JPH11340737A - Dielectric oscillator - Google Patents
Dielectric oscillatorInfo
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- JPH11340737A JPH11340737A JP14801198A JP14801198A JPH11340737A JP H11340737 A JPH11340737 A JP H11340737A JP 14801198 A JP14801198 A JP 14801198A JP 14801198 A JP14801198 A JP 14801198A JP H11340737 A JPH11340737 A JP H11340737A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波送受信
機やマイクロ波シンセザイザ等に利用される誘電体発振
器に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dielectric oscillator used for a microwave transceiver, a microwave synthesizer, and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】図11は、例えば、特開平5−2983
5号公報に示された従来の可変容量ダイオードを用いた
誘電体発振器の構成を示す図で、1は電界効果トランジ
スタ(以下、FETという)、4は誘電体共振器、5
3,55は互いに直角に配置された第1のマイクロスト
リップ線路と第2のマイクロストリップ線路、14は可
変容量ダイオード、2,15は高インピーダンス線路、
50は負荷抵抗、16は制御電圧入力端子、56はスタ
ブ長可変開放スタブである。なお、13はグランドで、
これらのパターン及び電子部品は図示しない高周波基板
上に形成される。また、図12は、例えば,Avant
ek社のカタログ補足資料に示された可動短絡板を使用
して同調周波数を調整する誘電体発振器の断面図で、4
は誘電体共振器、26は可動短絡板、25は高周波基
板、23は金属ケース、27は金属フタである。2. Description of the Related Art FIG.
No. 5 shows a configuration of a conventional dielectric oscillator using a variable capacitance diode, wherein 1 is a field effect transistor (hereinafter referred to as FET), 4 is a dielectric resonator,
3, 55 are a first microstrip line and a second microstrip line arranged at right angles to each other, 14 is a variable capacitance diode, 2, 15 is a high impedance line,
50 is a load resistance, 16 is a control voltage input terminal, and 56 is a stub length variable open stub. 13 is a ground,
These patterns and electronic components are formed on a high-frequency board (not shown). FIG. 12 shows, for example, Avant
FIG. 4 is a cross-sectional view of a dielectric oscillator that adjusts the tuning frequency using a movable short-circuit plate shown in the supplementary material of the ek catalog.
Is a dielectric resonator, 26 is a movable short-circuit plate, 25 is a high-frequency substrate, 23 is a metal case, and 27 is a metal lid.
【0003】このような従来の誘電体発振器において
は、誘電体共振器4の誘電率と外形寸法とにより決まる
共振周波数により発振周波数が主に決定され、可動短絡
板26と誘電体共振器4との間隔(図12)あるいは可
変容量ダイオード14のキャパシタンス制動電圧(図1
1)により上記発振周波数の微調整を行う。また、誘電
体発振器の出力電力,位相雑音,周波数同調感度等は、
上記可動短絡板26と誘電体共振器4との間隔あるいは
可変容量ダイオード14のキャパシタンス制動電圧や、
FET1のゲート端子に接続された第1のマイクロスト
リップ線路56及び可変容量ダイオード14に接続され
た第2のマイクロストリップ線路53と誘電体共振器4
との位置とにより決まる結合量をパラメータとした共振
回路の負荷Q値で決定される。この誘電体発振回路が発
振するためには、上記FET1のゲート端子からみた、
能動型共振回路21の反射係数Γaと誘電体共振回路2
0の反射係数Γrとの関係が、以下の式(1),(2)
で表せる条件を満定することが必要である。 |Γa|・|Γr|>1 ‥‥(1) ∠Γa+∠Γr=2nπ (n:整数)‥‥(2) この条件は、上記FET1で負性抵抗を構成し、正帰還
をかけることで構成できる。In such a conventional dielectric oscillator, the oscillation frequency is mainly determined by the resonance frequency determined by the dielectric constant and the external dimensions of the dielectric resonator 4, and the movable short-circuit plate 26, the dielectric resonator 4 and 12 (FIG. 12) or the capacitance braking voltage of the variable capacitance diode 14 (FIG. 1).
Fine adjustment of the oscillation frequency is performed according to 1). The output power, phase noise, frequency tuning sensitivity, etc. of the dielectric oscillator
The distance between the movable short-circuit plate 26 and the dielectric resonator 4 or the capacitance braking voltage of the variable capacitance diode 14,
The first microstrip line 56 connected to the gate terminal of the FET 1, the second microstrip line 53 connected to the variable capacitance diode 14, and the dielectric resonator 4
Is determined by the load Q value of the resonance circuit using the coupling amount determined by the position of the resonance circuit as a parameter. In order for this dielectric oscillation circuit to oscillate, as viewed from the gate terminal of the FET1,
Reflection coefficient Γa of active resonance circuit 21 and dielectric resonance circuit 2
The relationship between 0 and the reflection coefficient Γr is expressed by the following equations (1) and (2).
It is necessary to satisfy the condition that can be expressed by. | Γa | · | Γr |> 1 ‥‥ (1) ∠Γa + ∠Γr = 2nπ (n: integer) ‥‥ (2) Can be configured.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来の誘電
体発振器では、発振回路部が、ある特定の共振周波数を
もつ誘電体共振器4においてのみ最適な発振条件となる
ように構成されており、発振周波数の可変範囲は可変容
量ダイオード14または可動短絡板26の調整の範囲内
に限られていた。また、発振周波数を変更するために誘
電体共振器4のみを交換しても、発振回路部の共振周波
数が異なるため、そのままでは、所望の出力電力,位相
雑音,周波数同調感度などを得ることが困難である。し
たがって、所望の共振周波数を持つ誘電体共振器4毎
に、当該共振周波数に対して最適となるマイクロストリ
ップ線路53,55やスタブ長可変開放スタブ56によ
り構成された高周波基板を作製する必要があった。この
ため少量多品種の誘電体発振器を製造する場合には、各
共振周波数毎に設計が必要となり、コスト高となったり
製造期間が長期化するといった問題点があった。In the conventional dielectric oscillator having the above-described structure, the oscillation circuit section is configured so that the optimum oscillation conditions are obtained only in the dielectric resonator 4 having a specific resonance frequency. The variable range of the oscillation frequency is limited to the range of adjustment of the variable capacitance diode 14 or the movable short-circuit plate 26. Further, even if only the dielectric resonator 4 is replaced to change the oscillation frequency, the desired output power, phase noise, frequency tuning sensitivity, etc. can be obtained as it is because the resonance frequency of the oscillation circuit section is different. Have difficulty. Therefore, for each dielectric resonator 4 having a desired resonance frequency, it is necessary to manufacture a high-frequency substrate constituted by the microstrip lines 53 and 55 and the stub length variable open stub 56 which are optimal for the resonance frequency. Was. For this reason, when manufacturing a small number and variety of dielectric oscillators, it is necessary to design for each resonance frequency, and there has been a problem that the cost is increased and the manufacturing period is lengthened.
