JPH11317396A - エッチング装置 - Google Patents
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- JPH11317396A JPH11317396A JP12435198A JP12435198A JPH11317396A JP H11317396 A JPH11317396 A JP H11317396A JP 12435198 A JP12435198 A JP 12435198A JP 12435198 A JP12435198 A JP 12435198A JP H11317396 A JPH11317396 A JP H11317396A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの周縁部におけるエッチングレートの
低下を抑制し、ウエハ面内におけるエッチング均一性を
向上できるようにする。 【解決手段】 チャンバ２内に上部電極３と下部電極４
とが対向して設けられ、これら上部電極３と下部電極４
との間にプラズマを発生させて下部電極４の上面４ａに
保持されるウエハ１０の被処理物をエッチングするエッ
チング装置１において、上部電極３の下面３ａが、その
下面３ａの略中央部における上部電極３と下部電極４と
のギャップｈ2 よりも下面３ａの周縁部における上部電
極３と下部電極４とのギャップｈ1 が小さくなるように
凹型に湾曲した形状に形成された構成となっている。
低下を抑制し、ウエハ面内におけるエッチング均一性を
向上できるようにする。 【解決手段】 チャンバ２内に上部電極３と下部電極４
とが対向して設けられ、これら上部電極３と下部電極４
との間にプラズマを発生させて下部電極４の上面４ａに
保持されるウエハ１０の被処理物をエッチングするエッ
チング装置１において、上部電極３の下面３ａが、その
下面３ａの略中央部における上部電極３と下部電極４と
のギャップｈ2 よりも下面３ａの周縁部における上部電
極３と下部電極４とのギャップｈ1 が小さくなるように
凹型に湾曲した形状に形成された構成となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置製造の
エッチング技術に用いるエッチング装置に関するもので
ある。
エッチング技術に用いるエッチング装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来のエッチング装置としては、例えば
図４に示すようなナローギャップ平行平板型のチャンバ
構造を有したものが知られている。すなわち、このエッ
チング装置２０では、チャンバ２１内に上部電極２２と
下部電極２３とが対向して設けられており、上部電極２
２と下部電極２３との間に高周波電圧が印加されるよう
になっている。なお、上部電極２２の下面は平坦な面で
あり、下部電極２３の上面との間隙（以下、ギャップと
記す）が一定となるように配置されている。また上部電
極２２の下面にはエッチングガスの噴き出し口（図示省
略）が形成され、下部電極２３はウエハ１０の保持台を
兼ねたものとなっている。
図４に示すようなナローギャップ平行平板型のチャンバ
構造を有したものが知られている。すなわち、このエッ
チング装置２０では、チャンバ２１内に上部電極２２と
下部電極２３とが対向して設けられており、上部電極２
２と下部電極２３との間に高周波電圧が印加されるよう
になっている。なお、上部電極２２の下面は平坦な面で
あり、下部電極２３の上面との間隙（以下、ギャップと
記す）が一定となるように配置されている。また上部電
極２２の下面にはエッチングガスの噴き出し口（図示省
略）が形成され、下部電極２３はウエハ１０の保持台を
兼ねたものとなっている。
【０００３】上記のエッチング装置２０では、チャンバ
２１内を所定の真空状態に保持するとともに、上部電極
２２の下面から下部電極２３に向けてエッチングガスを
噴き出させ、上部電極２２と下部電極２３との間に高周
波電圧を印加することにより、その間にエッチングガス
を放電したプラズマを生成する。そして、生成したプラ
ズマによって、下部電極２３の上面に保持されたウエハ
１０の被処理物をエッチングする。
２１内を所定の真空状態に保持するとともに、上部電極
２２の下面から下部電極２３に向けてエッチングガスを
噴き出させ、上部電極２２と下部電極２３との間に高周
波電圧を印加することにより、その間にエッチングガス
を放電したプラズマを生成する。そして、生成したプラ
ズマによって、下部電極２３の上面に保持されたウエハ
