JPH11330507A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH11330507A JPH11330507A JP10128827A JP12882798A JPH11330507A JP H11330507 A JPH11330507 A JP H11330507A JP 10128827 A JP10128827 A JP 10128827A JP 12882798 A JP12882798 A JP 12882798A JP H11330507 A JPH11330507 A JP H11330507A
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 90
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 74
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大面積化しても短絡の発生を防止できるＩ−
ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体を有する太陽電池を低コ
ストで提供する。 【解決手段】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜
（３）、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜（４）及び透明導
電膜（５，６）を順次有する太陽電池（１０）におい
て、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜の膜厚を２５００〜１
００００Åにする（式中、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ及びＶＩ
は、それぞれ、周期律表の第Ｉ族元素、第ＩＩ族元素、
第ＩＩＩ族元素及び第ＶＩ族の元素である）。Ｉ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2 系化合物半導体膜は、例えば、ＣｕＩｎＳｅ
2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ 2、ＣｕＩｎ
（Ｓ，Ｓｅ）2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又
はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2 よりなる化合物で構成で構成
され、また、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜は、例えば、
ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ又はＺ
ｎＯよりなる化合物で構成される。
ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体を有する太陽電池を低コ
ストで提供する。 【解決手段】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜
（３）、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜（４）及び透明導
電膜（５，６）を順次有する太陽電池（１０）におい
て、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜の膜厚を２５００〜１
００００Åにする（式中、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ及びＶＩ
は、それぞれ、周期律表の第Ｉ族元素、第ＩＩ族元素、
第ＩＩＩ族元素及び第ＶＩ族の元素である）。Ｉ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩ2 系化合物半導体膜は、例えば、ＣｕＩｎＳｅ
2、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ 2、ＣｕＩｎ
（Ｓ，Ｓｅ）2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又
はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2 よりなる化合物で構成で構成
され、また、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜は、例えば、
ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ又はＺ
ｎＯよりなる化合物で構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属セレンを気化
させてセレン化することにより得られるＣｕＩｎＳｅ2
等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2系化合物半導体膜を有する太陽
電池に関する。以下、本明細書においては、Ｉ、ＩＩ、
ＩＩＩ及びＶＩは、それぞれ、周期律表の第Ｉ族元素、
第ＩＩ族元素、第ＩＩＩ族元素及び第ＶＩ族元素を意味
するものとする。
させてセレン化することにより得られるＣｕＩｎＳｅ2
等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2系化合物半導体膜を有する太陽
電池に関する。以下、本明細書においては、Ｉ、ＩＩ、
ＩＩＩ及びＶＩは、それぞれ、周期律表の第Ｉ族元素、
第ＩＩ族元素、第ＩＩＩ族元素及び第ＶＩ族元素を意味
するものとする。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のＣｕＩｎＳｅ2 で構成さ
れる化合物半導体膜を有する太陽電池の断面説明図であ
る。図２において、１１０は、従来のＣｕＩｎＳｅ2 で
構成される化合物半導体膜を有する太陽電池である。従
来のＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化合物半導体膜を有す
る太陽電池１１０は、ガラス基板１０１、Ｍｏ膜１０
２、ＣｕＩｎＳｅ2 膜１０３、ＣｄＳ膜１０４、ＺｎＯ
膜１０５及びＡｌをドープしたＺｎＯ膜（以下、本明細
書では、「ＺｎＯ：Ａｌ膜」という。）１０６を順次有
している。
れる化合物半導体膜を有する太陽電池の断面説明図であ
る。図２において、１１０は、従来のＣｕＩｎＳｅ2 で
構成される化合物半導体膜を有する太陽電池である。従
来のＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化合物半導体膜を有す
る太陽電池１１０は、ガラス基板１０１、Ｍｏ膜１０
２、ＣｕＩｎＳｅ2 膜１０３、ＣｄＳ膜１０４、ＺｎＯ
膜１０５及びＡｌをドープしたＺｎＯ膜（以下、本明細
書では、「ＺｎＯ：Ａｌ膜」という。）１０６を順次有
している。
【０００３】このような従来のＣｕＩｎＳｅ2 で構成さ
