接合部分が外から見て半導体チップ３の裏側に隠れ
てしまうため、接合部を後から外観検査することができ
ない。したがって、上記接合不良の発生は特に重大な問
題となる。
【０００９】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、電子部品を超音波併用熱圧着接続方法にて基板導
体にフリップチップボンディングする際のボンディング
の接合状態を逐次検査しながら実装する方法及びその実
装装置を提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、（１）超音波
振動発生装置と、ホーンと、コレットツールと、基板導
体加熱装置と、制御系装置と、からなり、フリップチッ
プボンディング方式の超音波併用熱圧着接続を行う電子
部品の実装装置において、電子部品の基板導体に対する
高さをモニタリングする高さ測定装置を制御系装置と連
結して備えてなることを特徴とする電子部品の実装装置
を提供することにより上記目的を達成するものである。
【００１１】（２）また、上記（１）記載の電子部品の
実装装置にて電子部品を基板導体に対して降下させ、電
子部品の電極または基板導体の電極に設けたバンプが対
向する相手側の電極と接した時点から所定加重を印加
し、次に所定加重と超音波振動を所定時間印加すること
によるバンプの沈み込み量を高さ測定装置にてモニタリ
ングし、前記超音波振動印加時のバンプの沈み込み量が
所望の範囲内であるか否かによってフリップチップボン
ディング方式の超音波併用熱圧着接続による接合の良否
判定を行うことを特徴とする電子部品の実装方法を提供
することにより上記目的を達成するものである。
【００１２】（３）また、上記（２）記載の電子部品の
実装方法において、バンプが対向する相手側の電極と接
した時点から所定加重を所定時間印加した状態での第１
段階のバンプの沈み込み量と、さらに超音波振動を所定
時間印加することによる第２段階のバンプの沈み込み量
と、を高さ測定装置にて個別にモニタリングし、前記各
段階のバンプの沈み込み量が各々所望の範囲内であるか
否かによってフリップチップボンディング方式の超音波
併用熱圧着接続による接合の良否判定を行うことを特徴
とする電子部品の実装方法を提供することにより上記目
的を達成するものである。
【００１３】（４）また、超音波振動発生装置と、ホー
ンと、コレットツールと、基板導体加熱装置と、制御系
装置と、からなり、フリップチップボンディング方式の
超音波併用熱圧着接続を行う電子部品の実装装置におい
て、電子部品またはバンプの振動状態をモニタリングす
る振動測定装置を制御系装置と連結して備えてなること
を特徴とする電子部品の実装装置を提供することにより
上記目的を達成するものである。
【００１４】（５）また、上記（４）記載の電子部品の
実装装置にて実装時の電子部品の振動状態を測定すると
ともにこれを基準波形と比較することにより超音波振動
が正常に印加されたか否かを判定して接合の良否を検査
することを特徴とするフリップチップボンディング方式
の超音波併用熱圧着接続方法による基板導体への電子部
品の実装方法を提供することにより上記目的を達成する
ものである。
【００１５】（６）また、超音波振動発生装置と、ホー
ンと、コレットツールと、基板導体加熱装置と、制御系
装置と、からなり、フリップチップボンディング方式の
超音波併用熱圧着接続を行う電子部品の実装装置におい
て、超音波振動発生装置に印加される電圧または電流ま
たはその双方をモニタリングする測定装置を制御系装置
と連結して備えてなることを特徴とする電子部品の実装
装置を提供することにより上記目的を達成するものであ
る。
【００１６】（７）さらに、上記（６）記載の電子部品
の実装装置にて超音波振動発生装置に印加される電圧・
電流を測定するとともにこれを基準波形と比較すること
により超音波振動が正常に印加されたか否かを判定して
接合の良否を検査することを特徴とするフリップチップ
ボンディング方式の超音波併用熱圧着接続方法による基
