JPH11330604A - 光電変換素子およびその製造方法 - Google Patents
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- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 容易かつ正確にコンタクト用電極の接続を確
保することができる光電変換素子を提供する。 【解決手段】 基板１１に半導体層およびｐ側電極１７
を順次積層したレーザ発振部１０を同一の基板１１に複
数形成する。各ｐ側電極１７には絶縁層２０の各開口２
１を介して配設基板３２に形成された各コンタクト用電
極３１がそれぞれ電気的に接続される。互いに隣り合う
各レーザ発振部１０に対応する各開口２１は、配列方向
Ｂにおいて隣り合わないように互い違いに形成される。
各コンタクト用電極３１は各開口２１に対応して配列方
向Ｂと平行に延長される。よって、配列方向Ｂにおいて
隣り合う各開口２１の間隔および各コンタクト用電極３
１の間隔Ｓ4 が広くなり、位置合わせに高い精度が必要
なくなる。従って、各ｐ側電極１７と各コンタクト用電
極３１を容易かつ正確に接続できる。
保することができる光電変換素子を提供する。 【解決手段】 基板１１に半導体層およびｐ側電極１７
を順次積層したレーザ発振部１０を同一の基板１１に複
数形成する。各ｐ側電極１７には絶縁層２０の各開口２
１を介して配設基板３２に形成された各コンタクト用電
極３１がそれぞれ電気的に接続される。互いに隣り合う
各レーザ発振部１０に対応する各開口２１は、配列方向
Ｂにおいて隣り合わないように互い違いに形成される。
各コンタクト用電極３１は各開口２１に対応して配列方
向Ｂと平行に延長される。よって、配列方向Ｂにおいて
隣り合う各開口２１の間隔および各コンタクト用電極３
１の間隔Ｓ4 が広くなり、位置合わせに高い精度が必要
なくなる。従って、各ｐ側電極１７と各コンタクト用電
極３１を容易かつ正確に接続できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換部に対し
てコンタクト用電極を有する光電変換素子およびその製
造方法に係り、特に、基板を同一とする複数の光電変換
部を備えた光電変換素子およびその製造方法に関する。
てコンタクト用電極を有する光電変換素子およびその製
造方法に係り、特に、基板を同一とする複数の光電変換
部を備えた光電変換素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、光ディスク装置やレーザビームプ
リンタや複写機など、光電変換素子である半導体レーザ
（laser diode ；ＬＤ）を利用した様々な装置が開発さ
れている。近年、これらの各装置においては動作の高速
化や高性能化が求められており、それらを達成する１つ
の方法として複数のレーザビームを利用することが考え
られる。例えば、光ディスク装置では複数のレーザビー
ムを用い複数のトラックを同時に読み取ることにより容
易に読み取り速度を速めることができる。そこで、複数
のレーザビームを同時に射出可能な半導体レーザ（すな
わちマルチビームレーザ）の開発が要求されている。
リンタや複写機など、光電変換素子である半導体レーザ
（laser diode ；ＬＤ）を利用した様々な装置が開発さ
れている。近年、これらの各装置においては動作の高速
化や高性能化が求められており、それらを達成する１つ
の方法として複数のレーザビームを利用することが考え
られる。例えば、光ディスク装置では複数のレーザビー
ムを用い複数のトラックを同時に読み取ることにより容
易に読み取り速度を速めることができる。そこで、複数
のレーザビームを同時に射出可能な半導体レーザ（すな
わちマルチビームレーザ）の開発が要求されている。
【０００３】図９および図１０は、従来のマルチビーム
レーザの構成を分解して表すものである。図９に示した
マルチビームレーザはレーザビームの数が２のものであ
り、図１０に示したマルチビームレーザはレーザビーム
の数が４のものである。これらのマルチビームレーザ
は、基板１１１を同一とする複数のレーザ発振部１１０
を有しており、それらの各電極１１７には配設基板１３
２の上に各配線１３３を介してそれぞれ形成された各コ
ンタクト用電極１３１が電気的にそれぞれ接続されてい
る。各レーザビームの間隔は、例えば、ある光学系にお
いてレーザビームの数が２のときを６０μｍとすると、
レーザビームの数が４の場合には２０μｍとなり、レー
ザビームの数が多くなるほど狭い間隔が要求される。よ
って、レーザビームの数が多くなるほど各レーザ発振部
１１０の間隔Ｓ1 は狭くなる。
レーザの構成を分解して表すものである。図９に示した
マルチビームレーザはレーザビームの数が２のものであ
り、図１０に示したマルチビームレーザはレーザビーム
の数が４のものである。これらのマルチビームレーザ
は、基板１１１を同一とする複数のレーザ発振部１１０
を有しており、それらの各電極１１７には配設基板１３
２の上に各配線１３３を介してそれぞれ形成された各コ
ンタクト用電極１３１が電気的にそれぞれ接続されてい
る。各レーザビームの間隔は、例えば、ある光学系にお
いてレーザビームの数が２のときを６０μｍとすると、
レーザビームの数が４の場合には２０μｍとなり、レー
ザビームの数が多くなるほど狭い間隔が要求される。よ
って、レーザビームの数が多くなるほど各レーザ発振部
１１０の間隔Ｓ1 は狭くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マルチビームレーザでは、各レーザ発振部１１０の各電
極１１７の全面に対して各コンタクト用電極１３１がそ
れぞれ接続されていたので、レーザビームの数が増加し
て各レーザ発振部１１０の間隔Ｓ1 が狭くなると、それ
らの極めて高精度な位置合わせが必要であった。すなわ
ち、各電極１１７の間および各コンタクト用電極１３１
の間がそれぞれ近接しているので、各コンタクト用電極
１３１の位置が僅かにずれただけで１つのコンタクト用
電極１３１が２つのレーザ発振部１１０の電極１１７と
それぞれ接続されてしまい、各レーザ発振部１１０の独
立した駆動を確保することができなかった。よって、装
置の高速化および高性能化を図るためにレーザビームの
数を多くすると、各コンタクト用電極１３１と各電極１
１７とを正確に接続することが難しく、大量生産も難し
いという問題があった。
マルチビームレーザでは、各レーザ発振部１１０の各電
極１１７の全面に対して各コンタクト用電極１３１がそ
れぞれ接続されていたので、レーザビームの数が増加し
て各レーザ発振部１１０の間隔Ｓ1 が狭くなると、それ
らの極めて高精度な位置合わせが必要であった。すなわ
ち、各電極１１７の間および各コンタクト用電極１３１
の間がそれぞれ近接しているので、各コンタクト用電極
１３１の位置が僅かにずれただけで１つのコンタクト用
電極１３１が２つのレーザ発振部１１０の電極１１７と
それぞれ接続されてしまい、各レーザ発振部１１０の独
立した駆動を確保することができなかった。よって、装
置の高速化および高性能化を図るためにレーザビームの
数を多くすると、各コンタクト用電極１３１と各電極１
１７とを正確に接続することが難しく、大量生産も難し
いという問題があった。
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、容易かつ正確にコンタクト用電極の
接続を確保することができる光電変換素子およびその製
造方法を提供することにある。
ので、その目的は、容易かつ正確にコンタクト用電極の
接続を確保することができる光電変換素子およびその製
造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による光電変換素
子は、基板に設けられた半導体層に対して電極を有する
光電変換部と、光電変換部の電極と電気的に接続された
コンタクト用電極と、コンタクト用電極と光電変換部の
電極との間に形成され、それらを電気的に接続させるた
めの開口が設けられた絶縁層とを備えている。
子は、基板に設けられた半導体層に対して電極を有する
光電変換部と、光電変換部の電極と電気的に接続された
コンタクト用電極と、コンタクト用電極と光電変換部の
電極との間に形成され、それらを電気的に接続させるた
めの開口が設けられた絶縁層とを備えている。
【０００７】本発明による光電変換素子の製造方法は、
基板に設けられた半導体層に対して電極を有する光電変
換部を形成する工程と、光電変換部の電極に対して開口
を有する絶縁層を形成する工程と、絶縁層の開口を介し
て光電変換部の電極と電気的に接続されたコンタクト用
電極を形成する工程とを含むものである。
基板に設けられた半導体層に対して電極を有する光電変
換部を形成する工程と、光電変換部の電極に対して開口
を有する絶縁層を形成する工程と、絶縁層の開口を介し
て光電変換部の電極と電気的に接続されたコンタクト用
電極を形成する工程とを含むものである。
【０００８】本発明による光電変換素子では、光電変換
部の電極とコンタクト用電極とが絶縁層の開口を介して
電気的に接続される。よって、電極とコンタクト用電極
との位置合わせについて高い精度は要求されず、電極と
コンタクト用電極とは容易かつ正確に接続される。
部の電極とコンタクト用電極とが絶縁層の開口を介して
電気的に接続される。よって、電極とコンタクト用電極
との位置合わせについて高い精度は要求されず、電極と
コンタクト用電極とは容易かつ正確に接続される。
【０００９】本発明による光電変換素子の製造方法で
は、まず、基板に設けられた半導体層に対して電極を有
する光電変換部が形成される。次いで、この電極に対し
て開口を有する絶縁層が形成される。続いて、この絶縁
層の開口を介して光電変換部の電極と電気的に接続され
たコンタクト用電極が形成される。
は、まず、基板に設けられた半導体層に対して電極を有
する光電変換部が形成される。次いで、この電極に対し
て開口を有する絶縁層が形成される。続いて、この絶縁
層の開口を介して光電変換部の電極と電気的に接続され
たコンタクト用電極が形成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施の形態に係る光電変
