JPH11330438A - Ｓｏｉウエーハの製造方法ならびにこの方法で製造されるｓｏｉウエーハ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 シリコンウエーハと絶縁基板間の熱膨張係数
の差に基づく剥離や破損を簡単な工程処理で防止し、ウ
エットエッチングを無くしてＳＯＩ層の有効面積の減少
を防ぎ、研削・研磨を無くして剥離後のシリコンウエー
ハの再利用を可能なものとするＳＯＩウエーハの製造方
法を提供すると共に、各種集積回路やＴＦＴ−ＬＣＤ等
を形成し得るだけの、薄くて良好な膜厚均一性を有し、
結晶性に優れ、キャリア移動度の高いＳＯＩ層を持つＳ
ＯＩウエーハを提供する。 【解決手段】 単結晶シリコンウエーハの一主面に重水
素イオンを注入してイオン注入層を形成し、該イオンを
注入した面と絶縁基板の一主面とを密着させ、次いでこ
の密着させた状態で２００℃〜３００℃の熱処理を行
い、該イオン注入層を劈開面として該単結晶シリコンウ
エーハを該絶縁基板から分離して厚さ０．５μｍ以下の
ＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを作製した後、該ＳＯ
Ｉウエーハに前記熱処理温度よりも高温の熱処理を加え
て結合強度を高める。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＯＩ（Silicon
On Insulator）ウエーハの製造方法に係り、特に絶縁基
板とシリコン基板を結合して作製するＳＯＩウエーハの
製造方法並びにこの方法で作製されるＳＯＩウエーハに
関する。

【０００２】

【従来の技術】ＳＯＩウエーハを作製する方法の代表的
な一手法として、２枚の鏡面研磨したシリコンウエーハ
を酸化膜を介して接着剤を用いることなく結合し、熱処
理（通常１０００℃〜１２００℃）を行って結合強度を
高めた後、片方のウエーハを薄膜化する、いわゆるウエ
ーハ結合法がある。このウエーハ結合法では、結合され
た２枚のウエーハのうち片方のウエーハを研削やエッチ
ングによりある程度薄膜化した後、更にその表面をメカ
ノケミカル研磨することにより、目的とするＳＯＩ層厚
に仕上げることが行なわれている。

【０００３】この方法で作製されたＳＯＩウエーハは、
ＳＯＩ層の結晶性や埋め込み酸化膜の信頼性が通常のシ
リコンウエーハ並みに高いという利点があるが、この製
造方法ではＳＯＩ層膜厚の均一性に限界があり、目標膜
厚に対して高々±０．３μｍ程度の面内均一性しか得ら
れない。しかも、２枚のシリコンウエーハから１枚のＳ
ＯＩウエーハを得るので、コスト的にも不利である。

【０００４】最近、新たなＳＯＩウエーハの製造方法と
して、イオン注入したウエーハを他のウエーハと結合し
た後に熱処理することにより、イオン注入層で剥離する
方法（水素イオン剥離法、スマートカット法と呼ばれる
技術）が特開平５−２１１１２８号に提案されている。
この方法は、２枚のシリコンウエーハのうち、少なくと
も一方に酸化膜を形成し、一方のウエーハの一主面に水
素イオンまたは希ガスイオンを注入し、ウエーハ内部に
微小気泡層（封入層）を形成させた後、該イオンを注入
した方の面と他方のシリコンウエーハの一主面とを酸化
膜を介して密着させ、その後５００℃以上の熱処理を加
えて微小気泡層を劈開面として一方のウエーハを薄膜状
に分離し、さらに高温の熱処理を加えて強固に結合して
ＳＯＩウエーハを作製する技術である。

【０００５】この方法では膜厚均一性が±０．０１μｍ
以下のＳＯＩウエーハが比較的容易に得られるし、剥離
された方のウエーハを再利用することも可能で、コスト
的にも利点がある。

