JPH11352170A - 静電気を検出する装置 - Google Patents
静電気を検出する装置Info
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- JPH11352170A JPH11352170A JP10112499A JP10112499A JPH11352170A JP H11352170 A JPH11352170 A JP H11352170A JP 10112499 A JP10112499 A JP 10112499A JP 10112499 A JP10112499 A JP 10112499A JP H11352170 A JPH11352170 A JP H11352170A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高感度に静電気を検出可能で、学生が組立可能
な安価な静電気検出装置を提供する。 【解決手段】この発明の静電気検出装置１は、絶縁性の
外装体２、この外装体を密閉する絶縁性の蓋３、外装体
の内部に位置されたＭＯＳ型電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）４、ＭＯＳＦＥＴのドレイン（またはソース）に
接続され、静電気を検知した際に発光する発光ダイオー
ド等に代表される静電気検出表示機構５、外装体の外部
に設けられ、静電気検出表示機構およびＭＯＳＦＥＴを
動作させるための電力を供給する電源６、および蓋の外
部（外装体の外側）に設けられ、蓋ＭＯＳＦＥＴのゲー
トに接続された電極体９からなる。
な安価な静電気検出装置を提供する。 【解決手段】この発明の静電気検出装置１は、絶縁性の
外装体２、この外装体を密閉する絶縁性の蓋３、外装体
の内部に位置されたＭＯＳ型電界効果トランジスタ（Ｆ
ＥＴ）４、ＭＯＳＦＥＴのドレイン（またはソース）に
接続され、静電気を検知した際に発光する発光ダイオー
ド等に代表される静電気検出表示機構５、外装体の外部
に設けられ、静電気検出表示機構およびＭＯＳＦＥＴを
動作させるための電力を供給する電源６、および蓋の外
部（外装体の外側）に設けられ、蓋ＭＯＳＦＥＴのゲー
トに接続された電極体９からなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電磁機学に関連
して、静電気の検出原理および動作を理解可能な静電気
の検出装置に関する。
して、静電気の検出原理および動作を理解可能な静電気
の検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】静電気を検出する装置としては、一般に
機械的に動作する箔検電器が知られている。
機械的に動作する箔検電器が知られている。
【０００３】また、電子的に静電気を検出する装置とし
ては、静電気の電圧を測定するものが市販されている
が、非常に高価であり電気工学系の学生の実験等に対し
て、必要数を用意するには多くの費用を必要とする。
ては、静電気の電圧を測定するものが市販されている
が、非常に高価であり電気工学系の学生の実験等に対し
て、必要数を用意するには多くの費用を必要とする。
【０００４】なお、学生の理解のためには、静電気を検
出する装置そのものを、自身が設計したり、組み立てる
ことが要望されている。
出する装置そのものを、自身が設計したり、組み立てる
ことが要望されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、静電
気を検出する装置は、一般に非常に高価であり電気工学
系の学生の実験等に対して、必要数を用意するには多く
の費用が必要となる。
気を検出する装置は、一般に非常に高価であり電気工学
系の学生の実験等に対して、必要数を用意するには多く
の費用が必要となる。
【０００６】また、学生の理解のためには、静電気を検
出する装置そのものを、自身が設計したり、組み立てる
