JPH1129865A - スパッタリングチャンバのマグネット - Google Patents

スパッタリングチャンバのマグネット

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JPH1129865A
JPH1129865A JP10113226A JP11322698A JPH1129865A JP H1129865 A JPH1129865 A JP H1129865A JP 10113226 A JP10113226 A JP 10113226A JP 11322698 A JP11322698 A JP 11322698A JP H1129865 A JPH1129865 A JP H1129865A
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target
magnet
sputtering
chamber
wear
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Ralf Hoffmann
ホフマン ラルフ
Zheng Xu
シュ ザング
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    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】スパッタリング操作中に、ターゲット表面での
再堆積を防止又は低減するような均一性の高いターゲッ
ト消耗のパターンを提供する、改良されたマグネットの
デザイン。 【解決手段】ターゲットの消耗の軌跡（トラック）をタ
ーゲットの中心線から端までモニタし、そして均一性の
データを用いて、特にＩＭＰスパッタリングチャンバの
ために、ターゲットの消耗をより均一にするマグネット
形状を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ物理気相
堆積（以下、物理気相堆積を「ＰＶＤ」と略記：physic
al vapsor deposition）チャンバのための改良型マグネ
ットに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来型のＰＶＤチャンバでは、スパッタ
されるべき物質（材料）のターゲットと、アルゴン等の
不活性ガス及び随意窒素等他のガスのためのガス流入部
（ガスインレット）と、ターゲットから間隔をおきこれ
と平行な基板支持体とを有しており、ターゲットは電源
に接続され、基板支持体にはバイアスが与えられる。ス
パッタリング中は、アルゴン原子にはエネルギーが与え
られ、これがターゲットを叩き、ターゲット材料の原子
をスパッタして追い出し、これが基板上に堆積する。ス
パッタリング速度を上げるため、チャンバの外側のター
ゲットの上方にマグネットの対（マグネットペア）を設
置する。このマグネットペアによりアルゴン原子がター
ゲットを叩く際の運動量が増加する。
【０００３】図１は、典型的なスパッタリングチャンバ
の模式的な断面図である。真空チャンバ１０は、スパッ
タリングすべき材料のターゲット１２と、基板支持体１
４とを有している。ターゲット１２には、ＤＣ電源１３
が接続されている。ターゲット１２の上方には、極性が
反対のマグネット一対１６、１８が設置されている。Ｒ
Ｆ電源等の電源２０が、基板支持体１４に接続されてい
る。スパッタ堆積中は、基板２２は基板支持体１４の上
に装着される。ガス流入部１９により、ガスがチャンバ
内に流入できるようになる。アルゴンはスパッタリング
ガスとして広く用いられている。アルゴンはチャンバ内
でイオン化され、ターゲット１２の負の電位によりター
ゲット１２に引きつけられる。このアルゴンイオンは、
ターゲットの表面を叩いてターゲット材料の粒子をスパ
ッタして飛ばし、これが基板２２上に堆積する。
【０００４】半導体デバイスの立体形状が更に小さくな
り続ける状況においては、直径が小さくアスペクト比の
高い開口の底をスパッタリングにより充填することが非
常に困難になる。スパッタリングはランダムな方向に作
用するものであり、大部分のスパッタ材料は、基板の開
口の中よりもランド部分に堆積される。更に、スパッタ
粒子（スパッタされた粒子）が開口に入る際は垂直方向
に入るわけではないため、これが側壁に衝突し、このた
め、スパッタ粒子のうち小さな割合だけが、開口の底の
上に堆積する。このことが図２に示されており、開口１
００の一部分だけスパッタ材料１１０で充填されている
様子が示されている。
【０００５】スパッタ粒子の方向性を改善する試みとし
て、コリメーターの検討が行われたが、これでは、直径
が小さくアスペクト比の高い開口の充填を大幅に改善す
るに至らなかった。
【０００６】このため、ＲＦ電源に接続された内部ヘリ
カルコイルを有する改良型スパッタリングチャンバが設
計された。図３は、「イオン化メタルプラズマ」チャン
バ又は「ＩＭＰ」(ionized metal plasma)チャンバと呼
