JPH05263235A - プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石構造 - Google Patents
プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石構造Info
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- JPH05263235A JPH05263235A JP6332092A JP6332092A JPH05263235A JP H05263235 A JPH05263235 A JP H05263235A JP 6332092 A JP6332092 A JP 6332092A JP 6332092 A JP6332092 A JP 6332092A JP H05263235 A JPH05263235 A JP H05263235A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 簡単な構造によりプレーナ型マグネトロンス
パッタ源における磁石の構造を提供する点。 【構成】 本発明に係わるプレーナ型マグネトロンスパ
ッタ源で偏心して回転する磁石は、その回転軸方向から
見て、非円形としたので、磁石により描かれる水平磁界
の強度分布は、外側に広がる部分の長さが長くなって、
平坦部分や傾斜が緩やかな部分の範囲がより外側に移動
するので、ターゲットの平均的に消耗する領域が広が
り、利用効率の向上が図れる。
パッタ源における磁石の構造を提供する点。 【構成】 本発明に係わるプレーナ型マグネトロンスパ
ッタ源で偏心して回転する磁石は、その回転軸方向から
見て、非円形としたので、磁石により描かれる水平磁界
の強度分布は、外側に広がる部分の長さが長くなって、
平坦部分や傾斜が緩やかな部分の範囲がより外側に移動
するので、ターゲットの平均的に消耗する領域が広が
り、利用効率の向上が図れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プレーナ型マグネトロ
ンスパッタ源における磁石構造の改良に関する。
ンスパッタ源における磁石構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタリング装置では、図１１
に示すように金属、セラミックス及びプラスチックスな
どから成る基板１に対向してスパッタ源２を配置し、ス
パッタ源２は、ターゲット２１をバッキングプレート２
２に固定する。バッキングプレート２２の裏側には、磁
石２３を配置し、その磁力線がターゲット２１と平行に
なった位置が最もエッチングされる。
に示すように金属、セラミックス及びプラスチックスな
どから成る基板１に対向してスパッタ源２を配置し、ス
パッタ源２は、ターゲット２１をバッキングプレート２
２に固定する。バッキングプレート２２の裏側には、磁
石２３を配置し、その磁力線がターゲット２１と平行に
なった位置が最もエッチングされる。
【０００３】このために磁石２３は、磁性体２３１上に
内側磁石２３a 及びこれを囲む外側磁石２３b を並列状
に配置してリング状の磁場を発生するものであり、以上
によりプレーナ型マグネトロンスパッタ源２の構造の概
略を明らかにした。
内側磁石２３a 及びこれを囲む外側磁石２３b を並列状
に配置してリング状の磁場を発生するものであり、以上
によりプレーナ型マグネトロンスパッタ源２の構造の概
略を明らかにした。
【０００４】その一部を構成するアノード２５とカソー
ド側に配置するターゲット２１との間に直流または高周
波電力を供給するので、磁場により拘束されるリング状
の放電が成膜室３内に発生する。
ド側に配置するターゲット２１との間に直流または高周
波電力を供給するので、磁場により拘束されるリング状
の放電が成膜室３内に発生する。
【０００５】その時、ガス導入口４から供給するアルゴ
ンガスにより形成する雰囲気のもとでスパッタリングを
行い、排気管５から放出ガスと共にアルゴンガスを排気
し、図１１に示した２４１と２４２は冷却用配管であ
る。
ンガスにより形成する雰囲気のもとでスパッタリングを
行い、排気管５から放出ガスと共にアルゴンガスを排気
し、図１１に示した２４１と２４２は冷却用配管であ
る。
【０００６】このようなスパッタリングによるターゲッ
