JPH11322425A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH11322425A JPH11322425A JP10139616A JP13961698A JPH11322425A JP H11322425 A JPH11322425 A JP H11322425A JP 10139616 A JP10139616 A JP 10139616A JP 13961698 A JP13961698 A JP 13961698A JP H11322425 A JPH11322425 A JP H11322425A
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- mol
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- dielectric ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】比誘電率εr が大きく、共振周波数の温度係数
τf ができるだけ零に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しか
も、融点の低いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等
を内部電極材料に使用しても同時焼結できる誘電体磁器
組成物を提供すること。 【解決手段】 誘電体磁器組成物は、一般式が、ａＢｉ
Ｏ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-yＭｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ
5/2 （ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４
１．０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２
９．０≦ｃ≦３９．０（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）、
０≦ｘ≦０．４、０≦ｙ≦０．４の範囲にある。
τf ができるだけ零に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しか
も、融点の低いＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等
を内部電極材料に使用しても同時焼結できる誘電体磁器
組成物を提供すること。 【解決手段】 誘電体磁器組成物は、一般式が、ａＢｉ
Ｏ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-yＭｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ
5/2 （ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４
１．０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２
９．０≦ｃ≦３９．０（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）、
０≦ｘ≦０．４、０≦ｙ≦０．４の範囲にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主にマイクロ波帯
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に
関する。
域用の通信や放送機器に使用される誘電体磁器組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信技術の進歩により、自動車電
話や携帯電話、ＰＨＳなどの移動体通信システム，ＧＰ
Ｓ（Global Positioning System ）が急速に普及してい
る。そのため通信に利用される周波数帯域が拡大し、マ
イクロ波帯域での利用が盛んになっている。古くは、こ
のマイクロ波帯域で使用される回路には、空洞共振器，
アンテナ等が用いられていた。しかし、これら部品は、
マイクロ波の波長と同程度の大きさになるため、自動車
用電話機，携帯電話機，小型ＧＰＳ装置等に適用できる
ような部品の小型化は不可能であつた。
話や携帯電話、ＰＨＳなどの移動体通信システム，ＧＰ
Ｓ（Global Positioning System ）が急速に普及してい
る。そのため通信に利用される周波数帯域が拡大し、マ
イクロ波帯域での利用が盛んになっている。古くは、こ
のマイクロ波帯域で使用される回路には、空洞共振器，
アンテナ等が用いられていた。しかし、これら部品は、
マイクロ波の波長と同程度の大きさになるため、自動車
用電話機，携帯電話機，小型ＧＰＳ装置等に適用できる
ような部品の小型化は不可能であつた。
【０００３】これに対し、近年マイクロ波フィルタや発
信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることに
よつて、回路部品の小型化が盛んにおこなわれ、一般化
しつつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電
体材料の要求特性は、使用周波数帯域における比誘電率
εr が大きいこと、共振周波数の温度係数τf ができる
だけ零に近いこと、マイクロ波帯域での誘電損失ｔａｎ
δ（＝１／Ｑ）が小さいことが挙げられる。尚、マイク
ロ波帯域での誘電損失ｔａｎδの大小は、一般的にＱ×
ｆの形で表現される（ｆはそのときの共振周波数）。そ
のため、以下Ｑ×ｆの表現を用いる。
信器の周波数安定化回路に誘電体共振器を用いることに
よつて、回路部品の小型化が盛んにおこなわれ、一般化
しつつある。このような誘電体共振器に用いられる誘電
体材料の要求特性は、使用周波数帯域における比誘電率
εr が大きいこと、共振周波数の温度係数τf ができる
だけ零に近いこと、マイクロ波帯域での誘電損失ｔａｎ
δ（＝１／Ｑ）が小さいことが挙げられる。尚、マイク
ロ波帯域での誘電損失ｔａｎδの大小は、一般的にＱ×
ｆの形で表現される（ｆはそのときの共振周波数）。そ
のため、以下Ｑ×ｆの表現を用いる。
【０００４】これまで、マイクロ波用、或いは温度補償
用コンデンサの誘電体磁器組成物としては、Ｂａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系，ＢａＯ−ＴｉＯ2 系，ＺｒＯ2
−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系，ＢａＯ−希士類酸化物−Ｔｉ
Ｏ2 系，（Ｐｂ，Ｃａ）ＺｒＯ3 等の材料が知られてい
る。
用コンデンサの誘電体磁器組成物としては、Ｂａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系，ＢａＯ−ＴｉＯ2 系，ＺｒＯ2
