JPH11314310A - フッ素樹脂・金属薄膜複合シートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】フッ素樹脂シートと金属薄膜との密着力が改善
された複合シートを容易に製造する方法を提供する。 【解決手段】フッ素樹脂・金属薄膜複合シートの製造方
法は、フッ素樹脂シートの表面をリモート水素プラズマ
処理して親水化する工程、親水化したフッ素樹脂シート
の表面にパラジウム金属を付着させる工程、および表面
にパラジウム金属が付着したフッ素樹脂シートを無電解
めっき処理を行って金属薄膜を形成する工程を有する。
フッ素樹脂シートとしては、ポリテトラフルオロエチレ
ンシートが好ましく使用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＦＰＣ板（フレキ
シブルプリント配線板）、ＴＡＢ（テープ・オートメイ
ティッド・ボンディング）テープ、シールド付き電線被
覆材、導電性複合フィルム、発熱体用フィルム等に使用
することができるフッ素樹脂・金属薄膜複合シートの製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、高機能化、高集積化に伴い、コン
パクト化の一途をたどる電子技術において、例えば、Ｆ
ＰＣ板（フレキシブルプリント配線板）はより小さく、
より薄いことが要求され、導体の幅は狭く、厚さは薄く
することが必要になっている。ところで導体である銅に
も電気抵抗があり、これに電流を流せば当然熱が発生す
る。この発生熱量は放熱されなければ温度は無制限に上
昇し、素子あるいは絶縁を破壊するが、普通は放熱と発
熱がバランスしてある一定温度に保持される。例えば、
厚さ３５μｍ、幅０．１５ｍｍの銅箔に４００ｍＡの電
流を流すと、温度は約７５℃上昇する。これは単純な導
体の場合についてであるが、さらに細密な回路になると
かなり高温まで温度が上昇する。したがって、これら素
子あるいは絶縁材料に使用する材料に対しては、耐熱特
性がますます要求されることになっている。

【０００３】従来、耐熱特性の優れた高分子としては種
々のものが提案されているが、中でもポリテトラフルオ
ロエチレン（以下、「ＰＴＦＥ」という。）は、その特
性として耐熱性、難燃性、耐薬品性、電気特性等の熱
的、化学的、電気的特性に優れており、さらに信頼性が
高いという特徴を有しているので好ましい材料である。
すなわち、ＰＴＦＥは、疎水性であると同時に、耐熱
性、耐薬品性の最も安定したポリマーの１つであって、
上記のような卓越した特性に加えて、電気絶縁材料とし
て優れたものである。その体積抵抗は、大気圧下７３゜
Ｆ（２２．８℃）で１０¹⁹Ω−ｃｍ、比較湿度１００％
で１０¹⁶Ω−ｃｍであり、また、１ＭＨｚ〜１ＧＨｚの
範囲において２２．８℃における誘電率は２．１であ
り、誘電損率は１×１０^-4である。したがって、ＰＴＦ
Ｅと銅との複合材は、ＧＨｚ帯の高周波のための電気絶
縁材料、例えば集積回路のプリント配線基板および電線
被覆材等に最も適した材料である。

【０００４】一般に、ポリマー材料に銅をメタライジン
グする方法には、無電解めっき、蒸着、スパッタリング
など多くの方法があり、これらの中でも無電解めっきは
ポリマー表面にメタライジングする最も単純な方法であ
り、特別な装置を必要としないという利点がある。とこ
ろで、無電解めっきのプロセスにおいて、銅イオンが銅
金属への還元反応をするためには、触媒となるパラジウ
ム金属の粒子をポリマー表面に付与する必要がある。表
面にパラジウム金属粒子の付着したポリマー材料を銅イ
オンを含む無電解めっき溶液の中に置けば、パラジウム
触媒によってホルムアルデヒドを持った銅イオンの還元
反応が生じ、還元された銅がパラジウム金属粒子の存在
するポリマー材料表面に堆積して、銅をメタライジング
することができる。したがって、メタライジングさせる
ために重要なことは、如何にポリマー材料表面にパラジ
ウム金属粒子を付けるか、さらにポリマー材料表面と無
電解めっきによって堆積させる銅薄膜との間の密着力を
如何に強くするかということである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、ポリマー材
料としてフッ素樹脂、例えばＰＴＦＥよりなるシートを
用いて複合材料を形成する場合、フッ素樹脂シート表面
が不活性、かつ疎水性であるため、付着するパラジウム
金属粒子が少なく、したがって無電解めっき処理を施し
ても、十分な接着力を有する銅薄膜を形成することがで
きなかった。