換素子である半導体レーザの全体構成を表すものであ
る。図２は図１におけるＩ−Ｉ線に沿った断面構造を表
すものである。図３は図２におけるＩＩ−ＩＩ線に沿っ
て分解した構造を表すものである。なお、ここで、光電
変換素子とは光エネルギーと電気エネルギーとを変換す
る素子のことであり、光エネルギーを電気エネルギーに
変換する素子および電気エネルギーを光エネルギーに変
換する素子の両方を含む概念である。
換素子である半導体レーザの全体構成を表すものであ
る。図２は図１におけるＩ−Ｉ線に沿った断面構造を表
すものである。図３は図２におけるＩＩ−ＩＩ線に沿っ
て分解した構造を表すものである。なお、ここで、光電
変換素子とは光エネルギーと電気エネルギーとを変換す
る素子のことであり、光エネルギーを電気エネルギーに
変換する素子および電気エネルギーを光エネルギーに変
換する素子の両方を含む概念である。
【００１２】この半導体レーザは、図１に示したよう
に、共振器方向Ａと垂直方向に配列された光電変換部と
してのレーザ発振部１０を複数（ここでは４個）備えて
いる。各レーザ発振部１０は互いに同一の構造を有して
おり、図２に示したように、連続した同一の基板１１の
一面（１００面）に、半導体層としての各ｎ型クラッド
層１２，各活性層１３，各ｐ型クラッド層１４および各
キャップ層１５が順次それぞれ積層されている。各レー
ザ発振部１０の大きさは、例えば、共振器方向Ａの長さ
が３５０μｍであり、共振器方向Ａと垂直方向の幅が１
２μｍである。各レーザ発振部１０の間隔Ｓ1 は例えば
３μｍである。
に、共振器方向Ａと垂直方向に配列された光電変換部と
してのレーザ発振部１０を複数（ここでは４個）備えて
いる。各レーザ発振部１０は互いに同一の構造を有して
おり、図２に示したように、連続した同一の基板１１の
一面（１００面）に、半導体層としての各ｎ型クラッド
層１２，各活性層１３，各ｐ型クラッド層１４および各
キャップ層１５が順次それぞれ積層されている。各レー
ザ発振部１０の大きさは、例えば、共振器方向Ａの長さ
が３５０μｍであり、共振器方向Ａと垂直方向の幅が１
２μｍである。各レーザ発振部１０の間隔Ｓ1 は例えば
３μｍである。
【００１３】基板１１は例えばｎ型不純物としてケイ素
（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）を添加したｎ型ＧａＡｓ
により構成されている。各ｎ型クラッド層１２は例えば
ｎ型不純物としてケイ素またはセレンを添加したｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ混晶によりそれぞれ構成されている。このｎ
型ＡｌＧａＡｓ混晶のＩＩＩ族元素における組成比は、
例えば、アルミニウム（Ａｌ）が４５％（モル％；以下
同じ），ガリウム（Ｇａ）が５５％である。各活性層１
３は例えば不純物を添加しないｉ−ＡｌＧａＡｓ混晶
（ｉ−は不純物を添加していないことを表す）によりそ
れぞれ構成されている。このＡｌＧａＡｓ混晶のＩＩＩ
族元素における組成比は、例えば、アルミニウムが１４
％，ガリウムが８６％である。各ｐ型クラッド層１４は
例えばｐ型不純物として亜鉛（Ｚｎ）を添加したｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ混晶によりそれぞれ構成されている。このｐ
型ＡｌＧａＡｓ混晶のＩＩＩ族元素における組成比は、
例えば、アルミニウムが４５％，ガリウムが５５％であ
る。各キャップ層１５は例えばｐ型不純物として亜鉛を
添加したｐ型ＧａＡｓ混晶によりそれぞれ構成されてい
る。
（Ｓｉ）またはセレン（Ｓｅ）を添加したｎ型ＧａＡｓ
により構成されている。各ｎ型クラッド層１２は例えば
ｎ型不純物としてケイ素またはセレンを添加したｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ混晶によりそれぞれ構成されている。このｎ
型ＡｌＧａＡｓ混晶のＩＩＩ族元素における組成比は、
例えば、アルミニウム（Ａｌ）が４５％（モル％；以下
同じ），ガリウム（Ｇａ）が５５％である。各活性層１
３は例えば不純物を添加しないｉ−ＡｌＧａＡｓ混晶
（ｉ−は不純物を添加していないことを表す）によりそ
れぞれ構成されている。このＡｌＧａＡｓ混晶のＩＩＩ
族元素における組成比は、例えば、アルミニウムが１４
％，ガリウムが８６％である。各ｐ型クラッド層１４は
例えばｐ型不純物として亜鉛（Ｚｎ）を添加したｐ型Ａ
ｌＧａＡｓ混晶によりそれぞれ構成されている。このｐ
型ＡｌＧａＡｓ混晶のＩＩＩ族元素における組成比は、
例えば、アルミニウムが４５％，ガリウムが５５％であ
る。各キャップ層１５は例えばｐ型不純物として亜鉛を
添加したｐ型ＧａＡｓ混晶によりそれぞれ構成されてい
る。
【００１４】なお、各ｐ型クラッド層１４には、積層方
向における一部において、図２においては紙面に垂直方
向である共振器方向Ａに沿って両側に電流ブロック層１
６がそれぞれ挿入されている。すなわち、各ｐ型クラッ
ド層１４は積層方向の一部で共振器方向Ａと垂直方向の
幅がそれぞれ狭くなっており、電流狭窄部を構成してい
る。この各電流ブロック層１６は例えばｎ型不純物とし
てケイ素またはセレンを添加したｎ型ＧａＡｓによりそ
れぞれ構成されている。
向における一部において、図２においては紙面に垂直方
向である共振器方向Ａに沿って両側に電流ブロック層１
６がそれぞれ挿入されている。すなわち、各ｐ型クラッ
ド層１４は積層方向の一部で共振器方向Ａと垂直方向の
幅がそれぞれ狭くなっており、電流狭窄部を構成してい
る。この各電流ブロック層１６は例えばｎ型不純物とし
てケイ素またはセレンを添加したｎ型ＧａＡｓによりそ
れぞれ構成されている。
【００１５】各レーザ発振部１０は、また、各キャップ
層１５のｐ型クラッド層１４と反対側に各ｐ側電極１７
をそれぞれ有しており、基板１１の一面と対向する他面
側にｎ側電極１８をそれぞれ有している。各ｐ側電極１
７は、例えばチタン（Ｔｉ）層と白金（Ｐｔ）層と金
（Ａｕ）層とをキャップ層１５の側から順に積層し加熱
処理により合金化した構造となっており、各キャップ層
１５と電気的に接続されている。ｎ側電極１８は、例え
ば金とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金層とニッケル（Ｎ
ｉ）層と金層とを基板１１の側から順に積層し加熱処理
により合金化した構造となっており、基板１１と電気的
に接続されている。
層１５のｐ型クラッド層１４と反対側に各ｐ側電極１７
をそれぞれ有しており、基板１１の一面と対向する他面
側にｎ側電極１８をそれぞれ有している。各ｐ側電極１
７は、例えばチタン（Ｔｉ）層と白金（Ｐｔ）層と金
（Ａｕ）層とをキャップ層１５の側から順に積層し加熱
処理により合金化した構造となっており、各キャップ層
１５と電気的に接続されている。ｎ側電極１８は、例え
ば金とゲルマニウム（Ｇｅ）との合金層とニッケル（Ｎ
ｉ）層と金層とを基板１１の側から順に積層し加熱処理
により合金化した構造となっており、基板１１と電気的
に接続されている。
【００１６】各レーザ発振部１０は、更に、図１に示し
たように、共振器方向Ａと垂直な一対の側面に互いに連
続した一対の端面膜１９ａ，１９ｂをそれぞれ有してい
る。一方の端面膜１９ａは例えば酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）により構成されており、低い反射率を有して
いる。他方の端面膜１９ｂは例えば酸化アルミニウム層
と非晶質ケイ素（アモルファスシリコン）層とを交互に
積層して構成されており、高い反射率を有している。す
なわち、各活性層１３において発生した光は一対の端面
膜１９ａ，１９ｂの間を往復して増幅され端面膜１９ａ
からレーザビームとしてそれぞれ射出されるようになっ
ている。
たように、共振器方向Ａと垂直な一対の側面に互いに連
続した一対の端面膜１９ａ，１９ｂをそれぞれ有してい
る。一方の端面膜１９ａは例えば酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）により構成されており、低い反射率を有して
いる。他方の端面膜１９ｂは例えば酸化アルミニウム層
と非晶質ケイ素（アモルファスシリコン）層とを交互に
積層して構成されており、高い反射率を有している。す
なわち、各活性層１３において発生した光は一対の端面
膜１９ａ，１９ｂの間を往復して増幅され端面膜１９ａ
からレーザビームとしてそれぞれ射出されるようになっ
ている。
【００１７】このような各レーザ発振部１０には、図３
に示したように、各ｐ側電極１７を覆うように窒化ケイ
素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などの絶縁材料よりなる互いに連続し
た絶縁層２０がそれぞれ形成されている。すなわち、各
レーザ発振部１０の共振器方向Ａに平行な一対の側面
（各半導体層の側面と各ｐ側電極１７の側面）および各
レーザ発振部１０の間の表面も、この絶縁層２０により
それぞれ覆われている。この絶縁膜２０は例えば厚さが
０．１５μｍであり、各ｐ側電極１７に対応して複数の
開口２１をそれぞれ有している。各開口２１は、各ｐ側
電極１７のうち共振器方向Ａの約片側半分を露出させる
ようになっており、互いに隣り合う各レーザ発振部１０
の間において共振器方向Ａと垂直方向である配列方向Ｂ
で隣り合わないように互い違いに配置されている。
に示したように、各ｐ側電極１７を覆うように窒化ケイ
素（Ｓｉ3 Ｎ4 ）などの絶縁材料よりなる互いに連続し
た絶縁層２０がそれぞれ形成されている。すなわち、各
レーザ発振部１０の共振器方向Ａに平行な一対の側面
（各半導体層の側面と各ｐ側電極１７の側面）および各
レーザ発振部１０の間の表面も、この絶縁層２０により
それぞれ覆われている。この絶縁膜２０は例えば厚さが
０．１５μｍであり、各ｐ側電極１７に対応して複数の
開口２１をそれぞれ有している。各開口２１は、各ｐ側
電極１７のうち共振器方向Ａの約片側半分を露出させる
ようになっており、互いに隣り合う各レーザ発振部１０
の間において共振器方向Ａと垂直方向である配列方向Ｂ
