JPH11316260A - 半導体試験装置 - Google Patents

半導体試験装置

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JPH11316260A
JPH11316260A JP10256421A JP25642198A JPH11316260A JP H11316260 A JPH11316260 A JP H11316260A JP 10256421 A JP10256421 A JP 10256421A JP 25642198 A JP25642198 A JP 25642198A JP H11316260 A JPH11316260 A JP H11316260A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度CMOS・LSIを用いて、タイミン
グ精度が高精度であってコストが非常に安価なピン信号
生成部を有する半導体試験装置。 【解決手段】 半導体試験装置のパルス波形発生器で
あって、論理データを受けて、パルスを発生する1対
のセット・クロック発生器とリセット・クロック発生器
とのパルスでもって波形制御回路からの試験パターン信
号のタイミングをとり、RS・FFに与えてテスト信号
の波形を生成し専用のドライバに与える、複数個のテス
ト信号波形整形器と、論理データを受けて、パルスを
発生する1対のドライバ・イネーブル・リーディングパ
ルス発生器と、ドライバ・イネーブル・トレイリングパ
ルス発生器とのパルスをRS・FFに与えて/OE信号
の波形を生成し、それぞれの可変遅延回路を経て全ての
ドライバの/OE端子に与える1個の/OE信号波形整
形器と、で構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、高密度CMOS
・LSIを用いて構成し、タイミング精度が高精度で、
コストが非常に安価なピン信号生成部を有する半導体試
験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】始めに、従来の半導体試験装置について
概略を説明する。図3に半導体試験装置の基本的な構成
図を示す。テストプロセッサ1はテストプログラムに従
って装置全体の制御を行い、テスタ・バスにより各ユニ
ットに制御信号を与える。パターン発生器2はDUT
(被試験デバイス)9に与える印加パターンとパターン
比較器7に与える期待値パターンを生成する。タイミン
グ発生器3は装置全体のテストタイミングを取るために
タイミングパルス信号を発生して波形整形器4やコンパ
レータ6やパターン比較器7等に与え、テストのタイミ
ングを取る。波形整形器4はパターン発生器2からの印
加パターンを実波形のテスト信号波形に整形しドライバ
5を経て、DUT9にテスト信号を与える。
【0003】図3はメモリICの試験例でありDUT9
に試験データを書き込むときはDUT9のRW端子を書
込状態にし、ドライバ5をアウトプット・イネーブル
(/OE)にし、スイッチをオンにし、コンパレータ6
のスイッチはオフにしている。試験範囲の記憶素子への
試験データの書き込みが終了すると、ドライバ5のスイ
ッチをオフにし、DUT9のRW端子を読出状態にし、
コンパレータ6をインプット・イネーブル(/IE)に
してスイッチをオンにし、応答信号を読み出す。DUT
9からの応答信号はコンパレータ6で基準電圧と比較さ
れ、その結果の論理信号をパターン比較器7に与える。
パターン比較器7はコンパレータ6からの試験結果の論
理パターンとパターン発生器2からの期待値パターンと
を論理比較して一致・不一致を検出し、DUT9の良否
判定を行う。期待値と不一致の不良の場合にはフェイル
メモリ8に情報を与え、パターン発生器2からの不良ア
ドレス等の情報と共に記憶させ、後に不良解析が行われ
る。
【0004】これらの動作を行わせる各信号を生成する
ために、パターン発生器2やタイミング発生器3や波形
整形器4にはテーブルが準備されデータがメモリされて
いる。これらのテーブルに与えるデータは、プログラマ
がDUT9の性能諸元を基に、テストパターンを考察し
てテストプログラムを作成し、テストプロセッサ1から
各部に供給している。
【0005】タイミング発生器3にはRATE設定テー
ブルとクロック設定テーブルとがあり、RATE設定テ
ーブルにはパターン周期( Test Period)のデータがメ
モリされ、クロック設定テーブルにはドライバ波形のタ
イミングデータがメモリされている。これらのデータを
組み合わせて複数個のグループ、例えばTS1グルー
プ、TS2グループやTSnグループ等を準備して読み
