JPH11308048A

JPH11308048A - 高周波発振回路

Info

Publication number: JPH11308048A
Application number: JP10110827A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Ando; 敏晃安藤; Makoto Sakakura; 真坂倉; Takeshi Miura; 毅三浦
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1998-04-21
Filing date: 1998-04-21
Publication date: 1999-11-05

Abstract

(57)【要約】【課題】２つの発振トランジスタの両ベース間に接続
されているコンデンサの発振周波数におけるインピーダ
ンス成分により、Ｓ／Ｎ等が劣化する。【解決手段】２つの発振トランジスタ１，１７と、そ
れら発振トランジスタ１，１７のコレクタ間にコンデン
サ５，１９を介して接続された共振器７とを備え、２つ
の発振トランジスタ１，１７のベース間をコンデンサを
接続せずに直接接続し、２つの発振トランジスタ１，１
７のエミッタにそれぞれ接続された出力結合コンデンサ
６，２０間から差動信号出力を発振出力として取り出
す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、衛星通
信等の無線通信機器における、電圧制御発振器等の高周
波発振回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術について図を用いて説明す
る。

【０００３】図５は、従来例の高周波発振回路の回路図
である。図５において、１、１７は発振トランジスタ、
２、３、４、１８、３４、３５はコンデンサ、５、１９
は共振器結合コンデンサ、６、２０は出力結合コンデン
サ、７は共振器、８、２２はバラクタダイオード結合コ
ンデンサ、９、２３はバラクタダイオード、１１、１
２、１３、２５、２６、２７はバイアス用抵抗、１４、
２８はバラクタダイオードバイアスチョーク、１５、１
６は高周波出力端子、１０、２４、２９は高周波チョー
ク、３０、３２はバイパスコンデンサ、３１はチューニ
ング電圧供給端子、３３はバイアス電圧供給端子であ
る。

【０００４】以上のような構成の従来の高周波発振回路
は次のように動作する。

【０００５】図５において、発振トランジスタ１のベー
スおよび発振トランジスタ１７のベースは、発振周波数
帯にてインピーダンスの低いコンデンサ４にて接続され
ており、発振トランジスタ１、及び１７の各々のベース
は本回路では等価的にグランドに接地される。コンデン
サ２および１８は、コレクタ−エミッタ間容量素子とし
て、各々、トランジスタ１および１７に接続されてい
る。コンデンサ３４および３５は、コレクタ−ベース間
容量素子として、各々、トランジスタ１および１７に接
続されている。また、コンデンサ３は、トランジスタ１
のエミッタおよび１７のエミッタ間に接続されており、
ベース接地である本回路では、等価的にエミッタ−ベー
ス間に接続されている。さらに、共振器結合コンデンサ
５および１９を介して接続される共振器７は、先端開放
の１／２波長共振器であり、その共振器の中点において
は等価的にグランドとの短絡点となるため、共振器結合
コンデンサ５を介して共振器７は誘導素子としてトラン
ジスタ１のコレクタ−ベース間に、また同様にコンデン
サ１９を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ
１７のコレクタ−ベース間に、等価的に接続されてい
る。

【０００６】このように、図５の回路では、ベース接地
型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器により
互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら発
振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、２
０を介して、両者の差動出力として高周波出力端子１
５、１６間から、取り出される。

【０００７】また、バラクタダイオード９、２３は、各
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２２を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２３のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２８により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル２９を
経てチューニング電圧供給端子３１に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２３の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、２つの発振トランジスタの両ベース間に
コンデンサが接続されているため、このコンデンサの発
振周波数におけるインピーダンス成分により、Ｓ／Ｎ等
が劣化するという課題を有していた。

【０００９】本発明は、従来のこのような課題を考慮
し、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回路を得るこ
とを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１の本発明は、第
１の発振トランジスタと、第２の発振トランジスタと、
それら第１の発振トランジスタ及び第２の発振トランジ
スタの両コレクタ間に接続される共振器とを備え、第１
の発振トランジスタ及び第２の発振トランジスタの両ベ
ース間を直接接続し、第１の発振トランジスタ及び第２
の発振トランジスタの両エミッタ間から差動信号出力を
発振出力として取り出す高周波発振回路である。