ばれるこの改良型スパッタリングチャンバの横断面図で
ある。ＩＭＰチャンバ１７０は、チャンバ１７０の頂壁
１７３の上に装着された従来型のターゲット１７２を有
している。チャンバ１７３の頂部の上には、極性が反対
の一対のマグネット１７６、１７８が装着される。基板
１７５をその上で支える基板支持体１７４は、ターゲッ
ト１７２と間隔をあけこれに平行に設置される。ターゲ
ット１７２には電源１８０が接続され、そして、基板支
持体１７４にはＲＦ電源１８２が接続される。コントロ
ーラ２００により、ガスの流量が制御される。チャンバ
１７０内部のターゲット１７２と基板支持体１７４の間
にはヘリカルコイル１８５が設置され、このヘリカルコ
イルはＲＦ電源１８８に接続される。フローバルブ１９
６、１９８により、容器１９２、１９４内のガスが一定
量でチャンバに供給される。
【０００７】チャンバの中の圧力は、クライオジェニッ
クポンプ１９０により、流入口１９１を介して３位置ゲ
ートバルブ１９９により維持される。チャンバの中の圧
力がかなり高い場合、即ち約３０〜４０ミリトールであ
るような場合は、内部の誘導結合コイル１８６により、
スパッタリングカソードないしターゲット１７２と基板
支持体１７４の間の領域に高密度プラズマが提供され
る。このようにスパッタされたターゲット原子は、高密
度プラズマ領域の中を通過する際イオン化され正の電気
量を得る。それらは、負のバイアスが与えられた基板に
引きつけられ、従来型のＰＶＤチャンバの場合よりも更
に垂直に近い方向をもって、基板に衝突する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１に示されるような
従来型ＰＶＤチャンバは一般に、約１〜５ミリトールの
低圧で操作が行われる。ＩＭＰチャンバにおけるこれよ
り高い圧力の下では、ターゲット上へのターゲット材料
の再スパッタリングがより頻繁に発生する。より高い圧
力のＩＭＰチャンバ内でターゲットからスパッタされる
材料は、より高い確率でアルゴン分子と衝突し、スパッ
タ粒子のもともとの方向が変化する。そのような衝突が
ターゲット表面の近くで発生すれば、ターゲットの方へ
再び向きが変えられることがあり、これが再堆積する。
このように、消耗と再堆積の問題は、ＩＭＰチャンバで
は従来のＰＶＤチャンバ内でより深刻である。このよう
な再堆積された粒子はターゲットに対しての接着性が低
く、このためこれらは剥離して粒子となることがあり、
これは常に望ましくない。
【０００９】ターゲットのためのマグネットの形状がス
パッタリング操作中のターゲットの消耗の均一性に対し
て影響を与えるということが見出され、改良型マグネッ
ト形状の開発が行われた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】スパッタリング操作中
に、ターゲット表面での再堆積を防止又は低減するよう
な均一性の高いターゲット消耗のパターンを提供する、
改良されたマグネットのデザインが開発された。ターゲ
ットの消耗の軌跡（トラック）をターゲットの中心線
（センターライン）から端（エッジ）までモニタし、そ
して均一性のデータを用いて、特にＩＭＰスパッタリン
グチャンバのために、ターゲットの消耗をより均一にす
るマグネット形状を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明に従って、スパッタリング
操作中におけるターゲット表面上への粒子の再堆積を防
止するためには、ターゲットはその表面全体に均一に消
耗することが理想である。スパッタリング操作中のター
ゲット表面を可能なかぎりスムーズ且つ平らに維持する
よう消耗を均一にするためには、できるだけ均一な消耗
を提供するようターゲット上方のマグネットペア（マグ
ネット対）の形状を選択する必要がある。
【００１２】スパッタリング中にターゲット表面の消耗
が均一でなくなれば、ターゲット表面に山と谷が形成さ
れる。ターゲット材料の再スパッタリングは、消耗した
ターゲット表面の高い部分に生じやすい。再スパッタさ
れた材料は、もとからのターゲット材料と同様にはター
ゲットに付着しないため、この再スパッタ材料はゆるみ
壊われ落ち、チャンバ内に粒子を発生させる。これは常
に望ましくない。これらの粒子が基板上に堆積されれ
ば、その上のデバイスが破壊されることもある。
【００１３】図４は、本発明の一つのマグネットについ
てのデータの点を示すものであり、ここでは、測定され
たＢ‐フィールド(B-field)がターゲット表面に平行で
且つ１００ガウスより強くなっている。これは、マグネ
ットの消耗軌跡（消耗のトラック）の中心線に対応す
る。この消耗のトラックは、曲線的で単巻きのオープン
エンド形（開端形）マグネットの形状を示している。マ
グネットの各エンド（各端部）はマグネットの真ん中の
部分よりもおよそ２倍程度幅広くなっている。
【００１４】図５は、先行技術のマグネットについて同
様のデータの点を示す。この消耗の軌跡も曲線的である