板導体への電子部品の実装方法を提供することにより上
記目的を達成するものである。
【００１７】即ち、上記（１）、（２）及び（３）は実
装時の電子部品（主に半導体チップ）のバンプの高さ変
位（沈み込み量）をモニタリングする手段、また上記
（４）、（５）は実装時の電子部品あるいはバンプの振
動状態（振幅または振動速度または振動加速度など）を
モニタリングする手段、また上記（６）、（７）は超音
波振動発生装置（主に圧電素子を利用）に印加される電
圧・電流をモニタリングする手段を用いながら接合の良
否を基準と比較しつつ実装を行うのである。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基い
て詳細に説明する。なお、従来と同等部材については同
符合にて指称する。
【００１９】図１は本発明の請求項１及び請求項２に係
わる電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【００２０】図２はツールヘッドの高さの時間変化を表
す図であり、図３は実装時のツールヘッドの動きを説明
するための図である。
【００２１】図４はＡｕバンプの高さと基板導体の電極
との接合強度の関係を表すグラフである。
【００２２】図５はグリッドによるバンプ沈み込み量検
出手段を備えた電子部品の実装装置のシステム概念図で
ある。
【００２３】図６は静電容量の変化による沈み込み量の
検出手段を備えた電子部品の実装装置のシステム概念図
である。
【００２４】図７は本発明の請求項３及び請求項４に係
わる実装装置のシステム概念図である。
【００２５】図８は振動波形Ｗと予め設定された基準波
形Ｗ0との比較図である。
【００２６】図９は振動波形Ｗを周波数分解して各スペ
クトルを各々基準波形Ｗ0の対応する基準波スペクトル
と比較した図である。
【００２７】図１０は本発明の請求項５及び請求項６に
係わる電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【００２８】図１１はモニタリングした圧電素子に印加
した電流波形ｉと基準電流波形ｉ0との比較図である。
【００２９】図１において、本発明の電子部品の実装装
置２０は、超音波振動発生装置８と、ホーン７と、コレ
ットツール６と、基板導体加熱装置（図示略）と、制御
系装置９と、加えて上記コレットツール６に吸着された
電子部品としての半導体チップ３の基板導体（図示略）
に対する高さをモニタリングする高さ測定装置としてレ
ーザー変位計１１を制御系装置９と連結して備えてなる
ことを特徴とする（請求項１に対応）。
【００３０】そして上記半導体チップ３の実装装置２０
を用いた基板導体への実装は以下のステップで行なわれ
る。
【００３１】例えば、第１に、図３の（ａ）に示される
ように高さＨ＝５０μｍのバンプ５（例えばＡｕバン
プ）を電極に形成した半導体チップ３をコレットツール
のヘッド１２にて吸着して基板導体１の電極２に対向し
て下降させる。
【００３２】第２に、図３の（ｂ）に示されるように半
導体チップ３のバンプ５と基板導体１の電極２とが接し
た時点で所定加重Ｒ（バンプ５の材質・形状・大きさと
個数等によって適宜設定されるが、通常は数百ｇｗ〜１
ｋｇｗである。）を概ね数百ミリ秒印加する。この際、
前記所定加重Ｒによってバンプ５は多少潰されて沈み込
む（これを第１段階の沈み込み量Ｈ１とする）。
【００３３】第３に、図３の（ｃ）に示されるように所
定加重Ｒと超音波振動ＵＳ（横方向の振動）を所定時間
印加して半導体チップ３の電極と基板導体１の電極２と
をバンプ５の超音波併用熱圧着で接合させる。
【００３４】第４に、図３の（ｄ）に示されるようにコ
レットツールのヘッド１２を半導体チップ３から離して
上昇させるとともに、前記所定加重Ｒと超音波振動ＵＳ
を所定時間印加したことによるバンプ５の沈み込み量
（これを第２段階の沈み込み量Ｈ２とする）を図１のレ
ーザー変位計１１（高さ測定装置）にてモニタリング
し、前記バンプ５の沈み込み量Ｈ２が所望の範囲内であ
るか否かによってフリップチップボンディング方式の超