【００１１】また、請求項２の本発明は、第１の発振ト
ランジスタと、第２の発振トランジスタと、それら第１
の発振トランジスタ及び第２の発振トランジスタの両ベ
ース間に接続される共振器とを備え、第１の発振トラン
ジスタ及び第２の発振トランジスタの両コレクタ間を直
接接続し、第１の発振トランジスタ及び第２の発振トラ
ンジスタの両エミッタ間から差動信号出力を発振出力と
して取り出す高周波発振回路である。

【００１２】上記構成により、発振周波数においてベー
スに不要なインピーダンスが負荷されることがなくな
り、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回路を得るこ
とができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。（実施の形態１）図１は、本発明の第１の実施の形態の
高周波発振回路を示す回路図である。図１において、
１、１７は発振トランジスタ、２、３、１８、３３、３
４はコンデンサ、５、１９は共振器結合コンデンサ、
６、２０は出力結合コンデンサ、７は共振器、８、２２
はバラクタダイオード結合コンデンサ、９、２３はバラ
クタダイオード、１１、１２、１３、２５、２６はバイ
アス用抵抗、１４、２７はバラクタダイオードバイアス
チョーク、１５、１６は高周波出力端子、１０、２４、
２８は高周波チョーク、２９、３１はバイパスコンデン
サ、３０はチューニング電圧供給端子、３２はバイアス
電圧供給端子である。ここで、コンデンサ２、１８が第
１及び第２のキャパシタであり、共振器結合コンデンサ
５、１９が第３及び第４のキャパシタであり、コンデン
サ３が第５のキャパシタであり、出力結合コンデンサ
６、２０が第６及び第７のキャパシタである。

【００１４】以上のような構成の本発明の第１の実施の
形態における高周波発振回路は次のように動作する。

【００１５】図１において、発振トランジスタ１および
１７は、各々そのベース端子が直接接続されている。コ
ンデンサ２および１８は、コレクタ−エミッタ間容量素
子として、コンデンサ３３および３４は各々コレクタ−
ベース間容量素子として、発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性
等が最適となるようにその素子値が選ばれ、各々、トラ
ンジスタ１および１７に接続されている。

【００１６】また、コンデンサ３は、トランジスタ１お
よび１７のエミッタ間に接続され、同様に発振周波数帯
にてＣ／Ｎ特性等が最適となるようにその素子値が選ば
れている。さらに、共振器結合コンデンサ５および１９
を介して接続される共振器７は、先端開放の１／２波長
共振器であり、その共振器の中点においては等価的にグ
ランドとの短絡点となるため、共振器結合コンデンサ５
を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ１のコ
レクタ−ベース間に、またコンデンサ１９を介して共振
器７は誘導素子としてトランジスタ１７のコレクタ−ベ
ース間に、等価的に接続されている。

【００１７】また、バラクタダイオード９、２３は、各
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２２を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２３のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２７により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル２８を
経てチューニング電圧供給端子３０に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２３の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。

【００１８】このように、図１の回路では、ベース接地
型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器により
互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら発
振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、２
０を介して、両者の差動出力として高周波出力端子１
５、１６間から、取り出される。