【０００６】ところで、ＳＯＩウエーハは、より高密度
化した集積回路を形成する上で有利であり、近年、ＨＤ
テレビ対応のＴＦＴ−ＬＣＤ（Thin Film Transistor-L
iquid Crystal Display 、薄層トランジスタ液晶ディス
プレイ）に使用され、また、超高周波移動電話用デバイ
スにも使われ始めている。この種のＳＯＩウエーハの支
持基板は透明であることが不可欠であるため、ガラス基
板や石英基板等の絶縁基板が用いられており、従来はそ
の支持基板上にアモルファスシリコン膜または多結晶シ
リコン膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法や
蒸着等により形成してＳＯＩウエーハを作製していた。
従って、デバイス動作の高速化や高精彩化の指標となる
キャリアの移動度等のＳＯＩ層の特性は単結晶シリコン
に比べて劣るものであり、必ずしも十分な特性が得られ
ていなかった。そのため、ＴＦＴと同一画面上に駆動回
路が形成できず、配線に限界があり、高密度化が困難で
あった。

【０００７】そこで、透明性の絶縁基板上に形成される
ＳＯＩ層が前記アモルファスシリコン膜や多結晶シリコ
ン膜ではなく単結晶シリコンとすることができれば、単
結晶シリコンとしての特性が得られるとともに、基板が
完全な絶縁体であるからキャリアの移動度が基板に影響
されず、極めて高くなり、特に高周波で駆動した場合の
効果が著しくなる。しかもこの場合、ＴＦＴ領域の周辺
に駆動回路を一体に形成することもでき、前記実装問題
も解決することになる。

【０００８】しかし、ＴＦＴ−ＬＣＤ用の基板として
は、ＳＯＩ層の厚さを例えば０．５μｍ程度以下に薄く
しなければならないため、前述のウエーハ結合法を適用
するためには、このような厚さまでの薄膜化のための研
削、研磨処理に耐える程度の高温熱処理を施し、単結晶
シリコンと熱膨張係数の異なる絶縁基板を強力に結合し
なければならない。

【０００９】本発明者らが調査したところ、通常のウエ
ーハ厚さ（４００〜８００μｍ程度）のシリコンウエー
ハと同一厚さの熱膨張係数の異なる絶縁基板（例えば、
石英基板やサファイア基板など）を室温で密着させた場
合、３００℃程度の熱処理を加えただけで、加熱処理中
あるいは冷却中に一方のウエーハが破損したり、剥離が
生じてしまうことがわかった。従って、前述した水素イ
オン剥離法を用いても、イオンが注入された微小気泡層
で剥離するための熱処理が５００℃以上であるために、
微小気泡層での剥離前にウエーハが破損してしまうとい
う問題があった。

【００１０】そこで、本発明者らは先の出願（特願平９
−３２９５０７号）において、水素イオン剥離法を利用
し、熱処理と薄膜化とを繰り返すことにより、前記問題
点を解決する方法を提案した。この方法は、まず水素イ
オンを注入したシリコンウエーハを絶縁基板と室温で密
着させ、１００〜３００℃で熱処理して仮接合した後、
アルカリエッチングでシリコンウエーハを１００〜２５
０μｍまでエッチングし、次に３５０〜４５０℃で熱処
理して本接合し、ＳＯＩ層を５０μｍ以下まで研削、研
磨する。更に、５００℃以上で熱処理することにより、
イオン注入層を劈開面として剥離し、ＳＯＩ層を０．５
μｍ以下にした後、８００℃以上で熱処理して結合強度
を高める方法である。

【００１１】この方法によれば、絶縁基板上に結晶性の
良好な単結晶シリコンのＳＯＩ層を有するＳＯＩウエー
ハを得ることができ、ＴＦＴ−ＬＣＤ等のデバイスに好
適な優れたＳＯＩウエーハを提供することができるとい
うものである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記特願平９−３２９
５０７号に提案した方法は、従来は得られなかった非常
に優れた特性を持つＳＯＩウエーハの製造が可能となり
非常に有効であるが、前記したようにその製造工程が非
常に複雑であるという問題点があった。

