JPH11299257A5 - - Google Patents

Description

このように構成することによって、第２の分流器により出力電流および出力過電流を検出することができ、第１の分流器により第２のスイッチング素子自身の電流を検出できる。さらに、第１のスイッチング素子２１の電流も第１の分流器３１の出力電圧と第２の分流器３２の出力電圧の差として検出できる。また、アーム短絡電流は第１の分流器により検出できる。
このように、第１のスイッチング素子２１のエミッタ部分と電位差増幅器のグランド３３が接続されているために、第１のスイッチング素子２１のゲート電圧を分流器の抵抗分だけ大きくする必要はない。また、第２のスイッチング素子２２については、特にゲート電圧について考慮する必要はない。さらに、第２の分流器３２の正負および値と、第１の分流器３１の正負および値により、電流が過大となる前にアーム短絡電流かどうかを判別できる。すなわち、電位差増幅器のグランド３３を前記のようにとった場合、すなわち、第２の分流器３２の値が負で第１の分流器３１の値が負であればアーム短絡、第２の分流器３２の値が正で第１の分流器３１の絶対値の方が大きい時アーム短絡と判別することができるという特徴を有する。
なお、スイッチング素子としてはＩＧＢＴ、ＧＴＯサイリスタ、ＳＩサイリスタ等いずれの素子にも適用できることは言うまでもない。