トエロージョンの均一化を目指して、磁力線におけるタ
ーゲットに平行な部分を、できるだけ広いターゲット上
領域に形成されるように、円形に配置した磁石２３の中
心位置Ｐをターゲット２１の中心軸Ｃから距離ｄだけ偏
心して位置させ、図示しないモータによつて中心軸Ｃを
中心として回転駆動させた。その結果、ターゲット２１
のエロージョン（Ｅｒｒｏｓｉｏｎ）パターンは、回転
中心軸に近いところが磁界の移動距離が短いので、図１
２に実線Ａで示すようになり、ターゲット２１と同心円
に配置する従来のパターン（点線Ｂで示す）よりも、ピ
ーク値が若干中心方向に寄るが、比較的広い範囲で効率
的に削り取られる。
トエロージョンの均一化を目指して、磁力線におけるタ
ーゲットに平行な部分を、できるだけ広いターゲット上
領域に形成されるように、円形に配置した磁石２３の中
心位置Ｐをターゲット２１の中心軸Ｃから距離ｄだけ偏
心して位置させ、図示しないモータによつて中心軸Ｃを
中心として回転駆動させた。その結果、ターゲット２１
のエロージョン（Ｅｒｒｏｓｉｏｎ）パターンは、回転
中心軸に近いところが磁界の移動距離が短いので、図１
２に実線Ａで示すようになり、ターゲット２１と同心円
に配置する従来のパターン（点線Ｂで示す）よりも、ピ
ーク値が若干中心方向に寄るが、比較的広い範囲で効率
的に削り取られる。
【０００７】ターゲット２１は、消耗品であって時々交
換するが，高価な材料の場合や長いライフサイクルが要
求される場合などに、有効的な利用が望まれている。し
かし、削り取られる割合即ち利用効率は磁石２３を偏心
回転しない時よりも改善されているものの精々２５％〜
３０％に過ぎず、一層の利用効率の向上が望まれてい
る。
換するが，高価な材料の場合や長いライフサイクルが要
求される場合などに、有効的な利用が望まれている。し
かし、削り取られる割合即ち利用効率は磁石２３を偏心
回転しない時よりも改善されているものの精々２５％〜
３０％に過ぎず、一層の利用効率の向上が望まれてい
る。
【０００８】また、特公平２ー４０７３６号公報により
開示されたスパッタ装置が知られている。この装置で
は、磁石をターゲットに対し、被処理基板と反対側に配
置すると共に同じ磁極が内側を向くようハート型閉曲線
上に複数個並べて固定された状態で、ターゲット中心の
回りを回転できるように構成する。しかし、ハート型閉
曲線は、同公報に明らかにされているように、特殊な形
状が不可欠である。
開示されたスパッタ装置が知られている。この装置で
は、磁石をターゲットに対し、被処理基板と反対側に配
置すると共に同じ磁極が内側を向くようハート型閉曲線
上に複数個並べて固定された状態で、ターゲット中心の
回りを回転できるように構成する。しかし、ハート型閉
曲線は、同公報に明らかにされているように、特殊な形
状が不可欠である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来のプレーナ型マグ
ネトロンスパッタ源に利用する磁石の構造は、平板状の
円形磁石を偏心回転させることにより、より一層の利用
効率の向上が望まれていた。
ネトロンスパッタ源に利用する磁石の構造は、平板状の
円形磁石を偏心回転させることにより、より一層の利用
効率の向上が望まれていた。
【００１０】本発明は、このような事情により成された
もので、特に、簡単な構造により、更に利用効率を高め
るプレーナ型マグネトロンスパッタ源用の磁石構造を提
供することを目的とする。
もので、特に、簡単な構造により、更に利用効率を高め
るプレーナ型マグネトロンスパッタ源用の磁石構造を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】減圧装置に接続する成膜
室と，前記成膜室に配置し固定用治具に固定する基板
と，前記基板に対向して配置する円形状ターゲットと，
前記円形状ターゲットの基板と反対側方向に設置する磁
石を具備し，前記ターゲットと偏心して回転する磁石で
は、前記ターゲットの中心を通る垂線に最も近い位置の
磁石外周における接線方向に沿った直線部を設け、かつ
前記磁石の直線部を設ける位置、外周の曲率及び前記タ
ーゲットの中心と前記磁石の中心間の距離を、前記ター
ゲットの外径と前記基板固定用治具の形状により特定の
値に選定する点に本発明に係わるプレーナ型マグネトロ
ンスパッタ源における磁石構造の特徴がある。
室と，前記成膜室に配置し固定用治具に固定する基板
