JPH11345734A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH11345734A JPH11345734A JP14941898A JP14941898A JPH11345734A JP H11345734 A JPH11345734 A JP H11345734A JP 14941898 A JP14941898 A JP 14941898A JP 14941898 A JP14941898 A JP 14941898A JP H11345734 A JPH11345734 A JP H11345734A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低背化されたモジュール部品に用いても、短絡
やマイグレーションが発生することのない積層セラミッ
クコンデンサを提供する。 【解決手段】 本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体層と内部電極層とを交互に積層して成るコンデン
サ本体１の前記内部電極層が露出する端部に、外部端子
電極２、３を形成して成る。そして、前記コンデンサ本
体１の上面に延在する外部端子電極２、３上に、絶縁被
覆膜４、５を被着形成した積層セラミックコンデンサで
ある。
やマイグレーションが発生することのない積層セラミッ
クコンデンサを提供する。 【解決手段】 本発明の積層セラミックコンデンサは、
誘電体層と内部電極層とを交互に積層して成るコンデン
サ本体１の前記内部電極層が露出する端部に、外部端子
電極２、３を形成して成る。そして、前記コンデンサ本
体１の上面に延在する外部端子電極２、３上に、絶縁被
覆膜４、５を被着形成した積層セラミックコンデンサで
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装される積
層セラミックコンデンサに関するものである。
層セラミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】従来、積層セラミックコ
ンデンサなどが用いられる各種電子機器の小型、薄型化
が顕著となっている。
ンデンサなどが用いられる各種電子機器の小型、薄型化
が顕著となっている。
【０００３】このため、各種電子部品を搭載した回路基
板（以下、モジュール部品）においても、薄型化されて
いる。
板（以下、モジュール部品）においても、薄型化されて
いる。
【０００４】このような、モジュール部品の一形態とし
て、図６に示すように、所定配線導体４２を形成した基
板４１上に、ＩＣチップや積層セラミックコンデンサや
その他電子部品素子４３が表面実装されて、さらに、金
属シールド蓋体４４が被覆される構造がある。
て、図６に示すように、所定配線導体４２を形成した基
板４１上に、ＩＣチップや積層セラミックコンデンサや
その他電子部品素子４３が表面実装されて、さらに、金
属シールド蓋体４４が被覆される構造がある。
【０００５】このようなモジュール部品においては、金
属シールド蓋体４４と積層セラミックコンデンサ（特に
他の電子部品素子４３と区別して５０と付す）に着目す
ると、積層セラミックコンデンサ５０の上面と金属シー
ルド蓋体４４との間には、約０．２〜０．４ｍｍの空間
を形成する必要がある。
属シールド蓋体４４と積層セラミックコンデンサ（特に
他の電子部品素子４３と区別して５０と付す）に着目す
ると、積層セラミックコンデンサ５０の上面と金属シー
ルド蓋体４４との間には、約０．２〜０．４ｍｍの空間
を形成する必要がある。
【０００６】即ち、積層セラミックコンデンサ５０と金
属シールド蓋体４４とが接触してしまうと、図５に示す
積層セラミックコンデンサ５０の両外部端子電極２、３
が短絡してしまい、また、０．２ｍｍ以下の間隔が存在
しても、外部端子電極と金属シールド蓋体４４間でマイ
グレーションなどが発生してしまい、耐電圧特性が非常
に低いものとなってしまう。
属シールド蓋体４４とが接触してしまうと、図５に示す
積層セラミックコンデンサ５０の両外部端子電極２、３
が短絡してしまい、また、０．２ｍｍ以下の間隔が存在
しても、外部端子電極と金属シールド蓋体４４間でマイ
グレーションなどが発生してしまい、耐電圧特性が非常
に低いものとなってしまう。
【０００７】しかも、積層セラミックコンデンサ５０の
外部端子電極２、３は、図５に示すように、複数の誘電
体層と複数の内部電極層とかなるコンデンサ本体１の一
対の端部に厚膜手法によって被着形成されている。即
