JPH11316978A - 相変化記録媒体 - Google Patents
相変化記録媒体Info
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- JPH11316978A JPH11316978A JP10300614A JP30061498A JPH11316978A JP H11316978 A JPH11316978 A JP H11316978A JP 10300614 A JP10300614 A JP 10300614A JP 30061498 A JP30061498 A JP 30061498A JP H11316978 A JPH11316978 A JP H11316978A
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高コントラスト、高感度の相変化媒体を提供
する。 【構成】 基板上に誘電体層を介して設けられた記録層
の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることに
より記録を行なう相変化記録媒体において、記録層上に
反射層を設けてなり、該反射層をＡｌ1-x Ｍx （ＭはＴ
ａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｃｒから選ばれる少
なくとも１種の元素、ｘは０．０１〜０．１５の数）に
よって形成し、該反射層の厚さは６００Å以下であるこ
とを特徴とする相変化記録媒体。
する。 【構成】 基板上に誘電体層を介して設けられた記録層
の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えることに
より記録を行なう相変化記録媒体において、記録層上に
反射層を設けてなり、該反射層をＡｌ1-x Ｍx （ＭはＴ
ａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｃｒから選ばれる少
なくとも１種の元素、ｘは０．０１〜０．１５の数）に
よって形成し、該反射層の厚さは６００Å以下であるこ
とを特徴とする相変化記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は相変化記録媒体に関
する。詳しくは記録層として相変化形の記録層を用いた
光記録媒体に関する。
する。詳しくは記録層として相変化形の記録層を用いた
光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化記録媒体はレーザービームによる
加熱により媒体の結晶相が変化する（例えば、結晶→ア
モルファス）効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光
反射率の違いから情報を読み出すことができる。相変化
記録媒体には書き込み可能型（ライトワンス型）と書き
換え可能型（イレーザブル型）の両方があり、近年進歩
の著しい記録媒体である。相変化記録媒体のキャリアレ
ベル（ＣＬ）は記録状態と消去状態の光反射率のコント
ラストが違うほど大きくなる。コントラストを上げる為
に記録層を薄くし、その下に反射層を設け光の干渉効果
を利用する方式が提案されている（例えば昭和６２年秋
季応用物理学会１８ｐ−ＺＰ−１２）。
加熱により媒体の結晶相が変化する（例えば、結晶→ア
モルファス）効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光
反射率の違いから情報を読み出すことができる。相変化
記録媒体には書き込み可能型（ライトワンス型）と書き
換え可能型（イレーザブル型）の両方があり、近年進歩
の著しい記録媒体である。相変化記録媒体のキャリアレ
ベル（ＣＬ）は記録状態と消去状態の光反射率のコント
ラストが違うほど大きくなる。コントラストを上げる為
に記録層を薄くし、その下に反射層を設け光の干渉効果
を利用する方式が提案されている（例えば昭和６２年秋
季応用物理学会１８ｐ−ＺＰ−１２）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】干渉効果を強く出すに
は反射層の光反射率を高くする必要があるが、反射率の
高い物質（例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ等）を用い
ると、一般に熱伝導度が大きく感度の低下をもたらす。
は反射層の光反射率を高くする必要があるが、反射率の
高い物質（例えば、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ等）を用い
ると、一般に熱伝導度が大きく感度の低下をもたらす。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上述の欠点
を克服した高コントラスト、高感度の相変化記録媒体を
提供することを目的に鋭意検討した結果、本発明に到達
したものである。すなわち本発明の要旨は、基板上に誘
電体層を介して設けられた記録層の結晶状態を熱的に変
化させて光反射率を変えることにより記録を行なう相変
