JPH11340620A - 半田槽の消波装置 - Google Patents

半田槽の消波装置

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JPH11340620A
JPH11340620A JP14477298A JP14477298A JPH11340620A JP H11340620 A JPH11340620 A JP H11340620A JP 14477298 A JP14477298 A JP 14477298A JP 14477298 A JP14477298 A JP 14477298A JP H11340620 A JPH11340620 A JP H11340620A
Authority
JP
Japan
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solder
wave
soldering
substrate
jet
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Pending
Application number
JP14477298A
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English (en)
Inventor
Shintaro Uchida
新太郎 内田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ノズルの先端から噴流する半田を半田付け対象
に接触させることにより、半田付け対象を半田付けする
半田付け装置の噴流後の半田を溜める半田槽において、
酸化物の発生及び落下する半田のはね上がりを防止し得
る消波装置を提案する。 【解決手段】半田槽3内部においてノズル4、5から噴
流する半田7の落下位置ARに当該落下する半田7を整
流する消波部材40を設けることにより、落下する半田
7の乱流を回避して酸化物の発生を防止し得ると共に半
田7のはね上がりを回避して半田付け対象2、8に対し
て不要な半田の付着を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半田槽の消波装置に
関し、半田を噴流させながら当該半田に基板を接触させ
ることにより基板上の部品を基板に半田付けする装置の
半田の消波装置に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】従来、基板に種々の回路部品を半田付け
する装置として、回路部品を搭載した基板を噴流半田に
接触させるようにしたものがある。すなわち図9におい
て、基板に噴流半田を接触させる噴流半田槽装置1は半
田槽3の内部に1次ノズル4及び2次ノズル5が設けら
れており、半田槽3に溜められた半田7が噴流モータ
(図示せず)によつて1次ノズル4及び2次ノズル5の
各上部先端から上方に噴出する。これにより、1次ノズ
ル4から噴出する半田7の噴流部4Aが形成されると共
に、2次ノズル5から噴出する半田7の噴流部5Aが形
成される。
【0003】この状態において、矢印a方向に搬送され
る基板2は、1次ノズル4の上部においてその下面部2
Aを半田7の噴流部4Aに接触することにより、下面部
2Aに半田を接触させ、これにより基板2に載置された
回路部品8のリードを基板2の下面部2A側から半田付
けする。
【0004】また1次ノズル4の噴流部4Aからさらに
矢印a方向に搬送される基板2は、2次ノズル5の噴流
部5Aにおいて再びその下面部2Aが半田7に接触す
る。これにより、基板2はその下面部2Aにおける半田
7の付き状態が噴流部5Aにおいて整えられる。
【0005】かくして基板2の上面部2B側から基板2
に載置された回路部品8は、下面部2Aから半田付けさ
れる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、かかる噴流
半田槽装置1においては、1次ノズル4から噴出する半
田7による噴流部4Aから落下する半田と、2次ノズル
5から噴出する半田7による噴流部5Aから落下する半
田とが、図9の領域ARにおいて重なり合うことによ
り、当該領域ARにおいて半田7に乱流が発生し、この
結果酸化物(ドロス)が発生する問題があつた。酸化物
が発生した場合、この分、使用可能な半田7の量が減少
することになる。
【0007】また、当該領域ARにおいて、1次ノズル
4からの半田7の落下と2次ノズル5からの半田7の落
下とによつて半田7のはね上がりが発生し、このとき領
域ARの上部を通過する基板2にはね上がつた半田7が
不要な半田として付着し、基板2の下面部2Aにおいて
は半田7の付き状態にむらが生じる問題があつた。