ち、コンデンサ本体１の表面に外部端子電極２、３が延
在することになり、しかも、この表面延在部２ａ、３ａ
の厚みが上述の厚膜技法で形成されることにより、膜厚
制御が完全に行えないという問題がある。しかも、基板
４１表面から積層セラミックコンデンサ５０の外部端子
電極２、３の最頂部までの高さは、積層セラミックコン
デンサ５０を基板４１の表面に半田接合する際の半田量
Ｓによっても大きく左右されるということからも、金属
シールド蓋体４４と積層セラミックコンデンサ５０との
間の間隔を厳密に制御できないものであった。
外部端子電極２、３は、図５に示すように、複数の誘電
体層と複数の内部電極層とかなるコンデンサ本体１の一
対の端部に厚膜手法によって被着形成されている。即
ち、コンデンサ本体１の表面に外部端子電極２、３が延
在することになり、しかも、この表面延在部２ａ、３ａ
の厚みが上述の厚膜技法で形成されることにより、膜厚
制御が完全に行えないという問題がある。しかも、基板
４１表面から積層セラミックコンデンサ５０の外部端子
電極２、３の最頂部までの高さは、積層セラミックコン
デンサ５０を基板４１の表面に半田接合する際の半田量
Ｓによっても大きく左右されるということからも、金属
シールド蓋体４４と積層セラミックコンデンサ５０との
間の間隔を厳密に制御できないものであった。
【０００８】さらに、金属シールド蓋体４４の材料とし
て、外部応力で撓むことのない硬質の金属材料である必
要がある。これは、初期状態で金属シールド蓋体４４と
積層セラミックコンデンサ５０との間で充分な間隔を有
していても、実際の使用で外部から応力ｆが与えられた
時に、積層セラミックコンデンサ５０の両端子電極２、
３が導通してしまい、その結果、所定回路を破壊してし
まうためである。
て、外部応力で撓むことのない硬質の金属材料である必
要がある。これは、初期状態で金属シールド蓋体４４と
積層セラミックコンデンサ５０との間で充分な間隔を有
していても、実際の使用で外部から応力ｆが与えられた
時に、積層セラミックコンデンサ５０の両端子電極２、
３が導通してしまい、その結果、所定回路を破壊してし
まうためである。
【０００９】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、低背化されたモジュール部品
に用いても、短絡やマイグレーションが発生することの
ない積層セラミックコンデンサを提供することにある。
ものであり、その目的は、低背化されたモジュール部品
に用いても、短絡やマイグレーションが発生することの
ない積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の積層セラミック
コンデンサは、誘電体層と内部電極層とを交互に積層し
て成るコンデンサ本体の一対の端部に、前記内部電極層
と接続する外部端子電極を形成するとともに、前記コン
デンサ本体の上面に延在する前記外部端子電極上に、絶
縁被覆膜を被着形成したことを特徴とする積層セラミッ
クコンデンサである。
コンデンサは、誘電体層と内部電極層とを交互に積層し
て成るコンデンサ本体の一対の端部に、前記内部電極層
と接続する外部端子電極を形成するとともに、前記コン
デンサ本体の上面に延在する前記外部端子電極上に、絶
縁被覆膜を被着形成したことを特徴とする積層セラミッ
クコンデンサである。
【００１１】
【作用】上述の構成の積層セラミックコンデンサによれ
ば、回路基板の所定配線導体に所定電子部品素子を表面
実装し、さらに、その上部を金属シールド蓋体で被覆し
たモジュール部品に簡単に適用できる。
ば、回路基板の所定配線導体に所定電子部品素子を表面
実装し、さらに、その上部を金属シールド蓋体で被覆し
たモジュール部品に簡単に適用できる。
【００１２】即ち、金属シールド蓋体に外部応力が与え
られ、蓋体が変形して、積層セラミックコンデンサの上
面に接触しても、また、金属シールド蓋体と積層セラミ
ックコンデンサとの間隔が非常に微小であても、金属シ
ールド蓋体を介して積層セラミックコンデンサの端子電
極間が短絡やマイグレーションなどが発生することが一
切ない。
られ、蓋体が変形して、積層セラミックコンデンサの上
面に接触しても、また、金属シールド蓋体と積層セラミ
ックコンデンサとの間隔が非常に微小であても、金属シ
ールド蓋体を介して積層セラミックコンデンサの端子電
極間が短絡やマイグレーションなどが発生することが一
切ない。
【００１３】従って、高い絶縁性と、モジュール部品の
小型化が可能な積層セラミックコンデンサとなる。
