JPH1131778A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
半導体装置とその製造方法Info
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- JPH1131778A JPH1131778A JP18476097A JP18476097A JPH1131778A JP H1131778 A JPH1131778 A JP H1131778A JP 18476097 A JP18476097 A JP 18476097A JP 18476097 A JP18476097 A JP 18476097A JP H1131778 A JPH1131778 A JP H1131778A
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- lead
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 インナーリードを固定支持し、かつ半導体素
子を搭載するためにリードフレームの裏面に沿って樹脂
フィルムを配設すると、インナーリードに対するワイヤ
のボンディング性が低下され、かつ樹脂フィルムの厚さ
分だけ半導体装置の薄型化が困難になる。 【解決手段】 インナーリード２間に樹脂フィルム１０
を充填して複数のインナーリードを一体的に固定支持し
ているので、各インナーリードの裏面側に厚目のフィル
ムが存在することがなく、ボンディングワイヤ４を接続
する際のボンディング荷重や超音波振動がインナーリー
ド２において有効に作用され、ボンディング性が改善さ
れる。また、樹脂フィルム１０上に半導体素子３を搭載
することで、ダイパッドが不要になり、ダイパッド分の
半導体装置の薄型化が可能になる。
子を搭載するためにリードフレームの裏面に沿って樹脂
フィルムを配設すると、インナーリードに対するワイヤ
のボンディング性が低下され、かつ樹脂フィルムの厚さ
分だけ半導体装置の薄型化が困難になる。 【解決手段】 インナーリード２間に樹脂フィルム１０
を充填して複数のインナーリードを一体的に固定支持し
ているので、各インナーリードの裏面側に厚目のフィル
ムが存在することがなく、ボンディングワイヤ４を接続
する際のボンディング荷重や超音波振動がインナーリー
ド２において有効に作用され、ボンディング性が改善さ
れる。また、樹脂フィルム１０上に半導体素子３を搭載
することで、ダイパッドが不要になり、ダイパッド分の
半導体装置の薄型化が可能になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレームを用
いた半導体装置に関し、特に複数本のインナーリードを
固定支持する構造を含む半導体装置およびその製造方法
に関する。
いた半導体装置に関し、特に複数本のインナーリードを
固定支持する構造を含む半導体装置およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、リードフレームに半導体素子１を
搭載し、樹脂やセラミック等で封止する構成の半導体装
置では、微細幅に形成されている複数本のインナーリー
ドが曲げや変形によって隣接リード間で短絡することを
防止するために、インナーリードを固定支持する構成が
とられている。例えば、特開平８−３０６８５４号公報
に記載されているように、リードフレームを用いたＢＧ
Ａ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置に多く見ら
れる。これらの半導体装置の一例を図６に示す。図６
（ａ），（ｂ）はその平面図とＣＣ線断面図である。リ
ードフレーム１は、半導体素子３を搭載するダイパッド
６と、これを支持するための吊りリード７と、前記ダイ
パッド６に向かって放射状に形成されたインナーリード
２と、このインナーリード２の外側に延長される図外の
アウターリードで構成される。そして、前記インナーリ
ード２の先端部と半導体素子３の電極パッド３ａとをボ
ンディングワイヤ４で接続し、図外の樹脂により封止を
行っている。
搭載し、樹脂やセラミック等で封止する構成の半導体装
置では、微細幅に形成されている複数本のインナーリー
ドが曲げや変形によって隣接リード間で短絡することを
防止するために、インナーリードを固定支持する構成が
とられている。例えば、特開平８−３０６８５４号公報
に記載されているように、リードフレームを用いたＢＧ
Ａ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置に多く見ら
