JPH11316360A - 光シャッター - Google Patents
光シャッターInfo
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- JPH11316360A JPH11316360A JP10123583A JP12358398A JPH11316360A JP H11316360 A JPH11316360 A JP H11316360A JP 10123583 A JP10123583 A JP 10123583A JP 12358398 A JP12358398 A JP 12358398A JP H11316360 A JPH11316360 A JP H11316360A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/0009—Materials therefor
- G02F1/0018—Electro-optical materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/07—Polarisation dependent
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- Power Engineering (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 超高速度で光の開閉を制御すること。
【解決手段】 光の強度に応じて回転角が増減する光素
子を用いて光シャッター形成する。即ち、透明基板の一
方の表面に、０.２〜２.０μｍの等しい間隔で互いに平
行に配列され０.１〜５μｍの高さを有する複数の直線
状の溝と、該溝表面に形成された厚さ５〜１００ｎｍの
透明磁性体膜から成る磁気光学素子と、該磁気光学素子
の表と裏の両面に設けた偏光層から成る光素子１と、光
の強弱を変調可能とした光源とで構成する。その構成に
おいて、前記磁気光学素子の表裏に設けた偏光層は、強
い光は通過し、弱い光は遮断するように、偏光軸を相互
に回転させて固定されている。
子を用いて光シャッター形成する。即ち、透明基板の一
方の表面に、０.２〜２.０μｍの等しい間隔で互いに平
行に配列され０.１〜５μｍの高さを有する複数の直線
状の溝と、該溝表面に形成された厚さ５〜１００ｎｍの
透明磁性体膜から成る磁気光学素子と、該磁気光学素子
の表と裏の両面に設けた偏光層から成る光素子１と、光
の強弱を変調可能とした光源とで構成する。その構成に
おいて、前記磁気光学素子の表裏に設けた偏光層は、強
い光は通過し、弱い光は遮断するように、偏光軸を相互
に回転させて固定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超高速度で、光を
通過させたり、遮断したりする光シャッターに関し、と
くに光源からの光の強弱に応じて光を通過させたり、遮
断したりする光シャッターに関し、画像を形成したり、
画像を加工処理したり、光を用いて計算したりする高速
度光デバイスに用いることができる光シャッターに関す
るものである。
通過させたり、遮断したりする光シャッターに関し、と
くに光源からの光の強弱に応じて光を通過させたり、遮
断したりする光シャッターに関し、画像を形成したり、
画像を加工処理したり、光を用いて計算したりする高速
度光デバイスに用いることができる光シャッターに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明は、従来、本発明者が研究してき
た磁気光学効果素子に、まったく新規な特性があること
を発見したことによりなされたものである。即ち、従来
は、請求項１で規定した溝構造とその上の透明磁性膜で
構成された素子において、溝表面にほぼ垂直に入射した
光が巨大な磁気光学効果（磁化による光の偏光面の回
転）を示すことを利用して、偏光子層と組み合わせた高
コントラスト画像表示デバイスを提案してきた（例え
ば、「溝構造とその上の透明磁性膜で構成された素子」
に関する出願として特願平９−１１７６２６号，特願平
９−１８０８２０号，特願平９−２３６７６１号，特願
平９−１７９０７１号，特願平９−３４０５８３号があ
る。この溝構造とその上の透明磁性膜で構成された素子
は、強い波長依存性を示すことも分かっている。しか
し、本発明者は波長を選ぶことによって、入射される光
の強度に応じて磁気光学効果が変化することを新規に見
出し、本発明に至ったものである。従って、本発明の従
来技術との違いは、本発明はその構成要件として出力を
強弱変化できる光源が必須である点である。
た磁気光学効果素子に、まったく新規な特性があること
を発見したことによりなされたものである。即ち、従来
は、請求項１で規定した溝構造とその上の透明磁性膜で
構成された素子において、溝表面にほぼ垂直に入射した
光が巨大な磁気光学効果（磁化による光の偏光面の回
転）を示すことを利用して、偏光子層と組み合わせた高
コントラスト画像表示デバイスを提案してきた（例え
ば、「溝構造とその上の透明磁性膜で構成された素子」
に関する出願として特願平９−１１７６２６号，特願平
９−１８０８２０号，特願平９−２３６７６１号，特願
平９−１７９０７１号，特願平９−３４０５８３号があ
る。この溝構造とその上の透明磁性膜で構成された素子
は、強い波長依存性を示すことも分かっている。しか
し、本発明者は波長を選ぶことによって、入射される光
の強度に応じて磁気光学効果が変化することを新規に見
出し、本発明に至ったものである。従って、本発明の従