−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系，ＢａＯ−希士類酸化物−Ｔｉ
Ｏ2 系，（Ｐｂ，Ｃａ）ＺｒＯ3 等の材料が知られてい
る。
【０００５】しかし、これまでに開示されている組成の
材料では、マイクロ波帯域において、比誘電率εr が大
きいほどＱ×ｆが小さいという傾向があった。その欠点
を解決するために本発明者らは、比誘電率εr が１１０
以上で、共振周波数の温度係数の絶対値｜τf ｜が小さ
く、Ｑ×ｆが十分大きい組成として、ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ
3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を、提案した
（特開平７−１７２９１２号公報、参照）。
材料では、マイクロ波帯域において、比誘電率εr が大
きいほどＱ×ｆが小さいという傾向があった。その欠点
を解決するために本発明者らは、比誘電率εr が１１０
以上で、共振周波数の温度係数の絶対値｜τf ｜が小さ
く、Ｑ×ｆが十分大きい組成として、ＢａＯ−Ｌａ2Ｏ
3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2 を、提案した
（特開平７−１７２９１２号公報、参照）。
【０００６】ところで、マイクロ波回路のより一層の小
型，高機能，低コスト化を図るためには、導体と誘電体
磁器を積層構造にする方法が有効であり、これは、既に
実用化されているセラミック積層技術を適用することに
よつて実現できる。
型，高機能，低コスト化を図るためには、導体と誘電体
磁器を積層構造にする方法が有効であり、これは、既に
実用化されているセラミック積層技術を適用することに
よつて実現できる。
【０００７】しかし、マイクロ波帯域で使用される素子
の導体には、一般に、導電性のよいＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，
或いはそれらの合金等が用いられており、上記の積層デ
バイスを得るには、これらのような比較的融点の低い導
体金属と誘電体材料が同時焼結できることが必要であ
る。これを目的として、種々の低温焼成セラミックスが
提案されている。
の導体には、一般に、導電性のよいＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，
或いはそれらの合金等が用いられており、上記の積層デ
バイスを得るには、これらのような比較的融点の低い導
体金属と誘電体材料が同時焼結できることが必要であ
る。これを目的として、種々の低温焼成セラミックスが
提案されている。
【０００８】例えば、特開平５−９７５０８号ではＢａ
０−Ｔｉ０2 −Ｒ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 にＢ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを添加した低温焼成材料が提案さ
れている。また、特開平５−２３４４２０号には、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 にＢｉ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，Ｐｂ
Ｏ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 を添加した低温焼成材料が提案
されている。また、特開平３−２９０３５８〜２９０３
５９号，特開平３−２９５８５４〜２９５８５６号で
は、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2−Ｂｉ
2 Ｏ3 −ＰｂＯにＧｅＯ2 ，ＣｕＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＺｎＯを添加した低温焼成材料が提案されている。
０−Ｔｉ０2 −Ｒ2 Ｏ3 −ＰｂＯ−Ｂｉ2 Ｏ3 にＢ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを添加した低温焼成材料が提案さ
れている。また、特開平５−２３４４２０号には、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 にＢｉ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ，Ｐｂ
Ｏ，ＺｎＯ，Ａｌ2 Ｏ3 を添加した低温焼成材料が提案
されている。また、特開平３−２９０３５８〜２９０３
５９号，特開平３−２９５８５４〜２９５８５６号で
は、ＢａＯ−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｓｍ2 Ｏ3 −ＴｉＯ2−Ｂｉ
2 Ｏ3 −ＰｂＯにＧｅＯ2 ，ＣｕＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ
2 ，ＺｎＯを添加した低温焼成材料が提案されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、それら
が提案している低温焼成材料では、比誘電率εr が７０
以上、かつ共振周波数の温度係数の絶対値｜τf ｜が１
０ｐｐｍ／℃以下であるような材料を得ることができな
い。
が提案している低温焼成材料では、比誘電率εr が７０
以上、かつ共振周波数の温度係数の絶対値｜τf ｜が１
０ｐｐｍ／℃以下であるような材料を得ることができな
い。
【００１０】そこで、本発明の技術的課題は、比誘電率
εr が大きく、共振周波数の温度係数τf ができるだけ
零に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に
使用しても同時焼結できる誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。
εr が大きく、共振周波数の温度係数τf ができるだけ
零に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に
使用しても同時焼結できる誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らは、Ｂｉ2 Ｏ3 −（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂ
ａ）Ｏ−Ｎｂ2 Ｏ5 系にて、または前記組成系にＢ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2２，ＳｎＯ2 を添加して、比誘
電率εr が大きく、共振周波数の温度係数τf が零に近
く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に使用し
ても同時焼結できる誘電体磁器材料が得られることを見
出した。
めに、本発明者らは、Ｂｉ2 Ｏ3 −（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂ
ａ）Ｏ−Ｎｂ2 Ｏ5 系にて、または前記組成系にＢ2 Ｏ
3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2２，ＳｎＯ2 を添加して、比誘
電率εr が大きく、共振周波数の温度係数τf が零に近
く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に使用し
ても同時焼結できる誘電体磁器材料が得られることを見
出した。
【００１２】即ち、本発明によれば、一般式が、ａＢｉ
Ｏ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y Ｍｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ
5/2 （ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４
１．０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２
９．０≦ｃ≦３９．０（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）、
０≦ｘ≦０．４、０≦ｙ≦０．４の範囲にあることを特
徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
Ｏ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y Ｍｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ
5/2 （ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４
１．０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２
９．０≦ｃ≦３９．０（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）、
０≦ｘ≦０．４、０≦ｙ≦０．４の範囲にあることを特
徴とする誘電体磁器組成物が得られる。
【００１３】また、本発明によれば、前記誘電体磁器組
成物に対して、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2，ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ
2 の内から選択された少なくと一種の酸化物を２．０重
量部以下添加したことを特徴とする誘電体磁器組成物が
得られる。
成物に対して、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2，ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ
2 の内から選択された少なくと一種の酸化物を２．０重
量部以下添加したことを特徴とする誘電体磁器組成物が
得られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】図１は本発明の誘電体磁器組成物の主成分
であるＢｉＯ3/2 ，（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ，及びＮｂ
Ｏ5/2 の範囲を示す図である。図１に示すように、本発
明の誘電体磁器組成物の主成分は、一般式が、ａＢｉＯ
3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y ＭｇxＢａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ5/2
（ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４１．
０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２９．０
≦ｃ≦３９．０（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）、０≦ｘ
≦０．４、０≦ｙ≦０．４の範囲にあり、その範囲は斜
線１で示される境界線も含む領域内である。
であるＢｉＯ3/2 ，（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ，及びＮｂ
Ｏ5/2 の範囲を示す図である。図１に示すように、本発
明の誘電体磁器組成物の主成分は、一般式が、ａＢｉＯ
3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y ＭｇxＢａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ5/2
（ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４１．
０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２９．０
≦ｃ≦３９．０（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）、０≦ｘ
≦０．４、０≦ｙ≦０．４の範囲にあり、その範囲は斜
線１で示される境界線も含む領域内である。
【００１６】このように、本発明においては、Ｂｉ2 Ｏ
3 −（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ−Ｎｂ2 Ｏ，系にて、比誘
電率εr が大きく、共振周波数の温度係数τf が零に近
く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に使用し
ても同時焼結できる誘電体磁器材料が得られる。
3 −（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ−Ｎｂ2 Ｏ，系にて、比誘
電率εr が大きく、共振周波数の温度係数τf が零に近
く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡｕ，Ａ
ｇ，Ｃｕ，及びそれらの合金等を内部電極材料に使用し
ても同時焼結できる誘電体磁器材料が得られる。
【００１７】また、本発明の誘電体磁器組成物は、前記
主成分に対して、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，Ｓｎ
Ｏ2 の内から選択された少なくと一種の酸化物を２．０
重量部以下添加したものである。
主成分に対して、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，Ｓｎ
Ｏ2 の内から選択された少なくと一種の酸化物を２．０
重量部以下添加したものである。
【００１８】本発明においては、前記主成分の組成系に
Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ2 を添加すれこ