【０００６】また、ＰＴＦＥシートを、金属蒸着やスパ
ッタリング等によってメタライジングして複合材料を作
製する場合には、ＰＴＦＥシートの表面が不活性であっ
て、他の素材との接着力が弱いため、表面を前処理する
ことが必要不可欠である。従来、複合材料を作製する場
合の前処理の方法としては、アンカー効果によって密着
力を強くするためにＰＴＦＥシートの表面を粗面化する
方法が知られている。例えば、ＫｒＦおよびＡｒＦのエ
キシマレーザーによる照射、あるいはｋｅＶないしＭｅ
Ｖのエネルギー範囲のイオン照射等が、前処理方法とし
てしばしば採用されている。しかしながら、これらの前
処理方法は、処理面積が狭いという問題がある。またこ
れらの前処理方法は、ＰＴＦＥシート表面のモルフォロ
ジーを変えたアンカー効果によって、ＰＴＦＥシートと
銅金属間の密着力を改良するものであるが、ＰＴＦＥシ
ート表面の材料に劣化が生じるという問題があり、未だ
十分に実用化するまでには至っていない。

【０００７】本発明は、従来の技術における上記のよう
な問題点を解決することを目的としてなされたものであ
って、その目的は、フッ素樹脂シートと金属薄膜の密着
力が改善された、機器や部品の高機能化、高集積化に対
処できるＰＴＦＥ・金属薄膜複合シート材料を容易に製
造する方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、簡易な無
電解めっきにより銅をメタライジングすることについて
検討した結果、ＰＴＦＥシート表面のメタライジングで
重要なことは、まず、ＰＴＦＥを表面改質して親水化
し、無電解めっき液でＰＴＦＥシート表面がよく濡れる
ようにするための表面改質には、被処理サンプルがプラ
ズマゾーンから離れた位置にあるリモートプラズマ処理
が有効であることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。

【０００９】本発明のフッ素樹脂・金属薄膜複合シート
の製造方法は、フッ素樹脂シートの表面をリモート水素
プラズマ処理して親水化する工程、親水化したフッ素樹
脂シートの表面にパラジウム金属を付着させる工程、お
よび表面にパラジウム金属が付着したフッ素樹脂シート
を無電解めっき処理を行って金属薄膜を形成する工程を
有することを特徴とする。フッ素樹脂シートとしては、
ＰＴＦＥシートが好ましく使用される。また、無電解め
っき処理を行った後、さらに電解めっき処理を施しても
よい。

【００１０】

【発明の実施の形態】まず第１の工程であるフッ素樹脂
シートの表面をリモート水素プラズマ処理して親水化す
る工程について説明する。この工程は、無電解メッキに
よって金属薄膜を形成させる場合の触媒となるパラジウ
ム金属を付着させるために必要な工程であって、リモー
ト水素プラズマ処理を施すことによって、脱フッ素およ
び酸化が生じてフッ素樹脂シートの表面が改質され、親
水化される。本発明における表面改質のために用いるリ
モート水素プラズマ処理は、プラズマゾーンから離れた
位置にサンプルをおいてプラズマ処理を行うものであっ
て、プラズマゾーンにサンプルをおいて処理するダイレ
クト水素プラズマ処理とは本質的に異なるものである。

