JPH11340448A - 光学装置 - Google Patents
光学装置Info
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- JPH11340448A JPH11340448A JP10148599A JP14859998A JPH11340448A JP H11340448 A JPH11340448 A JP H11340448A JP 10148599 A JP10148599 A JP 10148599A JP 14859998 A JP14859998 A JP 14859998A JP H11340448 A JPH11340448 A JP H11340448A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の光学装置では、撮像素子の周囲に空間
を形成する必要性から小型化、薄型化は難しく、また薄
型化するためにカバーガラスを撮像素子の撮像面に近づ
けるとα線起因の欠陥が発生した。 【解決手段】 撮像素子１２、カバーガラス１３、撮像
素子１２を駆動する電気回路および撮像素子１２の出力
をビデオ信号に変換もしくは加工する電気回路等の信号
処理回路部１４等を備えた光学装置１であって、カバー
ガラス１３は、撮像素子１２を覆う状態に設けられ、α
線表面密度が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下
の光学ガラス、すなわちカバーガラス１３に含まれるウ
ランが３０ｐｐｂ以下でかつトリウムが３０ｐｐｂ以下
の光学ガラスで形成されている。
を形成する必要性から小型化、薄型化は難しく、また薄
型化するためにカバーガラスを撮像素子の撮像面に近づ
けるとα線起因の欠陥が発生した。 【解決手段】 撮像素子１２、カバーガラス１３、撮像
素子１２を駆動する電気回路および撮像素子１２の出力
をビデオ信号に変換もしくは加工する電気回路等の信号
処理回路部１４等を備えた光学装置１であって、カバー
ガラス１３は、撮像素子１２を覆う状態に設けられ、α
線表面密度が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下
の光学ガラス、すなわちカバーガラス１３に含まれるウ
ランが３０ｐｐｂ以下でかつトリウムが３０ｐｐｂ以下
の光学ガラスで形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学装置に関し、
詳しくは撮像素子を覆うカバーガラスが設けられた光学
装置に関する。
詳しくは撮像素子を覆うカバーガラスが設けられた光学
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学撮像モジュールを図６を参照
して説明する。この光学撮像モジュールは、支持台１１
１、撮像素子１１２、カバーガラス１１３、信号処理回
路部１１４、および図示を省略した光学レンズを備え、
これらは一体的にユニットとして構成されている。撮像
素子１１２は支持台１１１に装着されている。この支持
台１１１の撮像素子１１２が装着されている周囲には連
続した状態に凸部１１５が形成されている。この凸部１
１５上にはカバーガラス１１３が装着され、支持台１１
１、凸部１１５、カバーガラス１１３によって気密空間
１１６が形成されている。したがって、気密空間１１６
の内部に上記撮像素子１１２が装着されている。上記撮
像素子１１２はボンディングワイヤ（図示省略）を介し
て支持台１１１に形成された導電部（図示省略）に電気
的に接続されている。さらに支持台１１１には信号処理
回路部１１４が形成され、所定の電気信号が得られるよ
うに、信号処理回路部１１４同士、上記導電部等に電気
的に接続されている。なお、図示はしないが、凸部１１
５を設けるかわりに支持台１１１に凹部を設けて、その
凹部内に撮像素子１１２を装着することも可能である。
して説明する。この光学撮像モジュールは、支持台１１
１、撮像素子１１２、カバーガラス１１３、信号処理回
路部１１４、および図示を省略した光学レンズを備え、
これらは一体的にユニットとして構成されている。撮像
素子１１２は支持台１１１に装着されている。この支持
台１１１の撮像素子１１２が装着されている周囲には連
続した状態に凸部１１５が形成されている。この凸部１
１５上にはカバーガラス１１３が装着され、支持台１１
１、凸部１１５、カバーガラス１１３によって気密空間
１１６が形成されている。したがって、気密空間１１６
の内部に上記撮像素子１１２が装着されている。上記撮