と，前記基板に対向して配置する円形状ターゲットと，
前記円形状ターゲットの基板と反対側方向に設置する磁
石を具備し，前記ターゲットと偏心して回転する磁石で
は、前記ターゲットの中心を通る垂線に最も近い位置の
磁石外周における接線方向に沿った直線部を設け、かつ
前記磁石の直線部を設ける位置、外周の曲率及び前記タ
ーゲットの中心と前記磁石の中心間の距離を、前記ター
ゲットの外径と前記基板固定用治具の形状により特定の
値に選定する点に本発明に係わるプレーナ型マグネトロ
ンスパッタ源における磁石構造の特徴がある。
【００１２】また、前記磁石の形状を下記の条件を満足
する寸法とする。
する寸法とする。
【００１３】ターゲット半径：Ｒ0 、磁石固定時のター
ゲットエロージョンの円弧部の外径半径：Ｍ0 、ターゲ
ットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離：Ｇ、磁石固
定時における直線部外周から磁石円弧部の中心までのタ
ーゲットエロージョンの距離とＭ0 の差：ＤＦ、磁石固
定時におけるエロージョンの幅：Ｗ Ｍ0 ＝Ｒ0 −Ｇ …１ （２Ｍ0 −ＤＦ）／２≧Ｗ …２ ＤＦ≦２０ …３ １／８Ｒ0 −１．５≦Ｇ≦１／４Ｒ0 −３ …４ Ｒ0 は、ターゲット半径を示しているためにターゲット
の大きさが決まれば３式からＤＦ、４式からＧ、１式
からＭ0 を求める点にも本発明に係わるプレーナ型マグ
ネトロンスパッタ源における磁石構造の特徴がある。
ゲットエロージョンの円弧部の外径半径：Ｍ0 、ターゲ
ットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離：Ｇ、磁石固
定時における直線部外周から磁石円弧部の中心までのタ
ーゲットエロージョンの距離とＭ0 の差：ＤＦ、磁石固
定時におけるエロージョンの幅：Ｗ Ｍ0 ＝Ｒ0 −Ｇ …１ （２Ｍ0 −ＤＦ）／２≧Ｗ …２ ＤＦ≦２０ …３ １／８Ｒ0 −１．５≦Ｇ≦１／４Ｒ0 −３ …４ Ｒ0 は、ターゲット半径を示しているためにターゲット
の大きさが決まれば３式からＤＦ、４式からＧ、１式
からＭ0 を求める点にも本発明に係わるプレーナ型マグ
ネトロンスパッタ源における磁石構造の特徴がある。
【００１４】
【作用】現在の技術では、磁石の形からターゲットのエ
ロージョンを予測することは、困難であり、まして磁力
分布を産出することすら困難であり、それを回転した時
のターゲット上のエロージョンを予測することは不可能
と言っても過言ではない。
ロージョンを予測することは、困難であり、まして磁力
分布を産出することすら困難であり、それを回転した時
のターゲット上のエロージョンを予測することは不可能
と言っても過言ではない。
【００１５】本発明では、磁石の具体的な形状を簡単に
することにより、従来から使用されている丸形の磁石に
よる固定（回転させない）でのエロージョンデータを用
いてシュミレイシイョンを行うことにより、容易にその
結果を予測することができ、しかも実験結果と良く一致
する。更に、そのシュミレイシイョン結果から実用上有
効な寸法を請求項２により限定した。
することにより、従来から使用されている丸形の磁石に
よる固定（回転させない）でのエロージョンデータを用
いてシュミレイシイョンを行うことにより、容易にその
結果を予測することができ、しかも実験結果と良く一致
する。更に、そのシュミレイシイョン結果から実用上有
効な寸法を請求項２により限定した。
【００１６】公転または自転治具を使用するプレーナ型
マグネトロンスパッタ源においては、1.ターゲットは基
板に対して寸法が小さくても必要な距離をとれば均一な
膜厚分布が得られる。
マグネトロンスパッタ源においては、1.ターゲットは基
板に対して寸法が小さくても必要な距離をとれば均一な
膜厚分布が得られる。
【００１７】2.治具に対してターゲットが十分小さけれ
ば、ターゲットのエロージョンパターンによっては、基
板上の膜厚分布は殆ど変化しないので、ターゲットの最
大の利用効率が求めることができると判断して本発明は
完成した。
ば、ターゲットのエロージョンパターンによっては、基
板上の膜厚分布は殆ど変化しないので、ターゲットの最
大の利用効率が求めることができると判断して本発明は
完成した。
【００１８】即ち、本発明に係わるプレーナ型マグネト
ロンスパッタ源で偏心して回転する磁石は、その回転軸
方向から見て、非円形としたので、磁石により描かれる
