JPH11340367A

JPH11340367A - 多層配線基板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH11340367A
Application number: JP10149381A
Authority: JP
Inventors: Katsura Hayashi; 桂林
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1998-05-29
Filing date: 1998-05-29
Publication date: 1999-12-10
Anticipated expiration: 2018-05-29
Also published as: JP3441368B2

Abstract

(57)【要約】【課題】フリップチップ実装に好適な微細な回路形成が
可能であり、また、コネクタや金具類、電池等の部材を
接続したり、大電流を印加することも可能な種々の配線
回路層を備えた多層配線基板を提供する。【解決手段】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁材料か
らなる絶縁層２ａ〜２ｄを積層してなる絶縁基板２と、
絶縁基板２の表面および／または内部に形成された配線
回路層３と、配線回路層３間を電気的に接続するための
ビアホール導体４を具備する多層配線基板１において、
少なくとも１つの絶縁層２ａ〜２ｄ内に、金属箔等から
なる厚さの異なる複数の配線回路層３ａ〜３ｄを形成す
るとともに、それらの配線回路層３のうち、少なくとも
絶縁基板２表面に形成された配線回路層３ａ、３ｂ、３
ｃは絶縁基板２表面に埋設し、その断面形状が埋設側の
辺が露出側の辺よりも長い略逆台形形状とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、有機樹脂を含有す
る絶縁基板に対して複数層の配線回路層が形成され、半
導体素子搭載用基板等に適した多層配線基板および多層
配線基板の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来技術】電子機器は常に小型化を求める傾向にある
が、近年携帯情報端末の発達や、コンピューターを持ち
運んで操作する、いわゆるモバイルコンピューティング
の普及によってさらに小型、薄型、軽量化が要求されて
いる。

【０００３】携帯情報端末やコンピューターの小型化の
ためには半導体の実装方法の変更が特に有効である。従
来から、ワイヤーボンディング法と呼ばれる金線やアル
ミニウム線を使用してシリコンチップと配線基板とを接
続する従来法に代えて、最近では、配線基板に直接シリ
コンチップを接続するフリップチップが多用されつつあ
り、これにより、半導体素子を搭載した配線基板の薄型
化が可能になるだけでなく、高周波信号を取扱う半導体
素子に対しても適した構造となるために、コンピュータ
の性能を大幅に向上させることができる。

【０００４】一方、半導体素子を実装する配線基板とし
て、セラミックスや熱硬化性樹脂を絶縁基板とし、メタ
ライズ配線回路層や、金属箔からなる配線回路層を形成
したものが知られ、最近では、高密度配線化のために、
配線回路層を多層に形成した、いわゆる多層配線基板が
多用されている。

【０００５】その中で、セラミック基板は、硬くて脆い
性質を有することから、欠けや割れ等が発生しやすく、
また焼成による収縮によって変形や寸法のばらつきなど
のが発生しやすく、平坦度が要求されるフリップチップ
に十分に対応できないことから、熱硬化性樹脂を含有す
る絶縁基板を用いた高密度多層配線化が望まれている。

【０００６】熱硬化性樹脂を含有する絶縁基板を用いた
配線基板としては、一般には、銅箔などの金属箔を絶縁
基板上に貼り、次いで金属箔の不要部分をエッチング除
去して配線回路層が形成されており、さらには、配線基
板に貫通孔を形成し、その孔の内壁に金属メッキを施し
たスルーホール導体を形成することにより表裏間の配線
回路層を接続する構造が知られている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】フリップチップ実装を
行なうためには、実装される配線基板側の配線密度を高
めることが必要であるが、ＩＣチップにおける配線は
０．２μｍ以下にまで微細となる一方、配線基板では未
だ５０μｍ程度の配線が一般的であり、最近になって、
そのような高性能ＩＣチップの性能向上に適合し得るた
めに、配線幅が５０μｍ以下、特に３０μｍ以下の線幅
の配線の形成が可能な多層配線基板の開発が現在、続け
られている。