小型化が可能な積層セラミックコンデンサとなる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の積層セラミックコ
ンデンサを図面に基づいて詳説する。
ンデンサを図面に基づいて詳説する。
【００１５】図１は、本発明の積層セラミックコンデン
サの外観斜視図であり、図２はその側面図である。ま
た、図４は、本発明の積層セラミックコンデンサを用い
たモジュール部品の断面構造図である。
サの外観斜視図であり、図２はその側面図である。ま
た、図４は、本発明の積層セラミックコンデンサを用い
たモジュール部品の断面構造図である。
【００１６】図１、図２においで、１０は積層セラミッ
クコンデンサであり、積層セラミックコンデンサ１は、
コンデンサ本体１と該コンデンサ本体１の一対の両端部
に形成した外部端子電極２、３とから構成されている。
クコンデンサであり、積層セラミックコンデンサ１は、
コンデンサ本体１と該コンデンサ本体１の一対の両端部
に形成した外部端子電極２、３とから構成されている。
【００１７】コンデンサ本体１は、ＢａＴｉＯ3 などの
誘電体層と容量成分を発生する内部電極層とが交互に積
層されて構成されている。例えば、内部電極層は、コン
デンサ本体１の一方の端面に導出される第１内部電極層
と、コンデンサ本体１の他方端面に導出する第２内部電
極層とからなり、この第１内部電極と第２内部電極との
間で、誘電体層を介して所定容量成分が発生する。
誘電体層と容量成分を発生する内部電極層とが交互に積
層されて構成されている。例えば、内部電極層は、コン
デンサ本体１の一方の端面に導出される第１内部電極層
と、コンデンサ本体１の他方端面に導出する第２内部電
極層とからなり、この第１内部電極と第２内部電極との
間で、誘電体層を介して所定容量成分が発生する。
【００１８】そして、コンデンサ本体１の内部電極層が
導出される一対の端面及び該端面と連続する４つ面（上
下面及び両側面）、即ち、一対の端部には、外部端子電
極２、３が被着・形成されている。この外部端子電極
２、３は、例えば銀や銅を主成分とする導電性ペースト
や樹脂ペーストを用いて形成された厚膜下地導体層と、
該厚膜導体下地層上で表面実装による半田接合を容易す
るためのメッキ被覆層とから構成されている。尚、外部
端子電極２、３の内、コンデンサ本体１の上面側（基板
の実装面と対向する面）に延在する部分を２ａ、３ａと
付す。
導出される一対の端面及び該端面と連続する４つ面（上
下面及び両側面）、即ち、一対の端部には、外部端子電
極２、３が被着・形成されている。この外部端子電極
２、３は、例えば銀や銅を主成分とする導電性ペースト
や樹脂ペーストを用いて形成された厚膜下地導体層と、
該厚膜導体下地層上で表面実装による半田接合を容易す
るためのメッキ被覆層とから構成されている。尚、外部
端子電極２、３の内、コンデンサ本体１の上面側（基板
の実装面と対向する面）に延在する部分を２ａ、３ａと
付す。
【００１９】本発明は、コンデンサ本体１の両端面部に
形成された２つの外部端子電極２、３の上面の延在部２
ａ、３ａ上に、絶縁被覆膜４、５が形成されていること
である。
形成された２つの外部端子電極２、３の上面の延在部２
ａ、３ａ上に、絶縁被覆膜４、５が形成されていること
である。
【００２０】絶縁被覆膜４、５は、例えば、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂から成る絶縁樹
脂被覆膜やホウ珪酸鉛などの低融点ガラス成分から成る
絶縁ガラス被覆膜等から構成されている。その絶縁被覆
膜４、５の厚みは、２０〜１００μｍ程度である。例え
ば、２０μｍ未満では耐電圧信頼性が低く、例えば、回
路基板での動作電圧３〜５Ｖ程度であっても充分な信頼
性が得られない。また、１００μｍを越えると、モジュ
ール回路に実装した従来技術で、積層セラミックコンデ
ンサ５０と金属シールド蓋体４４との間隙と同一オーダ
ーとなり、モジュール回路の低背化に充分に寄与できな
い。
脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂から成る絶縁樹
脂被覆膜やホウ珪酸鉛などの低融点ガラス成分から成る
絶縁ガラス被覆膜等から構成されている。その絶縁被覆
膜４、５の厚みは、２０〜１００μｍ程度である。例え
ば、２０μｍ未満では耐電圧信頼性が低く、例えば、回
路基板での動作電圧３〜５Ｖ程度であっても充分な信頼
性が得られない。また、１００μｍを越えると、モジュ