音波併用熱圧着接続による接合の良否判定を行う。
【００３５】上記実装時のコレットツールのヘッド１２
の高さ方向の動きは図２のようになっており、図３と対
応させると以下の通りである。
【００３６】（Ａ）はヘッド１２の下降の段階であり、
図３の（ａ）の状態に対応する。（Ｂ）はバンプ５と相
手側の基板導体１の電極２とが接した時点から所定加重
Ｒを所定時間Ｔ１印加する段階であり、図３の（ｂ）の
状態に対応する。（Ｃ）は所定加重Ｒと超音波振動ＵＳ
を所定時間Ｔ２印加する段階であり、図３の（ｃ）の状
態に対応する。（Ｄ）は接合終了してバンプの前記
（Ｃ）の段階の沈み込み量Ｈ２をモニタリングして接合
の良否を判定するとともにヘッド１２を上昇させる段階
であり、図３の（ｄ）の状態に対応する。
【００３７】ここに、バンプ５の高さの第２段階の沈み
込み量Ｈ２（換言すれば、バンプ５が所定加重Ｒと超音
波振動ＵＳを印加されて潰れることによる半導体チップ
３の基板導体に対する高さの変位量）と当該バンプ５に
よる半導体チップ３の電極と基板導体１の電極２との接
合強度は実験から図４のような関係にあることが分かっ
ている。
【００３８】そこで、例えばバンプ（Ａｕバンプ）５の
電極２への接合強度が５０ｇｆ以上を良、それ未満を不
可とする判定基準を予め設定するならば、図２の（Ｃ）
の過程での第２段階の沈み込み量Ｈ２が２５μｍ以上を
良、２５μｍ未満を否とし、先のレーザー変位計１１か
らのモニタリングデータを基に制御系装置９にて接合の
良否判定を行う（請求項２に対応）。
【００３９】上記方法によれば、接合強度５０ｇｆ以下
の製品は否となるため、不良として以後処理するか、あ
るいは再度超音波を印加して所望の沈み込み量Ｈ２が得
られれば再生することができ、これにより接合不良を後
工程に流すことなく、また製品歩留まりを上げることが
できる。
【００４０】以上のように上記実装方法は図２の（Ｃ）
の過程での第２段階の沈み込み量Ｈ２のみをモニタリン
グする方法であって、勿論このモニタリング手段でも接
合状態の良否判定に不足はないが、より精度良く良否判
定を行うには、前記第１段階の沈み込み量Ｈ１をもモニ
タリングして、第１段階の沈み込み量Ｈ１と第２段階の
沈み込み量Ｈ２の両者を接合の良否判定のデータにする
方が望ましいといえる。
【００４１】そこで、上記実装方法において、バンプ５
が対向する相手側の電極と接した時点から所定加重Ｒを
所定時間Ｔ１印加した状態での第１段階のバンプの沈み
込み量Ｈ１と、さらに超音波振動ＵＳを所定時間Ｔ２印
加することによる第２段階のバンプの沈み込み量Ｈ２
と、を高さ測定装置のレーザー変位計１１にて個別にモ
ニタリングし、前記各段階のバンプの沈み込み量Ｈ１、
Ｈ２が各々所望の範囲内であるか否かを制御系装置９に
て判定することによってフリップチップボンディング方
式の超音波併用熱圧着接続による当該半導体チップ３の
基板導体１への接合の良否判定を行う（請求項３に対
応）。
【００４２】上記実装方法によれば、図２の（Ｂ）の段
階での所定加重Ｒを所定時間Ｔ１印加した際のバンプ５
の沈み込み量Ｈ１が設定された通常の数値範囲から外れ
た場合は、バンプ形状異常やバンプの抜けが起こってい
ると考えられるので、接合前の前段階でのバンプの良否
判定ができることになる。このように第１段階の沈み込
み量Ｈ１と第２段階の沈み込み量Ｈ２を分けて各々モニ
タリング、評価することによって、接合の良否判定を高
い精度で行うことができる。
【００４３】なお、上記実施の形態で沈み込み量Ｈ１、
Ｈ２をモニタリングするためのヘッド１２の高さを逐次
モニタリングする高さ測定装置としては上記レーザー変
位計１１以外のもの、例えばパルスモータのパルス数カ
ウントなど他の装置であってもよい。
【００４４】また、上記高さ測定の手段として、図５に
示されるようなシステムとして、コレットツール６にグ
リッドＧを目盛りとして入れる手段、即ち、電子部品を
吸着して基板導体に接合するコレットツール６の側面に
例えば１μｍ刻みのグリッドＧを形成し、コレットツー
