JPH11328729A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH11328729A JPH11328729A JP10139525A JP13952598A JPH11328729A JP H11328729 A JPH11328729 A JP H11328729A JP 10139525 A JP10139525 A JP 10139525A JP 13952598 A JP13952598 A JP 13952598A JP H11328729 A JPH11328729 A JP H11328729A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sicn
- dielectric layer
- recording medium
- information recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期化を半導体レーザーのみで行った
ときでも、充分に良好な特性が得られ、初期化時間を短
縮することができる相変化形光情報記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板１上に記録層３と、前記記録層３の
上面に配置された誘電体層４と、前記誘電体層４の上面
に配置された反射層５とを少なくとも有する相変化形光
情報記録媒体において、記録層３の上面に配置された誘
電体層４が、ＳｉＣＮよりなる。
ときでも、充分に良好な特性が得られ、初期化時間を短
縮することができる相変化形光情報記録媒体を提供す
る。 【解決手段】 基板１上に記録層３と、前記記録層３の
上面に配置された誘電体層４と、前記誘電体層４の上面
に配置された反射層５とを少なくとも有する相変化形光
情報記録媒体において、記録層３の上面に配置された誘
電体層４が、ＳｉＣＮよりなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、特に相変化形情報記録媒体であって、光ビームを
照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体に
関する。
関し、特に相変化形情報記録媒体であって、光ビームを
照射することにより記録層材料に相変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行う書き換え可能な光情報記録媒体に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
る情報の記録、再生及び消去可能な光情報記録媒体の一
つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化形光情報記録媒体が
知られている。特に光磁気記録媒体では困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、近年その研究開発
が活発になってきている。
る情報の記録、再生及び消去可能な光情報記録媒体の一
つとして、結晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化形光情報記録媒体が
知られている。特に光磁気記録媒体では困難な単一ビー
ムによるオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であることなどから、近年その研究開発
が活発になってきている。
【０００３】その代表的な例として、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇｅ
−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇｅ
−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−
Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料
があげられる。また、安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ、Ｓｎ及びＡｕ、Ｐｂなど
を添加した材料や、記録／消去の繰り返し性能の向上を
目的としてＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
の組成比を特定した材料が提案されている。しかしなが
ら、その何れもが相変化形書き換え可能光情報記録媒体
として要求される諸特性の全てを満足し得るものではな
い。特にオーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止や繰り返し記録回数の向上が要求されている。
−Ｔｅ−Ｓｎ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ，Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓ，Ｇｅ
−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ，Ｉｎ−Ｔｅ，Ｓｅ−
Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコゲン系合金材料
があげられる。また、安定性、高速結晶化などの向上を
目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ、Ｓｎ及びＡｕ、Ｐｂなど
を添加した材料や、記録／消去の繰り返し性能の向上を
目的としてＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ
の組成比を特定した材料が提案されている。しかしなが
ら、その何れもが相変化形書き換え可能光情報記録媒体
として要求される諸特性の全てを満足し得るものではな
い。特にオーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止や繰り返し記録回数の向上が要求されている。
【０００４】消去比が高く多数回の記録−消去の繰り返
しが可能な光情報記録媒体として、特開平５−３２５２
５８号には、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからな
り、記録層と反射放熱層との間の保護層がＡｌ，Ｎ，Ｏ
からなり、その酸素濃度が５原子％以上、１４原子％以
下であるものが提案されている。
しが可能な光情報記録媒体として、特開平５−３２５２
５８号には、記録層がＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅからな
り、記録層と反射放熱層との間の保護層がＡｌ，Ｎ，Ｏ
からなり、その酸素濃度が５原子％以上、１４原子％以
下であるものが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
５−３２５２５８号に記載された光情報記録媒体の初期
化方法として、始めにＡｒレーザーによる初期化を行
い、次に半導体レーザーによる初期化を行う方法を用い
ているが、この初期化方法では、半導体レーザーのみに
よる初期化と比較してＣ／Ｎ及び消去比が向上するもの
の、初期化に要する時間がかかり、生産性が悪化すると
いう問題があった。
５−３２５２５８号に記載された光情報記録媒体の初期
化方法として、始めにＡｒレーザーによる初期化を行
い、次に半導体レーザーによる初期化を行う方法を用い
ているが、この初期化方法では、半導体レーザーのみに
よる初期化と比較してＣ／Ｎ及び消去比が向上するもの
の、初期化に要する時間がかかり、生産性が悪化すると
いう問題があった。
【０００６】ところで、このような光情報記録媒体にお
いて、基材として用いられるプラスチックがレーザー加
熱時に損傷を受けないように、酸化物等からなる耐熱保
護のための誘電体層を基材と記録層との間、又は記録層
の直上に設けることが提案されており、誘電体層として
用いられる材料としては酸化物（ＳｉＯ2，ＧｅＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＢｅＯ2）、窒化物（ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ
Ｎ）、炭化物（ＳｉＣ）、カルコゲン化物（ＺｎＳ，Ｚ
ｎＳｅ）などが提案されている。
いて、基材として用いられるプラスチックがレーザー加
熱時に損傷を受けないように、酸化物等からなる耐熱保
護のための誘電体層を基材と記録層との間、又は記録層
の直上に設けることが提案されており、誘電体層として
用いられる材料としては酸化物（ＳｉＯ2，ＧｅＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3，ＢｅＯ2）、窒化物（ＢＮ，Ｓｉ3Ｎ4，Ａｌ
Ｎ）、炭化物（ＳｉＣ）、カルコゲン化物（ＺｎＳ，Ｚ
ｎＳｅ）などが提案されている。
【０００７】しかしながら、記録層の成分が変われば誘
電体層も変更する必要があるため、耐熱保護層の決定は
困難であった。
電体層も変更する必要があるため、耐熱保護層の決定は
困難であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の点に鑑
み、基板上に記録層と、前記記録層の上面に配置された
誘電体層と、前記誘電体層の上面に配置された反射層と
を少なくとも有する相変化形光情報記録媒体において、
前記記録層の上面に配置された誘電体層が、ＳｉＣＮよ
りなることを特徴とする光情報記録媒体を提供するもの
である。
み、基板上に記録層と、前記記録層の上面に配置された
誘電体層と、前記誘電体層の上面に配置された反射層と
を少なくとも有する相変化形光情報記録媒体において、
前記記録層の上面に配置された誘電体層が、ＳｉＣＮよ
りなることを特徴とする光情報記録媒体を提供するもの
である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光情報記録媒
体の一実施例を図面を参照して説明する。図１は本発明
に係る光情報記録媒体を示す部分拡大断面図である。こ
の光情報記録媒体は光学的に平滑な表面を有する基板
１、基板１の表面を覆う下引き誘電体層２、下引き誘電
体層２の表面を覆う光吸収性の記録層３、記録層３の表
面を覆う上引き誘電体層４、上引き誘電体層４の表面を
覆う反射層５、反射層５の表面を覆う保護層６により形
成される。
体の一実施例を図面を参照して説明する。図１は本発明
に係る光情報記録媒体を示す部分拡大断面図である。こ
の光情報記録媒体は光学的に平滑な表面を有する基板
１、基板１の表面を覆う下引き誘電体層２、下引き誘電
体層２の表面を覆う光吸収性の記録層３、記録層３の表
面を覆う上引き誘電体層４、上引き誘電体層４の表面を
覆う反射層５、反射層５の表面を覆う保護層６により形
成される。
【００１０】基板１としては通常の光ディスクに用いる
ものであれば良く、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート、塩化
ビニール等の樹脂基材あるいはガラス基材を円盤状に成
形して用いる。
ものであれば良く、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート、塩化
