JPH11335896A - ウエハメッキ装置 - Google Patents
ウエハメッキ装置Info
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- JPH11335896A JPH11335896A JP14301998A JP14301998A JPH11335896A JP H11335896 A JPH11335896 A JP H11335896A JP 14301998 A JP14301998 A JP 14301998A JP 14301998 A JP14301998 A JP 14301998A JP H11335896 A JPH11335896 A JP H11335896A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハの表面、該表面に形成された溝や穴の
下地の表面に存在する酸化膜を除去する処理をした後、
再度酸化膜が形成される前にメッキ膜を形成できるウエ
ハメッキ装置を提供する。 【解決手段】 ウエハの表面、該表面に形成された溝及
び／又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去した
後、メッキを施すウエハメッキ装置において、１つのメ
ッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液と、メッキ
を施すメッキ液を順次入替えてメッキを施すことを特徴
とする。このように１つのメッキ槽の中で酸化膜除去と
メッキ膜形成とを連続して行うことにより、酸化膜の除
去処理後、ウエハを空中に曝すことがなくメッキ処理を
行うことができるから、再度酸化膜が形成されないうち
にメッキ膜を形成することができる。
下地の表面に存在する酸化膜を除去する処理をした後、
再度酸化膜が形成される前にメッキ膜を形成できるウエ
ハメッキ装置を提供する。 【解決手段】 ウエハの表面、該表面に形成された溝及
び／又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去した
後、メッキを施すウエハメッキ装置において、１つのメ
ッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液と、メッキ
を施すメッキ液を順次入替えてメッキを施すことを特徴
とする。このように１つのメッキ槽の中で酸化膜除去と
メッキ膜形成とを連続して行うことにより、酸化膜の除
去処理後、ウエハを空中に曝すことがなくメッキ処理を
行うことができるから、再度酸化膜が形成されないうち
にメッキ膜を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面に配線用の溝や
コンタクトホールが形成されたウエハの表面や溝及び穴
の内壁面に銅等のメッキを施すウエハメッキ装置に関す
るものである。
コンタクトホールが形成されたウエハの表面や溝及び穴
の内壁面に銅等のメッキを施すウエハメッキ装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ウエハ表面に形成される配線溝のバリア
材に用いられるＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ等のセラミック系
材料は大気中のＯ２や水中に溶存するＯ２の影響で瞬時
にその表面に酸化膜が形成される。この酸化膜が膜抵抗
値を上げ電解メッキを行う際の障害になるばかりではな
く、メッキ膜界面での密着力を低下させるという問題が
ある。従来、該酸化膜を除去するため別の処理槽を設
け、電解メッキを行う前に該処理槽で酸化膜の除去処理
を行っている。
材に用いられるＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ等のセラミック系
材料は大気中のＯ２や水中に溶存するＯ２の影響で瞬時
にその表面に酸化膜が形成される。この酸化膜が膜抵抗
値を上げ電解メッキを行う際の障害になるばかりではな
く、メッキ膜界面での密着力を低下させるという問題が
ある。従来、該酸化膜を除去するため別の処理槽を設
け、電解メッキを行う前に該処理槽で酸化膜の除去処理
を行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記酸
化膜を除去する処理槽と電解メッキ槽を一列に並べた装
置では、該処理槽で酸化膜の除去処理をしたウエハを電
解メッキ槽に移動させる時に該ウエハを空中に曝すた
め、たとえ酸化膜を完全に除去したとしても、再度酸化
膜が形成されるという問題があった。
化膜を除去する処理槽と電解メッキ槽を一列に並べた装
置では、該処理槽で酸化膜の除去処理をしたウエハを電
解メッキ槽に移動させる時に該ウエハを空中に曝すた