ル先端のヘッドの半導体チップ３がバンプに触れた時を
基準として、超音波振動ＵＳ印加中にグリッドセンサー
３１を通過するグリッドの数を光、レーザーなどでカウ
ントし、チップの第２段階の沈み込み量Ｈ２をこれより
求めることもできる。なお、上記グリッドＧの形成を磁
性体で行い、磁気センサーでカウントしてもよい。ま
た、グリッドを入れる位置はホーン７の先端でもよい。
【００４５】さらに、ヘッドの基板導体に対する高さを
測る他の測定手段として、静電容量による計測手段があ
る。即ち、図６に示されるようにホーン７の下死点から
例えば１ｍｍ下方に平板電極Ｂを設け、この平板電極Ｂ
と金属でできたホーン７との間の静電容量Ｃを求める。
静電容量Ｃはホーン７と平板電極Ｂの間の距離Ｓによっ
て決まることから該静電容量Ｃを静電容量検出計で計る
ことによって半導体チップ３の沈み込み量を検知し、前
述の実施の形態同様に良否の判定を行うことができる。
【００４６】また、上記平板電極Ｂではなく、ホーン７
としてコイルホーンを直接取り付けてそのインダクタン
ス成分により当該コイルホーンと基板導体との距離を求
めることもできる。
【００４７】次に、本発明の請求項４に係わる実装装置
及び請求項５に係る実装方法について説明する。
【００４８】図７はその実装装置３０のシステム概念図
であるが、従来の電子部品（半導体チップ）の実装装置
１０に加えて、半導体チップ３またはバンプ５の振動状
態をモニタリングする振動測定装置２１を制御系装置９
と連結して備えてなることを特徴とし（請求項４に対
応）、実装時の半導体チップ３の例えば振動波形Ｗを測
定するとともにこれを図８の予め設定された基準波形Ｗ
0と比較することにより、超音波振動ＵＳが正常に印加
されたか否かを判定して接合の良否を検査する（請求項
５に対応）。
【００４９】蓋し、半導体チップ３やバンプ５の超音波
振動ＵＳによる振動波形は接合過程において一定の変化
を示すため、基準振動波形Ｗ0とモニタリングした振動
波形Ｗとのずれから、接合部に超音波振動ＵＳが正常に
印加されたか否かを判断することができるのである。
【００５０】具体的には、振動状態のモニタリングとし
て振動波形Ｗを測定対象にし、振動測定装置２１として
レーザードップラー振動計２２を備える。そして上記半
導体チップ３に前記レーザードップラー振動計２２のレ
ーザー光を照射し、実装時の半導体チップ３の振動状態
（振幅と振動速度）を波形としてモニタリングする。得
られた振動波形Ｗを制御系装置９にて基準波形Ｗ0と比
較することにより、超音波振動ＵＳが正常にバンプ５に
印加されたか否かを検知することができ、基準波形Ｗ0
の許容範囲から外れたものを不良として処理する。
【００５１】この判定の際は、図９に示されるように、
振動波形ＷをＦＦＴ（高速フーリエ変換）により周波数
分解して各スペクトルＷ１，Ｗ２，・・を各々基準波形
Ｗ0の対応する基準波スペクトルＷ01，Ｗ02，・・と比
較すれば、より定量的に比較判定ができる。
【００５２】次に、本発明の請求項６及び請求項７に係
わる実装装置について説明する。
【００５３】図１０はその実装装置４０のシステム概念
図であるが、従来の電子部品（半導体チップ）の実装装
置１０に加えて、超音波振動発生装置（圧電素子）８に
印加される電流ｉをモニタリングする測定装置を制御系
装置９と連結してその内部に備えてなることを特徴とし
（請求項６に対応）、測定された電流ｉの波形を図１１
の予め設定された基準電流波形ｉ0と比較することによ
り超音波振動ＵＳが正常にバンプ５に印加されたか否か
を判定して接合の良否を検査する（請求項７に対応）。
【００５４】蓋し、図１１から判るように、超音波振動
発生装置８としての圧電素子に印加される電圧Ｖ・電流
ｉは接合過程において一定の変化を示すため、基準電圧
波形Ｖ0または基準電流波形ｉ0とモニタリングした対応
する波形Ｖ，ｉとのずれから、接合時に超音波振動ＵＳ
が正常であったかどうか判断することができるのであ
る。
【００５５】なお、印加する電流ｉの波形を比較する代
わりに印加する電圧Ｖの波形またはその双方をモニタリ