１０の被処理物をエッチングする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、半導体
装置の高密度化にしたがって、配線形成プロセスは益々
微細化、多層化の方向に進展している。これに伴い、ウ
エハの製造コストが上昇することになるため、一枚のウ
エハから得られるチップの数を増やしてチップあたりの
コストを抑えるべくウエハの大口径化が進んでいる。し
かし、ウエハの大口径化が進んでも、製造される半導体
装置の製品の品質を揃えるためには、エッチング技術等
の半導体装置の製造に用いる技術のウエハ面内における
エッチング均一性がこれまでと同程度以上の性能が必要
になる。
装置の高密度化にしたがって、配線形成プロセスは益々
微細化、多層化の方向に進展している。これに伴い、ウ
エハの製造コストが上昇することになるため、一枚のウ
エハから得られるチップの数を増やしてチップあたりの
コストを抑えるべくウエハの大口径化が進んでいる。し
かし、ウエハの大口径化が進んでも、製造される半導体
装置の製品の品質を揃えるためには、エッチング技術等
の半導体装置の製造に用いる技術のウエハ面内における
エッチング均一性がこれまでと同程度以上の性能が必要
になる。
【０００５】ところが、上記したような従来のエッチン
グ装置では、下部電極の上面に保持したウエハの周縁部
にてエッチングガスの対流が起こり易く、排気状態が悪
化する。この結果、ウエハの周縁部にプラズマとウエハ
の被処理物との反応生成物が堆積し易くなり、ウエハの
中央部に比較して周縁部のエッチングレートが低下する
ことになって、ウエハ面内のエッチング均一性が悪化す
るという不具合が生じている。
グ装置では、下部電極の上面に保持したウエハの周縁部
にてエッチングガスの対流が起こり易く、排気状態が悪
化する。この結果、ウエハの周縁部にプラズマとウエハ
の被処理物との反応生成物が堆積し易くなり、ウエハの
中央部に比較して周縁部のエッチングレートが低下する
ことになって、ウエハ面内のエッチング均一性が悪化す
るという不具合が生じている。
【０００６】例えば図４に示すチャンバ構造のエッチン
グ装置２０を用い、ウエハ１０上に形成された酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）膜を、エッチングガスおよび流量：Ｃ
Ｆ4／ＣＨＦ3 ／Ａｒ／Ｎ2 ＝７０ｓｃｃｍ／６０ｓｃ
ｃｍ／２００ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ、電力：１０００
Ｗ、雰囲気圧力：５３．３Ｐａ、上部電極２２と下部電
極２３とのギャップｈを９ｎｍとした条件でエッチング
した場合には、図５（ａ）に示すウエハ１０のＸ方向、
Ｙ方向のいずれの方向においても、図５（ｂ）に示すよ
うにウエハ１０の周縁部にてエッチングレートが低下す
る結果が得られている。
グ装置２０を用い、ウエハ１０上に形成された酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）膜を、エッチングガスおよび流量：Ｃ
Ｆ4／ＣＨＦ3 ／Ａｒ／Ｎ2 ＝７０ｓｃｃｍ／６０ｓｃ
ｃｍ／２００ｓｃｃｍ／２０ｓｃｃｍ、電力：１０００
Ｗ、雰囲気圧力：５３．３Ｐａ、上部電極２２と下部電
極２３とのギャップｈを９ｎｍとした条件でエッチング
した場合には、図５（ａ）に示すウエハ１０のＸ方向、
Ｙ方向のいずれの方向においても、図５（ｂ）に示すよ
うにウエハ１０の周縁部にてエッチングレートが低下す
る結果が得られている。
【０００７】ウエハが大口径化されると、ウエハの周縁
部におけるエッチングレートの低下がさらに顕著になっ
てウエハ面内のエッチング均一性が一層悪化する恐れが
あり、したがってウエハ面内におけるエッチング均一性
を向上できるエッチング装置の開発が切望されている。
部におけるエッチングレートの低下がさらに顕著になっ
てウエハ面内のエッチング均一性が一層悪化する恐れが
あり、したがってウエハ面内におけるエッチング均一性
を向上できるエッチング装置の開発が切望されている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】チャンバ内にて対向して
配置された上部電極と下部電極とのギャップｈを変化さ
せると、エッチングレートが変化することが知られてい
る。具体的には図６に示すように、ギャップｈを小さく
するとエッチングレートが高くなり、ギャップｈを大き
くするとエッチングレートが低くなる。例えば図４に示