像素子１１２はボンディングワイヤ（図示省略）を介し
て支持台１１１に形成された導電部（図示省略）に電気
的に接続されている。さらに支持台１１１には信号処理
回路部１１４が形成され、所定の電気信号が得られるよ
うに、信号処理回路部１１４同士、上記導電部等に電気
的に接続されている。なお、図示はしないが、凸部１１
５を設けるかわりに支持台１１１に凹部を設けて、その
凹部内に撮像素子１１２を装着することも可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光学撮像モジュールでは、撮像素子の周囲に空間を形成
する必要があるため、支持台には凸部を設ける必要があ
る。または凹部を設ける必要がある。いずれにしても撮
像素子の厚さ（通常０．４ｍｍ〜０．６ｍｍ）とボンデ
ィングワイヤの高さ（通常０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ）の
余裕をみて気密空間は約１．０ｍｍ程度の高さが必要と
なり、小型化、薄型化には不利であった。また、通常の
撮像素子では、α線起因の欠陥が発生することが知られ
ている。それは、カバーガラスが撮像素子の撮像面に近
いものほど、その影響が大きくなる。
光学撮像モジュールでは、撮像素子の周囲に空間を形成
する必要があるため、支持台には凸部を設ける必要があ
る。または凹部を設ける必要がある。いずれにしても撮
像素子の厚さ（通常０．４ｍｍ〜０．６ｍｍ）とボンデ
ィングワイヤの高さ（通常０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ）の
余裕をみて気密空間は約１．０ｍｍ程度の高さが必要と
なり、小型化、薄型化には不利であった。また、通常の
撮像素子では、α線起因の欠陥が発生することが知られ
ている。それは、カバーガラスが撮像素子の撮像面に近
いものほど、その影響が大きくなる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされた光学装置である。すなわち、撮像
素子、該撮像素子を駆動する電気回路、および該撮像素
子の出力をビデオ信号に変換もしくは加工する電気回路
を備えた光学装置において、撮像素子を覆う状態にカバ
ーガラスが設けられ、このカバーガラスはα線表面密度
が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下の光学ガラ
スからなるものであり、その組成に含まれるウランは３
０ｐｐｂ以下、およびトリウムは３０ｐｐｂ以下とす
る。
決するためになされた光学装置である。すなわち、撮像
素子、該撮像素子を駆動する電気回路、および該撮像素
子の出力をビデオ信号に変換もしくは加工する電気回路
を備えた光学装置において、撮像素子を覆う状態にカバ
ーガラスが設けられ、このカバーガラスはα線表面密度
が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下の光学ガラ
スからなるものであり、その組成に含まれるウランは３
０ｐｐｂ以下、およびトリウムは３０ｐｐｂ以下とす
る。
【０００５】上記光学装置では、カバーガラスはα線表
面密度が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下の光
学ガラスからなることから、カバーガラスに含まれるウ
ランは３０ｐｐｂ以下、およびトリウムは３０ｐｐｂ以
下とする必要がある。その結果、カバーガラスから放射
される放射線は撮像素子に影響を及ぼす量には至らな
い。そのため、撮像素子をバンプによってカバーガラス
に装着することで、光学装置の薄型化を可能にする。
面密度が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下の光
学ガラスからなることから、カバーガラスに含まれるウ
ランは３０ｐｐｂ以下、およびトリウムは３０ｐｐｂ以
下とする必要がある。その結果、カバーガラスから放射
される放射線は撮像素子に影響を及ぼす量には至らな
い。そのため、撮像素子をバンプによってカバーガラス
に装着することで、光学装置の薄型化を可能にする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の光学装置に係わる第１の
実施形態の一例を、図１の概略構成図によって説明す
る。なお、図１では一部を断面で示した。
実施形態の一例を、図１の概略構成図によって説明す
る。なお、図１では一部を断面で示した。
【０００７】図１に示すように、光学装置１は、支持台