ことにより、その理解が向上することから、構成が簡単
で、しかも高感度に静電気を検出可能な装置を安価に提
供することが必要である。
出する装置そのものを、自身が設計したり、組み立てる
ことにより、その理解が向上することから、構成が簡単
で、しかも高感度に静電気を検出可能な装置を安価に提
供することが必要である。
【０００７】この発明の目的は、上述した問題点を解決
するものであり、高感度に静電気を検出可能で、しかも
学生が容易に購入および組立可能な安価な静電気検出装
置を提供することにある。
するものであり、高感度に静電気を検出可能で、しかも
学生が容易に購入および組立可能な安価な静電気検出装
置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、上述した問
題点に基づきなされたもので、内部を絶縁状態に維持す
る外装体と、この外装体内部に、外部からの静電気を入
力可能に設けられた電界効果トランジスタと、この電界
効果トランジスタのソース（またはドレイン）に、所定
の電圧を供給する電源と、前記電界効果トランジスタの
ドレイン（またはソース）と前記電源との間に設けら
れ、外部から静電気が供給されたことを表示する静電気
検出表示機構と、からなる静電気を検出する装置を提供
するものである。
題点に基づきなされたもので、内部を絶縁状態に維持す
る外装体と、この外装体内部に、外部からの静電気を入
力可能に設けられた電界効果トランジスタと、この電界
効果トランジスタのソース（またはドレイン）に、所定
の電圧を供給する電源と、前記電界効果トランジスタの
ドレイン（またはソース）と前記電源との間に設けら
れ、外部から静電気が供給されたことを表示する静電気
検出表示機構と、からなる静電気を検出する装置を提供
するものである。
【０００９】またこの発明は、内部を絶縁状態に維持す
る外装体と、この外装体内部に、外部からの静電気を、
静電気の極性に応じて選択的に入力可能に設けられた第
１および第２の電界効果トランジスタと、この第１およ
び第２の電界効果トランジスタのそれぞれに、電界効果
トランジスタのチャネルの種類に対応する極性の所定の
電圧を供給する第１および第２の電源と、前記第１およ
び第２の電界効果トランジスタと前記対応する第１およ
び第２の電源との間にそれぞれ設けられ、外部から静電
気が供給されたことおよび静電気の極性を表示する第１
および第２の静電気検出表示機構と、からなる静電気を
検出する装置を提供するものである。
る外装体と、この外装体内部に、外部からの静電気を、
静電気の極性に応じて選択的に入力可能に設けられた第
１および第２の電界効果トランジスタと、この第１およ
び第２の電界効果トランジスタのそれぞれに、電界効果
トランジスタのチャネルの種類に対応する極性の所定の
電圧を供給する第１および第２の電源と、前記第１およ
び第２の電界効果トランジスタと前記対応する第１およ
び第２の電源との間にそれぞれ設けられ、外部から静電
気が供給されたことおよび静電気の極性を表示する第１
および第２の静電気検出表示機構と、からなる静電気を
検出する装置を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態を詳細に説明する。
の実施の形態を詳細に説明する。
【００１１】図１に示すように、静電気検出装置１は、
絶縁性の外装体２、外装体２を密閉する絶縁性の蓋３、
外装体２の内部に位置されたＭＯＳＦＥＴ素子（ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ）４、ＭＯＳＦＥＴ４のドレイ
ン（またはソース）に接続され、静電気を検知した際に
発光する発光ダイオード等に代表される静電気検出表示
機構５、外装体２の外部に設けられ、静電気検出表示機
構５およびＭＯＳＦＥＴ４を動作させるための電力を供
給する電源６、電源６とＭＯＳＦＥＴ４のソース（また
はドレイン）ならびにＭＯＳＦＥＴ４に接続された静電