【００１３】また、ＳＯＩ層となるシリコンウエーハの
大部分は従来のウエーハ結合法と同様に、エッチングや
研削・研磨で除去されてしまうため、水素イオン剥離法
を用いているにも関わらず、イオン注入層を劈開面とし
て剥離したシリコンウエーハを再利用できるという水素
イオン剥離法独特の利点を生かすこともできなかった。

【００１４】さらに、１００〜３００℃で熱処理して仮
接合した後、アルカリエッチングでシリコンウエーハを
１００〜２５０μｍまでエッチングするため、結合され
たウエーハ外周部の結合界面から若干アルカリエッチン
グ液がしみ込んでしまい、デバイスを作製するためのＳ
ＯＩ層の有効面積が小さくなるという問題が派生した。

【００１５】そこで、本発明はこのような問題点に鑑み
なされたもので、シリコンウエーハと絶縁基板間の熱膨
張係数の差に基づく剥離や破損ひび割れを簡単な工程処
理で防止し、ウエットエッチングを無くしてＳＯＩ層の
有効面積の減少を防ぎ、研削・研磨を無くして剥離後の
シリコンウエーハの再利用を可能なものとするＳＯＩウ
エーハの製造方法を提供すると共に、この方法で作製し
たＳＯＩ層に各種集積回路やＴＦＴ−ＬＣＤ等が形成し
得るだけの、薄くて良好な膜厚均一性を有し、結晶性に
優れ、キャリア移動度の高いＳＯＩ層を持つＳＯＩウエ
ーハを提供することを主たる目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の請求項１に記載した発明は、単結晶シリコンウ
エーハの一主面に重水素イオンを注入してイオン注入層
を形成し、該イオンを注入した面と絶縁基板の一主面と
を密着させ、次いでこの密着させた状態で２００℃〜３
００℃の熱処理を行い、該イオン注入層で該単結晶シリ
コンウエーハを該絶縁基板から分離して厚さ０．５μｍ
以下のＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを作製した後、
該ＳＯＩウエーハに前記熱処理温度よりも高温の熱処理
を行なうことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法で
ある。

【００１７】このように、シリコンウエーハに注入する
イオンを重水素イオンにすれば、水素イオンを注入した
場合に比べて低温（３００℃以下）の熱処理で微小気泡
層を劈開面とする剥離が発生する。このような低温の剥
離熱処理であれば、たとえシリコンウエーハおよび絶縁
基板の厚さが数百μｍあったとしても、熱膨張係数の差
による剥離や破損、ひび割れが発生せず、確実に０．５
μｍ以下のＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを作製する
ことができる。そして、ＳＯＩ層の厚さが０．５μｍ以
下であれば、その後に結合強度を高めるための、より高
温の熱処理を加えても、破損やひび割れ、剥離が発生す
ることは殆どない。

【００１８】そしてこの場合、請求項２に記載したよう
に、単結晶シリコンウエーハの少なくとも一主面に予め
酸化膜を形成しておき、該酸化膜を通して重水素イオン
を注入するようにすれば、予め形成された酸化膜によ
り、結合界面にトラップされるボロン等の汚染元素がＳ
ＯＩ層中へ拡散するのを防ぐことができる。

【００１９】さらに請求項３では、前記絶縁基板を、石
英基板、サファイア（アルミナ）基板、ガラス基板、窒
化けい素基板、窒化アルミニウム基板または炭化けい素
基板とした。これらの基板は、単結晶シリコンウエーハ
とは熱膨張係数を異にしているが、膜厚０．５μｍ以下
のＳＯＩ層を形成した後は、より高温の熱処理により結
合強度は実用強度以上にすることができ、極めて絶縁耐
力に優れたＳＯＩウエーハを得ることができる。

【００２０】そして、本発明の請求項４に記載した発明
は、前記請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載
した製造方法により作製されたＳＯＩウエーハである。
このものは極めて絶縁性の高いバルク状絶縁基板上に、
極低欠陥で膜厚均一性の良好な薄膜ＳＯＩ層を形成した
ＳＯＩウエーハであり、キャリアの移動度にも優れてい
る。中でも合成石英基板上に形成された厚さが０．１μ
ｍで、キャリアの移動度がＮ型で５５０ｃｍ² ／Ｖ・ｓ
ｅｃ以上のＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを作製する
ことが可能で、優れた性能を有する薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）が作製できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定され
るものではない。ここで、図１は単結晶シリコンウエー
ハと絶縁基板を結合してＳＯＩウエーハを製造する方法
の製造工程の一例を示すフロー図である。以下、本発明
を１枚のシリコンウエーハと１枚の絶縁基板として合成
石英基板を結合する場合を中心に説明する。