すエッチング装置２０では、上部電極２２と下部電極２
３との間のギャップｈを９ｎｍから１０ｎｍに変更する
と、エッチングレートが５００ｎｍ／ｍｉｎ程度低下す
る。
配置された上部電極と下部電極とのギャップｈを変化さ
せると、エッチングレートが変化することが知られてい
る。具体的には図６に示すように、ギャップｈを小さく
するとエッチングレートが高くなり、ギャップｈを大き
くするとエッチングレートが低くなる。例えば図４に示
すエッチング装置２０では、上部電極２２と下部電極２
３との間のギャップｈを９ｎｍから１０ｎｍに変更する
と、エッチングレートが５００ｎｍ／ｍｉｎ程度低下す
る。
【０００９】このように上部電極と下部電極とのギャッ
プｈを小さくするとエッチングレートが高くなるのは、
ギャップｈを小さくすることで上部電極と下部電極との
間に発生するプラズマの単位面積当たりの密度が高くな
り、下部電極の上面に保持されたウエハの被処理物と反
応するプラズマの単位時間あたりの数が実質的に増加す
るためであると考えられる。反対に、ギャップｈを大き
くするとエッチングレートが低くなるのは、ギャップｈ
を大きくすることで上部電極と下部電極との間に発生す
るプラズマの単位面積当たりの密度が低くなり、ウエハ
の被処理物と反応するプラズマの単位時間あたりの数が
実質的に減少するためであると考えられる。
プｈを小さくするとエッチングレートが高くなるのは、
ギャップｈを小さくすることで上部電極と下部電極との
間に発生するプラズマの単位面積当たりの密度が高くな
り、下部電極の上面に保持されたウエハの被処理物と反
応するプラズマの単位時間あたりの数が実質的に増加す
るためであると考えられる。反対に、ギャップｈを大き
くするとエッチングレートが低くなるのは、ギャップｈ
を大きくすることで上部電極と下部電極との間に発生す
るプラズマの単位面積当たりの密度が低くなり、ウエハ
の被処理物と反応するプラズマの単位時間あたりの数が
実質的に減少するためであると考えられる。
【００１０】そこで本発明者はウエハの周縁部にて上部
電極と下部電極とのギャップｈを小さくし、ウエハの中
心部にてギャップｈが大きくなるようにすれば、ウエハ
の周縁部におけるエッチングレートを高くできかつウエ
ハの中心部にてエッチングレートを低くできるとの考え
に想到し、本発明を完成させたのである。
電極と下部電極とのギャップｈを小さくし、ウエハの中
心部にてギャップｈが大きくなるようにすれば、ウエハ
の周縁部におけるエッチングレートを高くできかつウエ
ハの中心部にてエッチングレートを低くできるとの考え
に想到し、本発明を完成させたのである。
【００１１】すなわち、本発明に係るエッチング装置
は、チャンバ内に上部電極と下部電極とが対向して設け
られ、これら上部電極と下部電極との間にプラズマを発
生させて下部電極の上面に保持させるウエハの被処理物
をエッチングするものにおいて、上部電極の下面が、こ
の下面の略中央部よりも周縁部にて上部電極と下部電極
との間隙が小さくなるように凹型に湾曲した形状に形成
された構成となっている。
は、チャンバ内に上部電極と下部電極とが対向して設け
られ、これら上部電極と下部電極との間にプラズマを発
生させて下部電極の上面に保持させるウエハの被処理物
をエッチングするものにおいて、上部電極の下面が、こ
の下面の略中央部よりも周縁部にて上部電極と下部電極
との間隙が小さくなるように凹型に湾曲した形状に形成
された構成となっている。
【００１２】上記の発明では、上部電極の下面が、その
略中央部より周縁部にて上部電極と下部電極とのギャッ
プが小さくなるように凹型に湾曲した形状に形成されて
いるため、上部電極と下部電極との間にプラズマを発生
させた際、上部電極の下面の略中央部より周縁部にてプ
ラズマの単位面積当たりの密度が高くなり、下部電極の
上面に保持されたウエハの周縁部の被処理物と反応する
プラズマの単位時間あたりの数が実質的に増加する。よ
って、たとえウエハの周縁部にてエッチングガスの対流
が起きて、ウエハの周縁部に反応生成物が堆積し易い状
態になっていても、ウエハの周縁部のエッチングレート
の低下が抑制される。
略中央部より周縁部にて上部電極と下部電極とのギャッ
プが小さくなるように凹型に湾曲した形状に形成されて
いるため、上部電極と下部電極との間にプラズマを発生
させた際、上部電極の下面の略中央部より周縁部にてプ
ラズマの単位面積当たりの密度が高くなり、下部電極の
上面に保持されたウエハの周縁部の被処理物と反応する
プラズマの単位時間あたりの数が実質的に増加する。よ
って、たとえウエハの周縁部にてエッチングガスの対流
