JPH11340737A - 誘電体発振器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 共通の基板を使用して、誘電体共振器の交換
と基板上のパターンの接続を変化させるのみで、広帝域
において、異なる発振周波数で発振する誘電体発振器を
得ることを目的とする。 【解決手段】 可動短絡板２６と可変容量ダイオード１
４により共振回路の同調周波数を可変するとともに、第
２のマイクロストリップ線路５の両端側に島状のパター
ン８，９と、第１の開放スタブ６の島状のパターン１０
を金リボンで接続して同調周波数を調整するようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波送受信
機やマイクロ波シンセザイザ等に利用される誘電体発振
器に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１１は、例えば、特開平５−２９８３
５号公報に示された従来の可変容量ダイオードを用いた
誘電体発振器の構成を示す図で、１は電界効果トランジ
スタ（以下、ＦＥＴという）、４は誘電体共振器、５
３，５５は互いに直角に配置された第１のマイクロスト
リップ線路と第２のマイクロストリップ線路、１４は可
変容量ダイオード、２，１５は高インピーダンス線路、
５０は負荷抵抗、１６は制御電圧入力端子、５６はスタ
ブ長可変開放スタブである。なお、１３はグランドで、
これらのパターン及び電子部品は図示しない高周波基板
上に形成される。また、図１２は、例えば，Ａｖａｎｔ
ｅｋ社のカタログ補足資料に示された可動短絡板を使用
して同調周波数を調整する誘電体発振器の断面図で、４
は誘電体共振器、２６は可動短絡板、２５は高周波基
板、２３は金属ケース、２７は金属フタである。

【０００３】このような従来の誘電体発振器において
は、誘電体共振器４の誘電率と外形寸法とにより決まる
共振周波数により発振周波数が主に決定され、可動短絡
板２６と誘電体共振器４との間隔（図１２）あるいは可
変容量ダイオード１４のキャパシタンス制動電圧（図１
１）により上記発振周波数の微調整を行う。また、誘電
体発振器の出力電力，位相雑音，周波数同調感度等は、
上記可動短絡板２６と誘電体共振器４との間隔あるいは
可変容量ダイオード１４のキャパシタンス制動電圧や、
ＦＥＴ１のゲート端子に接続された第１のマイクロスト
リップ線路５６及び可変容量ダイオード１４に接続され
た第２のマイクロストリップ線路５３と誘電体共振器４
との位置とにより決まる結合量をパラメータとした共振
回路の負荷Ｑ値で決定される。この誘電体発振回路が発
振するためには、上記ＦＥＴ１のゲート端子からみた、
能動型共振回路２１の反射係数Γａと誘電体共振回路２
０の反射係数Γｒとの関係が、以下の式（１），（２）
で表せる条件を満定することが必要である。 ｜Γａ｜・｜Γｒ｜＞１ ‥‥（１） ∠Γａ＋∠Γｒ＝２ｎπ （ｎ：整数）‥‥（２） この条件は、上記ＦＥＴ１で負性抵抗を構成し、正帰還
をかけることで構成できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記構成の従来の誘電
体発振器では、発振回路部が、ある特定の共振周波数を
もつ誘電体共振器４においてのみ最適な発振条件となる
ように構成されており、発振周波数の可変範囲は可変容
量ダイオード１４または可動短絡板２６の調整の範囲内
に限られていた。また、発振周波数を変更するために誘
電体共振器４のみを交換しても、発振回路部の共振周波
数が異なるため、そのままでは、所望の出力電力，位相
雑音，周波数同調感度などを得ることが困難である。し
たがって、所望の共振周波数を持つ誘電体共振器４毎
に、当該共振周波数に対して最適となるマイクロストリ
ップ線路５３，５５やスタブ長可変開放スタブ５６によ
り構成された高周波基板を作製する必要があった。この
ため少量多品種の誘電体発振器を製造する場合には、各
共振周波数毎に設計が必要となり、コスト高となったり
製造期間が長期化するといった問題点があった。