ール回路に実装した従来技術で、積層セラミックコンデ
ンサ５０と金属シールド蓋体４４との間隙と同一オーダ
ーとなり、モジュール回路の低背化に充分に寄与できな
い。
【００２１】そして、絶縁被覆膜４、５の被覆部分は、
図１、２に示すように、少なくとも端子電極２、３の上
面延在部２ａ、３ａのみに被着形成されていればよい。
従って、図３（ａ）に示すように、端子電極２、３の上
面延在部２ａ、３ａを含む積層セラミックコンデンサ１
０の上面領域に渡って絶縁被覆膜４５を被着形成しても
構わない。また、図３（ｂ）に示すように、絶縁被覆膜
４６は、端子電極２、３の少なくとも上面部分を被覆し
ていればよく、端子電極２、３の上面側から、端面及び
側面にかけて、上面側からコンデンサ本体１の高さＨの
１／３程度まで被覆されていても構わない。図３（ｂ）
では、その絶縁被覆膜４６の被覆領域をｈで示してい
る。
図１、２に示すように、少なくとも端子電極２、３の上
面延在部２ａ、３ａのみに被着形成されていればよい。
従って、図３（ａ）に示すように、端子電極２、３の上
面延在部２ａ、３ａを含む積層セラミックコンデンサ１
０の上面領域に渡って絶縁被覆膜４５を被着形成しても
構わない。また、図３（ｂ）に示すように、絶縁被覆膜
４６は、端子電極２、３の少なくとも上面部分を被覆し
ていればよく、端子電極２、３の上面側から、端面及び
側面にかけて、上面側からコンデンサ本体１の高さＨの
１／３程度まで被覆されていても構わない。図３（ｂ）
では、その絶縁被覆膜４６の被覆領域をｈで示してい
る。
【００２２】尚、絶縁被覆膜４、５を樹脂で構成する場
合、絶縁被覆膜４、５と端子電極２、３やコンデンサ本
体１との密着性と、積層セラミックコンデンサ１０を半
田接合する際の熱処理温度を考慮する必要がある。これ
らを考慮すると、望ましい材料としては、上述のように
エポキシ樹脂やフェノール樹脂となる。
合、絶縁被覆膜４、５と端子電極２、３やコンデンサ本
体１との密着性と、積層セラミックコンデンサ１０を半
田接合する際の熱処理温度を考慮する必要がある。これ
らを考慮すると、望ましい材料としては、上述のように
エポキシ樹脂やフェノール樹脂となる。
【００２３】また、絶縁被覆膜４、５をガラスで構成す
る場合、絶縁被覆膜４、５の形成時、コンデンサ本体１
の誘電体層の熱収縮応力により、コンデンサ本体１にク
ラックが発生しないように、また、コンデンサ本体１の
誘電体層にガラス成分が拡散して誘電体特性を変動させ
ないようにする必要がある。これらを考慮すると、好ま
しい材料としては、上述のように、６００℃未満で焼き
付けが可能なホウ珪酸鉛系ガラスが望ましい。
る場合、絶縁被覆膜４、５の形成時、コンデンサ本体１
の誘電体層の熱収縮応力により、コンデンサ本体１にク
ラックが発生しないように、また、コンデンサ本体１の
誘電体層にガラス成分が拡散して誘電体特性を変動させ
ないようにする必要がある。これらを考慮すると、好ま
しい材料としては、上述のように、６００℃未満で焼き
付けが可能なホウ珪酸鉛系ガラスが望ましい。
【００２４】上記構成の積層セラミックコンデンサ１０
はつぎのように製造される。
はつぎのように製造される。
【００２５】まず、誘電体層となるセラミックグリーン
シートを用意し、最上層となる誘電体層を除く各グリー
ンシートの主面に、内部電極となる導電膜を上述の金属
を含有する導電性ペーストで所定形状に印刷を行う。
尚、セラミックグリーンシートは多数の素子を同時に抽
出できるものである。
シートを用意し、最上層となる誘電体層を除く各グリー
ンシートの主面に、内部電極となる導電膜を上述の金属
を含有する導電性ペーストで所定形状に印刷を行う。
尚、セラミックグリーンシートは多数の素子を同時に抽
出できるものである。
【００２６】次に、内部電極となる導体膜を形成してい
ないグリーンシート及び内部電極となる導体膜を被着し
たセラミックグリーンシートとを、所定の枚数積層す
る。
ないグリーンシート及び内部電極となる導体膜を被着し
たセラミックグリーンシートとを、所定の枚数積層す
る。
【００２７】そして、このようにして積層されたセラミ
ックグリーンシートの未焼成状態の大型コンデンサ本体
を、素子の寸法に応じて切断して、未焼成状態のチップ
状コンデンサ本体とする。
ックグリーンシートの未焼成状態の大型コンデンサ本体
を、素子の寸法に応じて切断して、未焼成状態のチップ
状コンデンサ本体とする。
【００２８】次に、このチップ状コンデンサ本体を所定
の雰囲気、温度で焼成し、セラミックグリーンシートで