が起きて、ウエハの周縁部に反応生成物が堆積し易い状
態になっていても、ウエハの周縁部のエッチングレート
の低下が抑制される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明に係るエッチング装
置の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明
に係るエッチング装置の一実施形態の概略構成図であ
り、図２は図１の要部拡大断面図である。また図１およ
び図２は、下部電極の上面にウエハが保持された状態を
示してある。
置の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明
に係るエッチング装置の一実施形態の概略構成図であ
り、図２は図１の要部拡大断面図である。また図１およ
び図２は、下部電極の上面にウエハが保持された状態を
示してある。
【００１４】図１に示すように、このエッチング装置１
はナローギャップ平行平板型のもので、密閉容器からな
るチャンバ２と、チャンバ２内に対向して配置された上
部電極３および下部電極４とを備えて構成されている。
上部電極３の下面３ａは図２にも示すように、下面３ａ
の略中央部における上部電極３と下部電極４とのギャッ
プｈ1 が、下面３ａの周縁部における上部電極３と下部
電極４とのギャップｈ2 よりも大きくなるように、凹状
に湾曲した状態に形成されている。
はナローギャップ平行平板型のもので、密閉容器からな
るチャンバ２と、チャンバ２内に対向して配置された上
部電極３および下部電極４とを備えて構成されている。
上部電極３の下面３ａは図２にも示すように、下面３ａ
の略中央部における上部電極３と下部電極４とのギャッ
プｈ1 が、下面３ａの周縁部における上部電極３と下部
電極４とのギャップｈ2 よりも大きくなるように、凹状
に湾曲した状態に形成されている。
【００１５】本実施形態では、上部電極３は処理するウ
エハ１０と略等しい径の平面視略円形をなし、上部電極
３の略中央部から周縁部に向かうにつれて厚みが増すよ
うに形成されている。また下面３ａの湾曲状態は、エッ
チングレートの低下状態やギャップの寸法等を考慮して
設定している。
エハ１０と略等しい径の平面視略円形をなし、上部電極
３の略中央部から周縁部に向かうにつれて厚みが増すよ
うに形成されている。また下面３ａの湾曲状態は、エッ
チングレートの低下状態やギャップの寸法等を考慮して
設定している。
【００１６】また上部電極３には、上部電極３の下面３
ａから下部電極４の上面４ａに向けてエッチングガスを
噴き出させるためのエッチングガスの導入管５が多数埋
設されており、したがって上部電極３の下面３ａにエッ
チングガスの噴き出し口５ａが多数形成された状態にな
っている。なお、図２においてはエッチングガスの導入
管５および噴き出し口５ａの図示を省略してある。また
上部電極３には、導入管５に連通する状態でエッチング
ガスの供給管６が接続されている。さらに本実施形態に
おいて、上部電極３には高周波電源（ＲＦ電源）７が接
続されている。
ａから下部電極４の上面４ａに向けてエッチングガスを
噴き出させるためのエッチングガスの導入管５が多数埋
設されており、したがって上部電極３の下面３ａにエッ
チングガスの噴き出し口５ａが多数形成された状態にな
っている。なお、図２においてはエッチングガスの導入
管５および噴き出し口５ａの図示を省略してある。また
上部電極３には、導入管５に連通する状態でエッチング
ガスの供給管６が接続されている。さらに本実施形態に
おいて、上部電極３には高周波電源（ＲＦ電源）７が接
続されている。
【００１７】一方、下部電極４はウエハ１０の保持台を
兼ねたものであり、上部電極３と同様に本実施形態にお
いて、処理するウエハ１０と略等しい径の平面視略円形
をなすとともに、ウエハ１０を保持する上面４ａが略平
坦に形成されている。また図示しないが例えば内部に、
ウエハ１０を所定の温度に加熱するためのヒータや所定
の温度に冷却するための冷却水の循環機構等が埋設され
ている。なお、下部電極４の上面には、例えばヘリウム
（Ｈｅ）ガスや窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスを冷却
ガスとして噴き出すための溝や孔が設けられていてもよ
い。また本実施形態において、下部電極４は接地されて
いる。
兼ねたものであり、上部電極３と同様に本実施形態にお
いて、処理するウエハ１０と略等しい径の平面視略円形
をなすとともに、ウエハ１０を保持する上面４ａが略平