【０００５】本発明は、従来の問題点に鑑みなされたも
ので、共通の基板を使用して、誘電体共振器の交換と基
板上のパターンの接続を変化させるのみで、広帝域にお
いて、異なる発振周波数で発振する誘電体発振器を得る
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に記載
の誘電体発振器は、可動短絡板と可変容量ダイオードと
を備え、共振回路の同調周波数を可変するとともに、上
記可変容量ダイオードの一端側に接続されたマイクロス
トリップ線路（第２のマイクロストリップ線路）の両端
側に島状のパターンを設け、かつ、上記可変容量ダイオ
ードの他端側に島状のパターンを有する開放スタブを設
けて上記同調周波数を調整するようにしたものである。

【０００７】また、本発明の請求項２に記載の誘電体発
振器は、上記第１の開放スタブの線路長を、所望の周波
数で１／４波長となるように上記島状のパターンを金リ
ボンで接続するとともに、上記第２のマイクロストリッ
プ線路において、誘電体共振器の結合点から可変容量ダ
イオードまでの線路長を１／２波長とし、かつ、上記結
合点と反対側の線路長を１／４波長となるように、上記
第２のマイクロストリップ線路の島状のパターンを金リ
ボンで接続するようにしたものである。

【０００８】本発明の請求項３に記載の誘電体発振器
は、第１のマイクロストリップ線路と第２のマイクロス
トリップ線路とを、誘電体共振器を挟むように、かつ、
不並行に配置したものである。

【０００９】本発明の請求項４に記載の誘電体発振器
は、出力整合回路を、ＦＥＴのドレイン側に接続された
第３のマイクロストリップ線路と、この第３のマイクロ
ストリップ線路に接続され島状のパターンを有する第２
の開放スタブとから形成するとともに、上記第２の開放
スタブと上記島状のパターンとを金リボンで接続し、Ｆ
ＥＴに対する第２の開放スタブの位置及び長さを可変で
きるようにしたものである。

【００１０】本発明の請求項５に記載の誘電体発振器
は、ＦＥＴから、所望の周波数で１／４波長及び１／４
に半波長の整数倍だけ加算した距離だけ離れた箇所に、
誘電体共振器と第１のマイクロストリップ線路との結合
点をそれぞれ設けるるとともに、上記各結合点の位置に
応じたそれぞれの位置に可変容量ダイオードを実装でき
るように第２のマイクロストリップ線路を形成したもの
である。

【００１１】本発明の請求項６に記載の誘電体発振器
は、ＦＥＴ及び可変容量ダイオードのそれぞれに、高イ
ンピーダンス線路とラジアルスタブとで構成されたバイ
アス回路を設けたものである。

【００１２】本発明の請求項７に記載の誘電体発振器
は、第２のマイクロストリップ線路を、可変容量ダイオ
ードの上記第２のマイクロストリップ線路とは反対側の
端子の実装位置を中心とした円弧状に配置したものであ
る。

【００１３】本発明の請求項８に記載の誘電体発振器
は、誘電体共振器と第２のマイクロストリップ線路との
間に、島状のパターンを設け、上記第２のマイクロスト
リップ線路と上記島状のパターンとを金リボンで接続し
て、誘電体共振器との第２のマイクロストリップ線路と
の間隔を可変できるようにしたものである。

【００１４】本発明の請求項９に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板の両面あるいは片面に電波吸収体を貼付
したものである。

【００１５】本発明の請求項１０に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を、基板の少なくとも誘電体共振回路が
搭載された部分を全て覆う構造とし、可動短絡板にネジ
を設け、このネジにより可動短絡板を金属ケースへ固定
するとともに、誘電体共振器と可動短絡板との距離を可
変できるようにしたものである。

【００１６】本発明の請求項１１に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を円盤状とし、この可動短絡板の側面と
金属ケースの内側側面とにネジ部を形成し、上記可動短
絡板を上記金属ケースに螺入することにより、上記可動
短絡板を金属ケースに固定するとともに、誘電体共振器
と可動短絡板との距離を可変できるようにしたものであ
る。

【００１７】本発明の請求項１２に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を取り付ける金属板を、取り付けられた
可動短絡板が基板の誘電体共振回路が搭載された部分を
全て覆うことが出来る複数の箇所に取り付け穴を設けた
金属板としたものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づき説明する。なお、以下の説明中、従来
例と共通する部分については同一符号を用いて説明す
る。