【0005】本発明は、従来の問題点に鑑みなされたも
ので、共通の基板を使用して、誘電体共振器の交換と基
板上のパターンの接続を変化させるのみで、広帝域にお
いて、異なる発振周波数で発振する誘電体発振器を得る
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the conventional problems, and only uses a common substrate to change the dielectric resonator and change the connection of the pattern on the substrate. An object is to obtain a dielectric oscillator that oscillates at different oscillation frequencies.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
の誘電体発振器は、可動短絡板と可変容量ダイオードと
を備え、共振回路の同調周波数を可変するとともに、上
記可変容量ダイオードの一端側に接続されたマイクロス
トリップ線路(第2のマイクロストリップ線路)の両端
側に島状のパターンを設け、かつ、上記可変容量ダイオ
ードの他端側に島状のパターンを有する開放スタブを設
けて上記同調周波数を調整するようにしたものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a dielectric oscillator including a movable short-circuit plate and a variable capacitance diode, wherein a tuning frequency of a resonance circuit is varied, and one end of the variable capacitance diode is provided. An island-shaped pattern is provided at both ends of a microstrip line (second microstrip line) connected to the side, and an open stub having an island-shaped pattern is provided at the other end of the variable capacitance diode. The tuning frequency is adjusted.
【0007】また、本発明の請求項2に記載の誘電体発
振器は、上記第1の開放スタブの線路長を、所望の周波
数で1/4波長となるように上記島状のパターンを金リ
ボンで接続するとともに、上記第2のマイクロストリッ
プ線路において、誘電体共振器の結合点から可変容量ダ
イオードまでの線路長を1/2波長とし、かつ、上記結
合点と反対側の線路長を1/4波長となるように、上記
第2のマイクロストリップ線路の島状のパターンを金リ
ボンで接続するようにしたものである。In the dielectric oscillator according to a second aspect of the present invention, the island-shaped pattern is formed of a gold ribbon such that the line length of the first open stub becomes 4 wavelength at a desired frequency. In the second microstrip line, the line length from the coupling point of the dielectric resonator to the variable capacitance diode is 波長 wavelength, and the line length on the side opposite to the coupling point is 1/2. The island-like pattern of the second microstrip line is connected by a gold ribbon so as to have four wavelengths.
【0008】本発明の請求項3に記載の誘電体発振器
は、第1のマイクロストリップ線路と第2のマイクロス
トリップ線路とを、誘電体共振器を挟むように、かつ、
不並行に配置したものである。In a dielectric oscillator according to a third aspect of the present invention, the first microstrip line and the second microstrip line are sandwiched by a dielectric resonator, and
They are arranged in parallel.
【0009】本発明の請求項4に記載の誘電体発振器
は、出力整合回路を、FETのドレイン側に接続された
第3のマイクロストリップ線路と、この第3のマイクロ
ストリップ線路に接続され島状のパターンを有する第2
の開放スタブとから形成するとともに、上記第2の開放
スタブと上記島状のパターンとを金リボンで接続し、F
ETに対する第2の開放スタブの位置及び長さを可変で
きるようにしたものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the dielectric oscillator, the output matching circuit includes a third microstrip line connected to the drain side of the FET, and an island shape connected to the third microstrip line. The second having the pattern of
And the second open stub and the island-shaped pattern are connected by a gold ribbon.
The position and length of the second open stub with respect to the ET can be changed.
【0010】本発明の請求項5に記載の誘電体発振器
は、FETから、所望の周波数で1/4波長及び1/4
に半波長の整数倍だけ加算した距離だけ離れた箇所に、
誘電体共振器と第1のマイクロストリップ線路との結合
点をそれぞれ設けるるとともに、上記各結合点の位置に
応じたそれぞれの位置に可変容量ダイオードを実装でき
るように第2のマイクロストリップ線路を形成したもの
である。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a dielectric oscillator, comprising: a 波長 wavelength and a 4 wavelength at a desired frequency from an FET;
At a distance of an integer multiple of half wavelength
A coupling point between the dielectric resonator and the first microstrip line is provided, and a second microstrip line is formed so that a variable capacitance diode can be mounted at a position corresponding to the position of the coupling point. It was done.
【0011】本発明の請求項6に記載の誘電体発振器
は、FET及び可変容量ダイオードのそれぞれに、高イ
ンピーダンス線路とラジアルスタブとで構成されたバイ
アス回路を設けたものである。A dielectric oscillator according to a sixth aspect of the present invention includes a FET and a variable capacitance diode each provided with a bias circuit composed of a high impedance line and a radial stub.
【0012】本発明の請求項7に記載の誘電体発振器
は、第2のマイクロストリップ線路を、可変容量ダイオ
ードの上記第2のマイクロストリップ線路とは反対側の
端子の実装位置を中心とした円弧状に配置したものであ
る。In a dielectric oscillator according to a seventh aspect of the present invention, the second microstrip line is a circle centered on a mounting position of a terminal of the variable capacitance diode opposite to the second microstrip line. They are arranged in an arc.
【0013】本発明の請求項8に記載の誘電体発振器
は、誘電体共振器と第2のマイクロストリップ線路との
間に、島状のパターンを設け、上記第2のマイクロスト
リップ線路と上記島状のパターンとを金リボンで接続し
て、誘電体共振器との第2のマイクロストリップ線路と
の間隔を可変できるようにしたものである。In the dielectric oscillator according to the present invention, an island pattern is provided between the dielectric resonator and the second microstrip line, and the second microstrip line and the island are provided. Are connected to each other with a gold ribbon so that the distance between the dielectric resonator and the second microstrip line can be changed.
【0014】本発明の請求項9に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板の両面あるいは片面に電波吸収体を貼付
したものである。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a dielectric oscillator in which a radio wave absorber is attached to both sides or one side of a movable short-circuit plate.
【0015】本発明の請求項10に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を、基板の少なくとも誘電体共振回路が
搭載された部分を全て覆う構造とし、可動短絡板にネジ
を設け、このネジにより可動短絡板を金属ケースへ固定
するとともに、誘電体共振器と可動短絡板との距離を可
変できるようにしたものである。According to a tenth aspect of the present invention, in the dielectric oscillator, the movable short-circuit plate has a structure that covers at least a portion of the substrate on which the dielectric resonance circuit is mounted, and a screw is provided on the movable short-circuit plate. Thus, the movable short-circuit plate is fixed to the metal case, and the distance between the dielectric resonator and the movable short-circuit plate can be changed.
【0016】本発明の請求項11に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を円盤状とし、この可動短絡板の側面と
金属ケースの内側側面とにネジ部を形成し、上記可動短
絡板を上記金属ケースに螺入することにより、上記可動
短絡板を金属ケースに固定するとともに、誘電体共振器
と可動短絡板との距離を可変できるようにしたものであ
る。In a dielectric oscillator according to an eleventh aspect of the present invention, the movable short-circuit plate is formed in a disk shape, and a screw portion is formed on a side surface of the movable short-circuit plate and an inner side surface of the metal case. By screwing into the metal case, the movable short-circuit plate is fixed to the metal case, and the distance between the dielectric resonator and the movable short-circuit plate can be changed.
【0017】本発明の請求項12に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を取り付ける金属板を、取り付けられた
可動短絡板が基板の誘電体共振回路が搭載された部分を
全て覆うことが出来る複数の箇所に取り付け穴を設けた
金属板としたものである。In the dielectric oscillator according to a twelfth aspect of the present invention, the metal plate to which the movable short-circuit plate is attached can be covered, and the movable short-circuit plate attached can cover the entire portion of the substrate on which the dielectric resonance circuit is mounted. It is a metal plate provided with mounting holes at a plurality of locations.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づき説明する。なお、以下の説明中、従来
例と共通する部分については同一符号を用いて説明す
る。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, portions common to the conventional example will be described using the same reference numerals.