来技術との違いは、本発明はその構成要件として出力を
強弱変化できる光源が必須である点である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の欠点 （１）電気回路では、現在、最も高速なトランジスタで
も、その開閉に要する時間を１０ピコ秒台以下にするこ
とは困難である。すなわち、従来の電気を使うスイッチ
では非常に遅くしか開閉ができないということである。 （２）非線形係数の大きい材料として、最近では、人工
的な超格子構造を有した半導体材料や、特殊な有機材料
が注目されている。このような材料を使うと、低いパワ
ーレベルの光でも十分な非線形相互作用が得られる。ま
た、これを微小な光の共振器と組み合わせると、光で光
を開閉することができる。これを光−光ゲート或いは、
オール光ゲートとよんでいる。例えば、ＧａＡｓとＡｌ
ＧａＡｓという２種類の半導体を１０ｎｍ以下のピッチ
で積層したものでは、０.５ピコ秒という開閉時間が得
られる。 （３）光−光ゲートを組み合わせれば、いろいろな光の
論理素子や、メモリを作ることができるはずである。ま
た、それによって光コンピュータを造ることができる。
しかし、従来の技術では、これ以上の高速度な開閉はで
きなかった。
も、その開閉に要する時間を１０ピコ秒台以下にするこ
とは困難である。すなわち、従来の電気を使うスイッチ
では非常に遅くしか開閉ができないということである。 （２）非線形係数の大きい材料として、最近では、人工
的な超格子構造を有した半導体材料や、特殊な有機材料
が注目されている。このような材料を使うと、低いパワ
ーレベルの光でも十分な非線形相互作用が得られる。ま
た、これを微小な光の共振器と組み合わせると、光で光
を開閉することができる。これを光−光ゲート或いは、
オール光ゲートとよんでいる。例えば、ＧａＡｓとＡｌ
ＧａＡｓという２種類の半導体を１０ｎｍ以下のピッチ
で積層したものでは、０.５ピコ秒という開閉時間が得
られる。 （３）光−光ゲートを組み合わせれば、いろいろな光の
論理素子や、メモリを作ることができるはずである。ま
た、それによって光コンピュータを造ることができる。
しかし、従来の技術では、これ以上の高速度な開閉はで
きなかった。
【０００４】本発明の目的 本発明は、高速度な光のシャッターに関し、特に光で光
の開閉を制御することを目的とする。
の開閉を制御することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
の一方の表面に、０.２〜２.０μｍの等しい間隔で互い
に平行に配列され０.１〜５μｍの高さを有する複数の
直線状の溝と、該溝表面に形成された厚さ５〜１００ｎ
ｍの透明磁性体膜から成る磁気光学素子及び、該磁気光
学素子の表と裏の両面に設けた偏光層から成る光素子
と、光の強弱を変調可能とした光源とで構成されたこと
を特徴とした光シャッターである。
の一方の表面に、０.２〜２.０μｍの等しい間隔で互い
に平行に配列され０.１〜５μｍの高さを有する複数の
直線状の溝と、該溝表面に形成された厚さ５〜１００ｎ
ｍの透明磁性体膜から成る磁気光学素子及び、該磁気光
学素子の表と裏の両面に設けた偏光層から成る光素子
と、光の強弱を変調可能とした光源とで構成されたこと
を特徴とした光シャッターである。
【０００６】請求項２の発明は、請求項１に記載された
光シャッターにおいて、前記光素子の表裏に設けた偏光
層は、強い光に対しては通過し、弱い光に対しては遮断
するように、偏光軸を相互に回転させ固定されているこ
とを特徴とする光シャッターである。
光シャッターにおいて、前記光素子の表裏に設けた偏光
層は、強い光に対しては通過し、弱い光に対しては遮断
するように、偏光軸を相互に回転させ固定されているこ
とを特徴とする光シャッターである。
【０００７】請求項３の発明は、請求項１に記載された
光シャッターにおいて、前記光源は、パルス光を発信可
能とした光を用いていることを特徴とする光シャッター
である。
光シャッターにおいて、前記光源は、パルス光を発信可
能とした光を用いていることを特徴とする光シャッター
である。
【０００８】請求項４の発明は、請求項３に記載された
光シャッターにおいて、前記光源が複数個設けられてい
ることを特徴とする光シャッターである。
光シャッターにおいて、前記光源が複数個設けられてい
ることを特徴とする光シャッターである。
【０００９】請求項５の発明は、請求項１に記載された
光シャッターにおいて、前記透明磁性膜は溝の側面のみ
に形成されていることを特徴とする光シャッターであ
る。
光シャッターにおいて、前記透明磁性膜は溝の側面のみ
に形成されていることを特徴とする光シャッターであ
る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図面を参考にして本発明をその実
施の形態について説明する。図１は、光シャッターを説
明するための概略図である。図中２重線で囲まれた部分
は光シャッターの素子１である。本発明の光シャッター
は、光強度を変調可能な光源，溝構造上の磁性膜１２，
この磁性膜１２を挟む１対の偏光子２，偏光子（検光
子）３の３部から成っている。図２は、溝構造を説明す
るための断面図である。図面を参考にして、溝構造１０
上の磁性膜１２に関して説明する。溝構造１０とは、基
板５の一方の表面に、直線上に０.２〜２.０μｍの等し
い間隔で、高さ０.１〜５μｍの互いに平行な複数の溝
１１を作製したものを言う。この構造は機械的な加工法
によってもよいが、主としてはフォトリソグラフィ法に
よって作製される一般的には透過型のグレーティングと
呼ばれるものである。