【００１９】実施の形態１．図１（ａ）は、本発明の実
施の形態１に係わる誘電体発振器の構成図で、２０は誘
電体共振回路、２１は能動型共振回路、２２は出力整合
回路である。能動型共振回路２１は、ドレイン端子
（Ｄ）に負電圧をを印可することにより高周波的にドレ
イン接地したＦＥＴ１から構成されている。ＦＥＴ１の
ドレイン端子（Ｄ）には、ドレインバイアス入力端子１
６から高インピーダンス線路１５を介してバイアス電圧
が供給されており、ＦＥＴ１のソース端子（Ｓ）は、高
インピーダンス線路１５を介してグランド１３に接続さ
れている。誘電体共振回路２０は、所望の共振周波数を
持つ誘電体共振器４と、上記ＦＥＴ１のゲート端子
（Ｇ）接続された直線状の第１のマイクロストリップ線
路３と、この第１のマイクロストリップ線路３とともに
上記誘電体共振器４をハの字状に挟むように不並行に配
置され、両端に島状のパターン７，８を有する第２のマ
イクロストリップ線路５と、一方の端子（アノード側）
が上記第２のマイクロストリップ線路５に接続され、他
方の端子（カソード側）が島状のパターン９を有する第
１の開放スタブ６に接続された可変容量ダイオード１４
とを備えている。なお、１２は第１のマイクロストリッ
プ線路３をグランド１３に接地する終端抵抗（Ｚ０）、
１６は上記可変容量ダイオード１４に制御電圧を供給す
る入力制御電圧入力端子、１７はＦＥＴ１のゲート端子
（Ｇ）に高インピーダンス線路１５を介してバイアス電
圧を供給するゲートバイアス入力端子である。出力整合
回路２２は、上記ＦＥＴ１のドレイン端子（Ｄ）と出力
端子１９とを接続する第３のマイクロストリップ線路２
と、この第３のマイクロストリップ線路２に接続され島
状のパターン１１を有する第２の開放スタブ１０とを備
えている。

【００２０】図１（ｂ）は、本発明の実施の形態１に係
わる誘電体発振器の断面斜視図で、２５は、図１（ａ）
に示した、第１のマイクロストリップ線路３や第２のマ
イクロストリップ線路５などのパターンや誘電体共振器
４などの電子部品を配置した、例えばアルミナセラミッ
クスから成る高周波基板、２３は上記高周波基板２５を
収納する金属ケース、２６は可動短絡板、２７は金属フ
タである。ここで、上記可動短絡板２５は、上記誘電体
共振器４上に対峙するように、上記金属フタ２７に調整
ネジ２５ｎにより固定されており、可動短絡板２５と上
記誘電体共振器４との距離は、上記調整ネジ２５ｎによ
り調整する。なお、符号２３は、高周波基板２５を支持
するキャリアである。

【００２１】上記構成の誘電体発振器において、ＦＥＴ
１のゲート端子（Ｇ）に接続された第１のマイクロスト
リップ線路３は、誘電体共振器４と距離ｄ１おいて配置
され、上記誘電体共振器４と空間的に電磁結合すること
により、電気的に抵抗，インダクタ，キャパシタの並列
回路とみなせるＬＣＲ並列共振回路を構成している。ま
た、誘電体共振器４は、可変容量ダイオード１４に接続
された第２のマイクロストリップ線路５と距離ｄ２をお
いて配置され、この第２のマイクロストリップ線路５と
空間的に電磁結合されているので、制御電圧入力端子１
６からの入力電圧により制御される可変容量ダイオード
１４のキャパシタンスＣｊの変化に従って、上記ＬＣＲ
並列共振回路の負荷Ｑ値を変化させることができる。更
に、誘電体共振器４の上方に設けられ、この誘電体共振
器４との距離を可変できる可動短絡板２６によっても誘
電体共振器４の負荷Ｑ値を変化させることができる。し
たがって、本実施の形態１に係わる誘電体発振器の発振
周波数は、誘電体共振器４の誘電率、外形ザイズにより
主に決定され、上述したような負荷Ｑの可変により微調
整をすることができる。