１１、撮像素子１２、カバーガラス１３、信号処理回路
部１４、図示を省略した光学レンズ部を備え、これらは
一体的にユニットとして構成されている。すなわち、支
持台１１には撮像素子１２が装着され、この撮像素子１
２はバンプ１５を介してカバーガラス１３に形成されて
いる導電部１６に電気的に接続されている。その導電部
１６にはフレキシブル配線基板１７の一端側が接続され
ている。そのフレキシブル配線基板１７の他端側は、上
記支持台１１に装着されていて、この支持台１１に形成
されている信号処理回路部１４に電気的に接続されてい
る。この信号処理回路部１４は、例えば上記撮像素子１
２を駆動する電気回路であり、上記撮像素子１２の出力
をビデオ信号に変換もしくは加工する電気回路である。
１１、撮像素子１２、カバーガラス１３、信号処理回路
部１４、図示を省略した光学レンズ部を備え、これらは
一体的にユニットとして構成されている。すなわち、支
持台１１には撮像素子１２が装着され、この撮像素子１
２はバンプ１５を介してカバーガラス１３に形成されて
いる導電部１６に電気的に接続されている。その導電部
１６にはフレキシブル配線基板１７の一端側が接続され
ている。そのフレキシブル配線基板１７の他端側は、上
記支持台１１に装着されていて、この支持台１１に形成
されている信号処理回路部１４に電気的に接続されてい
る。この信号処理回路部１４は、例えば上記撮像素子１
２を駆動する電気回路であり、上記撮像素子１２の出力
をビデオ信号に変換もしくは加工する電気回路である。
【０００８】上記カバーガラス１３は、撮像素子１２に
発生する欠陥を可能な限り抑制する必要がある。そこで
カバーガラス１３は、このカバーガラス１３から放射さ
れるα線量がα線表面密度で０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃ
ｍ2 ・ｈ）以下のものからなる。可能であるならば、α
線表面密度は０であることが望ましい。したがって、カ
バーガラス１３の組成に占めるウランが３０ｐｐｂ以
下、トリウムが３０ｐｐｂ以下の光学ガラス、例えばホ
ウケイ酸ガラスもしくはホウケイ酸ナトリウムガラスの
ような光学ガラスを用いる。可能であるならば、カバー
ガラス１３の組成に占めるウラン、トリウムの量は０で
あることが望ましい。さらにカバーガラス１３は通常、
良く知られた方法で研磨加工され、所定の寸法に仕上げ
られている。
発生する欠陥を可能な限り抑制する必要がある。そこで
カバーガラス１３は、このカバーガラス１３から放射さ
れるα線量がα線表面密度で０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃ
ｍ2 ・ｈ）以下のものからなる。可能であるならば、α
線表面密度は０であることが望ましい。したがって、カ
バーガラス１３の組成に占めるウランが３０ｐｐｂ以
下、トリウムが３０ｐｐｂ以下の光学ガラス、例えばホ
ウケイ酸ガラスもしくはホウケイ酸ナトリウムガラスの
ような光学ガラスを用いる。可能であるならば、カバー
ガラス１３の組成に占めるウラン、トリウムの量は０で
あることが望ましい。さらにカバーガラス１３は通常、
良く知られた方法で研磨加工され、所定の寸法に仕上げ
られている。
【０００９】本発明の光学装置に係わる第２の実施形態
の一例を、図２の概略構成図によって説明する。なお、
図２では一部を断面で示した。以下、前記図１によって
説明した構成部品と同様のものには同一符号を付与して
説明する。
の一例を、図２の概略構成図によって説明する。なお、
図２では一部を断面で示した。以下、前記図１によって
説明した構成部品と同様のものには同一符号を付与して
説明する。
【００１０】図２に示すように、光学装置２は、支持台
１１、撮像素子１２、カバーガラス１３、信号処理回路
部１４、図示を省略した光学レンズ部を備え、これらは
一体的にユニットとして構成されている。すなわち、支
持台１１には凹部２１が形成され、その凹部２１内に撮
像素子１２が装着されている。この撮像素子１２はバン
プ１５を介してカバーガラス１３に形成されている導電
部１６に電気的に接続されている。その導電部１６には
フレキシブル配線基板１７の一端側が接続されている。
そのフレキシブル配線基板１７の他端側は、上記支持台
１１に装着されていて、この支持台１１に形成されてい
る信号処理回路部１４に電気的に接続されている。この
信号処理回路部１４は、例えば上記撮像素子１２を駆動
する電気回路であり、上記撮像素子１２の出力をビデオ
信号に変換もしくは加工する電気回路である。