出し、セット信号やリセット信号のタイミングパルスを
生成している。このタイミング発生器3において、設定
するパターン周期は、基準クロック(Reference Clock
)の整数倍に端数を生ずることもあり、基準クロック
の端数データ(Fractional Data )は前パターン周期か
らの端数データと設定端数データとを加算し、加算結果
の整数倍データはデジタルカウンタで遅延させ、端数デ
ータはアナログ可変遅延回路を用いて基準クロックの1
/2、1/4、1/8、1/16、…、等の分解能で精
度良く遅延させてタイミングパルス信号を生成してい
る。
【0006】パターン発生器2のテーブルには、DUT
9のピン1用からピンn用等の各ピン用の試験パターン
データが準備されている。波形整形器4のテーブルには
波形モードなどの波形設定に関するデータが準備され、
パターン発生器2からの試験パターンデータとタイミン
グ発生器3からのセット、リセットのタイミングパルス
信号を用いて所定のタイミングのテスト信号を生成し、
ドライバ5に供給している。
【0007】ところで、半導体ICの発展はめざまし
く、益々高度に集積化され、最近のLSI(大規模集積
回路)では組合せ回路と記憶素子が複雑な順序回路で構
成されるLSIも出てきた。これらの複雑なLSIをテ
ストするために、半導体試験装置も発展している。従来
のシェアード・リソース・テスタ(Shared Resource Tes
ter)からパーピン・リソース・テスタ( Per-pin Resour
ce Tester)という高度なテスタも現れている。シェアー
ド・テスタとかパーピン・テスタともいう。ここで、シ
ェアード・テスタとはタイミング発生器、リファレンス
電圧等の複数のリソースを全てのテスタ・ピンで共有し
ているテスタのことをいい、パーピン・テスタとはDU
T9に印加するテスト・パラメータがDUT9の各ピン
独立に設定できる機能を持つテスタをいう。パーピン・
テスタはテスト・パラメータをDUT9の各ピン共通に
使用するシェアード・テスタに比べ、複雑なテスト・パ
ターン及びタイミング等の自由度の高い条件の発生が可
能なために、高度化するLSIのテストに向いている。
【0008】そこでパーピン・テスタでは、図3に示す
タイミング発生器3と波形整形器4とをDUT9の各ピ
ン毎にまとめて割り当てている。そして、この各ピン対
応のタイミング発生器3と波形整形器4等をまとめたピ
ン信号生成部分と、パターン比較器7、キャリブレーシ
ョンユニットをまとめたものを各ピンに割り付けてい
る。
【0009】この発明は、高精度のタイミングで低コス
トのピン信号生成部分に関する。図4に従来のシェアー
ド・テスタのピン信号生成部分の構成図を、図5にパー
ピン・テスタのピン信号生成部分の構成図を示す。共
に、CMOS・LSIで構成されている。先ず、図4か
ら説明する。周期発生部10はテストプログラムに基づ
いたテスト周期の論理データと高精度のクロック信号を
生成して保持し、遅延発生部11に与えている。遅延発
生部11はそれぞれ複数のAクロック発生器、Bクロッ
ク発生器、Cクロック発生器や、ドライバ33のアウト
プット・イネーブル(/OE)信号を生成する複数のド
ライバ・イネーブル・リーディング( driver enable l
eading:以下「 dre-l」と表記する)パルス発生器とド
ライバ・イネーブル・トレイリング(driver enable tr
ailing:以下「 dre-t」と表記する)パルス発生器があ
り、周期発生部10からの高精度クロック信号と論理デ
ータを基にそれぞれのクロックを生成し、クロック分配
部( Clock Distributor)12に伝送する。クロック分
配部12は遅延発生部11からの多数のクロック信号を
それぞれバッファICで受けて、複数のピン信号生成部
13iに分配する。
【0010】ピン信号生成部13にはクロック分配部1
2からの複数のAクロック群、Bクロック群、Cクロッ
ク群からそれぞれ1クロックを選択するそれぞれのセレ
クタと、ドライバ・イネーブルクロック群からドライバ
・イネーブルクロックを選択するドライバ・イネーブル
セレクタと、PG2からの印加パターンと波形モードレ
ジスタ25から波形モードデータを受けて試験パターン
信号を出力する波形制御回路26がある。波形制御回路
26からの試験パターン信号はアンド回路でクロック・
セレクタからのクロックと論理積をとり、テスト信号の
前縁と後縁を決めるタイミング・パルスを出力する。タ
イミング・パルスはスキュー・アジャスト用の可変遅延
回路(VD)を経て、RSフリップフロップ31又はR
Sフリップフロップ32のセット端子もしくはリセット