【００２２】先ず、工程（１）では、１枚の単結晶シリ
コンウエーハのＳＯＩ層となる側の面から、所定の厚さ
のＳＯＩ層を得るような加速電圧で重水素イオンを注入
し、イオンの飛程（平均侵入深さ）付近において注入表
面に平行な微小気泡層（封入層）を形成させる。本発明
では、平均侵入深さを０．５μｍ以下としている。この
場合、シリコンウエーハには予め熱酸化処理により、そ
の表面に０．１〜２．０μｍの酸化膜を形成するのが望
ましい。

【００２３】工程（２）は、単結晶シリコンウエーハの
イオン注入面と絶縁基板である合成石英基板とを室温で
密着させる工程であり、常温の清浄な雰囲気下で２枚の
ウエーハの表面同士を接触させることにより、接着剤を
用いることなくウエーハ同士が結合する。

【００２４】工程（３）は、イオン注入層を境界として
上部シリコンと下部ＳＯＩウエーハ（ＳＯＩ層＋絶縁基
板）に分離する剥離熱処理工程であり、密着している基
板を、例えば不活性ガス雰囲気下で２００〜３００℃で
熱処理を加えれば、上部シリコンと下部ＳＯＩウエーハ
に分離される。

【００２５】この場合、合成石英の熱膨張係数はシリコ
ンのそれに比べて小さいので（Ｓｉ：２．３３×１
０^-6、石英：０．６×１０^-6）、両ウエーハ共に通常の
厚さ（４００〜８００μｍ程度）であると、３００℃以
上の熱処理により、熱処理中にどちらかのウエーハが破
損してしまうが、本実施形態のように、２００〜３００
℃であればそのような破損は生じることはない。しかも
単結晶シリコンウエーハには重水素イオンを注入した微
小気泡層（封入層）があるため、２００〜３００℃程度
の温度であっても、この部分で剥離が生じ、上部シリコ
ンと下部ＳＯＩウエーハにきれいに分離される。また、
剥離後の上部シリコンは、適切な表面処理を行なえば、
別の絶縁基板に対するＳＯＩ層用のシリコンウエーハと
して再利用することができる。

【００２６】尚、従来の水素イオン注入による微小気泡
層（封入層）での剥離温度（５００℃以上）に比べて、
重水素イオン注入の方がより低温で剥離が発生する理由
は今のところ明確ではないが、重水素イオン注入層の場
合、剥離に関係すると考えられる水素誘起板状欠陥（Hy
drogen Induced Platelet ：ＨＩＰ）が、２００〜３０
０℃程度の熱処理でも充分に発生することに起因するた
めと推測される。

【００２７】工程（４）では、工程（３）により得られ
た０．５μｍ以下の薄膜ＳＯＩ層を有するＳＯＩウエー
ハを、工程（３) で実施した熱処理温度よりも高温で熱
処理する。これによりＳＯＩ層と絶縁基板の結合強度を
高めることができ、デバイス工程でも使用可能な強度を
得ることができる。この高温熱処理は、工程（３）でＳ
ＯＩ層の厚さが０．５μｍ以下に薄膜化したことにより
処理が可能となったもので、ＳＯＩ層は合成石英の収縮
に合わせて弾性変形して追随していると考えられ、割
れ、ひび、剥離等の発生は殆どなくなった。