が今度は多巻きのマグネットの形状を示しており、その
長さ方向に対して幅がほぼ同じである。
【００１５】図６は、ターゲットと基板が１３５ｍｍ離
れているＩＭＰチャンバ内でのバーンインの１００時間
以後における、従来のマグネット（円形）と本発明のマ
グネット（正方形）を用いた場合のターゲット半径に対
する相対的な消耗の消耗輪郭（消耗のプロファイル）を
インチで表す（１インチ＝約２５．４ｍｍ）。試験は、
圧力４０ミリトールで、ターゲットに５ｋＷの電力を与
えて行われた。即ち、１００時間で５００ｋＷ時の電力
量がターゲットに印加された。先行技術マグネット（図
５）を用いた場合の相対的なターゲット消耗について、
本発明（図４）のターゲットマグネットを用いた場合よ
りも変動がずっと大きく、その山と谷が共に大きいこと
は図示の通りである。図４のマグネットの形状も消耗の
山と谷を有しているが、図５のものと較べれば消耗のパ
ターンの均一性は高く、また、ターゲットの消耗につい
て、図５のマグネットの形状とは異なり、ターゲット全
面に対して均一さに多少の変動を示している。再堆積し
た材料を再びスパッタリングするためには、山と谷に多
少の変動があることが必要となる。
【００１６】再び図６を参照すれば、図５の先行技術の
マグネットを用いたターゲットについて、ターゲット半
径が１〜２インチ、３インチ、及び４．９インチの場所
でスパッタされていない領域があり、これらが再堆積の
ためのサイトになる。しかし本発明のターゲットマグネ
ットを用いれば、消耗の輪郭が非常に均一になる。但
し、ターゲットのエッジの近くだけは、マグネットを２
個用いた場合の相対的なターゲット消耗も同様の形態の
挙動を示す。
【００１７】図７は、ターゲット半径に対してのターゲ
ット消耗測定値の正規化グラフである。「Ｖ」が付けら
れた垂直線は、チャンバ内のヘリカルコイルの位置を示
す。ヘリカルコイルはフローティングの状態にあり、ス
パッタリング中に何らかの偏奇を生じることが明らかで
あり、例えば、ターゲットのところで電界の歪を生じさ
せ、これにより、ターゲット半径に連動してターゲット
消耗が低減する。
【００１８】図８は、本発明のまた別のマグネットにつ
いての中心線のグラフであり、これはわずかに大きくな
っており、特にｘ軸の近くで顕著である。また、このマ
グネットの形状は曲線的な単巻きの形状であるが、図４
のマグネットと較べて、そのオープンエンド付近の幅は
広く、また全体的に大きい。
【００１９】図９は、図８のマグネットを用いてバーン
イン後、ＤＣ電力３５ｋＷとＲＦ電力５Ｗを用い圧力３
８ミリトールで４３０時間操作を行った後の、ターゲッ
トの半径に対する相対的消耗の消耗プロファイルであ
る。オリジナルのターゲット表面は、「Ａ」で示され
る。ターゲットの消耗が、ターゲット半径に対して中心
から測定された。消耗の均一性が高いことは図の通りで
ある。消耗が最も深かったのは、ターゲットの中心線と
エッジ（端）の間の中ほどであり、深さは３７ミルほど
であった。
【００２０】図１０は、図８のマグネット対のための磁
極片の平面図である。内側の磁極片と外側の磁極片とが
あり、内側磁極片が外側磁極片の全体を囲み、また、こ
れらは外側磁極片の弧の中に配置される。
【００２１】ここまで、本発明を特定の具体例に関して
記載してきたが、他のターゲット片の形状とする変形に
ついても、ターゲット消耗データに基づいて用いること
が可能であり、これは本発明に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来のスパッタリングチャンバの横断
面図である。
【図２】図２は、先行技術に従って一部だけがスパッタ
充填された開口の横断面図である。
【図３】図３は、チャンバ内で高密度プラズマを提供す
る改良スパッタリングチャンバの横断面図である。
【図４】図４は、本発明のマグネットについての消耗軌
跡の中心線を描く線図である。
【図５】図５は、先行技術のマグネットについての消耗
軌跡の中心線を描く線図である。
【図６】図６は、本発明と従来の先行技術ターゲットマ
グネットのターゲットマグネットについての測定消耗軌
跡の比較のグラフである。
【図７】図７は、本発明のマグネットを用いたターゲッ
トの半径に対する消耗輪郭のグラフである。
【図８】図８は、本発明のマグネットの別の具体例に対
する消耗輪郭のグラフである。
【図９】図９は、図８のマグネットに対して測定された
消耗輪郭を例示するグラフである。
【図１０】図１０は、本発明のマグネットのための外側
磁極片及び内側磁極片の平面図である。
【符号の説明】
１０…真空チャンバ、１２…ターゲット、１３…ＤＣ電
源、１４…基板支持体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ザング シュ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， フォースター シティー， ハドソン ベ イ ストリート 279