１１、撮像素子１２、カバーガラス１３、信号処理回路
部１４、図示を省略した光学レンズ部を備え、これらは
一体的にユニットとして構成されている。すなわち、支
持台１１には凹部２１が形成され、その凹部２１内に撮
像素子１２が装着されている。この撮像素子１２はバン
プ１５を介してカバーガラス１３に形成されている導電
部１６に電気的に接続されている。その導電部１６には
フレキシブル配線基板１７の一端側が接続されている。
そのフレキシブル配線基板１７の他端側は、上記支持台
１１に装着されていて、この支持台１１に形成されてい
る信号処理回路部１４に電気的に接続されている。この
信号処理回路部１４は、例えば上記撮像素子１２を駆動
する電気回路であり、上記撮像素子１２の出力をビデオ
信号に変換もしくは加工する電気回路である。
【００１１】上記カバーガラス１３には、先に説明した
のと同様に、カバーガラス１３から放射されるα線量が
α線表面密度で０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以
下のものを用いる。したがって、カバーガラス１３の組
成に占めるウランが３０ｐｐｂ以下、トリウムが３０ｐ
ｐｂ以下の光学ガラス、例えばホウケイ酸ガラスもしく
はホウケイ酸ナトリウムガラスを用いる。さらにカバー
ガラス１３は通常、良く知られた方法で研磨加工され、
所定の寸法に仕上げられている。
のと同様に、カバーガラス１３から放射されるα線量が
α線表面密度で０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以
下のものを用いる。したがって、カバーガラス１３の組
成に占めるウランが３０ｐｐｂ以下、トリウムが３０ｐ
ｐｂ以下の光学ガラス、例えばホウケイ酸ガラスもしく
はホウケイ酸ナトリウムガラスを用いる。さらにカバー
ガラス１３は通常、良く知られた方法で研磨加工され、
所定の寸法に仕上げられている。
【００１２】上記光学装置１，２では、カバーガラス１
３はα線表面密度が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・
ｈ）以下の光学ガラスからなることから、カバーガラス
１３に含まれるウランは３０ｐｐｂ以下、およびトリウ
ムは３０ｐｐｂ以下となり、カバーガラス１３から放射
される放射線は撮像素子１２に影響を及ぼすものではな
い。そのため、撮像素子１２をバンプ１５によってカバ
ーガラス１３に装着することが可能になるので、光学装
置１，２の薄型化が可能になる。さらに光学装置２で
は、凹部２１に撮像素子１２を装着できるので、光学装
置１よりも薄型化できる。
３はα線表面密度が０．０１ｃｏｕｎｔ／（ｃｍ2 ・
ｈ）以下の光学ガラスからなることから、カバーガラス
１３に含まれるウランは３０ｐｐｂ以下、およびトリウ
ムは３０ｐｐｂ以下となり、カバーガラス１３から放射
される放射線は撮像素子１２に影響を及ぼすものではな
い。そのため、撮像素子１２をバンプ１５によってカバ
ーガラス１３に装着することが可能になるので、光学装
置１，２の薄型化が可能になる。さらに光学装置２で
は、凹部２１に撮像素子１２を装着できるので、光学装
置１よりも薄型化できる。
【００１３】次に上記撮像素子１２とカバーガラス１３
の導電部１６との接合に関して、前記図１，図２および
図３によって説明する。
の導電部１６との接合に関して、前記図１，図２および
図３によって説明する。
【００１４】図３に示すように、上記カバーガラス１３
の一方の面に導電部１６が形成されている。この導電部
１６は、装着する撮像素子１２に形成されているバンプ
（図１もしくは図２参照）の大きさおよびバンプ同士の
間隔等に合わせて、導電部１６におけるバンプとの接合
部の大きさ、導電部１６同士の間隔が設定されている。
の一方の面に導電部１６が形成されている。この導電部
１６は、装着する撮像素子１２に形成されているバンプ
（図１もしくは図２参照）の大きさおよびバンプ同士の
間隔等に合わせて、導電部１６におけるバンプとの接合
部の大きさ、導電部１６同士の間隔が設定されている。
【００１５】上記光学装置１，２では、撮像素子１２を
支持台１１に装着し、撮像素子１２に形成されているバ
ンプ１５とカバーガラス１３の導電部１６とを接続す
る。このバンプ１５の材質は金が適しているが、他の導
電材料で形成してもよい。また導電部１６は金、アルミ
ニウムが適しているが、他の導電材料で形成してもよ
い。また接合には温度と超音波を併用する場合と、異方
性導電接着剤を使用する場合とがあり、いずれの方法も
適用することが可能である。