れる。これらの半導体装置の一例を図６に示す。図６
（ａ），（ｂ）はその平面図とＣＣ線断面図である。リ
ードフレーム１は、半導体素子３を搭載するダイパッド
６と、これを支持するための吊りリード７と、前記ダイ
パッド６に向かって放射状に形成されたインナーリード
２と、このインナーリード２の外側に延長される図外の
アウターリードで構成される。そして、前記インナーリ
ード２の先端部と半導体素子３の電極パッド３ａとをボ
ンディングワイヤ４で接続し、図外の樹脂により封止を
行っている。
【０００３】ここで、前記インナーリード２の曲げ、変
形による隣接インナーリード２の短絡を防止するため
に、図７に図６のＤＤ線断面図を示すように、インナー
リード２の先端部の裏面側はダイパッド６の裏面側にま
で延長されている絶縁性フィルム３０により接着支持さ
れている。この絶縁性フィルム３０は、ポリイミドフィ
ルムからなるベースフィルム３１と熟梗化樹脂からなる
接着剤３２の２層構造を有しており、インナーリード２
の先端部およびダイパッド６に対して、加熱、圧着によ
り貼り付けられている。なお、３３は各インナーリード
２を後述するように分離する際に利用されるスリットで
ある。
形による隣接インナーリード２の短絡を防止するため
に、図７に図６のＤＤ線断面図を示すように、インナー
リード２の先端部の裏面側はダイパッド６の裏面側にま
で延長されている絶縁性フィルム３０により接着支持さ
れている。この絶縁性フィルム３０は、ポリイミドフィ
ルムからなるベースフィルム３１と熟梗化樹脂からなる
接着剤３２の２層構造を有しており、インナーリード２
の先端部およびダイパッド６に対して、加熱、圧着によ
り貼り付けられている。なお、３３は各インナーリード
２を後述するように分離する際に利用されるスリットで
ある。
【０００４】このリードフレーム１は図８（ａ）に示す
ように、一般のリードフレームと同様、エッチング加工
またはプレス加工で製造され、工程中のリード変形を防
止するため、インナーリード２の先端部はインナーリー
ド先端連結部５により連結されており、メッキ工程と絶
縁性フィルム貼付工程後、各インナーリード２を分離独
立させるために切断される。また、前記絶縁性フィルム
３０は、図８（ｂ）に示すように、前記インナーリード
２とダイパッド６の裏面ヘの貼り付け後、インナーリー
ド先端連結部５を切断できるようにスリット３３を予め
設けた後に、貼り付けられる。その後、不要となったイ
ンナーリード先端連結部５を、図外の切断パンチとダイ
からなる切断金型にて切断して、リードフレームが完成
する。これ以降は、ダイパッド６上に半導体素子３を搭
載し、半導体素子３の各電極３ａとインナーリード２の
先端とをボンディングワイヤ４で接続し、樹脂封止工
程、半田ボール付け等の仕上げ工程を経て半導体装置の
製造工程が完了する。
ように、一般のリードフレームと同様、エッチング加工
またはプレス加工で製造され、工程中のリード変形を防
止するため、インナーリード２の先端部はインナーリー
ド先端連結部５により連結されており、メッキ工程と絶
縁性フィルム貼付工程後、各インナーリード２を分離独
立させるために切断される。また、前記絶縁性フィルム
３０は、図８（ｂ）に示すように、前記インナーリード
２とダイパッド６の裏面ヘの貼り付け後、インナーリー
ド先端連結部５を切断できるようにスリット３３を予め
設けた後に、貼り付けられる。その後、不要となったイ
ンナーリード先端連結部５を、図外の切断パンチとダイ
からなる切断金型にて切断して、リードフレームが完成
する。これ以降は、ダイパッド６上に半導体素子３を搭
載し、半導体素子３の各電極３ａとインナーリード２の
先端とをボンディングワイヤ４で接続し、樹脂封止工
程、半田ボール付け等の仕上げ工程を経て半導体装置の
製造工程が完了する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の半導体装置では、インナーリード２の裏面側に絶縁
性フィルム３０が存在しているため、インナーリード２
の先端部に対してボンディングワイヤ４をボンディング
する際にインナーリード２に加えられる荷重や超音波振
動がインナーリード２から絶縁性フィルム３０ヘ逃げて
しまうため、ボンディングに必要な荷重がインナーリー
ド２において有効に作用しなくなり、ボンディング性が
低下するという問題が生じる。特に、絶縁性フィルム３
０は、インナーリード２を構成するＦｅ−Ｎｉ合金や銅
合金に比べて格段に軟らかく、弾性率で比較するとポリ
イミドベースの絶縁性フィルムが３００ｋｇ／ｍｍ2 、
