JPH11340321A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH11340321A JPH11340321A JP10145538A JP14553898A JPH11340321A JP H11340321 A JPH11340321 A JP H11340321A JP 10145538 A JP10145538 A JP 10145538A JP 14553898 A JP14553898 A JP 14553898A JP H11340321 A JPH11340321 A JP H11340321A
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- insulating film
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/01—Manufacture or treatment
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
- H10W20/45—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes characterised by their insulating parts
- H10W20/48—Insulating materials thereof
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機系の低誘電率膜から発生する脱離ガスに
より、低誘電率膜もしくはその上の無機系絶縁膜に形成
されるビアホールや配線溝への材料層の埋め込みに不良
が発生していた。 【解決手段】 低誘電率膜１６（２２）上に無機系絶縁
膜１７（２３）を備え、この無機系絶縁膜１７（２３）
を少なくとも貫通するビアホールや配線溝からなる開口
パターン１８（２４）が形成された半導体装置におい
て、無機系絶縁膜１７（２３）を貫通する状態に形成さ
れたダミー開口パターン１９（２５）を備えたものであ
り、ダミー開口パターン１９（２５）は開口パターン１
８（２４）のパターン密度の低い領域に形成されている
ものである。
より、低誘電率膜もしくはその上の無機系絶縁膜に形成
されるビアホールや配線溝への材料層の埋め込みに不良
が発生していた。 【解決手段】 低誘電率膜１６（２２）上に無機系絶縁
膜１７（２３）を備え、この無機系絶縁膜１７（２３）
を少なくとも貫通するビアホールや配線溝からなる開口
パターン１８（２４）が形成された半導体装置におい
て、無機系絶縁膜１７（２３）を貫通する状態に形成さ
れたダミー開口パターン１９（２５）を備えたものであ
り、ダミー開口パターン１９（２５）は開口パターン１
８（２４）のパターン密度の低い領域に形成されている
ものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、詳しくは比誘電率が１．０以上
３．０以下の低誘電率膜上に無機系絶縁膜を備えていて
その無機系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンを
形成した半導体装置およびその製造方法に関する。
その製造方法に関し、詳しくは比誘電率が１．０以上
３．０以下の低誘電率膜上に無機系絶縁膜を備えていて
その無機系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンを
形成した半導体装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の微細化にともなって、配線
幅の微細化、配線間隔の縮小化が必要になっている。ま
た、同時に、低消費電力化および高速化などの要求にと
もない、層間絶縁膜の低誘電率化が必要になってきた。
特にロジック系デバイスでは、微細配線による抵抗上
昇、配線容量の増加がデバイスの信号伝達速度の劣化に
つながるため、低誘電率膜を層間絶縁膜とした微細な多
層配線が必要になっている。
幅の微細化、配線間隔の縮小化が必要になっている。ま
た、同時に、低消費電力化および高速化などの要求にと
もない、層間絶縁膜の低誘電率化が必要になってきた。
特にロジック系デバイスでは、微細配線による抵抗上
昇、配線容量の増加がデバイスの信号伝達速度の劣化に
つながるため、低誘電率膜を層間絶縁膜とした微細な多
層配線が必要になっている。
【０００３】配線幅の微細化、配線間隔の縮小化は、配
線の縦横比を大きくするだけではなく、配線間のアスペ
クト比を大きくし、結果として、縦に細長い微細配線を
形成する技術、微細な配線間を層間絶縁膜で埋め込む技
術などに負担をかけ、プロセスを複雑にするとともに、
プロセス数の増大を招いている。
線の縦横比を大きくするだけではなく、配線間のアスペ
クト比を大きくし、結果として、縦に細長い微細配線を
形成する技術、微細な配線間を層間絶縁膜で埋め込む技
術などに負担をかけ、プロセスを複雑にするとともに、
プロセス数の増大を招いている。
【０００４】アルミニウムリフロースパッタ法によりビ
アホールと配線溝とを同時に埋め込み、化学的機械研磨
（以下、ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical
Polishing の略）により余分なアルミニウムを研磨し
て、ビアホール内にアルミニウムプラグを形成するとと
もに配線溝内にアルミニウム配線を形成するダマシンプ
ロセスでは、高アスペクト比のアルミニウム配線をエッ
チングで形成することも、配線間の狭隙を層間絶縁膜で
埋め込む必要もなく、大幅にプロセス数を減らすことが
可能になる。このダマシンプロセスは、配線のアスペク
ト比が高くなるほど、配線総数が増大するほど、総コス
トの削減に大きく寄与することになる。
アホールと配線溝とを同時に埋め込み、化学的機械研磨
（以下、ＣＭＰという、ＣＭＰはChemical Mechanical
Polishing の略）により余分なアルミニウムを研磨し
て、ビアホール内にアルミニウムプラグを形成するとと
もに配線溝内にアルミニウム配線を形成するダマシンプ
ロセスでは、高アスペクト比のアルミニウム配線をエッ
チングで形成することも、配線間の狭隙を層間絶縁膜で
埋め込む必要もなく、大幅にプロセス数を減らすことが
可能になる。このダマシンプロセスは、配線のアスペク
ト比が高くなるほど、配線総数が増大するほど、総コス
トの削減に大きく寄与することになる。
【０００５】一方、層間絶縁膜の低誘電率化は、配線間
の容量を低減する効果がある。ところが、０．１８μｍ
ルール以下のデバイスに適用されようとしている比誘電
率が３．０以下の低誘電率膜は、従来のデバイスに用い
られている酸化シリコン膜と膜質が大きく異なってい
る。そのため、低誘電率膜のプロセス技術の開発が求め
られている。
の容量を低減する効果がある。ところが、０．１８μｍ
ルール以下のデバイスに適用されようとしている比誘電
率が３．０以下の低誘電率膜は、従来のデバイスに用い
られている酸化シリコン膜と膜質が大きく異なってい
る。そのため、低誘電率膜のプロセス技術の開発が求め
られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、比誘電率が３．０以下の低誘電率膜は、有機材料か
らなるものが多く、耐熱性が低いため、低温（２００℃
〜４００℃）で脱離ガスが発生するという問題がある。
この脱離ガスの発生現象は、従来から層間絶縁膜に用い
られているシリコン系絶縁膜では現れていない。
に、比誘電率が３．０以下の低誘電率膜は、有機材料か
らなるものが多く、耐熱性が低いため、低温（２００℃
〜４００℃）で脱離ガスが発生するという問題がある。
この脱離ガスの発生現象は、従来から層間絶縁膜に用い
られているシリコン系絶縁膜では現れていない。
【０００７】通常、低誘電率膜を用いた層間絶縁膜にビ
アホールや配線溝を形成した後、そのビアホールや配線
溝にプラグや配線等が形成される。その際、低誘電率膜
から放出されるガスが、配線等を形成する金属膜の成膜
プロセスに影響を及ぼし、例えば埋め込み不良を発生さ
せる。低誘電率膜から放出されるガスとは、低誘電率膜
が分解されたものではなく、酸化などの劣化によるもの
である。そのため、低誘電率膜の本来の耐熱性よりも低
い温度でガスが発生する。例えば、フッ化ポリアリルエ
ーテル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品名）〕は、ガラ
ス転移温度が４００℃、熱分解温度が５００℃程度であ
るが、酸化などの劣化により、２００℃〜４００℃程度
の温度で微小量のガスを発生する。
アホールや配線溝を形成した後、そのビアホールや配線
溝にプラグや配線等が形成される。その際、低誘電率膜
から放出されるガスが、配線等を形成する金属膜の成膜
プロセスに影響を及ぼし、例えば埋め込み不良を発生さ
せる。低誘電率膜から放出されるガスとは、低誘電率膜
が分解されたものではなく、酸化などの劣化によるもの
である。そのため、低誘電率膜の本来の耐熱性よりも低
い温度でガスが発生する。例えば、フッ化ポリアリルエ
ーテル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品名）〕は、ガラ
ス転移温度が４００℃、熱分解温度が５００℃程度であ
るが、酸化などの劣化により、２００℃〜４００℃程度
の温度で微小量のガスを発生する。
【０００８】微小量のガスは、パターン密度が低い箇所
に多く発生して不良を生じさせる。すなわち、低誘電率
膜の上に形成されているシリコン系の絶縁膜がいわゆる
蓋の機能を果して、ビアホールや配線溝のパターン密度
が低い領域では、低誘電率膜が開放されている面積が狭
いため、１か所当たりのビアホールや配線溝からの脱ガ
スの流量が多くなり、その部分を中心に不良が発生す
る。
に多く発生して不良を生じさせる。すなわち、低誘電率
膜の上に形成されているシリコン系の絶縁膜がいわゆる
蓋の機能を果して、ビアホールや配線溝のパターン密度
が低い領域では、低誘電率膜が開放されている面積が狭
いため、１か所当たりのビアホールや配線溝からの脱ガ
スの流量が多くなり、その部分を中心に不良が発生す