気検出表示機構５の＋端側と電源６を接続する導線７、
および蓋３の外部（外装体２の外側）に設けられ、蓋３
を貫通する導線８によりＭＯＳＦＥＴ４のゲートに接続
された電極体９からなる。
絶縁性の外装体２、外装体２を密閉する絶縁性の蓋３、
外装体２の内部に位置されたＭＯＳＦＥＴ素子（ＭＯＳ
型電界効果トランジスタ）４、ＭＯＳＦＥＴ４のドレイ
ン（またはソース）に接続され、静電気を検知した際に
発光する発光ダイオード等に代表される静電気検出表示
機構５、外装体２の外部に設けられ、静電気検出表示機
構５およびＭＯＳＦＥＴ４を動作させるための電力を供
給する電源６、電源６とＭＯＳＦＥＴ４のソース（また
はドレイン）ならびにＭＯＳＦＥＴ４に接続された静電
気検出表示機構５の＋端側と電源６を接続する導線７、
および蓋３の外部（外装体２の外側）に設けられ、蓋３
を貫通する導線８によりＭＯＳＦＥＴ４のゲートに接続
された電極体９からなる。
【００１２】外装体２は、絶縁性を示し、ＭＯＳＦＥＴ
４に対して測定対象の静電気と電気的に分離された状態
を提供可能であれば、特に制限を受けることなく利用可
能であり、例えば透明なガラス製の容器または樹脂製の
密閉容器である。また、蓋３は、例えばゴムあるいは樹
脂であって、外装体２の内部と外部とを電気的に絶縁状
態に維持できるものであれば、制限なくさまざまなもの
が利用可能である。なお、外装体２と蓋３は、一体的に
構成されてもよい。
４に対して測定対象の静電気と電気的に分離された状態
を提供可能であれば、特に制限を受けることなく利用可
能であり、例えば透明なガラス製の容器または樹脂製の
密閉容器である。また、蓋３は、例えばゴムあるいは樹
脂であって、外装体２の内部と外部とを電気的に絶縁状
態に維持できるものであれば、制限なくさまざまなもの
が利用可能である。なお、外装体２と蓋３は、一体的に
構成されてもよい。
【００１３】ＭＯＳＦＥＴ４は、例えば３ＳＪ１１Ａあ
るいは２ＳＪ７７またはＪ７７等、市中で容易に入手可
能な電界効果型トランジスタである。なお、電界効果型
トランジスタの表示は、ＪＩＳ（日本工業規格）に従
い、ソース電極と基板電極とが配線済の場合には「２Ｓ
・・・」により、ソース電極が独立して設けられている
場合には「３Ｓ・・・」により、それぞれ区分されてい
るが、動作特性が同一であれば電極構造を問わないこと
はいうまでもない。また、表示は、トランジスタの大き
さの制約から、上述のように、単に［Ｊ・・・］と示さ
れることもある。
るいは２ＳＪ７７またはＪ７７等、市中で容易に入手可
能な電界効果型トランジスタである。なお、電界効果型
トランジスタの表示は、ＪＩＳ（日本工業規格）に従
い、ソース電極と基板電極とが配線済の場合には「２Ｓ
・・・」により、ソース電極が独立して設けられている
場合には「３Ｓ・・・」により、それぞれ区分されてい
るが、動作特性が同一であれば電極構造を問わないこと
はいうまでもない。また、表示は、トランジスタの大き
さの制約から、上述のように、単に［Ｊ・・・］と示さ
れることもある。
【００１４】静電気検出表示機構５は、図１に示した例
では発光ダイオードであるが、例えば僅かな電力で回転
可能な小形モータまたは微少電力で稼動する電子ブザー
（チャイム）等も利用可能である。
では発光ダイオードであるが、例えば僅かな電力で回転
可能な小形モータまたは微少電力で稼動する電子ブザー
（チャイム）等も利用可能である。
【００１５】電源６は、低圧の直流電源であり、ＭＯＳ
ＦＥＴ４を駆動する電圧を提供可能であれば、例えば乾
電池などであってもよい。
ＦＥＴ４を駆動する電圧を提供可能であれば、例えば乾
電池などであってもよい。
【００１６】電極体９は、例えば銅板もしくはアルミ板
等の入手可能な導体であれば、特に制限なく利用可能で
ある。
等の入手可能な導体であれば、特に制限なく利用可能で
ある。
【００１７】以下に、図１に示した静電気検出装置１の
動作例を説明する。