施の形態について説明する。図１は、光シャッターを説
明するための概略図である。図中２重線で囲まれた部分
は光シャッターの素子１である。本発明の光シャッター
は、光強度を変調可能な光源，溝構造上の磁性膜１２，
この磁性膜１２を挟む１対の偏光子２，偏光子（検光
子）３の３部から成っている。図２は、溝構造を説明す
るための断面図である。図面を参考にして、溝構造１０
上の磁性膜１２に関して説明する。溝構造１０とは、基
板５の一方の表面に、直線上に０.２〜２.０μｍの等し
い間隔で、高さ０.１〜５μｍの互いに平行な複数の溝
１１を作製したものを言う。この構造は機械的な加工法
によってもよいが、主としてはフォトリソグラフィ法に
よって作製される一般的には透過型のグレーティングと
呼ばれるものである。
【００１１】溝１１の断面構造は、図２に示すような矩
形，波形のもの，更に三角波状等、その形状は特に制限
されないが、通過する光の一部分は、溝１１の上の磁性
膜１２に反射して、磁気光学効果の発生効率が高くなる
よう設計することが望ましい。前述のように、該溝１１
表面に、厚さ５〜１００ｎｍの透明磁性体膜１２が形成
される。この磁性膜１２は溝構造１０上に連続して形成
されても良いが、一部、例えば矩形の場合には、溝表面
や溝底面の磁性層が剥離されても構わない。また、磁性
層が複数層で形成されても構わない。溝構造の溝部位
は、特に他の材料で埋めなくても良く、基本的には屈折
率の異なる部位を通過した光が干渉することによって、
本発明の巨大磁気光学効果が生じ、同時に入射光強度に
応じて、偏光面回転角が変化するので、溝部位と溝間
（スペースとランド）の屈折率が異なれば良い。従っ
て、溝中に基板と異なる屈折率を有する透明材料を埋め
ても良い。
形，波形のもの，更に三角波状等、その形状は特に制限
されないが、通過する光の一部分は、溝１１の上の磁性
膜１２に反射して、磁気光学効果の発生効率が高くなる
よう設計することが望ましい。前述のように、該溝１１
表面に、厚さ５〜１００ｎｍの透明磁性体膜１２が形成
される。この磁性膜１２は溝構造１０上に連続して形成
されても良いが、一部、例えば矩形の場合には、溝表面
や溝底面の磁性層が剥離されても構わない。また、磁性
層が複数層で形成されても構わない。溝構造の溝部位
は、特に他の材料で埋めなくても良く、基本的には屈折
率の異なる部位を通過した光が干渉することによって、
本発明の巨大磁気光学効果が生じ、同時に入射光強度に
応じて、偏光面回転角が変化するので、溝部位と溝間
（スペースとランド）の屈折率が異なれば良い。従っ
て、溝中に基板と異なる屈折率を有する透明材料を埋め
ても良い。
【００１２】次に、本発明の光シャッターの動作を簡単
に説明する。光源からの光は最初の偏光子２を通過して
直線偏光になる。ついで溝構造１０上の磁気膜１２の磁
化部を通過して偏光面が回転する。この偏光面の回転角
度は、入射する光の強度に応じて異なり、強度が強い場
合は弱い場合に比較して大きくなる。２枚の偏光子２，
３の偏光軸（吸収軸）は、光の強度により大きく回転し
た変更面は通過でき（開）、回転が小さい偏光面は通過
できない（閉）ように、あらかじめ回転して設定してあ
る（開と閉は逆になるように設定することも容易であ
る）。開と閉の偏光軸の角度は、クロスニコルの配置と
言われる９０度が好ましいが、必ずしも９０度でなく、
偏光機能（偏光度）が大きい偏光子を用いれば、９０度
以下でも開と閉が可能である。以上の説明から明らかな
ように、本発明の特徴は、溝構造上の磁気膜の磁化部を
通過して入射する光の強度に応じて、その光の偏光面の
回転角度を増減する全く新規な素子構造にある。この素
子構造自体は、以前に本発明者が巨大な磁気光学効果が
得られるものとして提案したものであるが、その素子構
造が同時に光の強度にほぼ比例して透過光の回転角を増
減することを初めて見い出した。本発明は、その原理を
応用した新規な光シャッターを提案するものである。
に説明する。光源からの光は最初の偏光子２を通過して
直線偏光になる。ついで溝構造１０上の磁気膜１２の磁
化部を通過して偏光面が回転する。この偏光面の回転角
度は、入射する光の強度に応じて異なり、強度が強い場
合は弱い場合に比較して大きくなる。２枚の偏光子２，
３の偏光軸（吸収軸）は、光の強度により大きく回転し
た変更面は通過でき（開）、回転が小さい偏光面は通過
できない（閉）ように、あらかじめ回転して設定してあ
る（開と閉は逆になるように設定することも容易であ
る）。開と閉の偏光軸の角度は、クロスニコルの配置と
言われる９０度が好ましいが、必ずしも９０度でなく、
偏光機能（偏光度）が大きい偏光子を用いれば、９０度
以下でも開と閉が可能である。以上の説明から明らかな
ように、本発明の特徴は、溝構造上の磁気膜の磁化部を
通過して入射する光の強度に応じて、その光の偏光面の
回転角度を増減する全く新規な素子構造にある。この素
子構造自体は、以前に本発明者が巨大な磁気光学効果が
得られるものとして提案したものであるが、その素子構
造が同時に光の強度にほぼ比例して透過光の回転角を増
減することを初めて見い出した。本発明は、その原理を
応用した新規な光シャッターを提案するものである。
【００１３】従来、希土類鉄ガーネットやＭｎＢｉ，Ｂ
ａフェライトのような透光性磁気膜には、このように透
過光の偏光面の回転角が、光の強度に応じて変化するこ
とは全くなく、一定の回転角を与えるものであった。本
発明の透明磁性膜は特に限定されるものではない。上記
希土類鉄ガーネットやＭｎＢｉ，Ｂａフェライトも利用
可能である。しかし、これら磁性膜に対して入射光の一
部は、基板面にほぼ垂直な磁性体表面にスレスレに、ま