水平磁界の強度分布は、従来の形より外側に広がる部分
の長さが長くなって、エロージョンの平坦部分や傾斜が
緩やかな部分の範囲がより外側に移動するので、ターゲ
ットの平均的に消耗する領域が広がり、利用効率の向上
が図れる。
ロンスパッタ源で偏心して回転する磁石は、その回転軸
方向から見て、非円形としたので、磁石により描かれる
水平磁界の強度分布は、従来の形より外側に広がる部分
の長さが長くなって、エロージョンの平坦部分や傾斜が
緩やかな部分の範囲がより外側に移動するので、ターゲ
ットの平均的に消耗する領域が広がり、利用効率の向上
が図れる。
【００１９】具体的には、図４に明らかにするようにタ
ーゲット外径を特定した場合、エロージョンパターンの
変化と分布に最適値があることを根拠にするものであ
る。これでは、ターゲットの中心と磁石の円弧部の中心
間の距離Ｇを示す縦軸と、磁石固定時における直線部外
周から磁石円弧部の中心までのターゲットエロージョン
の距離と、磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧
部の外径半径Ｍ0 との差を示す横軸により、利用効率の
分布を示した。この結果ターゲットの中心を通る垂線に
最も近い位置の磁石外周における接線方向に沿った直線
部を設け、かつ前記磁石の直線部を設ける位置、外周の
曲率及び前記ターゲットの中心と前記磁石の中心間の距
離を、前記ターゲットの外径と前記基板固定用治具の形
状により特定の値に選定する方式を採る。
ーゲット外径を特定した場合、エロージョンパターンの
変化と分布に最適値があることを根拠にするものであ
る。これでは、ターゲットの中心と磁石の円弧部の中心
間の距離Ｇを示す縦軸と、磁石固定時における直線部外
周から磁石円弧部の中心までのターゲットエロージョン
の距離と、磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧
部の外径半径Ｍ0 との差を示す横軸により、利用効率の
分布を示した。この結果ターゲットの中心を通る垂線に
最も近い位置の磁石外周における接線方向に沿った直線
部を設け、かつ前記磁石の直線部を設ける位置、外周の
曲率及び前記ターゲットの中心と前記磁石の中心間の距
離を、前記ターゲットの外径と前記基板固定用治具の形
状により特定の値に選定する方式を採る。
【００２０】更に、特許請求の範囲に明らかにした数値
限定の根拠について説明する。数値限定の範囲として
は、図４に明らかにする利用効率が最良になる位置であ
る丸印Ａを通る垂線である線分Ｂと（丸印Ａの位置の横
軸の値をＧとした時）３式によるＤＦ＝２０の直線で線
分ＢからＧ／２から垂線の交点までの線分Ｃ、Ｇ／２か
らの垂線Ｄ、更に線分Ｃに対応する線分Ｅにより囲まれ
た領域Ｆを限定する。このような限定の背景としては、
図４を書いた紙面の丸印Ａの右側は、明らかに急斜面で
あって使用できないので省き、Ｇ／２より小さい場所も
実用的でないので割愛する。Ｂ〜Ｅの各線分により囲ま
れた領域Ｆ内に位置することになる。
限定の根拠について説明する。数値限定の範囲として
は、図４に明らかにする利用効率が最良になる位置であ
る丸印Ａを通る垂線である線分Ｂと（丸印Ａの位置の横
軸の値をＧとした時）３式によるＤＦ＝２０の直線で線
分ＢからＧ／２から垂線の交点までの線分Ｃ、Ｇ／２か
らの垂線Ｄ、更に線分Ｃに対応する線分Ｅにより囲まれ
た領域Ｆを限定する。このような限定の背景としては、
図４を書いた紙面の丸印Ａの右側は、明らかに急斜面で
あって使用できないので省き、Ｇ／２より小さい場所も
実用的でないので割愛する。Ｂ〜Ｅの各線分により囲ま
れた領域Ｆ内に位置することになる。
【００２１】図５および図６には、縦軸にＲ0 、横軸に
ＤＦ及びＧを採り、利用効率の最良値を夫々プロットし
て得られる直線を明らかにしている。
ＤＦ及びＧを採り、利用効率の最良値を夫々プロットし
て得られる直線を明らかにしている。
【００２２】
【実施例】本発明に係わるプレーナ型マグネトロンスパ
ッタリング源における磁石の構造の一実施例を図１乃至
図１０を参照して説明する。なお図１１および図１２に
示した従来の磁石と同一の構造には、同じ符号をつけて
詳細な説明は省略する。
ッタリング源における磁石の構造の一実施例を図１乃至
図１０を参照して説明する。なお図１１および図１２に
示した従来の磁石と同一の構造には、同じ符号をつけて