動作例を説明する。
【００１８】図１に示した静電気検出装置１の電極体９
に、例えばサランラップ（商品名）などの誘電体を３０
ｃｍ程度まで接近させると、静電誘導によりＭＯＳＦＥ
Ｔ４のゲートに電荷が誘起され、ＭＯＳＦＥＴ４がオン
になる。これにより、電源６の電源電圧がソースからド
レインに供給され、ドレインに接続された静電気検出表
示機構５が動作される。すなわち、図１に示した例で
は、発光ダイオード５により光が放射される。なお、静
電気検出表示機構５として、図示しない小形モータが利
用されている場合には、静電気が検出された時点でモー
タが回転される。この場合、特にモータは、外装体２の
外部に設けられてもよい。また、静電気検出表示機構５
が電子ブザー（チャイム）である場合には、静電気が検
出された時点でブザーが鳴動されることはいうまでもな
い。なお、静電気検出表示機構５に小型モータを用いる
場合には、ＭＯＳＦＥＴ４としては、例えば２ＳＫ４２
３，２ＳＫ２１３あるいは２ＳＪ７７またはＪ７７等が
利用可能である。
に、例えばサランラップ（商品名）などの誘電体を３０
ｃｍ程度まで接近させると、静電誘導によりＭＯＳＦＥ
Ｔ４のゲートに電荷が誘起され、ＭＯＳＦＥＴ４がオン
になる。これにより、電源６の電源電圧がソースからド
レインに供給され、ドレインに接続された静電気検出表
示機構５が動作される。すなわち、図１に示した例で
は、発光ダイオード５により光が放射される。なお、静
電気検出表示機構５として、図示しない小形モータが利
用されている場合には、静電気が検出された時点でモー
タが回転される。この場合、特にモータは、外装体２の
外部に設けられてもよい。また、静電気検出表示機構５
が電子ブザー（チャイム）である場合には、静電気が検
出された時点でブザーが鳴動されることはいうまでもな
い。なお、静電気検出表示機構５に小型モータを用いる
場合には、ＭＯＳＦＥＴ４としては、例えば２ＳＫ４２
３，２ＳＫ２１３あるいは２ＳＪ７７またはＪ７７等が
利用可能である。
【００１９】一方、電極体９からサランラップ（誘電
体）が遠ざけられると、静電気検出表示機構５の動作す
なわち発光ダイオードの発光（モータの回転あるいはブ
ザーの鳴動）が停止する。
体）が遠ざけられると、静電気検出表示機構５の動作す
なわち発光ダイオードの発光（モータの回転あるいはブ
ザーの鳴動）が停止する。
【００２０】なお、誘電体以外に、例えば帯電した人体
等が電極体９に接近することでも、同様の結果が得られ
る。
等が電極体９に接近することでも、同様の結果が得られ
る。
【００２１】また、電極体９に、サランラップ（誘電
体）を接触させてから所定距離だけ遠ざけると、今度
は、静電気検出表示機構５すなわち発光ダイオードは、
連続して発光する（サランラップを電極体９から遠ざけ
ても発光が持続する）。この状態で、もう一度サランラ
ップを電極体９に接近させると、今度は、発光ダイオー
ドの発光が停止される。また、再びサランラップを所定
距離だけ遠ざけると、もう一度発光ダイオードが発光す
る。
体）を接触させてから所定距離だけ遠ざけると、今度
は、静電気検出表示機構５すなわち発光ダイオードは、
連続して発光する（サランラップを電極体９から遠ざけ
ても発光が持続する）。この状態で、もう一度サランラ
ップを電極体９に接近させると、今度は、発光ダイオー
ドの発光が停止される。また、再びサランラップを所定
距離だけ遠ざけると、もう一度発光ダイオードが発光す
る。
【００２２】なお、電極体９にサランラップを接触さ
せ、その後、サランラップを電極体９から遠ざけて発光
ダイオードの発光が持続している状態で電源６を切り離
すと、発光ダイオードの発光が停止するが、電源６を所
定時間（ＭＯＳＦＥＴ４のゲートに蓄えられた電荷が消
失するまでの間の時間）内に再び電源６を接続すると、
発光ダイオード５は、もう一度発光する。
せ、その後、サランラップを電極体９から遠ざけて発光
ダイオードの発光が持続している状態で電源６を切り離