坦に形成されている。また図示しないが例えば内部に、
ウエハ１０を所定の温度に加熱するためのヒータや所定
の温度に冷却するための冷却水の循環機構等が埋設され
ている。なお、下部電極４の上面には、例えばヘリウム
（Ｈｅ）ガスや窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスを冷却
ガスとして噴き出すための溝や孔が設けられていてもよ
い。また本実施形態において、下部電極４は接地されて
いる。
【００１８】上部電極３と下部電極４とが設けられたチ
ャンバ２の例えば底部には、チャンバ２内のガスを排気
するためのガス排気口８が形成されており、ガス排気口
８には、例えばターボポンプからなる負圧源（図示省
略）が接続されている。よって、チャンバ２内は負圧源
により内部が排気されて所定の真空状態に保持されるよ
うになっている。
ャンバ２の例えば底部には、チャンバ２内のガスを排気
するためのガス排気口８が形成されており、ガス排気口
８には、例えばターボポンプからなる負圧源（図示省
略）が接続されている。よって、チャンバ２内は負圧源
により内部が排気されて所定の真空状態に保持されるよ
うになっている。
【００１９】このように構成されたエッチング装置１で
は、チャンバ２内を所定の真空状態に保持し、上部電極
３の噴き出し口５ａからエッチングガスを噴き出させる
ともに、上部電極３と下部電極４との間にＲＦ電圧を印
加することによりエッチングガスのプラズマを発生す
る。そして、下部電極４の上面に保持されたウエハ１０
の被処理物をエッチングする。
は、チャンバ２内を所定の真空状態に保持し、上部電極
３の噴き出し口５ａからエッチングガスを噴き出させる
ともに、上部電極３と下部電極４との間にＲＦ電圧を印
加することによりエッチングガスのプラズマを発生す
る。そして、下部電極４の上面に保持されたウエハ１０
の被処理物をエッチングする。
【００２０】この際、上部電極３の下面３ａが、その周
縁部における上部電極３と下部電極４とのギャップｈ1
が、下面３ａの略中央部における上部電極３と下部電極
４とのギャップｈ2 よりも大きくなるように凹状に湾曲
した状態に形成されているため、上部電極３と下部電極
４との間に発生するプラズマの単位面積当たりの密度が
上部電極３の略中央部よりも周縁部で高くなる。つまり
下部電極４の上面に保持されたウエハ１０の周縁部上で
プラズマの単位面積当たりの密度が高くなるため、ウエ
ハ１０の周縁部における被処理物と反応するプラズマの
単位時間あたりの数が実質的に増加することになる。
縁部における上部電極３と下部電極４とのギャップｈ1
が、下面３ａの略中央部における上部電極３と下部電極
４とのギャップｈ2 よりも大きくなるように凹状に湾曲
した状態に形成されているため、上部電極３と下部電極
４との間に発生するプラズマの単位面積当たりの密度が
上部電極３の略中央部よりも周縁部で高くなる。つまり
下部電極４の上面に保持されたウエハ１０の周縁部上で
プラズマの単位面積当たりの密度が高くなるため、ウエ
ハ１０の周縁部における被処理物と反応するプラズマの
単位時間あたりの数が実質的に増加することになる。
【００２１】その結果、たとえウエハ１０の周縁部にて
エッチングガスの対流が起きて、ウエハ１０の周縁部に
反応生成物が堆積し易い状態になっていても、ウエハ１
０の周縁部のエッチングレートの低下を抑制することが
でき、ウエハ１０の中央部のエッチングレートと略等し
くすることができるので、ウエハ１０面内におけるエッ
チング均一性を向上させることができる。したがって、
エッチング装置１を用いれば、信頼性が高く品質の良い
半導体装置を歩留りの良く製造することができる。
エッチングガスの対流が起きて、ウエハ１０の周縁部に
反応生成物が堆積し易い状態になっていても、ウエハ１
０の周縁部のエッチングレートの低下を抑制することが
でき、ウエハ１０の中央部のエッチングレートと略等し
くすることができるので、ウエハ１０面内におけるエッ
チング均一性を向上させることができる。したがって、
エッチング装置１を用いれば、信頼性が高く品質の良い
半導体装置を歩留りの良く製造することができる。
【００２２】しかも、新たに部材を追加する必要がな
く、上部電極３の下面３ａの形状を変えるだけで大幅な
変更もなくエッチング均一性の向上を図れるため、エッ
チング装置１の製造コストの上昇も抑えることができ
る。
く、上部電極３の下面３ａの形状を変えるだけで大幅な
変更もなくエッチング均一性の向上を図れるため、エッ
チング装置１の製造コストの上昇も抑えることができ