詳細な説明は省略する。
【００２３】中心軸Ｃを中心として偏心して回転する磁
石23の形状を、図１の平面図及び図２のＡ−Ａ線断面図
に示した。即ち、外側に配置する外側磁石23b は、内側
磁石23a とは、一定の間隔 eを保持して取り囲むように
構成され、かつ全体が円形の縁が潰れたような非円形形
状、丁度アルファベッドの『Ｄ』のような形である。従
って、磁石23によって描かれる水平磁界の強度分布は、
外側に広がる部分が大きくなって、外側により多くの磁
界エネルギ−が分布するようになる。
石23の形状を、図１の平面図及び図２のＡ−Ａ線断面図
に示した。即ち、外側に配置する外側磁石23b は、内側
磁石23a とは、一定の間隔 eを保持して取り囲むように
構成され、かつ全体が円形の縁が潰れたような非円形形
状、丁度アルファベッドの『Ｄ』のような形である。従
って、磁石23によって描かれる水平磁界の強度分布は、
外側に広がる部分が大きくなって、外側により多くの磁
界エネルギ−が分布するようになる。
【００２４】この結果、エロージョンパターンは、図３
に実線Ｆで示すように、そのピーク値は、外側に移動
し、平坦部分あるいは傾斜が緩やかな部分の範囲がより
広がるので、ターゲットの利用効率は著しく向上する。
に実線Ｆで示すように、そのピーク値は、外側に移動
し、平坦部分あるいは傾斜が緩やかな部分の範囲がより
広がるので、ターゲットの利用効率は著しく向上する。
【００２５】因みに、実施例によるターゲット21のエロ
ージョンパターンは、図２に明らかにするようになるか
ら、一点鎖線で示した従来のパターンと比較して、削り
取られる全容積は大となり、利用効率は、３０％〜３５
％へと大幅に向上した。
ージョンパターンは、図２に明らかにするようになるか
ら、一点鎖線で示した従来のパターンと比較して、削り
取られる全容積は大となり、利用効率は、３０％〜３５
％へと大幅に向上した。
【００２６】なお、この実施例では、磁石23の終縁部を
直線的に押し潰したように変形するが、要するに単に偏
心回転する円形磁石よりも、磁界分布のピーク点がより
外側に移動する非円形状としたところにあるから、その
形状は前記実施例に限らず種々変形することができる。
直線的に押し潰したように変形するが、要するに単に偏
心回転する円形磁石よりも、磁界分布のピーク点がより
外側に移動する非円形状としたところにあるから、その
形状は前記実施例に限らず種々変形することができる。
【００２７】また、図７乃至図１０には、磁石によるタ
ーゲット21におけるエロージョンパターンのシュミレイ
ションによる状況を明らかにした。
ーゲット21におけるエロージョンパターンのシュミレイ
ションによる状況を明らかにした。
【００２８】この図では、Ｒ0 ：ターゲット半径mm、
Ｇ：ターゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離m
m、ＤＦ：磁石固定時における直線部外周から磁石円弧
部の中心までのターゲットエロージョンの距離とＭ0 の
差、Ｍ0 ：磁石固定時におけるΦ１５０ターゲットエロ
ージョンの円弧部の外径半径をパラメータとしてΦ１５
０ターゲットのエロージョンのシュミレイションを行っ
た。
Ｇ：ターゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離m
m、ＤＦ：磁石固定時における直線部外周から磁石円弧
部の中心までのターゲットエロージョンの距離とＭ0 の
差、Ｍ0 ：磁石固定時におけるΦ１５０ターゲットエロ
ージョンの円弧部の外径半径をパラメータとしてΦ１５
０ターゲットのエロージョンのシュミレイションを行っ
た。
【００２９】図７は、図８乃至図１０における図形の説
明用として示した。この図の左側に書かれた曲線ａは、
Ｄ型磁石を回さないで、できたエロージョンを上から見
た形状であり、右側の曲線ｂは、Ｄ型磁石を回して、で
きたエロージョンを上から見た形状で示す。また磁石の
Ｒを小さくする即ちターゲットにより削り取られる量で
ある面取り量が、１５ｍｍを図８、１０ｍｍを図９と図
１０に夫々示した。
明用として示した。この図の左側に書かれた曲線ａは、
Ｄ型磁石を回さないで、できたエロージョンを上から見
た形状であり、右側の曲線ｂは、Ｄ型磁石を回して、で
きたエロージョンを上から見た形状で示す。また磁石の
Ｒを小さくする即ちターゲットにより削り取られる量で