【００１９】上記の構成によれば、発振トランジスタの
ベース電極間を直接接続する構成とすることにより、従
来、発振トランジスタのベース間に接続されていたベー
ス接地用コンデンサを接続せずに高周波的にベースに雑
音源となるインピーダンス素子をなくすことにより、Ｓ
／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回路を得ることがで
きる。（実施の形態２）図２は、本発明の第２の実施の形態の
高周波発振回路を示す回路図である。図２において、
１、１７は発振トランジスタ、２、３、１８はコンデン
サ、５、１９は共振器結合コンデンサ、６、２０は出力
結合コンデンサ、７は共振器、８、２２はバラクタダイ
オード結合コンデンサ、９、２３はバラクタダイオー
ド、１１、１２、２５、２６、４３、４４はバイアス用
抵抗、１４、２７はバラクタダイオードバイアスチョー
ク、１５、１６は高周波出力端子、２８は高周波チョー
ク、２９、３１はバイパスコンデンサ、３０はチューニ
ング電圧供給端子、３２はバイアス電圧供給端子であ
る。ここで、コンデンサ２、１８が第１及び第２のキャ
パシタであり、共振器結合コンデンサ５、１９が第３及
び第４のキャパシタであり、コンデンサ３が第５のキャ
パシタであり、出力結合コンデンサ６、２０が第６及び
第７のキャパシタである。

【００２０】以上のような構成の本発明の第２の実施の
形態における高周波発振回路は次のように動作する。

【００２１】図２において、発振トランジスタ１および
１７は、各々そのコレクタ端子が直接接続されている。
コンデンサ２および１８は、ベース−エミッタ間容量素
子として、発振周波数帯にてＣ／Ｎ特性等が最適となる
ようにその素子値が選ばれ、各々、トランジスタ１およ
び１７に接続されている。

【００２２】また、コンデンサ３は、トランジスタ１お
よび１７のエミッタ間に接続され、同様に発振周波数帯
にてＣ／Ｎ特性等が最適となるようにその素子値が選ば
れている。さらに、共振器結合コンデンサ５および１９
を介して接続される共振器７は、先端開放の１／２波長
共振器であり、その共振器の中点においては等価的にグ
ランドとの短絡点となるため、共振器結合コンデンサ５
を介して共振器７は誘導素子としてトランジスタ１のコ
レクタ−ベース間に、またコンデンサ１９を介して共振
器７は誘導素子としてトランジスタ１７のコレクタ−ベ
ース間に、等価的に接続されている。

【００２３】また、バラクタダイオード９、２３は、各
々バラクタダイオード結合コンデンサ８、２２を介して
各々共振器７に接続されている。さらにバラクタダイオ
ード９、２３のアノードがバラクタダイオードバイアス
チョーク１４、２７により各々ＤＣ的にグランド電位を
与えられていることから、高周波チョークコイル２８を
経てチューニング電圧供給端子３０に加える電圧値によ
り、バラクタダイオード９、２３の容量値が変化し、発
振周波数の可変を行うことができる。

【００２４】このように、図２の回路では、コレクタ接
地型クラップ型発振回路二つが、１／２波長共振器によ
り互いの発振信号として１８０度の位相差を持ちながら
発振動作を行い、その出力は、出力結合コンデンサ６、
２０を介して、両者の差動出力として高周波出力端子１
５、１６間から、取り出される。

【００２５】上記の構成によれば、発振トランジスタの
コレクタ電極間を直接接続する構成とすることにより、
従来、発振トランジスタのコレクタ間に接続されていた
コレクタ接地用コンデンサを接続せずに高周波的にコレ
クタに雑音源となるインピーダンス素子をなくすことに
より、Ｓ／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回路を得る
ことができる。（実施の形態３）図３は、本発明の第３の実施の形態の
高周波発振回路を示す回路図である。図３において、３
５、３６はバッファアンプトランジスタ、１１、２５、
３７、３８はバイアス用抵抗、３１はバイパスコンデン
サ、３９、４０は高周波チョークコイル、４１、４２は
段間結合コンデンサ、６、２０は出力結合コンデンサ、
３２はバイアス電圧供給端子、１５、１６は高周波出力
端子である。なお、その他の部分については、図１と同
様の構成部品からなる。ここで、段間結合コンデンサ４
１、４２が第６及び第７のキャパシタであり、出力結合
コンデンサ６、２０が第８及び第９のキャパシタであ
る。

