JPH1064128A

JPH1064128A - 光記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1064128A
Application number: JP9109381A
Authority: JP
Inventors: Takao Amioka; 孝夫網岡; Toshinaka Nonaka; 敏央野中; Gentaro Obayashi; 元太郎大林
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1996-04-25
Filing date: 1997-04-25
Publication date: 1998-03-06

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、低コストで光記録媒体を提供せんと
するものである。【解決手段】本発明の光記録媒体は、基板上に形成され
た記録層に光を照射することによって情報の記録、消
去、再生が可能であり、情報の記録および消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体であ
って、記録層が結晶相として成膜されていることを特徴
とするものである。かかる光記録媒体の製造方法は、基
板上に形成された記録層に光を照射することによって情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録および
消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光
記録媒体を製造するに際し、該基板温度を７０℃以上で
記録層をスパッタリングにより成膜することを特徴とす
るものである。【効果】成膜工程の後に、記録層をレーザー等により加
熱し、結晶化するという工程が不要となり、相変化記録
媒体の製造が低コストで行える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。記録膜を形成した後
に、Ａｒレーザー、半導体レーザー、ハロゲンランプ等
で加熱し、結晶化させるという方法が知られている（特
開平２−５２４６号公報）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前述の従来の急冷構造
の書換可能相変化型光記録媒体における課題は、記録膜
形成後に加熱し、結晶化させるために、製造コストが高
いものとなる。そこで、記録膜を結晶状態で形成すれ
ば、形成後の加熱結晶化のプロセスが不要となり、コス
トを低下させることができる。

【０００４】本発明は、かかる従来の光記録媒体の課題
を解決し、低コストの光記録媒体およびその製造方法を
提供せんとするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、かかる課題を
解決するために、つぎのような手段を採用するものであ
る。すなわち、本発明の光記録媒体は、基板上に形成さ
れた記録層に光を照射することによって情報の記録、消
去、再生が可能であり、情報の記録および消去が、非晶
相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体であ
って、記録層が結晶相として成膜されていることを特徴
とするものである。かかる光記録媒体の製造方法は、基
板上に形成された記録層に光を照射することによって情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録および
消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光
記録媒体を製造するに際し、該基板温度を７０℃以上で
記録層をスパッタリングにより成膜することを特徴とす
るものである。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の光記録媒体においては、
基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第二誘電
体層、反射層をこの順で積層することが、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果があることから好ましい。

【０００７】本発明の第１誘電体層および第２誘電体層
としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂、窒化シリコン、酸化アル
ミニウムなどの無機薄膜がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｃｅなどの金属の
酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜およびこれらの化合物の
混合物の膜が、耐熱性が高いことから好ましい。また、
これらに炭素や、ＭｇＦ₂などのフッ化物を混合したも
のも、膜の残留応力が小さいことから好ましい。特にＺ
ｎＳとＳｉＯ₂の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉＯ₂と
炭素の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記
録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことか
ら好ましく特にＺｎＳとＳｉＯ₂と炭素の混合膜が好ま
しい。ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合膜においては、ＳｉＯ₂
の混合比が１５〜３５モル％が好ましく、ＺｎＳとＳｉ
Ｏ₂と炭素を構成材料とする混合膜でにおいては、Ｓｉ
Ｏ₂の混合比が１５〜３５モル％であり、炭素の混合比
が１〜１５モル％であることが好ましい。

【０００８】本発明の反射層の材質としては、光反射性
を有するＡｌ、Ａｕなどの金属、およびこれらを主成分
とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金およ
びＡｌ、Ａｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化
物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物
を混合したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金
属、およびこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。前述
の合金の例として、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１
種の元素を合計で５原子％以下、１原子％以上加えたも
の、あるいは、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、
Ｎｉなどの少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以
下１原子％以上加えたものなどがある。特に、材料の価
格が安くできることから、Ａｌを主成分とする合金が好
ましく、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、Ａｌに
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれ
る少なくとも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．
５原子％以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐
食性が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいこ
とから、反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３
原子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合
金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃ
ｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金
で構成することが好ましい。