化記録媒体において、記録層上に反射層を設けてなり、
該反射層をＡｌ1-x Ｍx （ＭはＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，
Ｐｔ，Ｍｏ，Ｃｒから選ばれる少なくとも１種の元素、
ｘは０．０１〜０．１５の数）によって形成し、該記録
層の厚さは６００Å以下であることを特徴とする相変化
記録媒体に存する。
を克服した高コントラスト、高感度の相変化記録媒体を
提供することを目的に鋭意検討した結果、本発明に到達
したものである。すなわち本発明の要旨は、基板上に誘
電体層を介して設けられた記録層の結晶状態を熱的に変
化させて光反射率を変えることにより記録を行なう相変
化記録媒体において、記録層上に反射層を設けてなり、
該反射層をＡｌ1-x Ｍx （ＭはＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，
Ｐｔ，Ｍｏ，Ｃｒから選ばれる少なくとも１種の元素、
ｘは０．０１〜０．１５の数）によって形成し、該記録
層の厚さは６００Å以下であることを特徴とする相変化
記録媒体に存する。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明による相変化形光記録媒体は、真空蒸着やス
パッタリングなど通常の薄膜形成装置により作成され
る。基板としては、通常、ＰＭＭＡやＰＣ（ポリカーボ
ネート）のような低熱伝導性材料が該基板への熱の散逸
を防ぐ目的からみて望ましいが、ガラス基板など熱伝導
性の良いものを用いる場合は、基板上に感光性樹脂など
の有機物膜を形成する事により、熱の散逸を防ぐ事がで
きる。基板の厚みは１〜２ｍｍ程度が一般的であり、通
常約１．２ｍｍ程度である。
る。本発明による相変化形光記録媒体は、真空蒸着やス
パッタリングなど通常の薄膜形成装置により作成され
る。基板としては、通常、ＰＭＭＡやＰＣ（ポリカーボ
ネート）のような低熱伝導性材料が該基板への熱の散逸
を防ぐ目的からみて望ましいが、ガラス基板など熱伝導
性の良いものを用いる場合は、基板上に感光性樹脂など
の有機物膜を形成する事により、熱の散逸を防ぐ事がで
きる。基板の厚みは１〜２ｍｍ程度が一般的であり、通
常約１．２ｍｍ程度である。
【０００６】本発明においては基板上に誘電体層、記録
層、反射層を順次設ける。記録層としてはＧｅＴｅ系、
ＩｎＳｂ系、ＴｅＯ2 系等が用いられる。記録層の膜厚
は記録前、記録後の屈折率、及び反射層の屈折率から最
もコントラストがとれるように最適化され、６００Å以
下、特に２００Å〜６００Åである。本発明においては
反射層としてＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｃｒ
から選ばれる一種以上の元素を含有するＡｌ合金を用い
る。添加金属の含有量は１〜１５ａｔ％（原子％）、さ
らに好ましくは２〜１０ａｔ％である。好ましい添加金
属は上記のうち、Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒである。反射層の膜
厚は反射率が低下せず、しかも感度が著しく低下しない
範囲で選ばれるが、３００Å〜５００Å程度が好まし
い。干渉効果をさらに強める為記録層の基板側に接して
高屈折率の誘電体を設ける。また、さらに、記録層の反
射層側に接して高屈折率の誘電体を設ければより効果的
である。誘電体としては例えば、ＺｎＳ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＺｒＯ2，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ等が
用いられる。尚、誘電体を記録層の片面または両面に設
ける場合は記録層の膜厚は誘電体を含めた全体の干渉効
果によって決定される。
層、反射層を順次設ける。記録層としてはＧｅＴｅ系、
ＩｎＳｂ系、ＴｅＯ2 系等が用いられる。記録層の膜厚
は記録前、記録後の屈折率、及び反射層の屈折率から最
もコントラストがとれるように最適化され、６００Å以
下、特に２００Å〜６００Åである。本発明においては
反射層としてＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｃｒ
から選ばれる一種以上の元素を含有するＡｌ合金を用い
る。添加金属の含有量は１〜１５ａｔ％（原子％）、さ
らに好ましくは２〜１０ａｔ％である。好ましい添加金
属は上記のうち、Ｔａ，Ｔｉ，Ｚｒである。反射層の膜
厚は反射率が低下せず、しかも感度が著しく低下しない
範囲で選ばれるが、３００Å〜５００Å程度が好まし
い。干渉効果をさらに強める為記録層の基板側に接して
高屈折率の誘電体を設ける。また、さらに、記録層の反
射層側に接して高屈折率の誘電体を設ければより効果的
である。誘電体としては例えば、ＺｎＳ，Ｔａ2 Ｏ5 ，
ＳｉＯ2 ，ＳｉＯ，ＺｒＯ2，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ等が
用いられる。尚、誘電体を記録層の片面または両面に設
ける場合は記録層の膜厚は誘電体を含めた全体の干渉効
果によって決定される。