【0019】実施の形態1.図1(a)は、本発明の実
施の形態1に係わる誘電体発振器の構成図で、20は誘
電体共振回路、21は能動型共振回路、22は出力整合
回路である。能動型共振回路21は、ドレイン端子
(D)に負電圧をを印可することにより高周波的にドレ
イン接地したFET1から構成されている。FET1の
ドレイン端子(D)には、ドレインバイアス入力端子1
6から高インピーダンス線路15を介してバイアス電圧
が供給されており、FET1のソース端子(S)は、高
インピーダンス線路15を介してグランド13に接続さ
れている。誘電体共振回路20は、所望の共振周波数を
持つ誘電体共振器4と、上記FET1のゲート端子
(G)接続された直線状の第1のマイクロストリップ線
路3と、この第1のマイクロストリップ線路3とともに
上記誘電体共振器4をハの字状に挟むように不並行に配
置され、両端に島状のパターン7,8を有する第2のマ
イクロストリップ線路5と、一方の端子(アノード側)
が上記第2のマイクロストリップ線路5に接続され、他
方の端子(カソード側)が島状のパターン9を有する第
1の開放スタブ6に接続された可変容量ダイオード14
とを備えている。なお、12は第1のマイクロストリッ
プ線路3をグランド13に接地する終端抵抗(Z0)、
16は上記可変容量ダイオード14に制御電圧を供給す
る入力制御電圧入力端子、17はFET1のゲート端子
(G)に高インピーダンス線路15を介してバイアス電
圧を供給するゲートバイアス入力端子である。出力整合
回路22は、上記FET1のドレイン端子(D)と出力
端子19とを接続する第3のマイクロストリップ線路2
と、この第3のマイクロストリップ線路2に接続され島
状のパターン11を有する第2の開放スタブ10とを備
えている。Embodiment 1 FIG. 1A is a configuration diagram of a dielectric oscillator according to the first embodiment of the present invention, wherein 20 is a dielectric resonance circuit, 21 is an active resonance circuit, and 22 is an output matching circuit. The active resonance circuit 21 is composed of the FET 1 whose drain is grounded at a high frequency by applying a negative voltage to the drain terminal (D). The drain terminal (D) of FET1 has a drain bias input terminal 1
A bias voltage is supplied from 6 via a high impedance line 15, and the source terminal (S) of the FET 1 is connected to the ground 13 via the high impedance line 15. The dielectric resonance circuit 20 includes a dielectric resonator 4 having a desired resonance frequency, a linear first microstrip line 3 connected to the gate terminal (G) of the FET 1, and the first microstrip line. 2, a second microstrip line 5 having island-shaped patterns 7 and 8 at both ends, and a second terminal (anode side)
Is connected to the second microstrip line 5 and the other terminal (cathode side) is connected to the first open stub 6 having the island-shaped pattern 9.
And Reference numeral 12 denotes a terminating resistor (Z0) for grounding the first microstrip line 3 to the ground 13,
An input control voltage input terminal 16 supplies a control voltage to the variable capacitance diode 14, and a gate bias input terminal 17 supplies a bias voltage to the gate terminal (G) of the FET 1 via the high impedance line 15. The output matching circuit 22 is a third microstrip line 2 that connects the drain terminal (D) of the FET 1 and the output terminal 19.
And a second open stub 10 having an island-shaped pattern 11 connected to the third microstrip line 2.
【0020】図1(b)は、本発明の実施の形態1に係
わる誘電体発振器の断面斜視図で、25は、図1(a)
に示した、第1のマイクロストリップ線路3や第2のマ
イクロストリップ線路5などのパターンや誘電体共振器
4などの電子部品を配置した、例えばアルミナセラミッ
クスから成る高周波基板、23は上記高周波基板25を
収納する金属ケース、26は可動短絡板、27は金属フ
タである。ここで、上記可動短絡板25は、上記誘電体
共振器4上に対峙するように、上記金属フタ27に調整
ネジ25nにより固定されており、可動短絡板25と上
記誘電体共振器4との距離は、上記調整ネジ25nによ
り調整する。なお、符号23は、高周波基板25を支持
するキャリアである。FIG. 1B is a sectional perspective view of the dielectric oscillator according to the first embodiment of the present invention.
A high-frequency substrate made of, for example, alumina ceramics, on which patterns such as the first microstrip line 3 and the second microstrip line 5 and electronic components such as the dielectric resonator 4 are arranged as shown in FIG. Is a movable short-circuit plate, and 27 is a metal lid. Here, the movable short-circuit plate 25 is fixed to the metal lid 27 by an adjusting screw 25n so as to face the dielectric resonator 4, and the movable short-circuit plate 25 and the dielectric resonator 4 are connected to each other. The distance is adjusted by the adjusting screw 25n. Reference numeral 23 denotes a carrier that supports the high-frequency substrate 25.
【0021】上記構成の誘電体発振器において、FET
1のゲート端子(G)に接続された第1のマイクロスト
リップ線路3は、誘電体共振器4と距離d1おいて配置
され、上記誘電体共振器4と空間的に電磁結合すること
により、電気的に抵抗,インダクタ,キャパシタの並列
回路とみなせるLCR並列共振回路を構成している。ま
た、誘電体共振器4は、可変容量ダイオード14に接続
された第2のマイクロストリップ線路5と距離d2をお
いて配置され、この第2のマイクロストリップ線路5と
空間的に電磁結合されているので、制御電圧入力端子1
6からの入力電圧により制御される可変容量ダイオード
14のキャパシタンスCjの変化に従って、上記LCR
並列共振回路の負荷Q値を変化させることができる。更
に、誘電体共振器4の上方に設けられ、この誘電体共振
器4との距離を可変できる可動短絡板26によっても誘
電体共振器4の負荷Q値を変化させることができる。し
たがって、本実施の形態1に係わる誘電体発振器の発振
周波数は、誘電体共振器4の誘電率、外形ザイズにより
主に決定され、上述したような負荷Qの可変により微調
整をすることができる。In the dielectric oscillator having the above structure, the FET
The first microstrip line 3 connected to the first gate terminal (G) is disposed at a distance d1 from the dielectric resonator 4, and is electrically coupled to the dielectric resonator 4 by spatial electromagnetic coupling. This constitutes an LCR parallel resonance circuit that can be regarded as a parallel circuit of a resistor, an inductor, and a capacitor. The dielectric resonator 4 is arranged at a distance d2 from the second microstrip line 5 connected to the variable capacitance diode 14, and is spatially electromagnetically coupled to the second microstrip line 5. Therefore, the control voltage input terminal 1
6 according to the change in the capacitance Cj of the variable capacitance diode 14 controlled by the input voltage from
The load Q value of the parallel resonance circuit can be changed. Further, the load Q value of the dielectric resonator 4 can be changed by the movable short-circuit plate 26 provided above the dielectric resonator 4 and capable of changing the distance from the dielectric resonator 4. Therefore, the oscillation frequency of the dielectric oscillator according to the first embodiment is mainly determined by the dielectric constant and the external size of the dielectric resonator 4, and can be finely adjusted by changing the load Q as described above. .