端子に送られて、タイミングがとれたテスト信号の波形
を生成する。
【0011】RSフリップフロップ31からの出力波形
はドライバ33に与えられ、DUT9に適する電圧のテ
スト信号にしてDUT9に与えられる。RSフリップフ
ロップ32からの出力信号はドライバ33のアウトプッ
ト・イネーブル(/OE)端子に送られてドライバ33
の出力をオン・オフする。波形制御回路26から出力さ
れるPs、Pr、Pds、Pdrの各信号は、RSフリップ
フロップ31及び32の初期値を固定するための信号で
ある。
【0012】パーピン・テスタでのピン信号生成部分を
図5に示す。図中、20、20iをこの明細書ではパル
ス波形発生器(Pulse Wave Generator:以下「PWG」
という)ということにする。PWG20はDUT9の各
ピン毎に準備されている。そして、それぞれのPWG2
0にセット・クロック発生器21、リセット・クロック
発生器22、 dre-lパルス発生器23、 dre-tパルス発
生器24を備えている。従って、周期発生部10からは
論理データのみを受信して、それぞれがクロック信号を
生成する。つまり、それぞれがクロック・パルス発生器
となっており、4つのタイミング・エッジ(TE)を生
成している。このクロック・パルスを用いるのでスキュ
ー・アジャスト用の可変遅延回路は不用である。
【0013】前述したように、ピン信号生成部13もP
WG20も共にCMOS・LSIで構成されている。C
MOS・LSIでは動作周波数や温度や電圧の変動でタ
イミング・パルスの遅延時間が変動し、タイミングの精
度が悪化する。タイミング精度は、タイミング・パルス
の半導体素子内での通過時間と温度変動と電圧変動との
積に関連している。この精度面ではパーピン・テスタの
PWG20が良く、シェアード・テスタのピン信号生成
部13は良くない。パーピン・テスタでは、高精度のク
ロック・パルスが通過する半導体素子の通過時間が短い
ためである。逆に、コスト面ではパーピン・テスタの周
期発生部10を含むパーピンTGで、シェアードTGよ
り2倍弱の高価になる。これらの比較表を表1に示す。
【0014】
【表1】
【0015】表1に示しているように、パーピンTGで
のタイミング精度悪化をもたらす箇所はクロック・パル
ス発生器の1箇所のみである。それに比べてシェアード
TGでは最低で、周期発生部での高精度クロック発生
器、遅延発生部でのクロック・パルス発生器、クロ
ック分配器、クロック・セレクタ、可変遅延回路、
と5箇所はある。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】ところで、PWG20
やピン信号生成部13を構成するCMOS・LSIの集
積密度は益々向上し、例えば、線幅 0.35μmのCMOS
・LSIを用いて設計すると、1つのLSIに8ピン分
のPWG20を構成できるようになってきた。つまり、
32程度のTE(タイミング・エッジ)を生成する構成
を、1つのLSIでできるようになってきた。
【0017】この発明は微細線幅のCMOS・LSIを
用いて、例えば32のタイミング・エッジTEを生成す
るように構成し、タイミング精度は従来のパーピン・テ
スタ並にし、コストは従来のシェアード・テスタと同等
かそれ以下にした新しい半導体試験装置を提供すること
を目的とする。
【0018】また、汎用メモリICを測定する半導体試
験装置においては、一般的にIOポートは一種類のた
め、IOポートの制御信号となるDREは一種類でよ
い。このため、アウトプット・イネーブル信号の生成部
をドライバ・ピン毎に持たずにLSI内の全ドライバ・
ピンで共用にしてコストメリットを出すことを本発明は
目的としている。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はテスト信号の生成にはパーピン・テスタの
構成を採用し、DUTの各ピン毎に1対のセット・クロ
ック発生器とリセット・クロック発生器とRSフリップ
フロップとドライバを割り当てて、タイミング精度を従
来のパーピン・テスタ並の高精度を維持する。
【0020】一方、ドライバの/OE端子に与えるアウ
トプット・イネーブル(/OE)信号を生成する1対の
dre-lパルス発生器と dre-tパルス発生器は最小限の個
数にして、例えば1対のみにして、同一LSI内の全て
のドライバに共用させることにする。汎用メモリでは一
般的にI/Oポート群は1系統であり、当該DUTを測
定する半導体メモリ試験装置では、/OE信号は全く同
一であるので、特に有効である。RSフリップフロップ
は共用してもよいが、各ドライバ毎に専用のものを用い
て、それぞれに可変遅延回路でタイミングを調整する