れる化合物半導体膜を有する太陽電池１１０の製造にお
いては、ガラス基板１０１として、通常、約１ｍｍ厚の
ソーダライムガラス等よりなる基板を用いる。ガラス基
板１０１の上には、裏面電極として、Ｍｏ膜１０２を例
えばスッパタリングにより１〜２μｍの厚さに形成す
る。Ｍｏ膜１０２の上には、ｐ型半導体層として、Ｃｕ
ＩｎＳｅ2 膜１０３を例えばＣｕ、Ｉｎ及びＳｅの３元
同時蒸着により１〜２μｍの厚さに形成する。Ｃｕ、Ｉ
ｎ及びＳｅの３元同時蒸着は、真空容器の中において、
ヒーターにより３５０〜４００℃に加熱した基板上に金
属Ｃｕ、金属Ｉｎ及び金属Ｓｅよりなる３つの蒸着源か
ら同時に蒸発させた各蒸気を蒸着させてＣｕＩｎＳｅ2
膜を成膜することにより行われる。
れる化合物半導体膜を有する太陽電池１１０の製造にお
いては、ガラス基板１０１として、通常、約１ｍｍ厚の
ソーダライムガラス等よりなる基板を用いる。ガラス基
板１０１の上には、裏面電極として、Ｍｏ膜１０２を例
えばスッパタリングにより１〜２μｍの厚さに形成す
る。Ｍｏ膜１０２の上には、ｐ型半導体層として、Ｃｕ
ＩｎＳｅ2 膜１０３を例えばＣｕ、Ｉｎ及びＳｅの３元
同時蒸着により１〜２μｍの厚さに形成する。Ｃｕ、Ｉ
ｎ及びＳｅの３元同時蒸着は、真空容器の中において、
ヒーターにより３５０〜４００℃に加熱した基板上に金
属Ｃｕ、金属Ｉｎ及び金属Ｓｅよりなる３つの蒸着源か
ら同時に蒸発させた各蒸気を蒸着させてＣｕＩｎＳｅ2
膜を成膜することにより行われる。
【０００４】このように形成された「基板１の上にＭｏ
膜１０２及びＣｕＩｎＳｅ2 膜１０３を順次有する」積
層体をＣｄ3（ＣＨ3ＣＯＯ）2、Ｎ2Ｈ4Ｓ及びＮＨ4ＯＨ
よりなる溶液に浸漬することにより、ＣｕＩｎＳｅ2 膜
１０３の上に、バッファー層として、ＣｄＳ膜１０４を
０．０５μｍ、即ち、５００Åの厚さに形成する。この
ような溶液成長法によるＣｄＳ膜１０４の形成方法は、
一般的な方法であって、応用物理第６２巻第２号（１９
９３年２月発行）第１３９〜１４２頁に記載されてお
り、ＣＢＤ法と呼ばれている。特公平６−１４５５８号
公報には、このようなバッファー層として、１００〜１
５００Åのものを用いることが記載され、３００〜３５
０Åのものを用いることが好ましいと記載されている。
膜１０２及びＣｕＩｎＳｅ2 膜１０３を順次有する」積
層体をＣｄ3（ＣＨ3ＣＯＯ）2、Ｎ2Ｈ4Ｓ及びＮＨ4ＯＨ
よりなる溶液に浸漬することにより、ＣｕＩｎＳｅ2 膜
１０３の上に、バッファー層として、ＣｄＳ膜１０４を
０．０５μｍ、即ち、５００Åの厚さに形成する。この
ような溶液成長法によるＣｄＳ膜１０４の形成方法は、
一般的な方法であって、応用物理第６２巻第２号（１９
９３年２月発行）第１３９〜１４２頁に記載されてお
り、ＣＢＤ法と呼ばれている。特公平６−１４５５８号
公報には、このようなバッファー層として、１００〜１
５００Åのものを用いることが記載され、３００〜３５
０Åのものを用いることが好ましいと記載されている。
【０００５】そして、ＣｄＳ膜１０４の上には、透明電
極として、ＺｎＯ膜１０５を０．０３ｍμの厚さにスパ
ッタリングにより形成し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜１０
６を１〜２μｍの厚さにスパッタリングにより形成す
る。
極として、ＺｎＯ膜１０５を０．０３ｍμの厚さにスパ
ッタリングにより形成し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜１０
６を１〜２μｍの厚さにスパッタリングにより形成す
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のｐ型半導体層としてＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化
合物半導体を有する太陽電池は、大面積化しようとする
と、短絡が発生するという問題があった。
うな従来のｐ型半導体層としてＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化
合物半導体を有する太陽電池は、大面積化しようとする
と、短絡が発生するという問題があった。
【０００７】本発明は、かかる問題を解決することを目
的としている。即ち、本発明は、大面積化しても短絡の
発生を防止できるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2系化合物半導体を
有する太陽電池を低コストで提供することを目的とす
る。
的としている。即ち、本発明は、大面積化しても短絡の
発生を防止できるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2系化合物半導体を
有する太陽電池を低コストで提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｉ−ＩＩＩ
−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜を有する太陽電池を大
面積化したときに起こる短絡の原因を鋭意探求したとこ
ろ、第Ｉ族元素、第ＩＩＩ族元素及びＩＶ族元素の３元
同時蒸着によりＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導
体膜を成膜する際にその表面に凹凸が発生し、かかる凹
凸を有するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜
の上に、バッファー層として、従来のように１００〜１
５００Å程度の超薄膜のＩ−ＩＩＩ−ＶＩからなる化合
物半導体膜、ＩＩ−ＶＩからなる化合物半導体膜又はＩ
ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜を形成すると、カバーリン
グが完全に出来ず、その部分で、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 か
らなる化合物半導体膜と透明導電膜とが接触して短絡を
起こすので、バッファー層を２５００〜１００００Åと
厚くすれば、カバーリングが完全にでき、エネルギー変
換効率を大きく落さずに短絡の発生を防止できることを
見出して、本発明を完成するに至った。
−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜を有する太陽電池を大
面積化したときに起こる短絡の原因を鋭意探求したとこ
ろ、第Ｉ族元素、第ＩＩＩ族元素及びＩＶ族元素の３元
同時蒸着によりＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導
体膜を成膜する際にその表面に凹凸が発生し、かかる凹
凸を有するＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜
の上に、バッファー層として、従来のように１００〜１
５００Å程度の超薄膜のＩ−ＩＩＩ−ＶＩからなる化合
物半導体膜、ＩＩ−ＶＩからなる化合物半導体膜又はＩ
ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜を形成すると、カバーリン
グが完全に出来ず、その部分で、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 か
らなる化合物半導体膜と透明導電膜とが接触して短絡を
起こすので、バッファー層を２５００〜１００００Åと
厚くすれば、カバーリングが完全にでき、エネルギー変
換効率を大きく落さずに短絡の発生を防止できることを
見出して、本発明を完成するに至った。
【０００９】本第１発明は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合
物半導体膜、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透明導電
膜を順次有する太陽電池において、ＩＩ−ＶＩ系化合物
半導体膜の膜厚を２５００〜１００００Åにしたことを
特徴とする太陽電池である。
物半導体膜、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透明導電
膜を順次有する太陽電池において、ＩＩ−ＶＩ系化合物
半導体膜の膜厚を２５００〜１００００Åにしたことを
特徴とする太陽電池である。
【００１０】本第２発明は、第１発明において、Ｉ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜をＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ
ＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓｅ，
Ｓ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成することを特
徴とするものである。
ＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜をＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ
ＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓｅ，
Ｓ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成することを特
徴とするものである。
【００１１】本第３発明は、第２又は３発明において、
ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ又はＺｎＯよりなる化合物で構
成することを特徴とするものである。
ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ又はＺｎＯよりなる化合物で構
成することを特徴とするものである。
【００１２】本第４発明は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合
物半導体膜、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透
明導電膜を順次有する太陽電池において、Ｉ−ＩＩＩ−
ＶＩ系化合物半導体膜の膜厚を２５００〜１００００Å
にしたことを特徴とする太陽電池である。
物半導体膜、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透
明導電膜を順次有する太陽電池において、Ｉ−ＩＩＩ−
ＶＩ系化合物半導体膜の膜厚を２５００〜１００００Å
にしたことを特徴とする太陽電池である。
【００１３】本題５発明は、第４発明において、Ｉ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜をＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ
ＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓ
ｅ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成することを特
徴とするものである。
ＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜をＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ
ＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓ
ｅ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成することを特
徴とするものである。
【００１４】本第６発明は、第４又は５発明において、
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＣｕＩｎ3Ｓｅ5、
Ｃｕ3Ｉｎ5Ｓｅ9、Ｃｕ2Ｉｎ4Ｓｅ7又はＣｕＩｎ5Ｓｅ8
よりなる化合物で構成することを特徴とするものであ
る。
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＣｕＩｎ3Ｓｅ5、
Ｃｕ3Ｉｎ5Ｓｅ9、Ｃｕ2Ｉｎ4Ｓｅ7又はＣｕＩｎ5Ｓｅ8
よりなる化合物で構成することを特徴とするものであ
る。
【００１５】本第７発明は、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合
物半導体膜、ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透明導
電膜を順次有する太陽電池において、ＩＩＩ−ＶＩ系化
合物半導体膜の膜厚を２５００〜１００００Åにしたこ
とを特徴とする太陽電池である。
物半導体膜、ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透明導
電膜を順次有する太陽電池において、ＩＩＩ−ＶＩ系化
合物半導体膜の膜厚を２５００〜１００００Åにしたこ
とを特徴とする太陽電池である。
【００１６】本第８発明は、第７発明において、Ｉ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜をＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ
ＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓ
ｅ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成することを特
徴とするものである。
ＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜をＣｕＩｎＳｅ2 、Ｃｕ
ＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓ
ｅ） 2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ
（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成することを特
徴とするものである。
【００１７】本第９発明は、第７又は８発明において、
ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＩｎ2Ｓｅ3 、Ｉｎ2Ｓ
ｅ、Ｉｎ5Ｓｅ6、ＩｎＳｅ、ＧａＳｅ又はＧａ2Ｓｅ3よ
りなる化合物で構成することを特徴とするものである。
ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＩｎ2Ｓｅ3 、Ｉｎ2Ｓ
ｅ、Ｉｎ5Ｓｅ6、ＩｎＳｅ、ＧａＳｅ又はＧａ2Ｓｅ3よ
りなる化合物で構成することを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施の
形態を示すＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化合物半導体膜
を有する太陽電池の断面説明図である。図１において、
１０は、ＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化合物半導体膜を
有する太陽電池である。ＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化
合物半導体を有する太陽電池１０は、ガラス板基１、Ｍ
ｏ膜２、ＣｕＩｎＳｅ2 膜３、ＣｄＳ膜４、ＺｎＯ膜５
及びＺｎＯ：Ａｌ膜６を順次有している。
明の実施の形態を説明する。図１は、本発明の一実施の
形態を示すＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化合物半導体膜
を有する太陽電池の断面説明図である。図１において、
１０は、ＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化合物半導体膜を
有する太陽電池である。ＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化
合物半導体を有する太陽電池１０は、ガラス板基１、Ｍ
ｏ膜２、ＣｕＩｎＳｅ2 膜３、ＣｄＳ膜４、ＺｎＯ膜５
及びＺｎＯ：Ａｌ膜６を順次有している。
【００１９】このようなＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化
合物半導体を有する太陽電池１０の製造においては、ガ
ラス基板１として、約１ｍｍ厚のソーダライムガラス等
よりなる基板が用いる。ガラス基板１の上には、裏面電
極として、Ｍｏ膜２を例えばスッパタリングにより１〜
２μｍの厚さに形成する。Ｍｏ膜２の上には、ｐ型半導
体層として、ＣｕＩｎＳｅ2 膜３を例えばＣｕ、Ｉｎ及
びＳｅの３元同時蒸着により１〜２μｍの厚さに形成す
る。Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅの３元同時蒸着は、真空容器の
中において、ヒーターにより３５０〜４００℃に加熱し
た基板上に金属Ｃｕ、金属Ｉｎ及び金属Ｓｅよりなる３
つの蒸着源から同時に蒸発させた各蒸気を蒸着させてＣ
ｕＩｎＳｅ2 膜を成膜することにより行なう。
合物半導体を有する太陽電池１０の製造においては、ガ
ラス基板１として、約１ｍｍ厚のソーダライムガラス等
よりなる基板が用いる。ガラス基板１の上には、裏面電
極として、Ｍｏ膜２を例えばスッパタリングにより１〜
２μｍの厚さに形成する。Ｍｏ膜２の上には、ｐ型半導
体層として、ＣｕＩｎＳｅ2 膜３を例えばＣｕ、Ｉｎ及
びＳｅの３元同時蒸着により１〜２μｍの厚さに形成す
る。Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅの３元同時蒸着は、真空容器の
中において、ヒーターにより３５０〜４００℃に加熱し
た基板上に金属Ｃｕ、金属Ｉｎ及び金属Ｓｅよりなる３
つの蒸着源から同時に蒸発させた各蒸気を蒸着させてＣ
ｕＩｎＳｅ2 膜を成膜することにより行なう。
【００２０】このように形成したＣｕＩｎＳｅ2 膜３の
上に、真空条件下、基板温度２００℃において、バッフ
ァー層として、ＣｄＳ膜４を２５００〜１００００Å厚
に蒸着レート１０Å／ｓで成膜する。
上に、真空条件下、基板温度２００℃において、バッフ
ァー層として、ＣｄＳ膜４を２５００〜１００００Å厚
に蒸着レート１０Å／ｓで成膜する。
【００２１】そして、ＣｄＳ膜４の上には、透明電極と
して、ＺｎＯ膜５を０．０３μｍの厚さにスパッタリン
グにより形成し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜６を１〜２μ
ｍの厚さにスパッタリングにより形成する。
して、ＺｎＯ膜５を０．０３μｍの厚さにスパッタリン
グにより形成し、続いて、ＺｎＯ：Ａｌ膜６を１〜２μ
ｍの厚さにスパッタリングにより形成する。
【００２２】本発明におけるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合
物半導体膜は、好ましくは、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎ
Ｓ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）
2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成されるが、本発明
の目的に反しない限り、その他のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 に
含まれる化合物であってもかまわない。
物半導体膜は、好ましくは、ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎ
Ｓ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）
2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕ（Ｉ
ｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合物で構成されるが、本発明
の目的に反しない限り、その他のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 に
含まれる化合物であってもかまわない。
【００２３】本発明のおけるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物
半導体膜は、ＣｕＩｎ3Ｓｅ5、Ｃｕ 3Ｉｎ5Ｓｅ9、Ｃｕ2
Ｉｎ4Ｓｅ7又はＣｕＩｎ5Ｓｅ8よりなる化合物で構成さ
れるが、本発明の目的に反しない限り、その他のＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩに含まれる化合物であってもかまわない。
半導体膜は、ＣｕＩｎ3Ｓｅ5、Ｃｕ 3Ｉｎ5Ｓｅ9、Ｃｕ2
Ｉｎ4Ｓｅ7又はＣｕＩｎ5Ｓｅ8よりなる化合物で構成さ