【００１１】プラズマ処理におけるプラズマは、電子、
イオン、ラジカルからなるが、ラジカルは、ポリマー表
面に化学反応を促し、電子やイオンよりも寿命は長い。
そこで、通常のプラズマゾーンから離れた位置にフッ素
樹脂シートを置いてリモート水素プラズマ処理すれば、
ラジカル反応が支配的に生じ、電子やイオンによる反応
は殆ど生じない。すなわち、リモート水素プラズマにお
いては、電子や水素イオンよりもむしろ水素ラジカルが
支配的であり、この水素ラジカルは主に親水化処理反応
を促進する。これに対して、ダイレクト水素プラズマで
は、水素ラジカルと共に電子、水素イオンが共存する。
すなわち、水素ラジカルによる改質反応だけでなく、電
子や水素イオンによる反応が同時に起こる。電子、水素
イオンによる反応は、主に電子・イオン衝撃によってエ
ッチングや侵食(degradation) 反応によって引き起こさ
れ、その結果、これらの反応によってフッ素樹脂シート
表面上で低分子量の反応生成物が生成し、いわゆるＷＢ
Ｌ（Weak Boundary Layer）で表面が覆われる。銅めっ
き等はＷＢＬ表面に施されるために、ピール強度は低下
し、良好な結果が得られない。

【００１２】本発明において、リモート水素プラズマ処
理の好ましい条件は、次の通りである。すなわち、高周
波（例えば、１３．５６ＭＨｚ）電源の出力は、１０Ｗ
〜４００Ｗの範囲、より好ましくは５０Ｗ〜３００Ｗの
範囲に設定する。出力が４００Ｗより大きいとリモート
水素プラズマ処理の出力が強すぎてフッ素樹脂シートが
劣化し、一方１０Ｗ未満である場合には、プラズマが発
生しない。また、リモート水素プラズマ処理圧力は１．
３３Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲、好ましくは６．７Ｐａ〜
２６．６Ｐａの範囲に設定する。処理圧力が１．３３Ｐ
ａ未満および１３３Ｐａより大きい場合には、プラズマ
処理効果が薄くなる。また、プラズマ照射時間は１０秒
〜３００秒の範囲に設定する。照射時間が１０秒未満の
場合には、処理効果が薄く、一方、３００秒より長い場
合にはフッ素樹脂シートが劣化する。

【００１３】本発明において使用するフッ素樹脂シート
（フィルム）としては、ＰＴＦＥ、ポリビニリデンフル
オライド、ポリビニルフルオライド、ポリクロロトリフ
ルオロエチレン、フッ化ビニリデン−テトラフルオロエ
チレン共重合体、テトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン−パーフル
オロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロ
エチレン−エチレン共重合体、クロロトリフルオロエチ
レン−エチレン共重合体等のシートがあげられる。これ
らの中でも特にＰＴＦＥシートが好ましく、具体的に
は、フィルム状のシートおよび多孔質シート（例えば、
（株）巴川製紙所製、トミーファイレックスＦ）等が使
用される。その厚みは、一般に２５〜１５０μｍの範囲
が好ましい。

【００１４】本発明におけるリモート水素プラズマ処理
は、例えば、図１に示す装置を用いて行うことができ
る。図１において、反応器は、円筒状のパイレックスガ
ラス管１（例えば、直径４５ｍｍ、長さ１，０００ｍ
ｍ）、および円筒型ステンレス製チャンバー２（例え
ば、直径３００ｍｍ、高さ３００ｍｍ）からなる。パイ
レックスガラス管１には、アルゴンガスおよび水素ガス
を導入するためのガス導入口３ａ，３ｂが設けられてお
り、それぞれマスフローコントローラー４ａ，４ｂを介
してアルゴンシリンダー５ａおよび水素シリンダー５ｂ
に連結されている。またパイレックスガラス管の外側に
はコイル状に銅管６が巻き付けられており（例えば、９
回巻き）、高周波（ＲＦ）電源７（例えば、１３．５６
ＭＨｚ）に接続されている。ステンレス製チャンバー２
には圧力計８が設けられ、排気口９はロータリーポン
プ、拡散ポンプよりなる真空系に繋がっている。パイレ
ックスガラス管と円筒型ステンレス製チャンバーとはバ
イトンＯリング１０を用いたフランジで繋いである。な
お、１１はＰＴＦＥシート、Ａはダイレクトプラズマ処
理位置、Ｂはリモートプラズマ処理位置を示す。