【００２２】また、上記第２のマイクロストリップ線路
５において、誘電体共振器の結合点から可変容量ダイオ
ード１４までの線路長を、発振周波数の波長の１／２波
長とし、かつ、上記結合点と反対側の線路長を１／４波
長となるように、上記第２のマイクロストリップ線路５
の島状のパターン７，８を、例えば、金リボンで接続す
るようにするとともに、可変容量ダイオード１４に接続
された開放端スタブ６の線路長を、上記発振周波数の波
長の１／４波長となるように、開放端スタブ６の島状の
パターン９を、例えば、金リボンで接続することによ
り、負荷Ｑの可変容量ダイオード１４の抵抗分による損
失等による劣化を少なくし、安定した発振と低位相雑音
を得ることができる。なお、第１のマイクロストリップ
線路３と第２のマイクロストリップ線路５とを、誘電体
共振器４を挟むように不並行に配置したことにより、誘
電体共振器４を置く位置に応じて、上記マイクロストリ
ップ線路３，５と誘電体共振器４との距離ｄ１，ｄ２を
可変できる。しかも、上記マイクロストリップ線路３，
５をハの字状に配置することにより、誘電体共振器４と
上記マイクロストリップ線路３，５との距離をともに広
げたり縮めたりすることが容易である。

【００２３】更に、ＦＥＴｌと発振器出力端子１９間の
第３のマイクロストリップ線路２に接続され第２の開放
スタブ１０と島状のパターン１１とを、例えば、金リボ
ンで接続し、ＦＥＴ１に対する第２の開放スタブ１０の
位置及び長さを可変できるようにすることにより、ＦＥ
Ｔ１の出力側のインピーダンスを調整し、発振電力を効
率よく出力できるようにている。また、ＦＥＴｌと可変
容量ダイオード１４のバイアス供給は、高インピーダン
ス線路１５を介して行うことにより、発振の安定化が図
ることができる。

【００２４】このように、本実施の形態１によれば、可
動短絡板２６と可変容量ダイオード１４により共振回路
の同調周波数を可変するとともに、第２のマイクロスト
リップ線路５の両端側に島状のパターン８，９と、第１
の開放スタブ６の島状のパターン１０を金リボンで接続
して同調周波数を調整するようにし、更に、第２の開放
スタブ１０と島状のパターン１１とを金リボンで接続し
てＦＥＴ１の出力側のインピーダンスを調整するように
したので、広帯域な所望の発振周波数において低位相雑
音、高出力電力、発振の安定化を得ることができる。ま
た、第１のマイクロストリップ線路３と第２のマイクロ
ストリップ線路５とを、誘電体共振器４を挟むように不
並行に配置したので、マイクロストリップ線路３，５と
誘電体共振器４との距離ｄ１，ｄ２を可変できる。した
がって、誘電体共振器４を取り替え、パターンの接続を
変更するだけで、共通の高周波基板と電子部品とを使用
してさまぎまな発振周波数の誘電体共振器を容易に構成
することができる。

【００２５】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２に係わる誘電体発振器器の構成を示す図で、誘電体
共振器４と結合するマイクロストリップ線路３、５を曲
線で構成することにより、回路の実装面積を少なくした
もので、これにより、誘電体発振器を小型化することが
できる。

【００２６】実施の形態３．図３は、本発明の実施の形
態２に係わる誘電体発振器の構成を示す図で、誘電体共
振器４と第１のマイクロストリップ線路３との結合点
が、上記ＦＥＴ１から所望の周波数で１／４波長及び１
／４＋半波長の整数倍だけ離れた箇所のどちらでも発振
が可能となるように、第２のマイクロストリップ線路５
及び可変容量ダイオード１４を実装できるようパターン
化し、誘電体発振器４の位置を移動させても同一の発振
周波数が得られるように構成したものである。例えば、
最適な発振特性を得るための誘電体共振器４の位置が同
図の４ａ、すなわち、ＦＥＴ１から所望の周波数で１／
４波長の位置では、上記誘電体共振器４がＦＥＴ１に近
接するか、あるいは、可動短絡板２６とＦＥＴｌとの距
離が近接するなどして、組立作業性が困難な場合があ
る。そのときには、誘電体発振器４の位置を、所望の発
振周波数において、半波長あるいはその半波長整数倍の
距離だけ離れた位置４ｂで第１のマイクロストリップ線
路３と結合できるようにする。なお、上記誘電体発振器
の位置４ｂに対応する可変ダイオード１４ｂ及び島状の
パターン８ｂから成るマイクロストリップ線路と島状の
パターン９ｂから成るスタブは基板上に予め形成されて
いるので、誘電体発振器４ａを誘電体発振器４ｂの位置
に移動させても最適な発振特性を得ることができる。