で隣り合わないように互い違いに配置されている。
【００１８】ここで、図４を用い各開口２１の位置関係
について更に説明する。図４は図２におけるＩＩ−ＩＩ
線に沿った断面構造のうち、レーザ発進部１０の付近を
表すものである。このように、各開口２１は、例えば、
基板１１と平行な面内において共振器方向Ａと平行に各
レーザ発振部１０の間にそれぞれ引いた各線Ｘと共振器
方向Ａに対して垂直方向に各レーザ発振部１０の中央に
引いた線Ｙとにより碁盤状に区切られた各領域のうち、
互いに斜め方向の関係にある各領域内あるいは互いに縦
方向または横方向に少なくとも１領域以上間隔をあけた
関係にある各領域内にそれぞれ位置している。つまり、
互いに隣り合う各レーザ発振部１０に対応する各開口２
１は、必ず互いに斜め方向の関係にある各領域内に位置
している。よって、各レーザ発振部１０の配列方向Ｂに
おいて隣り合う各開口２１の間隔Ｓ2 は、間にレーザ発
振部１０を１つ挟んでいるので、例えば１８μｍ程度と
十分に広く開いている。なお、互いに隣り合う各レーザ
発振部１０に対応する各開口２１の共振器方向Ａにおけ
る間隔Ｓ3 も、製造の際の位置ずれを考慮して例えば１
８μｍ程度と十分に広く開けてある。
について更に説明する。図４は図２におけるＩＩ−ＩＩ
線に沿った断面構造のうち、レーザ発進部１０の付近を
表すものである。このように、各開口２１は、例えば、
基板１１と平行な面内において共振器方向Ａと平行に各
レーザ発振部１０の間にそれぞれ引いた各線Ｘと共振器
方向Ａに対して垂直方向に各レーザ発振部１０の中央に
引いた線Ｙとにより碁盤状に区切られた各領域のうち、
互いに斜め方向の関係にある各領域内あるいは互いに縦
方向または横方向に少なくとも１領域以上間隔をあけた
関係にある各領域内にそれぞれ位置している。つまり、
互いに隣り合う各レーザ発振部１０に対応する各開口２
１は、必ず互いに斜め方向の関係にある各領域内に位置
している。よって、各レーザ発振部１０の配列方向Ｂに
おいて隣り合う各開口２１の間隔Ｓ2 は、間にレーザ発
振部１０を１つ挟んでいるので、例えば１８μｍ程度と
十分に広く開いている。なお、互いに隣り合う各レーザ
発振部１０に対応する各開口２１の共振器方向Ａにおけ
る間隔Ｓ3 も、製造の際の位置ずれを考慮して例えば１
８μｍ程度と十分に広く開けてある。
【００１９】各レーザ発振部１０のｐ側電極１７には、
図３に示したように、これら各開口２１を介して各コン
タクト用電極３１が電気的にそれぞれ接続されている。
なお、図３においては、各コンタクト用電極３１に対し
て絶縁層が当接する位置を破線で示し、各開口２１が当
接する位置を梨地で示している。このように、各コンタ
クト用電極３１は、各開口２１に対応して配列方向Ｂと
平行に各レーザ発振部１０の中央側から外側に向かって
それぞれ延長されている。すなわち、配列方向Ｂの中央
よりも一方側にある各レーザ発振部１０にそれぞれ対応
する各コンタクト用電極３１は一方側にそれぞれ延長さ
れ、他方側にある各レーザ発振部１０にそれぞれ対応す
る各コンタクト用電極３１は他方側にそれぞれ延長され
ている。このように各コンタクト用電極３１は、各開口
２１と対応する位置から延長させて形成した方が後述す
る配線３３との接触面積を広くすることができ、抵抗を
低くすることができるので好ましい。各コンタクト用電
極３１の配列方向Ｂにおける間隔Ｓ4 および共振器方向
Ａにおける間隔Ｓ5 は、各開口２１の位置に合わせてそ
れぞれ十分に広く開けられている。
図３に示したように、これら各開口２１を介して各コン
タクト用電極３１が電気的にそれぞれ接続されている。
なお、図３においては、各コンタクト用電極３１に対し
て絶縁層が当接する位置を破線で示し、各開口２１が当
接する位置を梨地で示している。このように、各コンタ
クト用電極３１は、各開口２１に対応して配列方向Ｂと
平行に各レーザ発振部１０の中央側から外側に向かって
それぞれ延長されている。すなわち、配列方向Ｂの中央
よりも一方側にある各レーザ発振部１０にそれぞれ対応
する各コンタクト用電極３１は一方側にそれぞれ延長さ
れ、他方側にある各レーザ発振部１０にそれぞれ対応す
る各コンタクト用電極３１は他方側にそれぞれ延長され
ている。このように各コンタクト用電極３１は、各開口
２１と対応する位置から延長させて形成した方が後述す
る配線３３との接触面積を広くすることができ、抵抗を
低くすることができるので好ましい。各コンタクト用電
極３１の配列方向Ｂにおける間隔Ｓ4 および共振器方向
Ａにおける間隔Ｓ5 は、各開口２１の位置に合わせてそ
れぞれ十分に広く開けられている。
【００２０】各コンタクト用電極３１は、また、配設基
板３２の一面に各配線３３を介して形成されており、例
えば、白金層とはんだ層（鉛（Ｐｂ）とスズ（Ｓｎ）と
の合金層）とを配線基板３２の側から順次積層した構造
を有している。配設基板３２は、例えば、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）により構成されている。各配線３３は、
例えば、チタン層と白金層と金層とを配線基板３２の側
から順次積層した構造を有している。各配線３３の表面
には、ワイヤを接続するワイヤパッド部３３ａを除いて
窒化アルミニウムよりなる絶縁膜３４がそれぞれ形成さ
れている。
板３２の一面に各配線３３を介して形成されており、例
えば、白金層とはんだ層（鉛（Ｐｂ）とスズ（Ｓｎ）と
の合金層）とを配線基板３２の側から順次積層した構造
を有している。配設基板３２は、例えば、窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）により構成されている。各配線３３は、
例えば、チタン層と白金層と金層とを配線基板３２の側
から順次積層した構造を有している。各配線３３の表面
には、ワイヤを接続するワイヤパッド部３３ａを除いて
窒化アルミニウムよりなる絶縁膜３４がそれぞれ形成さ
れている。
【００２１】本実施の形態に係る半導体レーザは、ま
た、各レーザ発振部１０の各ｐ側電極１７と各コンタク
ト用電極３１とを接続するための位置合わせ部４０を備
えている。この位置合わせ部４０は、基板１１の一面側
に形成された２つの基板側位置合わせ部４１と、配設基
板３２の一面側に形成された２つの配設基板側位置合わ
せ部４２とをそれぞれ有している。
た、各レーザ発振部１０の各ｐ側電極１７と各コンタク
ト用電極３１とを接続するための位置合わせ部４０を備
えている。この位置合わせ部４０は、基板１１の一面側
に形成された２つの基板側位置合わせ部４１と、配設基
板３２の一面側に形成された２つの配設基板側位置合わ
せ部４２とをそれぞれ有している。
【００２２】各基板側位置合わせ部４１は共振器方向Ａ
と平行に延長された突形状となっており、各レーザ発振
部１０をそれらで挟むようにそれぞれ位置している。各
基板側位置合わせ部４１の内部構造は各レーザ発振部１
０とほぼ同様であり、それらの表面は絶縁膜２０により
それぞれ構成されている。すなわち、各基板側位置合わ
せ部４１は基板１１の反対側が各コンタクト用電極３１
にそれぞれ当接して固定されており、各レーザ発振部１
０の各ｐ側電極１７と各コンタクト用電極３１との接合
を補助すると共に、各レーザ発振部１０を補助的に支持
する役割も有している。また、各基板側位置合わせ部４
１の表面を構成する絶縁膜２０には、各コンタクト用電
極３１と対向する面の少なくとも一部に各開口２２がそ
れぞれ形成されており、各基板側位置合わせ部４１の内
部に形成された金属層としての各ｐ側電極１７と各コン
タクト電極３１とをそれぞれ接合させることにより、各
レーザ発振部１０と各コンタクト用電極３１との接合を
更に強固に補助することができるようになっている。
と平行に延長された突形状となっており、各レーザ発振
部１０をそれらで挟むようにそれぞれ位置している。各
基板側位置合わせ部４１の内部構造は各レーザ発振部１
０とほぼ同様であり、それらの表面は絶縁膜２０により
それぞれ構成されている。すなわち、各基板側位置合わ
せ部４１は基板１１の反対側が各コンタクト用電極３１
にそれぞれ当接して固定されており、各レーザ発振部１
０の各ｐ側電極１７と各コンタクト用電極３１との接合
を補助すると共に、各レーザ発振部１０を補助的に支持
する役割も有している。また、各基板側位置合わせ部４
１の表面を構成する絶縁膜２０には、各コンタクト用電
極３１と対向する面の少なくとも一部に各開口２２がそ
れぞれ形成されており、各基板側位置合わせ部４１の内
部に形成された金属層としての各ｐ側電極１７と各コン
タクト電極３１とをそれぞれ接合させることにより、各
レーザ発振部１０と各コンタクト用電極３１との接合を
更に強固に補助することができるようになっている。
【００２３】各配設基板側位置合わせ部４２は、各基板
側位置合わせ部４１に対応して、コンタクト用電極３１
および配線３３の側面の一部が矩形状に各々除去された
２つの凹部によりそれぞれ構成されている。
側位置合わせ部４１に対応して、コンタクト用電極３１
および配線３３の側面の一部が矩形状に各々除去された
２つの凹部によりそれぞれ構成されている。
【００２４】このような構成を有する半導体レーザは、
次のようにして製造することができる。
次のようにして製造することができる。
【００２５】図５乃至図８はその各製造工程を表すもの
である。なお、各図は図１におけるＩ−Ｉ線に沿った断
面構造を表している。まず、図５（Ａ）に示したよう
に、例えば、ｎ型ＧａＡｓよりなる基板１１を用意し、
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n ；有機金属気相成長）法により、その一面（１００
面）側に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｎ型クラッド
層１２，ｉ−ＡｌＧａＡｓ混晶よりなる活性層１３およ
びｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型クラッド層１４の
一部を順次成長させる。
である。なお、各図は図１におけるＩ−Ｉ線に沿った断
面構造を表している。まず、図５（Ａ）に示したよう
に、例えば、ｎ型ＧａＡｓよりなる基板１１を用意し、