【０００８】線幅が３０μｍ以下の配線回路層を銅箔な
どの金属箔によって形成する場合、用いる金属箔の厚み
が１０μｍ以下と薄く、金属の結晶粒子が小さく、さら
にはマット面（絶縁層との接触側面）の表面粗さが小さ
いことが望まれる。これは、金属箔側面のエッチング
（サイドエッチング) をできるだけ小さくし、また、結
晶面によるエッチングの異方性の影響を無くし、さらに
は、前記接触側の表面粗さが大きいと突起部分が、金属
箔のエッチング時に十分に除去されず、回路の間に残留
することを防ぐためである。

【０００９】ところが、上記のように、金属箔の厚みが
薄く、且つ結晶粒径が小さく、さらにマット面（粗化
面) の表面粗さを小さくすると、必然的に金属箔の絶縁
層に対する接着強度が低くなる。このため、金属箔から
なる配線回路層の一部にコネクタなどの金具を取り付け
る場合、その取付部分において金属箔が絶縁層から剥が
れる等の問題が生じることから、このような金属箔は厚
いことが望まれる。

【００１０】また、最近では、モーター等駆動回路の制
御系やバッテリーの制御系等において、大電流を流す場
合があり、このような回路においては、配線回路層の厚
みを厚くすることが必要とされる。

【００１１】しかし、従来の金属箔を用いた配線基板に
おいては、まず、絶縁基板の全面に一枚の銅箔を張り合
わせ、樹脂を硬化させた後にエッチングして配線回路層
を形成するために、絶縁基板の同一平面内において、単
一の金属箔の配線回路層しか形成できないために、上記
のような要求を満たすためには、配線回路層の機能に応
じて個別の配線基板を作製する必要があり、その結果、
全体としての回路基板が大型化してしまうという問題が
あった。

【００１２】従って、本発明は、微細な回路形成、特に
フリップチップ実装が可能であり、また、コネクタや金
具類、電池等の部材を接続したり、大電流を印加するこ
とも可能な種々の配線回路層を備えた多層配線基板を提
供することを目的とするものである。また、本発明は、
上記種々の配線回路層を容易に作製することのできる多
層配線基板の製造方法を提供することを目的とするもの
である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明者は、回路の高密
度配線化と、配線回路層の絶縁層への密着性を高めるた
めの改善について検討を重ねた結果、複数層の配線回路
層を具備する多層配線基板において、同一平面内の配線
回路層に、厚さの異なる複数種の配線回路層を設けるこ
とにより、半導体素子のフリップチップ実装に適した配
線回路層や、コネクタなどの部材を接続した場合におい
ても優れた密着性を有する配線回路層、あるいは大電流
を流すこともできる配線回路層などを具備し、高密度に
回路設計が可能な配線基板が得られることを見いだし、
本発明に至った。

【００１４】即ち、本発明の多層配線基板は、少なくと
も熱硬化性樹脂を含む絶縁材料からなる絶縁層を積層し
てなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面および／または内
部に形成された配線回路層と、前記配線回路層間を電気
的に接続するためのビアホール導体を具備する多層配線
基板において、少なくとも１層の絶縁層内に、厚さの異
なる複数の配線回路層が形成されてなることを特徴とす
るものである。

【００１５】また、上記配線基板においては、前記厚さ
の異なる複数の配線回路層が、前記絶縁基板の表面およ
び／または前記絶縁基板の内部に形成されてなるもので
ある。

【００１６】なお、前記配線回路層は金属箔からなるこ
とが望ましく、また配線回路層の厚みは、半導体素子ま
たは半導体素子が収納されたパッケージが実装される配
線回路層は１８μｍ以下、金具取り付け部、コネクタ取
り付け部、他の基板の金具との接触部となる配線回路層
が１２μｍ以上、１０Ａ以上の大電流が印加される配線
回路層が３５μｍ以上の厚さを有していることがそれぞ
れ望ましい。

【００１７】また、配線回路層の密着性を高める上で、
前記配線回路層が、前記絶縁基板表面に埋設されている
とともに、配線回路層の断面形状が、埋設側の辺が露出
側の辺よりも長い略逆台形形状からなることが望まし
い。