【0008】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、酸化物の発生及び落下する半田のはね上がりを防止
し得る半田槽の消波装置を提案しようとするものであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、半田槽内部においてノズルから噴
流する半田の落下位置に当該落下する半田を整流する消
波部材を設けることにより、落下する半田の乱流が回避
されると共に半田のはね上がりが回避される。
【0010】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。
【0011】図9との対応部分に同一符号を付して示す
図1において10は全体として半田付け装置を示し、基
板2の両側縁部を支持するコンベア14によつて基板2
が矢印a方向に搬送される。これにより基板2は筐体1
1に設けられた開口部13から半田付け装置10の内部
に送り込まれる。
【0012】半田付け装置10はその内部においてコン
ベア14により基板2を矢印a方向に移動させ、まずフ
ラツクス塗布部15によつて基板2の下面部にフラツク
スを塗布し、これに続いて予熱部16により基板2を加
熱する。
【0013】そして、基板2が加熱されると半田付け装
置10は続く噴流半田槽部20において1次ノズル4及
び2次ノズル5の上部先端からそれぞれ上方に噴出する
半田に基板2の下面部を接触させながら当該基板2を矢
印a方向に移動させる。
【0014】噴流半田槽部20は図2に示すように、半
田槽3内に溜められた半田(図示せず)をヒータ23に
よつて加熱することにより半田を流動し得るように溶融
させ、噴流モータ25によつて当該半田を1次ノズル4
及び2次ノズル5から噴流させる。
【0015】これにより、図3に示すように、1次ノズ
ル4及び2次ノズル5の先端部から半田7が噴流する。
基板2はコンベア14によつて矢印a方向に搬送される
ことにより、1次ノズル4による半田7の噴流部4A及
び2次ノズル5による半田7の噴流部5Aにおいてそれ
ぞれ基板2の上面部2Bに載置された回路部品8のリー
ドを基板2の下面部2A側から基板2に対して半田付け
することができる。
【0016】このようにして噴流半田槽部20における
半田付け処理が終了すると、半田付け装置10はコンベ
ア14によつて基板2をさらに矢印a方向に進め、冷却
部30において冷却フアン31を用いた基板2の冷却を
行い、さらに爪洗浄部33において基板2のコンベア1
4による支持部等に付着した不要なフラツクスを除去す
る。
【0017】かくして半田付け装置10における基板2
の半田付け処理が完了し、コンベア14によつて基板2
が半田付け装置10の外部に搬出される。
【0018】ここで、図2及び図3に示すように、噴流
半田槽部20の内部には、1次ノズル4及び2次ノズル
に挟まれた位置にステンレス(SUS)材によつて形成
された消波ブロツク40が固定されている。この消波ブ
ロツク40は全体として略板状に形成され、図4に示す
ように、噴流半田槽部20の高さに応じた高さHと厚み
A(=30[mm])とによつて形成されている。
【0019】また当該消波ブロツク40は、その上部に
形成される先端部41に互いに角度θ(=30〜60
°)の関係を持つて鉛直方向に対して傾斜した傾斜面部
42A及び42Bを有する。
【0020】傾斜面部42A及び42Bは、図5及び図
6に示すように、上部から下部に向かつて形成された断
面R形状の溝部43をそれぞれ複数有する。かかる傾斜
面部42A及び42Bを有する消波ブロツク40は、1
次ノズル4及び2次ノズル5に挟まれた領域において、
2つの傾斜面部42A及び42Bの境界部44が当該領
域をほぼ二分する位置に配置される。
【0021】以上の構成において、1次ノズル4(図
3)から噴出する半田7は消波ブロツク40の一方の傾
斜面部42Aにほぼ鉛直方向に落下する。このとき傾斜
面部42Aに落下する半田7は、傾斜面部42Aの傾斜
によつてそのはね上がりが発生せず、傾斜面部42Aに
形成された複数の溝部43に沿つてその流れが整えられ
ながら下方に流れ、半田槽3の内部に滑らかに流れ落ち
る。
【0022】また2次ノズル5(図3)から噴出する半
田7は他方の傾斜面部42Bにほぼ鉛直方向に落下す
る。このとき傾斜面部42Bに落下する半田7は、傾斜
面部42Bの傾斜によつてそのはね上がりが発生せず、
傾斜面部42Bに形成された複数の溝部43に沿つてそ
の流れが整えられながら下方に流れ、半田槽3の内部に
滑らかに流れ落ちる。
【0023】傾斜面部42Aに沿つて半田槽3の内部に
流れ落ちる半田7と傾斜面部42Bに沿つて半田槽3の
内部に流れ落ちる半田7とは、消波ブロツク40によつ
て分離され、半田槽3の内部において互いに干渉せず、
当該干渉による半田7の乱流の発生が回避される。
【0024】かくして以上の構成によれば、半田槽3の