Ｆｅ−Ｎｉ合金が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 、銅合金が１
２５００ｋｇ／ｍｍ2 と格段の差があるため、加重の殆
どが絶縁性フィルム３０に吸収されてしまうことにな
る。
来の半導体装置では、インナーリード２の裏面側に絶縁
性フィルム３０が存在しているため、インナーリード２
の先端部に対してボンディングワイヤ４をボンディング
する際にインナーリード２に加えられる荷重や超音波振
動がインナーリード２から絶縁性フィルム３０ヘ逃げて
しまうため、ボンディングに必要な荷重がインナーリー
ド２において有効に作用しなくなり、ボンディング性が
低下するという問題が生じる。特に、絶縁性フィルム３
０は、インナーリード２を構成するＦｅ−Ｎｉ合金や銅
合金に比べて格段に軟らかく、弾性率で比較するとポリ
イミドベースの絶縁性フィルムが３００ｋｇ／ｍｍ2 、
Ｆｅ−Ｎｉ合金が１５０００ｋｇ／ｍｍ2 、銅合金が１
２５００ｋｇ／ｍｍ2 と格段の差があるため、加重の殆
どが絶縁性フィルム３０に吸収されてしまうことにな
る。
【０００６】また、絶縁性フィルム３０がインナーリー
ド２の先端部裏面だけでなく、ダイパッド６の裏面にも
接着されているため、絶縁性フィルム３０とダイパッド
６と半導体素子３の分の厚さとボンディングワイヤ４の
ループ高さ分を合計すると、最低でも０．６７〜０．６
８ｍｍは必要で、これを樹脂封止するとなると、半導体
装置全体の厚さはさらにこれ以上の厚さが必要となり、
半導体装置の薄型が困難になるという問題もある。
ド２の先端部裏面だけでなく、ダイパッド６の裏面にも
接着されているため、絶縁性フィルム３０とダイパッド
６と半導体素子３の分の厚さとボンディングワイヤ４の
ループ高さ分を合計すると、最低でも０．６７〜０．６
８ｍｍは必要で、これを樹脂封止するとなると、半導体
装置全体の厚さはさらにこれ以上の厚さが必要となり、
半導体装置の薄型が困難になるという問題もある。
【０００７】本発明は前記したような問題点を解決する
ものであり、ワイヤーボンディング性に優れ、半導体装
置の薄型化を可能にする半導体装置とその製造方法を提
供することを目的とする。
ものであり、ワイヤーボンディング性に優れ、半導体装
置の薄型化を可能にする半導体装置とその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
樹脂フィルム上に搭載された半導体素子と、前記半導体
素子の周囲に配置された複数本のインナーリードとを備
えており、前記半導体素子とインナーリードとがボンデ
ィングワイヤで接続され、かつ前記各インナーリードに
は隣接するインナーリード間に前記樹脂フィルムの一部
が埋め込まれていることを特徴とする。この樹脂フィル
ムは熱可塑フィルムから構成されることが好ましい。
樹脂フィルム上に搭載された半導体素子と、前記半導体
素子の周囲に配置された複数本のインナーリードとを備
えており、前記半導体素子とインナーリードとがボンデ
ィングワイヤで接続され、かつ前記各インナーリードに
は隣接するインナーリード間に前記樹脂フィルムの一部
が埋め込まれていることを特徴とする。この樹脂フィル
ムは熱可塑フィルムから構成されることが好ましい。
【０００９】また、本発明の製造方法は、複数本のイン
ナーリードを有するリードフレームを形成する工程と、
前記リードフレームに対して樹脂フィルムを厚さ方向か
ら熱圧着し、前記樹脂フィルムの一部を前記インナーリ
ード間に埋め込む工程と、前記インナーリード間および
半導体素子の搭載領域を残して前記樹脂フィルムを切断
除去する工程と、前記搭載領域の樹脂フィルム上に半導
体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記インナ
ーリードとをボンディングワイヤにより接続する工程を
含むことを特徴とする。ここで、前記樹脂フィルムは熱
可塑フィルムから構成されることが好ましい。また、前
記リードフレームは複数のインナーリードが連結部によ
って連結されており、前記樹脂フィルムを切断除去する
ときに前記インナーリードフレームの連結部を同時に切
断除去することが好ましい。
ナーリードを有するリードフレームを形成する工程と、
前記リードフレームに対して樹脂フィルムを厚さ方向か
ら熱圧着し、前記樹脂フィルムの一部を前記インナーリ
ード間に埋め込む工程と、前記インナーリード間および
半導体素子の搭載領域を残して前記樹脂フィルムを切断
除去する工程と、前記搭載領域の樹脂フィルム上に半導
体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記インナ
ーリードとをボンディングワイヤにより接続する工程を