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた半導体装置およびその製造方法で
あって、その半導体装置は、比誘電率が１．０以上３．
０以下の低誘電率膜上に無機系絶縁膜を備え、その無機
系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンが形成され
た半導体装置において、無機系絶縁膜を貫通するダミー
開口パターンが形成されたものであり、このダミー開口
パターンは、開口パターンのパターン密度の低い領域に
形成されたものである。
決するためになされた半導体装置およびその製造方法で
あって、その半導体装置は、比誘電率が１．０以上３．
０以下の低誘電率膜上に無機系絶縁膜を備え、その無機
系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンが形成され
た半導体装置において、無機系絶縁膜を貫通するダミー
開口パターンが形成されたものであり、このダミー開口
パターンは、開口パターンのパターン密度の低い領域に
形成されたものである。
【００１０】上記半導体装置では、開口パターンのパタ
ーン密度の低い領域に、無機系絶縁膜を貫通するダミー
開口パターンが形成されていることから、低誘電率膜か
らの脱ガスは、開口パターンおよびダミー開口パターン
を通して発生する。そのため、脱ガスがダミー開口パタ
ーンにも分散されるため、開口パターンに集中すること
がなくなり、開口パターン１か所当たりの低誘電率膜か
らのガス放出量が低減される。
ーン密度の低い領域に、無機系絶縁膜を貫通するダミー
開口パターンが形成されていることから、低誘電率膜か
らの脱ガスは、開口パターンおよびダミー開口パターン
を通して発生する。そのため、脱ガスがダミー開口パタ
ーンにも分散されるため、開口パターンに集中すること
がなくなり、開口パターン１か所当たりの低誘電率膜か
らのガス放出量が低減される。
【００１１】半導体装置の製造方法は、比誘電率が１．
０以上３．０以下の低誘電率膜上に無機系絶縁膜を形成
した後、無機系絶縁膜を貫通する開口パターンを形成す
る際にダミー開口パターンを形成する製造方法であっ
て、開口パターンのパターン密度の低い領域にダミー開
口パターンを形成する。
０以上３．０以下の低誘電率膜上に無機系絶縁膜を形成
した後、無機系絶縁膜を貫通する開口パターンを形成す
る際にダミー開口パターンを形成する製造方法であっ
て、開口パターンのパターン密度の低い領域にダミー開
口パターンを形成する。
【００１２】上記半導体装置の製造方法では、開口パタ
ーンのパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜を貫通す
るダミー開口パターンを形成することから、開口パター
ンおよびダミー開口パターンを通して低誘電率膜からの
脱ガスは生じる。そのため、脱ガスは、ダミー開口パタ
ーンにも分散されるため、開口パターンに集中すること
がなくなり、開口パターン１か所当たりから発生する低
誘電率膜の脱ガス量が低減される。
ーンのパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜を貫通す
るダミー開口パターンを形成することから、開口パター
ンおよびダミー開口パターンを通して低誘電率膜からの
脱ガスは生じる。そのため、脱ガスは、ダミー開口パタ
ーンにも分散されるため、開口パターンに集中すること
がなくなり、開口パターン１か所当たりから発生する低
誘電率膜の脱ガス量が低減される。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の半導体装置に係わる実施
形態の一例を、図１の概略構成図によって説明する。図
１の（１）では、配線を形成する場合に設けるダミー開
口パターンの一例を示し、図１の（２）では、ビアプラ
グを形成する場合に設けるダミー開口パターンの一例を
示す。
形態の一例を、図１の概略構成図によって説明する。図
１の（１）では、配線を形成する場合に設けるダミー開
口パターンの一例を示し、図１の（２）では、ビアプラ
グを形成する場合に設けるダミー開口パターンの一例を
示す。
【００１４】図１の（１）に示すように、シリコン基板
１１には、トランジスタ等の素子（図示省略）、素子分
離絶縁膜１２が形成され、さらにそのシリコン基板１１
上には下層層間絶縁膜１３が形成されている。この下層
層間絶縁膜１３にはコンタクトホール１４が形成され、
そのコンタクトホール１４の内部にはコンタクトプラグ
１５が形成されている。ここでは、下層層間絶縁膜１３
は、例えば、リン、もしくはホウ素、もしくはリンとホ
ウ素とをドーピングしたシリコン酸化膜を含むシリコン
系酸化膜で形成されていて、上記コンタクトプラグ１５
は例えばタングステンで形成されている。
１１には、トランジスタ等の素子（図示省略）、素子分
離絶縁膜１２が形成され、さらにそのシリコン基板１１
上には下層層間絶縁膜１３が形成されている。この下層
層間絶縁膜１３にはコンタクトホール１４が形成され、
そのコンタクトホール１４の内部にはコンタクトプラグ
１５が形成されている。ここでは、下層層間絶縁膜１３
は、例えば、リン、もしくはホウ素、もしくはリンとホ
ウ素とをドーピングしたシリコン酸化膜を含むシリコン
系酸化膜で形成されていて、上記コンタクトプラグ１５
は例えばタングステンで形成されている。
【００１５】上記下層層間絶縁膜１３上には、層間絶縁
膜として、有機系の低誘電率膜１６が例えば５００ｎｍ
の厚さに形成されている。この低誘電率膜１６には、比
誘電率が３．０以下である、例えば、フルオロカーボン
膜、アリルエーテル系樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリ
イミド、アモルファスカーボン、または有機ＳＯＧ（Sp
in on glass ）を用いる。上記フルオロカーボン膜の材
料としては、環状フッ素樹脂・シロキサン共重合体、テ
フロン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン系樹
脂〔例えばデュポン社製：テフロンＡＦ（商品名）〕、
ポリアリルエーテル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品
名）〕、またはフッ化ポリイミドが用いられる。
膜として、有機系の低誘電率膜１６が例えば５００ｎｍ
の厚さに形成されている。この低誘電率膜１６には、比
誘電率が３．０以下である、例えば、フルオロカーボン
膜、アリルエーテル系樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリ
イミド、アモルファスカーボン、または有機ＳＯＧ（Sp
in on glass ）を用いる。上記フルオロカーボン膜の材
料としては、環状フッ素樹脂・シロキサン共重合体、テ
フロン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン系樹
脂〔例えばデュポン社製：テフロンＡＦ（商品名）〕、
ポリアリルエーテル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品
名）〕、またはフッ化ポリイミドが用いられる。
【００１６】上記ポリテトラフルオロエチレン系樹脂は
（１）式で表される化学式の構造を有するものであれば
いかなるものであってもよい。
（１）式で表される化学式の構造を有するものであれば
いかなるものであってもよい。
【００１７】
【化１】
【００１８】また、上記低誘電率膜１６としては、比誘
電率が３．０以下であるシクロポリマライズドフロリネ
ーテッドポリマー系樹脂〔例えばサイトップ（商品
名）〕でもよい。このシクロポリマライズドフロリネー
テッドポリマー系樹脂は（２）式で表される化学式の構
造を有するものであればいかなるものであってもよい。
電率が３．０以下であるシクロポリマライズドフロリネ
ーテッドポリマー系樹脂〔例えばサイトップ（商品
名）〕でもよい。このシクロポリマライズドフロリネー
テッドポリマー系樹脂は（２）式で表される化学式の構
造を有するものであればいかなるものであってもよい。
【００１９】
【化２】
【００２０】上記ポリアリルエーテル系樹脂は（３）式
で表される化学式の構造を有するものであればいかなる
ものであってもよい。もしくは、構造式の図示はしない
が、フッ素を含むポリアリルエーテルであってもよい。
で表される化学式の構造を有するものであればいかなる
ものであってもよい。もしくは、構造式の図示はしない
が、フッ素を含むポリアリルエーテルであってもよい。
【００２１】
【化３】
【００２２】上記低誘電率膜１６上には無機系絶縁膜１
７が例えば１００ｎｍの厚さに形成されている。この無
機系絶縁膜１７は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒
化膜、シリコン酸窒化膜のうちの少なくとも１種により
形成されている。
７が例えば１００ｎｍの厚さに形成されている。この無
機系絶縁膜１７は、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒
化膜、シリコン酸窒化膜のうちの少なくとも１種により
形成されている。
【００２３】上記無機系絶縁膜１７および低誘電率膜１
６には配線溝からなる開口パターン１８が形成されてい
る。上記開口パターン１８は配線溝からなるものであっ
たが、例えば、接続孔（ビアホール、コンタクトホール
等）であり、または配線溝およびその底部に形成された
接続孔であってもよい。上記無機系絶縁膜１７は、この
実施の形態では、シリコン酸化膜で形成されているが、
窒化チタン、酸窒化チタン、窒化タンタル、酸化タンタ
ル、酸窒化タンタル、タングステン、チタン、タンタル
等で形成してもよい。
６には配線溝からなる開口パターン１８が形成されてい
る。上記開口パターン１８は配線溝からなるものであっ
たが、例えば、接続孔（ビアホール、コンタクトホール
等）であり、または配線溝およびその底部に形成された
接続孔であってもよい。上記無機系絶縁膜１７は、この
実施の形態では、シリコン酸化膜で形成されているが、
窒化チタン、酸窒化チタン、窒化タンタル、酸化タンタ
ル、酸窒化タンタル、タングステン、チタン、タンタル