ングして各々予め設定された基準波形と比較しても良
い。
【００５６】また、超音波振動発生装置（圧電素子）８
に流れる電流ｉをモニタリングする測定装置としてホー
ル素子を用いた電流プローブを使用すれば、測定時のノ
イズが低減でき測定精度が上がるであろう。
【００５７】そして図１１のように電流ｉの波形と基準
電流波形ｉ0とを比較することにより（前述のＦＦＴに
よるスペクトル比較分析）、超音波振動ＵＳが正常にバ
ンプ５に印加されたか否かを知ることができ、基準電流
波形ｉ0の許容範囲から外れたものを不良として以後処
理する。
【００５８】なお、以上説明した実施の形態では全てバ
ンプ５が半導体チップ３の電極側に設けられているケー
スであったが、バンプ５が基板導体１の電極２側に設け
られているケースでも同様であることは言うまでもな
い。
【００５９】また、上述の本発明の対象とする電子部品
の実装方法は、主に半導体チップ３を対象として説明し
たが、超音波併用熱圧着方式にてフリップチップボンデ
ィング可能な電子部品の全てに適用可能であることは言
うまでもない。
【００６０】
【発明の効果】以上、詳述した実施の形態から明らかな
ように、本発明に係る電子部品の実装方法及び実装装置
は、実装高さ、振動状態、超音波振動発生装置（圧電素
子）の電圧・電流をモニタリングして基準値もしくは基
準波形と比較することにより、当該電子部品のバンプに
よる接合状態・超音波振動状態が正常かどうか実装と同
時に判断できるので、それにより異常が生じた場合に
は、（ａ）直ちに機械を停止して異常を報知する、
（ｂ）製品を不良としてマーキングする、（ｃ）再度超
音波を印加して製品を再生する、（ｄ）正常となるまで
超音波を印加し続ける、という措置を適宜採ることがで
き、接合不良を判別あるいは再生できるという優れた効
果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の請求項１及び請求項２に係わる電子部
品の実装装置のシステム概念図である。
【図２】ツールヘッドの高さの時間変化を表す図であ
る。
【図３】実装時のツールヘッドの動きを説明するための
図である。
【図４】Ａｕバンプの高さと基板導体の電極との接合強
度の関係を表すグラフである。
【図５】グリッドによるバンプ沈み込み量検出手段を備
えた電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【図６】静電容量の変化による沈み込み量の検出手段を
備えた電子部品の実装装置のシステム概念図である。
【図７】本発明の請求項３及び請求項４に係わる実装装
置のシステム概念図である。
【図８】振動波形Ｗと予め設定された基準波形Ｗ0との
比較図である。
【図９】振動波形Ｗを周波数分解して各スペクトルを各
々基準波形Ｗ0の対応する基準波スペクトルと比較した
図である。
【図１０】本発明の請求項５及び請求項６に係わる電子
部品の実装装置のシステム概念図である。
【図１１】モニタリングした圧電素子に印加した電流ｉ
の波形と基準電流波形ｉ0との比較図である。
【図１２】従来のフリップチップボンディング方式の超
音波併用熱圧着接続方法による実装装置のシステム概念
図である。
【符号の説明】
１ 基板導体 ２ 電極 ３ 半導体チップ ４ 基板導体加熱装置 ５ バンプ（金バンプ） ６ コレットツール ７ ホーン ８ 超音波振動発生装置 ９ 制御系装置 １０、２０、３０、４０ 実装装置 １１ レーザー変位計 １２ ヘッド ２１ 振動測定装置 ２２ レーザードップラー振動計 Ｒ 所定加重 ＵＳ 超音波振動 Ｈ１ 第１段階の沈み込み量 Ｈ２ 第２段階の沈み込み量 Ｇ グリッド Ｂ 平板電極 Ｃ 静電容量 Ｗ 振動波形 Ｗ0 基準波形 Ｗ１，Ｗ２，・・ 振動波形スペクトル Ｗ01，Ｗ02，・・ 基準波スペクトル ｉ 電流 ｉ0 基準電流波形 Ｖ 電圧

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 超音波振動発生装置と、ホーンと、コレ
    ットツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、か
    らなり、フリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続を行う電子部品の実装装置において、電子部
    品の基板導体に対する高さをモニタリングする高さ測定
    装置を制御系装置と連結して備えてなることを特徴とす
    る電子部品の実装装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の電子部品の実装装置にて
    電子部品を基板導体に対して降下させ、電子部品の電極
    または基板導体の電極に設けたバンプが対向する相手側
    の電極と接した時点から所定加重を印加し、次に所定加
    重と超音波振動を所定時間印加することによるバンプの
    沈み込み量を高さ測定装置にてモニタリングし、前記超
    音波振動印加時のバンプの沈み込み量が所望の範囲内で
    あるか否かによってフリップチップボンディング方式の
    超音波併用熱圧着接続による接合の良否判定を行うこと
    を特徴とする電子部品の実装方法。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の電子部品の実装方法にお
    いて、バンプが対向する相手側の電極と接した時点から
    所定加重を所定時間印加した状態での第１段階のバンプ
    の沈み込み量と、さらに超音波振動を所定時間印加する
    ことによる第２段階のバンプの沈み込み量と、を高さ測
    定装置にて個別にモニタリングし、前記各段階のバンプ
    の沈み込み量が各々所望の範囲内であるか否かによって
    フリップチップボンディング方式の超音波併用熱圧着接
    続による接合の良否判定を行うことを特徴とする電子部
    品の実装方法。
  4. 【請求項４】 超音波振動発生装置と、ホーンと、コレ
    ットツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、か
    らなり、フリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続を行う電子部品の実装装置において、電子部
    品またはバンプの振動状態をモニタリングする振動測定
    装置を制御系装置と連結して備えてなることを特徴とす
    る電子部品の実装装置。
  5. 【請求項５】 請求項４記載の電子部品の実装装置にて
    実装時の電子部品の振動状態を測定するとともにこれを
    基準波形と比較することにより超音波振動が正常に印加
    されたか否かを判定して接合の良否を検査することを特
    徴とするフリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続方法による基板導体への電子部品の実装方
    法。
  6. 【請求項６】 超音波振動発生装置と、ホーンと、コレ
    ットツールと、基板導体加熱装置と、制御系装置と、か
    らなり、フリップチップボンディング方式の超音波併用
    熱圧着接続を行う電子部品の実装装置において、超音波
    振動発生装置に印加される電圧または電流またはその双
    方をモニタリングする測定装置を制御系装置と連結して
    備えてなることを特徴とする電子部品の実装装置。
  7. 【請求項７】 請求項６記載の電子部品の実装装置にて
    超音波振動発生装置に印加される電圧・電流を測定する
    とともにこれを基準波形と比較することにより超音波振
    動が正常に印加されたか否かを判定して接合の良否を検
    査することを特徴とするフリップチップボンディング方
    式の超音波併用熱圧着接続方法による基板導体への電子
    部品の実装方法。
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