れるが、本発明の目的に反しない限り、その他のＩ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩに含まれる化合物であってもかまわない。
【００２４】本発明におけるＩＩ−ＶＩ系化合物半導体
膜は、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ
又はＺｎＯよりなる化合物で構成されるが、本発明の目
的に反しない限り、その他のＩ−ＩＩＩ−ＶＩに含まれ
る化合物であってもかまわない。
膜は、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ
又はＺｎＯよりなる化合物で構成されるが、本発明の目
的に反しない限り、その他のＩ−ＩＩＩ−ＶＩに含まれ
る化合物であってもかまわない。
【００２５】本発明におけるＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導
体膜は、Ｉｎ2Ｓｅ3 、Ｉｎ2Ｓｅ、Ｉｎ5Ｓｅ6、ＩｎＳ
ｅ、ＧａＳｅ又はＧａ2Ｓｅ3よりなる化合物で構成され
るが、本発明の目的に反しない限り、その他のＩ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩに含まれる化合物であってもかまわない。
体膜は、Ｉｎ2Ｓｅ3 、Ｉｎ2Ｓｅ、Ｉｎ5Ｓｅ6、ＩｎＳ
ｅ、ＧａＳｅ又はＧａ2Ｓｅ3よりなる化合物で構成され
るが、本発明の目的に反しない限り、その他のＩ−ＩＩ
Ｉ−ＶＩに含まれる化合物であってもかまわない。
【００２６】
【実施例】（実施例１）ソーダライムガラス基板上にス
パッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜した。
このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上に、真
空条件下、基板温度２００℃において、Ｉｎ2Ｓｅ3を蒸
着源として、真空蒸着により、１μｍ厚のＩｎ及びＳｅ
を含む膜（以下、「Ｉｎ−Ｓｅ膜」という）を蒸着レー
ト１０Å／ｓで成膜した。このように成膜したＩｎ−Ｓ
ｅ膜上に、真空条件下、基板温度；室温において、金属
Ｃｕを蒸着源として真空蒸着により、０．２μｍ厚のＣ
ｕ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成膜して、プリカーサを
形成した。このように形成したプリカーサをカーボンボ
ックス中において固体セレンをＳｅ源として５５０℃で
１時間セレン化してＣｕＩｎＳｅ2 膜を形成した。この
ように成形したＣｕＩｎＳｅ2 膜上に、真空条件下、基
板温度５００℃ににおいて、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを蒸着
源とする真空同時蒸着により、０．３μｍ（３０００
Å）厚のＣｕＩｎ3 Ｓｅ5 膜を蒸着レート１０Å／ｓで
成膜した。そして、このように成膜したＣｕＩｎ3Ｓｅ5
膜上に、スパッタリングにより、０．０３μｍ厚のＺｎ
Ｏ膜を成膜し、続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：Ａｌ膜
を成膜した。このようにして得られた５ｃｍ×５ｃｍの
大きさの積層膜を２５分割して太陽電池の評価を行った
ところ、エネルギー変換効率は１０％であり、そして、
短絡は発生しなかった。
パッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜した。
このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上に、真
空条件下、基板温度２００℃において、Ｉｎ2Ｓｅ3を蒸
着源として、真空蒸着により、１μｍ厚のＩｎ及びＳｅ
を含む膜（以下、「Ｉｎ−Ｓｅ膜」という）を蒸着レー
ト１０Å／ｓで成膜した。このように成膜したＩｎ−Ｓ
ｅ膜上に、真空条件下、基板温度；室温において、金属
Ｃｕを蒸着源として真空蒸着により、０．２μｍ厚のＣ
ｕ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成膜して、プリカーサを
形成した。このように形成したプリカーサをカーボンボ
ックス中において固体セレンをＳｅ源として５５０℃で
１時間セレン化してＣｕＩｎＳｅ2 膜を形成した。この
ように成形したＣｕＩｎＳｅ2 膜上に、真空条件下、基
板温度５００℃ににおいて、Ｃｕ、Ｉｎ及びＳｅを蒸着
源とする真空同時蒸着により、０．３μｍ（３０００
Å）厚のＣｕＩｎ3 Ｓｅ5 膜を蒸着レート１０Å／ｓで
成膜した。そして、このように成膜したＣｕＩｎ3Ｓｅ5
膜上に、スパッタリングにより、０．０３μｍ厚のＺｎ
Ｏ膜を成膜し、続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：Ａｌ膜
を成膜した。このようにして得られた５ｃｍ×５ｃｍの
大きさの積層膜を２５分割して太陽電池の評価を行った
ところ、エネルギー変換効率は１０％であり、そして、
短絡は発生しなかった。
【００２７】（実施例２）ソーダライムガラス基板上に
スパッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜し
た。このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上
に、真空条件下、基板温度２００℃において、Ｉｎ2Ｓ
ｅ3を蒸着源として、真空蒸着により、１μｍ厚のＩｎ
−Ｓｅ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成膜した。このよう
に成膜したＩｎ−Ｓｅ膜上に、真空条件下、基板温度；
室温において、金属Ｃｕを蒸着源として真空蒸着によ
り、０．２μｍ厚のＣｕ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成
膜して、プリカーサを形成した。このように形成したプ
リカーサをカーボンボックス中において固体セレンをＳ
ｅ源として５５０℃で１時間セレン化してＣｕＩｎＳｅ
2 膜を形成した。このように成形したＣｕＩｎＳｅ2 膜
上に、真空条件下、基板温度２００℃ににおいて、０．
３μｍ（３０００Å）厚のＣｄＳ膜を蒸着レート１０Å
／ｓで成膜した。そして、このように成膜したＣｄＳ膜
上に、スパッタリングにより、０．０３μｍ厚のＺｎＯ
膜を成膜し、続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：Ａｌ膜を
成膜した。このようにして得られた５ｃｍ×５ｃｍの大
きさの積層膜を２５分割して太陽電池の評価を行ったと
ころ、エネルギー変換効率は１２．８％であり、そし
て、短絡は発生しなかった。
スパッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜し
た。このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上
に、真空条件下、基板温度２００℃において、Ｉｎ2Ｓ