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n ；有機金属気相成長）法により、その一面（１００
面）側に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｎ型クラッド
層１２，ｉ−ＡｌＧａＡｓ混晶よりなる活性層１３およ
びｐ型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型クラッド層１４の
一部を順次成長させる。
【００２６】次いで、図５（Ｂ）に示したように、例え
ば、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型クラッド層１４の上にｎ
型ＧａＡｓよりなる電流ブロック層１６を成長させる。
続いて、例えば反応性イオンエッチング（Reactive Ion
Etching；ＲＩＥ）法により、この電流ブロック層１６
をレーザ発振部形成領域５１に応じて選択的に除去し、
所定の形状に整形する。なお、基板１１の一面側には複
数の半導体レーザの形成領域があるが、図５乃至図７に
示した各工程図においては、１つの半導体レーザの形成
領域のみを表している。
ば、ＭＯＣＶＤ法により、ｐ型クラッド層１４の上にｎ
型ＧａＡｓよりなる電流ブロック層１６を成長させる。
続いて、例えば反応性イオンエッチング（Reactive Ion
Etching；ＲＩＥ）法により、この電流ブロック層１６
をレーザ発振部形成領域５１に応じて選択的に除去し、
所定の形状に整形する。なお、基板１１の一面側には複
数の半導体レーザの形成領域があるが、図５乃至図７に
示した各工程図においては、１つの半導体レーザの形成
領域のみを表している。
【００２７】電流ブロック層１６を整形したのち、図５
（Ｃ）に示したように、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、
電流ブロック層１６およびｐ型クラッド層１４の上にｐ
型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型クラッド層１４の一部
およびｐ型ＧａＡｓよりなるキャップ層１５を順次成長
させる。そののち、キャップ層１５とその上に形成する
ｐ側電極１７とをオーミック接触させるために、キャッ
プ層１５に対して亜鉛を拡散する。
（Ｃ）に示したように、例えば、ＭＯＣＶＤ法により、
電流ブロック層１６およびｐ型クラッド層１４の上にｐ
型ＡｌＧａＡｓ混晶よりなるｐ型クラッド層１４の一部
およびｐ型ＧａＡｓよりなるキャップ層１５を順次成長
させる。そののち、キャップ層１５とその上に形成する
ｐ側電極１７とをオーミック接触させるために、キャッ
プ層１５に対して亜鉛を拡散する。
【００２８】亜鉛を拡散したのち、図６（Ａ）に示した
ように、キャップ層１５の上にフォトレジスト膜５２を
塗布形成し、各レーザ発振部形成領域５１および各位置
合わせ部形成領域５３に対応させて各開口５２ａ，５２
ｂをそれぞれ形成する。次いで、フォトレジスト膜５２
およびキャップ層１５の上に、例えばチタン層，白金層
および金層を順次蒸着し、ｐ側電極１７を形成する。続
いて、フォトレジスト膜５２の上に形成されたｐ側電極
１７をフォトレジスト膜５２と共に除去（リフトオフ）
する。これにより、各レーザ発振部形成領域５１および
各位置合わせ部形成領域５３のみに対応して各ｐ側電極
１７がそれぞれ残存する。
ように、キャップ層１５の上にフォトレジスト膜５２を
塗布形成し、各レーザ発振部形成領域５１および各位置
合わせ部形成領域５３に対応させて各開口５２ａ，５２
ｂをそれぞれ形成する。次いで、フォトレジスト膜５２
およびキャップ層１５の上に、例えばチタン層，白金層
および金層を順次蒸着し、ｐ側電極１７を形成する。続
いて、フォトレジスト膜５２の上に形成されたｐ側電極
１７をフォトレジスト膜５２と共に除去（リフトオフ）
する。これにより、各レーザ発振部形成領域５１および
各位置合わせ部形成領域５３のみに対応して各ｐ側電極
１７がそれぞれ残存する。
【００２９】各ｐ側電極１７をそれぞれ形成したのち、
図６（Ｂ）に示したように、例えばＲＩＥ法により、各
ｐ側電極１７をマスクとしてキャップ層１５，ｐ型クラ
ッド層１４，電流ブロック層１６，活性層１３およびｎ
型クラッド層１２の一部をそれぞれ選択的に除去する。
これにより、活性層１３，ｐ型クラッド層１４およびキ
ャップ層１５が各レーザ発振部形成領域５１および各位
置合わせ部形成領域５３に応じてそれぞれ分離される。
なお、ここでは、各ｐ側電極１７を直接マスクとしてそ
れらの分離を行っているので、リソグラフィ工程が必要
なく、少ない工程で精度よく分離される。なお、もちろ
ん各ｐ側電極１７をマスクとせずに、リソグラフィ工程
により各ｐ側電極１７の上にレジスト膜を選択的に形成
し、このレジスト膜をマスクとしてＲＩＥ法によりエッ
チングしてこれらを分離するようにしてもよい。
図６（Ｂ）に示したように、例えばＲＩＥ法により、各
ｐ側電極１７をマスクとしてキャップ層１５，ｐ型クラ
ッド層１４，電流ブロック層１６，活性層１３およびｎ
型クラッド層１２の一部をそれぞれ選択的に除去する。
これにより、活性層１３，ｐ型クラッド層１４およびキ
ャップ層１５が各レーザ発振部形成領域５１および各位
置合わせ部形成領域５３に応じてそれぞれ分離される。
なお、ここでは、各ｐ側電極１７を直接マスクとしてそ
れらの分離を行っているので、リソグラフィ工程が必要
なく、少ない工程で精度よく分離される。なお、もちろ
ん各ｐ側電極１７をマスクとせずに、リソグラフィ工程
により各ｐ側電極１７の上にレジスト膜を選択的に形成
し、このレジスト膜をマスクとしてＲＩＥ法によりエッ
チングしてこれらを分離するようにしてもよい。
【００３０】これらを分離したのち、図７（Ａ）に示し
たように、例えばＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition
；化学気相成長）法により、ｐ側電極１７を含む基板
１１の一面側全面に絶縁層２０を形成する。そののち、
エッチングによりこの絶縁膜２０を選択的に除去し、各
レーザ発振部形成領域５１に対応させて各開口２１をそ
れぞれ形成すると共に、各位置合わせ部形成領域５３に
対応させて各開口２２をそれぞれ形成する。なお、その
際には、各開口２１を、基板１１と平行な面内において
碁盤状に区切られた各領域のうち互いに斜め方向の関係
にある各領域内あるいは互いに縦方向または横方向に少
なくとも１領域以上間隔をあけた関係にある各領域内に
それぞれ形成する。ちなみに、図７（Ａ）においては、
各開口２２が断面に表れていないので、その断面方向の
位置を一点破線でそれぞれ示している。また、各開口２
１のうち断面に表れていない各開口２１の断面方向の位
置についても同様に一点破線でそれぞれ示している。
たように、例えばＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition
；化学気相成長）法により、ｐ側電極１７を含む基板
１１の一面側全面に絶縁層２０を形成する。そののち、
エッチングによりこの絶縁膜２０を選択的に除去し、各
レーザ発振部形成領域５１に対応させて各開口２１をそ
れぞれ形成すると共に、各位置合わせ部形成領域５３に
対応させて各開口２２をそれぞれ形成する。なお、その
際には、各開口２１を、基板１１と平行な面内において
碁盤状に区切られた各領域のうち互いに斜め方向の関係
にある各領域内あるいは互いに縦方向または横方向に少
なくとも１領域以上間隔をあけた関係にある各領域内に
それぞれ形成する。ちなみに、図７（Ａ）においては、
各開口２２が断面に表れていないので、その断面方向の
位置を一点破線でそれぞれ示している。また、各開口２
１のうち断面に表れていない各開口２１の断面方向の位
置についても同様に一点破線でそれぞれ示している。
【００３１】絶縁層２０に各開口２１，２２をそれぞれ
形成したのち、後述する工程において行う基板１１の劈
開を容易とするために、基板１１の他面側をラッピング
して基板１１の厚さを１００μｍとする。基板１１をラ
ッピングしたのち、図７（Ｂ）に示したように、基板１
１の他面側に、例えば金とゲルマニウムとの合金層，ニ
ッケル層および金層を順次蒸着し、ｎ側電極１８を形成
する。そののち、加熱処理を行い、各ｐ側電極１７およ
びｎ側電極１８をそれぞれ合金化させる。
形成したのち、後述する工程において行う基板１１の劈
開を容易とするために、基板１１の他面側をラッピング
して基板１１の厚さを１００μｍとする。基板１１をラ
ッピングしたのち、図７（Ｂ）に示したように、基板１
１の他面側に、例えば金とゲルマニウムとの合金層，ニ
ッケル層および金層を順次蒸着し、ｎ側電極１８を形成
する。そののち、加熱処理を行い、各ｐ側電極１７およ
びｎ側電極１８をそれぞれ合金化させる。
【００３２】加熱処理を行ったのち、ここでは図示しな
いが、基板１１を１つの半導体レーザの形成領域に合わ
せて共振器方Ａおよびその垂直方向においてそれぞれ劈
開する。そののち、例えばＣＶＤ法により、共振器方向
Ａと垂直な一対の側面に対して端面膜１９ａ，１９ｂを
それぞれ形成する。
いが、基板１１を１つの半導体レーザの形成領域に合わ
せて共振器方Ａおよびその垂直方向においてそれぞれ劈
開する。そののち、例えばＣＶＤ法により、共振器方向
Ａと垂直な一対の側面に対して端面膜１９ａ，１９ｂを
それぞれ形成する。
【００３３】また、ここでは図示しないが、各レーザ発
振部１０とは別に、例えば、窒化アルミニウムよりなる
配設基板３２を用意し、その一面側に、チタン層，白金
層および金層を選択的に順次蒸着し、絶縁層２０の各開
口２１に対応させて各配線３３をそれぞれ形成する。な
お、その際には、各配線３３を、各開口２１に対応する
位置から配列方向Ｂと平行に各レーザ発振部１０の外側
に向かって延長するようにそれぞれ形成する。また、そ
の際、各配線３３の側面の一部に各基板側位置合わせ部
４１に対応させて矩形状の凹部よりなる各配設基板側位
置合わせ部４２をそれぞれ形成する。
振部１０とは別に、例えば、窒化アルミニウムよりなる
配設基板３２を用意し、その一面側に、チタン層，白金