【0022】また、上記第2のマイクロストリップ線路
5において、誘電体共振器の結合点から可変容量ダイオ
ード14までの線路長を、発振周波数の波長の1/2波
長とし、かつ、上記結合点と反対側の線路長を1/4波
長となるように、上記第2のマイクロストリップ線路5
の島状のパターン7,8を、例えば、金リボンで接続す
るようにするとともに、可変容量ダイオード14に接続
された開放端スタブ6の線路長を、上記発振周波数の波
長の1/4波長となるように、開放端スタブ6の島状の
パターン9を、例えば、金リボンで接続することによ
り、負荷Qの可変容量ダイオード14の抵抗分による損
失等による劣化を少なくし、安定した発振と低位相雑音
を得ることができる。なお、第1のマイクロストリップ
線路3と第2のマイクロストリップ線路5とを、誘電体
共振器4を挟むように不並行に配置したことにより、誘
電体共振器4を置く位置に応じて、上記マイクロストリ
ップ線路3,5と誘電体共振器4との距離d1,d2を
可変できる。しかも、上記マイクロストリップ線路3,
5をハの字状に配置することにより、誘電体共振器4と
上記マイクロストリップ線路3,5との距離をともに広
げたり縮めたりすることが容易である。In the second microstrip line 5, the line length from the coupling point of the dielectric resonator to the variable capacitance diode 14 is set to 1 / of the wavelength of the oscillation frequency, and The second microstrip line 5 is set so that the line length on the opposite side becomes 1 / wavelength.
Are connected by, for example, a gold ribbon, and the line length of the open-end stub 6 connected to the variable capacitance diode 14 is set to 1 / wavelength of the wavelength of the oscillation frequency. By connecting the island-shaped pattern 9 of the open end stub 6 with, for example, a gold ribbon, deterioration of the load Q due to the resistance of the variable capacitance diode 14 due to resistance is reduced, and stable oscillation and low oscillation are achieved. Phase noise can be obtained. Since the first microstrip line 3 and the second microstrip line 5 are arranged non-parallel with the dielectric resonator 4 interposed therebetween, the first microstrip line 3 and the second microstrip line 5 can be arranged in the above manner depending on the position where the dielectric resonator 4 is placed. Distances d1 and d2 between microstrip lines 3 and 5 and dielectric resonator 4 can be varied. Moreover, the microstrip line 3,
By arranging 5 in a C-shape, it is easy to increase or decrease the distance between dielectric resonator 4 and microstrip lines 3 and 5 together.
【0023】更に、FETlと発振器出力端子19間の
第3のマイクロストリップ線路2に接続され第2の開放
スタブ10と島状のパターン11とを、例えば、金リボ
ンで接続し、FET1に対する第2の開放スタブ10の
位置及び長さを可変できるようにすることにより、FE
T1の出力側のインピーダンスを調整し、発振電力を効
率よく出力できるようにている。また、FETlと可変
容量ダイオード14のバイアス供給は、高インピーダン
ス線路15を介して行うことにより、発振の安定化が図
ることができる。Further, the second open stub 10 connected to the third microstrip line 2 between the FET 1 and the oscillator output terminal 19 and the island-shaped pattern 11 are connected by, for example, a gold ribbon, and the second The position and length of the open stub 10 of the
The impedance on the output side of T1 is adjusted so that oscillation power can be output efficiently. Further, by supplying the bias to the FET 1 and the variable capacitance diode 14 via the high impedance line 15, the oscillation can be stabilized.
【0024】このように、本実施の形態1によれば、可
動短絡板26と可変容量ダイオード14により共振回路
の同調周波数を可変するとともに、第2のマイクロスト
リップ線路5の両端側に島状のパターン8,9と、第1
の開放スタブ6の島状のパターン10を金リボンで接続
して同調周波数を調整するようにし、更に、第2の開放
スタブ10と島状のパターン11とを金リボンで接続し
てFET1の出力側のインピーダンスを調整するように
したので、広帯域な所望の発振周波数において低位相雑
音、高出力電力、発振の安定化を得ることができる。ま
た、第1のマイクロストリップ線路3と第2のマイクロ
ストリップ線路5とを、誘電体共振器4を挟むように不
並行に配置したので、マイクロストリップ線路3,5と
誘電体共振器4との距離d1,d2を可変できる。した
がって、誘電体共振器4を取り替え、パターンの接続を
変更するだけで、共通の高周波基板と電子部品とを使用
してさまぎまな発振周波数の誘電体共振器を容易に構成
することができる。As described above, according to the first embodiment, the tuning frequency of the resonance circuit is changed by the movable short-circuit plate 26 and the variable capacitance diode 14, and the island-like shape is provided at both ends of the second microstrip line 5. Patterns 8, 9 and 1
The tuned frequency is adjusted by connecting the island-shaped pattern 10 of the open stub 6 with a gold ribbon, and further connecting the second open stub 10 and the island-shaped pattern 11 with a gold ribbon to output the FET1. Since the impedance on the side is adjusted, low phase noise, high output power, and stable oscillation can be obtained at a desired oscillation frequency over a wide band. Further, since the first microstrip line 3 and the second microstrip line 5 are arranged non-parallel so as to sandwich the dielectric resonator 4, the microstrip lines 3, 5 and the dielectric resonator 4 The distances d1 and d2 can be changed. Therefore, by simply replacing the dielectric resonator 4 and changing the connection of the pattern, it is possible to easily configure a dielectric resonator having various oscillation frequencies using a common high-frequency substrate and electronic components.
【0025】実施の形態2.図2は、本発明の実施の形
態2に係わる誘電体発振器器の構成を示す図で、誘電体
共振器4と結合するマイクロストリップ線路3、5を曲
線で構成することにより、回路の実装面積を少なくした
もので、これにより、誘電体発振器を小型化することが
できる。Embodiment 2 FIG. 2 is a diagram showing the configuration of a dielectric oscillator according to a second embodiment of the present invention. The microstrip lines 3 and 5 coupled to the dielectric resonator 4 are formed by curves, so that the circuit mounting area is increased. Is reduced, whereby the size of the dielectric oscillator can be reduced.
【0026】実施の形態3.図3は、本発明の実施の形
態2に係わる誘電体発振器の構成を示す図で、誘電体共
振器4と第1のマイクロストリップ線路3との結合点
が、上記FET1から所望の周波数で1/4波長及び1
/4+半波長の整数倍だけ離れた箇所のどちらでも発振
が可能となるように、第2のマイクロストリップ線路5
及び可変容量ダイオード14を実装できるようパターン
化し、誘電体発振器4の位置を移動させても同一の発振
周波数が得られるように構成したものである。例えば、
最適な発振特性を得るための誘電体共振器4の位置が同
図の4a、すなわち、FET1から所望の周波数で1/
4波長の位置では、上記誘電体共振器4がFET1に近
接するか、あるいは、可動短絡板26とFETlとの距
離が近接するなどして、組立作業性が困難な場合があ
る。そのときには、誘電体発振器4の位置を、所望の発
振周波数において、半波長あるいはその半波長整数倍の
距離だけ離れた位置4bで第1のマイクロストリップ線
路3と結合できるようにする。なお、上記誘電体発振器
の位置4bに対応する可変ダイオード14b及び島状の
パターン8bから成るマイクロストリップ線路と島状の
パターン9bから成るスタブは基板上に予め形成されて
いるので、誘電体発振器4aを誘電体発振器4bの位置
に移動させても最適な発振特性を得ることができる。Embodiment 3 FIG. FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a dielectric oscillator according to a second embodiment of the present invention. A coupling point between a dielectric resonator 4 and a first microstrip line 3 is set at a desired frequency from the FET 1 at a desired frequency. / 4 wavelength and 1
The second microstrip line 5 can be oscillated at any position separated by an integral multiple of / 4 + half wavelength.