【００１５】この装置によって処理する場合を一例をあ
げて説明する。ＰＴＦＥシート１１をコイル状に巻いた
銅管６の中心から８００ｍｍ程度離れた位置（Ｂ）に置
いて、水素プラズマに曝す。次いで、反応系内の空気を
アルゴンに置換し、その後、円筒型ステンレス製チャン
バー内を約１．３×１０^-2Ｐａまで排気する。次に、水
素をマスフローコントローラーで流量を１０ｃｍ³ （室
温、大気圧下）／ｍｉｎに調節してパイレックスガラス
管内に導入する。リモート水素プラズマ処理は、１３．
３Ｐａの一定で圧力の下に、ＲＦ出力および照射時間を
変えて操作する。

【００１６】本発明において、リモート水素プラズマ処
理による親水化のメカニズムについて考察する。リモー
ト水素プラズマ処理によって、フッ素樹脂シート表面上
に脱フッ素と酸化が生じ、酸素をもった基が形成される
が、これらの酸素をもった基の形成についてのメカニズ
ムは次のように推測される。リモート水素プラズマ中の
水素ラジカルは、フッ素樹脂シート表面からフッ素原子
を引き抜き、カーボンラジカルを作る。カーボンラジカ
ルは、水素プラズマ中の他の水素ラジカルと再結合し、
Ｃ−Ｈ結合を形成する。これがリモート水素プラズマに
よる脱フッ素のメカニズムである。しかし、フッ素引き
抜きによって形成された全てのカーボンラジカルが水素
ラジカルと再結合するのではなく、リモート水素プラズ
マ処理が終わった後でも、カーボンラジカルの一部がフ
ッ素樹脂シート表面に残る。残ったラジカルは、フッ素
樹脂シートをプラズマ反応器から取り出すと直ちに、空
気中の酸素や水分と反応してパーオキサイド基を形成す
る。パーオキサイド基はヒドロキシル、Ｃ−Ｏあるいは
カルボニル基のような酸素を持った基に改質される。こ
れが酸素を持った基の形成メカニズムである。なお、本
発明において、リモート水素プラズマ処理によってフッ
素樹脂シート表面の脱フッ素化および酸化が生じるが、
脱フッ素化の反応率は２５％〜３９％であり（ＣＦ₂ 成
分の濃度およびＦ／Ｃ元素比から推算）、そして、リモ
ート水素プラズマ処理後におけるカーボンラジカルの酸
化によって形成されたＣ−ＯおよびＣ＝Ｏのような酸素
を持った基が、コロイダルパラジウム金属を捕捉するサ
イトの役割を持つ。

【００１７】リモート水素プラズマ処理されたフッ素樹
脂シートは、所望によりアセトン等の溶剤で洗浄処理し
た後、次の工程において、表面にパラジウム金属を付着
させる。この工程において付着したパラジウム金属は、
次の無電解めっきのプロセスにおいて、金属イオン還元
して金属にするための触媒として作用するものであっ
て、無電解めっきによって金属薄膜を形成するために必
須のものである。具体的には、リモート水素プラズマに
よって親水化処理したフッ素樹脂シートを、パラジウム
コロイド、例えば、コロイド状のパラジウム−錫合金粒
子を含むコロイド溶液に浸漬し、その後、硫酸溶液中で
錫成分を溶解除去して活性化したコロイド状パラジウム
リッチな表面を有するフッ素樹脂シートを作製する。使
用するコロイド溶液におけるパラジウム−錫合金粒子の
粒径は、１０〜４００オングストロームが好ましい。ま
た、硫酸水溶液中に浸漬して錫成分だけを溶解除去する
には、適宜の条件、例えば、４０℃、５分間濃度３．６
ｍ／ｌの条件で行うことができる。

【００１８】パラジウム金属が表面に付着したフッ素樹
脂シートには、次いで無電解めっき液を用いて金属めっ
き処理が施される。無電解めっき液としては、公知のも
のならば如何なるものでも使用することができ、金属薄
膜を形成する金属としては、銅、金、ニッケル、コバル
ト等があげられる。具体的には、無電解めっき液として
奥野製薬工業（株）製のＴＭＰ等があげられる。また、
無電解めっき条件は、例えば、室温で５分間程度実施す
ればよい。