とによって、誘電特性の劣化が少なく、さらに低温で焼
結することができる誘電体磁器材料が得られる。
Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ2 を添加すれこ
とによって、誘電特性の劣化が少なく、さらに低温で焼
結することができる誘電体磁器材料が得られる。
【００１９】それでは、本発明の誘電体磁気組成物の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００２０】（第１の実施の形態）まず、Ｂｉ2 Ｏ3 ，
ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＢａＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 各粉末を各組
成に応じて秤量した後、純水を用い、ジルコニアボール
にて樹脂製のボールミルで２０時間湿式混合し、混合物
を得た。次に、この混台物を乾燥させた後、大気中に
て、７５０〜８５０℃の温度で約４時間仮焼し、仮焼物
を得た。さらに上記のボールミルで平均粉砕粒径が０．
８μｍ以下となるように湿式粉砕した後、乾燥、造粒し
た。これを、直径１５ｍｍ，厚さ約６ｍｍの円盤状に成
形し、８５０〜１２００℃の温度で約２時間焼結するこ
とによって、下記表１に示す組成の誘電体磁器を得た。
なお下記表１で組成は、ａＢｉＯ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y
Ｍｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ5/2 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
モル％）のように表わした。
ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＢａＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 各粉末を各組
成に応じて秤量した後、純水を用い、ジルコニアボール
にて樹脂製のボールミルで２０時間湿式混合し、混合物
を得た。次に、この混台物を乾燥させた後、大気中に
て、７５０〜８５０℃の温度で約４時間仮焼し、仮焼物
を得た。さらに上記のボールミルで平均粉砕粒径が０．
８μｍ以下となるように湿式粉砕した後、乾燥、造粒し
た。これを、直径１５ｍｍ，厚さ約６ｍｍの円盤状に成
形し、８５０〜１２００℃の温度で約２時間焼結するこ
とによって、下記表１に示す組成の誘電体磁器を得た。
なお下記表１で組成は、ａＢｉＯ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y
Ｍｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ5/2 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
モル％）のように表わした。
【００２１】次に、各組成の誘電体磁器について、誘電
体共振器法によって、比誘電率をεr ，Ｑ×ｆ値，共振
周波数の温度係数τf を測定した。共振周波数の温度係
数τf は＋２０〜＋６０゜Ｃの温度範囲での共振周波数
ｆの差より、次の数１式によって求めた。
体共振器法によって、比誘電率をεr ，Ｑ×ｆ値，共振
周波数の温度係数τf を測定した。共振周波数の温度係
数τf は＋２０〜＋６０゜Ｃの温度範囲での共振周波数
ｆの差より、次の数１式によって求めた。
【００２２】
【数１】
【００２３】それらの測定結果を下記表１に示した。な
お、共振周波数は２〜３ＧＨｚであつた。
お、共振周波数は２〜３ＧＨｚであつた。
【００２４】
【表１】
【００２５】上記表１から明らかなように、ａＢｉＯ
3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y Ｍｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ5/2
（ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４１．
０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２９．０
≦ｃ≦３９．０、０≦ｘ≦０．４、０≦ｙ≦０．４とす
れば、比誘電率εr が７０以上と大きく、共振周波数の
温度係数τf が零に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、
１１００℃以下の低温で焼結できる誘電体磁器材料が得
られる。また、ＳｒサイトをＭｇ，Ｂａで置換すること
によつて、より大きい比誘電率εr を有する誘電体磁器
材料が得られる。
3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y Ｍｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ5/2
（ただし、ａ，ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４１．
０≦ａ≦５１．０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２９．０
≦ｃ≦３９．０、０≦ｘ≦０．４、０≦ｙ≦０．４とす
れば、比誘電率εr が７０以上と大きく、共振周波数の
温度係数τf が零に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、
１１００℃以下の低温で焼結できる誘電体磁器材料が得
られる。また、ＳｒサイトをＭｇ，Ｂａで置換すること
によつて、より大きい比誘電率εr を有する誘電体磁器
材料が得られる。
【００２６】これに対して、本発明以外の比較例では、
ＢｉＯ3/2 が４１．０モル％より少ないと、１１００℃
以下の低温焼結ができなくなる。また、ＢｉＯ3/2 が５
１．０モル％より多い、またはＮｂＯ5/2 が２９．０モ
ル％より少ないと、大きいεr が得られない。また、
（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏが１７．０モル％より少ない、
または２５．０モル％より多い、またはＮｂＯ5/2 が３
９．０モル％より多いと、Ｑ×ｆ値が劣化する。また、
ＳｒサイトのＭｇ置換量ｘが０．４を越えたり、Ｂａ置
換量ｙが０．４を越えた場合、Ｑ×ｆ値が劣化する。
ＢｉＯ3/2 が４１．０モル％より少ないと、１１００℃
以下の低温焼結ができなくなる。また、ＢｉＯ3/2 が５
１．０モル％より多い、またはＮｂＯ5/2 が２９．０モ
ル％より少ないと、大きいεr が得られない。また、
（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏが１７．０モル％より少ない、
または２５．０モル％より多い、またはＮｂＯ5/2 が３
９．０モル％より多いと、Ｑ×ｆ値が劣化する。また、