The variable capacitance diode 14 is patterned so that it can be mounted, and the same oscillation frequency can be obtained even if the position of the dielectric oscillator 4 is moved. For example,
The position of the dielectric resonator 4 for obtaining the optimum oscillation characteristics is 4a in FIG.
At the position of four wavelengths, the dielectric resonator 4 may be close to the FET 1, or the distance between the movable short-circuit plate 26 and the FET 1 may be short, so that the assembling workability may be difficult. At this time, the position of the dielectric oscillator 4 can be coupled to the first microstrip line 3 at a desired oscillation frequency at a position 4b which is separated by a half wavelength or an integer multiple of the half wavelength. Since the variable diode 14b corresponding to the position 4b of the dielectric oscillator and the microstrip line composed of the island-shaped pattern 8b and the stub composed of the island-shaped pattern 9b are formed in advance on the substrate, the dielectric oscillator 4a Is moved to the position of the dielectric oscillator 4b, optimum oscillation characteristics can be obtained.
【0027】実施の形態4.上記実施の形態1〜3で
は、FETl及び可変容量ダイオード14のバイアス回
路は、高インピーダンス線路15のみで構成していた
が、図4に示ずように、上記バイアス回路にラジアルス
タブ28を併用することにより、同一基板で発振可能な
周波数帯域に応じてバイアス回路の広帯域化を図ること
ができる。Embodiment 4 In the first to third embodiments, the bias circuit of the FET 1 and the variable capacitance diode 14 is constituted only by the high impedance line 15, but as shown in FIG. 4, a radial stub 28 is used in combination with the bias circuit. This makes it possible to widen the bandwidth of the bias circuit according to the frequency band in which oscillation can be performed on the same substrate.
【0028】実施の形態5.図5は、本発明の実施の形
態2に係わる誘電体発振器の構成を示す図で、可変容量
ダイオード14を実装するマイクロストリップ線路5及
び島状のパターン8を、スタブ6の可変容量ダイオード
14の端子と接続する点を中心とした円周上に配置する
ことにより、異なる周波数を発振させるために、マイク
ロストリップ線路5と可変容量ダイオード14の接続点
を移動させる必要がある場合でも、可変容量ダイオード
14を容易に実装することできる。また、この構造は、
上記実施の形態3(図3)のように、可変容量ダイオー
ド14の実装位置が複数(同図の14a,14b)ある
場合には、図5に示すように、島状のパターン8を可変
容量ダイオード14の実装位置に応じた複数の円弧から
形成し、必要に応じて可変容量ダイオード14の実装位
置を選択できるようにしも良い。Embodiment 5 FIG. 5 is a diagram showing a configuration of the dielectric oscillator according to the second embodiment of the present invention. The microstrip line 5 on which the variable capacitance diode 14 is mounted and the island-shaped pattern 8 are replaced with the variable capacitance diode 14 of the stub 6. By arranging them on a circle centered on the point connected to the terminal, even if it is necessary to move the connection point between the microstrip line 5 and the variable capacitance diode 14 to oscillate different frequencies, the variable capacitance diode 14 can be easily implemented. Also, this structure
As in the third embodiment (FIG. 3), when there are a plurality of mounting positions of the variable capacitance diodes 14 (14a and 14b in FIG. 3), as shown in FIG. A plurality of arcs may be formed according to the mounting position of the diode 14, and the mounting position of the variable capacitance diode 14 may be selected as necessary.
【0029】実施の形態6.図6は、本発明の実施の形
態6に係わる誘電体発振器の構成を示す図で、誘電体共
振器4と第2のマイクロストリップ線路5との間に、平
面的に配置した島状のパターン5kを設け、上記第2の
マイクロストリップ線路5と上記島状のパターン5kと
を金リボンで接続して、誘電体共振器4との第2のマイ
クロストリップ線路5との間隔を可変できるようにした
もので、外形の異なる誘電体共振器4に対しも最適な電
子同調範囲を得ることができる。Embodiment 6 FIG. FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a dielectric oscillator according to a sixth embodiment of the present invention, in which an island-like pattern arranged planarly between a dielectric resonator 4 and a second microstrip line 5 is shown. 5k, the second microstrip line 5 and the island-shaped pattern 5k are connected by a gold ribbon so that the distance between the dielectric resonator 4 and the second microstrip line 5 can be varied. Thus, an optimal electronic tuning range can be obtained even for dielectric resonators 4 having different external shapes.
【0030】実施の形態7.図7は、本発明の実施の形
態7に係わる誘電体発振器の断面図で、可動短絡板26
に電波吸収体29を貼付し、この電波吸収体29の貼付
位置、大きさを調整することにより、誘電体共振器4を
取り替えた場合でも、誘電体共振器の発振を安定化する
ことができる。Embodiment 7 FIG. 7 is a sectional view of a dielectric oscillator according to Embodiment 7 of the present invention,
By attaching the radio wave absorber 29 to the substrate and adjusting the position and size of the radio wave absorber 29, the oscillation of the dielectric resonator can be stabilized even when the dielectric resonator 4 is replaced. .
【0031】実施の形態8.図8は、本発明の実施の形
態2に係わる誘電体発振器の断面図で、可動短絡板30
を基板上の誘電体共振回路を全て覆うような構造とし、
更に、この可動短絡板30の周辺に設けたネジ30n
を、例えば、図示しないナット等で金属ケース23ヘ固
定するとともに、誘電体共振器4と可動短絡板30との
間隔hを可変としたものである。このような可動短絡板
構造とすることで上記実施の形態1〜5に示した誘電体
発振器において、異なる発振周波数を発振するために誘
電体共振器の外形サイズと共振回路基板への実装位置が
共振回路基板上で大きく変動しても、振動などに係わる
間隔hの物理的な変動を小さくし、共通の可動短絡板3
0により安定した発振をさせることができる。Embodiment 8 FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view of the dielectric oscillator according to the second embodiment of the present invention.
With a structure that covers the entire dielectric resonance circuit on the substrate,
Further, a screw 30n provided around the movable short-circuit plate 30
Are fixed to the metal case 23 by, for example, a nut (not shown), and the distance h between the dielectric resonator 4 and the movable short-circuit plate 30 is made variable. With such a movable short-circuit plate structure, in the dielectric oscillator shown in the first to fifth embodiments, in order to oscillate different oscillation frequencies, the outer size of the dielectric resonator and the mounting position on the resonance circuit board are changed. Even if it fluctuates greatly on the resonance circuit board, the physical fluctuation of the interval h related to vibration and the like is reduced,
0 allows stable oscillation.
【0032】実施の形態9 図9は、本発明の実施の形態2に係わる誘電体発振器の
断面図で、基板上の誘電体共振回路を全て覆うような構
造の可動短絡板30を側面にネジ山を設けた円盤状と
し、金属ケース23の内側側面に設けたネジ山とによ
り、誘電体共振器4と上記可動短絡板30との間隔hを
可変とし、かつ可動短絡板30を金属ケースに固定する
ようにしてもよい。このような構造の誘電体発振器で
は、誘電体共振器4の高さ方向にネジ等の突起が生じな
いので、誘電体発振器のサイズを小型にすることができ
る。Ninth Embodiment FIG. 9 is a sectional view of a dielectric oscillator according to a second embodiment of the present invention. The distance h between the dielectric resonator 4 and the movable short-circuiting plate 30 is made variable by a disk-like shape provided with a mountain and a screw thread provided on the inner side surface of the metal case 23, and the movable short-circuiting plate 30 is connected to the metal case. It may be fixed. In the dielectric oscillator having such a structure, since no protrusion such as a screw is formed in the height direction of the dielectric resonator 4, the size of the dielectric oscillator can be reduced.