層および金層を選択的に順次蒸着し、絶縁層２０の各開
口２１に対応させて各配線３３をそれぞれ形成する。な
お、その際には、各配線３３を、各開口２１に対応する
位置から配列方向Ｂと平行に各レーザ発振部１０の外側
に向かって延長するようにそれぞれ形成する。また、そ
の際、各配線３３の側面の一部に各基板側位置合わせ部
４１に対応させて矩形状の凹部よりなる各配設基板側位
置合わせ部４２をそれぞれ形成する。
【００３４】次いで、この各配線３３の上に、白金層お
よびはんだ層を選択的に順次蒸着し、絶縁層２０の各開
口２１に対応させて各コンタクト用電極３１をそれぞれ
形成する。なお、その際には、各コンタクト用電極３１
を、各開口２１に対応する位置から配列方向Ｂと平行に
各レーザ発振部１０の外側に向かって延長するように形
成する。また、各コンタクト用電極３１の側面の一部に
も各基板側位置合わせ部４１に対応させて各配線３３と
一致する矩形状の凹部よりなる各配設基板側位置合わせ
部４２をそれぞれ形成する。続いて、例えばＣＶＤ法に
より、各ワイヤパッド部３３ａを除く各配線３３の上に
窒化アルミニウムよりなる絶縁膜３４をそれぞれ形成す
る。
よびはんだ層を選択的に順次蒸着し、絶縁層２０の各開
口２１に対応させて各コンタクト用電極３１をそれぞれ
形成する。なお、その際には、各コンタクト用電極３１
を、各開口２１に対応する位置から配列方向Ｂと平行に
各レーザ発振部１０の外側に向かって延長するように形
成する。また、各コンタクト用電極３１の側面の一部に
も各基板側位置合わせ部４１に対応させて各配線３３と
一致する矩形状の凹部よりなる各配設基板側位置合わせ
部４２をそれぞれ形成する。続いて、例えばＣＶＤ法に
より、各ワイヤパッド部３３ａを除く各配線３３の上に
窒化アルミニウムよりなる絶縁膜３４をそれぞれ形成す
る。
【００３５】このようにして各レーザ発振部１０および
各コンタクト用電極３１をそれぞれ形成したのち、図８
に示したように、この各コンタクト用電極３１に対して
各レーザ発振部１０をそれぞれ当接させる。その際、配
設基板３２に形成した各配設基板側位置合わせ部４２と
各基板側位置合わせ部４１とを互いに一致させて、それ
らの位置合わせを行う。よって、ここでは、容易かつ正
確にそれらの位置合わせが行われる。
各コンタクト用電極３１をそれぞれ形成したのち、図８
に示したように、この各コンタクト用電極３１に対して
各レーザ発振部１０をそれぞれ当接させる。その際、配
設基板３２に形成した各配設基板側位置合わせ部４２と
各基板側位置合わせ部４１とを互いに一致させて、それ
らの位置合わせを行う。よって、ここでは、容易かつ正
確にそれらの位置合わせが行われる。
【００３６】そののち、加熱処理を行い、各コンタクト
用電極３１と各レーザ発振部１０の各ｐ側電極１７と
を、それらの間に形成された絶縁膜２０の各開口２１を
介して電気的に接続する。ここでは、絶縁層２０におけ
る各開口２１の間隔Ｓ2 ，Ｓ3および各コンタクト用電
極３１の間隔Ｓ4 ，Ｓ5 がそれぞれ十分に広く形成され
ているので、それらの位置合わせに高い精度は要求され
ず、互いに対応する各ｐ側電極１７と各コンタクト用電
極３１とが容易かつ正確にそれぞれ接続される。また、
この熱処理により、各基板側位置合わせ部４１の各ｐ側
電極１７が各開口２２を介して各コンタクト用電極３１
とそれぞれ接合される。よって、各レーザ発振部１０と
各コンタクト用電極３１との接合がこれらにより強固に
補助される。これにより、図１に示した半導体レーザが
形成される。
用電極３１と各レーザ発振部１０の各ｐ側電極１７と
を、それらの間に形成された絶縁膜２０の各開口２１を
介して電気的に接続する。ここでは、絶縁層２０におけ
る各開口２１の間隔Ｓ2 ，Ｓ3および各コンタクト用電
極３１の間隔Ｓ4 ，Ｓ5 がそれぞれ十分に広く形成され
ているので、それらの位置合わせに高い精度は要求され
ず、互いに対応する各ｐ側電極１７と各コンタクト用電
極３１とが容易かつ正確にそれぞれ接続される。また、
この熱処理により、各基板側位置合わせ部４１の各ｐ側
電極１７が各開口２２を介して各コンタクト用電極３１
とそれぞれ接合される。よって、各レーザ発振部１０と
各コンタクト用電極３１との接合がこれらにより強固に
補助される。これにより、図１に示した半導体レーザが
形成される。
【００３７】このようにして製造された半導体レーザ
は、次のように作用する。
は、次のように作用する。
【００３８】この半導体レーザでは、各配線３３の各ワ
イヤパッド部３３ａと各レーザ発振部１０のｎ側電極１
８とに電源が投入されると、各コンタクト用電極３１を
介して各ｐ側電極１７とｎ側電極１８との間にそれぞれ
所定の電圧が印加される。これにより、各レーザ発振部
１０において各活性層１３に電流が注入され、電子−正
孔再結合による発光がそれぞれ起こる。これらの光は、
一対の端面膜１９ａ，１９ｂの間を往復して増幅され、
端面膜１９ａから外部にそれぞれ射出される。なお、こ
こでは、各コンタクト用電極３１と各ｐ側電極１７とが
絶縁層２０の各開口２１を介してそれぞれ接続されてお
り、各開口２１および各コンタクト用電極３１の間隔Ｓ
2 ，Ｓ3 ，Ｓ4 ，Ｓ5 はそれぞれ十分に広く形成されて
いるので、それらの位置合わせには高い精度が要求さ
ず、それらは容易かつ正確にそれぞれ接続される。よっ
て各レーザ発振部１０では互いに独立した駆動が確保さ
れる。
イヤパッド部３３ａと各レーザ発振部１０のｎ側電極１
８とに電源が投入されると、各コンタクト用電極３１を
介して各ｐ側電極１７とｎ側電極１８との間にそれぞれ
所定の電圧が印加される。これにより、各レーザ発振部
１０において各活性層１３に電流が注入され、電子−正
孔再結合による発光がそれぞれ起こる。これらの光は、
一対の端面膜１９ａ，１９ｂの間を往復して増幅され、
端面膜１９ａから外部にそれぞれ射出される。なお、こ
こでは、各コンタクト用電極３１と各ｐ側電極１７とが
絶縁層２０の各開口２１を介してそれぞれ接続されてお
り、各開口２１および各コンタクト用電極３１の間隔Ｓ
2 ，Ｓ3 ，Ｓ4 ，Ｓ5 はそれぞれ十分に広く形成されて
いるので、それらの位置合わせには高い精度が要求さ
ず、それらは容易かつ正確にそれぞれ接続される。よっ
て各レーザ発振部１０では互いに独立した駆動が確保さ
れる。
【００３９】このように本実施の形態によれば、各コン
タクト用電極３１と各ｐ側電極１７とを絶縁層２０の各
開口２１を介してそれぞれ接続させると共に、各開口２
１を基板１１と平行な面内において碁盤状に区切られた
各領域のうち互いに斜め方向の関係にある各領域内ある
いは互いに縦方向または横方向に少なくとも１領域以上
間隔をあけた関係にある各領域内にそれぞれ形成するよ
うにしたので、各コンタクト用電極３１と各ｐ側電極１
７との位置合わせに高い精度を不要とすることができ
る。よって、それらを容易かつ正確にそれぞれ接続させ
ることができ、各レーザ発振部１０の独立した駆動を確
保することができる。また、大量生産も可能とすること
ができる。
タクト用電極３１と各ｐ側電極１７とを絶縁層２０の各
開口２１を介してそれぞれ接続させると共に、各開口２
１を基板１１と平行な面内において碁盤状に区切られた
各領域のうち互いに斜め方向の関係にある各領域内ある
いは互いに縦方向または横方向に少なくとも１領域以上
間隔をあけた関係にある各領域内にそれぞれ形成するよ
うにしたので、各コンタクト用電極３１と各ｐ側電極１
７との位置合わせに高い精度を不要とすることができ
る。よって、それらを容易かつ正確にそれぞれ接続させ
ることができ、各レーザ発振部１０の独立した駆動を確
保することができる。また、大量生産も可能とすること
ができる。
【００４０】また、本実施の形態によれば、基板１１に
基板側位置合わせ部４１を設けると共にそれに対応して
配設基板３２に配設基板側位置合わせ部４２を設け、そ
れらを用いて各コンタクト用電極３１と各レーザ発振部
１０との位置合わせをするようにしたので、容易かつ正
確にそれらの位置合わせをすることができる。よって、
各コンタクト用電極３１と各ｐ側電極１７とを容易かつ
正確にそれぞれ接続することができる。
基板側位置合わせ部４１を設けると共にそれに対応して
配設基板３２に配設基板側位置合わせ部４２を設け、そ
れらを用いて各コンタクト用電極３１と各レーザ発振部
１０との位置合わせをするようにしたので、容易かつ正
確にそれらの位置合わせをすることができる。よって、
各コンタクト用電極３１と各ｐ側電極１７とを容易かつ
正確にそれぞれ接続することができる。
【００４１】更に、本実施の形態によれば、各基板側位
置合わせ部４１を突形状とし、各コンタクト用電極３１
に固定されるようにしたので、各レーザ発振部１０と各
コンタクト用電極３１との接合を補助することができる
と共に、各レーザ発振部１０を補助的に支持することが
できる。
置合わせ部４１を突形状とし、各コンタクト用電極３１
に固定されるようにしたので、各レーザ発振部１０と各
コンタクト用電極３１との接合を補助することができる
と共に、各レーザ発振部１０を補助的に支持することが
できる。
【００４２】加えて、本実施の形態によれば、各基板側
位置合わせ部４１を各レーザ発振部１０とほぼ同様の構
造として各ｐ側電極１７をそれぞれ形成すると共に、各
コンタクト用電極３１と対向させて絶縁膜２０に各開口
２２をそれぞれ形成するようにしたので、各基板側位置
合わせ部４１の各ｐ側電極１７と各コンタクト用電極３
１とを接合させることにより、各レーザ発振部１０と各
コンタクト用電極３１との接合を更に強固に補助するこ
とができる。
位置合わせ部４１を各レーザ発振部１０とほぼ同様の構
造として各ｐ側電極１７をそれぞれ形成すると共に、各
コンタクト用電極３１と対向させて絶縁膜２０に各開口
２２をそれぞれ形成するようにしたので、各基板側位置
合わせ部４１の各ｐ側電極１７と各コンタクト用電極３
１とを接合させることにより、各レーザ発振部１０と各
コンタクト用電極３１との接合を更に強固に補助するこ
とができる。
【００４３】更にまた、本実施の形態に係る半導体レー
ザの製造方法によれば、基板１１に積層した活性層１
３，ｐ型クラッド層１４およびキャップ層１５などを各
レーザ発振部形成領域５１に応じて分離する際に、各ｐ