等で形成してもよい。
【００２４】上記無機系絶縁膜１７にはダミー開口パタ
ーン１９が形成されている。このダミー開口パターン１
９は、配線間、素子間、配線と素子間等の接続に寄与し
ない溝または孔からなり、上記開口パターン１８と合わ
せたパターン密度がほぼ一様になるように配置されてい
る。ここでは、ダミー開口パターン１９は溝で形成さて
いる。
ーン１９が形成されている。このダミー開口パターン１
９は、配線間、素子間、配線と素子間等の接続に寄与し
ない溝または孔からなり、上記開口パターン１８と合わ
せたパターン密度がほぼ一様になるように配置されてい
る。ここでは、ダミー開口パターン１９は溝で形成さて
いる。
【００２５】具体的には、ダミー開口パターン１９と開
口パターン１８との間隔は、設計上許される最小間隔以
上に設定し、特に性能を重視する場合には、設計上許さ
れる最小間隔の２倍以上の間隔に設定する。このよう
に、ダミー開口パターン１９と開口パターン１８との間
隔を設計上許される最小間隔の２倍以上とすることで、
その後に開口パターン１８とダミー開口パターン１９と
に形成される配線とダミー配線との配線間の容量をおよ
そ半分にすることが可能になる。
口パターン１８との間隔は、設計上許される最小間隔以
上に設定し、特に性能を重視する場合には、設計上許さ
れる最小間隔の２倍以上の間隔に設定する。このよう
に、ダミー開口パターン１９と開口パターン１８との間
隔を設計上許される最小間隔の２倍以上とすることで、
その後に開口パターン１８とダミー開口パターン１９と
に形成される配線とダミー配線との配線間の容量をおよ
そ半分にすることが可能になる。
【００２６】このように、低誘電率膜１６上に形成され
た無機系絶縁膜１７に、開口パターン１８の他にダミー
開口パターン１９が形成されたことから、その後の配線
材料層の形成の際に、低誘電率膜１６からの脱ガスが、
開口パターン１８とダミー開口パターン１９の両方から
生じるようになる。そのため、開口パターン１８の１個
当たりの低誘電率膜１６からの脱ガス量が低減される。
た無機系絶縁膜１７に、開口パターン１８の他にダミー
開口パターン１９が形成されたことから、その後の配線
材料層の形成の際に、低誘電率膜１６からの脱ガスが、
開口パターン１８とダミー開口パターン１９の両方から
生じるようになる。そのため、開口パターン１８の１個
当たりの低誘電率膜１６からの脱ガス量が低減される。
【００２７】さらに上記開口パターン１８内には配線材
料層からなる配線２０が形成されているとともに、ダミ
ー開口パターン１９内には配線材料層からなるダミーパ
ターン２１が形成されている。
料層からなる配線２０が形成されているとともに、ダミ
ー開口パターン１９内には配線材料層からなるダミーパ
ターン２１が形成されている。
【００２８】さらに図示はしないが、上記配線２０上に
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒
化膜からなるエッチングストッパ層（図示省略）が形成
されている。このエッチングストッパ層は、ビアコンタ
クトホールを開口する時にエッチングストッパとして用
いるため、エッチングストッパとしての機能を果たす厚
さを確保しつつできうるかぎり薄く形成することが好ま
しい。この実施の形態では、シリコン窒化膜（図示省
略）を１０ｎｍ程度の厚さに形成した。
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒
化膜からなるエッチングストッパ層（図示省略）が形成
されている。このエッチングストッパ層は、ビアコンタ
クトホールを開口する時にエッチングストッパとして用
いるため、エッチングストッパとしての機能を果たす厚
さを確保しつつできうるかぎり薄く形成することが好ま
しい。この実施の形態では、シリコン窒化膜（図示省
略）を１０ｎｍ程度の厚さに形成した。
【００２９】上記説明した半導体装置では、開口パター
ン１８のパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜１７を
貫通するダミー開口パターン１９が形成されていること
から、低誘電率膜１６からの脱ガスは、開口パターン１
８およびダミー開口パターン１９を通して発生する。そ
のため、脱ガスが開口パターン１８に集中することがな
くダミー開口パターン１９にも分散されるため、開口パ
ターン１８の１か所当たりの低誘電率膜１６からのガス
放出量が低減され、配線材料層の形成の際における埋め
込み不良が低減される。
ン１８のパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜１７を
貫通するダミー開口パターン１９が形成されていること
から、低誘電率膜１６からの脱ガスは、開口パターン１
８およびダミー開口パターン１９を通して発生する。そ
のため、脱ガスが開口パターン１８に集中することがな
くダミー開口パターン１９にも分散されるため、開口パ
ターン１８の１か所当たりの低誘電率膜１６からのガス
放出量が低減され、配線材料層の形成の際における埋め
込み不良が低減される。
【００３０】図１の（２）に示すように、前記（１）に
より説明した半導体装置の無機系絶縁膜１７上に、上記
配線２０、ダミーパターン２１等を覆う低誘電率膜２２
が例えば５００ｎｍの厚さに形成されている。この低誘
電率膜２２には、装置の性能を重要視した場合には、例
えばフルオロカーボン膜、アリルエーテル系樹脂、ベン
ゾシクロブテン、ポリイミド、アモルファスカーボン、
または有機ＳＯＧ（Spin on glass ）を用いる。上記フ
ルオロカーボン膜の材料としては、環状フッ素樹脂・シ
ロキサン共重合体、テフロン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラ
フルオロエチレン系樹脂〔例えばデュポン社製：テフロ
ンＡＦ（商品名）〕、フッ化ポリアリルエーテル系樹脂
〔例えばＦＬＡＲＥ（商品名）〕、またはフッ化ポリイ
ミドを用いる。または、比較的誘電率の高い有機ＳＯＧ
膜、シリコンフッ化酸化膜等を用いることも可能であ
る。
より説明した半導体装置の無機系絶縁膜１７上に、上記
配線２０、ダミーパターン２１等を覆う低誘電率膜２２
が例えば５００ｎｍの厚さに形成されている。この低誘
電率膜２２には、装置の性能を重要視した場合には、例
えばフルオロカーボン膜、アリルエーテル系樹脂、ベン
ゾシクロブテン、ポリイミド、アモルファスカーボン、
または有機ＳＯＧ（Spin on glass ）を用いる。上記フ
ルオロカーボン膜の材料としては、環状フッ素樹脂・シ
ロキサン共重合体、テフロン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラ
フルオロエチレン系樹脂〔例えばデュポン社製：テフロ
ンＡＦ（商品名）〕、フッ化ポリアリルエーテル系樹脂
〔例えばＦＬＡＲＥ（商品名）〕、またはフッ化ポリイ
ミドを用いる。または、比較的誘電率の高い有機ＳＯＧ
膜、シリコンフッ化酸化膜等を用いることも可能であ
る。
【００３１】上記低誘電率膜２２上には、シリコン窒化
膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる
無機系絶縁膜２３が形成されている。
膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる
無機系絶縁膜２３が形成されている。
【００３２】上記無機系絶縁膜２３および低誘電率膜２
２にはビアホールからなる開口パターン２４が形成され
ている。さらに上記無機系絶縁膜２３にはダミービアホ
ールからなるダミー開口パターン２５が形成されてい
る。ダミー開口パターンの配置条件は、原理的には、設
計最小ルールで配置が可能であるが、エッチングなどの
均一性、および配線容量が増加することが考えられるの
で、ホールのパターン密度（開口密度）を均一化させる
ように配置することが好ましい。また、当然のことでは
あるが、上層配線をショートさせることなく配置され
る。
２にはビアホールからなる開口パターン２４が形成され
ている。さらに上記無機系絶縁膜２３にはダミービアホ
ールからなるダミー開口パターン２５が形成されてい
る。ダミー開口パターンの配置条件は、原理的には、設
計最小ルールで配置が可能であるが、エッチングなどの
均一性、および配線容量が増加することが考えられるの
で、ホールのパターン密度（開口密度）を均一化させる
ように配置することが好ましい。また、当然のことでは
あるが、上層配線をショートさせることなく配置され
る。
【００３３】このように、低誘電率膜２２上に形成され
た無機系絶縁膜２３に、開口パターン２４の他にダミー
開口パターン２５が形成されたことから、その後の配線
材料層の形成の際に、低誘電率膜２２からの脱ガスが、
開口パターン２４とダミー開口パターン２５の両方から
生じるようになる。そのため、開口パターン２４の１か
所当たりの低誘電率膜２２からの脱ガス量が低減され
る。
た無機系絶縁膜２３に、開口パターン２４の他にダミー
開口パターン２５が形成されたことから、その後の配線
材料層の形成の際に、低誘電率膜２２からの脱ガスが、
開口パターン２４とダミー開口パターン２５の両方から
生じるようになる。そのため、開口パターン２４の１か
所当たりの低誘電率膜２２からの脱ガス量が低減され
る。
【００３４】さらに開口パターン２４およびダミー開口
パターン２５には例えば銅からなるプラグ材料層が埋め
込まれてビアコンタクトプラグ２６およびダミーパター
ン２７が形成されている。上記プラグ材料層には、銅の
他に、例えばタングステン、アルミニウム、アルミニウ
ム合金、アルミニウム−シリコン、または銅−ジルコニ
ウムのような銅合金を用いることも可能である。
パターン２５には例えば銅からなるプラグ材料層が埋め
込まれてビアコンタクトプラグ２６およびダミーパター
ン２７が形成されている。上記プラグ材料層には、銅の
他に、例えばタングステン、アルミニウム、アルミニウ
ム合金、アルミニウム−シリコン、または銅−ジルコニ
ウムのような銅合金を用いることも可能である。
【００３５】さらに、必要に応じて、上記配線層、プラ
グ層を積層状態に設けることは可能である。なお、上記
ダミー開口パターン１８を孔で形成することも可能であ
り、さらにダミー開口パターン２５を溝で形成すること