【０００９】本発明の記録層としては、特に限定するも
のではないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金など
がある。多数回の記録の書換が可能であることから、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎ
ｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。特
に、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回
の記録、消去の繰り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率
などの記録特性に優れることから好ましい。さらには、
その組成は次式で表される範囲にあることが熱安定性と
繰返し安定性に優れている点からより好ましい。

【００１０】Ｍ_z （Ｓｂ_x Ｔｅ_1-x ）_1-y-z （Ｇｅ_0.5 Ｔｅ_0.5 ）_y ０．３５≦ｘ≦０．５０．２≦ｙ≦０．５０．０００５≦ｚ≦０．０１ここで、Ｍはパラジウム、ニオブ、白金、から選ばれる
少なくとも一種の金属を表す。また、ｘ、ｙ、ｚ、およ
び数字は、各元素の原子の数（各元素のモル数）を表
す。

【００１１】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。

【００１２】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなもの
であっても良いし、リジッドなものであっても良い。フ
レキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で
使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディ
スク状で使用する。また、これらの基板は、記録層など
を形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッ
チ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造とし
てもよい。本発明の光記録媒体の記録に用いる光源とし
ては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源で
あり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できるこ
と、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから
好ましい。

【００１３】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パル
スなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して
行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録
マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によっ
て、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしく
は、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うこ
とができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形
が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マ
ークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。

【００１４】また、記録マーク形成時は光強度を高く、
消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換
を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が
短くなることから好ましい。

【００１５】記録層の結晶相は、菱面対称系または面心
立方晶系であることが好ましい。菱面対称系だと反射率
が高く、コントラストが大きくとれ、信号強度の大きな
光記録媒体が作製できることから好ましい。また、面心
立方晶系の結晶相は、低い基板加熱温度で作製できるこ
とから好ましい。

【００１６】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。すなわち、基板上に形成された記録層に光
を照射することによって情報の記録消去再生が可能であ
り、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変
化により行われる光記録媒体を製造するに際し、反射
層、記録層、誘電体層などを基板上に形成する方法とし
ては、真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオ
ンプレーティング法、スパッタリング法などがあげられ
る。記録層については、成膜時に組成、膜厚のコントロ
ールが容易であることから、スパッタリング法が好まし
い。記録層をスパッタリングで成膜する際は、結晶性薄
膜を堆積させることができることから、該基板温度を７
０℃以上で成膜するのがよい。好ましくは、結晶性薄膜
の成膜速度を速くすることができるため、かかる基板温
度を９０℃以上として記録層をスパッタリングにより成
膜するのがよい。より好ましくは、さらに成膜速度が速
くでき、その他のスパッタリング条件を広く取ることが
できることから、かかる基板温度を１１０℃以上とする
のがよい。

【００１７】形成する記録層などの厚さの制御は、水晶
振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすること
で、容易に行える。

【００１８】記録層などの形成は、基板を固定したま
ま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜
厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させる
ことが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より
好ましい。

【００１９】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止
などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂などの誘電体層あるいは
紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設
けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいは
さらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対
向して、接着材で張り合わせてもよい。

【００２０】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

【００２１】（分析、測定方法）反射層、記録層の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製ＳＰＳ
４０００）により確認した。またキャリア対ノイズ比お
よび消去率（記録後と消去後の再生キャリア信号強度の
差）は、スペクトラムアナライザにより測定した。

【００２２】記録層のＸ線回析測定は、理学電気社製Ｒ
Ｕ−２００Ｒ、２１５５Ｔ、ＲＩＮＴ型を用いて行なっ
た。

【００２３】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。

【００２４】実施例１厚さ１．２ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．２μｍピッチのス
パイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板上に、マ
グネトロンスパッタ法により、記録層、誘電体層、反射
層を形成した。

【００２５】まず、真空容器内を１×１０^-5Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中で、Ｓｉ
Ｏ₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板
上に膜厚１５０ｎｍの第１誘電体層を形成した。次に、
基板温度を１００℃に加熱しながら、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｇ
ｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなるターゲットを１０分間スパッタ
して、Ｎｂ_0.006 Ｐｄ_0.001 Ｇｅ_0.173 Ｓｂ_0.26Ｔｅ
_0.56の膜厚２３ｎｍの記録層を形成した。さらに次に、
ＳｉＯ₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳとＣの同時スパ
ッタで、ＺｎＳとＣのモル混合比が、８：１となるよう
に膜厚３７ｎｍの第二誘電体層形成し、次にＰｄ_0.001
Ｈｆ_0.02Ａｌ_0.979 合金の膜厚７０ｎｍの反射層を形成
した。