め、たとえ酸化膜を完全に除去したとしても、再度酸化
膜が形成されるという問題があった。
【０００４】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、ウエハの表面、該表面に形成された溝や穴の下地の
表面に存在する酸化膜を除去する処理をした後、再度酸
化膜が形成される前にメッキ膜を形成できるウエハメッ
キ装置を提供することを目的とする。
で、ウエハの表面、該表面に形成された溝や穴の下地の
表面に存在する酸化膜を除去する処理をした後、再度酸
化膜が形成される前にメッキ膜を形成できるウエハメッ
キ装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、ウエハの表面、該表面に形成
された溝及び／又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を
除去した後、メッキを施すウエハメッキ装置において、
１つのメッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液
と、メッキを施すメッキ液を順次入れ替えてメッキを施
すことを特徴とする。このように１つのメッキ槽の中で
酸化膜除去とメッキ膜形成とを連続して行うことによ
り、酸化膜の除去処理後、ウエハを空中に曝すことがな
くメッキ処理を行うことができるから、再度酸化膜が形
成されないうちにメッキ膜を形成することができる。
請求項１に記載の発明は、ウエハの表面、該表面に形成
された溝及び／又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を
除去した後、メッキを施すウエハメッキ装置において、
１つのメッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液
と、メッキを施すメッキ液を順次入れ替えてメッキを施
すことを特徴とする。このように１つのメッキ槽の中で
酸化膜除去とメッキ膜形成とを連続して行うことによ
り、酸化膜の除去処理後、ウエハを空中に曝すことがな
くメッキ処理を行うことができるから、再度酸化膜が形
成されないうちにメッキ膜を形成することができる。
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載のウエハメッキ装置において、酸化膜を除去する
処理液は、濃度０．１〜２０重量％のＨ２ＳＯ４、ＨＣ
ｌ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ等の無機酸又は該無機
酸とＮａ又はＫとの塩、ＣＨ ３ＣＯＯＨ、オキシカルボ
ン酸等の有機酸又は該有機酸Ｎａ又はＫとの塩、ＮａＯ
Ｈ又はＫＯＨの塩基類を含む溶液であり、ウエハを陰極
とし水素還元反応により酸化膜を除去し、表面を活性化
することを特徴とする。
に記載のウエハメッキ装置において、酸化膜を除去する
処理液は、濃度０．１〜２０重量％のＨ２ＳＯ４、ＨＣ
ｌ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ等の無機酸又は該無機
酸とＮａ又はＫとの塩、ＣＨ ３ＣＯＯＨ、オキシカルボ
ン酸等の有機酸又は該有機酸Ｎａ又はＫとの塩、ＮａＯ
Ｈ又はＫＯＨの塩基類を含む溶液であり、ウエハを陰極
とし水素還元反応により酸化膜を除去し、表面を活性化
することを特徴とする。
【０００７】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載のウエハメッキ装置において、メッキ液は
硫酸銅５０〜２５０ｇ／ｌ、硫酸４０〜２２０ｇ／ｌを
主成分とした電解メッキ液であることを特徴とする。こ
のようにメッキ液と酸化膜を除去する処理液にＨ２ＳＯ
４を用いた場合は、酸化膜の除去処理後、水洗工程を必
要としない。
又は２に記載のウエハメッキ装置において、メッキ液は
硫酸銅５０〜２５０ｇ／ｌ、硫酸４０〜２２０ｇ／ｌを
主成分とした電解メッキ液であることを特徴とする。こ
のようにメッキ液と酸化膜を除去する処理液にＨ２ＳＯ
４を用いた場合は、酸化膜の除去処理後、水洗工程を必
要としない。
【０００８】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
乃至３のいずれか１に記載のウエハメッキ装置におい
て、酸化膜を除去する処理液をメッキ槽から排出し、新
たにメッキ液を充填する間、該メッキ槽内に不活性ガス
を充填しておくことを特徴とする。このように、メッキ
槽内に不活性ガスを充填しておくことにより、酸化膜除
去処理面がＯ２に曝されることがないから、新たにメッ
キ液を充填する間に再度酸化膜が形成することがない。
乃至３のいずれか１に記載のウエハメッキ装置におい
て、酸化膜を除去する処理液をメッキ槽から排出し、新
たにメッキ液を充填する間、該メッキ槽内に不活性ガス
を充填しておくことを特徴とする。このように、メッキ
槽内に不活性ガスを充填しておくことにより、酸化膜除
去処理面がＯ２に曝されることがないから、新たにメッ
キ液を充填する間に再度酸化膜が形成することがない。
【０００９】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
乃至４のいずれか１に記載のウエハメッキ装置におい
て、酸化膜を除去するための処理液をメッキ槽から排出
し、メッキ液を充填する前に、該メッキ槽内に溶存酸素
量が１ｐｐｍ以下にした純水を供給し、メッキ槽内を洗
浄することを特徴とした。このように酸化膜除去処理後
に純水を充填した洗浄を行うことにより、酸化膜を除去
する処理液とメッキ液がその主成分が異なる性質でも酸
化膜除去処理とメッキ処理とが連続して行うことができ
ると共に、溶存酸素量が１ｐｐｍ以下であるから、酸化
膜が再度形成されることもない。
乃至４のいずれか１に記載のウエハメッキ装置におい
て、酸化膜を除去するための処理液をメッキ槽から排出
し、メッキ液を充填する前に、該メッキ槽内に溶存酸素
量が１ｐｐｍ以下にした純水を供給し、メッキ槽内を洗
浄することを特徴とした。このように酸化膜除去処理後
に純水を充填した洗浄を行うことにより、酸化膜を除去
する処理液とメッキ液がその主成分が異なる性質でも酸
化膜除去処理とメッキ処理とが連続して行うことができ
ると共に、溶存酸素量が１ｐｐｍ以下であるから、酸化
膜が再度形成されることもない。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明のウエハメッキ装
置の概略構成を示す図である。図１において、１はメッ
キ槽であり、該メッキ槽１はメッキ槽本体２と底板３と
からなる。メッキ槽本体２の下方は開口しており、該開
口部をＯリング等のシール部材４を介して底板３で閉じ
ることにより、メッキ槽本体２内の空間５は密閉された
空間となる。
面に基づいて説明する。図１は本発明のウエハメッキ装
置の概略構成を示す図である。図１において、１はメッ
キ槽であり、該メッキ槽１はメッキ槽本体２と底板３と
からなる。メッキ槽本体２の下方は開口しており、該開
口部をＯリング等のシール部材４を介して底板３で閉じ
ることにより、メッキ槽本体２内の空間５は密閉された
空間となる。
【００１１】メッキ槽本体２には液流入口６、液流出口
７及びガス流入口８が設けられている。底板３の上面に
はウエハ９が載置され、メッキ槽本体２内には該ウエハ
９と対向して陽極電極１０が配置されている。また、ウ
エハ９と陽極電極１０の間にはメッキ電源（直流電源）
１１から所定の電圧が印加されるようになっている。
７及びガス流入口８が設けられている。底板３の上面に
はウエハ９が載置され、メッキ槽本体２内には該ウエハ
９と対向して陽極電極１０が配置されている。また、ウ
エハ９と陽極電極１０の間にはメッキ電源（直流電源）
１１から所定の電圧が印加されるようになっている。
【００１２】１２はメッキ液が収容されるメッキ液収容
容器であり、該メッキ液収容容器１２に収容されたメッ
キ液はポンプ１３により、液流入口６を通ってメッキ槽
１内に供給されるようになっている。１４は酸化膜除去
処理液が収容される処理液収容容器であり、該処理液収
容容器１４に収容された酸化膜除去処理液はポンプ１５
により、液流入口６を通ってメッキ槽１内に供給される
ようになっている。１６、１７はそれぞれ開閉弁であ
り、メッキ槽１内の空間５に収容されたメッキ液又は酸
化膜除去処理液は開閉弁１６又は１７を開くことによ
り、容器１２又は１４に回収されるようになっている。
容器であり、該メッキ液収容容器１２に収容されたメッ
キ液はポンプ１３により、液流入口６を通ってメッキ槽
１内に供給されるようになっている。１４は酸化膜除去
処理液が収容される処理液収容容器であり、該処理液収
容容器１４に収容された酸化膜除去処理液はポンプ１５
により、液流入口６を通ってメッキ槽１内に供給される
ようになっている。１６、１７はそれぞれ開閉弁であ
り、メッキ槽１内の空間５に収容されたメッキ液又は酸
化膜除去処理液は開閉弁１６又は１７を開くことによ
り、容器１２又は１４に回収されるようになっている。
【００１３】１８は減圧弁であり、該減圧弁１８及びガ
ス流入口８を通ってＮ２ガス等の不活性ガス源から不活
性ガスがメッキ槽１内の空間５に供給されるようになっ
ている。また、この不活性ガスは容器１２及び１４にも
供給されるようになっている。１９〜２３はそれぞれチ
ェック弁である。
ス流入口８を通ってＮ２ガス等の不活性ガス源から不活
性ガスがメッキ槽１内の空間５に供給されるようになっ
ている。また、この不活性ガスは容器１２及び１４にも
供給されるようになっている。１９〜２３はそれぞれチ
ェック弁である。
【００１４】メッキ液収容容器１２にはＣｕＳＯ４（硫
酸銅）液等の銅メッキ液、例えば硫酸銅５０〜２５０ｇ
／ｌ、硫酸４０〜２２０ｇ／ｌを主成分とした電解メッ
キ液が収容されている。また、処理液収容容器１４に
は、濃度０．１〜２０重量％のＨ２ＳＯ４、ＨＣｌ、Ｈ
ＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ等のいずれかの無機酸又は該
無機酸とＮａ又はＫとの塩、ＣＨ３ＣＯＯＨ、オキシカ
ルボン酸等のいずれかの有機酸又は該有機酸とＮａ又は
Ｋとの塩、ＮａＯＨ、ＫＯＨの塩基類を含む酸化膜除去
処理液が収容されている。
酸銅）液等の銅メッキ液、例えば硫酸銅５０〜２５０ｇ
／ｌ、硫酸４０〜２２０ｇ／ｌを主成分とした電解メッ
キ液が収容されている。また、処理液収容容器１４に
は、濃度０．１〜２０重量％のＨ２ＳＯ４、ＨＣｌ、Ｈ
ＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ等のいずれかの無機酸又は該
無機酸とＮａ又はＫとの塩、ＣＨ３ＣＯＯＨ、オキシカ
ルボン酸等のいずれかの有機酸又は該有機酸とＮａ又は
Ｋとの塩、ＮａＯＨ、ＫＯＨの塩基類を含む酸化膜除去
処理液が収容されている。
【００１５】上記構成のウエハメッキ装置において、メ
ッキを施そうとするウエハ９をメッキ槽１内に入れ、底
板３の所定の位置に載置した後、ポンプ１５を起動し、
処理液収容容器１４内の酸化膜除去処理液をメッキ槽１
の空間５内に供給し、該空間５内を酸化膜除去処理液で
満たす。この状態で、ウエハ９を陰極として、メッキ電
源１１から陽極電極１０とウエハ９の間に所定の電圧を
印加すると、水素還元反応により、ウエハ９の表面や該
表面に形成された溝や穴の下地の表面に存在する酸化膜
が除去され、該酸化膜が除去された面が活性化する。
ッキを施そうとするウエハ９をメッキ槽１内に入れ、底
板３の所定の位置に載置した後、ポンプ１５を起動し、
処理液収容容器１４内の酸化膜除去処理液をメッキ槽１
の空間５内に供給し、該空間５内を酸化膜除去処理液で
満たす。この状態で、ウエハ９を陰極として、メッキ電
源１１から陽極電極１０とウエハ９の間に所定の電圧を
印加すると、水素還元反応により、ウエハ９の表面や該
表面に形成された溝や穴の下地の表面に存在する酸化膜
が除去され、該酸化膜が除去された面が活性化する。
【００１６】ここで酸化膜を除去する処理液の濃度は下
地は浸蝕せず、表面の薄い酸化膜のみを除去するため
に、除去する酸化膜の厚さに応じて０．１〜２０重量％
の範囲で濃度を設定する。濃度が２０重量％を越えると
濃度が高すぎて下地をエッチングしてしまう。
地は浸蝕せず、表面の薄い酸化膜のみを除去するため
に、除去する酸化膜の厚さに応じて０．１〜２０重量％
の範囲で濃度を設定する。濃度が２０重量％を越えると
濃度が高すぎて下地をエッチングしてしまう。
【００１７】次に、開閉弁１７を開いて、メッキ槽１内
の酸化膜除去処理液を処理液収容容器１４内に回収する
と同時に、メッキ槽１の空間５を減圧弁１８を通して供
給される不活性ガスと置換する。その後開閉弁１７を閉
じ、ポンプ１３を起動して、メッキ液収容容器１２内の
メッキ液をメッキ槽１の空間５内に供給し、該空間５内
で不活性ガスとメッキ液の置換を行なう。次にメッキ電
源１１から陽極電極１０とウエハ９の間に所定の電圧を
印加してメッキを行なう。このように、酸化膜除去処理
液をメッキ槽から排出し、新たにメッキ液を充填する
間、該メッキ槽１の内部に不活性ガスを充填しておくこ
とにより、酸化膜除去処理面がＯ２に曝されることがな
いから、新たにメッキ液を充填する間に再度酸化膜が形
成することがない。
の酸化膜除去処理液を処理液収容容器１４内に回収する
と同時に、メッキ槽１の空間５を減圧弁１８を通して供
給される不活性ガスと置換する。その後開閉弁１７を閉
じ、ポンプ１３を起動して、メッキ液収容容器１２内の
メッキ液をメッキ槽１の空間５内に供給し、該空間５内
で不活性ガスとメッキ液の置換を行なう。次にメッキ電
源１１から陽極電極１０とウエハ９の間に所定の電圧を
印加してメッキを行なう。このように、酸化膜除去処理
液をメッキ槽から排出し、新たにメッキ液を充填する
間、該メッキ槽１の内部に不活性ガスを充填しておくこ
とにより、酸化膜除去処理面がＯ２に曝されることがな
いから、新たにメッキ液を充填する間に再度酸化膜が形
成することがない。
【００１８】なお、上記例では、酸化膜除去処理液をメ
ッキ槽１から排出し、新たにメッキ液を充填する間、該
メッキ槽１内に不活性ガスを充填しているが、酸化膜除
去処理液にＨ２ＳＯ４を主成分とする処理液を用い、メ
ッキ液に例えば、硫酸銅５０〜２５０ｇ／ｌ、硫酸４０
〜２２０ｇ／ｌを主成分とする電解メッキ液を用いるよ
うにし、酸化膜除去処理液とメッキ液の主成分が同じも
のである場合、酸化膜除去処理液の排出とメッキ液の供
給を同時に行なって、酸化膜除去処理液とメッキ液の置
換を行ってもよい。
ッキ槽１から排出し、新たにメッキ液を充填する間、該
メッキ槽１内に不活性ガスを充填しているが、酸化膜除
去処理液にＨ２ＳＯ４を主成分とする処理液を用い、メ
ッキ液に例えば、硫酸銅５０〜２５０ｇ／ｌ、硫酸４０
〜２２０ｇ／ｌを主成分とする電解メッキ液を用いるよ
うにし、酸化膜除去処理液とメッキ液の主成分が同じも
のである場合、酸化膜除去処理液の排出とメッキ液の供
給を同時に行なって、酸化膜除去処理液とメッキ液の置
換を行ってもよい。
【００１９】また、図示は省略するが、酸化膜除去処理
液をメッキ槽１から排出した後、メッキ液を充填する前
に純水からなる洗浄水を供給して該メッキ槽１内を洗浄
することにより、酸化膜除去処理液とメッキ液が異なる
性質の場合でも酸化膜除去処理とメッキ処理とを連続し
て行うことができる。この場合、洗浄水中の溶存酸素に
より再度酸化膜が形成されるのを防止するために、洗浄
水中の溶存酸素量が１ｐｐｍ以下とする。
液をメッキ槽１から排出した後、メッキ液を充填する前
に純水からなる洗浄水を供給して該メッキ槽１内を洗浄
することにより、酸化膜除去処理液とメッキ液が異なる
性質の場合でも酸化膜除去処理とメッキ処理とを連続し
て行うことができる。この場合、洗浄水中の溶存酸素に
より再度酸化膜が形成されるのを防止するために、洗浄
水中の溶存酸素量が１ｐｐｍ以下とする。
【００２０】
【発明の効果】以上、説明したように各請求項に記載の
発明によれば、１つのメッキ槽の中で酸化膜を除去する
ための処理液と、メッキを施すメッキ液を順次入れ替え
てメッキを施すので、酸化膜の除去処理後、ウエハを空
中に曝すことがなくメッキ処理を行うことができるか
ら、メッキの際の膜抵抗値が低くなり、好適な電解メッ
キを行うことができると同時に、メッキ膜界面での密着
力の強いメッキ膜を形成できる。
発明によれば、１つのメッキ槽の中で酸化膜を除去する
ための処理液と、メッキを施すメッキ液を順次入れ替え
てメッキを施すので、酸化膜の除去処理後、ウエハを空
中に曝すことがなくメッキ処理を行うことができるか
ら、メッキの際の膜抵抗値が低くなり、好適な電解メッ
キを行うことができると同時に、メッキ膜界面での密着
力の強いメッキ膜を形成できる。
【００２１】また、請求項４に記載の発明によれば、酸
化膜を除去する処理液をメッキ槽から排出し、新たにメ
ッキ液を充填する間、該メッキ槽内に不活性ガスを充填
しておくので、酸化膜除去処理面がＯ２に曝されること
がないから、メッキ液を充填する間に再度酸化膜が形成
することがない。
化膜を除去する処理液をメッキ槽から排出し、新たにメ
ッキ液を充填する間、該メッキ槽内に不活性ガスを充填
しておくので、酸化膜除去処理面がＯ２に曝されること
がないから、メッキ液を充填する間に再度酸化膜が形成
することがない。
【００２２】また、請求項５に記載の発明によれば、酸
化膜を除去するための処理液をメッキ槽から排出し、メ
ッキ液を充填する前に、該メッキ槽内に溶存酸素量が１
ｐｐｍ以下にした純水を供給し、メッキ槽内を洗浄する
ので、このように酸化膜除去処理後に純水を充填した洗
浄を行うことにより、酸化膜を除去する処理液とメッキ
液がその主成分が異なる場合でも酸化膜除去処理とメッ
キ処理とが連続して行うことができると共に、溶存酸素
量が１ｐｐｍ以下であるから、酸化膜が再度形成される
こともない。
化膜を除去するための処理液をメッキ槽から排出し、メ
ッキ液を充填する前に、該メッキ槽内に溶存酸素量が１
ｐｐｍ以下にした純水を供給し、メッキ槽内を洗浄する
ので、このように酸化膜除去処理後に純水を充填した洗
浄を行うことにより、酸化膜を除去する処理液とメッキ
液がその主成分が異なる場合でも酸化膜除去処理とメッ
キ処理とが連続して行うことができると共に、溶存酸素
量が１ｐｐｍ以下であるから、酸化膜が再度形成される
こともない。
【図１】本発明のウエハメッキ装置の概略構成を示す図
である。
である。
１ メッキ槽 ２ メッキ槽本体 ３ 底板 ４ シール部材 ５ 空間 ６ 液流入口 ７ 液流出口 ８ ガス流入口 ９ ウエハ １０ 陽極電極 １１ メッキ電源（直流電源） １２ メッキ液収容容器 １３ ポンプ １４ 処理液収容容器 １５ ポンプ １６ 開閉弁 １７ 開閉弁 １８ 減圧弁 １９〜２３ チェック弁
フロントページの続き (72)発明者 井上 裕章 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハの表面、該表面に形成された溝及
び／又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去した
後、メッキを施すウエハメッキ装置において、 １つのメッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液