【００２６】以上のような構成の本発明の第３の実施の
形態における高周波発振回路は次のように動作する。

【００２７】図３において、発振トランジスタ１および
１７は、前述の第１の実施の形態と同様、ベース接地型
クラップ型発振回路を構成し、その各々が、互いの発振
信号として１８０度の位相差を持ちながら発振動作を行
なう。その出力は、段間結合コンデンサ４１、４２を介
して、バッファアンプトランジスタ３５、３６にて各々
増幅され、出力結合コンデンサ６、２０を経て、両者の
差動出力として高周波出力端子１５、１６間から取り出
される。

【００２８】ここで、バッファアンプトランジスタ３
５、３６はエミッタ接地型の差動増幅回路形式である。
２つのバッファアンプトランジスタのエミッタ間を直接
接続する構成をとっている。

【００２９】上記のように、従来、２つのバッファアン
プトランジスタ間に接続されていたエミッタ接地用コン
デンサを接続せず、２つのバッファアンプトランジスタ
のエミッタ電極間を直接接続する構成とすることによ
り、発振回路部、バッファアンプ部ともに高周波的にイ
ンピーダンス成分をもつ接地用コンデンサをなくし、Ｓ
／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回路を得ることがで
きる。

【００３０】また、直流バイアス回路については、発振
トランジスタ１および１７のコレクタが、第１及び第２
のインダクタである高周波チョーク１０および２４によ
り、バッファアンプトランジスタ３５、３６のエミッタ
に接続されている。このため、バッファアンプトランジ
スタ３５と発振トランジスタ１とのコレクタ電流パスは
共通となり、同様に、バッファアンプトランジスタ３６
と発振トランジスタ１７とのコレクタ電流パスは共通と
なる。

【００３１】上記の構成によれば、発振トランジスタと
バッファアンプトランジスタに別々の電流パスにてコレ
クタ電流を流す回路と比較して、より低消費電流化を可
能とする高周波発振回路を得ることができる。（実施の形態４）図４は、本発明の第４の実施の形態の
高周波発振回路を示す回路図である。図４において、３
５、３６はバッファアンプトランジスタ、３３、３４、
４３、４４はバイアス用抵抗、３１はバイパスコンデン
サ、３９、４０は高周波チョークコイル、３７、３８は
段間結合コンデンサ、６、２０は出力結合コンデンサ、
３２はバイアス電圧供給端子、１５、１６は高周波出力
端子である。なお、その他の部分については、図２と同
様の構成部品からなる。ここで、段間結合コンデンサ３
７、３８が第６及び第７のキャパシタであり、出力結合
コンデンサ６、２０が第８及び第９のキャパシタであ
る。

【００３２】以上のような構成の本発明の第４の実施の
形態における高周波発振回路は次のように動作する。

【００３３】図４において、発振トランジスタ１および
１７は、前述の第２の実施の形態と同様、コレクタ接地
型クラップ型発振回路を構成し、その各々が、互いの発
振信号として１８０度の位相差を持ちながら発振動作を
行なう。その出力は、段間結合コンデンサ３７、３８を
介して、バッファアンプトランジスタ３５、３６にて各
々増幅され、出力結合コンデンサ６、２０を経て、両者
の差動出力として高周波出力端子１５、１６間から取り
出される。

【００３４】ここで、バッファアンプトランジスタ３
５、３６はエミッタ接地型の差動増幅回路形式である。
２つのバッファアンプトランジスタのエミッタ間を直接
接続する構成をとっている。

【００３５】上記のように、従来、２つのバッファアン
プトランジスタ間に接続されていたエミッタ接地用コン
デンサを接続せず、２つのバッファアンプトランジスタ
のエミッタ電極を直接接続する構成とすることにより、
発振回路部、バッファアンプ部ともに高周波的に接地用
のコンデンサを用いず差動型の回路動作が可能となるた
め、接地用コンデンサのインピーダンスによるＳ／Ｎ等
の特性劣化のない高周波発振回路を得ることができる。

【００３６】また、直流バイアス回路については、発振
トランジスタ１および１７のコレクタが、バッファアン
プトランジスタ３５、３６のエミッタに接続されてい
る。このため、バッファアンプトランジスタ３５、３６
と発振トランジスタ１、１７とのコレクタ電流パスは共
通となる。