ｅ3を蒸着源として、真空蒸着により、１μｍ厚のＩｎ
−Ｓｅ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成膜した。このよう
に成膜したＩｎ−Ｓｅ膜上に、真空条件下、基板温度；
室温において、金属Ｃｕを蒸着源として真空蒸着によ
り、０．２μｍ厚のＣｕ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成
膜して、プリカーサを形成した。このように形成したプ
リカーサをカーボンボックス中において固体セレンをＳ
ｅ源として５５０℃で１時間セレン化してＣｕＩｎＳｅ
2 膜を形成した。このように成形したＣｕＩｎＳｅ2 膜
上に、真空条件下、基板温度２００℃ににおいて、０．
３μｍ（３０００Å）厚のＣｄＳ膜を蒸着レート１０Å
／ｓで成膜した。そして、このように成膜したＣｄＳ膜
上に、スパッタリングにより、０．０３μｍ厚のＺｎＯ
膜を成膜し、続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：Ａｌ膜を
成膜した。このようにして得られた５ｃｍ×５ｃｍの大
きさの積層膜を２５分割して太陽電池の評価を行ったと
ころ、エネルギー変換効率は１２．８％であり、そし
て、短絡は発生しなかった。
【００２８】（実施例３）ソーダライムガラス基板上に
スパッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜し
た。このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上
に、真空条件下、基板温度２００℃において、Ｉｎ2Ｓ
ｅ3を蒸着源として、真空蒸着により、１μｍ厚のＩｎ
−Ｓｅ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成膜した。このよう
に成膜したＩｎ−Ｓｅ膜上に、真空条件下、基板温度；
室温において、金属Ｃｕを蒸着源として真空蒸着によ
り、０．２μｍ厚のＣｕ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成
膜して、プリカーサを形成した。このように形成したプ
リカーサをカーボンボックス中において固体セレンをＳ
ｅ源として５５０℃で１時間セレン化してＣｕＩｎＳｅ
2 膜を形成した。このように成形したＣｕＩｎＳｅ2 膜
上に、真空条件下、基板温度２００℃ににおいて、０．
３μｍ（３０００Å）厚のＩｎ2Ｓｅ3膜を蒸着レート１
０Å／ｓで成膜した。そして、このように成膜したＩｎ
2Ｓｅ3膜上に、スパッタリングにより、０．０３μｍ厚
のＺｎＯ膜を成膜し、続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：
Ａｌ膜を成膜した。このようにして得られた５ｃｍ×５
ｃｍの大きさの積層膜を２５分割して太陽電池の評価を
行ったところ、エネルギー変換効率は９．５％であり、
そして、短絡は発生しなかった。
スパッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜し
た。このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上
に、真空条件下、基板温度２００℃において、Ｉｎ2Ｓ
ｅ3を蒸着源として、真空蒸着により、１μｍ厚のＩｎ
−Ｓｅ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成膜した。このよう
に成膜したＩｎ−Ｓｅ膜上に、真空条件下、基板温度；
室温において、金属Ｃｕを蒸着源として真空蒸着によ
り、０．２μｍ厚のＣｕ膜を蒸着レート１０Å／ｓで成
膜して、プリカーサを形成した。このように形成したプ
リカーサをカーボンボックス中において固体セレンをＳ
ｅ源として５５０℃で１時間セレン化してＣｕＩｎＳｅ
2 膜を形成した。このように成形したＣｕＩｎＳｅ2 膜
上に、真空条件下、基板温度２００℃ににおいて、０．
３μｍ（３０００Å）厚のＩｎ2Ｓｅ3膜を蒸着レート１
０Å／ｓで成膜した。そして、このように成膜したＩｎ
2Ｓｅ3膜上に、スパッタリングにより、０．０３μｍ厚
のＺｎＯ膜を成膜し、続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：
Ａｌ膜を成膜した。このようにして得られた５ｃｍ×５
ｃｍの大きさの積層膜を２５分割して太陽電池の評価を
行ったところ、エネルギー変換効率は９．５％であり、
そして、短絡は発生しなかった。
【００２９】（従来例１）ソーダライムガラス基板上に
スパッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜し
た。このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上
に、真空条件下で、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅの蒸着源を同時蒸
着させてＣｕＩｎＳｅ2 膜形成し、その上にＣＢＤ法に
てＣｄＳ膜を５００〜１０００μｍ程度の膜厚に成膜し
た。そして、このように成膜したＣｄＳ膜上に、スパッ
タリングにより、０．０３μｍ厚のＺｎＯ膜を成膜し、
続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：Ａｌ膜を成膜した。こ
のようにして得られた５ｃｍ×５ｃｍの大きさの積層膜
を２５分割して太陽電池の評価を行ったところ、そのエ
ネルギー変換効率が１２％であり、そして、短絡が所々
発生していた。
スパッタリングにより１〜２μｍ厚のＭｏ膜を成膜し
た。このＭｏ膜を成膜したソーダライムガラス基板上
に、真空条件下で、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｓｅの蒸着源を同時蒸
着させてＣｕＩｎＳｅ2 膜形成し、その上にＣＢＤ法に
てＣｄＳ膜を５００〜１０００μｍ程度の膜厚に成膜し
た。そして、このように成膜したＣｄＳ膜上に、スパッ
タリングにより、０．０３μｍ厚のＺｎＯ膜を成膜し、
続いて、０．７μｍ厚のＺｎＯ：Ａｌ膜を成膜した。こ
のようにして得られた５ｃｍ×５ｃｍの大きさの積層膜
を２５分割して太陽電池の評価を行ったところ、そのエ
ネルギー変換効率が１２％であり、そして、短絡が所々
発生していた。
【００３０】実施例１〜３で作成した太陽電池において
は、それらのエネルギー変換効率が、それぞれ、１０
％、１２．８％及び９．５％であるが、短絡が発生して
おらず、これに対して、従来例１で作成した太陽電池に
おいては、そのエネルギー変換効率が１２％であるが、
短絡が所々発生しおり、これらのことから、本発明の太
陽電池は、そのエネルギー変換効率が従来のものと比べ
て多少落ちるものの、大面積化することによりそれをカ
バーすることができるので、従来の太陽電池よりも優れ
ていることがわかる。
は、それらのエネルギー変換効率が、それぞれ、１０
％、１２．８％及び９．５％であるが、短絡が発生して
おらず、これに対して、従来例１で作成した太陽電池に
おいては、そのエネルギー変換効率が１２％であるが、
