JPH1129794A5 - - Google Patents
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- JPH1129794A5 JPH1129794A5 JP1997197782A JP19778297A JPH1129794A5 JP H1129794 A5 JPH1129794 A5 JP H1129794A5 JP 1997197782 A JP1997197782 A JP 1997197782A JP 19778297 A JP19778297 A JP 19778297A JP H1129794 A5 JPH1129794 A5 JP H1129794A5
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子材料用洗浄水に関する。さらに詳しくは、本発明は、微粒子により汚染された半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、超音波を用いて、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができる電子材料用洗浄水に関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子材料用洗浄水に関する。さらに詳しくは、本発明は、微粒子により汚染された半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、超音波を用いて、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができる電子材料用洗浄水に関する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、微粒子により汚染された半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができる電子材料用洗浄水を提供することを目的としてなされたものである。
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、微粒子により汚染された半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの電子材料を、使用する薬剤の量が少なく、しかも効率よく高い汚染物除去率で洗浄することができる電子材料用洗浄水を提供することを目的としてなされたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の電子材料用洗浄水は、溶存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽和濃度以下であり、pHが６〜１２である超純水からなる洗浄水である。本発明の電子材料用洗浄水により洗浄することができる電子材料としては、例えば、半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板、精密電子部品、これらの製造装置の部品などを挙げることができる。
本発明に用いる超純水の製造方法には特に制限はなく、例えば、脱イオン水、蒸留水などの１次純水を、逆浸透膜、限外ろ過膜、精密ろ過膜などを用いて処理することによって得ることができる。本発明に用いる超純水は、２５℃における電気抵抗率が１８ＭΩ・cm以上であり、有機体炭素が１０μｇ／リットル以下であり、微粒子が１０,０００個／リットル以下であることが好ましい。
図１は、本発明の電子材料用洗浄水の製造工程の一態様の工程系統図である。超純水は、流量計１を経由して脱気膜装置２に送られる。脱気膜装置は、ガス透過膜を介して超純水と接する気相側が真空ポンプ３により減圧状態に保たれ、超純水中に溶存しているガス分が除去される。脱気された超純水は、次いで溶解膜装置４に送られる。溶解膜装置においては、水素供給器５から供給された水素ガスが気相側に送られ、ガス透過膜を介して超純水に供給される。溶存水素濃度が所定の値に達した超純水には、薬液貯槽６から薬注ポンプ７によりアンモニア水などの薬液が供給され、所定のpH値に調整される。水素を溶解し、アルカリ性となった超純水は、最後に精密ろ過装置８に送られ、ＭＦフィルターなどにより微粒子を除去して本発明の電子材料用洗浄水が得られる。
【発明の実施の形態】
本発明の電子材料用洗浄水は、溶存水素濃度が０.７mg／リットル以上飽和濃度以下であり、pHが６〜１２である超純水からなる洗浄水である。本発明の電子材料用洗浄水により洗浄することができる電子材料としては、例えば、半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板、精密電子部品、これらの製造装置の部品などを挙げることができる。
本発明に用いる超純水の製造方法には特に制限はなく、例えば、脱イオン水、蒸留水などの１次純水を、逆浸透膜、限外ろ過膜、精密ろ過膜などを用いて処理することによって得ることができる。本発明に用いる超純水は、２５℃における電気抵抗率が１８ＭΩ・cm以上であり、有機体炭素が１０μｇ／リットル以下であり、微粒子が１０,０００個／リットル以下であることが好ましい。
図１は、本発明の電子材料用洗浄水の製造工程の一態様の工程系統図である。超純水は、流量計１を経由して脱気膜装置２に送られる。脱気膜装置は、ガス透過膜を介して超純水と接する気相側が真空ポンプ３により減圧状態に保たれ、超純水中に溶存しているガス分が除去される。脱気された超純水は、次いで溶解膜装置４に送られる。溶解膜装置においては、水素供給器５から供給された水素ガスが気相側に送られ、ガス透過膜を介して超純水に供給される。溶存水素濃度が所定の値に達した超純水には、薬液貯槽６から薬注ポンプ７によりアンモニア水などの薬液が供給され、所定のpH値に調整される。水素を溶解し、アルカリ性となった超純水は、最後に精密ろ過装置８に送られ、ＭＦフィルターなどにより微粒子を除去して本発明の電子材料用洗浄水が得られる。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19778297A JP3940967B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19778297A JP3940967B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1129794A JPH1129794A (ja) | 1999-02-02 |
| JPH1129794A5 true JPH1129794A5 (ja) | 2005-04-07 |
| JP3940967B2 JP3940967B2 (ja) | 2007-07-04 |
Family
ID=16380269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19778297A Expired - Fee Related JP3940967B2 (ja) | 1997-07-08 | 1997-07-08 | 電子材料用洗浄水の製造方法及び電子材料の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3940967B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TW464970B (en) | 1999-04-21 | 2001-11-21 | Sharp Kk | Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device |
| JP4484980B2 (ja) | 1999-05-20 | 2010-06-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液 |
| JP4683314B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2011-05-18 | 栗田工業株式会社 | 半導体用シリコン基板の洗浄方法 |
| CN1444259A (zh) | 2002-03-12 | 2003-09-24 | 株式会社东芝 | 半导体器件的制造方法 |
| JP4967001B2 (ja) * | 2009-03-13 | 2012-07-04 | ミズ株式会社 | 水素含有生体適用液の製造方法、及びそのための装置 |
| KR101255895B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2013-04-17 | 가부시키가이샤 코아테크노로지 | 포화 가스 함유 나노 버블수의 제조 방법 |
| JP5353730B2 (ja) * | 2010-01-25 | 2013-11-27 | 信越半導体株式会社 | 超音波洗浄方法と超音波洗浄装置、および超音波洗浄に用いる伝播水の製造方法 |
| JP5266267B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2013-08-21 | ミズ株式会社 | 水素含有生体適用液の製造方法及び製造装置 |
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-
1997
- 1997-07-08 JP JP19778297A patent/JP3940967B2/ja not_active Expired - Fee Related
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