たは浅い角度で反射して素子を通過する（図２にこの様
子を示す。点線で囲った部分で、この現象が発生す
る）。本発明の入射光強度依存性の発現理由は、この通
過の際の磁性膜への浸入深さが、光強度に依存するため
ではないかと考えられる。すなわち、光強度が強けれ
ば、磁性膜中へ深く浸入し、従って通過膜厚が厚くなっ
たと同様の効果が現れるのではないかと考えられる。
ａフェライトのような透光性磁気膜には、このように透
過光の偏光面の回転角が、光の強度に応じて変化するこ
とは全くなく、一定の回転角を与えるものであった。本
発明の透明磁性膜は特に限定されるものではない。上記
希土類鉄ガーネットやＭｎＢｉ，Ｂａフェライトも利用
可能である。しかし、これら磁性膜に対して入射光の一
部は、基板面にほぼ垂直な磁性体表面にスレスレに、ま
たは浅い角度で反射して素子を通過する（図２にこの様
子を示す。点線で囲った部分で、この現象が発生す
る）。本発明の入射光強度依存性の発現理由は、この通
過の際の磁性膜への浸入深さが、光強度に依存するため
ではないかと考えられる。すなわち、光強度が強けれ
ば、磁性膜中へ深く浸入し、従って通過膜厚が厚くなっ
たと同様の効果が現れるのではないかと考えられる。
【００１４】光の速度は約３０万ｋｍ／Ｓであるので、
光が溝構造１０上の磁性膜１２（０.１〜５μｍ）を通
過に要する時間は０.３３〜１６.７フェムト秒である。
この時間で出口側の偏光子を通過したり、遮断したりで
きることになる。光の強度を強弱に変化できれば、特別
な稼働部分がなくても光の開閉が可能となる。この光の
強度を変化させるには、光パルスを用いる。光パルスで
は、ピコ秒台以下のパルス幅を得ることはそれほど難し
いことではない。本発明は、この光パルスの高速性を利
用するものである。光パルスは、モードロッカーとして
光変調器を使い、これに外部から変調を加えたモード同
期という方法で得られる。更に光パルス圧縮という方法
を用いれば、８フェムト秒の短い光パルスが得られる。
以上の説明から明らかなように、本発明ではフェムト秒
で光を開閉することができる。
光が溝構造１０上の磁性膜１２（０.１〜５μｍ）を通
過に要する時間は０.３３〜１６.７フェムト秒である。
この時間で出口側の偏光子を通過したり、遮断したりで
きることになる。光の強度を強弱に変化できれば、特別
な稼働部分がなくても光の開閉が可能となる。この光の
強度を変化させるには、光パルスを用いる。光パルスで
は、ピコ秒台以下のパルス幅を得ることはそれほど難し
いことではない。本発明は、この光パルスの高速性を利
用するものである。光パルスは、モードロッカーとして
光変調器を使い、これに外部から変調を加えたモード同
期という方法で得られる。更に光パルス圧縮という方法
を用いれば、８フェムト秒の短い光パルスが得られる。
以上の説明から明らかなように、本発明ではフェムト秒
で光を開閉することができる。
【００１５】本発明に用いられる透明基板５には、石英
ガラス，サファイア，結晶化透明ガラス，パイレックス
ガラス，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＺｒＯ2，Ｙ
2Ｏ3，ＴｈＯ2，ＣａＯ，ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット）などの無機透明材料やＭＭＡ，ＰＭ
ＭＡ，ポリカーボネート，ポリプロピレン，アクリル系
樹脂，スチレン系樹脂，ＡＢＳ樹脂，ポリアリレート，
ポリサルフォン，ポリエーテル，サルフォン，エポキシ
樹脂，ポリ−４−メチルペンテン−１，フッ素化ポリイ
ミド，フッ素樹脂，フェノキシ樹脂，ポリオレフィン系
樹脂，ナイロン樹脂等の透明プラスチックフィルムが用
いられる。透明プラスチックフィルムを用いると、軽
い，曲げやすい等の利点があるので利用しやすい。偏光
子層としては、各種の市販の偏光フィルムや、ビームス
プリッタを用いた高透過率偏光子などが用いることがで
きる。偏光フィルムには大別して多ハロゲン偏光フィル
ム，染料偏光フィルム，金属偏光フィルムなどがある。
多ハロゲン偏光フィルムは２色性物質にヨウ素を用いて
いるために、可視領域全般についてフラットな特性を有
するが、湿度，高温等に弱いという欠点を有する。また
染料偏光フィルムは偏光性能はヨウ素よりも劣るもの
の、熱，光，湿度に対して耐性が大きいという特徴を有
している。偏光子層の露出面にはキズが付きやすいの
で、保護膜を設けることが好ましい。次のような各種の
偏光子も利用できるが、これらに制限されるものではな
い。
ガラス，サファイア，結晶化透明ガラス，パイレックス
ガラス，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＢｅＯ，ＺｒＯ2，Ｙ
2Ｏ3，ＴｈＯ2，ＣａＯ，ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリ
ウム・ガーネット）などの無機透明材料やＭＭＡ，ＰＭ
ＭＡ，ポリカーボネート，ポリプロピレン，アクリル系
樹脂，スチレン系樹脂，ＡＢＳ樹脂，ポリアリレート，
ポリサルフォン，ポリエーテル，サルフォン，エポキシ
樹脂，ポリ−４−メチルペンテン−１，フッ素化ポリイ
ミド，フッ素樹脂，フェノキシ樹脂，ポリオレフィン系
樹脂，ナイロン樹脂等の透明プラスチックフィルムが用
いられる。透明プラスチックフィルムを用いると、軽
い，曲げやすい等の利点があるので利用しやすい。偏光
子層としては、各種の市販の偏光フィルムや、ビームス
プリッタを用いた高透過率偏光子などが用いることがで
きる。偏光フィルムには大別して多ハロゲン偏光フィル