【００１８】また、本発明の上記多層配線基板の製造方
法としては、複数の転写シートの表面に、それぞれ厚さ
の異なる複数の配線回路層を形成する工程と、少なくと
も熱硬化性樹脂を含む未硬化または半硬化状態の絶縁シ
ートの表面に、前記転写シートの配線回路層を順次、加
圧転写させる工程と、前記絶縁シートを前記熱硬化性樹
脂が完全硬化するに十分な温度で加熱する工程とを具備
することを特徴とするものであって、前記配線回路層が
金属箔からなることが望ましい。

【００１９】また、密着性向上のために、前記転写シー
トの表面の配線回路層が、転写シート全面に形成された
金属層をエッチング処理して断面形状が台形状を有し、
且つ表面が平均表面粗さ２００ｎｍ以上に粗化処理され
てなることが望ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】本発明の多層配線基板の概略断面
図を図１に示した。図１によれば、本発明の多層配線基
板１は、少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁材料からな
る絶縁層２ａ〜２ｄを積層してなる絶縁基板２の表面、
あるいはその内部に配線回路層３が被着形成されてい
る。また、絶縁基板２の内部には、異なる層の配線回路
層間を接続するためにビアホール導体４が設けられてい
る。

【００２１】本発明においては、図１に示すように、同
一平面内に形成された配線回路層３において、少なくと
も１つの同一平面内に、厚さの異なる複数の配線回路層
３ａ，３ｂ、３ｃ、３ｄが形成されてなることが大きな
特徴である。本発明によれば、この厚さの異なる複数の
配線回路層３ａ〜３ｄは、いずれも銅、銀、アルミニウ
ム等の金属又は金属箔、特に金属箔からなることが望ま
しい。

【００２２】例えば、図１の配線基板においては、４種
類の厚みの配線回路層３ａ，３ｂ，３ｃ、３ｄ（厚みは
３ａ＜３ｂ＜３ｃ＜３ｄの順）が形成されており、かか
る配線回路層３ａ〜３ｄは、その機能に応じて使い分け
られている。

【００２３】具体的には、図１に示すように、半導体素
子５をフリップチップ実装する配線回路層３としては、
厚みが薄く高密度配線パターン化されることが要求され
るために、最も厚みの薄い配線回路層３ａによって形成
する。この半導体素子５または半導体素子５が収納され
たパッケージが実装される配線回路層３ａの厚みは１８
μｍ以下、特に１２μｍ以下、最適には９〜１２μｍで
あることが望ましい。

【００２４】この厚みが１８μｍを超えると、半導体素
子または半導体素子が収納されたパッケージとの接続に
必要な微細配線が得られないからである。

【００２５】また、金具６などの部材をロウ付けなどに
より取り付ける部分には、強度が要求されるために比較
的厚さの大きい配線回路層３ｃによって形成する。この
金具取り付け部、コネクタ取り付け部、他の基板の金具
との接触部となる配線回路層３ｃの厚みは１２μｍ以
上、特に１８μｍ以上の厚さを有していることが望まし
い。この厚みが１２μｍよりも薄いと、十分なピール強
度が得られないからである。

【００２６】さらに、大電流が流される場合、配線回路
層の厚みは厚いことが要求され、例えば、絶縁基板２内
の配線回路層３においては、配線回路層３ｄによって形
成される。特に、１０Ａ以上の大電流が印加される配線
回路層３ｄの厚さは３５μｍ以上、特に５０μｍ以上で
あることが望ましい。但し、５０μｍよりも厚くなる場
合には、この配線回路層を積層によって絶縁基板２内部
に設けると、積層時の配線回路層の隅に空隙が形成され
る場合があり、積層不良を来す虞があるため、配線回路
層形成部の絶縁基板を一部切り取ることが望ましい。

【００２７】なお、上記のような特殊な機能が要求され
る配線回路層以外の一般的な配線回路層は配線回路層３
ｂによって形成される。この一般的な配線回路層３ｂの
厚さは、１５〜２５μｍが適当である。

【００２８】また、本発明によれば、図１に示すよう
に、絶縁基板２の表面に形成された配線回路層３ａ、３
ｂ、３ｃは、その厚さに拘らず、いずれの配線回路層も
絶縁基板２の表面に埋設されており、その断面形状は、
図２に示すように、埋設側の辺ｗ１が露出側の辺ｗ２よ
りも長い略逆台形形状からなる。また、基板内部の配線
回路層も同様な断面形状からなることが望ましい。