【００２６】このディスクを真空容器より取り出した
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚４μｍの樹脂層を形成し本発明の
光記録媒体を得た。

【００２７】このようにして作製したディスクのうち一
枚に対し、記録特性の測定を行い、また別の一枚に対
し、記録層のＸ線回折測定を行った。また、これらいず
れのサンプルに対しても、レーザーの照射などの加熱処
理は一切行わないままで、測定用試料とした。

【００２８】記録特性の測定は、線速度１２ｍ／秒の条
件で、対物レンズの開口数０．４７、半導体レーザーの
波長７９０ｎｍの光学ヘッドを使用して、周波数８．８
７ＭＨｚ（デュティ２９％）、ピークパワー８〜１６ｍ
Ｗ、ボトムパワー４〜９ｍＷの各条件に変調した半導体
レーザー光で１回記録した後、再生パワー１．０ｍＷの
半導体レーザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの条件で
Ｃ／Ｎを測定した。さらにこの部分を３．３３ＭＨｚ
（デュティ２１％）で、先と同様に変調した半導体レー
ザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、この時
の８．８７ＭＨｚの前記録信号の消去率と記録マークの
再生信号の終端部のエッジのジッタを測定した。ピーク
パワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得ら
れ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄ
Ｂの消去率が得られた。

【００２９】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷ、周波数８．８７ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。また、この光記録媒体を８
０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間置いた後、
その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未
満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去
を行いＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとん
ど変化が見られなかった。

【００３０】記録層のＸ線回折測定は以下のようにして
行った。第二誘電体層と記録層の界面で剥離し、Ｘ線回
折パターンを測定したところ、最も強度の強いピーク
は、面間隔３．０１オングストロームに対応する２ｑ＝
２９．６゜にあり、二番目に強いピークは面間隔２．１
２オングストロームに対応する２ｑ＝４２．６゜にあ
り、三番目に強いピークは面間隔３．４６オングストロ
ームに対応する２ｑ＝２５．７゜にあった。このことか
ら、記録層が面心立方晶の結晶相をもつことがわかる。

【００３１】実施例２実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ₂を２０ｍｏｌ％添加
したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ₂と
Ｃのモル混合比が、８：２：１．２となるように作製し
た他は、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例
１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１０
ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボ
トムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率
が得られた。

【００３２】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも
２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんどみられなかった。

【００３３】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。

【００３４】実施例３厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピッチ
（ランド幅０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）の
スパイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板上に、
マグネトロンスパッタ法により、記録層、誘電体層、反
射層を形成した。

【００３５】まず、真空容器内を６．５×１０^-4Ｐａま
で排気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス雰囲気中でＳ
ｉＯ₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基
板上に膜厚８５ｎｍの第１誘電体層を形成した。次に、
基板温度を１１５℃に加熱しながら、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
からなるターゲットを３分間スパッタリングして、Ｇｅ
_0.17Ｓｂ_0.264Ｔｅ_0.566の膜厚２０ｎｍの記録層を形成
した。さらに次に、ＳｉＯ₂を２０ｍｏｌ％添加したＺ
ｎＳをスパッタし、膜厚１０ｎｍの第２誘電体層を形成
し、次にＰｄ_0.001Ｈｆ_0.02Ａｌ_0.979合金の膜厚１００
ｎｍの反射層をスパッタで形成した。

【００３６】このディスクを真空容器より取りだした
後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本
インキ（株）製SD-101）をスピンコートし、紫外線照射
により硬化させて膜厚４μｍの樹脂層を形成し、本発明
の光記録媒体を得た。

【００３７】この光記録媒体の反射率を基板側から測定
したところ、６８０ｎｍで約２３％と、従来のレーザー
による加熱初期化したディスクの反射率と同等の結果を
得た。

【００３８】このようにして作製したディスクのうち一
枚に対し記録特性の測定を行った。また、これらいずれ
のサンプルに対しても、レーザーの照射などの加熱処理
はいっさい行わないままで測定用試料とした。