る。
【００２３】なお、本実施形態では上部電極および下部
電極をウエハの径と略等しい径を有する平面視略円形と
したが、ウエハの径よりも大きい径を有する平面視略円
形をなすとともに下面全面が凹型に湾曲した状態に形成
することもできる。
電極をウエハの径と略等しい径を有する平面視略円形と
したが、ウエハの径よりも大きい径を有する平面視略円
形をなすとともに下面全面が凹型に湾曲した状態に形成
することもできる。
【００２４】また上部電極の下面が、図１および図２に
示すようにウエハ１０の周縁部におけるギャップｈ1 が
ウエハ１０の中央部におけるギャップｈ2 よりも小さく
なるなるよう凹型に湾曲した状態に形成されていれば、
上部電極の下面の形状はこの例に限定されない。
示すようにウエハ１０の周縁部におけるギャップｈ1 が
ウエハ１０の中央部におけるギャップｈ2 よりも小さく
なるなるよう凹型に湾曲した状態に形成されていれば、
上部電極の下面の形状はこの例に限定されない。
【００２５】例えばウエハ１０の径よりも大きな径の上
部電極３とした場合には、図３の変形例に示すように上
部電極３の下面３ａの凹型に湾曲した部分３ａ1 から外
方に延出した部分３ａ2 を、凹型に湾曲した部分３ａ1
の周縁から水平方向に延出して平坦な面（以下、この面
を３ａ2 と記す）に形成することも可能である。この変
形例では、上部電極３と下部電極４とを対向して配置す
る際、上部電極３の下面３ａの平坦な面３ａ2 と下部電
極４の上面４ａとを基準にして上部電極３や下部電極４
を位置決めし易いという利点がある。
部電極３とした場合には、図３の変形例に示すように上
部電極３の下面３ａの凹型に湾曲した部分３ａ1 から外
方に延出した部分３ａ2 を、凹型に湾曲した部分３ａ1
の周縁から水平方向に延出して平坦な面（以下、この面
を３ａ2 と記す）に形成することも可能である。この変
形例では、上部電極３と下部電極４とを対向して配置す
る際、上部電極３の下面３ａの平坦な面３ａ2 と下部電
極４の上面４ａとを基準にして上部電極３や下部電極４
を位置決めし易いという利点がある。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るエッチ
ング装置よれば、上部電極の下面が、その下面の略中央
部より周縁部にて上部電極と下部電極とのギャップが小
さくなるように凹型に湾曲した形状に形成された構成と
したため、上部電極と下部電極との間にプラズマを発生
させた際、上部電極の下面の略中央部より周縁部にてプ
ラズマの単位面積当たりの密度を高くすることができ
る。よって、たとえウエハの周縁部にてエッチングガス
の対流が起きて、ウエハの周縁部に反応生成物が堆積し
易い状態になっていても、ウエハの周縁部のエッチング
レートの低下を抑制でき、ウエハの中央部のエッチング
レートと略等しくすることができるので、ウエハ面内に
おけるエッチング均一性を向上させることができる。し
たがって、本発明のエッチング装置を用いれば、信頼性
が高く品質の良い半導体装置を歩留りの良く製造するこ
とが可能になる。
ング装置よれば、上部電極の下面が、その下面の略中央
部より周縁部にて上部電極と下部電極とのギャップが小
さくなるように凹型に湾曲した形状に形成された構成と
したため、上部電極と下部電極との間にプラズマを発生
させた際、上部電極の下面の略中央部より周縁部にてプ
ラズマの単位面積当たりの密度を高くすることができ
る。よって、たとえウエハの周縁部にてエッチングガス
の対流が起きて、ウエハの周縁部に反応生成物が堆積し
易い状態になっていても、ウエハの周縁部のエッチング
レートの低下を抑制でき、ウエハの中央部のエッチング
レートと略等しくすることができるので、ウエハ面内に
おけるエッチング均一性を向上させることができる。し
たがって、本発明のエッチング装置を用いれば、信頼性
が高く品質の良い半導体装置を歩留りの良く製造するこ
とが可能になる。
【図１】本発明に係るエッチング装置の一実施形態を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
【図２】図１の要部拡大断面図である。
【図３】図１の要部の変形例を示す断面図である。
【図４】従来のエッチング装置の一例を示す概略構成図
である。
である。
【図５】（ａ），（ｂ）は本発明の課題を説明するため
の図である。
の図である。
【図６】エッチングレートと上部電極および下部電極の
ギャップｈとの関係を示す図である。
ギャップｈとの関係を示す図である。
１…エッチング装置、２…チャンバ、３…上部電極、３