含むことを特徴とする。ここで、前記樹脂フィルムは熱
可塑フィルムから構成されることが好ましい。また、前
記リードフレームは複数のインナーリードが連結部によ
って連結されており、前記樹脂フィルムを切断除去する
ときに前記インナーリードフレームの連結部を同時に切
断除去することが好ましい。
【００１０】樹脂フィルムを熟圧着でインナーリード間
に埋め込むことにより、インナーリード先端部の裏面側
にフィルムが存在されることはなく、ボンディング荷重
や超音波振動等のロスがなくなり、ワイヤボンディング
性の向上が図れる。また、インナーリードを固定支持す
る樹脂フィルム上に半導体素子が搭載されるため、ダイ
パッドが不要になり、ダイパッド分だけ半導体装置の薄
型化が図れる。
に埋め込むことにより、インナーリード先端部の裏面側
にフィルムが存在されることはなく、ボンディング荷重
や超音波振動等のロスがなくなり、ワイヤボンディング
性の向上が図れる。また、インナーリードを固定支持す
る樹脂フィルム上に半導体素子が搭載されるため、ダイ
パッドが不要になり、ダイパッド分だけ半導体装置の薄
型化が図れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態を
説明する図面であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ線
断面図である。リードフレーム１は、ダイパッド及び吊
りリードが設けられておらず、半導体素子の搭載部を包
囲するように複数本のインナーリード２が配置されてい
る。このインナーリード２の外側には図外のアウターリ
ードが延長されていることは言うまでもない。そして、
前記各インナーリード２の間には、図２に図１のＢＢ線
断面図を示すように、インナーリード２と略同じ厚さに
形成された熟可塑フィルム１０の一部１０ａが埋設され
ており、この熱可塑フィルム１０ａによって前記各イン
ナーリード２がそれぞれ連結状態に固定支持されてい
る。また、この熟可塑フィルム１０は半導体素子３の搭
載部領域にわたっても形成されており、この搭載部領域
の熱可塑性フィルム１０ｂ上に半導体素子３が搭載され
ている。そして、半導体素子３の電極３ａと前記各イン
ナーリード２とがボンディングワイヤ４により電気接続
され、さらに図外の樹脂により封止が行われている。な
お、前記各インナーリード２の先端部に対応する位置の
前記熱可塑フィルム１０にはそれぞれが独立した状態の
スリット１１が設けられている。
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態を
説明する図面であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ線
断面図である。リードフレーム１は、ダイパッド及び吊
りリードが設けられておらず、半導体素子の搭載部を包
囲するように複数本のインナーリード２が配置されてい
る。このインナーリード２の外側には図外のアウターリ
ードが延長されていることは言うまでもない。そして、
前記各インナーリード２の間には、図２に図１のＢＢ線
断面図を示すように、インナーリード２と略同じ厚さに
形成された熟可塑フィルム１０の一部１０ａが埋設され
ており、この熱可塑フィルム１０ａによって前記各イン
ナーリード２がそれぞれ連結状態に固定支持されてい
る。また、この熟可塑フィルム１０は半導体素子３の搭
載部領域にわたっても形成されており、この搭載部領域
の熱可塑性フィルム１０ｂ上に半導体素子３が搭載され
ている。そして、半導体素子３の電極３ａと前記各イン
ナーリード２とがボンディングワイヤ４により電気接続
され、さらに図外の樹脂により封止が行われている。な
お、前記各インナーリード２の先端部に対応する位置の
前記熱可塑フィルム１０にはそれぞれが独立した状態の
スリット１１が設けられている。
【００１２】なお、前記熟可塑フィルム１０としては、
耐熱性等の観点からポリイミドフィルムが望ましく、材
料物性値はガラス転移温度（Ｔｇ）が約２５０℃前後
で、弾性率が２６０〜３００ｋｇ／ｍｍ2 、伸びも１０
０％前後で熱加工性に富んだものが最適である。この種
のフィルムの一例としては、例えば、三井東圧化学製の
熱可塑性ポリイミドフィルム“ＲＥＧＵＬＵＳ”などが
ある。また、熟可塑フィルム１０の厚さとしては、イン
ナーリード間だけを充填できる分だけあればよいので、
インナーリード２の厚さと同じかやや薄いものが用いら
れる。
耐熱性等の観点からポリイミドフィルムが望ましく、材
料物性値はガラス転移温度（Ｔｇ）が約２５０℃前後
で、弾性率が２６０〜３００ｋｇ／ｍｍ2 、伸びも１０