も可能である。
グ層を積層状態に設けることは可能である。なお、上記
ダミー開口パターン１８を孔で形成することも可能であ
り、さらにダミー開口パターン２５を溝で形成すること
も可能である。
【００３６】上記説明した半導体装置では、開口パター
ン２４のパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜２３を
貫通するダミー開口パターン２５が形成されていること
から、低誘電率膜２２からの脱ガスは、開口パターン２
４およびダミー開口パターン２５を通して発生する。そ
のため、脱ガスが開口パターン２４に集中することがな
くダミー開口パターン２５にも分散されるため、開口パ
ターン２４の１か所当たりの低誘電率膜２２からのガス
放出量が低減され、プラグ材料層の形成の際における埋
め込み不良が低減される。
ン２４のパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜２３を
貫通するダミー開口パターン２５が形成されていること
から、低誘電率膜２２からの脱ガスは、開口パターン２
４およびダミー開口パターン２５を通して発生する。そ
のため、脱ガスが開口パターン２４に集中することがな
くダミー開口パターン２５にも分散されるため、開口パ
ターン２４の１か所当たりの低誘電率膜２２からのガス
放出量が低減され、プラグ材料層の形成の際における埋
め込み不良が低減される。
【００３７】次に、本発明の半導体装置の製造方法に係
わる実施形態の一例を、図２および図３の製造工程図に
よって説明する。図２および図３では、配線を形成する
場合に設けるダミー開口パターンの形成方法の一例、お
よびビアプラグを形成する場合に設けるダミー開口パタ
ーンの形成方法の一例を示す。
わる実施形態の一例を、図２および図３の製造工程図に
よって説明する。図２および図３では、配線を形成する
場合に設けるダミー開口パターンの形成方法の一例、お
よびビアプラグを形成する場合に設けるダミー開口パタ
ーンの形成方法の一例を示す。
【００３８】図２の（１）に示すように、シリコン基板
１１にトランジスタ等の素子（図示省略）、素子分離絶
縁膜１２を形成した後、そのシリコン基板１１上に下層
層間絶縁膜１３を形成する。さらに下層層間絶縁膜１３
にコンタクトホール１４を形成した後、そのコンタクト
ホール１４の内部にコンタクトプラグ１５を形成する。
上記トランジスタ等の素子、素子分離絶縁膜１２、下層
層間絶縁膜１３、コンタクトプラグ１５等は、既存の技
術を用いて作製する。ここでは、下層層間絶縁膜１３
は、例えば、リン、もしくはホウ素、もしくはリンとホ
ウ素とをドーピングしたシリコン酸化膜を含むシリコン
系酸化膜で形成される。上記コンタクトプラグ１５は例
えばタングステンを用いて形成される。上記のようにし
て基体１０が構成される。
１１にトランジスタ等の素子（図示省略）、素子分離絶
縁膜１２を形成した後、そのシリコン基板１１上に下層
層間絶縁膜１３を形成する。さらに下層層間絶縁膜１３
にコンタクトホール１４を形成した後、そのコンタクト
ホール１４の内部にコンタクトプラグ１５を形成する。
上記トランジスタ等の素子、素子分離絶縁膜１２、下層
層間絶縁膜１３、コンタクトプラグ１５等は、既存の技
術を用いて作製する。ここでは、下層層間絶縁膜１３
は、例えば、リン、もしくはホウ素、もしくはリンとホ
ウ素とをドーピングしたシリコン酸化膜を含むシリコン
系酸化膜で形成される。上記コンタクトプラグ１５は例
えばタングステンを用いて形成される。上記のようにし
て基体１０が構成される。
【００３９】次いで図２の（２）に示すように、上記下
層層間絶縁膜１３上に、層間絶縁膜として、有機系の低
誘電率膜１６を例えば５００ｎｍの厚さに形成する。こ
の低誘電率膜１６には、例えば、フルオロカーボン膜、
アリルエーテル系樹脂 、ベンゾシクロブテン、ポリイ
ミド、アモルファスカーボン、または有機ＳＯＧ（Spin
on glass ）を用いる。上記フルオロカーボン膜の材料
としては、環状フッ素樹脂・シロキサン共重合体、テフ
ロン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂
〔例えばデュポン社製：テフロンＡＦ（商品名）〕、ポ
リアリルエーテル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品
名）〕、またはフッ化ポリイミドを用いる。
層層間絶縁膜１３上に、層間絶縁膜として、有機系の低
誘電率膜１６を例えば５００ｎｍの厚さに形成する。こ
の低誘電率膜１６には、例えば、フルオロカーボン膜、
アリルエーテル系樹脂 、ベンゾシクロブテン、ポリイ
ミド、アモルファスカーボン、または有機ＳＯＧ（Spin
on glass ）を用いる。上記フルオロカーボン膜の材料
としては、環状フッ素樹脂・シロキサン共重合体、テフ
ロン（ＰＴＦＥ）、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂
〔例えばデュポン社製：テフロンＡＦ（商品名）〕、ポ
リアリルエーテル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品
名）〕、またはフッ化ポリイミドを用いる。
【００４０】上記ポリテトラフルオロエチレン系樹脂は
前記（１）式で表される化学式の構造を有するものであ
ればいかなるものであってもよい。
前記（１）式で表される化学式の構造を有するものであ
ればいかなるものであってもよい。
【００４１】上記低誘電率膜１６の形成方法の一例を以
下に説明する。まず回転塗布法により、低誘電率膜の前
駆体を成膜した後、３００℃〜４５０℃でキュアを行っ
て、低誘電率膜１６を形成する。一方、アモルファスカ
ーボン等の材料は、アセチレン、必要に応じてフルオロ
カーボンガスを用い、プラズマＣＶＤ（以下、ＣＶＤは
Chemical Vapor Deposition の略であり、化学的気相成
長をいう）装置により低誘電率１６を成膜する。この場
合も、ＣＶＤ後、３００℃〜４５０℃でキュアを行う。
下に説明する。まず回転塗布法により、低誘電率膜の前
駆体を成膜した後、３００℃〜４５０℃でキュアを行っ
て、低誘電率膜１６を形成する。一方、アモルファスカ
ーボン等の材料は、アセチレン、必要に応じてフルオロ
カーボンガスを用い、プラズマＣＶＤ（以下、ＣＶＤは
Chemical Vapor Deposition の略であり、化学的気相成
長をいう）装置により低誘電率１６を成膜する。この場
合も、ＣＶＤ後、３００℃〜４５０℃でキュアを行う。
【００４２】また、上記低誘電率膜１６としては、シク
ロポリマライズドフロリネーテッドポリマー系樹脂〔例
えばサイトップ（商品名）〕でもよい。このシクロポリ
マライズドフロリネーテッドポリマー系樹脂は前記
（２）式で表される化学式の構造を有するものであれば
いかなるものであってもよい。
ロポリマライズドフロリネーテッドポリマー系樹脂〔例
えばサイトップ（商品名）〕でもよい。このシクロポリ
マライズドフロリネーテッドポリマー系樹脂は前記
（２）式で表される化学式の構造を有するものであれば
いかなるものであってもよい。
【００４３】上記ポリアリルエーテル系樹脂は前記
（３）式で表される化学式の構造を有するものであれば
いかなるものであってもよい。もしくは、構造式の図示
はしないが、フッ素を含むポリアリルエーテルであって
もよい。
（３）式で表される化学式の構造を有するものであれば
いかなるものであってもよい。もしくは、構造式の図示
はしないが、フッ素を含むポリアリルエーテルであって
もよい。
【００４４】次いで上記低誘電率膜１６上に無機系絶縁
膜１７を例えば１００ｎｍの厚さに形成する。この無機
系絶縁膜１７には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒
化膜、シリコン酸窒化膜のうちの少なくとも１種により
形成する。このとき、通常のプラズマＣＶＤ法を用いて
成膜するが、その際、還元性雰囲気にして成膜を行う。
もし、酸化性雰囲気のＣＶＤにより上記無機系絶縁膜１
７の成膜を行うと、低誘電率膜１６が酸化され、膜が剥
がれる等の現象が起こる。したがって、還元性雰囲気に
して成膜を行うことが必要になる。
膜１７を例えば１００ｎｍの厚さに形成する。この無機
系絶縁膜１７には、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒
化膜、シリコン酸窒化膜のうちの少なくとも１種により
形成する。このとき、通常のプラズマＣＶＤ法を用いて
成膜するが、その際、還元性雰囲気にして成膜を行う。
もし、酸化性雰囲気のＣＶＤにより上記無機系絶縁膜１
７の成膜を行うと、低誘電率膜１６が酸化され、膜が剥
がれる等の現象が起こる。したがって、還元性雰囲気に
して成膜を行うことが必要になる。
【００４５】例えば、シリコン酸化膜を成膜する場合に
は、プラズマＣＶＤ装置を用い、プロセスガスにモノシ
ラン（ＳｉＨ4 ）（供給流量：５０ｓｃｃｍ）と一酸化
二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガス（供給流量：１００ｓｃｃｍ）を
用い、例えば、プラズマパワーを５００Ｗ、成膜雰囲気
の圧力を１．３３ｋＰａ、成膜温度を３５０℃に設定す
る。
は、プラズマＣＶＤ装置を用い、プロセスガスにモノシ
ラン（ＳｉＨ4 ）（供給流量：５０ｓｃｃｍ）と一酸化
二窒素（Ｎ2 Ｏ）ガス（供給流量：１００ｓｃｃｍ）を
用い、例えば、プラズマパワーを５００Ｗ、成膜雰囲気
の圧力を１．３３ｋＰａ、成膜温度を３５０℃に設定す
る。
【００４６】次いでレジスト塗布およびリソグラフィー
技術により配線溝を形成するためのエッチングマスク
（図示省略）を形成し、それを用いてエッチングを行
い、上記無機系絶縁膜１７および低誘電率膜１６に配線
溝からなる開口パターン１８を形成する。上記開口パタ
ーン１８は配線溝からなるものであったが、例えば、接
続孔（ビアホール、コンタクトホール等）であり、また
は配線溝およびその底部に形成された接続孔であっても
よい。
技術により配線溝を形成するためのエッチングマスク
（図示省略）を形成し、それを用いてエッチングを行
い、上記無機系絶縁膜１７および低誘電率膜１６に配線