【００２９】そして、この略逆台形形状の上辺と横辺と
の形成角θが４５°〜８０°、特に、５０°〜７５°の
鋭角を形成していることが望ましい。上記形成角θが８
０°より大きいと配線側面を粗化するのが困難となり絶
縁基板２と表面の配線回路層３の密着強度が低下する
他、後述の転写シート上の回路パターンをプリプレグに
圧着する際、埋設するのが難しくなり、４５°より小さ
いと絶縁基板２と表面の配線回路層３との密着力が不足
する恐れがあるためである。

【００３０】また、配線回路層３のうち、少なくとも基
板表面に形成される配線回路層は、図２に示すように、
絶縁基板２と接触する面が、２００ｎｍ以上、特に４０
０ｎｍ以上の表面粗さ（Ｒａ）に粗面化されていること
が望ましく、このように粗面化することにより絶縁基板
２と間のアンカーリングによって配線回路層３の絶縁基
板２への密着性を高めることができる。なお、上記表面
粗さが２００ｎｍより小さいと絶縁基板２と配線回路層
３との密着強度が不足する恐れがあり、特に、図１にお
いて、金具取り付け部、コネクタ取り付け部、他の基板
の金具との接触部となる配線回路層３ｃにおいては、金
具、コネクタ等の配線基板への取り付け信頼性を損ねる
虞がある。

【００３１】図１に示したような本発明の配線基板にお
いては、絶縁基板２は、少なくとも熱硬化性樹脂を含有
するものであるが、含有される熱硬化性樹脂としては、
絶縁材料としての電気的特性、耐熱性、および機械的強
度を有する熱硬化性樹脂であれば特に限定されるもので
なく、例えば、アラミド樹脂、フェノール樹脂、エポキ
シ樹脂、イミド樹脂、フッ素樹脂、フェニレンエーテル
樹脂、ビスマイレイドトリアジン樹脂、ユリア樹脂、メ
ラミン樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、アリル樹脂等が、単独またはそれらの
２種以上の組み合わせ等によって構成される。

【００３２】また、上記の絶縁基板２中には、絶縁基板
あるいは配線基板全体の強度を高めるために、前記有機
樹脂に対してフィラーを複合化させることもできる。有
機樹脂と複合化されるフィラーとしては、ＳｉＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＡｌＮ、ＳｉＣ、Ｂａ
ＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ゼオライト、ＣａＴｉＯ₃、
ほう酸アルミニウム等の無機質フィラーが好適に用いら
れる。また、ガラスやアラミド樹脂からなる不織布、織
布などに上記樹脂を含浸させて用いてもよい。

【００３３】有機樹脂とフィラーとは、体積比率で３
０：７０〜７０：３０の比率で複合化されるのが適当で
ある。

【００３４】また、配線回路層間を接続するビアホール
導体４は、銅粉末、銀粉末、銀被覆銅粉末、銅銀合金な
どの、平均粒径が０．５〜５０μｍの金属粉末を充填し
て形成されたものであることが望ましい。このような金
属粉末の充填によれば、後述する通り、ビアホール導体
を任意の層間に形成することができるために、高密度配
線化を図る上で非常に有効である。

【００３５】また、配線回路層３は、銅、アルミニウ
ム、金、銀の群から選ばれる少なくとも１種、または２
種以上の合金からなることが望ましく、特に、銅、また
は銅を含む合金が最も望ましい。また、場合によって
は、導体組成物として回路の抵抗調整のためにＮｉ−Ｃ
ｒ合金などの高抵抗の金属を混合、または合金化しても
よい。

【００３６】上記ビアホール導体および配線回路層に
は、低抵抗化のために、前記低抵抗金属よりも低融点の
金属、例えば、半田、錫などの低融点金属を導体組成物
中の金属成分中に７０重量％以下の割合で含んでもよ
い。

【００３７】なお、本発明の多層配線基板によれば、必
要に応じて、上記のようにして作製された配線基板の表
面に、さらに微細で高密度の配線回路層を形成すること
を目的として、例えば、この配線基板をコア基板とし、
その表面にビルドアップ法により感光性樹脂からなる絶
縁層と、メッキなどの薄膜形成法により形成された配線
回路層やビアホール導体を順次積層して、高密度の配線
基板を作製することもできる。