すと、発光ダイオードの発光が停止するが、電源６を所
定時間（ＭＯＳＦＥＴ４のゲートに蓄えられた電荷が消
失するまでの間の時間）内に再び電源６を接続すると、
発光ダイオード５は、もう一度発光する。
【００２３】上述した静電気検出装置１の動作は、ＭＯ
ＳＦＥＴ４のゲート電極と（ＭＯＳＦＥＴの）半導体の
基板電極との間の酸化絶縁膜との間の静電容量を利用し
たもので、ゲート電極に電極体９により電荷を与えて、
ＭＯＳＦＥＴ４のドレインとソースを導通させること
で、ＭＯＳＦＥＴ４をスイッチングすることによる。
ＳＦＥＴ４のゲート電極と（ＭＯＳＦＥＴの）半導体の
基板電極との間の酸化絶縁膜との間の静電容量を利用し
たもので、ゲート電極に電極体９により電荷を与えて、
ＭＯＳＦＥＴ４のドレインとソースを導通させること
で、ＭＯＳＦＥＴ４をスイッチングすることによる。
【００２４】より詳細には、ＭＯＳＦＥＴ４のソース−
ドレイン間に、発光ダイオード等の任意の静電気検出表
示機構５と駆動用の電源６を直列に接続し、ゲートから
静電気により電荷を注入することで、ＭＯＳＦＥＴ４が
オンとなり、直列に接続された発光ダイオード５が発光
する。なお、ＭＯＳＦＥＴ４の動作特性を適切に設定す
ることで、乾電池とサランラップ等の学生の周囲で容易
に入手可能な材料で、高感度に静電気を検出できる。こ
のとき、ＭＯＳＦＥＴ４を、例えばｎチャネルＭＯＳＦ
ＥＴとすると、帯電により生じた静電気の極性が「正」
である場合に、発光ダイオード５の発光し、例えばｐチ
ャネルＭＯＳＦＥＴとすると、静電気の極性が「負」で
ある場合に発光ダイオード５が発光する。また、ＭＯＳ
ＦＥＴ４の選定および動作条件等を学生が容易に設定で
きるので、動作原理を含んだ回路構成についても理解で
きることになる。
ドレイン間に、発光ダイオード等の任意の静電気検出表
示機構５と駆動用の電源６を直列に接続し、ゲートから
静電気により電荷を注入することで、ＭＯＳＦＥＴ４が
オンとなり、直列に接続された発光ダイオード５が発光
する。なお、ＭＯＳＦＥＴ４の動作特性を適切に設定す
ることで、乾電池とサランラップ等の学生の周囲で容易
に入手可能な材料で、高感度に静電気を検出できる。こ
のとき、ＭＯＳＦＥＴ４を、例えばｎチャネルＭＯＳＦ
ＥＴとすると、帯電により生じた静電気の極性が「正」
である場合に、発光ダイオード５の発光し、例えばｐチ
ャネルＭＯＳＦＥＴとすると、静電気の極性が「負」で
ある場合に発光ダイオード５が発光する。また、ＭＯＳ
ＦＥＴ４の選定および動作条件等を学生が容易に設定で
きるので、動作原理を含んだ回路構成についても理解で
きることになる。
【００２５】図２は、図１に示した静電気検出装置の別
の実施の形態を示している。なお、図１に説明した構成
と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略す
る。
の実施の形態を示している。なお、図１に説明した構成
と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略す
る。
【００２６】図２に示すように、静電気検出装置１１
は、外装体２と蓋３からなる密閉構造内に、第１および
第２の電源１２、１３とそれぞれ接続されたｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１４および発光ダイオード１５からなる第
１の静電気検出表示ユニット、およびｐチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ１６および発光ダイオード１７からなる第２の静
電気検出表示ユニットを有している。なお、第１および
第２の電源１２、１３は、図１に示した電源６と同様の
低圧の直流電源であり、それぞれのＭＯＳＦＥＴ１４、
１６を駆動する電圧を提供可能であれば、乾電池などで
あってもよい。また、それぞれが接続される向き（極