【００２８】また、工程（４）の熱処理温度としては、
結合強度を考慮すると８００℃以上が好ましく、特に１
０００℃以上であれば、例えばデバイス作製工程でのウ
ェットエッチングにおいて、エッチング液の結合界面へ
の滲み込みが発生せず一層好適である。更には、このよ
うな高温熱処理を加えることによって、用いた単結晶シ
リコンウエーハ起因の結晶欠陥やイオン注入時のダメー
ジを除去することができ、ＳＯＩ層の品質を一層向上せ
しめることも可能となった。また、例えば熱放射による
ランプ加熱器のような、急速加熱・急速冷却できる装置
を用いてこの熱処理を行えば、通常のヒータ加熱式の装
置に比べ、低温、短時間の熱処理で充分な結合強度を得
ることができる。

【００２９】尚、工程（４）の前に、ＳＯＩ層表面の面
粗さの改善やダメージの除去を目的として、研磨代が極
めて少ない鏡面研磨（例えば５〜１５ｎｍ程度の研磨
代）を行なうこともできる。以上の工程を経て、結晶欠
陥がなく、薄膜で膜厚均一性に優れ、キャリア移動度の
高いＳＯＩ層を有する高品質のＳＯＩウエーハを製造す
ることができる。

【００３０】本発明で使用する絶縁基板は、ＳＯＩ層と
なる単結晶シリコンウエーハとは熱膨張係数が異なる
が、絶縁性の高い、石英基板、サファイヤ（アルミナ）
基板、ガラス基板、窒化けい素基板、窒化アルミニウム
基板または炭化けい素基板等から半導体デバイスの目的
に応じて選択することができる。特にＴＦＴ−ＬＣＤの
場合は、透明性を要するので石英基板が用いられるが、
これらに限定されるものではない。

【００３１】上記製造方法で作製されたＳＯＩウエーハ
の内、石英絶縁基板上に形成された厚さが０．５μｍ以
下の単結晶ＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを使用して
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成した場合、例えば
０．１μｍのＳＯＩ層でキャリアの移動度がＮ型で５５
０ｃｍ² ／Ｖ・ｓｅｃ以上のものが得られた。これによ
り今後のＴＦＴ−ＬＣＤの高速化と高精彩化に対応する
ことが可能となる。さらに、高速のパソコンとも互換性
があり、駆動回路も一体となり、インテリジェントな性
能が得られる。また、絶縁基板上に形成されたＳＯＩ構
造であるため、通常より高周波で使用されても、信号伝
播速度の遅れ等の問題が発生せず、超高周波デバイス、
例えば、５ＧＨｚを満足するので超高周波移動電話デバ
イスとしての用途が開けることになる。さらに、ＵＬＳ
Ｉのデバイスプロセスがそのまま利用できる利点もあ
る。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 （実施例）導電型がＮ型で抵抗率が１０Ω・ｃｍ、直径
１５０ｍｍ、厚さ６２５μｍで、表面に２００ｎｍの熱
酸化膜を形成したシリコン鏡面ウエーハと、直径および
厚さが同一の合成石英基板を用い、図１に示した工程に
従ってＳＯＩ層の厚さが０．１μｍで、厚さのバラツキ
が±０．０１μｍ以下のＳＯＩウエーハを作製した。重
水素イオン注入処理、剥離熱処理、高温熱処理してＳＯ
Ｉウエーハを製造する処理条件は次の通りである。 ａ）工程（１）の水素注入条件：重水素イオン、注入エ
ネルギー：２０ｋｅＶ ドーズ量：１×１０¹⁶／ｃｍ² ｂ）工程（３）の剥離熱処理条件：２５０℃、１２０
分、窒素雰囲気下 ｃ）ＳＯＩウエーハ表面の鏡面研磨：研磨代約１０ｎｍ ｄ）工程（４）の結合熱処理条件：１１００℃、１２０
分、窒素雰囲気下

【００３３】（ＴＦＴ−ＬＣＤの作製と性能評価）この
ようにして得られたＳＯＱ（Silicon On Quartz ）ウエ
ーハを使用して、ゲート酸化膜の形成、ソース・ドレイ
ン領域の拡散等を行い、ＴＦＴ−ＬＣＤを作製し、その
性能を評価した。その結果、キャリアの移動度として５
５０ｃｍ²／Ｖ・ｓｅｃが得られ、 従来法による実用レ
ベルの最高値である２００ｃｍ² ／Ｖ・ｓｅｃ程度に比
べ、格段に良好な特性を得ることができた。

