JPH11340751A - 演算増幅器 - Google Patents
演算増幅器Info
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- JPH11340751A JPH11340751A JP10148035A JP14803598A JPH11340751A JP H11340751 A JPH11340751 A JP H11340751A JP 10148035 A JP10148035 A JP 10148035A JP 14803598 A JP14803598 A JP 14803598A JP H11340751 A JPH11340751 A JP H11340751A
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Abstract
で決まる最高動作帯域の限界まで動作帯域を向上させる
演算増幅器を提供することを課題とする。 【解決手段】 本発明の演算増幅器は、反転入力と非反
転入力との差動入力を増幅する差動増幅回路(1)と、
差動増幅回路の出力が入力される第1と第2のソースフ
ォロア回路(2,3)とを有し、第1のソースフォロア
回路の出力を第1の出力とし、第2のソースフォロア回
路の出力を第2の出力とした構成を有する。
Description
り、特にCMOS技術を用い、画像信号処理回路に好適
な高帯域の演算増幅器に関する。
が提案されてきている。しかし、画像信号処理用の演算
増幅器については、これまでは動作帯域の観点から高速
動作のバイポーラ素子の回路で構成されたものが主流で
あった。バイポーラの演算増幅器の場合には、他のCM
OSの論理回路と同一チップ上に形成することが困難で
あり、論理回路部については別チップ構成とせざるを得
なかった。
CMOSとの混成)を用いて、バイポーラのアナログ回
路とCMOSの論理回路とを同一チップ上に集積化した
製品も見られるが、一般に純粋なCMOSプロセスに比
べて、Bi−CMOSプロセスは工程が複雑でチップの
製造コストが高くつくという問題点がある。
インピーダンスがほぼ無限大であることや、CMOSで
構成される論理回路と一緒に同一チップ上に構成したい
わゆるロジアナ混在ICに向いているなどの特徴を有し
ている。ところが、CMOS演算増幅器はバイポーラプ
ロセスで作った演算増幅器に比べて動作周波数帯域(以
下、帯域と称す。)が低く、画像信号の処理用に使用す
ることは困難であった。
図を示す。この演算増幅器は、反転入力端子NEGと、
非反転入力端子POSと、該非反転入力端子POSがゲ
ート端子に接続されたN型(チャネル)MOSトランジ
スタのドレイン端子を出力とする差動増幅段100と、
差動増幅段100の出力を入力するCMOS構成のイン
バータ回路からなる出力段200と、負荷容量300と
からなる。なお、同図で、OUTは演算増幅器の出力端
子を、PはP型MOSトランジスタを、NはN型MOS
トランジスタを、400は定電流源を、500は位相補
償容量をそれぞれ示す。
は、出力段200の出力インピーダンスと負荷容量30
0である。出力段200がインバータ構成であると高い
開ループゲインが得られる一方、帯域は狭くなり全体と
して低帯域の演算増幅器となってしまう。
うな出力段210を低出力インピーダンスのソースフォ
ロアで構成することが考えられる。この場合には図3の
出力段200がインバータ構成の場合と比べて開ループ
ゲインは低くなるものの、帯域は大幅に高い周波数まで
拡大できる。なお、同図で、110は差動増幅段を、3
10は負荷容量を、410は定電流源を、510は位相
補償容量をそれぞれ示す。
器の差動増幅段110と、出力段210と、演算増幅器
全体の周波数特性(ボード線図)を示す。横軸は周波数
であり、縦軸はゲインである。破線150が差動増幅段
110の特性で、細い実線250が出力段(ソースフォ
ロア)210の特性で、太い実線350が演算増幅器全
体の特性を示す。
ソースフォロアの特性250と負荷容量310とで決ま
る第2ポール周波数で律速され、この周波数以上の帯域
は得られない。さらに位相余裕を45°確保するために
この第2ポール周波数で差動増幅段110のゲインが0
dB以下になっている必要がある。このために、位相補
償を行って差動増幅段110による第1ポール周波数を
低域側にシフトさせ、第2ポール周波数での差動増幅段
のゲインを0dB以下にしなければならない。この位相
補償は、チップ上に作り込んだキャパシタを用いるた
め、プロセスでのばらつきを考慮するとある程度余裕を
もって差動増幅段110のポール周波数を低域までシフ
トさせなければならず、結果的に演算増幅器全体の動作
帯域は第1ポール周波数で決まることになって、出力段
210の第2ポール周波数で決まる最大帯域にはならな
い。
と出力の負荷容量とで決まる最高動作帯域の限界まで動
作帯域を向上させる演算増幅器を提供することである。
反転入力と非反転入力との差動入力を増幅する差動増幅
回路と、前記差動増幅回路の出力が入力される第1と第
2のソースフォロア回路とを有し、前記第1のソースフ
ォロア回路の出力を第1の出力とし、前記第2のソース
フォロア回路の出力を第2の出力とした構成を有する。