【００２７】実施の形態４．上記実施の形態１〜３で
は、ＦＥＴｌ及び可変容量ダイオード１４のバイアス回
路は、高インピーダンス線路１５のみで構成していた
が、図４に示ずように、上記バイアス回路にラジアルス
タブ２８を併用することにより、同一基板で発振可能な
周波数帯域に応じてバイアス回路の広帯域化を図ること
ができる。

【００２８】実施の形態５．図５は、本発明の実施の形
態２に係わる誘電体発振器の構成を示す図で、可変容量
ダイオード１４を実装するマイクロストリップ線路５及
び島状のパターン８を、スタブ６の可変容量ダイオード
１４の端子と接続する点を中心とした円周上に配置する
ことにより、異なる周波数を発振させるために、マイク
ロストリップ線路５と可変容量ダイオード１４の接続点
を移動させる必要がある場合でも、可変容量ダイオード
１４を容易に実装することできる。また、この構造は、
上記実施の形態３（図３）のように、可変容量ダイオー
ド１４の実装位置が複数（同図の１４ａ，１４ｂ）ある
場合には、図５に示すように、島状のパターン８を可変
容量ダイオード１４の実装位置に応じた複数の円弧から
形成し、必要に応じて可変容量ダイオード１４の実装位
置を選択できるようにしも良い。

【００２９】実施の形態６．図６は、本発明の実施の形
態６に係わる誘電体発振器の構成を示す図で、誘電体共
振器４と第２のマイクロストリップ線路５との間に、平
面的に配置した島状のパターン５ｋを設け、上記第２の
マイクロストリップ線路５と上記島状のパターン５ｋと
を金リボンで接続して、誘電体共振器４との第２のマイ
クロストリップ線路５との間隔を可変できるようにした
もので、外形の異なる誘電体共振器４に対しも最適な電
子同調範囲を得ることができる。

【００３０】実施の形態７．図７は、本発明の実施の形
態７に係わる誘電体発振器の断面図で、可動短絡板２６
に電波吸収体２９を貼付し、この電波吸収体２９の貼付
位置、大きさを調整することにより、誘電体共振器４を
取り替えた場合でも、誘電体共振器の発振を安定化する
ことができる。

【００３１】実施の形態８．図８は、本発明の実施の形
態２に係わる誘電体発振器の断面図で、可動短絡板３０
を基板上の誘電体共振回路を全て覆うような構造とし、
更に、この可動短絡板３０の周辺に設けたネジ３０ｎ
を、例えば、図示しないナット等で金属ケース２３ヘ固
定するとともに、誘電体共振器４と可動短絡板３０との
間隔ｈを可変としたものである。このような可動短絡板
構造とすることで上記実施の形態１〜５に示した誘電体
発振器において、異なる発振周波数を発振するために誘
電体共振器の外形サイズと共振回路基板への実装位置が
共振回路基板上で大きく変動しても、振動などに係わる
間隔ｈの物理的な変動を小さくし、共通の可動短絡板３
０により安定した発振をさせることができる。

【００３２】実施の形態９ 図９は、本発明の実施の形態２に係わる誘電体発振器の
断面図で、基板上の誘電体共振回路を全て覆うような構
造の可動短絡板３０を側面にネジ山を設けた円盤状と
し、金属ケース２３の内側側面に設けたネジ山とによ
り、誘電体共振器４と上記可動短絡板３０との間隔ｈを
可変とし、かつ可動短絡板３０を金属ケースに固定する
ようにしてもよい。このような構造の誘電体発振器で
は、誘電体共振器４の高さ方向にネジ等の突起が生じな
いので、誘電体発振器のサイズを小型にすることができ
る。