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 その上方に一対のマグネットが設置され
    るスパッタリングターゲットへの再堆積を低減する方法
    であって、 ａ）ターゲットの中心線からのターゲット消耗軌跡ない
    し消耗トラックをモニタし、 ｂ）スパッタリング操作中のターゲットの消耗のパター
    ンを均一にするよう、マグネットの形状を、曲線的で単
    巻きのオープンエンド形のマグネットの形状とする方
    法。
  2. 【請求項２】 スパッタリングターゲットのためのマグ
    ネットペアであって、前記マグネットペアの各マグネッ
    トの形状が、スパッタリング操作中のターゲットの中心
    線からエッジまでのターゲット消耗の均一性を最大にす
    るように与えられ、前記マグネットのそれぞれは曲線的
    で単巻きのオープンエンド形のマグネットであり、その
    各オープンエンドは中央に較べて約２倍広くなっている
    マグネットペア。
  3. 【請求項３】 イオン化メタルプラズマスパッタリング
    チャンバ（ＩＭＰスパッタリングチャンバ）であって、 ターゲットと、 前記ターゲットの上に設置された一対のマグネットと、 前記ターゲットから間隔をおき且つこれと平行な基板支
    持体と前記ターゲットに接続される電源と、 前記基板支持体に接続されるＲＦ電源と、 前記チャンバ内で前記ターゲットと前記基板支持体との
    間に設置されるヘリカルコイルと、 前記ヘリカルコイルに接続されたＲＦ電源とを備え、前
    記一対のマグネットの形状が、ターゲット上への再堆積
    が低減するようターゲット消耗のパターンの均一性が十
    分高くなるように、曲線的で単巻きのオープンエンド形
    の形状で各エンドの幅が中央の幅よりも約２倍広くなっ
    ている与えられるイオン化メタルプラズマスパッタリン
    グチャンバ。
JP10113226A 1997-04-23 1998-04-23 スパッタリングチャンバのマグネット Pending JPH1129865A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/842,130 US5876574A (en) 1997-04-23 1997-04-23 Magnet design for a sputtering chamber
US08/842130 1997-04-23