【００３７】上記の構成によれば、発振トランジスタと
バッファアンプトランジスタに別々の電流パスにてコレ
クタ電流を流す回路と比較して、より低消費電流化を可
能とする高周波発振回路を得ることができる。

【００３８】なお、上記実施の形態の回路構成は一例で
あり、接地用コンデンサのインピーダンスの影響を受け
ないように、２つの発振トランジスタのベース間あるい
はコレクタ間を直接接続する構成とし、更には２つのバ
ッファアンプトランジスタのエミッタ間を直接接続する
構成であれば、トランジスタ周辺の付加回路の構成はこ
れらに限定されるものではない。

【００３９】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、２つの発
振トランジスタ間に接続されていたベース接地用コンデ
ンサを接続せず、２つの発振トランジスタのベース間、
あるいはコレクタ間を直接接続することにより、接地用
コンデンサのインピーダンスの影響を受けず、Ｓ／Ｎ等
の特性劣化のない高周波発振回路を得ることができる。

【００４０】また、発振回路にバッファアンプを接続し
た場合にも、２つのバッファアンプトランジスタのエミ
ッタ間のコンデンサを接続せず、２つのバッファアンプ
トランジスタのエミッタ間を直接接続することにより、
接地用コンデンサのインピーダンスの影響を受けず、Ｓ
／Ｎ等の特性劣化のない高周波発振回路を得ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の高周波発振回路を
示す回路図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態の高周波発振回路を
示す回路図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態の高周波発振回路を
示す回路図である。