溝からなる開口パターン１８を形成する。上記開口パタ
ーン１８は配線溝からなるものであったが、例えば、接
続孔（ビアホール、コンタクトホール等）であり、また
は配線溝およびその底部に形成された接続孔であっても
よい。
【００４７】上記無機系絶縁膜１７がシリコン酸化膜の
場合のエッチング条件は、一例として、エッチングガス
にヘキサフルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）（供給流量：１４
ｓｃｃｍ）と一酸化炭素（ＣＯ）（供給流量：１８０ｓ
ｃｃｍ）とアルゴン（Ａｒ）（供給流量：２４０ｓｃｃ
ｍ）と酸素（Ｏ2 ）（供給流量：６ｓｃｃｍ）とを用
い、ＲＦプラズマを１．５ｋＷに設定した。
場合のエッチング条件は、一例として、エッチングガス
にヘキサフルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）（供給流量：１４
ｓｃｃｍ）と一酸化炭素（ＣＯ）（供給流量：１８０ｓ
ｃｃｍ）とアルゴン（Ａｒ）（供給流量：２４０ｓｃｃ
ｍ）と酸素（Ｏ2 ）（供給流量：６ｓｃｃｍ）とを用
い、ＲＦプラズマを１．５ｋＷに設定した。
【００４８】上記低誘電率膜１６のエッチング条件は、
一例として、エッチングガスにトリフルオロメタン（Ｃ
ＨＦ3 ）（供給流量：５ｓｃｃｍ）と酸素（Ｏ2 ）（供
給流量：５０ｓｃｃｍ）とヘリウム（Ｈｅ）（供給流
量：２００ｓｃｃｍ）とを用い、ＲＦプラズマを５００
Ｗ、エッチング温度を−１０℃に設定した。
一例として、エッチングガスにトリフルオロメタン（Ｃ
ＨＦ3 ）（供給流量：５ｓｃｃｍ）と酸素（Ｏ2 ）（供
給流量：５０ｓｃｃｍ）とヘリウム（Ｈｅ）（供給流
量：２００ｓｃｃｍ）とを用い、ＲＦプラズマを５００
Ｗ、エッチング温度を−１０℃に設定した。
【００４９】そして上層の無機系絶縁膜１７は低誘電率
膜１６をエッチングする際のエッチングマスクになる。
すなわち、低誘電率膜１６をエッチングする際には、レ
ジストマスクもエッチングされることになる。この実施
の形態では、無機系絶縁膜１７のシリコン酸化膜がエッ
チングマスクになっているが、レジストで形成したエッ
チングマスクの代わりに、窒化チタン、酸窒化チタン、
窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、タング
ステン、チタン、タンタル等の膜をエッチングマスクに
用いることも可能である。
膜１６をエッチングする際のエッチングマスクになる。
すなわち、低誘電率膜１６をエッチングする際には、レ
ジストマスクもエッチングされることになる。この実施
の形態では、無機系絶縁膜１７のシリコン酸化膜がエッ
チングマスクになっているが、レジストで形成したエッ
チングマスクの代わりに、窒化チタン、酸窒化チタン、
窒化タンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、タング
ステン、チタン、タンタル等の膜をエッチングマスクに
用いることも可能である。
【００５０】その後、エッチングマスクを除去する。再
びレジスト塗布およびリソグラフィー技術によりダミー
開口パターンを形成するためのエッチングマスク（図示
省略）を形成し、それを用いてエッチングを行い、上記
無機系絶縁膜１７にダミー開口パターン１９を形成す
る。このダミー開口パターン１９は、配線間、素子間、
配線と素子間等の接続に寄与しない溝または孔からな
り、上記配線溝からなる開口パターン１８と合わせたパ
ターン密度がほぼ一様になるように配置される。
びレジスト塗布およびリソグラフィー技術によりダミー
開口パターンを形成するためのエッチングマスク（図示
省略）を形成し、それを用いてエッチングを行い、上記
無機系絶縁膜１７にダミー開口パターン１９を形成す
る。このダミー開口パターン１９は、配線間、素子間、
配線と素子間等の接続に寄与しない溝または孔からな
り、上記配線溝からなる開口パターン１８と合わせたパ
ターン密度がほぼ一様になるように配置される。
【００５１】具体的には、ダミー開口パターン１９と開
口パターン１８との間隔は、設計上許される最小間隔以
上に設定し、特に性能を重視する場合には、設計上許さ
れる最小間隔の２倍以上の間隔に設定する。このよう
に、ダミー開口パターン１９と開口パターン１。との間
隔を設計上許される最小間隔の２倍以上とすることで、
配線間の容量を約半分にすることが可能になる。
口パターン１８との間隔は、設計上許される最小間隔以
上に設定し、特に性能を重視する場合には、設計上許さ
れる最小間隔の２倍以上の間隔に設定する。このよう
に、ダミー開口パターン１９と開口パターン１。との間
隔を設計上許される最小間隔の２倍以上とすることで、
配線間の容量を約半分にすることが可能になる。
【００５２】このように、低誘電率膜１６上に形成され
た無機系絶縁膜１７に開口パターン１８の他にダミー開
口パターン１９を形成することから、その後の配線材料
層の形成の際には、低誘電率膜１６からの脱ガスが、開
口パターン１８とダミー開口パターン１９の両方から生
じるようになる。その結果、開口パターン１８の１個当
たりの低誘電率膜１６からの脱ガス量が低減される。
た無機系絶縁膜１７に開口パターン１８の他にダミー開
口パターン１９を形成することから、その後の配線材料
層の形成の際には、低誘電率膜１６からの脱ガスが、開
口パターン１８とダミー開口パターン１９の両方から生
じるようになる。その結果、開口パターン１８の１個当
たりの低誘電率膜１６からの脱ガス量が低減される。
【００５３】その後、上記エッチングマスクを除去す
る。次に図２の（３）に示すように、ダマシン法により
配線を形成する。まず、スパッタリングまたはＣＶＤ法
により、無機系絶縁膜１７上に配線溝からなる開口パタ
ーン１８およびダミー開口パターン１９を埋め込む配線
材料層を例えば銅を堆積して形成する。続いてＣＭＰに
より無機系絶縁膜１７上の余分な銅を研磨して除去す
る。さらに上記無機系絶縁膜１７を５０ｎｍ程度の厚さ
分だけ研磨する。この無機系絶縁膜１７のＣＭＰによ
り、完全に無機系絶縁膜１７上から銅を完全に除去する
とともに無機系絶縁膜１７に入ったスクラッチを除去す
る。その結果、開口パターン１８内に配線材料層からな
る配線２０が形成されるとともに、ダミー開口パターン
１９内に埋め込まれた配線材料層からなるダミーパター
ン２１が形成される。
る。次に図２の（３）に示すように、ダマシン法により
配線を形成する。まず、スパッタリングまたはＣＶＤ法
により、無機系絶縁膜１７上に配線溝からなる開口パタ
ーン１８およびダミー開口パターン１９を埋め込む配線
材料層を例えば銅を堆積して形成する。続いてＣＭＰに
より無機系絶縁膜１７上の余分な銅を研磨して除去す
る。さらに上記無機系絶縁膜１７を５０ｎｍ程度の厚さ
分だけ研磨する。この無機系絶縁膜１７のＣＭＰによ
り、完全に無機系絶縁膜１７上から銅を完全に除去する
とともに無機系絶縁膜１７に入ったスクラッチを除去す
る。その結果、開口パターン１８内に配線材料層からな
る配線２０が形成されるとともに、ダミー開口パターン
１９内に埋め込まれた配線材料層からなるダミーパター
ン２１が形成される。
【００５４】次いで、図示はしないが、一般的なマグネ
トロン方式のエッチング装置と、ヘキサフルオロエタン
（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃｃｍ〕と一酸化炭素
（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃｍ〕とアルゴン（Ａ
ｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕とからなるエッチン
グガスとを用い、無機系絶縁膜１７をエッチングする。
上記エッチングガスでは、有機膜はほとんどエッチング
されることはない。なお、装置の性能よりも装置の信頼
性を重要視する場合には、上記無機系絶縁膜１７のエッ
チング除去工程は省略しても差し支えはない。
トロン方式のエッチング装置と、ヘキサフルオロエタン
（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃｃｍ〕と一酸化炭素
（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃｍ〕とアルゴン（Ａ
ｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕とからなるエッチン
グガスとを用い、無機系絶縁膜１７をエッチングする。
上記エッチングガスでは、有機膜はほとんどエッチング
されることはない。なお、装置の性能よりも装置の信頼
性を重要視する場合には、上記無機系絶縁膜１７のエッ
チング除去工程は省略しても差し支えはない。
【００５５】次いで図示はしないが、上記配線２０上に
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒
化膜からなるエッチングストッパ層（図示省略）を形成
する。このエッチングストッパ層は、ビアコンタクトホ
ールを開口する時にエッチングストッパとして用いるた
め、エッチングストッパとしての機能を果たす厚さを確
保しつつできうるかぎり薄く形成することが好ましい。
この実施の形態では、シリコン窒化膜（図示省略）を１
０ｎｍ程度の厚さに形成した。
シリコン窒化膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒
化膜からなるエッチングストッパ層（図示省略）を形成
する。このエッチングストッパ層は、ビアコンタクトホ
ールを開口する時にエッチングストッパとして用いるた
め、エッチングストッパとしての機能を果たす厚さを確
保しつつできうるかぎり薄く形成することが好ましい。
この実施の形態では、シリコン窒化膜（図示省略）を１
０ｎｍ程度の厚さに形成した。
【００５６】次いで図３の（１）に示すように、一般的
なＣＶＤ装置もしくは回転塗布装置を用いて、上記無機
系絶縁膜１７上に、配線２０、ダミーパターン２１等を
覆う低誘電率膜２２を例えば５００ｎｍの厚さに形成す
る。この低誘電率膜２２には、装置の性能を重要視した
場合には、例えばフルオロカーボン膜、アリルエーテル
系樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、アモルファ