ある誘電体層２と導体膜である内部電極とを一体焼結す
る。
の雰囲気、温度で焼成し、セラミックグリーンシートで
ある誘電体層２と導体膜である内部電極とを一体焼結す
る。
【００２９】これにより、コンデンサ本体１が完成す
る。
る。
【００３０】次に、このコンデンサ本体１の一対の端面
を含む端部に、外部端子電極２、３を形成する。具体的
には、コンデンサ本体１の両端部にＡｇまたはＡｇ−Ｐ
ｄ合金からなる導電ペーストを浸漬などの厚膜手法で導
体膜を塗布し、所定の雰囲気、温度で焼き付け、厚膜下
地導体膜を形成する。
を含む端部に、外部端子電極２、３を形成する。具体的
には、コンデンサ本体１の両端部にＡｇまたはＡｇ−Ｐ
ｄ合金からなる導電ペーストを浸漬などの厚膜手法で導
体膜を塗布し、所定の雰囲気、温度で焼き付け、厚膜下
地導体膜を形成する。
【００３１】そして、この厚膜下地導体膜の表面に、半
田食われが生じ難い材料のＮｉのメッキ層を形成し、さ
らにこのメッキ層の上にＳｎまたはＳｎ−Ｐｂ合金など
の材料からなる電極を形成する。これにより、実質的に
従来技術の積層セラミックコンデンサ５０と同じ構造で
ある素体が完成する。
田食われが生じ難い材料のＮｉのメッキ層を形成し、さ
らにこのメッキ層の上にＳｎまたはＳｎ−Ｐｂ合金など
の材料からなる電極を形成する。これにより、実質的に
従来技術の積層セラミックコンデンサ５０と同じ構造で
ある素体が完成する。
【００３２】その後、素体の上面に現れる端子電極２、
３の上面延在部２ａ、３ａ部分に、例えばエポキシ系絶
縁性樹脂ペーストで、絶縁塗布膜を形成し、１５０〜２
００℃で熱硬化して、絶縁被覆膜４、５を形成する。
尚、絶縁被覆膜４、５をガラス部材で構成する場合に
は、ホウケイ酸鉛系などの低融点ガラスペーストで塗布
膜を形成し、約６００℃で焼き付けて形成する。
３の上面延在部２ａ、３ａ部分に、例えばエポキシ系絶
縁性樹脂ペーストで、絶縁塗布膜を形成し、１５０〜２
００℃で熱硬化して、絶縁被覆膜４、５を形成する。
尚、絶縁被覆膜４、５をガラス部材で構成する場合に
は、ホウケイ酸鉛系などの低融点ガラスペーストで塗布
膜を形成し、約６００℃で焼き付けて形成する。
【００３３】尚、素体を整列した時に、上部に現れる面
側に絶縁被覆膜４、５を形成するため、この絶縁被覆膜
４、５を形成するにあたり、上面、下面を判別し、整列
させる必要は全くない。
側に絶縁被覆膜４、５を形成するため、この絶縁被覆膜
４、５を形成するにあたり、上面、下面を判別し、整列
させる必要は全くない。
【００３４】樹脂ペーストや低融点ガラスペーストで塗
布膜を形成するにあたり、所定形状のスクリーンを用い
た印刷法により塗布膜を形成する以外に、これらのペー
スト槽に、積層セラミックコンデンサ素体の一方主面の
表面のみを浸漬させて塗布膜を形成したり（図３（ａ）
の構造に対応）、また、積層セラミックコンデンサ素体
の一方主面から深さｈだけ浸漬させて塗布膜を形成した
り（図３（ｂ）の構造に対応）してもよい。
布膜を形成するにあたり、所定形状のスクリーンを用い
た印刷法により塗布膜を形成する以外に、これらのペー
スト槽に、積層セラミックコンデンサ素体の一方主面の
表面のみを浸漬させて塗布膜を形成したり（図３（ａ）
の構造に対応）、また、積層セラミックコンデンサ素体
の一方主面から深さｈだけ浸漬させて塗布膜を形成した
り（図３（ｂ）の構造に対応）してもよい。
【００３５】このように形成された積層セラミックコン
デンサ１０は、図４に示すような低背化されたモジュー
ル回路に適用することが非常に有用となる。
デンサ１０は、図４に示すような低背化されたモジュー
ル回路に適用することが非常に有用となる。
【００３６】図４において、４１は基板であり、４２は
所定配線パターン、４３はＩＣベアチップなどの電子部
品素子であり、４４は金属シールド蓋体である。
所定配線パターン、４３はＩＣベアチップなどの電子部
品素子であり、４４は金属シールド蓋体である。
【００３７】図のように、絶縁基板４１の所定配線パタ
ーン４２上には例えばＩＣベアチップ４３が配置されて
いる。このＩＣベアチップ４３は、半田バンプなどによ
って接合されている。また、所定配線パターン４２上
に、本発明の積層セラミックコンデンサ１０の実装面
（絶縁被覆膜が形成されていない下面）の外部端子電極
２、３が半田Ｓを介して接合されている。この時、半田
は溶融されて、端子電極２、３の端面及び両側面に伸び
る部分に、半田メニスカスが形成されて強固に接合され
ることになる。
ーン４２上には例えばＩＣベアチップ４３が配置されて