ビニール等の樹脂基材あるいはガラス基材を円盤状に成
形して用いる。
【００１１】下引き誘電体層２としては、ＳｉＣＮを使
用し、厚さは８４ｎｍとする。同様に上引き誘電体層４
としては、ＳｉＣＮを使用し、厚さは２０ｎｍとする。
用し、厚さは８４ｎｍとする。同様に上引き誘電体層４
としては、ＳｉＣＮを使用し、厚さは２０ｎｍとする。
【００１２】ＳｉＣＮを成膜する方法として、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法を使用した。ターゲットとしてはＳ
ｉを使用し、反応ガスとしてＡｒガスを２０ＳＣＣＭと
ＣＨ 4ガスを３ＳＣＣＭとＮ2ガスを３ＳＣＣＭとの混合
ガスを使用し、成膜圧力を１Ｐａ、ＤＣパワーを０．４
Ａ−６００Ｖで成膜した。ここで、反応ガスの混合比率
は、内部応力が低くなるようにＮ2ガスを４％〜２３％
の範囲内となるように１２％としてある。
ネトロンスパッタ法を使用した。ターゲットとしてはＳ
ｉを使用し、反応ガスとしてＡｒガスを２０ＳＣＣＭと
ＣＨ 4ガスを３ＳＣＣＭとＮ2ガスを３ＳＣＣＭとの混合
ガスを使用し、成膜圧力を１Ｐａ、ＤＣパワーを０．４
Ａ−６００Ｖで成膜した。ここで、反応ガスの混合比率
は、内部応力が低くなるようにＮ2ガスを４％〜２３％
の範囲内となるように１２％としてある。
【００１３】なお、本実施例ではＳｉＣとＳｉＮとを化
合したＳｉＣＮを使用しているが、ＳｉＣとＳｉＮとを
混合した膜、或いは、ＣＨ４ガスの水素の入ったＳｉＣ
Ｎ：Ｈの膜を使用しても良い。
合したＳｉＣＮを使用しているが、ＳｉＣとＳｉＮとを
混合した膜、或いは、ＣＨ４ガスの水素の入ったＳｉＣ
Ｎ：Ｈの膜を使用しても良い。
【００１４】記録層３としては、構成元素としてＡｇ，
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むものや、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含
むもののように三元以上の多元化合物からなるものがあ
る。
Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含むものや、Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅを含
むもののように三元以上の多元化合物からなるものがあ
る。
【００１５】また、記録層３としては他に、Ｃｕ−Ａｌ
系合金及びＡｇ−Ｚｎ系合金等のように結晶相と結晶相
との間で可逆的な構造変化を示すものがあるが、本実施
例におけるＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの組成比（ａｔｏｍ
％）を１：１０：６３：２６としている。
系合金及びＡｇ−Ｚｎ系合金等のように結晶相と結晶相
との間で可逆的な構造変化を示すものがあるが、本実施
例におけるＡｇ，Ｉｎ，Ｓｂ，Ｔｅの組成比（ａｔｏｍ
％）を１：１０：６３：２６としている。
【００１６】また、反射層５としては、Ｔｉを１．５重
量％含むＡｌ合金を使用している。
量％含むＡｌ合金を使用している。
【００１７】更に、保護層６としては、紫外線硬化樹脂
を使用しており、紫外線硬化樹脂の塗布後に紫外線を照
射して硬化させる。
を使用しており、紫外線硬化樹脂の塗布後に紫外線を照
射して硬化させる。
【００１８】なお、誘電体層は必ずしも記録層３の両側
共に設ける必要はなく、上引き誘電体層４のみを設ける
だけで良いが、基板１がポリカーボネート樹脂のような
耐熱性の低い材料である場合は下引き誘電体層２を設け
ることが望ましい。
共に設ける必要はなく、上引き誘電体層４のみを設ける
だけで良いが、基板１がポリカーボネート樹脂のような
耐熱性の低い材料である場合は下引き誘電体層２を設け
ることが望ましい。
【００１９】このように構成した光ディスクと、下引き
誘電体層２として、ＺｎＳ−ＳｉＯ xを使用し、厚さを
１００ｎｍとし、上引き誘電体層４として、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯxを使用し、厚さを２０ｎｍとした他は上述した実
施例と同様の構成とした光ディスクの各層の膜厚及び反
射率を図２に示す。比較例の下引き誘電体層及び上引き
誘電体層を構成するＺｎＳ−ＳｉＯxの組成としては、
ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％、Ｓｉを３０ｍｏｌ％添加した
ＺｎＳであり、成膜はＲＦスパッタ法を用いて行った。
ここで、スパッタパワーは３００Ｗで一定として、成膜
圧力を１Ｐａとして成膜している。なお、膜厚は、上述
した実施例と比較例とのスパッタデポ後の反射率と、ヒ
ータによって３００°Ｃで５分間アニールして結晶化さ
せた後の反射率との変化が最大となるように構成してあ
る。
誘電体層２として、ＺｎＳ−ＳｉＯ xを使用し、厚さを
１００ｎｍとし、上引き誘電体層４として、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯxを使用し、厚さを２０ｎｍとした他は上述した実
施例と同様の構成とした光ディスクの各層の膜厚及び反
射率を図２に示す。比較例の下引き誘電体層及び上引き
誘電体層を構成するＺｎＳ−ＳｉＯxの組成としては、
ＳｉＯ2を２０ｍｏｌ％、Ｓｉを３０ｍｏｌ％添加した
ＺｎＳであり、成膜はＲＦスパッタ法を用いて行った。
ここで、スパッタパワーは３００Ｗで一定として、成膜
圧力を１Ｐａとして成膜している。なお、膜厚は、上述
した実施例と比較例とのスパッタデポ後の反射率と、ヒ
ータによって３００°Ｃで５分間アニールして結晶化さ
せた後の反射率との変化が最大となるように構成してあ
る。