【図４】本発明の第４の実施の形態の高周波発振回路を
示す回路図である。

【図５】従来の高周波発振回路を示す回路図である。

【符号の説明】

１、１７発振トランジスタ２、３、１８、３３、３４コンデンサ５、１９共振器結合コンデンサ６、２０出力結合コンデンサ７共振器８、２２バラクタダイオード結合コンデンサ９、２３バラクタダイオード１１、１２、１３、２５、２６、３３、３４、４３、４
４バイアス用抵抗１４、２７バラクタダイオードバイアスチョーク１５、１６高周波出力端子１０、２４、２８、３９、４０高周波チョーク２９、３１バイパスコンデンサ３０チューニング電圧供給端子３２バイアス電圧供給端子３５、３６バッファアンプトランジスタ４１、４２段間結合コンデンサ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の発振トランジスタと、第２の発振
トランジスタと、それら第１の発振トランジスタ及び第
２の発振トランジスタの両コレクタ間に接続される共振
器とを備え、前記第１の発振トランジスタ及び第２の発
振トランジスタの両ベース間を直接接続し、前記第１の
発振トランジスタ及び第２の発振トランジスタの両エミ
ッタ間から差動信号出力を発振出力として取り出すこと
を特徴とする高周波発振回路。
【請求項２】第１の発振トランジスタと、第２の発振
トランジスタと、それら第１の発振トランジスタ及び第
２の発振トランジスタの両ベース間に接続される共振器
とを備え、前記第１の発振トランジスタ及び第２の発振
トランジスタの両コレクタ間を直接接続し、前記第１の
発振トランジスタ及び第２の発振トランジスタの両エミ
ッタ間から差動信号出力を発振出力として取り出すこと
を特徴とする高周波発振回路。
【請求項３】前記第１の発振トランジスタのコレクタ
−エミッタ間に接続された第１のキャパシタと、前記第
２の発振トランジスタのコレクタ−エミッタ間に接続さ
れた第２のキャパシタと、前記第１の発振トランジスタ
のコレクタと前記共振器との間に接続された第３のキャ
パシタと、前記第２の発振トランジスタのコレクタと前
記共振器との間に接続された第４のキャパシタと、前記
第１の発振トランジスタのエミッタと前記第２の発振ト
ランジスタのエミッタとの間に接続された第５のキャパ
シタと、前記第１の発振トランジスタのエミッタに一端
が接続された第６のキャパシタと、前記第２の発振トラ
ンジスタのエミッタに一端が接続された第７のキャパシ
タとを備え、前記発振出力は前記第６のキャパシタ及び
前記第７のキャパシタを介して取り出すことを特徴とす
る請求項１に記載の高周波発振回路。
【請求項４】前記第１の発振トランジスタのベース−
エミッタ間に接続された第１のキャパシタと、前記第２
の発振トランジスタのベース−エミッタ間に接続された
第２のキャパシタと、前記第１の発振トランジスタのベ
ースと前記共振器との間に接続された第３のキャパシタ
と、前記第２の発振トランジスタのベースと前記共振器
との間に接続された第４のキャパシタと、前記第１の発
振トランジスタのエミッタと前記第２の発振トランジス
タのエミッタとの間に接続された第５のキャパシタと、
前記第１の発振トランジスタのエミッタに一端が接続さ
れた第６のキャパシタと、前記第２の発振トランジスタ
のエミッタに一端が接続された第７のキャパシタとを備
え、前記発振出力は前記第６のキャパシタ及び前記第７
のキャパシタを介して取り出すことを特徴とする請求項
２に記載の高周波発振回路。
【請求項５】前記第６のキャパシタにベースが接続さ
れた第１のバッファアンプトランジスタと、前記第７の
キャパシタにベースが接続された第２のバッファアンプ
トランジスタと、前記第１のバッファアンプトランジス
タのコレクタに一端が接続された第８のキャパシタと、
前記第２のバッファアンプトランジスタのコレクタに一
端が接続された第９のキャパシタとを備え、前記第１の
バッファアンプトランジスタのエミッタと前記第２のバ
ッファアンプトランジスタのエミッタとは直接接続され
ており、前記発振出力は前記第８のキャパシタの他端と
前記第９のキャパシタの他端との間から取り出すことを
特徴とする請求項３に記載の高周波発振回路。
【請求項６】前記第６のキャパシタにベースが接続さ
れた第１のバッファアンプトランジスタと、前記第７の
キャパシタにベースが接続された第２のバッファアンプ
トランジスタと、前記第１のバッファアンプトランジス
タのコレクタに一端が接続された第８のキャパシタと、
前記第２のバッファアンプトランジスタのコレクタに一
端が接続された第９のキャパシタとを備え、前記第１の
バッファアンプトランジスタのエミッタと前記第２のバ
ッファアンプトランジスタのエミッタとは直接接続され
ており、前記発振出力は前記第８のキャパシタの他端と
前記第９のキャパシタの他端との間から取り出すことを
特徴とする請求項４に記載の高周波発振回路。
【請求項７】前記第１の発振トランジスタのコレクタ
と前記第１のバッファアンプトランジスタのエミッタと
の間に接続された第１のインダクタと、前記第２の発振
トランジスタのコレクタと前記第２のバッファアンプト
ランジスタのエミッタとの間に接続された第２のインダ
クタとを備え、前記第１のバッファアンプトランジスタ
のコレクタ電流と前記第１の発振トランジスタのコレク
タ電流との電流経路を共通化し、前記第２のバッファア
ンプトランジスタのコレクタ電流と前記第２の発振トラ
ンジスタのコレクタ電流との電流経路を共通化したこと
を特徴とする請求項５に記載の高周波発振回路。
【請求項８】前記第１の発振トランジスタのコレクタ
と前記第１のバッファアンプトランジスタのエミッタと
が接続され、前記第２の発振トランジスタのコレクタ
と、前記第２のバッファアンプトランジスタのエミッタ
とが接続されており、前記第１のバッファアンプトラン
ジスタのコレクタ電流と前記第１の発振トランジスタの
コレクタ電流との電流経路を共通化し、前記第２のバッ
ファアンプトランジスタのコレクタ電流と前記第２の発
振トランジスタのコレクタ電流との電流経路を共通化し
たことを特徴とする請求項６に記載の高周波発振回路。