内部における半田7の乱流の発生が回避されることによ
り、当該乱流によつて生じる酸化物(ドロス)の発生を
防止し得ると共に、落下する噴流半田のはね上がりが回
避されることにより当該はね上がりによる基板2への半
田7の不要な付着を防止することができる。
【0025】なお上述の実施の形態においては、消波ブ
ロツク40の先端部41の傾斜面部42A及び42Bに
それぞれ断面R形状の溝部43を形成する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、例えば図7及び図8
に示すように、消波ブロツク50の先端部51の傾斜面
部52A及び52Bにそれぞれ上部から下部に向かつて
断面V字形状の溝部53を形成する等、溝部の形状は種
々の形状を適用することができる。
【0026】また上述の実施の形態においては、厚さ3
0[mm]の消波ブロツク40を用いる場合について述べた
が、消波ブロツク40の各部寸法はこれに限らず、半田
槽3及び噴流半田部4A、5Aの大きさに応じて種々の
寸法のものを用いることができる。
【0027】また上述の実施の形態においては、1次ノ
ズル4及び2次ノズル5間に消波ブロツク40を設ける
場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば
1次ノズル4と半田槽3の壁面との間、又は2次ノズル
5と半田槽3の壁面との間ににおいても消波ブロツクを
設けることにより半田のはね上がりや酸化物(ドロス)
の発生を防止することができる。この場合、消波ブロツ
クのノズル側においてのみ傾斜面部を形成するようにす
れば良い。
【0028】また上述の実施の形態においては、鉛直方
向に対して傾斜した傾斜面部42A、42Bを消波ブロ
ツク40の先端に形成する場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、要は所定方向に落下する半田に対し
て傾斜した傾斜面部であれば良く、鉛直方向に対して種
々の角度を適用し得る。
【0029】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、半田槽内
部においてノズルから噴流する半田の落下位置に当該落
下する半田を整流する消波部材を設けることにより、落
下する半田の乱流を回避して酸化物の発生を防止し得る
と共に半田のはね上がりを回避して半田付け対象に対し
て不要な半田の付着を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による半田槽の消波装置を用いた半田付
け装置の全体構成を示す斜視図である。
【図2】噴流半田槽部の構成を示す斜視図である。
【図3】噴流半田槽部の構成を示す断面図である。
【図4】本発明による消波部材(ブロツク)の構成を示
す側面図である。
【図5】消波部材の先端部形状を示す部分的斜視図であ
る。
【図6】消波部材の先端部に形成された溝部の構成を示
す平面図である。
【図7】他の実施の形態による消波部材の先端部形状を
示す部分的斜視図である。
【図8】他の実施の形態による消波部材の先端部に形成
された溝部の構成を示す平面図である。
【図9】従来の噴流半田槽装置の構成を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1……噴流半田槽装置、2……基板、3……半田槽、4
……1次ノズル、4A、5A……噴流部、5……2次ノ
ズル、7……半田、8……回路部品、14……コンベ
ア、15……フラツクス塗布部、16……予熱部、20
……噴流半田槽部、30……冷却部、40、50……消
波ブロツク、41、51……先端部、52A、42B、
52A、52B……傾斜面部、43、53……溝部。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ノズルの先端から噴流する半田を半田付け
    対象に接触させることにより、上記半田付け対象を半田
    付けする半田付け装置の上記噴流後の半田を溜める半田
    槽において、 上記噴流した半田の落下位置に設けられ、上記落下する
    半田を整流する消波部材を具えることを特徴とする半田
    槽の消波装置。
  2. 【請求項2】上記消波部材は、 上記落下する半田を所定の角度を以て受ける傾斜面部を
    具えることを特徴とする請求項1に記載の半田槽の消波
    装置。
  3. 【請求項3】上記傾斜面部は、 上部から下部に向かう複数の溝部を具えることを特徴と
    する請求項2に記載の半田槽の消波装置。
JP14477298A 1998-05-26 1998-05-26 半田槽の消波装置 Pending JPH11340620A (ja)

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