側電極１７をマスクとしてエッチングするようにしたの
で、少ない工程で精度よくそれらを分離することができ
る。よって、製造工程の簡素化および製造コストの低減
を図ることができる。また、各ｐ側電極１７と各キャッ
プ層１５との位置ずれがなくなり、各コンタクト用電極
３１と各レーザ発振部１０との位置合わせ精度も向上さ
せることができる。よって、各コンタクト用電極３１と
各ｐ側電極１７とをそれぞれ正確に接続させることがで
きる。
ザの製造方法によれば、基板１１に積層した活性層１
３，ｐ型クラッド層１４およびキャップ層１５などを各
レーザ発振部形成領域５１に応じて分離する際に、各ｐ
側電極１７をマスクとしてエッチングするようにしたの
で、少ない工程で精度よくそれらを分離することができ
る。よって、製造工程の簡素化および製造コストの低減
を図ることができる。また、各ｐ側電極１７と各キャッ
プ層１５との位置ずれがなくなり、各コンタクト用電極
３１と各レーザ発振部１０との位置合わせ精度も向上さ
せることができる。よって、各コンタクト用電極３１と
各ｐ側電極１７とをそれぞれ正確に接続させることがで
きる。
【００４４】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態にお
いては、基板１１を同一とする４個のレーザ発振部１０
を備えた半導体レーザについて具体的に説明したが、本
発明は、レーザ発振部１０の数に関係なく広く適用する
ことができる。
たが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態にお
いては、基板１１を同一とする４個のレーザ発振部１０
を備えた半導体レーザについて具体的に説明したが、本
発明は、レーザ発振部１０の数に関係なく広く適用する
ことができる。
【００４５】また、上記実施の形態においては、絶縁膜
２０における各開口２１の位置を、基板１１と平行な面
内において共振器方向Ａと平行に各レーザ発振部１０の
間にそれぞれ引いた各線Ｘと共振器方向Ａに対して垂直
方向に各レーザ発振部１０の中央に引いた線Ｙとにより
碁盤状に区切られた各領域により決定するようにした
が、レーザ発振部１０の数に応じて、共振器方向Ａに対
して垂直方向に引く線Ｙの数を複数にしてもよい。
２０における各開口２１の位置を、基板１１と平行な面
内において共振器方向Ａと平行に各レーザ発振部１０の
間にそれぞれ引いた各線Ｘと共振器方向Ａに対して垂直
方向に各レーザ発振部１０の中央に引いた線Ｙとにより
碁盤状に区切られた各領域により決定するようにした
が、レーザ発振部１０の数に応じて、共振器方向Ａに対
して垂直方向に引く線Ｙの数を複数にしてもよい。
【００４６】すなわち、各開口２１は、レーザ発振部１
０の数が幾つの場合でも、各レーザ発振部１０に対応し
て、碁盤状に区切られた各領域のうち、互いに斜め方向
の関係にある各領域内あるいは互いに縦方向または横方
向に少なくとも１領域以上間隔をあけた関係にある各領
域内にそれぞれ位置するように形成すればよい。具体的
には、互いに隣り合う各レーザ発振部１０にそれぞれ対
応する各開口２１は、碁盤状に区切られた各領域のうち
互いに斜め方向の関係にある各領域内にそれぞれ位置す
るようにすればよい。なお、ここで斜め方向というの
は、縦方向および横方向の以外方向をいいその角度は関
係ない。
０の数が幾つの場合でも、各レーザ発振部１０に対応し
て、碁盤状に区切られた各領域のうち、互いに斜め方向
の関係にある各領域内あるいは互いに縦方向または横方
向に少なくとも１領域以上間隔をあけた関係にある各領
域内にそれぞれ位置するように形成すればよい。具体的
には、互いに隣り合う各レーザ発振部１０にそれぞれ対
応する各開口２１は、碁盤状に区切られた各領域のうち
互いに斜め方向の関係にある各領域内にそれぞれ位置す
るようにすればよい。なお、ここで斜め方向というの
は、縦方向および横方向の以外方向をいいその角度は関
係ない。
【００４７】更に、上記実施の形態においては、各コン
タクト用電極３１を、各開口２１に対応して配列方向Ｂ
と平行にそれぞれ延長するようにしたが、配列方向Ｂと
垂直に延長するようにしてもよい。また、各開口２１の
形状に合わせて形成するようにしてもよい。
タクト用電極３１を、各開口２１に対応して配列方向Ｂ
と平行にそれぞれ延長するようにしたが、配列方向Ｂと
垂直に延長するようにしてもよい。また、各開口２１の
形状に合わせて形成するようにしてもよい。
【００４８】更に、上記実施の形態においては、各ｐ側
電極１７と各コンタクト用電極３１との間に連続した絶
縁層２０を形成するようにしたが、例えば、各ｐ側電極
１７に対応させて各コンタクト用電極３１との間に個別
に各絶縁層２０をそれぞれ形成するようにしてもよい。
電極１７と各コンタクト用電極３１との間に連続した絶
縁層２０を形成するようにしたが、例えば、各ｐ側電極
１７に対応させて各コンタクト用電極３１との間に個別
に各絶縁層２０をそれぞれ形成するようにしてもよい。
【００４９】加えて、上記実施の形態においては、各レ
ーザ発振部１０を構成する材料について具体的に例を挙
げて説明したが、本発明は、他の材料により構成する場
合についても適用することができる。例えば、クラッド
層をＩｎＰにより構成し、活性層をＩｎＧａＡｓＰによ
り構成したものや、クラッド層をＡｌＧａＩｎＰにより
それぞれ構成し、活性層をＧａＩｎＰにより構成したも
のについても適用することができる。
ーザ発振部１０を構成する材料について具体的に例を挙
げて説明したが、本発明は、他の材料により構成する場
合についても適用することができる。例えば、クラッド
層をＩｎＰにより構成し、活性層をＩｎＧａＡｓＰによ
り構成したものや、クラッド層をＡｌＧａＩｎＰにより
それぞれ構成し、活性層をＧａＩｎＰにより構成したも
のについても適用することができる。
【００５０】更にまた、上記実施の形態においては、各
レーザ発振部１０の構造について一例を挙げて説明した
が、本発明は、他の構造を有するものについても同様に
適用することができる。例えば、ガイド層を備えたもの
や、基板にｐ型クラッド層，活性層，ｎ型クラッド層を
順次積層したものについても適用することができる。よ
って、上記実施の形態においては、ｐ側電極１７にコン
タクト用電極３１を接続するようにしたが、ｎ側電極に
コンタクト用電極を接続する場合についても本発明を同
様に適用することができる。
レーザ発振部１０の構造について一例を挙げて説明した
が、本発明は、他の構造を有するものについても同様に
適用することができる。例えば、ガイド層を備えたもの
や、基板にｐ型クラッド層，活性層，ｎ型クラッド層を
順次積層したものについても適用することができる。よ
って、上記実施の形態においては、ｐ側電極１７にコン
タクト用電極３１を接続するようにしたが、ｎ側電極に
コンタクト用電極を接続する場合についても本発明を同
様に適用することができる。
【００５１】加えてまた、上記実施の形態においては、
各レーザ発振部１０の各ｐ側電極１７に対して配設基板
３２に形成された各コンタクト用電極３１をそれぞれ接
続する場合について説明したが、本発明は、基板に各半
導体層，電極およびコンタクト用電極を順次積層したも
のについても適用することができる。
各レーザ発振部１０の各ｐ側電極１７に対して配設基板
３２に形成された各コンタクト用電極３１をそれぞれ接
続する場合について説明したが、本発明は、基板に各半
導体層，電極およびコンタクト用電極を順次積層したも
のについても適用することができる。
【００５２】更にまた、上記実施の形態においては、光
電変換部としてレーザ発振部１０を備えた半導体レーザ
について具体的に説明したが、本発明は、光エネルギー
を電気エネルギーに変換するまたは電気エネルギーを光
エネルギーに変換する他の光電変換部を備えた光電変換
素子についても広く適用することができる。例えば、発
光ダイオード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの
他の半導体発光素子やフォトディテクタなどの半導体受
光素子についても適用することができる。
電変換部としてレーザ発振部１０を備えた半導体レーザ
について具体的に説明したが、本発明は、光エネルギー
を電気エネルギーに変換するまたは電気エネルギーを光
エネルギーに変換する他の光電変換部を備えた光電変換
素子についても広く適用することができる。例えば、発
光ダイオード（light emitting diode；ＬＥＤ）などの
他の半導体発光素子やフォトディテクタなどの半導体受
光素子についても適用することができる。
【００５３】加えてまた、上記実施の形態においては、
基板１１に半導体層を積層する際にＭＯＣＶＤ法を用い
る場合を具体的に説明したが、分子線エピタキシー（Mo
lecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などの他の方法を用
いることもできる。更に、ｐ側電極１７をマスクとして
半導体層を選択的に除去する際にＲＩＥ法を用いる場合
を具体的に説明したが、他のドライエッチングやウエッ
トエッチングを用いることもできる。
基板１１に半導体層を積層する際にＭＯＣＶＤ法を用い
る場合を具体的に説明したが、分子線エピタキシー（Mo
lecular Beam Epitaxy；ＭＢＥ）法などの他の方法を用
いることもできる。更に、ｐ側電極１７をマスクとして
半導体層を選択的に除去する際にＲＩＥ法を用いる場合
を具体的に説明したが、他のドライエッチングやウエッ
トエッチングを用いることもできる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至１０の
いずれか１に記載の光電変換素子および請求項１１乃至
１６のいずれか１に記載の製造方法よれば、光電変換部
の電極とコンタクト用電極との間に絶縁層を設け、開口
を介してそれらを電気的に接続するようにしたので、光
電変換部の電極とコンタクト用電極との位置合わせに高
い精度が不要となり、それらを容易かつ正確に接続させ
ることができると共に、大量生産が可能になるという効
果を奏する。
いずれか１に記載の光電変換素子および請求項１１乃至
１６のいずれか１に記載の製造方法よれば、光電変換部