ａ…下面、４…下部電極、４ａ…上面、１０…ウエハ、
ｈ1,ｈ2 …ギャップ
ａ…下面、４…下部電極、４ａ…上面、１０…ウエハ、
ｈ1,ｈ2 …ギャップ
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバ内に上部電極と下部電極とが対
向して設けられ、これら上部電極と下部電極との間にプ
ラズマを発生させて下部電極の上面に保持されるウエハ
の被処理物をエッチングするエッチング装置において、 前記上部電極の下面は、該下面の略中央部よりも周縁部
にて該上部電極と前記下部電極との間隙が小さくなるよ
うに凹型に湾曲した形状に形成されてなることを特徴と
するエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12435198A JPH11317396A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12435198A JPH11317396A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317396A true JPH11317396A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14883240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12435198A Pending JPH11317396A (ja) | 1998-05-07 | 1998-05-07 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11317396A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446048B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching apparatus and dry etching method |
| US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| JP2009032885A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | プラズマエッチング装置 |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| JP2010541170A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | エリコン・ソーラー・アイピー・アーゲー・トリュプバッハ | 活性膜の堆積 |
-
1998
- 1998-05-07 JP JP12435198A patent/JPH11317396A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7556740B2 (en) | 2002-08-27 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7459098B2 (en) * | 2002-08-28 | 2008-12-02 | Kyocera Corporation | Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein |
| US7556741B2 (en) | 2002-08-28 | 2009-07-07 | Kyocera Corporation | Method for producing a solar cell |
| US7446048B2 (en) | 2004-01-30 | 2008-11-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching apparatus and dry etching method |
| JP2009032885A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JP2010541170A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | エリコン・ソーラー・アイピー・アーゲー・トリュプバッハ | 活性膜の堆積 |
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