支持台１１に装着し、撮像素子１２に形成されているバ
ンプ１５とカバーガラス１３の導電部１６とを接続す
る。このバンプ１５の材質は金が適しているが、他の導
電材料で形成してもよい。また導電部１６は金、アルミ
ニウムが適しているが、他の導電材料で形成してもよ
い。また接合には温度と超音波を併用する場合と、異方
性導電接着剤を使用する場合とがあり、いずれの方法も
適用することが可能である。
【００１６】このようにして接合された撮像素子１２と
カバーガラス１３との間隙は約０．１ｍｍ以下になり、
高さ（厚さ）方向の寸法は極めて小さくなる、撮像素子
１２の厚さを０．５ｍｍ、カバーガラス１３の厚さを
０．５ｍｍとすると、両者を接続した後の高さは１．１
ｍｍとなり、これに支持台１１、信号処理回路部１４の
高さが全体の高さになる。概略２ｍｍ以下には収まる寸
法となる。全体で２ｍｍ程度の中で従来必要であった約
１ｍｍの高さを有する空間を除去できるのは、光学装置
の薄型化の効果としては大きい。
カバーガラス１３との間隙は約０．１ｍｍ以下になり、
高さ（厚さ）方向の寸法は極めて小さくなる、撮像素子
１２の厚さを０．５ｍｍ、カバーガラス１３の厚さを
０．５ｍｍとすると、両者を接続した後の高さは１．１
ｍｍとなり、これに支持台１１、信号処理回路部１４の
高さが全体の高さになる。概略２ｍｍ以下には収まる寸
法となる。全体で２ｍｍ程度の中で従来必要であった約
１ｍｍの高さを有する空間を除去できるのは、光学装置
の薄型化の効果としては大きい。
【００１７】さらに、上記信号処理回路部１４を、支持
台１１の撮像素子１２を設けた側の面に形成する構造と
すれば、さらに光学装置１，２の高さを低くできる。そ
れらは、光学装置１，２を使用する機器に応じて選択す
ればよい。
台１１の撮像素子１２を設けた側の面に形成する構造と
すれば、さらに光学装置１，２の高さを低くできる。そ
れらは、光学装置１，２を使用する機器に応じて選択す
ればよい。
【００１８】実際には、上記説明した光学装置１，２は
光学レンズ部を併せ持つユニットとして構成される。そ
の構成の概略を、図４の概略構成図によって説明する。
なお図４では、代表として光学装置２を示し、一部を断
面で示した。
光学レンズ部を併せ持つユニットとして構成される。そ
の構成の概略を、図４の概略構成図によって説明する。
なお図４では、代表として光学装置２を示し、一部を断
面で示した。
【００１９】図４に示す光学装置２には、撮像素子１２
の撮影側の上方にカバーガラス１３を介して上記光学レ
ンズ部２１が設置されている。この光学レンズ部２１
は、レンズ２２の他に図示せぬレンズ支持具、絞り、光
学ローパスフィルタ等で構成されている。このように、
撮像素子１２の上方に光学レンズ２２を配置するが、焦
点距離の大きいレンズを使用する場合には、その分だけ
上方に配置する必要があり高さ方向に光学装置２は大き
くなる。
の撮影側の上方にカバーガラス１３を介して上記光学レ
ンズ部２１が設置されている。この光学レンズ部２１
は、レンズ２２の他に図示せぬレンズ支持具、絞り、光
学ローパスフィルタ等で構成されている。このように、
撮像素子１２の上方に光学レンズ２２を配置するが、焦
点距離の大きいレンズを使用する場合には、その分だけ
上方に配置する必要があり高さ方向に光学装置２は大き
くなる。
【００２０】そこで本発明の利点を生かした高さを最小
限にするには、図５に示すように、撮像素子１２の撮影
側の上方にカバーガラス１３を介してプリズム２３（ま
たは反射鏡）を配置し、光学レンズ部２１は側方へ配置
する構成とすることが好ましい。なお図５では一部を断
面で示した。
限にするには、図５に示すように、撮像素子１２の撮影
側の上方にカバーガラス１３を介してプリズム２３（ま
たは反射鏡）を配置し、光学レンズ部２１は側方へ配置
する構成とすることが好ましい。なお図５では一部を断
面で示した。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の光学装置
によれば、カバーガラスはα線表面密度が０．０１ｃｏ
ｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下の光学ガラスからなるの
で、カバーガラスに含まれるウランは３０ｐｐｂ以下、
およびトリウムは３０ｐｐｂ以下となり、カバーガラス
から放射される放射線は撮像素子に影響を及ぼさない程
度の量となる。そのため、撮像素子におけるα線起因の
欠陥発生を防止できる。また撮像素子をバンプによって
カバーガラスに装着することが可能になるので、光学装
置の薄型化を図ることが可能になる。
によれば、カバーガラスはα線表面密度が０．０１ｃｏ
ｕｎｔ／（ｃｍ2 ・ｈ）以下の光学ガラスからなるの
で、カバーガラスに含まれるウランは３０ｐｐｂ以下、
およびトリウムは３０ｐｐｂ以下となり、カバーガラス
から放射される放射線は撮像素子に影響を及ぼさない程
度の量となる。そのため、撮像素子におけるα線起因の
欠陥発生を防止できる。また撮像素子をバンプによって
カバーガラスに装着することが可能になるので、光学装
置の薄型化を図ることが可能になる。
【図１】本発明の光学装置に係わる第１の実施形態の概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】本発明の光学装置に係わる第２の実施形態の概
略構成図である。
略構成図である。
【図３】カバーガラスに形成されている導電部の説明図
である。
である。
【図４】光学レンズ部を備えた光学装置の概略構成図で
ある。
ある。
【図５】プリズムと光学レンズ部とを備えた光学装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図６】従来の光学撮像モジュールの概略構成図であ
る。
る。
１…光学装置、１２…撮像素子、１３…カバーガラス
Claims (4)
- 【請求項１】 撮像素子、該撮像素子を駆動する電気回
路、および該撮像素子の出力をビデオ信号に変換もしく
は加工する電気回路を備えた光学装置において、 前記撮像素子を覆う状態にカバーガラスが設けられ、 前記カバーガラスはα線表面密度が０．０１ｃｏｕｎｔ
／（ｃｍ2 ・ｈ）以下の光学ガラスからなることを特徴
とする光学装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光学装置において、 前記カバーガラスは、その組成に含まれるウランが３０
ｐｐｂ以下、およびトリウムが３０ｐｐｂ以下であるこ
とを特徴とする光学装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光学装置において、 前記カバーガラスに前記撮像素子がバンプを介して接合
されていることを特徴とする光学装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の光学装置において、 前記カバーガラスに前記撮像素子がバンプを介して接合
されていることを特徴とする光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148599A JPH11340448A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148599A JPH11340448A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340448A true JPH11340448A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15456375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10148599A Pending JPH11340448A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 光学装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340448A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005056999A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2007208045A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Sony Corp | 撮像装置、カメラモジュール、電子機器および撮像装置の製造方法 |
| JP2010283380A (ja) * | 2003-10-01 | 2010-12-16 | Optopac Inc | 光検出用半導体装置の電子パッケージおよびそのパッケージング方法 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10148599A patent/JPH11340448A/ja active Pending
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