ム，染料偏光フィルム，金属偏光フィルムなどがある。
多ハロゲン偏光フィルムは２色性物質にヨウ素を用いて
いるために、可視領域全般についてフラットな特性を有
するが、湿度，高温等に弱いという欠点を有する。また
染料偏光フィルムは偏光性能はヨウ素よりも劣るもの
の、熱，光，湿度に対して耐性が大きいという特徴を有
している。偏光子層の露出面にはキズが付きやすいの
で、保護膜を設けることが好ましい。次のような各種の
偏光子も利用できるが、これらに制限されるものではな
い。
【００１６】１．特開平１−９３７０２号公報に記載さ
れた偏光子 前記公報には、強磁性体微粒子からなる多数の棒状素子
を含む偏光層を基板表面に一定方向に配列して固着形成
することにより、製造が容易で、かつ光学的特性の優れ
た偏光板及びその製造方法が開示されている。 ２．ワイヤグリット偏光子 東京農工大学 佐藤勝昭教授著「現代人の物理１−光と
磁気」１９８８年出版ページ１０３に記載されたもの。
即ち、２.５μｍより長波長の光に対する偏光子は、透
明基板（臭化銀，ポリエチレン等）に微小な間隔で金や
アルミニウムの線をひいたもの。この場合、線の間隔
ｄ，波長をλとすると、λ＞ｄの波長に対して、透過光
は線に垂直な振動面を持つ、ほぼ完全な直線偏光になる
ことを利用している。中赤外用（２.５μｍから２５μ
ｍ）としては、臭化銀基板にｄ＝０.３μｍ間隔で金線
をひいたものが、遠赤外用（１６μｍから１００μｍ）
としては、ポリエチレン板にｄ＝０.７μｍでアルミニ
ウムをひいたものが用いられる。偏光度は９７％程度と
いわれる。
れた偏光子 前記公報には、強磁性体微粒子からなる多数の棒状素子
を含む偏光層を基板表面に一定方向に配列して固着形成
することにより、製造が容易で、かつ光学的特性の優れ
た偏光板及びその製造方法が開示されている。 ２．ワイヤグリット偏光子 東京農工大学 佐藤勝昭教授著「現代人の物理１−光と
磁気」１９８８年出版ページ１０３に記載されたもの。
即ち、２.５μｍより長波長の光に対する偏光子は、透
明基板（臭化銀，ポリエチレン等）に微小な間隔で金や
アルミニウムの線をひいたもの。この場合、線の間隔
ｄ，波長をλとすると、λ＞ｄの波長に対して、透過光
は線に垂直な振動面を持つ、ほぼ完全な直線偏光になる
ことを利用している。中赤外用（２.５μｍから２５μ
ｍ）としては、臭化銀基板にｄ＝０.３μｍ間隔で金線
をひいたものが、遠赤外用（１６μｍから１００μｍ）
としては、ポリエチレン板にｄ＝０.７μｍでアルミニ
ウムをひいたものが用いられる。偏光度は９７％程度と
いわれる。
【００１７】３．コーニング社製「ポーラコア」 ポーラコアというのは商品名である。長く延伸させた金
属銀をガラス自身の中に一方向に配列させることによ
り、偏光特性をもたせたガラスで、従来の有機物偏光素
子と異なり耐熱性，耐湿性，耐化学薬品性，レーザに対
する耐性に非常に優れている。赤外線用が主であるが、
特殊仕様として可視光用がある。 ４．マイクロワイヤアレイ 東北大学で赤外線用にアルミニウムの表面を陽極酸化さ
せアルミナとし、微細な穴を開けてこの中にＮｉやＣｕ
などの金属を入れ偏光子として用いることが報告されて
いる。 ５．積層型偏光子 東北大学電気通信研究所の川上彰二郎教授が、１９９７
年頃に発表されているもので、可視光用にはＲＦスパッ
タリング法で、６０〜８０Åの厚みのＧｅ（ゲルマニウ
ム）と、１μｍ厚みのＳｉＯ2を交互に６０μｍ厚みに
なるまで積層して作製している。０.６μｍの波長で測
定した性能指数αTE／αTM（ＴＥ波とＴＭ波に対する消
衰定数の比）は４００近く、０.８μｍの波長で測定し
た消光比は３５ｄＢ，挿入損出は０.１８ｄＢであり、
可視光に対して十分なものである。
属銀をガラス自身の中に一方向に配列させることによ
り、偏光特性をもたせたガラスで、従来の有機物偏光素
子と異なり耐熱性，耐湿性，耐化学薬品性，レーザに対
する耐性に非常に優れている。赤外線用が主であるが、
特殊仕様として可視光用がある。 ４．マイクロワイヤアレイ 東北大学で赤外線用にアルミニウムの表面を陽極酸化さ
せアルミナとし、微細な穴を開けてこの中にＮｉやＣｕ
などの金属を入れ偏光子として用いることが報告されて
いる。 ５．積層型偏光子 東北大学電気通信研究所の川上彰二郎教授が、１９９７
年頃に発表されているもので、可視光用にはＲＦスパッ
タリング法で、６０〜８０Åの厚みのＧｅ（ゲルマニウ
ム）と、１μｍ厚みのＳｉＯ2を交互に６０μｍ厚みに
なるまで積層して作製している。０.６μｍの波長で測
定した性能指数αTE／αTM（ＴＥ波とＴＭ波に対する消
衰定数の比）は４００近く、０.８μｍの波長で測定し
た消光比は３５ｄＢ，挿入損出は０.１８ｄＢであり、
可視光に対して十分なものである。
【００１８】透明磁性層１２としては、従来一般に用い
られている磁気光学効果を示す透明磁性材料で良いが、
ファラデー効果が大きくて、透明性の大きい所謂性能指
数の大きい磁性材料が好ましい。例えば、５０ｎｍ以下
の粒子径を有する鉄，コバルト，Ｎｉ等強磁性金属の超
微粒子膜が用いられる。この場合の金属超微粒子以外の
膜組成としては酸素，炭素などである。鉄，コバルト，
Ｎｉ等強磁性金属は大きな磁気光学効果を示すが、光の
吸収も大きいためにそのままの薄膜では用いられなかっ
たが、超微粒子膜とすると大きな性能指数を有するよう
になる。また粒子径の制御によって、適当な保磁力を得
ることができる。ほかに希土類鉄ガーネットやＭｎＢ
ｉ，Ｂａフェライト等の酸化物、ＦｅＢＯ3，ＦｅＦ3，
ＹＦｅＯ3，ＮｄＦｅＯ3などの複屈折が大きな材料、Ｍ
ｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉ，ＰｔＣｏなどがある。磁気光学
効果は、光の進行方向とスピンの方向とが平行の場合に
最も大きな効果が得られるので、これらの材料は膜面に
垂直に磁気異方性を有するものが好ましい。これらの透
明磁性材料は一般的なスパッタ，真空蒸着，ＭＢＥなど
のＰＶＤ法やＣＶＤ法，メッキ法等が用いられる。パル
ス光を得るための電源は、一般に市販されているフェム
ト秒レーザでよい。使用波長は磁性体の磁気光学効果の
波長依存性，偏光子の波長依存性にあわせて用いられ
る。以下に実施例によって詳しく説明する。
られている磁気光学効果を示す透明磁性材料で良いが、
ファラデー効果が大きくて、透明性の大きい所謂性能指
数の大きい磁性材料が好ましい。例えば、５０ｎｍ以下
の粒子径を有する鉄，コバルト，Ｎｉ等強磁性金属の超
微粒子膜が用いられる。この場合の金属超微粒子以外の
膜組成としては酸素，炭素などである。鉄，コバルト，
Ｎｉ等強磁性金属は大きな磁気光学効果を示すが、光の
吸収も大きいためにそのままの薄膜では用いられなかっ
たが、超微粒子膜とすると大きな性能指数を有するよう
になる。また粒子径の制御によって、適当な保磁力を得
ることができる。ほかに希土類鉄ガーネットやＭｎＢ
ｉ，Ｂａフェライト等の酸化物、ＦｅＢＯ3，ＦｅＦ3，
ＹＦｅＯ3，ＮｄＦｅＯ3などの複屈折が大きな材料、Ｍ
ｎＢｉ，ＭｎＣｕＢｉ，ＰｔＣｏなどがある。磁気光学
効果は、光の進行方向とスピンの方向とが平行の場合に
最も大きな効果が得られるので、これらの材料は膜面に
垂直に磁気異方性を有するものが好ましい。これらの透
明磁性材料は一般的なスパッタ，真空蒸着，ＭＢＥなど
のＰＶＤ法やＣＶＤ法，メッキ法等が用いられる。パル
ス光を得るための電源は、一般に市販されているフェム
ト秒レーザでよい。使用波長は磁性体の磁気光学効果の
波長依存性，偏光子の波長依存性にあわせて用いられ
る。以下に実施例によって詳しく説明する。
【００１９】実施例１（請求項１に対する実施例） １ｍｍ厚の石英基板の片面に、合計で１２０ｎｍ厚とな
るようにＣｒ2Ｏ3、ついでＣｒの２層を設けた。更にこ
の上にポジ型レジストを設けた。このレジスト上にフォ
トマスクを配置し、ＵＶ光を用いて図２（Ｂ）でＬ＝
１.０μｍとなるように露光する。ついで、ウェットエ
ッチング法を用いて、上記レジスト層をエッチングし、
更にフッ素系ガスを用いて石英表面をエッチングして、
Ｈ＝０.６５μｍとなるように加工した。ついでレジス
ト層を剥離した。上記石英基板の加工表面上にガス中蒸
着法を用いて、基板加熱無しで鉄微粒子膜を蒸着した。
使用したＡｒガスは５０ＣＣＭの流量で流し、全圧力で
１.０Ｐａとした。平均膜厚は１００ｎｍであった。透
過電子顕微鏡で測定した鉄微粒子の平均粒子径は６ｎｍ
であった。膜の組成は６６％が鉄であり他は酸素と炭
素，窒素であった。平坦部で測定した鉄微粒子膜の保磁
力は３２０Ｏｅ，面内方向の角型比は０.８０で、面内
磁気異方性を有した膜であった。
るようにＣｒ2Ｏ3、ついでＣｒの２層を設けた。更にこ
の上にポジ型レジストを設けた。このレジスト上にフォ
トマスクを配置し、ＵＶ光を用いて図２（Ｂ）でＬ＝
１.０μｍとなるように露光する。ついで、ウェットエ
ッチング法を用いて、上記レジスト層をエッチングし、
更にフッ素系ガスを用いて石英表面をエッチングして、
Ｈ＝０.６５μｍとなるように加工した。ついでレジス
ト層を剥離した。上記石英基板の加工表面上にガス中蒸
着法を用いて、基板加熱無しで鉄微粒子膜を蒸着した。
使用したＡｒガスは５０ＣＣＭの流量で流し、全圧力で
１.０Ｐａとした。平均膜厚は１００ｎｍであった。透
過電子顕微鏡で測定した鉄微粒子の平均粒子径は６ｎｍ
であった。膜の組成は６６％が鉄であり他は酸素と炭
素，窒素であった。平坦部で測定した鉄微粒子膜の保磁
力は３２０Ｏｅ，面内方向の角型比は０.８０で、面内
磁気異方性を有した膜であった。
【００２０】日本分光株式会社製、磁気光学効果測定装
置Ｋ２５０型で、上記のように作製した磁気光学素子の
波長依存性（縦軸は偏光面回転角ｄｅｇ）を測定すると
（入射光の偏光面とグレーティング溝方向とは直角に配
置）、６３３ｎｍにピークが現れた。波長を６３３.７
ｎｍ，最大印加磁界１０Ｋガウスとして、印加磁界に対
する偏光面回転角のヒステリシスを測定した。光源のキ
セノン電流を５，６.５，８Ａとすると、試料へ入射す
る光のパワーは、２.２，３.０，３.８μＷであった。
入射光パワーをこの３水準とし、測定した偏光面回転角
のヒステリシスから、印加磁界がゼロガウスの場合の偏
光面回転角を読むと、それぞれ４.７度，６.０度，７.
０度であった（図３）。入射光パワーにほぼ比例して磁
気旋光角度が増大した。ついで同装置を用いて、試料へ
の入射光パワーを３.８μＷとし、出射光側に偏光子を
配置して、光が透過するように偏光面を合わせた。入射
光パワーを２.２μＷとした場合は、光が透過せず光シ
ャッターが得られた。
置Ｋ２５０型で、上記のように作製した磁気光学素子の
波長依存性（縦軸は偏光面回転角ｄｅｇ）を測定すると
（入射光の偏光面とグレーティング溝方向とは直角に配
置）、６３３ｎｍにピークが現れた。波長を６３３.７
ｎｍ，最大印加磁界１０Ｋガウスとして、印加磁界に対
する偏光面回転角のヒステリシスを測定した。光源のキ
セノン電流を５，６.５，８Ａとすると、試料へ入射す
る光のパワーは、２.２，３.０，３.８μＷであった。
入射光パワーをこの３水準とし、測定した偏光面回転角
のヒステリシスから、印加磁界がゼロガウスの場合の偏
光面回転角を読むと、それぞれ４.７度，６.０度，７.