【００３３】実施の形態１０ 図１０は、本発明の実施の形態１０に係わる誘電体発振
器の断面図で、可動短絡板固定用の金属フタ２７にネジ
穴３１を複数個設けたもので、上記実施の形態１〜５に
示す誘電体発振器において異なる周波数を発振させるた
めに誘電体共振器の実装位置が変動した場合でも、いず
れかのネジ穴を使用して可動短絡板２６を誘電体共振器
４上に構成することができる。

【００３４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１に記載の
発明によれば、可動短絡板と可変容量ダイオードにより
共振回路の同調周波数を可変するとともに、第２のマイ
クロストリップ線路の両端側に島状のパターンを設け、
かつ、上記可変容量ダイオードの他端側に島状のパター
ンを有する開放スタブを設けて上記同調周波数を調整す
るようにしたので、誘電体共振器４を取り替え、パター
ンの接続を変更するだけで、共通の高周波基板と電子部
品とを使用してさまぎまな発振周波数の誘電体共振器を
容易に構成することができる。

【００３５】また、請求項２に記載の発明によれば、上
記第１の開放スタブの線路長を、所望の周波数で１／４
波長となるように上記島状のパターンを金リボンで接続
するとともに、上記第２のマイクロストリップ線路にお
いて、誘電体共振器の結合点から可変容量ダイオードま
での線路長を１／２波長とし、かつ、上記結合点と反対
側の線路長を１／４波長となるように、上記第２のマイ
クロストリップ線路の島状のパターンを金リボンで接続
するようにしたので、簡単な構成で同調周波数の調整を
行うことができる。

【００３６】請求項３に記載の発明によれば、第１のマ
イクロストリップ線路と第２のマイクロストリップ線路
とを、誘電体共振器を挟むように、かつ、不並行に配置
したので、誘電体共振器を置く位置に応じて、マイクロ
ストリップ線路と誘電体共振器との距離を可変できる。

【００３７】請求項４に記載の発明によれば、出力整合
回路の第２の開放スタブと島状のパターンとを金リボン
で接続し、ＦＥＴに対する第２の開放スタブの位置及び
長さを可変できるようにしたので、ＦＥＴの出力側のイ
ンピーダンスを調整し、発振電力を効率よく出力できる
ようにている。

【００３８】請求項５に記載の発明によれば、ＦＥＴか
ら、所望の周波数で１／４波長及び１／４に半波長の整
数倍だけ加算した距離だけ離れた箇所に、誘電体共振器
と第１のマイクロストリップ線路との結合点をそれぞれ
設けるとともに、上記各結合点の位置に応じたそれぞれ
の位置に可変容量ダイオードを実装できるように第２の
マイクロストリップ線路を形成したので、誘電体発振器
を移動させても最適な発振特性を得ることができる。

【００３９】請求項６に記載の発明によれば、ＦＥＴ及
び可変容量ダイオードのそれぞれに、高インピーダンス
線路とラジアルスタブとで構成されたバイアス回路を設
けたので、バイアス回路の広帯域化を図ることができ
る。

【００４０】請求項７に記載の発明によれば、第２のマ
イクロストリップ線路を、可変容量ダイオードの上記第
２のマイクロストリップ線路とは反対側の端子の実装位
置を中心とした円弧状に配置したので、異なる周波数を
発振させるために、マイクロストリップ線路と可変容量
ダイオードの接続点を移動させる必要がある場合でも、
可変容量ダイオードを容易に実装することできる。

【００４１】請求項８に記載の発明によれば、、誘電体
共振器と第２のマイクロストリップ線路との間に、島状
のパターンを設け、上記第２のマイクロストリップ線路
と上記島状のパターンとを金リボンで接続して、誘電体
共振器との第２のマイクロストリップ線路との間隔を可
変できるようにしたので、外形の異なる誘電体共振器４
に対しも最適な電子同調範囲を得ることができる。

【００４２】請求項９に記載の発明によれば、可動短絡
板の両面あるいは片面に電波吸収体を貼付するようにし
たので、この電波吸収体の貼付位置、大きさを調整する
ことにより、誘電体共振を取り替えた場合でも、誘電体
共振器の発振を安定化することができる。