性）は、ＭＯＳＦＥＴのタイプに合わせて、所定の極性
に設定される。
は、外装体２と蓋３からなる密閉構造内に、第１および
第２の電源１２、１３とそれぞれ接続されたｎチャネル
ＭＯＳＦＥＴ１４および発光ダイオード１５からなる第
１の静電気検出表示ユニット、およびｐチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ１６および発光ダイオード１７からなる第２の静
電気検出表示ユニットを有している。なお、第１および
第２の電源１２、１３は、図１に示した電源６と同様の
低圧の直流電源であり、それぞれのＭＯＳＦＥＴ１４、
１６を駆動する電圧を提供可能であれば、乾電池などで
あってもよい。また、それぞれが接続される向き（極
性）は、ＭＯＳＦＥＴのタイプに合わせて、所定の極性
に設定される。
【００２７】ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ１４には、例えば
２Ｓｋ６１１またはｋ６１１等が利用される。また、発
光ダイオード１５としては、発光ダイオード１７と発光
色が異なる、例えば赤色に発光する任意の発光ダイオー
ドが利用される。なお、発光ダイオード１７には、例え
ば緑色に発光する任意の発光ダイオードが利用可能であ
る。
２Ｓｋ６１１またはｋ６１１等が利用される。また、発
光ダイオード１５としては、発光ダイオード１７と発光
色が異なる、例えば赤色に発光する任意の発光ダイオー
ドが利用される。なお、発光ダイオード１７には、例え
ば緑色に発光する任意の発光ダイオードが利用可能であ
る。
【００２８】ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１６には、図１に
示した装置と同様に、例えば２ＳＪ７７またはＪ７７等
が利用される。従って、赤色に発光する発光ダイオード
１５と緑色に発光する発光ダイオード１７は、同時に発
光することはなく、帯電した物体の静電気の極性に応じ
て、いづれか一方が発光される。
示した装置と同様に、例えば２ＳＪ７７またはＪ７７等
が利用される。従って、赤色に発光する発光ダイオード
１５と緑色に発光する発光ダイオード１７は、同時に発
光することはなく、帯電した物体の静電気の極性に応じ
て、いづれか一方が発光される。
【００２９】静電気検出装置１１にはまた、蓋３を貫通
した導線（導体）に、リセットスイッチ１８を介して接
続された電極板９が設けられている。なお、電極板９
は、図１に示した構成と実質的に同一であり、スイッチ
１８が接続されている点のみが異なる。
した導線（導体）に、リセットスイッチ１８を介して接
続された電極板９が設けられている。なお、電極板９
は、図１に示した構成と実質的に同一であり、スイッチ
１８が接続されている点のみが異なる。
【００３０】次に、図２に示した静電気検出装置１１の
動作例を説明する。
動作例を説明する。
【００３１】静電気検出装置１１の電極体９に、任意の
極性に帯電された物体、例えば棒状の誘電体を、３０ｃ
ｍ程度まで接近させると、静電誘導により、第１および
第２の静電気検出表示ユニットのいづれか一方のＭＯＳ
ＦＥＴ１４または１６がオンされ、対応する発光ダイオ
ード１５または１７が発光する。
極性に帯電された物体、例えば棒状の誘電体を、３０ｃ
ｍ程度まで接近させると、静電誘導により、第１および
第２の静電気検出表示ユニットのいづれか一方のＭＯＳ
ＦＥＴ１４または１６がオンされ、対応する発光ダイオ
ード１５または１７が発光する。
【００３２】詳細には、図２において、ＭＯＳＦＥＴ１
４は、ｎチャネルタイプであるから電極体９に、「正」
に帯電している誘電体が接近されることでオンとなり、
赤色を発光する発光ダイオード１５が発光する。逆に、
誘電体９に、「負」に帯電している誘電体が接近された
場合には、ｐチャネルタイプであるＭＯＳＦＥＴ１６が
オンされ、緑色に発光する発光ダイオード１７が発光す
る。
４は、ｎチャネルタイプであるから電極体９に、「正」