演算増幅器の回路図を示す。図1において、1は初段の
差動増幅段で、差動増幅段1の反転入力端子NEGがゲ
ート端子に接続されたN型MOSトランジスタ11のド
レイン端子が差動増幅段1の出力である。その出力は、
第1のソースフォロア2と、第2のソースフォロア3の
両方のドライブトランジスタ21、31のゲートに接続
される。なお差動増幅段1の反転入力端子NEGには演
算増幅器のフィードバック出力FBOからの帰還係数を
含むフィードバックループ(図示せず。)が接続され
る。
抵抗などの負荷をソースに接続し、ゲートに印加された
入力電圧に応じた電圧をソースから出力する回路であ
る。
出力用のソースフォロアであり、第2のソースフォロア
3は演算増幅器の出力用のソースフォロアである。第1
のソースフォロア2と第2のソースフォロア3は、それ
ぞれのソースフォロアを構成するトランジスタのL(ゲ
ート長)が同一で、W(ゲート幅)のみが異なるように
構成されている。本実施例では出力用の第2のソースフ
ォロア3のWの方が第1のソースフォロア2よりも大き
くなるようにしている。すなわち、フィードバック用の
第1のソースフォロア2の方が第2のソースフォロア3
よりも出力インピーダンスが大きい。つまり、フィード
バック用ソースフォロア2のトランジスタ22と21の
導電係数をZ1 ,Z2 とした場合、Z1 =W/L,Z2
=W/Lで表され、出力用ソースフォロア3のトランジ
スタ32、31の導電係数はW/L=kZ1 ,W/L=
kZ2 で表される。なお、kは1より大きな値の係数で
ある。
フォロア2、3は互いに等しい入力電圧が与えられたと
きに等しい出力電圧が得られるよう、ドライブトランジ
スタと電流源トランジスタの導電係数の比率が等しくな
るように設定されている。
ロア2の出力FBOに付随する寄生容量Cpaである。5
は演算増幅器の出力端子OUTに付随する負荷容量C
loadである。なお、同図で6は定電流源、7は位相補償
容量、22、32はそれぞれドライブトランジスタ2
1、31とペアでソースフォロアを構成する電流源トラ
ンジスタである。
す。破線10は差動増幅段1の周波数特性であり、実線
20はフィードバック用のソースフォロア2の周波数特
性であり、2点鎖線30は出力用のソースフォロア3の
周波数特性であり、太い実線40は差動増幅段1とフィ
ードバック用ソースフォロア2との組み合わせの周波数
特性であり、点線50は差動増幅段1と出力用ソースフ
ォロア3との組み合わせの周波数特性である。
のポール周波数fpoは、ドライブトランジスタ31の相
互コンダクタンスgmoと負荷容量Cloadとで決まり、f
po=1/〔2×π×(Cload/gmo)〕で表される。ま
た、フィードバック用のソースフォロア2のポール周波
数fpfは、ドライブトランジスタ21の相互コンダクタ
ンスgmfと寄生容量Cpaとで決まり、fpf=1/〔2×
π×(Cpa/gmf)〕で表される。
に比べて極めて小さいため、gmfをgmoより小さくして
も、すなわちkを1よりも大きくしても、フィードバッ
ク用ソースフォロア2のポール周波数fpfは出力用のソ
ースフォロア3のポール周波数fpoよりも高くすること
ができる。
増幅段1の反転入力端子NEGとフィードバック出力端
子FBOとの間で構成されるために、位相補償は差動増
幅段1の0dB時の周波数がフィードバック用ソースフ
ォロア2で決まるポール周波数よりも低くなるように設
定すればよいので、ある程度余裕を見込んで第1ポール
周波数を低域側にシフトさせたとしても、それでも演算
増幅器全体の動作帯域は図2から明らかなように、出力
用ソースフォロア3のポール周波数よりも高く設定でき
ることになる。
る出力は差動増幅段1の出力電圧で決まり、この出力電
圧が出力用ソースフォロア3に入力されて、かつフィー
ドバック用ソースフォロア2と出力用ソースフォロア3
の入出力特性が同一であることから、フィードバック用
ソースフォロア2と演算増幅器としての出力とは等しく
なって従来の演算増幅器で反転入力端子と出力端子との
間でフィードバックをかけた場合と同じ出力が得られる
ことになる。
ック用ソースフォロア2を構成するトランジスタペア
(ドライブトランジスタ21と電流源トランジスタ2
2)と出力用ソースフォロア2のトランジスタペア3
1、32は、それぞれユニットとなるトランジスタペア
を複数個並列に接続する構成となっており、それぞれユ
ニットトランジスタの数を変えることにより入出力特性
が同じで、出力インピーダンスのみが異なる二つのソー
スフォロアを構成している。
に限るものではなく、実施例の開示にもとづき様々な変
更や改良が当業者であれば可能であることは自明であろ
う。
る出力側のソースフォロアをフィードバック用と出力用
の二つのソースフォロア構成としたことによって、従来
の演算増幅器と同等の入出力特性で、かつ同等の位相余
裕も保ちながら、従来のものよりも高帯域まで動作する
演算増幅器を得ることができ、CMOS構成で映像信号
の処理用として好適な演算増幅器とすることができる。
る。
る。
周波数特性 50 差動増幅段と出力用ソースフォロアの周波数特性
Claims (4)
- 【請求項1】 反転入力と非反転入力との差動入力を増