【００３８】次に、本発明の多層配線基板の製造工程を
図面をもとに説明する。図３は、本発明の多層配線基板
の製造工程を説明するための図である。

【００３９】図３によれば、まず、図３（ａ）に示すよ
うに、熱硬化性樹脂を含む未硬化または軟質（Ｂステー
ジ状態）の第１の絶縁シート１１を作製する。また、こ
の絶縁シート１１には、図３（ｂ）に示すように、所望
により厚み方向に貫通するスルーホール１２を形成し、
そのスルーホール内に前述したような金属粉末と、適宜
有機樹脂、ビヒクル等を添加し混合した導体ペーストを
スクリーン印刷や吸引処理しながら充填して、ビアホー
ル導体１３を形成する。

【００４０】次に、全面に所定の厚さｔ₁を有する金属
箔を接着した転写シートを、フォトレジストなどの方法
で加工して、図３（ｃ）に示すような、配線回路層１５
ａを表面に形成した転写シート１６ａを作製する。

【００４１】そして、図３（ｄ）に示すように、絶縁シ
ート１１に配線回路層１５ａが対面するように転写シー
ト１６ａを積層し、圧力１０〜５００ｋｇ／ｃｍ²程度
の圧力で印加して、絶縁シート１１の表面に配線回路層
１５ａを埋設させた後、図３（ｅ）に示すように、転写
シート１６ａを剥離することにより、配線回路層１５ａ
を絶縁シート１１に転写させる。

【００４２】次に、図３（ｃ）〜図３（ｅ）と同様に、
厚さｔ₂の金属箔を加工して、配線回路層１５ｂを表面
に形成した転写シートを作製し、これを前記配線回路層
１５ａが形成された絶縁シート１１に積層、圧力印加
後、転写シートを剥離して、絶縁シート１１の表面に配
線回路層１５ｂを転写させる。

【００４３】この図３（ｃ）〜（ｅ）の工程を、必要に
応じ繰り返し、図３（ｆ）に示すような絶縁シート１１
の表面に、厚みの異なる複数種の配線回路層１５ａ、１
５ｂ、１５ｃを形成することができる。

【００４４】そして、上記図３（ａ）〜図３（ｅ）の工
程と同様にして、また、必要に応じして厚さの異なる複
数種の配線回路層１５ａ，１５ｂ，１５ｃを形成した、
複数の絶縁シート１７、１８を積層圧着する。

【００４５】その後、この積層物を絶縁シート中の熱硬
化性樹脂が硬化するに十分な温度に加熱して一括して完
全硬化させることにより、本発明の多層配線基板を形成
することができる。

【００４６】なお、上記の製造方法において、用いられ
る熱硬化性樹脂を含有する絶縁シートは、前述した熱硬
化性有機樹脂、または熱硬化性有機樹脂とフィラーなど
の組成物を混練機や３本ロールなどの手段によって十分
に混合し、これを圧延法、押し出し法、射出法、ドクタ
ーブレード法などによってシート状に成形する。また、
所望により熱処理して熱硬化性樹脂を半硬化させる。半
硬化には、樹脂が完全硬化するに十分な温度よりもやや
低い温度に加熱する。

【００４７】また、絶縁シートへのスルーホール（ビア
ホール）の形成は、ドリル、パンチング、サンドブラス
ト、あるいは炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、及びエキ
シマレーザ等の照射による加工など公知の方法が採用さ
れる。これらの絶縁シートは、前述した種々の絶縁材料
の中でも、パンチング又はレーザーによる加工の容易性
の点から、エポキシ樹脂、イミド樹脂およびフェニレン
エーテル樹脂のうちの少なくとも１種と、シリカ、ガラ
ス繊維およびアラミド不織布のうちの少なくとも１種と
の複合体からなることが最も望ましい。