０度であった（図３）。入射光パワーにほぼ比例して磁
気旋光角度が増大した。ついで同装置を用いて、試料へ
の入射光パワーを３.８μＷとし、出射光側に偏光子を
配置して、光が透過するように偏光面を合わせた。入射
光パワーを２.２μＷとした場合は、光が透過せず光シ
ャッターが得られた。
【００２１】実施例２（請求項２，３，４に対応する） 実施例１と同様にして磁気光学素子を作製した後、該素
子の表裏両面に偏光子を配置した。上記光シャッター
に、波長６２８.８ｎｍの２つのレーザ光を、光軸を合
わせて入射させた。また入射光の偏光面とグレーティン
グ溝方向とは直角に配置した。２つの偏光子の偏光面
は、２つのレーザ光のパルスが、時間的に重なって大き
くなった時に、偏光面回転角が大きくなって、光が通過
するように、また２つのパルスが時間的に重なることが
なく、１つのパルスだけが入射する場合、回転角が小さ
くて通過できないように、吸収軸を回転して固定した。
以上のようにして作製した光シャッターに、パルス間隔
が１００フェムト秒と２００フェムト秒の２つのパルス
レーザを連続して入射した。出力をスペクトルアナライ
ザーで観察すると、２００フェムト秒で出力が観察さ
れ、１００フェムト秒間隔では出力が観察できなかっ
た。２つのパルスが重畳した場合のみ出射光パルスが得
られる所謂ＡＮＤ論理動作をさせることができた。
子の表裏両面に偏光子を配置した。上記光シャッター
に、波長６２８.８ｎｍの２つのレーザ光を、光軸を合
わせて入射させた。また入射光の偏光面とグレーティン
グ溝方向とは直角に配置した。２つの偏光子の偏光面
は、２つのレーザ光のパルスが、時間的に重なって大き
くなった時に、偏光面回転角が大きくなって、光が通過
するように、また２つのパルスが時間的に重なることが
なく、１つのパルスだけが入射する場合、回転角が小さ
くて通過できないように、吸収軸を回転して固定した。
以上のようにして作製した光シャッターに、パルス間隔
が１００フェムト秒と２００フェムト秒の２つのパルス
レーザを連続して入射した。出力をスペクトルアナライ
ザーで観察すると、２００フェムト秒で出力が観察さ
れ、１００フェムト秒間隔では出力が観察できなかっ
た。２つのパルスが重畳した場合のみ出射光パルスが得
られる所謂ＡＮＤ論理動作をさせることができた。
【００２２】実施例３（請求項５に対応する） 実施例１において作製した磁気光学素子を、ＥＣＲ異方
性エッチング装置を用いて、溝の表面及び底面の磁性層
を剥離した（つまり溝の側面のみ磁性層を残した）。上
記のようにして作製した磁気光学素子の波長渡存性を測
定すると６３４.５ｎｍにピークが現れた。波長を６３
５ｎｍ，最大印加磁界１０Ｋガウスとして、ヒステリシ
スを測定した。光源のキセノン電流を５，６.５，８Ａ
として測定したヒステリシスから、印加磁界がゼロガウ
スの場合の偏光面回転角は、それぞれ４.４度，５.６
度，５.８度であった。入射光パワーにほぼ比例する点
は実施例と同様であった。ついで実施例２のように、偏
光子を配置して作製した光シャッターに、パルス幅１０
０フェムト秒のレーザ光を入射した。出力光を観察する
と、パルス幅に応じた高速度の光開閉がされていること
が確認できた。
性エッチング装置を用いて、溝の表面及び底面の磁性層
を剥離した（つまり溝の側面のみ磁性層を残した）。上
記のようにして作製した磁気光学素子の波長渡存性を測
定すると６３４.５ｎｍにピークが現れた。波長を６３
５ｎｍ，最大印加磁界１０Ｋガウスとして、ヒステリシ
スを測定した。光源のキセノン電流を５，６.５，８Ａ
として測定したヒステリシスから、印加磁界がゼロガウ
スの場合の偏光面回転角は、それぞれ４.４度，５.６
度，５.８度であった。入射光パワーにほぼ比例する点
は実施例と同様であった。ついで実施例２のように、偏
光子を配置して作製した光シャッターに、パルス幅１０
０フェムト秒のレーザ光を入射した。出力光を観察する
と、パルス幅に応じた高速度の光開閉がされていること
が確認できた。
【００２３】比較例１（請求項１に対応する） 石英基板の表面に溝構造を作製することをしなかった他
は、まったく実施例１と同様にして石英基板の上に鉄超
微粒子膜を作製して磁気光学素子とし、入射光強度を変
化させて、偏光面の回転を調べたが、回転角に変化はな
かった。
は、まったく実施例１と同様にして石英基板の上に鉄超
微粒子膜を作製して磁気光学素子とし、入射光強度を変
化させて、偏光面の回転を調べたが、回転角に変化はな
かった。
【００２４】比較例２（請求項２に対応する） 実施例１とまったく同様にして溝構造を作製し、その表
面にスパッタ法を用いてＢｉ置換希土類鉄ガーネット膜
を９００ｎｍの厚みに作製した。ターゲット組成はＢｉ
2Ｇｄ1Ｆｅ3.8Ａｌ1.2Ｏ12であった。基板温度は４００
℃として作製したのち、６８０℃で３時間空気中加熱し
た。ガラス基板上に同時に作製した膜の保磁力は４００
エールステッドで、ヒステリシスからは強い垂直磁気異
方性を有していることがわかった。実施例１と同様にし
て磁気旋光角度を測定すると、５２０ｎｍ付近に旋光角
度のピークを有していた。波長を５２０ｎｍ，最大印加
磁界１０Ｋガウスとして、ヒステリシスを測定した。試
料へ入射する光のパワーを変化させても、磁気旋光角度
に変化はなかった。
面にスパッタ法を用いてＢｉ置換希土類鉄ガーネット膜
を９００ｎｍの厚みに作製した。ターゲット組成はＢｉ
2Ｇｄ1Ｆｅ3.8Ａｌ1.2Ｏ12であった。基板温度は４００
℃として作製したのち、６８０℃で３時間空気中加熱し
た。ガラス基板上に同時に作製した膜の保磁力は４００
エールステッドで、ヒステリシスからは強い垂直磁気異
方性を有していることがわかった。実施例１と同様にし
て磁気旋光角度を測定すると、５２０ｎｍ付近に旋光角
度のピークを有していた。波長を５２０ｎｍ，最大印加
磁界１０Ｋガウスとして、ヒステリシスを測定した。試
料へ入射する光のパワーを変化させても、磁気旋光角度
に変化はなかった。
【００２５】比較例３（請求項５に対応する） 実施例１において作製した磁気光学素子を、溝の表面及
び底面の磁性層を剥離することなく、実施例３と同様に
して測定した結果は、実施例３と同じであった。しか
し、波長を６３５ｎｍの光の透過率は、実施例３では８
％であったが、溝の表面及び底面に磁性層を残したまま
の磁気光学素子では４％と低く測定時のノイズが大きか
った。
び底面の磁性層を剥離することなく、実施例３と同様に
して測定した結果は、実施例３と同じであった。しか
し、波長を６３５ｎｍの光の透過率は、実施例３では８
％であったが、溝の表面及び底面に磁性層を残したまま
の磁気光学素子では４％と低く測定時のノイズが大きか
った。
【００２６】
【発明の効果】請求項１に対する作用効果：基板の一方
の表面に、波長オーダーの寸法の溝構造と、該溝表面に
透明磁性体膜を形成して磁気光学素子とし、該素子の両
面に偏光層を設け、さらに光を変調可能とした光源とで
構成したので、機械的または電気的な従来のシャッター
より、簡便にまた高速度に光で光を開閉可能な光シャッ
ターとすることができた。
の表面に、波長オーダーの寸法の溝構造と、該溝表面に
透明磁性体膜を形成して磁気光学素子とし、該素子の両
面に偏光層を設け、さらに光を変調可能とした光源とで
構成したので、機械的または電気的な従来のシャッター
より、簡便にまた高速度に光で光を開閉可能な光シャッ
ターとすることができた。
【００２７】請求項２に対応する効果：請求項１におけ
る磁気光学素子の２枚の偏光層は、レーザ光の強弱に対
応して光を遮断するように、偏光軸を相互に回転させ固
定したので、簡便にまた高速度に光で光を開閉可能な光
シャッターとすることができた。
る磁気光学素子の２枚の偏光層は、レーザ光の強弱に対
応して光を遮断するように、偏光軸を相互に回転させ固
定したので、簡便にまた高速度に光で光を開閉可能な光
シャッターとすることができた。
【００２８】請求項３に対応する効果：請求項１におい
て、光の強弱を変調可能とする光源として、パルス光を
発信可能としたレーザ光を用いたので、簡便にまた高速
度に光で光を開閉可能な光シャッターとすることができ
た。
て、光の強弱を変調可能とする光源として、パルス光を
発信可能としたレーザ光を用いたので、簡便にまた高速
度に光で光を開閉可能な光シャッターとすることができ
た。
【００２９】請求項４に対応する効果：上記光シャッタ
ーにおいて、光源を複数個設けたので、光論理計算を高
速度で可能とすることができた。