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JPH1129865A true JPH1129865A (ja) 1999-02-02

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ID=25286595

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JP10113226A Pending JPH1129865A (ja) 1997-04-23 1998-04-23 スパッタリングチャンバのマグネット

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JP (1) JPH1129865A (ja)
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SG (1) SG68045A1 (ja)
TW (1) TW442851B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008038252A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Applied Materials Inc 複数マグネトロン、特に二段型褶曲マグネトロンの連動走査
CN102737928A (zh) * 2011-04-02 2012-10-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 磁极组件及具有它的磁控管、溅射室装置和基片处理设备

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6080669A (en) * 1999-01-05 2000-06-27 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor interconnect interface processing by high pressure deposition
US6165567A (en) * 1999-04-12 2000-12-26 Motorola, Inc. Process of forming a semiconductor device
US6143140A (en) * 1999-08-16 2000-11-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to improve the side wall and bottom coverage in IMP process by using magnetic field
US6627056B2 (en) 2000-02-16 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ionized plasma deposition
TW512180B (en) * 2000-09-21 2002-12-01 Promos Technologies Inc Method for maintaining the cleanness of a vacuum chamber of physical vapor deposition system
US6699372B2 (en) 2001-04-16 2004-03-02 Agere Systems Guardian Corporation Method of coil preparation for ionized metal plasma process and method of manufacturing integrated circuits
US7513982B2 (en) * 2004-01-07 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Two dimensional magnetron scanning for flat panel sputtering
US8500975B2 (en) * 2004-01-07 2013-08-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sputtering onto large flat panels
US20060049040A1 (en) * 2004-01-07 2006-03-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for two dimensional magnetron scanning for sputtering onto flat panels
US20050245167A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-03 Diana Sinisi Building toy set
US7186319B2 (en) * 2005-01-05 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Multi-track magnetron exhibiting more uniform deposition and reduced rotational asymmetry
JP4923450B2 (ja) * 2005-07-01 2012-04-25 富士ゼロックス株式会社 バッチ処理支援装置および方法、プログラム
US20070012558A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Magnetron sputtering system for large-area substrates
US20070012559A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Applied Materials, Inc. Method of improving magnetron sputtering of large-area substrates using a removable anode
US20070012663A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070084720A1 (en) * 2005-07-13 2007-04-19 Akihiro Hosokawa Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes
US20070051616A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Le Hienminh H Multizone magnetron assembly
US20070056843A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Method of processing a substrate using a large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US20070056850A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Applied Materials, Inc. Large-area magnetron sputtering chamber with individually controlled sputtering zones
US7588668B2 (en) 2005-09-13 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Thermally conductive dielectric bonding of sputtering targets using diamond powder filler or thermally conductive ceramic fillers
US8961756B2 (en) * 2006-08-04 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Ganged scanning of multiple magnetrons, especially two level folded magnetrons
US20110108068A1 (en) * 2007-05-25 2011-05-12 Ecolab Usa Inc. Enhanced melting point rinse aid solids
CN102789941B (zh) * 2011-05-18 2015-07-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种磁控管、磁控管的制造方法及物理沉积室
CN103177916B (zh) * 2011-12-20 2015-09-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种磁控管及磁控溅射设备
CN103887130B (zh) * 2012-12-21 2016-08-31 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 磁控管以及应用该磁控管的磁控溅射设备
US12136544B2 (en) 2021-11-05 2024-11-05 Applied Materials, Inc. Etch uniformity improvement for single turn internal coil PVD chamber

