JPH1131646A - 周辺露光方法及び露光装置 - Google Patents
周辺露光方法及び露光装置Info
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- JPH1131646A JPH1131646A JP9185558A JP18555897A JPH1131646A JP H1131646 A JPH1131646 A JP H1131646A JP 9185558 A JP9185558 A JP 9185558A JP 18555897 A JP18555897 A JP 18555897A JP H1131646 A JPH1131646 A JP H1131646A
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- resist
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【解決手段】ウエハ上のレジストを露光する露光方法及
び周辺露光装置に関する。レジストが塗布されたウエハ
２が露光ユニットのウエハチャック１上に搬送され、チ
ャッキング後、光透過部材３でウエハエッジ部を覆う。
この後、ウエハチャック軸５を中心にウエハが回転し、
光源４からの光が光透過部材３を透過しウエハ外周部を
露光する。この時、レジストの発泡現象が光透過部材３
の直下で発生しても、光透過部材３がレジスト膜面上に
あるため、発泡によるレジスト屑や破片が飛び散ること
がなくウエハエッジ近辺及び他の領域にレジスト屑や破
片が付着することを抑えることができる。 【効果】周辺露光が行われる間、レジスト膜面上に光透
過部材を設けてあるため、レジストが発泡しても、レジ
スト屑や破片がウエハエッジ近辺及び他の領域に付着す
ることを抑えることができ、パターン欠陥を抑制でき
る。
び周辺露光装置に関する。レジストが塗布されたウエハ
２が露光ユニットのウエハチャック１上に搬送され、チ
ャッキング後、光透過部材３でウエハエッジ部を覆う。
この後、ウエハチャック軸５を中心にウエハが回転し、
光源４からの光が光透過部材３を透過しウエハ外周部を
露光する。この時、レジストの発泡現象が光透過部材３
の直下で発生しても、光透過部材３がレジスト膜面上に
あるため、発泡によるレジスト屑や破片が飛び散ること
がなくウエハエッジ近辺及び他の領域にレジスト屑や破
片が付着することを抑えることができる。 【効果】周辺露光が行われる間、レジスト膜面上に光透
過部材を設けてあるため、レジストが発泡しても、レジ
スト屑や破片がウエハエッジ近辺及び他の領域に付着す
ることを抑えることができ、パターン欠陥を抑制でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ上のレジス
トを露光する露光方法及び周辺露光装置に関するもので
ある。
トを露光する露光方法及び周辺露光装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、ステップアンドリピート
方式等の露光装置によるレジストのパターニングと前記
パターンをマスクにエッチング作業等が行われる。通
常、この作業に供されるウエハは、エッチング作業等の
ウエハプロセス時にウエハを把持する部分、即ち、ウエ
ハのエッジ部分からレジストの屑や塵が発生しないよう
に、レジストパターン露光作業の前後どちらかにウエハ
エッジ部に相当する部分が所定露光量露光され、レジス
トが除去される。
方式等の露光装置によるレジストのパターニングと前記
パターンをマスクにエッチング作業等が行われる。通
常、この作業に供されるウエハは、エッチング作業等の
ウエハプロセス時にウエハを把持する部分、即ち、ウエ
ハのエッジ部分からレジストの屑や塵が発生しないよう
に、レジストパターン露光作業の前後どちらかにウエハ
エッジ部に相当する部分が所定露光量露光され、レジス
トが除去される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このウ
エハエッジ部の露光において、レジストの光反応によっ
て発生した反応ガスが原因となってレジストが発泡し、
その結果、その近辺及び他の領域にレジスト発泡物を付
着させ、パターン欠陥を引起こし半導体装置の歩留まり
を低下させるという問題点を生じていた。
エハエッジ部の露光において、レジストの光反応によっ
て発生した反応ガスが原因となってレジストが発泡し、
その結果、その近辺及び他の領域にレジスト発泡物を付
着させ、パターン欠陥を引起こし半導体装置の歩留まり
を低下させるという問題点を生じていた。
【０００４】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ステップアンドリピート方式等
の露光装置によるレジストのパターニング前後に行われ
る周辺露光において、露光されたウエハエッジ部のレジ
ストの発泡を抑制できる周辺露光方法及び装置を得るこ
とを目的とする。
ためになされたもので、ステップアンドリピート方式等
の露光装置によるレジストのパターニング前後に行われ
る周辺露光において、露光されたウエハエッジ部のレジ
ストの発泡を抑制できる周辺露光方法及び装置を得るこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の露光方法
は、ウエハの上面に成膜されたレジストのウエハエッジ
に相当する部分を所定の露光量にて露光する周辺露光に
おいて、光を遮蔽しない部材でウエハエッジに相当する
部分を覆い、上記部材を具備した状態で露光することを
特徴とする露光方法である。
は、ウエハの上面に成膜されたレジストのウエハエッジ
に相当する部分を所定の露光量にて露光する周辺露光に
おいて、光を遮蔽しない部材でウエハエッジに相当する
部分を覆い、上記部材を具備した状態で露光することを
特徴とする露光方法である。
【０００６】請求項２記載の露光装置は、ウエハの上面
に成膜されたレジストのウエハエッジに相当する部分を
所定の露光量にて露光する周辺露光装置において、光を
遮蔽しない部材でウエハエッジに相当する部分を覆い、
上記部材を具備した状態で露光することを特徴とする露
光装置である。
に成膜されたレジストのウエハエッジに相当する部分を
所定の露光量にて露光する周辺露光装置において、光を
遮蔽しない部材でウエハエッジに相当する部分を覆い、
上記部材を具備した状態で露光することを特徴とする露
光装置である。
【０００７】
【作用】この発明においては、光を遮蔽しない部材でウ
エハエッジに相当する部分を覆い、上記部材を具備した
状態で露光するため、発泡によるレジスト屑や破片がウ
エハエッジ近辺及び他の領域に付着することを抑えるこ
とができる。
エハエッジに相当する部分を覆い、上記部材を具備した
状態で露光するため、発泡によるレジスト屑や破片がウ