【００４３】請求項１０に記載の発明によれば、可動短
絡板を、基板の少なくとも誘電体共振回路が搭載された
部分を全て覆う構造とし、可動短絡板にネジを設け、こ
のネジにより可動短絡板を金属ケースへ固定するととも
に、誘電体共振器と可動短絡板との距離を可変できるよ
うにしたので、異なる発振周波数を発振するために誘電
体共振器の外形サイズと共振回路基板への実装位置が共
振回路基板上で大きく変動しても、安定した発振をさせ
ることができる。

【００４４】請求項１１に記載の発明によれば、可動短
絡板を円盤状とし、この可動短絡板の側面と金属ケース
の内側側面とにネジ部を形成し、上記可動短絡板を上記
金属ケースに螺入することにより、上記可動短絡板を金
属ケースに固定するとともに、誘電体共振器と可動短絡
板との距離を可変できるようにしたので、誘電体共振器
の高さ方向にネジ等の突起が生じないので、誘電体発振
器のサイズを小型にすることができる。

【００４５】本発明の請求項１２に記載の誘電体発振器
は、可動短絡板を取り付ける金属板を、取り付けられた
可動短絡板が基板の誘電体共振回路が搭載された部分を
全て覆うことが出来る複数の箇所に取り付け穴を設けた
金属板としたので、異なる周波数を発振させるために誘
電体共振器の実装位置が変動した場合でも、いずれかの
ネジ穴を使用して可動短絡板を誘電体共振器上に構成す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１に係わる誘電発振器の
構成を示す構造図と断面斜視図である。

【図２】 本発明の実施の形態２に係わる誘電発振器の
構成図である。

【図３】 本発明の実施の形態３に係わる誘電発振器の
構成図である。

【図４】 本発明の実施の形態４に係わる誘電発振器の
構成図である。

【図５】 本発明の実施の形態５に係わる誘電発振器の
構成図である。

【図６】 本発明の実施の形態６に係わる誘電発振器の
構成図である。

【図７】 本発明の実施の形態７に係わる誘電発振器の
断面斜視図である。

【図８】 本発明の実施の形態８に係わる誘電発振器の
断面図である。

【図９】 本発明の実施の形態９に係わる誘電発振器の
断面図である。

【図１０】 本発明の実施の形態１０に係わる誘電発振
器の断面斜視図である。

【図１１】 従来の可変容量ダイオードを用いた誘電体
発振器の構成を示す図である。

【図１２】 従来の可動短絡板を用いた誘電体発振器の
断面図である。

【符号の説明】

１ ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、２ 第３のマイ
クロストリップ線路、３ 第１のマイクロストリップ線
路、５ 第２のマイクロストリップ線路、４ 誘電体共
振器、６第１の開放スタブ、１０ 第２の開放スタブ、
７，８，９，１１，５ｋ 島状のパターン、１２ 終端
抵抗、１３ グランド、１４ 可変容量ダイオード、１
５ 高インピーダンス線路、１６ 制御電圧入力端子、
１７ ゲートバイアス入力端子、１８ ドレインバイア
ス入力端子、１９ 発振出力端端子、２０ 誘電体共振
回路、２１ 能動型共振回路、２２ 出力整合回路、２
３ 金属ケース、２４ キャリア、２５ 高周波基板、
２６，３０ 可動短絡板、２７ 金属フタ、２８ ラジ
アルスタブ、２９ 電波吸収体、３１ 可動短絡板取り
付け用ネジ穴