【００３９】記録特性の測定は、線速度６ｍ／秒の条件
で、対物レンズの開口数０．６、半導体レーザーの波長
６８０ｎｍの光学ヘッドを使用して、８／１６変調の３
Ｔパターンをマーク長記録によって一回記録した。この
時、記録レーザー波形はマルチパルスを用いた。また、
この時のウィンドウ幅は３４ｎｓとした。この後、再生
パワー１．０ｍＷの半導体レーザー光を照射してバンド
幅３０ｋＨｚの条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部
分を１３Ｔ信号で、先と同様に変調した半導体レーザー
光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、このとき
の３Ｔ信号の消去率と記録マークの再生信号の終端部の
エッジのジッタを測定した。その結果、ピークパワー１
０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつ
ボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去
率が得られた。また、ジッタは実用上十分なウィンドウ
幅の１０％以下であった。

【００４０】さらに、ピークパワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷの条件で、３Ｔ信号のワンビーム・オーバー
ライトの繰り返しを１万回行った後、同様の測定を行っ
たが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも２ｄＢ以内で
ほとんど変化が認められず、ジッタの増加もほとんど見
られなかった。また、この光記録媒体を８０℃相対湿度
８０％の環境に１０００時間おいた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化がなかった。さらに再度、記録、消去を行い、Ｃ／Ｎ
消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られ
なかった。

【００４１】実施例４実施例１の基板材料にガラス基板を用い、記録膜を作製
する際の基板温度を３５０℃としたことの他は、実施例
１と同様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録
特性を測定した結果、ピークパワー１０ｍＷで実用上十
分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜
７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率が得られた。

【００４２】さらに、ピークパワー１２ｍＷ、ボトムパ
ワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビー
ム・オーバーライトの繰り返しを一万回行った後、同様
の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化はいずれも２
ｄＢいないでほとんど劣化が認められず、ジッタの増加
もほとんど見られなかった。

【００４３】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度
８０％の環境に１０００時間おいた後、その後記録部分
を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変
化が無かった。さらに再度記録消去を行い、Ｃ／Ｎ、消
去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られな
かった。ほとんど同じ良好な記録、消去特性が得られ
た。

【００４４】実施例１と同様にして記録層のＸ線回折パ
ターンを測定したところ、最も強度の強いピークは、面
間隔３．１１オングストロームに対応する２ｑ＝２８．
６゜にあり、二番目に強いピークは面間隔２．１２オン
グストロームに対応する２ｑ＝４２．７゜にあり、三番
目に強いピークは面間隔３．４４オングストロームに対
応する２ｑ＝２５．９゜にあった。このことから、記録
層が菱面対称系の結晶相をもつことがわかる。

【００４５】比較例１基板加熱を行わないようにした他は、実施例１と同様に
ディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定
しようとしたところ、反射率が低く、フォーカッシング
が困難で測定ができなかった。

【００４６】記録層のＸ線回折測定を行ったところ、全
く回折ピークが認められなかった。

【００４７】

【発明の効果】本発明では、成膜工程の後に、記録層を
レーザー等により加熱し、結晶化するという工程が不要
となり、相変化記録媒体の製造が低コストで行えるとい
う効果が得られた。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射する
ことによって情報の記録、消去、再生が可能であり、情
報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化に
より行われる光記録媒体であって、記録層が結晶相とし
て成膜されていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】該記録層が、少なくともＳｂまたはＴｅを
含むことを特徴とする請求項１の光記録媒体。
【請求項３】該記録層が、少なくともＧｅとＳｂとＴｅ
を含むことを特徴とする請求項１の光記録媒体。
【請求項４】該記録層の結晶相が、菱面対称系であるこ
とを特徴とする請求項２の光記録媒体。
【請求項５】該記録層の結晶相が、面心立方晶系である
ことを特徴とするの光記請求項２録媒体。
【請求項６】基板上に形成された記録層に光を照射する
ことによって情報の記録、消去、再生が可能であり、情
報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化に
より行われる光記録媒体を製造するに際し、該基板温度
を７０℃以上で記録層をスパッタリングにより成膜する
ことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項７】該基板温度が、９０℃以上である請求項６
記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項８】該基板温度が、１１０℃以上である請求項
６記載の光記録媒体の製造方法。