エハエッジ近辺及び他の領域に付着することを抑えるこ
とができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【０００９】図１は、この発明の一実施例による周辺露
光装置の露光時の状態を摸式的に示した図であり、図１
（ａ）はその断面図、図１（ｂ）はその上面図である。
図において、ウエハチャック１に吸着されたウエハ２が
光透過部材３で覆われ、上部に光源４が配置されてい
る。
光装置の露光時の状態を摸式的に示した図であり、図１
（ａ）はその断面図、図１（ｂ）はその上面図である。
図において、ウエハチャック１に吸着されたウエハ２が
光透過部材３で覆われ、上部に光源４が配置されてい
る。
【００１０】以下動作を説明する。レジストが塗布され
たウエハ２が図１に示す露光ユニットのウエハチャック
上に搬送され、チャッキング後光透過部材３でウエハエ
ッジ部を覆う。この後、ウエハチャック軸５を中心にウ
エハが回転し、光源４からの光が光透過部材３を透過し
ウエハ外周部を露光する。この時、レジストの発泡現象
が光透過部材３の直下で発生しても、光透過部材３がレ
ジスト膜面上にあるため、発泡によるレジスト屑や破片
が飛び散ることがなくウエハエッジ近辺及び他の領域に
レジスト屑や破片が付着することを抑えることができ
る。尚、上記実施例では、レジスト屑や破片の飛び散り
を制御する光透過部材３がウエハ２に接触しウエハ２と
ともに回転しているが、光透過部材３は、ウエハ２と接
触している必要はなくレジスト屑や破片の飛散を制御で
きる間隔がウエハ２と保たれていればよく、また、ウエ
ハ２と共に回転する必要もない。
たウエハ２が図１に示す露光ユニットのウエハチャック
上に搬送され、チャッキング後光透過部材３でウエハエ
ッジ部を覆う。この後、ウエハチャック軸５を中心にウ
エハが回転し、光源４からの光が光透過部材３を透過し
ウエハ外周部を露光する。この時、レジストの発泡現象
が光透過部材３の直下で発生しても、光透過部材３がレ
ジスト膜面上にあるため、発泡によるレジスト屑や破片
が飛び散ることがなくウエハエッジ近辺及び他の領域に
レジスト屑や破片が付着することを抑えることができ
る。尚、上記実施例では、レジスト屑や破片の飛び散り
を制御する光透過部材３がウエハ２に接触しウエハ２と
ともに回転しているが、光透過部材３は、ウエハ２と接
触している必要はなくレジスト屑や破片の飛散を制御で
きる間隔がウエハ２と保たれていればよく、また、ウエ
ハ２と共に回転する必要もない。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、周辺
露光が行われる間、レジスト膜面上に光透過部材を設け
てあるため、レジストが発泡しても、レジスト屑や破片
がウエハエッジ近辺及び他の領域に付着することを抑え
ることができ、その結果、レジスト屑や破片が原因で発
生していたパターン欠陥を抑制し半導体装置の製品歩留
まりを低下させない効果がある。
露光が行われる間、レジスト膜面上に光透過部材を設け
てあるため、レジストが発泡しても、レジスト屑や破片
がウエハエッジ近辺及び他の領域に付着することを抑え
ることができ、その結果、レジスト屑や破片が原因で発
生していたパターン欠陥を抑制し半導体装置の製品歩留
まりを低下させない効果がある。
【図１】この発明の一実施例による周辺露光装置の露光
ユニットにウエハが載置され露光される状態を摸式的に
示した図である。
ユニットにウエハが載置され露光される状態を摸式的に
示した図である。
１ ウエハチャック ２ ウエハ ３ 光透過部材 ４ 光源 ５ ウエハチャック軸
Claims (2)
- 【請求項１】ウエハの上面に成膜されたレジストのウエ
ハエッジに相当する部分を所定の露光量にて露光する周
辺露光において、光を遮蔽しない部材でウエハエッジに
相当する部分を覆い、上記部材を具備した状態で露光す
ることを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】ウエハの上面に成膜されたレジストのウエ
ハエッジに相当する部分を所定の露光量にて露光する周
辺露光装置において、ウェハエッジを覆いかつ光を遮蔽
しない部材を具備することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9185558A JPH1131646A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 周辺露光方法及び露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9185558A JPH1131646A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 周辺露光方法及び露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131646A true JPH1131646A (ja) | 1999-02-02 |
Family
ID=16172919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9185558A Withdrawn JPH1131646A (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 周辺露光方法及び露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1131646A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100724623B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2007-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광장비내에서의 웨이퍼엣지 노광방법 |
| JP2011081156A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP9185558A patent/JPH1131646A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100724623B1 (ko) * | 2000-12-22 | 2007-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 노광장비내에서의 웨이퍼엣지 노광방법 |
| JP2011081156A (ja) * | 2009-10-07 | 2011-04-21 | Orc Manufacturing Co Ltd | 露光装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20041005 |