の電極とコンタクト用電極との間に絶縁層を設け、開口
を介してそれらを電気的に接続するようにしたので、光
電変換部の電極とコンタクト用電極との位置合わせに高
い精度が不要となり、それらを容易かつ正確に接続させ
ることができると共に、大量生産が可能になるという効
果を奏する。
【００５５】特に、請求項６乃至１０のいずれか１に記
載の光電変換素子および請求項１４記載の製造方法よれ
ば、光電変換部の電極とコンタクト用電極とを接続する
ための位置合わせ部を設けるようにしたので、それを利
用することにより、光電変換部の電極とコンタクト用電
極とを容易かつ正確に位置合わせすることができ、それ
らを容易かつ正確に接続することができるという効果も
奏する。
載の光電変換素子および請求項１４記載の製造方法よれ
ば、光電変換部の電極とコンタクト用電極とを接続する
ための位置合わせ部を設けるようにしたので、それを利
用することにより、光電変換部の電極とコンタクト用電
極とを容易かつ正確に位置合わせすることができ、それ
らを容易かつ正確に接続することができるという効果も
奏する。
【００５６】また、請求項８または９に記載の光電変換
素子および請求項１５記載の製造方法よれば、基板側位
置合わせ部の一部がコンタクト用電極に固定されるよう
にしたので、レーザ発振部とコンタクト用電極との接続
を補助することができると共に、レーザ発振部を補助的
に支持することができるという効果も奏する。
素子および請求項１５記載の製造方法よれば、基板側位
置合わせ部の一部がコンタクト用電極に固定されるよう
にしたので、レーザ発振部とコンタクト用電極との接続
を補助することができると共に、レーザ発振部を補助的
に支持することができるという効果も奏する。
【００５７】更に、請求項９記載の光電変換素子および
請求項１５記載の製造方法よれば、基板側位置合わせ部
に金属層を形成するようにしたので、この金属層とコン
タクト用電極とを接続させることにより、レーザ発振部
とコンタクト用電極との接続を更に強固に補助すること
ができるという効果も奏する。
請求項１５記載の製造方法よれば、基板側位置合わせ部
に金属層を形成するようにしたので、この金属層とコン
タクト用電極とを接続させることにより、レーザ発振部
とコンタクト用電極との接続を更に強固に補助すること
ができるという効果も奏する。
【００５８】また、請求項１２記載の製造方法よれば、
光電変換部を形成する際に、半導体層に電極を形成した
のち電極をマスクとして半導体層を選択的に除去するよ
うにしたので、少ない工程で精度よく光電変換部を形成
することができる。よって、製造工程の簡素化および製
造コストの低減を図ることができると共に、光電変換部
とコンタクト用電極との位置合わせ精度も向上させるこ
とができ、電極とコンタクト用電極とを正確に接続させ
ることができるという効果も奏する。
光電変換部を形成する際に、半導体層に電極を形成した
のち電極をマスクとして半導体層を選択的に除去するよ
うにしたので、少ない工程で精度よく光電変換部を形成
することができる。よって、製造工程の簡素化および製
造コストの低減を図ることができると共に、光電変換部
とコンタクト用電極との位置合わせ精度も向上させるこ
とができ、電極とコンタクト用電極とを正確に接続させ
ることができるという効果も奏する。
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体レーザの構
成を表す斜視図である。
成を表す斜視図である。
【図２】図１に示した半導体レーザのＩ−Ｉ線に沿った
断面図である。
断面図である。
【図３】図１に示した半導体レーザの一部をＩＩ−ＩＩ
線に沿って分解して表す斜視図である。
線に沿って分解して表す斜視図である。
【図４】図１に示した半導体レーザのＩＩ−ＩＩ線に沿
った断面図である。
った断面図である。
【図５】図１に示した半導体レーザの各製造工程を表す
Ｉ−Ｉ線に沿った断面図である。
Ｉ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図６】図５に続く各製造工程を表すＩ−Ｉ線に沿った
断面図である。
断面図である。
【図７】図６に続く各製造工程を表すＩ−Ｉ線に沿った
断面図である。
断面図である。
【図８】図７に続く製造工程を表すＩ−Ｉ線に沿った断
面図である。
面図である。
【図９】従来のマルチビームレーザの構成を分解して表
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１０】従来の他のマルチビームレーザの構成を分解
して表す斜視図である。
して表す斜視図である。
１０，１１０…レーザ発振部（光電変換部）、１１，１
１１…基板、１２…ｎ型クラッド層、１３…活性層、１
４…ｐ型クラッド層、１５…キャップ層、１６…電流ブ
ロック層、１７…ｐ側電極、１８…ｎ側電極、１９ａ，
１９ｂ…端面膜、２０…絶縁層、２１，２２…開口、３
１，１３１…コンタクト用電極、３２，１３２…配設基
板、３３，１３３…配線、３３ａ…ワイヤパッド部、３
４…絶縁膜、４０…位置合わせ部、４１…基板側位置合
わせ部、４２…配設基板側位置合わせ部、５１…レーザ
発振部形成領域、５２…フォトレジスト膜、５３…位置
合わせ部形成領域、１１７…電極、Ａ…共振器方向、Ｂ
…配設方向
１１…基板、１２…ｎ型クラッド層、１３…活性層、１
４…ｐ型クラッド層、１５…キャップ層、１６…電流ブ
ロック層、１７…ｐ側電極、１８…ｎ側電極、１９ａ，
１９ｂ…端面膜、２０…絶縁層、２１，２２…開口、３
１，１３１…コンタクト用電極、３２，１３２…配設基
板、３３，１３３…配線、３３ａ…ワイヤパッド部、３
４…絶縁膜、４０…位置合わせ部、４１…基板側位置合
わせ部、４２…配設基板側位置合わせ部、５１…レーザ
発振部形成領域、５２…フォトレジスト膜、５３…位置
合わせ部形成領域、１１７…電極、Ａ…共振器方向、Ｂ
…配設方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡野 展賢 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】 基板に設けられた半導体層に対して電極
を有する光電変換部と、 この光電変換部の電極と電気的に接続されたコンタクト
用電極と、 このコンタクト用電極と前記光電変換部の電極との間に
形成され、それらを電気的に接続させるための開口が設
けられた絶縁層とを備えたことを特徴とする光電変換素
子。 - 【請求項２】 基板を同一とする複数の前記光電変換部
を備えると共に、この各光電変換部に対応して前記コン
タクト用電極と前記絶縁層の開口とをそれぞれ複数備
え、かつ、前記各開口は、基板と平行な面内において碁
盤状に区切られた各領域のうち互いに斜め方向の関係に
ある各領域内あるいは互いに縦方向または横方向に少な
くとも１領域以上間隔をあけた関係にある各領域内にそ
れぞれ位置することを特徴とする請求項１記載の光電変
換素子。 - 【請求項３】 互いに隣り合う前記各光電変換部にそれ
ぞれ対応する前記各開口は、前記各領域のうち互いに斜
め方向の関係にある各領域内にそれぞれ位置することを
特徴とする請求項２記載の光電変換素子。 - 【請求項４】 前記各コンタクト用電極は、前記各開口
に対応して前記各光電変換部の配列方向と平行にそれぞ
れ延長されたことを特徴とする請求項２記載の光電変換
素子。 - 【請求項５】 前記各光電変換部は、一方向に配列され
たことを特徴とする請求項２記載の光電変換素子。 - 【請求項６】 更に、前記光電変換部の電極と前記コン
タクト用電極とを接続するための位置合わせ部を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の光電変換素子。 - 【請求項７】 前記位置合わせ部は、前記光電変換部の
基板に形成された突形状の基板側位置合わせ部を有する
ことを特徴とする請求項６記載の光電変換素子。 - 【請求項８】 前記基板側位置合わせ部は、一部が前記
コンタクト用電極に固定されることを特徴とする請求項
７記載の光電変換素子。 - 【請求項９】 前記基板側位置合わせ部は前記コンタク
ト用電極と接続される金属層を有することを特徴とする
請求項８記載の光電変換素子。 - 【請求項１０】 前記コンタクト用電極を配設基板に備
えると共に、前記位置合わせ部は、配設基板に形成され
た配設基板側位置合わせ部を有することを特徴とする請
求項６記載の光電変換素子。 - 【請求項１１】 基板に設けられた半導体層に対して電
極を有する光電変換部を形成する工程と、 光電変換部の電極に対して開口を有する絶縁層を形成す
る工程と、 絶縁層の開口を介して光電変換部の電極と電気的に接続
されたコンタクト用電極を形成する工程とを含むことを
特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 【請求項１２】 前記光電変換部を形成する工程は、 基板に半導体層を形成する工程と、 半導体層に電極を形成する工程と、 電極をマスクとして半導体層を選択的に除去する工程と
を含むことを特徴とする請求項１１記載の光電変換素子
の製造方法。 - 【請求項１３】 同一基板に複数の光電変換部をそれぞ
れ形成すると共に、基板と平行な面内において碁盤状に
区切られた各領域のうち互いに斜め方向の関係にある各
領域内あるいは互いに縦方向または横方向に少なくとも
１領域以上間隔をあけた関係にある各領域内に各光電変
換部とそれぞれ対応して絶縁層に複数の開口をそれぞれ
形成し、かつ、各開口に対応して複数のコンタクト用電
極をそれぞれ形成することを特徴とする請求項１１記載
の光電変換素子の製造方法。 - 【請求項１４】 更に、光電変換部の電極とコンタクト
用電極とを接続するための位置合わせ部を形成する工程
を含むと共に、この位置合わせ部を利用してコンタクト
用電極を光電変換部の電極に電気的に接続させることを
特徴とする請求項１１記載の光電変換素子の製造方法。 - 【請求項１５】 更に、 金属層を有する基板側位置合わせ部を基板に形成する工
程と、 金属層をコンタクト用電極と接続する工程とを含むこと
を特徴とする請求項１１記載の光電変換素子の製造方
法。 - 【請求項１６】 前記コンタクト用電極を形成する工程