０％前後で熱加工性に富んだものが最適である。この種
のフィルムの一例としては、例えば、三井東圧化学製の
熱可塑性ポリイミドフィルム“ＲＥＧＵＬＵＳ”などが
ある。また、熟可塑フィルム１０の厚さとしては、イン
ナーリード間だけを充填できる分だけあればよいので、
インナーリード２の厚さと同じかやや薄いものが用いら
れる。
【００１３】この構成によれば、各インナーリード２
は、相互間に埋設されている熱可塑フィルム１０ａによ
って連結状態に固定支持されることになり、各インナー
リード２の曲げ、変形が防止され、隣接リード間の短絡
が防止されるとともに、ボンディングワイヤ４を好適に
接続することが可能となる。また、各インナーリード２
の先端部、すなわちボンディングワイヤ４のボンディン
グ点の直下には、従来のような絶縁性フィルムが存在し
ていないため、ボンディングのパワーが効率よくインナ
ーリード２に作用することになり、ボンディング荷重や
超音波振動のロスがなく、良好なボンディング性を確保
することができる。さらに、半導体素子３は熱可塑フィ
ルム１０ｂ上に搭載されているので、半導体素子３の下
側にダイパッドが存在することがなく、ダイパッド分の
厚さ分だけ薄型化が可能になり、半導体装置の薄型化に
有利となる。
は、相互間に埋設されている熱可塑フィルム１０ａによ
って連結状態に固定支持されることになり、各インナー
リード２の曲げ、変形が防止され、隣接リード間の短絡
が防止されるとともに、ボンディングワイヤ４を好適に
接続することが可能となる。また、各インナーリード２
の先端部、すなわちボンディングワイヤ４のボンディン
グ点の直下には、従来のような絶縁性フィルムが存在し
ていないため、ボンディングのパワーが効率よくインナ
ーリード２に作用することになり、ボンディング荷重や
超音波振動のロスがなく、良好なボンディング性を確保
することができる。さらに、半導体素子３は熱可塑フィ
ルム１０ｂ上に搭載されているので、半導体素子３の下
側にダイパッドが存在することがなく、ダイパッド分の
厚さ分だけ薄型化が可能になり、半導体装置の薄型化に
有利となる。
【００１４】次に、前記した半導体装置の製造方法を説
明する。先ず、図３に示すようにダイパッドがなく、半
導体装置の中心から放射状に延在するインナーリード２
と各インナーリード２の先端を連結するインナーリード
先端連結部５を備えたリードフレーム１を形成する。次
いで、図４（ａ）に示すように、前記リードフレーム１
を裏面側を上にしてステージ２１上に載置し、その上面
側から熱可塑フィルム１０を熱圧着する。この熱圧着
は、共にフラットな面を有し、かつヒータを内蔵した圧
着パンチ２２と前記ステージ２１から構成される金型を
使用する。その際の圧着条件としては、圧着パンチ２２
およびステージ２１の温度が２８０℃前後で、圧着加重
はインナーリード２先端のピッチにも依存するが１０〜
３０ｋｇｆ／ｍｍ2 の範囲で調整し、圧着時間としては
５ｓｅｃ程度である。この圧着により、熟可塑フィルム
１０の一部１０ａがインナーリード２間に埋め込まれ、
図４（ｂ）の状態となる。この段階で確実な圧着を行え
ば、図２に示したようにインナーリード２の裏面上に残
る熱可塑フィルム１０の厚さは最大で１０μｍに抑える
ことが可能であり、この程度の厚さであればボンディン
グ時への影響は皆無である。
明する。先ず、図３に示すようにダイパッドがなく、半
導体装置の中心から放射状に延在するインナーリード２
と各インナーリード２の先端を連結するインナーリード
先端連結部５を備えたリードフレーム１を形成する。次
いで、図４（ａ）に示すように、前記リードフレーム１
を裏面側を上にしてステージ２１上に載置し、その上面
側から熱可塑フィルム１０を熱圧着する。この熱圧着
は、共にフラットな面を有し、かつヒータを内蔵した圧
着パンチ２２と前記ステージ２１から構成される金型を
使用する。その際の圧着条件としては、圧着パンチ２２
およびステージ２１の温度が２８０℃前後で、圧着加重
はインナーリード２先端のピッチにも依存するが１０〜
３０ｋｇｆ／ｍｍ2 の範囲で調整し、圧着時間としては
５ｓｅｃ程度である。この圧着により、熟可塑フィルム
１０の一部１０ａがインナーリード２間に埋め込まれ、
図４（ｂ）の状態となる。この段階で確実な圧着を行え
ば、図２に示したようにインナーリード２の裏面上に残
る熱可塑フィルム１０の厚さは最大で１０μｍに抑える
ことが可能であり、この程度の厚さであればボンディン
グ時への影響は皆無である。
【００１５】こうして熱圧着を完了した後、図５に示す
ように、各インナーリード２を分離独立させるために、