スカーボン、または有機ＳＯＧ（Spin on glass ）を用
いる。上記フルオロカーボン膜の材料としては、環状フ
ッ素樹脂・シロキサン共重合体、テフロン（ＰＴＦ
Ｅ）、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂〔例えばデュ
ポン社製：テフロンＡＦ（商品名）〕、ポリアリルエー
テル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品名）〕、またはフ
ッ化ポリイミドを用いる。または、比較的誘電率の高い
有機ＳＯＧ膜、シリコンフッ化酸化膜等を用いることも
可能である。
なＣＶＤ装置もしくは回転塗布装置を用いて、上記無機
系絶縁膜１７上に、配線２０、ダミーパターン２１等を
覆う低誘電率膜２２を例えば５００ｎｍの厚さに形成す
る。この低誘電率膜２２には、装置の性能を重要視した
場合には、例えばフルオロカーボン膜、アリルエーテル
系樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、アモルファ
スカーボン、または有機ＳＯＧ（Spin on glass ）を用
いる。上記フルオロカーボン膜の材料としては、環状フ
ッ素樹脂・シロキサン共重合体、テフロン（ＰＴＦ
Ｅ）、ポリテトラフルオロエチレン系樹脂〔例えばデュ
ポン社製：テフロンＡＦ（商品名）〕、ポリアリルエー
テル系樹脂〔例えばＦＬＡＲＥ（商品名）〕、またはフ
ッ化ポリイミドを用いる。または、比較的誘電率の高い
有機ＳＯＧ膜、シリコンフッ化酸化膜等を用いることも
可能である。
【００５７】次いで、上記低誘電率膜２２上にシリコン
窒化膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜から
なる無機系絶縁膜２３を形成する。この無機系絶縁膜２
３は、一般にはＣＶＤ装置を用いて形成するが、回転塗
布装置、蒸着装置、スパッタリング装置等を用いて形成
することも可能である。
窒化膜、シリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜から
なる無機系絶縁膜２３を形成する。この無機系絶縁膜２
３は、一般にはＣＶＤ装置を用いて形成するが、回転塗
布装置、蒸着装置、スパッタリング装置等を用いて形成
することも可能である。
【００５８】次いでレジスト塗布およびリソグラフィー
技術によりビアホールからなる開口パターンを形成する
ためのエッチングマスク（図示省略）を形成し、それを
用いてエッチングを行い、上記無機系絶縁膜２３および
低誘電率膜２２にビアホールからなる開口パターン２４
を形成する。このエッチングでは、例えば一般的なマグ
ネトロン方式のエッチング装置を用いる。
技術によりビアホールからなる開口パターンを形成する
ためのエッチングマスク（図示省略）を形成し、それを
用いてエッチングを行い、上記無機系絶縁膜２３および
低誘電率膜２２にビアホールからなる開口パターン２４
を形成する。このエッチングでは、例えば一般的なマグ
ネトロン方式のエッチング装置を用いる。
【００５９】このエッチング条件としては、例えば無機
系絶縁膜２３をエッチングする場合には、ヘキサフルオ
ロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃｃｍ〕と一
酸化炭素（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃｍ〕とアル
ゴン（Ａｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕と酸素（Ｏ
2 ）〔供給流量：６ｓｃｃｍ〕とからなるエッチングガ
スとを用い、ＲＦプラズマを１．５ｋＷに設定した。ま
た低誘電率膜をエッチングする場合には、エッチングガ
スに、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）〔供給流量：５
ｓｃｃｍ〕と酸素（Ｏ2 ）〔供給流量：５０ｓｃｃｍ〕
とヘリウム（Ｈｅ）〔供給流量：２００ｓｃｃｍ〕とか
らなるエッチングガスとを用い、ＲＦプラズマを５００
Ｗ、エッチング温度を−１０℃に設定した。
系絶縁膜２３をエッチングする場合には、ヘキサフルオ
ロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃｃｍ〕と一
酸化炭素（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃｍ〕とアル
ゴン（Ａｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕と酸素（Ｏ
2 ）〔供給流量：６ｓｃｃｍ〕とからなるエッチングガ
スとを用い、ＲＦプラズマを１．５ｋＷに設定した。ま
た低誘電率膜をエッチングする場合には、エッチングガ
スに、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）〔供給流量：５
ｓｃｃｍ〕と酸素（Ｏ2 ）〔供給流量：５０ｓｃｃｍ〕
とヘリウム（Ｈｅ）〔供給流量：２００ｓｃｃｍ〕とか
らなるエッチングガスとを用い、ＲＦプラズマを５００
Ｗ、エッチング温度を−１０℃に設定した。
【００６０】上記低誘電率膜２２をエッチングする際に
は、上記無機系絶縁膜２３がエッチングマスクになる。
すなわち、低誘電率膜２２をエッチングする条件では、
レジストもエッチングされるためである。この実施の形
態では、シリコン酸化膜からなる無機系絶縁膜２３を低
誘電率膜２２のエッチングマスクに用いたが、無機系絶
縁膜２３とは別に、窒化チタン、酸窒化チタン、窒化タ
ンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、タングステ
ン、チタン、またはタンタルからなる膜を形成し、それ
をエッチングマスクとして用いることも可能である。
は、上記無機系絶縁膜２３がエッチングマスクになる。
すなわち、低誘電率膜２２をエッチングする条件では、
レジストもエッチングされるためである。この実施の形
態では、シリコン酸化膜からなる無機系絶縁膜２３を低
誘電率膜２２のエッチングマスクに用いたが、無機系絶
縁膜２３とは別に、窒化チタン、酸窒化チタン、窒化タ
ンタル、酸化タンタル、酸窒化タンタル、タングステ
ン、チタン、またはタンタルからなる膜を形成し、それ
をエッチングマスクとして用いることも可能である。
【００６１】その後、上記エッチングマスクを除去す
る。次いでレジスト塗布およびリソグラフィー技術によ
りダミー開口パターンを形成するためのエッチングマス
ク（図示省略）を形成する。このエッチングマスクにお
けるダミー開口パターンを形成するためのホールの配置
条件は、原理的には、設計最小ルールで配置が可能であ
るが、エッチングなどの均一性、および配線容量が増加
することが考えられるので、ホールのパターン密度（開
口密度）を均一化させるように配置することが好まし
い。また、当然のことではあるが、上層配線をショート
させることなく配置される。
る。次いでレジスト塗布およびリソグラフィー技術によ
りダミー開口パターンを形成するためのエッチングマス
ク（図示省略）を形成する。このエッチングマスクにお
けるダミー開口パターンを形成するためのホールの配置
条件は、原理的には、設計最小ルールで配置が可能であ
るが、エッチングなどの均一性、および配線容量が増加
することが考えられるので、ホールのパターン密度（開
口密度）を均一化させるように配置することが好まし
い。また、当然のことではあるが、上層配線をショート
させることなく配置される。
【００６２】次いで上記エッチングマスク（図示省略）
を用いてエッチングを行い、上記無機系絶縁膜２３にダ
ミービアホールからなるダミー開口パターン２５を形成
する。このエッチングでは、例えば一般的なマグネトロ
ン方式のエッチング装置を用い、無機系絶縁膜２３をエ
ッチングする。
を用いてエッチングを行い、上記無機系絶縁膜２３にダ
ミービアホールからなるダミー開口パターン２５を形成
する。このエッチングでは、例えば一般的なマグネトロ
ン方式のエッチング装置を用い、無機系絶縁膜２３をエ
ッチングする。
【００６３】このエッチング条件としては、例えば、ヘ
キサフルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃ
ｃｍ〕と一酸化炭素（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃ
ｍ〕とアルゴン（Ａｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕
と酸素（Ｏ2 ）〔供給流量：６ｓｃｃｍ〕とからなるエ
ッチングガスとを用い、ＲＦプラズマを１．５ｋＷに設
定した。
キサフルオロエタン（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃ
ｃｍ〕と一酸化炭素（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃ
ｍ〕とアルゴン（Ａｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕
と酸素（Ｏ2 ）〔供給流量：６ｓｃｃｍ〕とからなるエ
ッチングガスとを用い、ＲＦプラズマを１．５ｋＷに設
定した。
【００６４】その後、上記エッチングマスクを除去す
る。次いで図示はしないが、一般的なマグネトロン方式
のエッチング装置を用いて、上記無機系絶縁膜２３を除
去する。このときのエッチングガスにはヘキサフルオロ
エタン（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃｃｍ〕と一酸
化炭素（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃｍ〕とアルゴ
ン（Ａｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕とを用いた。
このエッチングガスでは、有機膜はほとんどエッチング
されない。なお、装置の性能よりも装置の信頼性を重要
視する場合には、この無機系絶縁膜２３の除去加工を省