と、より各チャンネル毎の位相精度の向上した/OE信
号が生成できる。
【0021】そこで、1つのCMOS・LSIに32の
タイミング・エッジ(TE)の生成する構成とすると、
従来構成ではDUTの1ピンに4TEを用いていたので
8ピン分が組み込める。この発明の構成を行うと、2T
Eを/OE信号の生成用に用いて、30TEで15ピン
分のテスト信号を生成することができる。つまり、タイ
ミング精度は従来のパーピン・テスタ並に、コストは約
1/2.5で済むようになる。
【0022】次に、この発明の構成を述べる。第1発明
は次の構成である。半導体試験装置のパルス波形発生
器であって、周期発生部からの論理データを受けて、
試験パターン信号のタイミング・パルスを発生する1対
のセット・クロック発生器とリセット・クロック発生器
とのタイミング・パルスでもって波形制御回路からの試
験パターン信号のタイミングをとり、RSフリップフロ
ップに与えてテスト信号の波形を生成し専用のドライバ
に与える、複数個のテスト信号波形整形器と、周期発
生部からの論理データを受けて、複数ドライバのアウト
プット・イネーブル(/OE)信号のタイミング・パル
スを発生する1対のドライバ・イネーブル・リーディン
グ・パルス発生器とドライバ・イネーブル・トレイリン
グ・パルス発生器とのタイミング・パルスをRSフリッ
プフロップに与えてアウトプット・イネーブル信号の波
形を生成しそれぞれの可変遅延回路を経て全てのドライ
バの/OE端子に与える1個の/OE信号波形整形器
と、を有するパルス波形発生器を具備する半導体試験装
置である。
【0023】第2発明は、第1発明の/OE信号を個々
のチャンネルで微調ができるようにして、各チャンネル
毎の位相精度向上を得るためのものである。つまり、/
OE信号波形整形器は、アウトプット・イネーブル(/
OE)信号を与えるドライバ毎にRSフリップフロップ
を持たし、 ドライバ・イネーブル・リーディング・パ
ルス信号及び ドライバ・イネーブル・トレイリング・
パルス信号をそれぞれの可変遅延回路で遅延時間を調整
できるようにした。
【0024】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態を実施例に基づ
き図面を参照して説明する。図1に本発明の一実施例の
構成図を、図2に他の実施例の構成図を示す。図4、図
5と同一部分には同一符号を付す。先ず、図1について
説明する。
【0025】図1のPWG40iには、試験パターン信
号のタイミング・パルスを発生する1対のセット・クロ
ック発生器21とリセット・クロック発生器22と、そ
れぞれのタイミング・パルスで波形制御回路26からの
試験パターン信号のタイミングをとるアンド回路27及
び28と、タイミングをとった試験パターン信号で駆動
するRSフリップフロップ31とから成るテスト信号波
形整形器35が複数個のn個配列されている。そして、
複数個のテスト信号波形整形器35から出力するテスト
信号を専用のドライバ33に与えて、ドライバ33の出
力信号はDUTに送られている。つまり、従来のパーピ
ン・テスタのテスト信号波形整形器を複数個配列してい
る。
【0026】一方、アウトプット・イネーブル信号のタ
イミング・パルスを発生するドライバ・イネーブル・リ
ーディング・パルス発生器23とドライバ・イネーブル
・トレイリング・パルス発生器24は1対のみであり、
それにRSフリップフロップ32とから成る/OE波形
整形器36が1個ある。この1個の/OE波形整形器3
6から出力する/OE信号でもってLSI内の全てのド
ライバ33iの/OE端子を制御している。その他の構
成及び動作は、従来のパーピン・テスタと同様である。
【0027】図2は、/OE信号を生成するRSフリッ
プフロップ32をそれぞれのドライバ33iに専属して
配置したものである。その他は図1とほぼ同じである。
この発明で構成したものと、従来のパーピン・テスタ方
式で構成したものと、シェアード・テスタで構成したも
のとの比較表を表2に示している。この発明の構造は従
来のパーピン・テスタ方式よりやや複雑になるが、精度
はほぼ同じで、DUT1ピン当たりのコストは最も低価
である。
【0028】
【表2】
【0029】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明で
構成される高密度CMOS・LSIでのパルス波形発生
器40iは、表2に示す比較表のように、次のような効
果をもたらす。 従来のパーピンTG方式で構成すると1つのLSIで
8ピン分のテスト信号波形整形器35しかできなかった
が、本発明では15ピン分のテスト信号波形整形器35