【００３４】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００３５】例えば、本発明で結合される絶縁基板とし
ては、前記請求項３に列記されたものに限られるもので
はなく、絶縁基板であり、半導体工程で不純物の問題を
発生させないものであれば、原則としてどのような材質
であってもよい。例えば、他の材質の基板、あるいは基
板表面に酸化膜等の絶縁膜を被覆したものであってもよ
い。また、本発明の絶縁基板としては、表面に酸化膜
（自然酸化膜、熱酸化膜）を有するシリコンウエーハを
絶縁基板としてもよいのであり、このようなものを排除
するものではない。表面に絶縁膜を形成したシリコンウ
エーハを使用すると、ＳＯＩ層との密着性が極めて良く
なるという利点がある。

【００３６】また、本発明の工程としては、上記のよう
なものに限られず、例えば、水素熱処理あるいはエッチ
ング処理等の工程が必要に応じて加えられることのある
ことは言うまでもない。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単結晶シリコンウエーハと熱膨張係数の異なる絶縁基板
とを、割れ、ひび、剥離等の欠陥なしに接合でき、極薄
膜で膜厚の均一性が良く、極低欠陥で結晶性とキャリア
移動度に優れたＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハの製造
工程を大幅に簡略化することができた。しかも、最終的
に副生される、剥離されたシリコンウエーハが再利用可
能になるとともに、従来のウエットエッチング工程が不
要となり、デバイス作製時のＳＯＩ層の有効面積が小さ
くなるという問題がなくなるため、生産性と歩留りが向
上し、大幅なコストダウンが可能となる。

【００３８】また、重水素イオンは、従来の水素イオン
に比べてイオン注入層における損傷が大きく、剥離し易
いため、イオン注入量を少なくすることができ、生産性
およびコストが向上する。このように本発明では、熱膨
張係数の異なる単結晶シリコンウエーハと絶縁基板を比
較的簡単に接合してＳＯＩウエーハを製造することがで
き、特に、ＳＯＱウエーハのキャリア移動度は高く、今
後のＴＦＴ−ＬＣＤの高速化と高精彩化に寄与すること
大である。また、完全なＳＯＩ構造であるため超高周波
（５ＧＨｚ）移動電話デバイス用等として用いることが
可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＳＯＩウエーハの製造工程の一例を示
すフロー図である。

【符号の説明】

１…単結晶シリコンウエーハに重水素イオンを注入する
工程、 ２…単結晶シリコンウエーハを絶縁基板に密着させる工
程、 ３…２００〜３００℃で剥離熱処理し、薄膜ＳＯＩウエ
ーハを形成する工程、 ４…工程（３）の熱処理より高温で結合熱処理する工
程。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単結晶シリコンウエーハの一主面に重水
   素イオンを注入してイオン注入層を形成し、該イオンを
   注入した面と絶縁基板の一主面とを密着させ、次いでこ
   の密着させた状態で２００℃〜３００℃の熱処理を行
   い、該イオン注入層を劈開面として該単結晶シリコンウ
   エーハを該絶縁基板から分離して厚さ０．５μｍ以下の
   ＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを作製した後、該ＳＯ
   Ｉウエーハに前記熱処理温度よりも高温の熱処理を行な
   うことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。
2. 【請求項２】 前記単結晶シリコンウエーハの少なくと
   も一主面に予め酸化膜を形成しておき、該酸化膜を通し
   て重水素イオンを注入することを特徴とする請求項１に
   記載したＳＯＩウエーハの製造方法。
3. 【請求項３】 前記絶縁基板が、石英基板、サファイア
   基板、ガラス基板、窒化けい素基板、窒化アルミニウム
   基板または炭化けい素基板であることを特徴とする請求
   項１または請求項２に記載したＳＯＩウエーハの製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記請求項１ないし請求項３のいずれか
   １項に記載した製造方法により作製されたことを特徴と
   するＳＯＩウエーハ。