【００４８】上記の製造方法によれば、絶縁シート１１
の表面に転写する配線回路層１５ａ、１５ｂ，１５ｃの
断面形状を前記図２に示したように所定の略台形形状と
することにより、配線回路層１５を絶縁シート１１表面
に圧接した際に、絶縁シート１１における配線回路層１
５の周辺部の変形が抑制される結果、その圧力が配線回
路層１５の略逆台形の横辺、底辺にわたって、絶縁シー
トと圧接される結果、配線回路層１５の断面が矩形（長
方形）の場合に比較して、配線回路層１５の絶縁シート
１１への密着性を大幅に向上させることができる。

【００４９】転写シート表面に形成される配線回路層の
断面を前述したような略台形形状、特に形成角θが４５
°〜８０°の略台形形状とするには、例えば、転写シー
ト表面に張りつけた金属箔の表面に回路パターンのレジ
スト層を付設した後、エッチング法により非レジスト領
域をエッチング除去する際に、エッチング速度を２〜５
０μｍ／分にすればよい。

【００５０】また、本発明によれば、絶縁シート１１に
転写される配線回路層１５の絶縁シート１１側の表面粗
さを２００ｎｍ以上とするには、転写シート表面に形成
された配線回路層１５の表面を、例えばギ酸あるいはＮ
ａＣｌＯ₂、ＮａＯＨ、Ｎａ₃ＰＯ₄の混合液等で表面
処理する。この表面粗さは、粗化速度で制御でき、１μ
ｍ／分以上の粗化速度で良好に粗化できる。

【００５１】

【実施例】（１）ガラス繊維の織布にポリフェニレンエ
ーテルを含浸して作製した１００μｍのプリプレグに、
炭酸ガスレーザーで直径０．１ｍｍのビアホールを形成
し、そのホール内に銀をメッキした銅粉末（平均粒径６
μｍ）を含む銅ペーストを充填してビアホール導体を形
成した。

【００５２】（２）一方、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）樹脂からなる転写シートの表面に接着剤を塗
布し、厚さ９μｍ、表面粗さ０．６μｍの銅箔を一面に
接着した。そして、フォトレジスト（ドライフィルム）
を塗布し露光現像を行った後、これを塩化第二鉄溶液中
に浸漬して非パターン部をエッチング除去して配線回路
層を形成した。なお、作製した配線回路層は、線幅が２
０μｍ、配線と配線との間隔が２０μｍの微細なパター
ンである。

【００５３】（３）また、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）樹脂からなる別の転写シートの表面に接着剤
を塗布し、厚さ１８μｍ、表面粗さ０．８μｍの銅箔を
一面に接着した。そして、フォトレジスト（ドライフィ
ルム）を塗布し露光現像を行った後、これを塩化第二鉄
溶液中に浸漬して非パターン部をエッチング除去して配
線回路層を形成した。なお、作製した配線回路層は、線
幅が５０μｍ、配線と配線との間隔が５０μｍのパター
ンである。

【００５４】（４）さらに、ポリエチレンテレフタレー
ト（ＰＥＴ）樹脂からなるさらに別の転写シートの表面
に接着剤を塗布し、厚さ５０μｍ、表面粗さ１．２μｍ
の銅箔を一面に接着した。そして、フォトレジスト（ド
ライフィルム）を塗布し露光現像を行った後、これを塩
化第二鉄溶液中に浸漬して非パターン部をエッチング除
去して配線回路層を形成した。なお、作製した配線回路
層は、線幅が２００μｍ、配線と配線との間隔が２００
μｍのパターンである。なお、上記配線回路層の形成に
あたっては、エッチング速度を４０μｍ／分に設定し、
形成角θが６５°〜７５°の略台形形状となっているこ
とを確認した。

【００５５】（５）そして、（１）で作製したプリプレ
グに対して、（２）転写シートを、位置決めして３０ｋ
ｇ／ｃｍ²の圧力を加えて圧着した後、転写フィルムを
剥離して、配線回路層をプリプレグに転写し、同様に、
（３）（４）で作製した配線回路層を順次転写させた。

【００５６】（６）この厚さの異なる複数種の金属箔か
らなる配線回路層が形成されたプリプレグを中心に、そ
の上下面に（５）のようにして配線回路層が転写された
プリプレグを上下各２層づつ積層し３０ｋｇ／ｃｍ²の
圧力で圧着し、２００℃で１時間加熱して完全硬化させ
て多層配線基板を作製した。