略することも可能である。
る。次いで図示はしないが、一般的なマグネトロン方式
のエッチング装置を用いて、上記無機系絶縁膜２３を除
去する。このときのエッチングガスにはヘキサフルオロ
エタン（Ｃ2 Ｆ6 ）〔供給流量：１４ｓｃｃｍ〕と一酸
化炭素（ＣＯ）〔供給流量：１８０ｓｃｃｍ〕とアルゴ
ン（Ａｒ）〔供給流量：２４０ｓｃｃｍ〕とを用いた。
このエッチングガスでは、有機膜はほとんどエッチング
されない。なお、装置の性能よりも装置の信頼性を重要
視する場合には、この無機系絶縁膜２３の除去加工を省
略することも可能である。
【００６５】このように、低誘電率膜２２上に形成され
た無機系絶縁膜２３に開口パターン２４の他にダミー開
口パターン２５を形成することから、その後の配線材料
層を形成する際に、低誘電率膜２２からの脱ガスが、開
口パターン２４とダミー開口パターン２５の両方から生
じるようになる。その結果、開口パターン２４の１か所
当たりの低誘電率膜２２からの脱ガス量が低減される。
た無機系絶縁膜２３に開口パターン２４の他にダミー開
口パターン２５を形成することから、その後の配線材料
層を形成する際に、低誘電率膜２２からの脱ガスが、開
口パターン２４とダミー開口パターン２５の両方から生
じるようになる。その結果、開口パターン２４の１か所
当たりの低誘電率膜２２からの脱ガス量が低減される。
【００６６】次に図３の（２）に示すように、ダマシン
法によりビアコンタクトプラグを形成する。まず、スパ
ッタリングまたはＣＶＤ法により、無機系絶縁膜２３上
にビアホールからなる開口パターン２４およびダミー開
口パターン２５を埋め込むプラグ材料層を例えば銅を堆
積して形成する。続いてＣＭＰにより無機系絶縁膜２３
上に余分な銅を研磨して除去する。さらに上記無機系絶
縁膜２３を５０ｎｍ程度の厚さ分だけ研磨する。この無
機系絶縁膜２３のＣＭＰにより、完全に無機系絶縁膜２
３上から銅を除去するとともに無機系絶縁膜２３に入っ
たスクラッチを除去する。その結果、開口パターン２４
内にプラグ材料層からなるビアコンタクトプラグ２６が
形成されるとともに、ダミー開口パターン２５内にもプ
ラグ材料層が埋め込まれてダミーパターン２７が形成さ
れる。
法によりビアコンタクトプラグを形成する。まず、スパ
ッタリングまたはＣＶＤ法により、無機系絶縁膜２３上
にビアホールからなる開口パターン２４およびダミー開
口パターン２５を埋め込むプラグ材料層を例えば銅を堆
積して形成する。続いてＣＭＰにより無機系絶縁膜２３
上に余分な銅を研磨して除去する。さらに上記無機系絶
縁膜２３を５０ｎｍ程度の厚さ分だけ研磨する。この無
機系絶縁膜２３のＣＭＰにより、完全に無機系絶縁膜２
３上から銅を除去するとともに無機系絶縁膜２３に入っ
たスクラッチを除去する。その結果、開口パターン２４
内にプラグ材料層からなるビアコンタクトプラグ２６が
形成されるとともに、ダミー開口パターン２５内にもプ
ラグ材料層が埋め込まれてダミーパターン２７が形成さ
れる。
【００６７】上記プラグ材料層には、銅を用いたが、例
えばタングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、
アルミニウム−シリコン、銅−ジルコニウムのような銅
合金等を用いることも可能である。
えばタングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、
アルミニウム−シリコン、銅−ジルコニウムのような銅
合金等を用いることも可能である。
【００６８】その後、必要に応じて、上記配線を形成す
るためのプロセス、プラグを形成するためのプロセスを
繰り返し行ってもよい。
るためのプロセス、プラグを形成するためのプロセスを
繰り返し行ってもよい。
【００６９】上記説明した半導体装置の製造方法では、
開口パターン１８のパターン密度の低い領域に無機系絶
縁膜１７を貫通するダミー開口パターン１９を形成する
ことから、低誘電率膜１６からの脱ガスは開口パターン
１８およびダミー開口パターン１９を通して生じる。そ
のため、脱ガスは開口パターン１８に集中することがな
くダミー開口パターン１９にも分散されるため、開口パ
ターン１８の１か所当たりの低誘電率膜１６から発生す
る脱ガス量が低減され、配線材料層の形成の際における
埋め込み不良が低減される。同様に、開口パターン２４
のパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜２３を貫通す
るダミー開口パターン２５を形成することから、低誘電
率膜２２からの脱ガスは開口パターン２４およびダミー
開口パターン２５を通して生じる。そのため、脱ガスは
開口パターン２４に集中することがなくダミー開口パタ
ーン２５にも分散されるため、開口パターン２４の１か
所当たりの低誘電率膜１６から発生する脱ガス量が低減
され、プラグ材料層の形成の際における埋め込み不良が
低減される。
開口パターン１８のパターン密度の低い領域に無機系絶
縁膜１７を貫通するダミー開口パターン１９を形成する
ことから、低誘電率膜１６からの脱ガスは開口パターン
１８およびダミー開口パターン１９を通して生じる。そ
のため、脱ガスは開口パターン１８に集中することがな
くダミー開口パターン１９にも分散されるため、開口パ
ターン１８の１か所当たりの低誘電率膜１６から発生す
る脱ガス量が低減され、配線材料層の形成の際における
埋め込み不良が低減される。同様に、開口パターン２４
のパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜２３を貫通す
るダミー開口パターン２５を形成することから、低誘電
率膜２２からの脱ガスは開口パターン２４およびダミー
開口パターン２５を通して生じる。そのため、脱ガスは
開口パターン２４に集中することがなくダミー開口パタ
ーン２５にも分散されるため、開口パターン２４の１か
所当たりの低誘電率膜１６から発生する脱ガス量が低減
され、プラグ材料層の形成の際における埋め込み不良が
低減される。
【００７０】上記各実施の形態では、低誘電率膜１６，
２２を有機膜で形成したが、例えば無機材料のキセロゲ
ルで形成してもよい。この場合も、ダミー開口パターン
１９，２５を形成する効果が得られる。なお、低誘電率
膜としてキセロゲル等の無機膜を用いる場合には、その
低誘電率膜をエッチングする際に用いるエッチングマス
クには、シリコン窒化膜のような組成の異なるものを用
いる。またレジストマスクを用いることも可能である。
２２を有機膜で形成したが、例えば無機材料のキセロゲ
ルで形成してもよい。この場合も、ダミー開口パターン
１９，２５を形成する効果が得られる。なお、低誘電率
膜としてキセロゲル等の無機膜を用いる場合には、その
低誘電率膜をエッチングする際に用いるエッチングマス
クには、シリコン窒化膜のような組成の異なるものを用
いる。またレジストマスクを用いることも可能である。
【００７１】なお、ダミー開口パターン１９，２５は低
誘電率膜１６，２２を貫通してもかまわないが、上記実
施の形態で説明したように、無機系絶縁膜１７，２３だ
けエッチングすれば、ダミーの発生ルールを大幅に緩め
られ、低誘電率膜１６，２２の脱ガス効果が大きい。す
なわち、下層の配線の短絡を気にすることなく、ビアホ
ール若しくは配線の層だけを考慮して、ダミー開口パタ
ーン１９，２５を形成することが可能である。
誘電率膜１６，２２を貫通してもかまわないが、上記実
施の形態で説明したように、無機系絶縁膜１７，２３だ
けエッチングすれば、ダミーの発生ルールを大幅に緩め
られ、低誘電率膜１６，２２の脱ガス効果が大きい。す
なわち、下層の配線の短絡を気にすることなく、ビアホ
ール若しくは配線の層だけを考慮して、ダミー開口パタ
ーン１９，２５を形成することが可能である。
【００７２】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体装
置によれば、開口パターンのパターン密度の低い領域
に、無機系絶縁膜を貫通するダミー開口パターンが形成
されているので、低誘電率膜からの脱ガスは、ダミー開
口パターンにも分散されて放出される。そのため、開口
パターンの１か所当たりの低誘電率膜からのガス放出量
が低減されるので、その開口パターンに形成される配線
やプラグは信頼性の高いものとなる。
置によれば、開口パターンのパターン密度の低い領域
に、無機系絶縁膜を貫通するダミー開口パターンが形成
されているので、低誘電率膜からの脱ガスは、ダミー開
口パターンにも分散されて放出される。そのため、開口
パターンの１か所当たりの低誘電率膜からのガス放出量
が低減されるので、その開口パターンに形成される配線
やプラグは信頼性の高いものとなる。
【００７３】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
開口パターンのパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜
を貫通するダミー開口パターンを形成するので、低誘電
率膜からの脱ガスをダミー開口パターンにも分散して放
出することができる。その結果、開口パターン１か所当
たりから発生する低誘電率膜の脱ガス量を低減すること
ができるので、開口パターンに対する材料層の埋め込み
不良を無くすことができる。よって、低誘電率膜を含む
層間絶縁膜に対してダマシンプロセスを適用しても、配
線間容量の小さい多層配線を高歩留りに形成することが
できる。
開口パターンのパターン密度の低い領域に無機系絶縁膜
を貫通するダミー開口パターンを形成するので、低誘電
率膜からの脱ガスをダミー開口パターンにも分散して放
出することができる。その結果、開口パターン１か所当
たりから発生する低誘電率膜の脱ガス量を低減すること
ができるので、開口パターンに対する材料層の埋め込み
不良を無くすことができる。よって、低誘電率膜を含む
層間絶縁膜に対してダマシンプロセスを適用しても、配
線間容量の小さい多層配線を高歩留りに形成することが
できる。
【図１】本発明の半導体装置に係わる実施形態の一例を
説明する製造工程図である。
説明する製造工程図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法に係わる実施形
態の一例を説明する製造工程図である。