【0033】実施の形態10 図10は、本発明の実施の形態10に係わる誘電体発振
器の断面図で、可動短絡板固定用の金属フタ27にネジ
穴31を複数個設けたもので、上記実施の形態1〜5に
示す誘電体発振器において異なる周波数を発振させるた
めに誘電体共振器の実装位置が変動した場合でも、いず
れかのネジ穴を使用して可動短絡板26を誘電体共振器
4上に構成することができる。Embodiment 10 FIG. 10 is a sectional view of a dielectric oscillator according to Embodiment 10 of the present invention, in which a plurality of screw holes 31 are provided in a metal cover 27 for fixing a movable short-circuit plate. Even when the mounting position of the dielectric resonator changes in order to oscillate a different frequency in the dielectric oscillator shown in the first to fifth embodiments, the movable short-circuit plate 26 is connected to the dielectric resonator by using any one of the screw holes. 4 can be configured.
【0034】[0034]
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、可動短絡板と可変容量ダイオードにより
共振回路の同調周波数を可変するとともに、第2のマイ
クロストリップ線路の両端側に島状のパターンを設け、
かつ、上記可変容量ダイオードの他端側に島状のパター
ンを有する開放スタブを設けて上記同調周波数を調整す
るようにしたので、誘電体共振器4を取り替え、パター
ンの接続を変更するだけで、共通の高周波基板と電子部
品とを使用してさまぎまな発振周波数の誘電体共振器を
容易に構成することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the tuning frequency of the resonance circuit can be varied by the movable short-circuit plate and the variable capacitance diode, and at both ends of the second microstrip line. An island pattern is provided,
Further, since the tuning frequency is adjusted by providing an open stub having an island pattern on the other end side of the variable capacitance diode, the dielectric resonator 4 is replaced, and the connection of the pattern is simply changed. Dielectric resonators having various oscillation frequencies can be easily formed using a common high-frequency substrate and electronic components.
【0035】また、請求項2に記載の発明によれば、上
記第1の開放スタブの線路長を、所望の周波数で1/4
波長となるように上記島状のパターンを金リボンで接続
するとともに、上記第2のマイクロストリップ線路にお
いて、誘電体共振器の結合点から可変容量ダイオードま
での線路長を1/2波長とし、かつ、上記結合点と反対
側の線路長を1/4波長となるように、上記第2のマイ
クロストリップ線路の島状のパターンを金リボンで接続
するようにしたので、簡単な構成で同調周波数の調整を
行うことができる。According to the second aspect of the present invention, the line length of the first open stub is set to 1 / at a desired frequency.
The island-shaped pattern is connected by a gold ribbon so as to have a wavelength, and in the second microstrip line, the line length from the coupling point of the dielectric resonator to the variable capacitance diode is set to 波長 wavelength, and Since the island-like pattern of the second microstrip line is connected by a gold ribbon so that the line length on the side opposite to the coupling point becomes 4 wavelength, the tuning frequency can be easily adjusted with a simple configuration. Adjustments can be made.
【0036】請求項3に記載の発明によれば、第1のマ
イクロストリップ線路と第2のマイクロストリップ線路
とを、誘電体共振器を挟むように、かつ、不並行に配置
したので、誘電体共振器を置く位置に応じて、マイクロ
ストリップ線路と誘電体共振器との距離を可変できる。According to the third aspect of the present invention, the first microstrip line and the second microstrip line are arranged in a non-parallel manner with the dielectric resonator interposed therebetween. The distance between the microstrip line and the dielectric resonator can be varied according to the position where the resonator is placed.
【0037】請求項4に記載の発明によれば、出力整合
回路の第2の開放スタブと島状のパターンとを金リボン
で接続し、FETに対する第2の開放スタブの位置及び
長さを可変できるようにしたので、FETの出力側のイ
ンピーダンスを調整し、発振電力を効率よく出力できる
ようにている。According to the fourth aspect of the present invention, the second open stub of the output matching circuit and the island-shaped pattern are connected by the gold ribbon, and the position and the length of the second open stub with respect to the FET are variable. Since it is made possible, the impedance on the output side of the FET is adjusted so that oscillation power can be output efficiently.
【0038】請求項5に記載の発明によれば、FETか
ら、所望の周波数で1/4波長及び1/4に半波長の整
数倍だけ加算した距離だけ離れた箇所に、誘電体共振器
と第1のマイクロストリップ線路との結合点をそれぞれ
設けるとともに、上記各結合点の位置に応じたそれぞれ
の位置に可変容量ダイオードを実装できるように第2の
マイクロストリップ線路を形成したので、誘電体発振器
を移動させても最適な発振特性を得ることができる。According to the fifth aspect of the present invention, the dielectric resonator and the FET are separated from each other at a desired frequency by a distance equal to 1 / wavelength and 1 / times an integer multiple of half wavelength. Since a coupling point with the first microstrip line is provided, and a second microstrip line is formed so that a variable capacitance diode can be mounted at a position corresponding to the position of each coupling point, the dielectric oscillator Optimum oscillation characteristics can be obtained even by moving.
【0039】請求項6に記載の発明によれば、FET及
び可変容量ダイオードのそれぞれに、高インピーダンス
線路とラジアルスタブとで構成されたバイアス回路を設
けたので、バイアス回路の広帯域化を図ることができ
る。According to the sixth aspect of the present invention, since the FET and the variable capacitance diode are each provided with the bias circuit composed of the high impedance line and the radial stub, the bandwidth of the bias circuit can be widened. it can.
【0040】請求項7に記載の発明によれば、第2のマ
イクロストリップ線路を、可変容量ダイオードの上記第
2のマイクロストリップ線路とは反対側の端子の実装位
置を中心とした円弧状に配置したので、異なる周波数を
発振させるために、マイクロストリップ線路と可変容量
ダイオードの接続点を移動させる必要がある場合でも、
可変容量ダイオードを容易に実装することできる。According to the seventh aspect of the present invention, the second microstrip line is arranged in an arc shape centering on the mounting position of the terminal of the variable capacitance diode opposite to the second microstrip line. Therefore, even if it is necessary to move the connection point between the microstrip line and the variable capacitance diode to oscillate different frequencies,
A variable capacitance diode can be easily mounted.
【0041】請求項8に記載の発明によれば、、誘電体
共振器と第2のマイクロストリップ線路との間に、島状
のパターンを設け、上記第2のマイクロストリップ線路
と上記島状のパターンとを金リボンで接続して、誘電体
共振器との第2のマイクロストリップ線路との間隔を可
変できるようにしたので、外形の異なる誘電体共振器4
に対しも最適な電子同調範囲を得ることができる。According to the present invention, an island-like pattern is provided between the dielectric resonator and the second microstrip line, and the second microstrip line and the island-like pattern are provided. The pattern and the pattern are connected by a gold ribbon so that the distance between the dielectric resonator and the second microstrip line can be varied.
, An optimum electronic tuning range can be obtained.
【0042】請求項9に記載の発明によれば、可動短絡
板の両面あるいは片面に電波吸収体を貼付するようにし
たので、この電波吸収体の貼付位置、大きさを調整する
ことにより、誘電体共振を取り替えた場合でも、誘電体
共振器の発振を安定化することができる。According to the ninth aspect of the present invention, the radio wave absorber is stuck on both sides or one side of the movable short-circuiting plate. Even when the body resonance is replaced, the oscillation of the dielectric resonator can be stabilized.