【００５７】得られた多層配線基板に対して、断面にお
ける配線回路層やビアホール導体の形成付近を観察した
結果、ビアホール導体と配線回路層とは良好な接続状態
であり、各配線間の導通テストを行った結果、配線の断
線も認められなかった。得られた多層配線基板を湿度８
５％、温度８５℃の高温多湿雰囲気に１００時間放置し
たが、目視で判別できる程度の変化は生じていなかっ
た。

【００５８】また、本発明に基づき厚さ１８μｍの銅箔
からなる配線回路層に対して、回路を１ｃｍ幅に加工し
てピール強度（引き剥がし強度）を測定した結果、１．
５ｋｇ／ｃｍ²であり、高いピール強度を示した。

【００５９】

【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明によれば、
微細な回路形成、特にフリップチップ接続が可能なレベ
ルの微細な回路を形成可能な微細回路の形成が可能であ
り、かつ、コネクターや金具類、電池等大型の部品を接
続する部位に対して基板と銅箔との十分なピール強度を
確保しする多層配線基板を実現することを目的とするも
のである。さらに、本発明は、一部大電流が必要な回路
の形成も可能することができ、これにより高密度、高精
細、且つ多機能の配線基板を容易に形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の多層配線基板の概略断面図である。

【図２】本発明の多層配線基板における配線回路層の断
面図である。

【図３】本発明の多層配線基板の製造工程を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１多層配線基板２ａ〜２ｄ絶縁層２絶縁基板３、３ａ〜３ｄ配線回路層４ビアホール導体５半導体素子６金具

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０５Ｋ 3/46 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｅ // Ｈ０５Ｋ 3/20 3/20 Ａ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも熱硬化性樹脂を含む絶縁材料か
らなる絶縁層を積層してなる絶縁基板と、該絶縁基板の
表面および／または内部に形成された配線回路層と、前
記配線回路層間を電気的に接続するためのビアホール導
体を具備する多層配線基板において、少なくとも１層の
絶縁層内に、厚さの異なる配線回路層が形成されてなる
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】前記厚さの異なる複数の配線回路層が、前
記絶縁基板の表面に形成されてなる請求項１記載の多層
配線基板。
【請求項３】前記厚さの異なる複数の配線回路層が、前
記絶縁基板の内部に形成されてなる請求項１記載の多層
配線基板。
【請求項４】前記配線回路層が金属箔からなる請求項１
記載の多層配線基板。
【請求項５】前記配線回路層のうち、半導体素子または
半導体素子が収納されたパッケージが実装される配線回
路層が１８μｍ以下の厚さを有していることを特徴とす
る請求項１記載の多層配線基板。
【請求項６】前記配線回路層のうち、金具取り付け部、
コネクタ取り付け部、他の基板の金具との接触部となる
配線回路層が１２μｍ以上の厚さを有していることを特
徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項７】前記配線回路層のうち、１０Ａ以上の大電
流が印加される配線回路層が３５μｍ以上の厚さを有し
ていることを特徴とする請求項１記載の多層配線基板。
【請求項８】前記配線回路層のうち、前記絶縁基板表面
に形成された配線回路層が前記絶縁基板表面に埋設され
ており、その断面形状が、埋設側の辺が露出側の辺より
も長い略逆台形形状からなる請求項１記載の多層配線基
板。
【請求項９】前記ビアホール導体が、少なくとも金属粉
末の充填によって形成されてなることを特徴とする請求
項１記載の多層配線基板。
【請求項１０】複数の転写シートの表面に、それぞれ厚
さの異なる複数の配線回路層を形成する工程と、少なく
とも熱硬化性樹脂を含む未硬化または半硬化状態の絶縁
シートの表面に、前記転写シートの配線回路層を順次、
加圧転写させる工程と、前記絶縁シートを前記熱硬化性
樹脂が完全硬化するに十分な温度で加熱する工程とを具
備することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】前記配線回路層が金属箔からなる請求項
１０記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】前記転写シートの表面の配線回路層が、
転写シート全面に形成された金属層をエッチング処理し
て断面形状が台形状を有し、且つ表面が平均表面粗さ２
００ｎｍ以上に粗化処理されてなる請求項１０記載の多
層配線基板の製造方法。