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＦＥＴから成る能動型共振回路と、この
   ＦＥＴのドレイン側と出力端子の間に設けられた出力整
   合回路と、特定の共振周波数をもつ誘電体共振器と、上
   記ＦＥＴのゲート側に接続され上記誘電体共振器と空間
   で電磁的に結合する第１のマイクロストリップ線路と、
   可変容量ダイオードの一端側に接続される第２のマイク
   ロストリップ線路とを備えた誘電体共振回路とから構成
   される誘電体発振器において、可動短絡板を備え、この
   可動短絡板と可変容量ダイオードとにより同調周波数を
   可変するとともに、上記可変容量ダイオードの他端側に
   島状のパターンを有する開放スタブを設け、かつ、上記
   第２のマイクロストリップ線路の両端側に島状のパター
   ンを設けて上記同調周波数を調整するようにしたことを
   特徴とする誘電体発振器。
2. 【請求項２】 上記第１の開放スタブの線路長が所望の
   周波数で１／４波長となるように上記島状のパターンを
   金リボンで接続するとともに、上記第２のマイクロスト
   リップ線路において、誘電体共振器の結合点から可変容
   量ダイオードまでの線路長を１／２波長とし、かつ、上
   記結合点と反対側の線路長を１／４波長となるように、
   上記第２のマイクロストリップ線路の島状のパターンを
   金リボンで接続するようにしたことを特徴とする請求項
   １に記載の誘電体発振器。
3. 【請求項３】 第１のマイクロストリップ線路と第２の
   マイクロストリップ線路とを、誘電体共振器を挟むよう
   に、かつ、不並行に配置したことを特徴とする請求項１
   に記載の誘電体発振器。
4. 【請求項４】 上記出力整合回路を、上記ＦＥＴのドレ
   イン側に接続された第３のマイクロストリップ線路と、
   この第３のマイクロストリップ線路に接続され島状のパ
   ターンを有する第２の開放スタブとから形成するととも
   に、上記第２の開放スタブと上記島状のパターンとを金
   リボンで接続し、ＦＥＴに対する第２の開放スタブの位
   置及び長さを可変できるようにしたことを特徴とする請
   求項１に記載の誘電体発振器。
5. 【請求項５】 ＦＥＴから、所望の周波数で１／４波長
   及び１／４に半波長の整数倍だけ加算した距離だけ離れ
   た箇所に、誘電体共振器と第１のマイクロストリップ線
   路との結合点をそれぞれ設けるるとともに、上記各結合
   点の位置に応じたそれぞれの位置に可変容量ダイオード
   を実装できるように第２のマイクロストリップ線路を形
   成したことを特徴とする請求項１に記載の誘電体発振
   器。
6. 【請求項６】 上記ＦＥＴ及び可変容量ダイオードのそ
   れぞれに、高インピーダンス線路とラジアルスタブとで
   構成されたバイアス回路を設けたことを特徴とする請求
   項１に記載の誘電体発振器。
7. 【請求項７】 第２のマイクロストリップ線路を、可変
   容量ダイオードの上記第２のマイクロストリップ線路と
   は反対側の端子の実装位置を中心とした円弧状に配置し
   たことを特徴とする請求項１に記載の誘電体発振器。
8. 【請求項８】 誘電体共振器と第２のマイクロストリッ
   プ線路との間に、島状のパターンを設け、上記第２のマ
   イクロストリップ線路と上記島状のパターンとを金リボ
   ンで接続して、誘電体共振器との第２のマイクロストリ
   ップ線路との間隔を可変できるようにしたことを特徴と
   する請求項１に記載の誘電体発振器。
9. 【請求項９】 可動短絡板の両面あるいは片面に電波吸
   収体を貼付したことを特徴とする請求項１に記載の誘電
   体発振器。
10. 【請求項１０】 可動短絡板を、基板の少なくとも誘電
    体共振回路が搭載された部分を全て覆う構造とし、可動
    短絡板にネジを設け、このネジにより可動短絡板を金属
    ケースへ固定するとともに、誘電体共振器と可動短絡板
    との距離を可変できるようにしたことを特徴とする請求
    項１に記載の誘電体発振器。
11. 【請求項１１】 可動短絡板を円盤状とし、この可動短
    絡板の側面と金属ケースの内側側面とにネジ部を形成
    し、上記可動短絡板を上記金属ケースに螺入することに
    より、上記可動短絡板を金属ケースに固定するととも
    に、誘電体共振器と可動短絡板との距離を可変できるよ
    うにしたことを特徴とする請求項１に記載の誘電体発振
    器。
12. 【請求項１２】 可動短絡板を取り付ける金属板を、取
    り付けられた可動短絡板が基板の誘電体共振回路が搭載
    された部分を全て覆うことが出来る複数の箇所に取り付
    け穴を設けた金属板としたことを特徴とするを請求項１
    に記載の誘電体発振器。