態の一例を説明する製造工程図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法に係わる実施形
態の一例を説明する製造工程図（続き）である。
態の一例を説明する製造工程図（続き）である。
１６，２２…低誘電率膜、１７，２３…無機系絶縁膜、
１８，２４…開口パターン、１９，２５…ダミー開口パ
ターン
１８，２４…開口パターン、１９，２５…ダミー開口パ
ターン
Claims (8)
- 【請求項１】 低誘電率膜上に無機系絶縁膜を備え、該
無機系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンが形成
された半導体装置において、 前記無機系絶縁膜を貫通する状態に形成されたダミー開
口パターンを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記ダミー開口パターンは前記開口パターンのパターン
密度の低い領域に形成されていることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置において、 前記ダミー開口パターンは溝または孔からなることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体装置において、前
記ダミー開口パターンは溝または孔からなることを特徴
とする半導体装置。 - 【請求項５】 低誘電率膜上に無機系絶縁膜を形成した
後、 前記無機系絶縁膜を少なくとも貫通する開口パターンを
形成する工程と、 前記無機系絶縁膜を貫通するダミー開口パターンを形成
する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記開口パターンのパターン密度の低い領域に前記ダミ
ー開口パターンを形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記ダミー開口パターンは溝または孔で形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記ダミー開口パターンは溝または孔で形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145538A JPH11340321A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR1019990018033A KR100572345B1 (ko) | 1998-05-27 | 1999-05-19 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US09/318,737 US6333558B1 (en) | 1998-05-27 | 1999-05-26 | Semiconductor device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10145538A JPH11340321A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340321A true JPH11340321A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15387518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10145538A Pending JPH11340321A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6333558B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11340321A (ja) |
| KR (1) | KR100572345B1 (ja) |
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR20010066380A (ko) * | 1999-12-31 | 2001-07-11 | 박종섭 | 다층 배선을 갖는 반도체장치의 제조방법 |
| JP2007221147A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の相互接続構造およびその方法 |
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| KR100333361B1 (ko) * | 1999-08-21 | 2002-04-18 | 박종섭 | 반도체장치의 제조방법 |
| ATE514181T1 (de) * | 2000-03-13 | 2011-07-15 | Tadahiro Ohmi | Verfahren zur ausbildung eines dielektrischen films |
| JP4095763B2 (ja) * | 2000-09-06 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6465895B1 (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Bonding pad structures for semiconductor devices and fabrication methods thereof |
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| GB0206930D0 (en) * | 2002-03-23 | 2002-05-08 | Univ Durham | Method and apparatus for the formation of hydrophobic surfaces |
| JP4176365B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2008-11-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP2005150340A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Hitachi Ltd | エッチング条件だし方法およびその装置 |
| US20050253268A1 (en) * | 2004-04-22 | 2005-11-17 | Shao-Ta Hsu | Method and structure for improving adhesion between intermetal dielectric layer and cap layer |
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| KR100743631B1 (ko) | 2005-11-08 | 2007-07-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
| JP2007212006A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Nissan Motor Co Ltd | 触媒燃焼器の燃焼状態検知装置 |
| KR100902584B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2009-06-11 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
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| KR20160096734A (ko) * | 2008-06-27 | 2016-08-16 | 에스에스더블유 홀딩 컴퍼니 인코포레이티드 | 유출물 수집 방법 및 그에 따른 선반 등 |
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| EP2496886B1 (en) | 2009-11-04 | 2016-12-21 | SSW Holding Company, Inc. | Cooking appliance surfaces having spill containment pattern and methods of making the same |
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| MX2015000119A (es) | 2012-06-25 | 2015-04-14 | Ross Technology Corp | Recubrimientos elastoméricos con propiedades hidrofóbicas y/u oleofóbicas. |
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|---|---|---|---|---|
| EP0690494B1 (de) * | 1994-06-27 | 2004-03-17 | Infineon Technologies AG | Verbindungs- und Aufbautechnik für Multichip-Module |
| JPH10163317A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP10145538A patent/JPH11340321A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-19 KR KR1019990018033A patent/KR100572345B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-26 US US09/318,737 patent/US6333558B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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