【０００７】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例
に限定されない。
明するが本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例
に限定されない。
【０００８】実施例１ 基板にはポリカーボネートのディスクを用いその上にＲ
Ｆスパッタリング法により、ＳｉＯ2 層を１０００Å成
膜した。その上に記録層としてＧｅターゲット上にＴ
ｅ，Ｂｉチップを配値してスパッタリングにより形成し
た。成膜速度は１０Å／ｓｅｃとし、４００Åの膜厚に
成膜した。記録層の組成はＧｅ50Ｔｅ50Ｂｉ3 であっ
た。次に反射層として、Ａｌターゲット上にＴａチップ
を配して３００ÅのＡｌとＴａの合金を成膜した。反射
層中のＴａ量はＴａチップ数によって調整した。また比
較例としてＡｌのみの反射層を持つ同様のディスクを作
成した。
Ｆスパッタリング法により、ＳｉＯ2 層を１０００Å成
膜した。その上に記録層としてＧｅターゲット上にＴ
ｅ，Ｂｉチップを配値してスパッタリングにより形成し
た。成膜速度は１０Å／ｓｅｃとし、４００Åの膜厚に
成膜した。記録層の組成はＧｅ50Ｔｅ50Ｂｉ3 であっ
た。次に反射層として、Ａｌターゲット上にＴａチップ
を配して３００ÅのＡｌとＴａの合金を成膜した。反射
層中のＴａ量はＴａチップ数によって調整した。また比
較例としてＡｌのみの反射層を持つ同様のディスクを作
成した。
【０００９】以上のように作成したディスクに１８００
ｒｐｍ、０．５ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％の条件で記録を
行なったところ、図１のような結果を得た。なお、最適
記録パワーは２次歪Ｃ2 とキャリアレベルＣの比Ｃ2 ／
Ｃが最小になる記録パワーとした。図１から明らかなよ
うにＡｌにＴａを少量添加することによりキャリアレベ
ルを低下させずに感度を上げることが可能である。同様
な効果はＡｌとＴａ以外にＡｌとＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐ
ｔ，Ｍｏ，Ｃｒ等との合金を用いた場合においても認め
られた。
ｒｐｍ、０．５ＭＨｚ ｄｕｔｙ５０％の条件で記録を
行なったところ、図１のような結果を得た。なお、最適
記録パワーは２次歪Ｃ2 とキャリアレベルＣの比Ｃ2 ／
Ｃが最小になる記録パワーとした。図１から明らかなよ
うにＡｌにＴａを少量添加することによりキャリアレベ
ルを低下させずに感度を上げることが可能である。同様
な効果はＡｌとＴａ以外にＡｌとＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐ
ｔ，Ｍｏ，Ｃｒ等との合金を用いた場合においても認め
られた。
【００１０】
【発明の効果】本発明による相変化記録媒体はＣ／Ｎ
比、感度共に良好な特性を示す。
比、感度共に良好な特性を示す。
【図１】反射膜中のＴａ含有量と最適記録パワー及び、
キャリアレベルの相関を示したグラフ。
キャリアレベルの相関を示したグラフ。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に誘電体層を介して設けられた記
録層の結晶状態を熱的に変化させて光反射率を変えるこ
とにより記録を行なう相変化記録媒体において、記録層
上に反射層を設けてなり、該反射層をＡｌ1-x Ｍx （Ｍ
はＴａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｐｔ，Ｍｏ，Ｃｒから選ばれ
る少なくとも１種の元素、ｘは０．０１〜０．１５の
数）によって形成し、該記録層の厚さは６００Åである
ことを特徴とする相変化記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10300614A JPH11316978A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10300614A JPH11316978A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62326238A Division JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11316978A true JPH11316978A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=17886986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10300614A Pending JPH11316978A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11316978A (ja) |
-
1998
- 1998-10-22 JP JP10300614A patent/JPH11316978A/ja active Pending
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