が構成できる。 従って、DUTの1ピン当たりのコストは、従来のパ
ーピンTG方式の約1/2.5と非常に安価でありシェ
アードTGの約8割程度と最も安価である。
【0030】構造は従来のパーピンTG方式よりやや
複雑であるが、シェアードTGよりはシンプルである。 タイミング精度は、テスト信号用のセット・リセット
のタイミング・パルスは従来のパーピンTG方式並であ
るが、/OE信号用の dre-l及び dre-rのタイミング・
パルスは悪くなる。それでもシェアードTG方式の2/
5以下であり、高精度が保てる。
【0031】このように、この発明のパルス波形発生器
は高精度でありながら、コストはシェアードTG方式よ
りも安価であり、構造もシェアードTG方式よりシンプ
ルであるので、実用に際してその技術的、経済的効果は
大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の構成図である。
【図2】本発明の他の実施例の構成図である。
【図3】半導体試験装置の基本的な構成図である。
【図4】従来のシェアード・テスタのピン信号生成部分
の構成図である。
【図5】従来のパーピン・テスタのピン信号生成部分の
構成図である。
【符号の説明】
1 テストプロセッサ 2 パターン発生器 3 タイミング発生器 4 波形整形器 5 ドライバ 6 コンパレータ 7 パターン比較器 8 フェイルメモリ 9 DUT(被試験デバイス) 10 周期発生部 11 遅延発生部 12 クロック分配部(Clock Distributor) 13、13i ピン信号生成部 14 Aクロック・セレクタ(A Clok Selector) 15 Bクロック・セレクタ(B Clok Selector) 16 Cクロック・セレクタ(C Clok Selector) 17 dre・セレクタ 20、20i パルス波形発生器(Pulse Wave Gener
ator) 21、21i セット・クロック発生器 22、22i リセット・クロック発生器 23 ドライバ・イネーブル・リーディング(dre-l)
パルス発生器 24 ドライバ・イネーブル・トレイリング(dre-t)
パルス発生器 25 波形モード・レジスタ 26 波形制御回路 27、27i、28、28i、29、30 アンド回
路 31、31i、32、 RSフリップフロップ 33、33i ドライバ 35、35i テスト信号波形整形器 36 /OE信号波形整形器 40、40i パルス波形発生器(Pulse Wave Gener
ator) VD 可変遅延回路

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体試験装置のパルス波形発生器にお
    いて、 周期発生部(10)からの論理データを受けて、試験パ
    ターン信号のタイミング・パルスを発生する1対のセッ
    ト・クロック発生器(21)とリセット・クロック発生
    器(22)とのそれぞれのタイミング・パルスでもって
    波形制御回路(26)からの試験パターン信号のタイミ
    ングをとり、RSフリップフロップ(31)に与えてテ
    スト信号の波形を生成し対応するドライバ(33)に与
    える、複数個のテスト信号波形整形器(35i)と、 周期発生部(10)からの論理データを受けて、複数ド
    ライバ(33i)のアウトプット・イネーブル(/O
    E)信号のタイミング・パルスを発生する1対のドライ
    バ・イネーブル・リーディング・パルス発生器(23)
    とドライバ・イネーブル・トレイリング・パルス発生器
    (24)とのそれぞれのタイミング・パルスをRSフリ
    ップフロップ(32)に与えてアウトプット・イネーブ
    ル(/OE)信号の波形を生成しそれぞれの可変遅延回
    路(VD)を経て全てのドライバ(33i)の/OE端
    子に与える1個の/OE信号波形整形器(36)と、 を有するパルス波形発生器(40i)を具備することを
    特徴とする半導体試験装置。
  2. 【請求項2】 /OE信号波形整形器(36)は、アウ
    トプット・イネーブル(/OE)信号を与えるドライバ
    (33i)毎にRSフリップフロップ(32i)を有
    し、 ドライバ・イネーブル・リーディング・パルス信
    号及び ドライバ・イネーブル・トレイリング・パルス
    信号のそれぞれの出力信号を可変遅延回路(VD)で遅
    延時間を調整して上記RSフリップフロップ(32i)
    を駆動することを特徴とする請求項1記載の半導体試験
    装置。
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