ＳｒサイトのＭｇ置換量ｘが０．４を越えたり、Ｂａ置
換量ｙが０．４を越えた場合、Ｑ×ｆ値が劣化する。
【００２７】（第２の実施の形態）Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｓｒ
Ｏ，ＭｇＯ，ＢａＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 の各粉末を各組成
に応じて秤量し、第１の実施の形態に示したものと同様
の方法で仮焼物を得た。次に、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｇ
ｅＯ2 ，ＳｎＯ2 の粉末をそれぞれ下記表２の割合にな
るように秤量し、仮焼物に加え、第１の実施の形態に示
したのと同様のボールミルで平均粉砕粒径が０．８μｍ
以下となるように湿式粉砕（混合を兼ねる）した後、成
形し、８００〜１０００℃の温度で焼結し、下記表２に
示す組成の誘電体磁器を得た。なお表２で組成は、ａＢ
ｉＯ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y Ｍｇx Ｂａy）Ｏ−ｃＮｂＯ
5/2 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）のように表わした。
Ｏ，ＭｇＯ，ＢａＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ5 の各粉末を各組成
に応じて秤量し、第１の実施の形態に示したものと同様
の方法で仮焼物を得た。次に、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｇ
ｅＯ2 ，ＳｎＯ2 の粉末をそれぞれ下記表２の割合にな
るように秤量し、仮焼物に加え、第１の実施の形態に示
したのと同様のボールミルで平均粉砕粒径が０．８μｍ
以下となるように湿式粉砕（混合を兼ねる）した後、成
形し、８００〜１０００℃の温度で焼結し、下記表２に
示す組成の誘電体磁器を得た。なお表２で組成は、ａＢ
ｉＯ3/2 −ｂ（Ｓｒ1-x-y Ｍｇx Ｂａy）Ｏ−ｃＮｂＯ
5/2 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）のように表わした。
【００２８】次に、各組成の誘電体磁器について、第１
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ、下記表２に示す測定結果を得た。
の実施の形態に示したものと同様の測定を行ったとこ
ろ、下記表２に示す測定結果を得た。
【００２９】
【表２】
【００３０】上記表２より明らかなように、ＢｉＯ3/2
−（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ−ＮｂＯ5/2 に、Ｂ2 Ｏ3 ，
ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ2 のうちより選ばれる一種
以上の酸化物を２．０重量部以下添加すれば、誘電特性
の劣化がほとんどなく、さらに焼結温度を低下させるこ
とができる。ただし、２．０重量部を越える添加は、誘
電特性の劣化をもたらす。
−（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ−ＮｂＯ5/2 に、Ｂ2 Ｏ3 ，
ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ2 のうちより選ばれる一種
以上の酸化物を２．０重量部以下添加すれば、誘電特性
の劣化がほとんどなく、さらに焼結温度を低下させるこ
とができる。ただし、２．０重量部を越える添加は、誘
電特性の劣化をもたらす。
【００３１】
【発明の効果】以上に説明した通り、本発明によれば、
比誘電率εr が大きく、共振周波数の温度係数τf が零
に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，或いはそれらの合金等を内部電極材料に使
用しても同時焼結できる誘電体磁器組成物が得られる。
比誘電率εr が大きく、共振周波数の温度係数τf が零
に近く、Ｑ×ｆ値が大きく、しかも、融点の低いＡｕ，
Ａｇ，Ｃｕ，或いはそれらの合金等を内部電極材料に使
用しても同時焼結できる誘電体磁器組成物が得られる。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物の主成分であるＢｉ
Ｏ3/2 ，（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ，及びＮｂＯ5/2 の範
囲を斜線にて示す図である。
Ｏ3/2 ，（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ，及びＮｂＯ5/2 の範
囲を斜線にて示す図である。
１ 本発明の誘電体磁器組成物の主成分を示す斜線部
分
分
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式が、ａＢｉＯ3/2 −ｂ（Ｓｒ
1-x-y Ｍｇx Ｂａy ）Ｏ−ｃＮｂＯ5/2 （ただし、ａ，
ｂ，及びｃの単位はモル％）で、４１．０≦ａ≦５１．
０、１７．０≦ｂ≦２５．０、２９．０≦ｃ≦３９．０
（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％）、０≦ｘ≦０．４、０≦
ｙ≦０．４の範囲にあることを特徴とする誘電体磁器組
成物。 - 【請求項２】 請求項１記載の誘電体磁器組成物に対し
て、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，ＧｅＯ2 ，ＳｎＯ2 の内から
選択された少なくと一種の酸化物を２．０重量部以下添
加したことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139616A JPH11322425A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139616A JPH11322425A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322425A true JPH11322425A (ja) | 1999-11-24 |
Family
ID=15249448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139616A Withdrawn JPH11322425A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11322425A (ja) |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP10139616A patent/JPH11322425A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |