JPH11336662A - 真空容器および真空容器からの排気方法 - Google Patents
真空容器および真空容器からの排気方法Info
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- JPH11336662A JPH11336662A JP10175490A JP17549098A JPH11336662A JP H11336662 A JPH11336662 A JP H11336662A JP 10175490 A JP10175490 A JP 10175490A JP 17549098 A JP17549098 A JP 17549098A JP H11336662 A JPH11336662 A JP H11336662A
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Landscapes
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- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大な労力を必要せずに製作でき、内面研磨や
ベーキングなどを行わなくても短時間で簡単に高真空環
境にすることができる真空容器および真空容器からの排
気方法を提供する。 【解決手段】 １８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照
射する光源５を真空容器１の内部に設け、真空排気主ポ
ンプ２および真空排気粗引きポンプ３を作動して真空容
器１内を吸引排気し、光源５から真空容器１の内面に１
８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照射し、真空容器１
の内面に吸着している水分子や機械油などの炭素系分子
や酸素分子などのような気体分子に光エネルギを与え、
当該気体分子を振動励起して当該内面から離脱させて当
該容器１の内部から容易に排出できるようにした。
ベーキングなどを行わなくても短時間で簡単に高真空環
境にすることができる真空容器および真空容器からの排
気方法を提供する。 【解決手段】 １８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照
射する光源５を真空容器１の内部に設け、真空排気主ポ
ンプ２および真空排気粗引きポンプ３を作動して真空容
器１内を吸引排気し、光源５から真空容器１の内面に１
８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照射し、真空容器１
の内面に吸着している水分子や機械油などの炭素系分子
や酸素分子などのような気体分子に光エネルギを与え、
当該気体分子を振動励起して当該内面から離脱させて当
該容器１の内部から容易に排出できるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空容器および真
空容器からの排気方法に関し、特に、加速器、半導体製
造装置、成膜装置、プラズマ生成装置、分析装置、放射
光設備などのような、超高真空環境を必要とする場合に
適用すると有効である。
空容器からの排気方法に関し、特に、加速器、半導体製
造装置、成膜装置、プラズマ生成装置、分析装置、放射
光設備などのような、超高真空環境を必要とする場合に
適用すると有効である。
【０００２】
【従来の技術】従来、加速器、半導体製造装置、成膜装
置、プラズマ生成装置、分析装置、放射光設備などのよ
うな、超高真空環境を必要とする装置において、真空容
器内を排気して超高真空環境（１０-5〜１０-8Ｐａ程
度）を得ようとする場合には、真空容器の製作の際に切
削装置の機械油などの炭素系分子が当該容器の内面に僅
かでも付着しないように清浄な環境で工程を組んで作業
を行うと共に、最終工程で当該容器内面を研磨して炭素
系分子などの汚染物質を除去した後、真空容器内の排気
の際に当該真空容器全体を加熱（ベーキング）して、当
該容器の内面に吸着している水分子を熱振動で脱離させ
て除去するようにしている。
置、プラズマ生成装置、分析装置、放射光設備などのよ
うな、超高真空環境を必要とする装置において、真空容
器内を排気して超高真空環境（１０-5〜１０-8Ｐａ程
度）を得ようとする場合には、真空容器の製作の際に切
削装置の機械油などの炭素系分子が当該容器の内面に僅
かでも付着しないように清浄な環境で工程を組んで作業
を行うと共に、最終工程で当該容器内面を研磨して炭素
系分子などの汚染物質を除去した後、真空容器内の排気
の際に当該真空容器全体を加熱（ベーキング）して、当
該容器の内面に吸着している水分子を熱振動で脱離させ
て除去するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たようにして真空容器内を超高真空環境にしようとする
場合には、以下のような問題があった。 清浄環境下で真空容器を製作するのに多大な労力を要
してしまう。 真空容器の内面を研磨仕上げした後に当該内面に機械
油などを誤って付着させてしまうと、当該内面を再び研
磨しなければならず、非常に手間がかかってしまう。 水分を加熱して気化させることにより真空容器内面か
ら離脱させるため、すべての水分の除去に時間を要して
しまい、真空容器内を超高真空にするのに時間がかなり
かかり（数日から数週間程度）、効率が非常に悪かっ
た。 真空容器全体を高温にするための加熱装置を用意しな
ければならず、手間がかかってしまう。 真空容器を高温にすると熱歪みを生じてしまい、精度
の低下を引き起こしてしまう。 熱負荷を加えることができない精密計器を備えていた
り、高温に耐えられない材質を用いた真空容器には適用
することができない。
たようにして真空容器内を超高真空環境にしようとする
場合には、以下のような問題があった。 清浄環境下で真空容器を製作するのに多大な労力を要
してしまう。 真空容器の内面を研磨仕上げした後に当該内面に機械
油などを誤って付着させてしまうと、当該内面を再び研
磨しなければならず、非常に手間がかかってしまう。 水分を加熱して気化させることにより真空容器内面か
ら離脱させるため、すべての水分の除去に時間を要して
しまい、真空容器内を超高真空にするのに時間がかなり
かかり（数日から数週間程度）、効率が非常に悪かっ
た。 真空容器全体を高温にするための加熱装置を用意しな
ければならず、手間がかかってしまう。 真空容器を高温にすると熱歪みを生じてしまい、精度
の低下を引き起こしてしまう。 熱負荷を加えることができない精密計器を備えていた
り、高温に耐えられない材質を用いた真空容器には適用
することができない。
【０００４】このようなことから、本発明は、多大な労
力を必要せずに製作でき、内面研磨やベーキングなどを
行わなくても短時間で簡単に高真空環境にすることがで
きる真空容器および真空容器からの排気方法を提供する
ことを目的とした。
力を必要せずに製作でき、内面研磨やベーキングなどを
行わなくても短時間で簡単に高真空環境にすることがで
きる真空容器および真空容器からの排気方法を提供する
ことを目的とした。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ための、本発明による真空容器は、紫外線を照射する光
源を真空容器内に設けたことを特徴とする。
ための、本発明による真空容器は、紫外線を照射する光
源を真空容器内に設けたことを特徴とする。
【０００６】上述した真空容器において、前記光源が１
８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照射することを特徴
とする。
８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照射することを特徴
とする。
【０００７】また、前述した課題を解決するための、本
発明による真空容器からの排気方法は、真空容器内に紫
外線を照射しながら当該真空容器内の気体分子を排気す
ることを特徴とする。
発明による真空容器からの排気方法は、真空容器内に紫
外線を照射しながら当該真空容器内の気体分子を排気す
ることを特徴とする。
【０００８】上述した真空容器からの排気方法におい
て、前記紫外線が１８６ｎｍよりも短い波長であること
を特徴とする。
て、前記紫外線が１８６ｎｍよりも短い波長であること
を特徴とする。
【０００９】上述した真空容器からの排気方法におい
て、前記気体分子が、水分子、炭素系分子、水素分子、
酸素分子のうちのいずれか１つまたはこれらを複数組み
合わせたものであることを特徴とする。
て、前記気体分子が、水分子、炭素系分子、水素分子、
酸素分子のうちのいずれか１つまたはこれらを複数組み
合わせたものであることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明による真空容器および真空
容器からの排気方法の実施の形態を図１を用いて説明す
る。なお、図１は、その真空容器の周辺部材を含めた全
体概略構成図である。
容器からの排気方法の実施の形態を図１を用いて説明す
る。なお、図１は、その真空容器の周辺部材を含めた全
体概略構成図である。
【００１１】図１に示すように、真空容器１には、真空
排気主ポンプ２が連結されている。真空排気主ポンプ２
には、真空排気粗引きポンプ３が連結されている。真空
容器１には、真空圧力計４が設けられている。真空容器
１の内部には、１８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照
射する光源５が設けられている。光源５には、電源６が
導入端子１ａを介して接続されている。
排気主ポンプ２が連結されている。真空排気主ポンプ２
には、真空排気粗引きポンプ３が連結されている。真空
容器１には、真空圧力計４が設けられている。真空容器
１の内部には、１８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照
射する光源５が設けられている。光源５には、電源６が
導入端子１ａを介して接続されている。
【００１２】このような真空容器１からの排気方法を次
に説明する。真空排気主ポンプ２および真空排気粗引き
ポンプ３を作動して真空容器１内を吸引排気すると共
に、光源５から真空容器１の内面に１８６ｎｍよりも短
い波長の紫外線を照射すると、真空容器１の内面に吸着
している気体分子（例えば、水分子、機械油などの炭素
系分子、酸素分子など）や真空容器１を構成する材料中
の気体分子（例えば、水素分子など）に光エネルギが与
えられ、当該気体分子が振動励起して真空容器１から離
脱して、当該容器１の内部から排出されるようになる。
に説明する。真空排気主ポンプ２および真空排気粗引き
ポンプ３を作動して真空容器１内を吸引排気すると共
に、光源５から真空容器１の内面に１８６ｎｍよりも短
い波長の紫外線を照射すると、真空容器１の内面に吸着
している気体分子（例えば、水分子、機械油などの炭素
系分子、酸素分子など）や真空容器１を構成する材料中
の気体分子（例えば、水素分子など）に光エネルギが与
えられ、当該気体分子が振動励起して真空容器１から離
脱して、当該容器１の内部から排出されるようになる。
【００１３】このため、真空容器１の内面を研磨仕上げ
したり、真空容器１を加熱したりしなくても、当該容器
１内の各種気体分子を確実に除去することができる。
したり、真空容器１を加熱したりしなくても、当該容器
１内の各種気体分子を確実に除去することができる。
【００１４】したがって、多大な労力を必要とすること
なく真空容器１を製作することができると共に、内面研
磨やベーキングなどを行わなくても真空容器１内を短時
間で簡単に高真空環境にすることができる。このため、
ステンレス、アルミニウム、チタン、無酸素銅、ガラス
など各種の材質の真空容器１に適用することができる。
なく真空容器１を製作することができると共に、内面研
磨やベーキングなどを行わなくても真空容器１内を短時
間で簡単に高真空環境にすることができる。このため、
ステンレス、アルミニウム、チタン、無酸素銅、ガラス
など各種の材質の真空容器１に適用することができる。
【００１５】なお、光源５の設置数や配置箇所や出力な
どは、真空容器１の大きさや構造などに応じて、真空容
器１の内壁面に影部分が生じないように適宜選定すれば
よい。具体的には、真空容器の内部に１００Ｗ程度の光
源を数個から数十個程度設置すれば、真空容器の内壁面
に影部分が発生してしまうことを容易に防ぐことができ
る。
どは、真空容器１の大きさや構造などに応じて、真空容
器１の内壁面に影部分が生じないように適宜選定すれば
よい。具体的には、真空容器の内部に１００Ｗ程度の光
源を数個から数十個程度設置すれば、真空容器の内壁面
に影部分が発生してしまうことを容易に防ぐことができ
る。
【００１６】また、前記光源としては、低圧水銀ランプ
を始めとして、高圧水銀ランプ、水銀キセノンランプ、
エキシマランプ、重水素ランプなど、１８６ｎｍよりも
短い波長の紫外線を照射することができるものであれば
よい。
を始めとして、高圧水銀ランプ、水銀キセノンランプ、
エキシマランプ、重水素ランプなど、１８６ｎｍよりも
短い波長の紫外線を照射することができるものであれば
よい。
【００１７】
【実施例】本発明による真空容器および真空容器からの
排気方法の効果を確認するため、次のような確認試験を
行った。
排気方法の効果を確認するため、次のような確認試験を
行った。
【００１８】［確認試験１：水分子の場合］〔ガス放
出率の測定〕 ＜試験装置および試験方法＞ガス放出率の確認試験に用
いた装置の構造概念を図２に示し、その方法を説明す
る。
出率の測定〕 ＜試験装置および試験方法＞ガス放出率の確認試験に用
いた装置の構造概念を図２に示し、その方法を説明す
る。
【００１９】図２おいて、１０は真空容器、１１は試験
室（試料チャンバ）、１２は気体組成を調べる分析室、
１３はオリフィス、１４は真空排気ポンプ、１５は試験
室圧力計、１６は分析室圧力計、１７は光源、１８は電
源である。
室（試料チャンバ）、１２は気体組成を調べる分析室、
１３はオリフィス、１４は真空排気ポンプ、１５は試験
室圧力計、１６は分析室圧力計、１７は光源、１８は電
源である。
【００２０】真空排気ポンプ１４を作動して真空容器１
０内を排気しながら、光源１７から１８６ｎｍよりも短
い波長の紫外線を照射すると、試験室１１の内面に吸着
した水分子が離脱して、オリフィス１３を介して分析室
１２に流入してから外部に排出される。ここで、オリフ
ィス１３のコンダクタンスをＣとし、試料チャンバ内面
積をＳとし、試験室１１内の圧力をＰ1 とし、分析室１
２内の圧力をＰ2 とすると、試験室１１内からの水分子
のガス放出率Ｑを次の式（１）から求めることができ、
離脱効果を確認することができる。
０内を排気しながら、光源１７から１８６ｎｍよりも短
い波長の紫外線を照射すると、試験室１１の内面に吸着
した水分子が離脱して、オリフィス１３を介して分析室
１２に流入してから外部に排出される。ここで、オリフ
ィス１３のコンダクタンスをＣとし、試料チャンバ内面
積をＳとし、試験室１１内の圧力をＰ1 とし、分析室１
２内の圧力をＰ2 とすると、試験室１１内からの水分子
のガス放出率Ｑを次の式（１）から求めることができ、
離脱効果を確認することができる。
【００２１】
【数１】Ｑ＝Ｃ（Ｐ2 −Ｐ1 ）／Ｓ・・・（１）
【００２２】このような確認試験装置および確認試験方
法において、以下のような条件で各実験を行った。
法において、以下のような条件で各実験を行った。
【００２３】＜試験条件＞ 《条件１》 ・真空容器−材質：ステンレス 内面処理：機械加工のみ ・真空排気ポンプ−種類：ターボ分子ポンプ 排気速度：３００リットル／秒 ・光源−種類：低圧水銀ランプ 発光波長：図３参照（水銀の共鳴線である１８４．９ｎ
ｍおよび２５３．７ｎｍが放射されている。） 出力：１００Ｗ 照射時間：３０分
ｍおよび２５３．７ｎｍが放射されている。） 出力：１００Ｗ 照射時間：３０分
【００２４】《条件２》 ・真空容器−材質：チタン 内面処理：機械加工のみ ・真空排気ポンプ−条件１と同じ ・光源−条件１と同じ
【００２５】＜試験結果＞各条件１，２の結果を図４，
５にそれぞれ示す。図４，５からわかるように、上述し
たようにして排気すると、真空容器の材質に左右される
ことなくガス放出率を１０-7〜１０-8Ｐａ・ｍ3 ／ｍ2
ｓ程度にまで低減でき、超高真空状態での放出率と同等
の値を得られることが確認できた。また、水分子を離脱
させるにあたって上昇する温度が４０℃程度で済むの
で、ベーキング方法（２００〜３００℃）と比べて極め
て低い温度に抑えられることが確認できた。
５にそれぞれ示す。図４，５からわかるように、上述し
たようにして排気すると、真空容器の材質に左右される
ことなくガス放出率を１０-7〜１０-8Ｐａ・ｍ3 ／ｍ2
ｓ程度にまで低減でき、超高真空状態での放出率と同等
の値を得られることが確認できた。また、水分子を離脱
させるにあたって上昇する温度が４０℃程度で済むの
で、ベーキング方法（２００〜３００℃）と比べて極め
て低い温度に抑えられることが確認できた。
【００２６】〔減圧度の測定〕続いて、前述した実施
の形態で説明した真空容器を実際に用いた場合の減圧度
の確認試験を以下のような条件で行った。
の形態で説明した真空容器を実際に用いた場合の減圧度
の確認試験を以下のような条件で行った。
【００２７】＜試験条件＞ ・真空容器−材質：チタン 内壁面処理：機械加工のみ ・真空排気主ポンプ−種類：ターボ分子ポンプ 排気速度：３００リットル／秒 ・光源−種類：低圧水銀ランプ 発光波長：図３参照（水銀の共鳴線である１８４．９ｎ
ｍおよび２５３．７ｎｍが放射されている。） 出力：１００Ｗ 照射時間：２時間
ｍおよび２５３．７ｎｍが放射されている。） 出力：１００Ｗ 照射時間：２時間
【００２８】＜試験結果＞試験結果を図６に示す。図６
からわかるように、大気圧から排気を開始して３〜４時
間後には圧力を１０-7Ｐａ程度にまで下げることがで
き、従来のベーキング方法と比べて極めて短時間で超高
真空状態を得られることが確認できた。また、水分子を
離脱させるにあたって上昇する温度が４０℃程度で済む
ので、ベーキング方法（２００〜３００℃）と比べて極
めて低い温度に抑えられることが確認できた。
からわかるように、大気圧から排気を開始して３〜４時
間後には圧力を１０-7Ｐａ程度にまで下げることがで
き、従来のベーキング方法と比べて極めて短時間で超高
真空状態を得られることが確認できた。また、水分子を
離脱させるにあたって上昇する温度が４０℃程度で済む
ので、ベーキング方法（２００〜３００℃）と比べて極
めて低い温度に抑えられることが確認できた。
【００２９】したがって、以上の結果から、真空容器の
材質を問わず、真空容器を高温にすることなく数時間程
度で超高真空を得られることが確認できた。
材質を問わず、真空容器を高温にすることなく数時間程
度で超高真空を得られることが確認できた。
【００３０】［確認試験２：炭素系分子の場合］ 〔放出量の測定〕 ＜試験装置および試験方法＞前述した確認試験１で用い
た確認試験装置を用いて、排気時間と炭素系分子の放出
量との関係を求めた。以下にその条件を示す。
た確認試験装置を用いて、排気時間と炭素系分子の放出
量との関係を求めた。以下にその条件を示す。
【００３１】＜試験条件＞ ・真空容器−材質：ステンレス 内面処理：機械加工のみ ・真空排気ポンプ−種類：ターボ分子ポンプ 排気速度：３００リットル／秒 ・光源−種類：低圧水銀ランプ 出力：２５０Ｗ 照射時間：０分（照射なし），９０分の２種類
【００３２】＜試験結果＞紫外線非照射の場合の結果を
図７に示し、紫外線照射の場合の結果を図８に示す。な
お、図７，８中の縦軸のイオン電流値は、放出された炭
素系分子の量に比例する値である。
図７に示し、紫外線照射の場合の結果を図８に示す。な
お、図７，８中の縦軸のイオン電流値は、放出された炭
素系分子の量に比例する値である。
【００３３】図７，８からわかるように、紫外線非照射
の場合には、排気に伴って一酸化炭素および二酸化炭素
が徐々に放出されていくのに対し、紫外線照射の場合に
は、紫外線の照射と同時に一酸化炭素および二酸化炭素
が急激に放出されながら排出される。つまり、真空容器
の内面に付着した機械油などの炭素系分子が紫外線によ
り励起振動して一酸化炭素や二酸化炭素に変換されて、
真空容器の内面から容易に離脱するようになったのであ
る。よって、真空容器の内面に機械油などの炭素系分子
が付着している場合には、紫外線を照射することによ
り、超高真空環境を容易に得られることが確認できた。
の場合には、排気に伴って一酸化炭素および二酸化炭素
が徐々に放出されていくのに対し、紫外線照射の場合に
は、紫外線の照射と同時に一酸化炭素および二酸化炭素
が急激に放出されながら排出される。つまり、真空容器
の内面に付着した機械油などの炭素系分子が紫外線によ
り励起振動して一酸化炭素や二酸化炭素に変換されて、
真空容器の内面から容易に離脱するようになったのであ
る。よって、真空容器の内面に機械油などの炭素系分子
が付着している場合には、紫外線を照射することによ
り、超高真空環境を容易に得られることが確認できた。
【００３４】［確認試験３：水素分子の場合］ 〔放出量の測定〕 ＜試験装置および試験方法＞前述した確認試験２と同様
にして、排気時間と水素分子の放出量との関係を求め
た。以下にその条件を示す。
にして、排気時間と水素分子の放出量との関係を求め
た。以下にその条件を示す。
【００３５】＜試験条件＞ ・真空容器−確認試験２と同一 ・真空排気ポンプ−確認試験２と同一 ・光源−確認試験２と同一 照射時間：０分（照射なし），９０分の２種類９０分
【００３６】＜試験結果＞試験結果を図９に示す。な
お、図９中の縦軸のイオン電流値は、放出された水素分
子の量に比例する値である。
お、図９中の縦軸のイオン電流値は、放出された水素分
子の量に比例する値である。
【００３７】図９からわかるように、紫外線非照射の場
合には、排気に伴って水素分子が徐々に排出されていく
のに対し、紫外線照射の場合には、紫外線の照射と同時
に水素分子が急激に放出されながら排出される。つま
り、真空容器を構成する材料中の水素分子が紫外線によ
り振動励起されて、当該材料中から迅速に離脱するよう
になったのである。よって、紫外線を照射することによ
り、真空容器を構成する材料中の水素分子を確実に除去
して、超高真空環境を容易に得られることが確認され
た。
合には、排気に伴って水素分子が徐々に排出されていく
のに対し、紫外線照射の場合には、紫外線の照射と同時
に水素分子が急激に放出されながら排出される。つま
り、真空容器を構成する材料中の水素分子が紫外線によ
り振動励起されて、当該材料中から迅速に離脱するよう
になったのである。よって、紫外線を照射することによ
り、真空容器を構成する材料中の水素分子を確実に除去
して、超高真空環境を容易に得られることが確認され
た。
【００３８】［確認試験４：酸素分子の場合］ 〔ガス放出率の測定〕 ＜試験装置および試験方法＞前述した確認試験１の条件
を一部変えてガス放出率を求めると共に、紫外線照射前
後での酸素分子の放出量を求めた。以下にその条件を示
す。
を一部変えてガス放出率を求めると共に、紫外線照射前
後での酸素分子の放出量を求めた。以下にその条件を示
す。
【００３９】＜試験条件＞ ・真空容器−材質：無酸素銅 内面処理：機械加工のみ ・真空排気ポンプ−種類：ターボ分子ポンプ 排気速度：３００リットル／秒 ・光源−種類：低圧水銀ランプ 出力：１００Ｗ 照射時間：２時間
【００４０】＜試験結果＞ガス放出率の結果を図１０に
示し、紫外線照射前の酸素分子の放出量を図１１に示
し、紫外線照射後の酸素分子の放出量を図１２に示す。
示し、紫外線照射前の酸素分子の放出量を図１１に示
し、紫外線照射後の酸素分子の放出量を図１２に示す。
【００４１】図１０からわかるように、無酸素銅を用い
て２時間照射すると、ガス放出率を１０-9Ｐａ・ｍ3 ／
ｍ2 ｓにまで低減でき、超高真空状態での放出率と同等
の値を得られることが確認できた。また、図１１，１２
からわかるように、紫外線照射前よりも紫外線照射後の
方が酸素分子の放出量が少なくなっている。つまり、真
空容器の内面に吸着している酸素分子が紫外線により励
起振動して、真空容器の内面から迅速に離脱していって
いるのである。よって、紫外線を照射することにより、
真空容器の内面に吸着している酸素分子を確実に除去し
て、超高真空環境を容易に得られることが確認された。
て２時間照射すると、ガス放出率を１０-9Ｐａ・ｍ3 ／
ｍ2 ｓにまで低減でき、超高真空状態での放出率と同等
の値を得られることが確認できた。また、図１１，１２
からわかるように、紫外線照射前よりも紫外線照射後の
方が酸素分子の放出量が少なくなっている。つまり、真
空容器の内面に吸着している酸素分子が紫外線により励
起振動して、真空容器の内面から迅速に離脱していって
いるのである。よって、紫外線を照射することにより、
真空容器の内面に吸着している酸素分子を確実に除去し
て、超高真空環境を容易に得られることが確認された。
【００４２】［確認試験５：紫外線照射時間と初期排気
力との関係］ ＜試験装置および試験方法＞前述した確認試験１で用い
た確認試験装置を用いて、紫外線照射時間と初期排気力
との関係を求めた。以下にその条件を示す。
力との関係］ ＜試験装置および試験方法＞前述した確認試験１で用い
た確認試験装置を用いて、紫外線照射時間と初期排気力
との関係を求めた。以下にその条件を示す。
【００４３】＜試験条件＞ ・真空容器−材質：無酸素銅 内面処理：機械加工のみ ・真空排気ポンプ−種類：ターボ分子ポンプ 排気速度：３００リットル／秒 ・光源−種類：低圧水銀ランプ 出力：１００Ｗ 照射時間：０．５、１、３、４時間の計４種類
【００４４】＜試験結果＞試験結果を図１３に示す。
【００４５】図１３からわかるように、紫外線の照射時
間が長くなると、ガス放出率が低下、すなわち、高い排
気力を得られることが確認できた。つまり、紫外線の照
射時間が長いと、真空容器に吸着等している気体分子の
離脱量を増やすことができ、初期排気力を向上させるこ
とができるのである。よって、紫外線を照射することに
より、初期排気力を向上できることが確認された。
間が長くなると、ガス放出率が低下、すなわち、高い排
気力を得られることが確認できた。つまり、紫外線の照
射時間が長いと、真空容器に吸着等している気体分子の
離脱量を増やすことができ、初期排気力を向上させるこ
とができるのである。よって、紫外線を照射することに
より、初期排気力を向上できることが確認された。
【００４６】
【発明の効果】本発明による真空容器は、紫外線を照射
する光源を真空容器内に設けたことから、光源から真空
容器の内面に紫外線を照射すると、真空容器の内面に吸
着している気体分子や真空容器を構成する材料中の気体
分子に光エネルギを与えて、当該気体分子を振動励起さ
せて真空容器から離脱させることができるので、真空容
器の内面を研磨仕上げしたり、真空容器を加熱したりし
なくても、当該容器内の各種気体分子を確実に除去する
ことができる。このため、多大な労力を必要とすること
なく真空容器を製作することができると共に、内面研磨
やベーキングなどを行わなくても真空容器内を短時間で
簡単に高真空環境にすることができる。
する光源を真空容器内に設けたことから、光源から真空
容器の内面に紫外線を照射すると、真空容器の内面に吸
着している気体分子や真空容器を構成する材料中の気体
分子に光エネルギを与えて、当該気体分子を振動励起さ
せて真空容器から離脱させることができるので、真空容
器の内面を研磨仕上げしたり、真空容器を加熱したりし
なくても、当該容器内の各種気体分子を確実に除去する
ことができる。このため、多大な労力を必要とすること
なく真空容器を製作することができると共に、内面研磨
やベーキングなどを行わなくても真空容器内を短時間で
簡単に高真空環境にすることができる。
【００４７】また、前記光源が１８６ｎｍよりも短い波
長の紫外線を照射すれば、上述した効果をより効率よく
得ることができる。
長の紫外線を照射すれば、上述した効果をより効率よく
得ることができる。
【００４８】また、本発明による真空容器からの排気方
法は、真空容器内に紫外線を照射しながら当該真空容器
内の気体分子を排気することから、真空容器の内面を研
磨仕上げしたり、真空容器を加熱したりしなくても、当
該容器内の各種気体分子を確実に除去することができる
ので、多大な労力を必要とすることなく真空容器を製作
することができると共に、内面研磨やベーキングなどを
行わなくても真空容器内を短時間で簡単に高真空環境に
することができる。
法は、真空容器内に紫外線を照射しながら当該真空容器
内の気体分子を排気することから、真空容器の内面を研
磨仕上げしたり、真空容器を加熱したりしなくても、当
該容器内の各種気体分子を確実に除去することができる
ので、多大な労力を必要とすることなく真空容器を製作
することができると共に、内面研磨やベーキングなどを
行わなくても真空容器内を短時間で簡単に高真空環境に
することができる。
【００４９】また、前記紫外線が１８６ｎｍよりも短い
波長であれば、上述した効果をより効率よく得ることが
できる。
波長であれば、上述した効果をより効率よく得ることが
できる。
【００５０】また、前記気体分子が、水分子、炭素系分
子、水素分子、酸素分子のうちのいずれか１つまたはこ
れらを複数組み合わせたものであれば、上述した効果が
最もよく発現するようになる。
子、水素分子、酸素分子のうちのいずれか１つまたはこ
れらを複数組み合わせたものであれば、上述した効果が
最もよく発現するようになる。
【図１】本発明による真空容器の周辺部材を含めた全体
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２】ガス放出確認試験に用いた装置の構造概念図で
ある。
ある。
【図３】低圧水銀ランプから放射される光の波長分布を
表すグラフである。
表すグラフである。
【図４】確認試験１のガス放出率の測定の条件１の結果
を表すグラフである。
を表すグラフである。
【図５】確認試験１のガス放出率の測定の条件２の結果
を表すグラフである。
を表すグラフである。
【図６】確認試験１の減圧度の測定結果を表すグラフで
ある。
ある。
【図７】確認試験２の紫外線非照射の場合の結果を表す
グラフである。
グラフである。
【図８】確認試験２の紫外線照射の場合の結果を表すグ
ラフである。
ラフである。
【図９】確認試験３の試験結果を表すグラフである。
【図１０】確認試験４のガス放出率の結果を表すグラフ
である。
である。
【図１１】確認試験４の紫外線照射前の酸素分子の放出
量を表すグラフである。
量を表すグラフである。
【図１２】確認試験４の紫外線照射後の酸素分子の放出
量を表すグラフである。
量を表すグラフである。
【図１３】確認試験５の試験結果を表すグラフである。