ある面取り量が、１５ｍｍを図８、１０ｍｍを図９と図
１０に夫々示した。
【００３０】各図におけるパラメータを図番の若い順に
示すと、Ｒ0 ：75、75、75、 Ｇ：10、10、15、 Ｄ
Ｆ：15、10、10、 Ｍ0 ：45、45、40 であり、またタ
ーゲットの利用効率は、46%,46%,56% となった。
示すと、Ｒ0 ：75、75、75、 Ｇ：10、10、15、 Ｄ
Ｆ：15、10、10、 Ｍ0 ：45、45、40 であり、またタ
ーゲットの利用効率は、46%,46%,56% となった。
【００３１】これらの図から明らかなように、ターゲッ
トエロージョンの形状は変化しているものの、利用効率
はあまり変化しておらず、本発明の有効性を示してい
る。
トエロージョンの形状は変化しているものの、利用効率
はあまり変化しておらず、本発明の有効性を示してい
る。
【００３２】
【発明の効果】本発明に係わるプレーナ型マグネトロン
スパッタ源における磁石構造は、簡単な構成で、ターゲ
ットの利用効率を高めることができ、ターゲット事態は
勿論のことスパッタリング装置の稼働率をも改善できる
もので、実用上の効果が大きい。
スパッタ源における磁石構造は、簡単な構成で、ターゲ
ットの利用効率を高めることができ、ターゲット事態は
勿論のことスパッタリング装置の稼働率をも改善できる
もので、実用上の効果が大きい。
【図１】本発明に係わるプレーナ型マグネトロンスパッ
タ源における磁石の構造の一実施例を示す平面図であ
る。
タ源における磁石の構造の一実施例を示す平面図であ
る。
【図２】図１をＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図３】図１の磁石により削りとられるターゲットのエ
ロージョンパターン図である。
ロージョンパターン図である。
【図４】縦軸にＤＦmm、横軸にＧmmを採って最適値Ａを
求めた図である。
求めた図である。
【図５】横軸にＧmm及びＤＦmm、縦軸にＲ0 を採って最
適値の関係を示した図である。
適値の関係を示した図である。
【図６】横軸にＧmm、縦軸にＤＦmmを採って最適値を示
した図である。
した図である。
【図７】磁石により削りとられるターゲットのエロージ
ョンを、非回転時と回転時のものを示す図の説明用のも
のである。
ョンを、非回転時と回転時のものを示す図の説明用のも
のである。
【図８】磁石により削りとられるターゲットのエロージ
ョンを、非回転時と回転時のものを削り採られる即ち面
取量１５ｍｍの図である。
ョンを、非回転時と回転時のものを削り採られる即ち面
取量１５ｍｍの図である。
【図９】磁石により削りとられるターゲットのエロージ
ョンを、非回転時と回転時のものを削り採られる即ち面
取量１０ｍｍの図である。
ョンを、非回転時と回転時のものを削り採られる即ち面
取量１０ｍｍの図である。
【図１０】磁石により削りとられるターゲットのエロー
ジョンを、非回転時と回転時のものを削り採られる即ち
面取量１０ｍｍの図である。
ジョンを、非回転時と回転時のものを削り採られる即ち
面取量１０ｍｍの図である。
【図１１】従来のプレーナ型マグネトロンスパッタ源に
おける磁石の構造を採用したスパッタリング装置の断面
図である。
おける磁石の構造を採用したスパッタリング装置の断面
図である。
【図１２】図１１に示したターゲットのエロージョンパ
ターン図である。
ターン図である。
１：基板、 ２：スパッタ源、 ２１：ターゲット、 ２２：バッキングプレート、 ２３：磁石、 ２３ａ：内側磁石、 ２３ｂ：外側磁石、 ２５：アノード、 Ａ：最適値。
Claims (2)
- 【請求項１】 減圧装置に接続する成膜室と，前記成膜
室に配置し固定用治具に固定する基板と，前記基板に対
向して配置する円形状ターゲットと，前記円形状ターゲ
ットの基板と反対側方向に設置する磁石を具備し，前記
ターゲットと偏心して回転する磁石では、前記ターゲッ
トの中心を通る垂線に最も近い位置の磁石外周における
接線方向に沿った直線部を設け、かつ前記磁石の直線部
を設ける位置、外周の曲率及び前記ターゲットの中心と
前記磁石の中心間の距離を、前記ターゲットの外径と前
記基板固定用治具の形状により特定の値に選定すること
を特徴とするプレーナ型マグネトロンスパッタ源におけ
る磁石構造 - 【請求項２】 前記磁石の形状を下記の条件を満足する
寸法とする。 ターゲット半径：Ｒ0 、 磁石固定時のターゲットエロージョンの円弧部の外径半