ーにおいて、光源を複数個設けたので、光論理計算を高
速度で可能とすることができた。
【００３０】請求項５に対応する効果：請求項１におい
て、透明磁性膜は溝の側面だけとし、溝表面と底面は作
製後除去したので、より光の透過率を高めてノイズの少
ない、高速度に光で光を開閉可能な光シャッターとする
ことができた。
て、透明磁性膜は溝の側面だけとし、溝表面と底面は作
製後除去したので、より光の透過率を高めてノイズの少
ない、高速度に光で光を開閉可能な光シャッターとする
ことができた。
【図１】 本発明による光シャッターを概略的に示した
図である。
図である。
【図２】 本発明の溝構造の断面図である。
【図３】 入射光強度と磁気旋光角度との関係を表すグ
ラフである。
ラフである。
１…ゲート（光シャッター素子）、２…偏光子、３…偏
光子（検光子）、５…（透明）基板、１０…溝構造、１
１…溝、１２…磁性（磁気）膜。
光子（検光子）、５…（透明）基板、１０…溝構造、１
１…溝、１２…磁性（磁気）膜。
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の一方の表面に、０.２〜２.０μｍ
の等しい間隔で互いに平行に配列され０.１〜５μｍの
高さを有する複数の直線状の溝と、該溝表面に形成され
た厚さ５〜１００ｎｍの透明磁性体膜から成る磁気光学
素子及び、該磁気光学素子の表と裏の両面に設けた偏光
層から成る光素子と、光の強弱を変調可能とした光源と
で構成されたことを特徴とした光シャッター。 - 【請求項２】 請求項１に記載された光シャッターにお
いて、前記光素子の表裏に設けた偏光層は、強い光に対
しては通過し、弱い光に対しては遮断するように、偏光
軸を相互に回転させ固定されていることを特徴とする光
シャッター。 - 【請求項３】 請求項１に記載された光シャッターにお
いて、前記光源は、パルス光を発信可能とした光を用い
ていることを特徴とする光シャッター。 - 【請求項４】 請求項３に記載された光シャッターにお
いて、前記光源が複数個設けられていることを特徴とす
る光シャッター。 - 【請求項５】 請求項１に記載された光シャッターにお
いて、前記透明磁性膜は溝の側面のみに形成されている
ことを特徴とする光シャッター。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12358398A JP3781553B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 光シャッター |
| US09/305,468 US6243193B1 (en) | 1998-05-06 | 1999-05-06 | Magneto-optical light modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12358398A JP3781553B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 光シャッター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11316360A true JPH11316360A (ja) | 1999-11-16 |
| JP3781553B2 JP3781553B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=14864191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12358398A Expired - Fee Related JP3781553B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 光シャッター |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6243193B1 (ja) |
| JP (1) | JP3781553B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007213004A (ja) * | 2006-01-10 | 2007-08-23 | Ricoh Co Ltd | 磁気光学素子 |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
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| US6542647B2 (en) * | 2000-10-27 | 2003-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical signal transmission system and magneto-optical modulator designed to establish modulation over wide range for use in the same |
| JP3908600B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2007-04-25 | 株式会社リコー | 調光窓 |
| RU2266552C1 (ru) * | 2004-03-29 | 2005-12-20 | Институт Горного Дела Дальневосточного Отделения Российской Академии Наук (Статус Государственного Учреждения) | Магнитооптический модулятор электромагнитного излучения на эффекте упругоиндуцированного перемагничивания |
| US7390071B2 (en) * | 2004-05-27 | 2008-06-24 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printer controller for supplying data to a printhead module having a dropped row |
| US7535434B2 (en) * | 2005-01-25 | 2009-05-19 | The Boeing Company | Light emission control for forming two-dimensional and three-dimensional images |
| JP5521040B2 (ja) * | 2009-07-09 | 2014-06-11 | ビルケア テクノロジーズ シンガポール プライベート リミテッド | 識別されるように構成されたタグまたは物体を識別可能な読み取り装置、関連の方法、およびシステム |
| EP3290997B1 (en) | 2016-09-02 | 2020-07-01 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Magneto-optical light modulator |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5112701A (en) | 1988-03-25 | 1992-05-12 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optic recording media and process for producing the same |
| DE3825079A1 (de) * | 1988-07-23 | 1990-02-01 | Philips Patentverwaltung | Optischer isolator, zirkulator, schalter oder dergleichen mit einem faraday-rotator |
| JPH0782164B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1995-09-06 | 松下電器産業株式会社 | 磁気光学素子及び磁界測定装置 |
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