いる。このＩＣベアチップ４３は、半田バンプなどによ
って接合されている。また、所定配線パターン４２上
に、本発明の積層セラミックコンデンサ１０の実装面
（絶縁被覆膜が形成されていない下面）の外部端子電極
２、３が半田Ｓを介して接合されている。この時、半田
は溶融されて、端子電極２、３の端面及び両側面に伸び
る部分に、半田メニスカスが形成されて強固に接合され
ることになる。
【００３８】このように、各電子部品素子４３、積層セ
ラミックコンデンサ１０が実装された基板４１の表面部
分には、各電子部品素子４３及び積層セラミックコンデ
ンサ１０を覆うように、筺体状の金属シールド蓋体４４
が被着されている。この時、積層セラミックコンデンサ
１０の端子電極２、３の上面側は絶縁被覆部材４、５が
被着されているため、積層セラミックコンデンサ１０の
上面と金属シールド蓋体４４の内面との間に厳密に制御
された空間を形成して金属シールド蓋体４４を配置する
必要がなくなる。
ラミックコンデンサ１０が実装された基板４１の表面部
分には、各電子部品素子４３及び積層セラミックコンデ
ンサ１０を覆うように、筺体状の金属シールド蓋体４４
が被着されている。この時、積層セラミックコンデンサ
１０の端子電極２、３の上面側は絶縁被覆部材４、５が
被着されているため、積層セラミックコンデンサ１０の
上面と金属シールド蓋体４４の内面との間に厳密に制御
された空間を形成して金属シールド蓋体４４を配置する
必要がなくなる。
【００３９】即ち、金属シールド蓋体４４が外部応力な
どで変形し、金属シールド蓋体４４の内面が積層セラミ
ックコンデンサ１０の上面に接触しても、絶縁被覆膜
４、５の存在により、金属シールド蓋体４４が端子電極
２、３に短絡しない。
どで変形し、金属シールド蓋体４４の内面が積層セラミ
ックコンデンサ１０の上面に接触しても、絶縁被覆膜
４、５の存在により、金属シールド蓋体４４が端子電極
２、３に短絡しない。
【００４０】特に、本発明の積層セラミックコンデンサ
１０を用いることにより、金属シールド蓋体４４の材料
を選定するにあたり、制約事項が解消される。即ち、金
属シールド蓋体としては、硬質材料、弾性材料などを用
いる以外に、例えば、導電性フィルムなどの可撓性部材
を用いることもできる。
１０を用いることにより、金属シールド蓋体４４の材料
を選定するにあたり、制約事項が解消される。即ち、金
属シールド蓋体としては、硬質材料、弾性材料などを用
いる以外に、例えば、導電性フィルムなどの可撓性部材
を用いることもできる。
【００４１】従って、回路モジュール全体の低背化に大
きく寄与でき、しかも、回路モジュールの組立が非常に
容易となる。
きく寄与でき、しかも、回路モジュールの組立が非常に
容易となる。
【００４２】
【発明の効果】以上、本発明によれば、回路基板上に実
装された積層セラミックコンデンサの上面側が絶縁状態
となる。これにより、回路基板の所定配線導体に所定電
子部品素子を表面実装し、さらに、その上部を金属シー
ルド蓋体で被覆した場合でも、積層セラミックコンデン
サの２つの端子電極間の短絡やマイグレーションによる
導通が発生することがない。
装された積層セラミックコンデンサの上面側が絶縁状態
となる。これにより、回路基板の所定配線導体に所定電
子部品素子を表面実装し、さらに、その上部を金属シー
ルド蓋体で被覆した場合でも、積層セラミックコンデン
サの２つの端子電極間の短絡やマイグレーションによる
導通が発生することがない。
【００４３】従って、高い絶縁性と、モジュール部品の
小型化が可能な積層セラミックコンデンサとなる。
小型化が可能な積層セラミックコンデンサとなる。
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの外観斜視
図である。
図である。
【図２】本発明の積層セラミックコンデンサの側面図で
ある。
ある。
【図３】（ａ）（ｂ）は、夫々本発明の別の実施例を示
す側面図である。
す側面図である。
【図４】本発明の積層セラミックコンデンサを用いたモ
ジュール部品の断面構造図である。
ジュール部品の断面構造図である。
【図５】従来の積層セラミックコンデンサの外観斜視図
である。
である。
【図６】従来の積層セラミックコンデンサを用いたモジ
ュール部品の断面構造図である。
ュール部品の断面構造図である。
１０・・・積層セラミックコンデンサ １・・・・コンデンサ本体 ２、３・・・外部端子電極 ４、５・・・絶縁被覆膜
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体層と内部電極層とを交互に積層し