【００１９】無電解めっき処理によって、一般には膜厚
が０．１〜２．５μｍの金属薄膜が形成されるが、さら
に膜厚の厚い金属薄膜、例えば膜厚５〜３０μｍの金属
薄膜を形成することが望まれる場合には、無電解めっき
処理を行った後、さらに電解めっき処理を施してもよ
い。電解めっき処理は、公知の電解めっき液を用い、公
知の方法で実施することができる。例えば、ピール強度
試験には、３０μｍ程度の銅薄膜の厚みが必要であり、
一般には硫酸銅めっき法が使用される。シート表面に、
均一に且つ良質の銅をめっきするためには、めっき液
（例えば、硫酸水溶液＋硫酸銅＋添加剤）を電解めっき
槽内で撹拌して流動状態をよくすること、また電流密度
を向上させるために小径で且つ多量の空気をバブリング
すること、あるいはシートをめっき液の水流に逆らって
良好に固定すること等が重要である。一般に、液温２０
℃において陰極電流密度は１００〜５００Ａ／ｍ² の範
囲で行うのが好ましい。

【００２０】

【実施例】実施例１ ＰＴＦＥフィルム（ニチアス社製：Ｔｅｆｌｏｎ ９０
０１、幅３００ｍｍ、厚み５０μｍ）を１０ｍｍ×３０
ｍｍのサイズに切断して表面改質用のサンプルとした。
このＰＴＦＥフィルムをアセトン中で超音波洗浄し、室
温で真空乾燥した後、図１に示す装置を用いてリモート
水素プラズマ処理を行った。すなわち、ＰＴＦＥフィル
ムをコイル状に巻いた銅管の中心から約８００ｍｍ離れ
た位置に置いて、水素プラズマに曝した。次いで、反応
系内の空気をアルゴンに置換し、その後、円筒型ステン
レス製チャンバー内を約１．３×１０^-2Ｐａまで排気し
た。次に、水素をマスフローコントローラーで流量を１
０ｃｍ³ （室温、大気圧下）／ｍｉｎに調節してパイレ
ックスガラス管内に導入した。リモート水素プラズマ処
理は、１３．３Ｐａの圧力下に、ＲＦ出力１００Ｗ、照
射時間１０秒の条件下で行った。なお、水素およびアル
ゴンとしては、純度９９．９９５％の高純度タイプのガ
スを用いた。

【００２１】次に、上記のようにリモート水素プラズマ
によって親水化処理したＰＴＦＥフィルムをコロイド状
のパラジウム−錫合金粒子を含むコロイド溶液（奥野製
薬工業（株）製のＯＰＣ−８０とＯＰＣ−ＳＡＬの混合
物）に２５℃で５分間浸漬し、撹拌して、ＰＴＦＥフィ
ルム表面にコロイド状パラジウム−錫合金粒子を付着さ
せた。次いで、このＰＴＦＥフィルムを希硫酸溶液
（３．６Ｍ／ｌ）に４０℃で５分間浸漬し、錫成分を溶
解除去して、コロイド状パラジウム粒子が付着した表面
を有するＰＴＦＥフィルムを得た。

【００２２】次いで、ＰＴＦＥフィルム表面に銅をメタ
ライジングするために、無電解めっきと電解めっきの２
つのプロセスを組み合わせて処理を行った。まず、上記
のＰＴＦＥフィルムを無電解めっき液（奥野製薬工業
（株）製、ＴＭＰ）中に室温で５分間浸漬して表面に銅
を堆積させて、膜厚０．２μｍの無電解銅めっき層を形
成した。次いで、上記無電解めっきによって電気電導性
が得られたＰＴＦＥフィルムに、電解めっき処理を行っ
て、膜厚３０μｍの電解銅めっき層を形成した。電解め
っきは、電解めっき液として、硫酸溶液（１９０ｇ／
ｌ）に硫酸銅（７５ｇ／ｌ）、塩酸（５０ｐｐｍ）およ
び添加剤（Ｎｉｐｐｏｎ ＲｉｒｏｎａｌＣｏ．Ｌｔ
ｄ、ＰＣＭ，５ｍｌ）を加えて得られた溶液を使用し、
電流１０Ａ（電流密度３００Ａ／ｍ² ）、電圧８Ｖの条
件で２０℃において行った。最後に、８０℃において１
２時間真空乾燥して、ＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりな
る複合フィルムを得た。