短絡が所々発生しおり、これらのことから、本発明の太
陽電池は、そのエネルギー変換効率が従来のものと比べ
て多少落ちるものの、大面積化することによりそれをカ
バーすることができるので、従来の太陽電池よりも優れ
ていることがわかる。
【００３１】本発明によれば、第Ｉ族元素、第ＩＩＩ及
びＩＶ族元素の３元同時蒸着によるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2
からなる化合物半導体膜は、Ｈ2ＶＩ を用いたＶＩ化法
によるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜や固
体ＶＩを用いたＶＩ化法によるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 から
なる化合物半導体膜と比べて、装置コスト、安全性等に
おいて優れているが、大面積化すると凹凸が激しく発生
する傾向があるので、かかる凹凸を有するＩ−ＩＩＩ−
ＶＩ2 からなる化合物半導体膜の上に、バッファー層と
して、従来の１００〜１５００Å程度よりもずっと厚い
２５００〜１００００Å厚のＩ−ＩＩＩ−ＶＩからなる
化合物半導体膜、ＩＩ−ＶＩからなる化合物半導体膜又
はＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜を形成すると、Ｉ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜の凹凸を完全にカ
バーリングすることができ、そのために、大面積化して
も短絡の発生を防止できるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物
半導体を有する太陽電池を低コストで提供することがで
きる。
びＩＶ族元素の３元同時蒸着によるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2
からなる化合物半導体膜は、Ｈ2ＶＩ を用いたＶＩ化法
によるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜や固
体ＶＩを用いたＶＩ化法によるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 から
なる化合物半導体膜と比べて、装置コスト、安全性等に
おいて優れているが、大面積化すると凹凸が激しく発生
する傾向があるので、かかる凹凸を有するＩ−ＩＩＩ−
ＶＩ2 からなる化合物半導体膜の上に、バッファー層と
して、従来の１００〜１５００Å程度よりもずっと厚い
２５００〜１００００Å厚のＩ−ＩＩＩ−ＶＩからなる
化合物半導体膜、ＩＩ−ＶＩからなる化合物半導体膜又
はＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜を形成すると、Ｉ−Ｉ
ＩＩ−ＶＩ2 からなる化合物半導体膜の凹凸を完全にカ
バーリングすることができ、そのために、大面積化して
も短絡の発生を防止できるＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物
半導体を有する太陽電池を低コストで提供することがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】大面積化しても短絡の発生を防止できる
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体を有する太陽電池を
低コストで提供することができる。
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体を有する太陽電池を
低コストで提供することができる。
【図１】本発明の一実施の形態を示すＣｕＩｎＳｅ2 で
構成される化合物半導体膜を有する太陽電池の断面説明
図である。
構成される化合物半導体膜を有する太陽電池の断面説明
図である。
【図２】従来のＣｕＩｎＳｅ2 で構成される化合物半導
体膜を有する太陽電池の断面説明図である。
体膜を有する太陽電池の断面説明図である。
１ ガラス基板 ２ Ｍｏ膜 ３ ＣｕＩｎＳｅ2 膜 ４ ＣｄＳ膜 ５ ＺｎＯ膜 ６ ＺｎＯ：Ａｌ膜 １０ 太陽電池
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜、
ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透明導電膜を順次有す
る太陽電池において、ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜の膜
厚を２５００〜１００００Åにしたことを特徴とする太
陽電池（式中、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ及びＶＩは、それぞ
れ、周期律表の第Ｉ族元素、第ＩＩ族元素、第ＩＩＩ族
元素及び第ＶＩ族の元素である）。 - 【請求項２】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜を
ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ
ｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）
（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合
物で構成することを特徴とする請求項１記載の太陽電
池。 - 【請求項３】 ＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＣｄＳ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ又はＺｎＯより
なる化合物で構成することを特徴とする請求項１又は２
記載の太陽電池。 - 【請求項４】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜、
Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透明導電膜を順
次有する太陽電池において、Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物
半導体膜の膜厚を２５００〜１００００Åにしたことを
特徴とする太陽電池（式中、Ｉ、ＩＩＩ及びＶＩは、そ
れぞれ、周期律表の第Ｉ族元素、第ＩＩＩ族元素及び第
ＶＩ族の元素である）。 - 【請求項５】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜を
ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ
ｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓ，Ｓｅ）2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）