インナーリード２の先端を連結しているインナーリード
先端連結部５を切断する。切断は、切断パンチ２３とダ
イ２４からなる切断金型で行われ、インナーリード先端
連結部５を切り落とすと同時に、熱可塑フィルム１０の
一部も切り落とす。これにより、図１に示したスリット
１１が形成される。その後、熱可塑フィルム１０の半導
体素子搭載領域１０ｂに半導体素子３を搭載し、かつ各
インナーリード２の先端部と半導体素子３とをボンディ
ングワイヤ４で接続し、樹脂封止工程を経て半専体装置
が完成する。
ように、各インナーリード２を分離独立させるために、
インナーリード２の先端を連結しているインナーリード
先端連結部５を切断する。切断は、切断パンチ２３とダ
イ２４からなる切断金型で行われ、インナーリード先端
連結部５を切り落とすと同時に、熱可塑フィルム１０の
一部も切り落とす。これにより、図１に示したスリット
１１が形成される。その後、熱可塑フィルム１０の半導
体素子搭載領域１０ｂに半導体素子３を搭載し、かつ各
インナーリード２の先端部と半導体素子３とをボンディ
ングワイヤ４で接続し、樹脂封止工程を経て半専体装置
が完成する。
【００１６】この製造方法では、従来と同様に金属板を
プレス加工して形成したリードフレームに対して、熱可
塑フィルムを熱圧着する工程だけで本発明にかかるイン
ナーリード構造が形成できるため、従来の製造工程に比
較しても製造工程が大幅に増大されるようなことはな
く、製造が容易であり、かつ製造コストを低く抑えるこ
とができる。なお、熱可塑フィルムは熱圧着後に硬化さ
れるため、半導体素子の搭載やインナーリードの固定支
持には十分な強度が得られる。
プレス加工して形成したリードフレームに対して、熱可
塑フィルムを熱圧着する工程だけで本発明にかかるイン
ナーリード構造が形成できるため、従来の製造工程に比
較しても製造工程が大幅に増大されるようなことはな
く、製造が容易であり、かつ製造コストを低く抑えるこ
とができる。なお、熱可塑フィルムは熱圧着後に硬化さ
れるため、半導体素子の搭載やインナーリードの固定支
持には十分な強度が得られる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、インナー
リード間に樹脂フィルムを充填させて複数のインナーリ
ードを一体的に固定支持しているので、各インナーリー
ドの裏面側に厚目のフィルムが存在することがなく、ボ
ンディングワイヤを接続する際のボンディング荷重や超
音波振動がインナーリードにおいて有効に作用され、ボ
ンディング性を大幅に改善することができる。また、樹
脂フィルム上に半導体素子を搭載することで、ダイパッ
ドが不要になり、ダイパッド分の半導体装置の薄型化が
可能になるという効果も得られる。
リード間に樹脂フィルムを充填させて複数のインナーリ
ードを一体的に固定支持しているので、各インナーリー
ドの裏面側に厚目のフィルムが存在することがなく、ボ
ンディングワイヤを接続する際のボンディング荷重や超
音波振動がインナーリードにおいて有効に作用され、ボ
ンディング性を大幅に改善することができる。また、樹
脂フィルム上に半導体素子を搭載することで、ダイパッ
ドが不要になり、ダイパッド分の半導体装置の薄型化が
可能になるという効果も得られる。
【図１】本発明の半導体装置の実施形態の平面図とその
ＡＡ線断面図である。
ＡＡ線断面図である。
【図２】図１のＢＢ線に沿う拡大断面図である。
【図３】図１の半導体装置を製造するリードフレームの
平面図である。
平面図である。
【図４】図１の半導体装置を製造する工程を示す断面図
である。
である。
【図５】図３に続く製造工程を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置の一例の平面図とそのＣＣ線
断面図である。
断面図である。
【図７】図６のＤＤ線に沿う拡大断面図である。
【図８】従来のリードフレームと絶縁性フィルムの各平
面図である。
面図である。
１ リードフレーム ２ インナーリード ３ 半導体素子 ４ ボンディングワイヤ ５ インナーリード先端連結部 ６ ダイパッド ７ 吊りリード １０ 熱可塑フィルム １１ スリット ３０ 絶縁性フィルム
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂フィルム上に搭載された半導体素子
と、前記半導体素子の周囲に配置された複数本のインナ
ーリードとを備え、前記半導体素子とインナーリードと
がボンディングワイヤで接続され、かつ前記各インナー
リードには隣接するインナーリード間に前記樹脂フィル