１ 真空容器 ２ 真空排気主ポンプ ３ 真空排気粗引きポンプ ４ 真空圧力計 ５ 光源 ６ 電源 １０ 真空容器 １１ 試験室（試料チャンバ） １２ 分析室 １３ オリフィス １４ 真空排気ポンプ １５ 試験室圧力計 １６ 分析室圧力計 １７ 光源 １８ 電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 紫外線を照射する光源を内部に備えてい
ることを特徴とする真空容器。 - 【請求項２】 請求項１に記載の真空容器において、前
記光源が１８６ｎｍよりも短い波長の紫外線を照射する
ことを特徴とする真空容器。 - 【請求項３】 真空容器内に紫外線を照射しながら当該
真空容器内の気体分子を排気することを特徴とする真空
容器からの排気方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の真空容器からの排気方
法において、前記紫外線が１８６ｎｍよりも短い波長で
あることを特徴とする真空容器からの排気方法。 - 【請求項５】 請求項３または４に記載の真空容器から
の排気方法において、前記気体分子が、水分子、炭素系
分子、水素分子、酸素分子のうちのいずれか１つまたは
これらを複数組み合わせたものであることを特徴とする
真空容器からの排気方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10175490A JPH11336662A (ja) | 1997-07-16 | 1998-06-23 | 真空容器および真空容器からの排気方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19096997 | 1997-07-16 | ||
| JP7533198 | 1998-03-24 | ||
| JP9-190969 | 1998-03-24 | ||
| JP10-75331 | 1998-03-24 | ||
| JP10175490A JPH11336662A (ja) | 1997-07-16 | 1998-06-23 | 真空容器および真空容器からの排気方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11336662A true JPH11336662A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=27301776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10175490A Withdrawn JPH11336662A (ja) | 1997-07-16 | 1998-06-23 | 真空容器および真空容器からの排気方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11336662A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065170A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 希ガスクリーニングステップの追加によって改善したプラズマチャンバ壁のクリーニング |
| KR101008065B1 (ko) | 2008-09-08 | 2011-01-13 | 고병모 | 복사압을 이용한 진공펌프 |
| TWI815204B (zh) * | 2020-11-10 | 2023-09-11 | 日商住友重機械工業股份有限公司 | 低溫泵及低溫泵之再生方法 |
-
1998
- 1998-06-23 JP JP10175490A patent/JPH11336662A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009065170A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 希ガスクリーニングステップの追加によって改善したプラズマチャンバ壁のクリーニング |
| KR101008065B1 (ko) | 2008-09-08 | 2011-01-13 | 고병모 | 복사압을 이용한 진공펌프 |
| TWI815204B (zh) * | 2020-11-10 | 2023-09-11 | 日商住友重機械工業股份有限公司 | 低溫泵及低溫泵之再生方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050906 |