（Ｓｅ，Ｓ）2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合
物で構成することを特徴とする請求項４記載の太陽電
池。 - 【請求項６】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＣ
ｕＩｎ3Ｓｅ5、Ｃｕ 3Ｉｎ5Ｓｅ9、Ｃｕ2Ｉｎ4Ｓｅ7又は
ＣｕＩｎ5Ｓｅ8よりなる化合物で構成することを特徴と
する請求項４又は５記載の太陽電池。 - 【請求項７】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜、
ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜及び透明導電膜を順次有
する太陽電池において、ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜
の膜厚を２５００〜１００００Åにしたことを特徴とす
る太陽電池（式中、Ｉ、ＩＩＩ及びＶＩは、それぞれ、
周期律表の第Ｉ族元素、第ＩＩＩ族元素及び第ＶＩ族の
元素である）。 - 【請求項８】 Ｉ−ＩＩＩ−ＶＩ2 系化合物半導体膜を
ＣｕＩｎＳｅ2 、ＣｕＩｎＳ2、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ
ｅ2、ＣｕＩｎ（Ｓｅ，Ｓ）2 、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）
（Ｓ，Ｓｅ）2又はＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ2よりなる化合
物で構成することを特徴とする請求項７記載の太陽電
池。 - 【請求項９】 ＩＩＩ−ＶＩ系化合物半導体膜をＩｎ2
Ｓｅ3 、Ｉｎ2Ｓｅ、Ｉｎ5Ｓｅ6、ＩｎＳｅ、ＧａＳｅ
又はＧａ2Ｓｅ3よりなる化合物で構成することを特徴と
する請求項７又は８記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10128827A JPH11330507A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10128827A JPH11330507A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330507A true JPH11330507A (ja) | 1999-11-30 |
Family
ID=14994397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10128827A Withdrawn JPH11330507A (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11330507A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004100250A1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Solibro Ab | A thin-film solar cell |
| KR100809440B1 (ko) | 2007-03-09 | 2008-03-05 | 한국전자통신연구원 | ｎ-형 및 ｐ-형 ＣＩＳ를 포함하는 박막트랜지스터 및 그제조방법 |
| JP2010192689A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
| CN102877101A (zh) * | 2012-10-09 | 2013-01-16 | 哈尔滨理工大学 | 以CuInSe2薄膜为基体电沉积制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法 |
| EP2309554A3 (en) * | 2009-10-09 | 2016-08-17 | Stion Corporation | Zinc oxide film method and structure for cigs cell |
-
1998
- 1998-05-12 JP JP10128827A patent/JPH11330507A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004100250A1 (en) * | 2003-05-08 | 2004-11-18 | Solibro Ab | A thin-film solar cell |
| US8865512B2 (en) | 2003-05-08 | 2014-10-21 | Solibro Research Ab | Thin-film solar cell |
| KR100809440B1 (ko) | 2007-03-09 | 2008-03-05 | 한국전자통신연구원 | ｎ-형 및 ｐ-형 ＣＩＳ를 포함하는 박막트랜지스터 및 그제조방법 |
| US7851791B2 (en) | 2007-03-09 | 2010-12-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Thin film transistor having N-type and P-type CIS thin films and method of manufacturing the same |
| US8084295B2 (en) | 2007-03-09 | 2011-12-27 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Thin film transistor having n-type and p-type CIS thin films and method of manufacturing the same |
| JP2010192689A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
| EP2309554A3 (en) * | 2009-10-09 | 2016-08-17 | Stion Corporation | Zinc oxide film method and structure for cigs cell |
| CN102877101A (zh) * | 2012-10-09 | 2013-01-16 | 哈尔滨理工大学 | 以CuInSe2薄膜为基体电沉积制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法 |
| CN102877101B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-04-15 | 哈尔滨理工大学 | 以CuInSe2薄膜为基体电沉积制备太阳能电池缓冲层ZnS薄膜的方法 |
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