て成るコンデンサ本体の一対の端部に、前記内部電極層
と接続する外部端子電極を形成するとともに、前記コン
デンサ本体の上面に延在する前記外部端子電極上に、絶
縁被覆膜を被着形成したことを特徴とする積層セラミッ
クコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941898A JPH11345734A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941898A JPH11345734A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11345734A true JPH11345734A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15474689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14941898A Pending JPH11345734A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11345734A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007049142A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-22 | Samsung Electronics Co Ltd | チップ型電気素子及びそれを含む液晶表示モジュール |
| KR20160064260A (ko) * | 2014-11-27 | 2016-06-08 | 홍익대학교 산학협력단 | 나노 박막층을 구비하는 적층 세라믹 칩 부품 및 이의 제조 방법 |
| KR20180110441A (ko) * | 2017-03-29 | 2018-10-10 | 주식회사 아모텍 | 3단자형 전력선 필터 |
| CN109690709A (zh) * | 2016-09-08 | 2019-04-26 | 摩达伊诺琴股份有限公司 | 功率电感器 |
| CN112133557A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 三星电机株式会社 | 电子组件 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP14941898A patent/JPH11345734A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007049142A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-22 | Samsung Electronics Co Ltd | チップ型電気素子及びそれを含む液晶表示モジュール |
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| CN109690709A (zh) * | 2016-09-08 | 2019-04-26 | 摩达伊诺琴股份有限公司 | 功率电感器 |
| EP3511962A4 (en) * | 2016-09-08 | 2020-01-29 | Moda-Innochips Co., Ltd. | LEISTUNGSINDUKTOR |
| US11476037B2 (en) | 2016-09-08 | 2022-10-18 | Moda-Innochips Co., Ltd. | Power inductor |
| CN109690709B (zh) * | 2016-09-08 | 2023-08-22 | 摩达伊诺琴股份有限公司 | 功率电感器 |
| KR20180110441A (ko) * | 2017-03-29 | 2018-10-10 | 주식회사 아모텍 | 3단자형 전력선 필터 |
| CN112133557A (zh) * | 2019-06-24 | 2020-12-25 | 三星电机株式会社 | 电子组件 |
| CN112133557B (zh) * | 2019-06-24 | 2023-12-08 | 三星电机株式会社 | 电子组件 |
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