は、 配設基板にコンタクト用電極を形成する工程と、 コンタクト用電極を光電変換部の電極と電気的に接続さ
せる工程とを含むことを特徴とする請求項１１記載の光
電変換素子の製造方法。
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244540A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
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Families Citing this family (14)
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|---|---|---|---|---|
| US6768053B1 (en) * | 2002-01-09 | 2004-07-27 | Nanoset, Llc | Optical fiber assembly |
| US7612443B1 (en) * | 2003-09-04 | 2009-11-03 | University Of Notre Dame Du Lac | Inter-chip communication |
| US7449354B2 (en) | 2006-01-05 | 2008-11-11 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench-gated FET for power device with active gate trenches and gate runner trench utilizing one-mask etch |
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| US8227855B2 (en) * | 2009-02-09 | 2012-07-24 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor devices with stable and controlled avalanche characteristics and methods of fabricating the same |
| US8148749B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-04-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench-shielded semiconductor device |
| US8049276B2 (en) * | 2009-06-12 | 2011-11-01 | Fairchild Semiconductor Corporation | Reduced process sensitivity of electrode-semiconductor rectifiers |
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| US9070387B1 (en) | 2013-08-23 | 2015-06-30 | Western Digital Technologies, Inc. | Integrated heat-assisted magnetic recording head/laser assembly |
| US9042048B1 (en) | 2014-09-30 | 2015-05-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Laser-ignited reactive HAMR bonding |
| US9202478B1 (en) | 2015-02-10 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and structure for soldering a laser submount to a mounting face of a slider |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS63276279A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2780981B2 (ja) * | 1988-06-27 | 1998-07-30 | 三菱電機株式会社 | 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP3356816B2 (ja) * | 1992-03-24 | 2002-12-16 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 半導体光電気変換装置 |
| DE4229498A1 (de) * | 1992-09-04 | 1994-03-10 | Deutsche Aerospace | Festkörperlaser |
| KR960014732B1 (ko) | 1992-12-22 | 1996-10-19 | 양승택 | Rwg형 반도체 레이저장치 및 제조방법 |
| US5360761A (en) * | 1993-05-07 | 1994-11-01 | Xerox Corporation | Method of fabricating closely spaced dual diode lasers |
| US5533042A (en) * | 1993-10-12 | 1996-07-02 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Semiconductor laser device and driving method for the same as well as tracking servo system employing the same |
| KR970009670B1 (en) | 1994-03-30 | 1997-06-17 | Samsung Electronics Co Ltd | Method of manufacture for semiconductor laserdiode |
| JP3732551B2 (ja) * | 1995-05-15 | 2006-01-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5999269A (en) * | 1996-02-09 | 1999-12-07 | Gte Laboratories Incorporated | One-dimensional active alignment of optical or opto-electronic devices on a substrate |
| US5703394A (en) * | 1996-06-10 | 1997-12-30 | Motorola | Integrated electro-optical package |
| US6081020A (en) * | 1998-02-20 | 2000-06-27 | Lucent Technologies Inc. | Linear PIN photodiode |
| US5977571A (en) * | 1998-02-26 | 1999-11-02 | Lucent Technologies, Inc. | Low loss connecting arrangement for photodiodes |
-
1998
- 1998-05-08 JP JP12652798A patent/JP4189610B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-04 EP EP99108868A patent/EP0955704B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-06 US US09/306,183 patent/US6310381B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-09 US US09/925,574 patent/US6548317B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001244540A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| JP2002374029A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Sony Corp | マルチビーム半導体レーザ素子 |
| JP2006024665A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Ricoh Printing Systems Ltd | アレイ型半導体レーザ装置 |
| WO2018216318A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2018-11-29 | シャープ株式会社 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
| JPWO2018216318A1 (ja) * | 2017-05-26 | 2020-03-26 | シャープ株式会社 | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
| US11251134B2 (en) | 2017-05-26 | 2022-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor module and method for manufacturing same |
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