【００２０】以上の条件で作成した実施例のディスク及
び比較例のディスクを半導体レーザーで初期化し、８−
１６信号を記録してそのジッタを測定した結果を図３に
示す。また、その再生波形を図４に示す。この結果によ
れば、誘電体層にＳｉＣＮ膜を使用した本実施例のディ
スクは始端部ジッタ（ＬＥ Ｊｉｔｔｅｒ）及び終端部
ジッタ（ＴＥ Ｊｉｔｔｅｒ）共に９％以下となり良好
な特性を示すが、誘電体層にＺｎＳ−ＳｉＯx膜を使用
した比較例のディスクでは始端部ジッタ及び終端部ジッ
タ共に１１％以上となり、良好な特性は得られない。ま
た、書き換えを１０回行った場合、両ディスク共にジッ
タの劣化は無かった。
び比較例のディスクを半導体レーザーで初期化し、８−
１６信号を記録してそのジッタを測定した結果を図３に
示す。また、その再生波形を図４に示す。この結果によ
れば、誘電体層にＳｉＣＮ膜を使用した本実施例のディ
スクは始端部ジッタ（ＬＥ Ｊｉｔｔｅｒ）及び終端部
ジッタ（ＴＥ Ｊｉｔｔｅｒ）共に９％以下となり良好
な特性を示すが、誘電体層にＺｎＳ−ＳｉＯx膜を使用
した比較例のディスクでは始端部ジッタ及び終端部ジッ
タ共に１１％以上となり、良好な特性は得られない。ま
た、書き換えを１０回行った場合、両ディスク共にジッ
タの劣化は無かった。
【００２１】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明に係る光
情報記録媒体によれば、初期化を半導体レーザーのみで
行ったときでも、充分に良好な特性が得られるので初期
化工程が簡単となる。
情報記録媒体によれば、初期化を半導体レーザーのみで
行ったときでも、充分に良好な特性が得られるので初期
化工程が簡単となる。
【００２２】また、ＳｉＣＮ膜は内部応力がＳｉＣやＳ
ｉＮと比較して小さいので耐クラック性等の信頼性が良
好である。
ｉＮと比較して小さいので耐クラック性等の信頼性が良
好である。
【００２３】更に、従来のＺｎＳ−ＳｉＯ2膜はＲＦス
パッタ法によってのみ成膜可能であったため、放電時の
マッチングが取りにくく、量産性では不利であったが、
本発明に係るＳｉＣＮ膜はＤＣスパッタ法で成膜可能で
あるので、スパッタ装置としてパレット式（複数枚のデ
ィスクを一括して成膜する方式）や枚葉式（一枚一枚成
膜する方式）のどちらの方式でも生産することができ、
放電も容易であり、量産性が良好である。
パッタ法によってのみ成膜可能であったため、放電時の
マッチングが取りにくく、量産性では不利であったが、
本発明に係るＳｉＣＮ膜はＤＣスパッタ法で成膜可能で
あるので、スパッタ装置としてパレット式（複数枚のデ
ィスクを一括して成膜する方式）や枚葉式（一枚一枚成
膜する方式）のどちらの方式でも生産することができ、
放電も容易であり、量産性が良好である。
【図１】本発明に係る光情報記録媒体を示す部分拡大断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る光情報記録媒体と比較例の膜厚及
び反射率を示す図である。
び反射率を示す図である。
【図３】本発明に係る光情報記録媒体と比較例のジッタ
を測定した図である。
を測定した図である。
【図４】本発明に係る光情報記録媒体と比較例の再生波
形を示す図である。
形を示す図である。
１ 基板 ２ 下引き誘電体層 ３ 記録層 ４ 上引き誘電体層 ５ 反射膜層 ６ 保護層
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に記録層と、前記記録層の上面に配
置された誘電体層と、前記誘電体層の上面に配置された
反射層とを少なくとも有する相変化形光情報記録媒体に
おいて、 前記記録層の上面に配置された誘電体層が、ＳｉＣＮよ
りなることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139525A JPH11328729A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10139525A JPH11328729A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11328729A true JPH11328729A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=15247323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10139525A Pending JPH11328729A (ja) | 1998-05-21 | 1998-05-21 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11328729A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470833B1 (ko) * | 2002-08-24 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(ＳｉＣＮ) 박막 제조방법 |
-
1998
- 1998-05-21 JP JP10139525A patent/JPH11328729A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470833B1 (ko) * | 2002-08-24 | 2005-03-10 | 한국전자통신연구원 | 넓은 에너지 영역에서 띠간격을 갖는 실리콘 카본나이트라이드(ＳｉＣＮ) 박막 제조방법 |
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