【0043】請求項10に記載の発明によれば、可動短
絡板を、基板の少なくとも誘電体共振回路が搭載された
部分を全て覆う構造とし、可動短絡板にネジを設け、こ
のネジにより可動短絡板を金属ケースへ固定するととも
に、誘電体共振器と可動短絡板との距離を可変できるよ
うにしたので、異なる発振周波数を発振するために誘電
体共振器の外形サイズと共振回路基板への実装位置が共
振回路基板上で大きく変動しても、安定した発振をさせ
ることができる。According to the tenth aspect of the present invention, the movable short-circuit plate has a structure which covers at least the entire portion of the substrate on which the dielectric resonance circuit is mounted, and a screw is provided on the movable short-circuit plate, and the movable short-circuit is provided by the screw. The plate is fixed to the metal case and the distance between the dielectric resonator and the movable short-circuit plate can be changed.The external size of the dielectric resonator and its mounting on the resonant circuit board to oscillate different oscillation frequencies Even if the position largely fluctuates on the resonance circuit board, stable oscillation can be performed.
【0044】請求項11に記載の発明によれば、可動短
絡板を円盤状とし、この可動短絡板の側面と金属ケース
の内側側面とにネジ部を形成し、上記可動短絡板を上記
金属ケースに螺入することにより、上記可動短絡板を金
属ケースに固定するとともに、誘電体共振器と可動短絡
板との距離を可変できるようにしたので、誘電体共振器
の高さ方向にネジ等の突起が生じないので、誘電体発振
器のサイズを小型にすることができる。According to the eleventh aspect of the present invention, the movable short-circuit plate is formed in a disk shape, and a screw portion is formed on a side surface of the movable short-circuit plate and an inner side surface of the metal case. Screwing the movable short-circuit plate to the metal case and changing the distance between the dielectric resonator and the movable short-circuit plate. Since no projection is generated, the size of the dielectric oscillator can be reduced.
【0045】本発明の請求項12に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を取り付ける金属板を、取り付けられた
可動短絡板が基板の誘電体共振回路が搭載された部分を
全て覆うことが出来る複数の箇所に取り付け穴を設けた
金属板としたので、異なる周波数を発振させるために誘
電体共振器の実装位置が変動した場合でも、いずれかの
ネジ穴を使用して可動短絡板を誘電体共振器上に構成す
ることができる。In the dielectric oscillator according to the twelfth aspect of the present invention, the metal plate to which the movable short-circuit plate is attached can be covered, and the attached movable short-circuit plate can entirely cover the portion of the substrate on which the dielectric resonance circuit is mounted. Since the metal plate has mounting holes at multiple locations, even if the mounting position of the dielectric resonator fluctuates to oscillate different frequencies, use one of the screw holes to move the movable short-circuit plate to the dielectric. It can be configured on a resonator.
【図1】 本発明の実施の形態1に係わる誘電発振器の
構成を示す構造図と断面斜視図である。FIG. 1 is a structural diagram and a sectional perspective view showing a configuration of a dielectric oscillator according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 本発明の実施の形態2に係わる誘電発振器の
構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a dielectric oscillator according to a second embodiment of the present invention.
【図3】 本発明の実施の形態3に係わる誘電発振器の
構成図である。FIG. 3 is a configuration diagram of a dielectric oscillator according to a third embodiment of the present invention.
【図4】 本発明の実施の形態4に係わる誘電発振器の
構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a dielectric oscillator according to a fourth embodiment of the present invention.
【図5】 本発明の実施の形態5に係わる誘電発振器の
構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a dielectric oscillator according to a fifth embodiment of the present invention.
【図6】 本発明の実施の形態6に係わる誘電発振器の
構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a dielectric oscillator according to a sixth embodiment of the present invention.
【図7】 本発明の実施の形態7に係わる誘電発振器の
断面斜視図である。FIG. 7 is a sectional perspective view of a dielectric oscillator according to a seventh embodiment of the present invention.
【図8】 本発明の実施の形態8に係わる誘電発振器の
断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a dielectric oscillator according to an eighth embodiment of the present invention.
【図9】 本発明の実施の形態9に係わる誘電発振器の
断面図である。FIG. 9 is a sectional view of a dielectric oscillator according to a ninth embodiment of the present invention.
【図10】 本発明の実施の形態10に係わる誘電発振
器の断面斜視図である。FIG. 10 is a sectional perspective view of a dielectric oscillator according to a tenth embodiment of the present invention.
【図11】 従来の可変容量ダイオードを用いた誘電体
発振器の構成を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a conventional dielectric oscillator using a variable capacitance diode.
【図12】 従来の可動短絡板を用いた誘電体発振器の
断面図である。FIG. 12 is a sectional view of a conventional dielectric oscillator using a movable short-circuit plate.
1 FET(電界効果トランジスタ)、2 第3のマイ
クロストリップ線路、3 第1のマイクロストリップ線
路、5 第2のマイクロストリップ線路、4 誘電体共
振器、6第1の開放スタブ、10 第2の開放スタブ、
7,8,9,11,5k 島状のパターン、12 終端
抵抗、13 グランド、14 可変容量ダイオード、1
5 高インピーダンス線路、16 制御電圧入力端子、
17 ゲートバイアス入力端子、18 ドレインバイア
ス入力端子、19 発振出力端端子、20 誘電体共振
回路、21 能動型共振回路、22 出力整合回路、2
3 金属ケース、24 キャリア、25 高周波基板、
26,30 可動短絡板、27 金属フタ、28 ラジ
アルスタブ、29 電波吸収体、31 可動短絡板取り
付け用ネジ穴REFERENCE SIGNS LIST 1 FET (field effect transistor), 2 3rd microstrip line, 3 1st microstrip line, 5 2nd microstrip line, 4 dielectric resonator, 6 first open stub, 10 second open stub,
7, 8, 9, 11, 5k island pattern, 12 terminator, 13 ground, 14 variable capacitance diode, 1
5 high impedance lines, 16 control voltage input terminals,
17 gate bias input terminal, 18 drain bias input terminal, 19 oscillation output terminal terminal, 20 dielectric resonance circuit, 21 active resonance circuit, 22 output matching circuit, 2
3 metal case, 24 carrier, 25 high frequency board,
26, 30 movable short-circuiting plate, 27 metal lid, 28 radial stub, 29 radio wave absorber, 31 screw holes for mounting movable short-circuiting plate
Claims (12)
FETのドレイン側と出力端子の間に設けられた出力整
合回路と、特定の共振周波数をもつ誘電体共振器と、上
記FETのゲート側に接続され上記誘電体共振器と空間
で電磁的に結合する第1のマイクロストリップ線路と、
可変容量ダイオードの一端側に接続される第2のマイク
ロストリップ線路とを備えた誘電体共振回路とから構成
される誘電体発振器において、可動短絡板を備え、この
可動短絡板と可変容量ダイオードとにより同調周波数を
可変するとともに、上記可変容量ダイオードの他端側に
島状のパターンを有する開放スタブを設け、かつ、上記
第2のマイクロストリップ線路の両端側に島状のパター
ンを設けて上記同調周波数を調整するようにしたことを
特徴とする誘電体発振器。1. An active resonance circuit comprising an FET, an output matching circuit provided between a drain side of the FET and an output terminal, a dielectric resonator having a specific resonance frequency, and a gate side of the FET. A first microstrip line that is connected to the dielectric resonator and electromagnetically couples in space with the dielectric resonator;
A dielectric resonance circuit comprising a second microstrip line connected to one end of the variable capacitance diode; and a movable resonance short circuit. The tuning frequency is varied by providing an open stub having an island-shaped pattern on the other end of the variable capacitance diode, and providing an island-shaped pattern on both ends of the second microstrip line. A dielectric oscillator characterized by adjusting the following.