幅する差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出力が入力
される第1と第2のソースフォロア回路とを有し、前記
第1のソースフォロア回路の出力を第1の出力とし、前
記第2のソースフォロア回路の出力を第2の出力とした
演算増幅器。 - 【請求項2】 前記第1と第2のソースフォロア回路は
入出力電圧特性が互いに実質的に同一であって、出力イ
ンピーダンスが互いに異なる請求項1記載の演算増幅
器。 - 【請求項3】 前記第1と第2のソースフォロア回路の
内のいずれか一方の出力と前記差動増幅回路の反転入力
端子との間でフィードバックループを構成する請求項2
記載の演算増幅器。 - 【請求項4】 前記差動増幅回路の反転入力端子との間
でフィードバックループを構成するソースフォロア出力
は、前記第1および第2のソースフォロア回路の内出力
インピーダンスが小さくないソースフォロア回路の出力
である請求項3記載の演算増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148035A JPH11340751A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 演算増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10148035A JPH11340751A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 演算増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340751A true JPH11340751A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15443670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10148035A Pending JPH11340751A (ja) | 1998-05-28 | 1998-05-28 | 演算増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11340751A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013102465A (ja) * | 2001-11-28 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2013176143A (ja) * | 2002-01-17 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
| US8669791B2 (en) | 2002-01-17 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
-
1998
- 1998-05-28 JP JP10148035A patent/JPH11340751A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013102465A (ja) * | 2001-11-28 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8841941B2 (en) | 2001-11-28 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit |
| US9419570B2 (en) | 2001-11-28 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit |
| US10089923B2 (en) | 2001-11-28 | 2018-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electric circuit |
| JP2013176143A (ja) * | 2002-01-17 | 2013-09-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び電子機器 |
| US8669791B2 (en) | 2002-01-17 | 2014-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
| US8928362B2 (en) | 2002-01-17 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic apparatus using the same |
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Legal Events
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|
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061205 |