と、メッキを施すメッキ液を順次入れ替えてメッキを施
すことを特徴とするウエハメッキ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のウエハメッキ装置にお
いて、 前記酸化膜を除去する処理液は、濃度０．１〜２０重量
％のＨ２ＳＯ４、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ３ＰＯ４、ＨＦ
等の無機酸又は該無機酸とＮａ又はＫとの塩、ＣＨ３Ｃ
ＯＯＨ、オキシカルボン酸等の有機酸又は該有機酸とＮ
ａ又はＫとの塩、ＮａＯＨ又はＫＯＨの塩基類を含む溶
液であり、前記ウエハを陰極とし水素還元反応により酸
化膜を除去し、表面を活性化することを特徴とするウエ
ハメッキ装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のウエハメッキ装
置において、 前記メッキ液は硫酸銅５０〜２５０ｇ／ｌ、硫酸４０〜
２２０ｇ／ｌを主成分とした電解メッキ液であることを
特徴とするウエハメッキ装置。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１に記載のウ
エハメッキ装置において、 前記酸化膜を除去する処理液を前記メッキ槽から排出
し、新たにメッキ液を充填する間、該メッキ槽内に不活
性ガスを充填しておくことを特徴とするウエハメッキ装
置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１に記載のウ
エハメッキ装置において、 前記酸化膜を除去するための処理液を前記メッキ槽から
排出し、前記メッキ液を充填する前に、該メッキ槽内に
溶存酸素量が１ｐｐｍ以下にした純水を供給し、メッキ
槽内を洗浄することを特徴としたウエハメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14301998A JPH11335896A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ウエハメッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14301998A JPH11335896A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ウエハメッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11335896A true JPH11335896A (ja) | 1999-12-07 |
| JPH11335896A5 JPH11335896A5 (ja) | 2004-11-25 |
Family
ID=15329048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14301998A Pending JPH11335896A (ja) | 1998-05-25 | 1998-05-25 | ウエハメッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11335896A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001024257A1 (en) * | 1999-09-30 | 2001-04-05 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for treating seed layer in copper interconnctions |
| JP2001152387A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-05 | Ishihara Chem Co Ltd | ボイドフリー銅メッキ方法 |
| JP2008502806A (ja) * | 2004-06-10 | 2008-01-31 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | バリア金属上への直接の銅メッキを可能にするバリア層表面処理方法 |
| JP2009004807A (ja) * | 2008-09-12 | 2009-01-08 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
-
1998
- 1998-05-25 JP JP14301998A patent/JPH11335896A/ja active Pending
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