周波数で1/4波長となるように上記島状のパターンを
金リボンで接続するとともに、上記第2のマイクロスト
リップ線路において、誘電体共振器の結合点から可変容
量ダイオードまでの線路長を1/2波長とし、かつ、上
記結合点と反対側の線路長を1/4波長となるように、
上記第2のマイクロストリップ線路の島状のパターンを
金リボンで接続するようにしたことを特徴とする請求項
1に記載の誘電体発振器。2. The island-shaped pattern is connected by a gold ribbon so that the line length of the first open stub becomes 1 / wavelength at a desired frequency. The line length from the coupling point of the body resonator to the variable capacitance diode is 波長 wavelength, and the line length on the side opposite to the coupling point is 4 wavelength.
2. The dielectric oscillator according to claim 1, wherein the island-shaped patterns of the second microstrip line are connected by a gold ribbon.
マイクロストリップ線路とを、誘電体共振器を挟むよう
に、かつ、不並行に配置したことを特徴とする請求項1
に記載の誘電体発振器。3. The device according to claim 1, wherein the first microstrip line and the second microstrip line are arranged non-parallel so as to sandwich the dielectric resonator.
3. The dielectric oscillator according to claim 1.
イン側に接続された第3のマイクロストリップ線路と、
この第3のマイクロストリップ線路に接続され島状のパ
ターンを有する第2の開放スタブとから形成するととも
に、上記第2の開放スタブと上記島状のパターンとを金
リボンで接続し、FETに対する第2の開放スタブの位
置及び長さを可変できるようにしたことを特徴とする請
求項1に記載の誘電体発振器。4. An output matching circuit comprising: a third microstrip line connected to a drain side of the FET;
A second open stub connected to the third microstrip line and having an island-shaped pattern is formed. The second open stub and the island-shaped pattern are connected by a gold ribbon. 2. The dielectric oscillator according to claim 1, wherein the position and length of the second open stub can be changed.
及び1/4に半波長の整数倍だけ加算した距離だけ離れ
た箇所に、誘電体共振器と第1のマイクロストリップ線
路との結合点をそれぞれ設けるるとともに、上記各結合
点の位置に応じたそれぞれの位置に可変容量ダイオード
を実装できるように第2のマイクロストリップ線路を形
成したことを特徴とする請求項1に記載の誘電体発振
器。5. A coupling between a dielectric resonator and a first microstrip line at a position separated from an FET by a distance obtained by adding a quarter wavelength and an integral multiple of a half wavelength to a quarter at a desired frequency. 2. The dielectric according to claim 1, wherein a point is provided, and a second microstrip line is formed so that a variable capacitance diode can be mounted at a position corresponding to the position of each coupling point. Oscillator.
れぞれに、高インピーダンス線路とラジアルスタブとで
構成されたバイアス回路を設けたことを特徴とする請求
項1に記載の誘電体発振器。6. The dielectric oscillator according to claim 1, wherein a bias circuit comprising a high impedance line and a radial stub is provided for each of the FET and the variable capacitance diode.
容量ダイオードの上記第2のマイクロストリップ線路と
は反対側の端子の実装位置を中心とした円弧状に配置し
たことを特徴とする請求項1に記載の誘電体発振器。7. The semiconductor device according to claim 1, wherein the second microstrip line is arranged in an arc shape centering on a mounting position of a terminal of the variable capacitance diode opposite to the second microstrip line. 3. The dielectric oscillator according to claim 1.
プ線路との間に、島状のパターンを設け、上記第2のマ
イクロストリップ線路と上記島状のパターンとを金リボ
ンで接続して、誘電体共振器との第2のマイクロストリ
ップ線路との間隔を可変できるようにしたことを特徴と
する請求項1に記載の誘電体発振器。8. An island pattern is provided between the dielectric resonator and the second microstrip line, and the second microstrip line and the island pattern are connected by a gold ribbon. 2. The dielectric oscillator according to claim 1, wherein a distance between the dielectric resonator and the second microstrip line is variable.
収体を貼付したことを特徴とする請求項1に記載の誘電
体発振器。9. The dielectric oscillator according to claim 1, wherein a radio wave absorber is attached to both sides or one side of the movable short-circuit plate.
体共振回路が搭載された部分を全て覆う構造とし、可動
短絡板にネジを設け、このネジにより可動短絡板を金属
ケースへ固定するとともに、誘電体共振器と可動短絡板
との距離を可変できるようにしたことを特徴とする請求
項1に記載の誘電体発振器。10. A structure in which the movable short-circuit plate covers at least a portion of the substrate on which the dielectric resonance circuit is mounted, a screw is provided on the movable short-circuit plate, and the movable short-circuit plate is fixed to the metal case with the screw. 2. The dielectric oscillator according to claim 1, wherein a distance between the dielectric resonator and the movable short-circuit plate is variable.
絡板の側面と金属ケースの内側側面とにネジ部を形成
し、上記可動短絡板を上記金属ケースに螺入することに
より、上記可動短絡板を金属ケースに固定するととも
に、誘電体共振器と可動短絡板との距離を可変できるよ
うにしたことを特徴とする請求項1に記載の誘電体発振
器。11. The movable short-circuit plate is formed in a disk shape, and a screw portion is formed on a side surface of the movable short-circuit plate and an inner side surface of the metal case, and the movable short-circuit plate is screwed into the metal case to thereby form the movable short-circuit plate. 2. The dielectric oscillator according to claim 1, wherein the short-circuit plate is fixed to a metal case, and a distance between the dielectric resonator and the movable short-circuit plate is variable.
り付けられた可動短絡板が基板の誘電体共振回路が搭載
された部分を全て覆うことが出来る複数の箇所に取り付
け穴を設けた金属板としたことを特徴とするを請求項1
に記載の誘電体発振器。12. A metal plate on which a movable short-circuit plate is mounted, and a metal plate provided with mounting holes at a plurality of locations where the mounted movable short-circuit plate can cover all portions of the substrate on which the dielectric resonance circuit is mounted. 2. The method according to claim 1, wherein
3. The dielectric oscillator according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801198A JPH11340737A (en) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Dielectric oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14801198A JPH11340737A (en) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Dielectric oscillator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340737A true JPH11340737A (en) | 1999-12-10 |
Family
ID=15443118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14801198A Pending JPH11340737A (en) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | Dielectric oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340737A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094327A (en) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Hitachi Shonan Denshi Co Ltd | High frequency oscillation circuit and method for adjusting frequency variable range thereof |
| JP2008312112A (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | Dielectric resonator type oscillator and radar system using the same |
-
1998
- 1998-05-28 JP JP14801198A patent/JPH11340737A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002094327A (en) * | 2000-09-14 | 2002-03-29 | Hitachi Shonan Denshi Co Ltd | High frequency oscillation circuit and method for adjusting frequency variable range thereof |
| JP2008312112A (en) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Hitachi Ltd | Dielectric resonator type oscillator and radar system using the same |
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