径：Ｍ0 、 ターゲットの中心と磁石の円弧部の中心間の距離：Ｇ、 磁石固定時におけるターゲットエロージョンの直線部外
周から磁石円弧部の中心までの距離とＭ0 の差：ＤＦ、 磁石固定時におけるエロージョンの幅：Ｗ Ｍ0 ＝Ｒ0 −Ｇ …１ （２Ｍ0 −ＤＦ）／２≧Ｗ …２ ＤＦ≦２０ …３ １／８Ｒ0 −１．５≦Ｇ≦１／４Ｒ0 −３ …４ Ｒ0 は、ターゲット半径を示しているために３式からＤ
Ｆ、４式からＧ、１式からＭ0 の範囲を限定する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063320A JP2702843B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4063320A JP2702843B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263235A true JPH05263235A (ja) | 1993-10-12 |
| JP2702843B2 JP2702843B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=13225863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4063320A Expired - Fee Related JP2702843B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | プレーナ型マグネトロンスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2702843B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1129865A (ja) * | 1997-04-23 | 1999-02-02 | Applied Materials Inc | スパッタリングチャンバのマグネット |
| US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6260866A (ja) * | 1985-08-02 | 1987-03-17 | Fujitsu Ltd | マグネトロンスパツタ装置 |
| JPS62211375A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPS63149374A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-22 | Fujitsu Ltd | スパツタ装置 |
| JPH02107766A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Anelva Corp | マグネトロンスパッタリング装置 |
| JPH04183857A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-30 | Tokuda Seisakusho Ltd | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP4063320A patent/JP2702843B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH04183857A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-30 | Tokuda Seisakusho Ltd | プレーナ型マグネトロンスパッタ源における磁石の構造 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1129865A (ja) * | 1997-04-23 | 1999-02-02 | Applied Materials Inc | スパッタリングチャンバのマグネット |
| US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2702843B2 (ja) | 1998-01-26 |
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