【００２３】実施例２ リモート水素プラズマ処理における照射時間を６０秒に
代えた以外は、実施例１と同様にして表面処理を施して
ＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フィルムを作製
した。 実施例３ リモート水素プラズマ処理における照射時間を９０秒に
代えた以外は、実施例１と同様にして表面処理を施して
ＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フィルムを作製
した。 実施例４ リモート水素プラズマ処理における照射時間を１２０秒
に代えた以外は、実施例１と同様にして表面処理を施し
てＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フィルムを作
製した。

【００２４】実施例５ リモート水素プラズマ処理における照射時間を１５０秒
に代えた以外は、実施例１と同様にして表面処理を施し
てＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フィルムを作
製した。 実施例６ リモート水素プラズマ処理における照射時間を３００秒
に代えた以外は、実施例１と同様にして表面処理を施し
てＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フィルムを作
製した。 実施例７ リモート水素プラズマのＲＦ出力を５０Ｗ、照射時間を
１５０秒に代えた以外は、実施例１と同様にして表面処
理を施してＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フィ
ルムを作製した。

【００２５】比較例１ リモート水素プラズマ処理を行わない以外は、実施例１
と同様にしてＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フ
ィルムを作製した。 比較例２ 実施例１におけるリモート水素プラズマ処理の代わり
に、ダイレクトプラズマ処理を照射時間１２０秒で行っ
た以外は、実施例１と同様にして表面処理を施して、Ｐ
ＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フィルムを作製し
た。なお、ダイレクトプラズマ処理は、図１に示す装置
を用い、ＰＴＦＥフィルムをプラズマゾーン、すなわち
コイル状に巻いた銅管の中心位置に置いて行った。

【００２６】以上の実施例１〜７、比較例１および２に
おけるリモート水素プラズマで処理を施したＰＴＦＥフ
ィルムおよびＰＴＦＥフィルム−銅薄膜よりなる複合フ
ィルムについて下記の特性を評価した。

【００２７】（１）水に対する接触角 リモート水素プラズマで処理したＰＴＦＥフィルム表面
上の水に対する接触角を、処理後２〜３分以内に２０℃
の環境下でゴニオメーター（エルマ製モデルＧ−１）を
用いて測定した。実験値のばらつきが３〜４°程度の測
定を１０回行い、その平均値を求めた。

【００２８】（２）ＰＴＦＥフィルムと銅薄膜との間の
ピール強度 ＰＴＦＥフィルムと銅薄膜との密着力について、Ｔ字ピ
ール強度（５ｍｍ幅）をＩｎｓｔｒｏｎ型の引っ張り試
験機（島津社製：ＡＧＳ１００−Ａ）を用いて１０ｍｍ
／ｍｉｎの速度で剥離強度を測定して評価した。１０回
測定した剥離強度の平均値をピール強度とした。

【００２９】これらの測定結果を、プラズマ照射時間お
よび高周波出力と共に表１に示す。

【表１】 実施例１〜６と比較例１との比較から、プラズマ照射時
間が１０秒という短時間内で、接触角が１１８゜から８
８゜まで減少し、そして接触角の減少はプラズマ照射時
間１２０秒で接触角７７゜になるまで続き、その後は接
触角の減少傾向は無視し得るものとなることが分かっ
た。また、実施例４と実施例７との比較から、ＲＦ出力
を変えて処理した場合の、ＰＴＦＥフィルム表面の水に
対する接触角は、ＲＦ出力の増加と共に直線的に減少す
ることが分かった。これらの事実は、リモート水素プラ
ズマ処理を１２０秒以下という短い照射時間で行うこと
により、ＰＴＦＥフィルム表面を改質することができる
ことを示している。