ムの一部が埋め込まれていることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】 前記樹脂フィルムが熱可塑フィルムから
構成される請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 複数本のインナーリードを有するリード
フレームを形成する工程と、前記リードフレームに対し
て樹脂フィルムを厚さ方向から熱圧着し、前記樹脂フィ
ルムの一部を前記インナーリード間に埋め込む工程と、
前記インナーリード間および半導体素子の搭載領域を残
して前記樹脂フィルムを切断除去する工程と、前記搭載
領域の樹脂フィルム上に半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子と前記インナーリードとをボンディング
ワイヤにより接続する工程を含むことを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記樹脂フィルムが熱可塑フィルムから
構成される請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記リードフレームは複数のインナーリ
ードが連結部によって連結されており、前記樹脂フィル
ムを切断除去するときに前記インナーリードフレームの
連結部を同時に切断除去する請求項３または４に記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18476097A JP3090096B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18476097A JP3090096B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1131778A true JPH1131778A (ja) | 1999-02-02 |
| JP3090096B2 JP3090096B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=16158860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18476097A Expired - Fee Related JP3090096B2 (ja) | 1997-07-10 | 1997-07-10 | 半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3090096B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033347A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2005024944A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp. | リードフレームおよびその製造方法 |
| US7078270B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-07-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
-
1997
- 1997-07-10 JP JP18476097A patent/JP3090096B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033347A (ja) * | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2005024944A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp. | リードフレームおよびその製造方法 |
| US7413930B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-08-19 | Renesas Technology Corp. | Lead frame and method of manufacturing the lead frame |
| US7078270B2 (en) | 2003-09-09 | 2006-07-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3090096B2 (ja) | 2000-09-18 |
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