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01279752A (ja) * 1988-04-30 1989-11-10 Nec Home Electron Ltd スパッタリング方法及びその装置
JPH02138456A (ja) * 1987-06-30 1990-05-28 Hitachi Ltd スパツタリング方法と装置および応用製品
JPH02298266A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Fujitsu Ltd マグネトロンスパッタリング装置
JPH04212412A (ja) * 1990-01-26 1992-08-04 Varian Assoc Inc 特定のターゲット浸食プロフィールのための、回転する幾何学的磁石配列を有するスパッタリング装置
JPH04228567A (ja) * 1990-03-30 1992-08-18 Applied Materials Inc プレーナー・マグネトロン・スパッタリングシステム
JPH04268075A (ja) * 1990-12-07 1992-09-24 Leybold Ag 真空蒸着装置用の定置のマグネトロン−スパッタリング陰極
JPH0530157U (ja) * 1991-09-27 1993-04-20 株式会社島津製作所 マグネトロンスパツタリング装置
JPH05263235A (ja) * 1992-03-19 1993-10-12 Shibaura Eng Works Co Ltd プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石構造
JPH05339726A (ja) * 1992-06-11 1993-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロンスパッタ装置
JPH06240453A (ja) * 1993-02-19 1994-08-30 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6260866A (ja) * 1985-08-02 1987-03-17 Fujitsu Ltd マグネトロンスパツタ装置
JP2627651B2 (ja) * 1988-10-17 1997-07-09 アネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
US4995958A (en) * 1989-05-22 1991-02-26 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a rotating magnet array having a geometry for specified target erosion profile
US5252194A (en) * 1990-01-26 1993-10-12 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
US5320728A (en) * 1990-03-30 1994-06-14 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source producing improved coating thickness uniformity, step coverage and step coverage uniformity
US5242566A (en) * 1990-04-23 1993-09-07 Applied Materials, Inc. Planar magnetron sputtering source enabling a controlled sputtering profile out to the target perimeter
US5178739A (en) * 1990-10-31 1993-01-12 International Business Machines Corporation Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes
US5314597A (en) * 1992-03-20 1994-05-24 Varian Associates, Inc. Sputtering apparatus with a magnet array having a geometry for a specified target erosion profile
US5248402A (en) * 1992-07-29 1993-09-28 Cvc Products, Inc. Apple-shaped magnetron for sputtering system

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02138456A (ja) * 1987-06-30 1990-05-28 Hitachi Ltd スパツタリング方法と装置および応用製品
JPH01279752A (ja) * 1988-04-30 1989-11-10 Nec Home Electron Ltd スパッタリング方法及びその装置
JPH02298266A (ja) * 1989-05-11 1990-12-10 Fujitsu Ltd マグネトロンスパッタリング装置
JPH04212412A (ja) * 1990-01-26 1992-08-04 Varian Assoc Inc 特定のターゲット浸食プロフィールのための、回転する幾何学的磁石配列を有するスパッタリング装置
JPH04228567A (ja) * 1990-03-30 1992-08-18 Applied Materials Inc プレーナー・マグネトロン・スパッタリングシステム
JPH04268075A (ja) * 1990-12-07 1992-09-24 Leybold Ag 真空蒸着装置用の定置のマグネトロン−スパッタリング陰極
JPH0530157U (ja) * 1991-09-27 1993-04-20 株式会社島津製作所 マグネトロンスパツタリング装置
JPH05263235A (ja) * 1992-03-19 1993-10-12 Shibaura Eng Works Co Ltd プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石構造
JPH05339726A (ja) * 1992-06-11 1993-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロンスパッタ装置
JPH06240453A (ja) * 1993-02-19 1994-08-30 Ulvac Japan Ltd マグネトロンスパッタ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008038252A (ja) * 2006-08-04 2008-02-21 Applied Materials Inc 複数マグネトロン、特に二段型褶曲マグネトロンの連動走査
CN102737928A (zh) * 2011-04-02 2012-10-17 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 磁极组件及具有它的磁控管、溅射室装置和基片处理设备

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