【００３０】また、ピール強度の測定結果から、リモー
ト水素プラズマによる表面改質効果が分かった。すなわ
ち、比較例１の場合は、未処理のＰＴＦＥと銅薄膜との
間のピール強度は、７．５ｍＮ／５ｍｍであって、めっ
きされた銅薄膜は指で擦るのみで容易に剥がれる状態で
あったが、一方、プラズマ処理済みシートと銅薄膜との
間のピール強度は、プラズマ処理時間が増すとともに増
加し、プラズマ照射時間１２０秒で９２ｍＮ／５ｍｍの
最大値に達した。この値は比較例１の場合の１２倍であ
った。なお、照射時間１２０秒を越えると、ピール強度
は上昇しなかった。一方、ダイレクト水素プラズマ処理
を行った比較例２の場合は、ピール強度１５Ｎ／５ｍｍ
に増加したにとどまり、実施例４の場合と比較して、著
しく低い密着度を示した。

【００３１】

【発明の効果】本発明の複合シートの製造方法において
は、フッ素樹脂シート表面をリモート水素プラズマ処理
により改質するので、改質により脱フッ素と酸化が起こ
り、エッチングすることなく表面の親水化を行うことが
でき、フッ素樹脂シートと金属薄膜との密着力が向上す
る。したがって、本発明によれば、無電解めっき処理に
よってフッ素樹脂シートと金属薄膜との密着力の向上し
た優れた複合材料を容易に製造することが可能である。

【００３２】また、本発明によって製造された複合材料
は、宇宙・航空機産業用として、また民生用機器とし
て、種々の用途に使用することが可能であり、特に銅薄
膜を用いているプリント基板として使用した場合、
（１）さらに高温での使用が可能である、（２）ショー
トトラブルが少ない、（３）スルーホール形成が容易に
なる、（４）回路が小型化できる、等の利点を有してい
る。また、回路の小型化に伴った製品のコストダウン、
接着剤を使用しないことによる材料費の節約、溶剤を用
いないために環境汚染防止装置が不要になる等の利点も
ある。また、本発明による複合材シートは、導電性複合
フィルムとして、特に透明電極フィルム、発熱体フィル
ム等のエレクトロニクス・情報産業分野において、ま
た、熱線遮断フィルム、断熱フィルム等の建設産業分野
において、有用な材料である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 プラズマ処理装置の一例の概略構成図であ
る。

【符号の説明】

１…パイレックスガラス管、２…チャンバー、３ａ，３
ｂ…ガス導入口、４ａ，４ｂ…マスフローコントローラ
ー、５ａ…アルゴンシリンダー、５ｂ…水素シリンダ
ー、６…銅管（電極）、７…高周波電源、８…圧力計、
９…排気口、１０…バイトンＯリング、１１…ＰＴＦＥ
シート、Ａ…ダイレクトプラズマ処理位置、Ｂ…リモー
トプラズマ処理位置。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フッ素樹脂シートの表面をリモート水素
   プラズマ処理して親水化する工程、親水化したフッ素樹
   脂シートの表面にパラジウム金属を付着させる工程、お
   よび表面にパラジウム金属が付着したフッ素樹脂シート
   を無電解めっき処理を行って金属薄膜を形成する工程を
   有することを特徴とするフッ素樹脂・金属薄膜複合シー
   トの製造方法。
2. 【請求項２】 フッ素樹脂シートがポリテトラフルオロ
   エチレンシートである請求項１記載のフッ素樹脂・金属
   薄膜複合シートの製造方法。
3. 【請求項３】 無電解めっき処理を行った後、さらに電
   解めっき処理を行って金属薄膜を形成する請求項１記載
   のフッ素樹脂・金属薄膜複合シートの製造方法。
4. 【請求項４】 リモート水素プラズマ処理を、周波数１
   ３．５６ＭＨｚの高周波を用い、出力５０Ｗないし３０
   ０Ｗの範囲、圧力６．７Ｐａないし２６．６Ｐａの範
   囲、照射時間１０秒ないし３００秒の範囲で行うことを
   特徴とする請求項１記載のフッ素樹脂・金属薄膜複合シ
   ートの製造方法。
5. 【請求項５】 パラジウム金属を付着させる工程におい
   て、パラジウムコロイドを用いることを特徴とする請求
   項１記載のフッ素樹脂・金属薄膜複合シートの製造方
   法。
6. 【請求項６】 金属薄膜が、銅薄膜である請求項１記載
   のフッ素樹脂・金属薄膜複合シートの製造方法。