に帯電している誘電体が接近されることでオンとなり、
赤色を発光する発光ダイオード１５が発光する。逆に、
誘電体９に、「負」に帯電している誘電体が接近された
場合には、ｐチャネルタイプであるＭＯＳＦＥＴ１６が
オンされ、緑色に発光する発光ダイオード１７が発光す
る。
【００３３】このように、１組のｐチャネルＭＯＳＦＥ
ＴとｎチャネルＭＯＳＦＥＴを利用することで、帯電し
ている静電気の極性を表示できる。なお、スイッチ１８
は、「正」または「負」の静電気によりオンされたいづ
れかのＭＯＳＦＥＴをオフに戻すリセット動作に利用さ
れる。
ＴとｎチャネルＭＯＳＦＥＴを利用することで、帯電し
ている静電気の極性を表示できる。なお、スイッチ１８
は、「正」または「負」の静電気によりオンされたいづ
れかのＭＯＳＦＥＴをオフに戻すリセット動作に利用さ
れる。
【００３４】なお、図２においては、ｎチャネルＭＯＳ
ＦＥＴ１４とｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１６とを同一の外
装体２に収容した例を示したが、それぞれが独立した外
装体に収容されてもよいことはいうまでもない。また、
静電気検出表示機構としては、発光ダイオード以外に、
電子ブザー等であってもよい。
ＦＥＴ１４とｐチャネルＭＯＳＦＥＴ１６とを同一の外
装体２に収容した例を示したが、それぞれが独立した外
装体に収容されてもよいことはいうまでもない。また、
静電気検出表示機構としては、発光ダイオード以外に、
電子ブザー等であってもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
高感度に、静電気を検出する検出装置が安価に提供され
る。また、検出装置を、学生らが、自身の周りにあるＦ
ＥＴ素子により、回路設計を含めて、自作可能である。
また、上述した静電気を検出する装置は、静電気の有無
を、光あるいはモータの回転もしくは音などにより、体
験的に感じ取ることができ、学生らの理解度を高める効
果をもたらす。
高感度に、静電気を検出する検出装置が安価に提供され
る。また、検出装置を、学生らが、自身の周りにあるＦ
ＥＴ素子により、回路設計を含めて、自作可能である。
また、上述した静電気を検出する装置は、静電気の有無
を、光あるいはモータの回転もしくは音などにより、体
験的に感じ取ることができ、学生らの理解度を高める効
果をもたらす。
【図１】この発明の静電気検出装置の実施の形態を説明
する概略図。
する概略図。
【図２】この発明の静電気検出装置の別の実施の形態を
説明する概略図。
説明する概略図。
１・・・静電気検出装置、 ２・・・絶縁性外装体、 ３・・・絶縁性蓋、 ４・・・電界効果トランジスタ、 ５・・・発光ダイオード（静電気検出表示機構）、 ６・・・電源、 ７・・・導線、 ８・・・導線、 ９・・・電極体、 １１・・・静電気検出装置、 １２・・・第１の電源、 １３・・・第２の電源、 １４・・・ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ、 １５・・・赤色発光ダイオード（第１の静電気検出表示
機構）、 １６・・・ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ、 １７・・・緑色発光ダイオード（第２の静電気検出表示
機構）、 １８・・・リセットスイッチ。
機構）、 １６・・・ｐチャネルＭＯＳＦＥＴ、 １７・・・緑色発光ダイオード（第２の静電気検出表示
機構）、 １８・・・リセットスイッチ。
Claims (7)
- 【請求項１】内部を絶縁状態に維持する外装体と、 この外装体内部に、外部からの静電気を入力可能に設け
られた電界効果トランジスタと、 この電界効果トランジスタのソース（またはドレイン）
に、所定の電圧を供給する電源と、 前記電界効果トランジスタのドレイン（またはソース）
と前記電源との間に設けられ、外部から静電気が供給さ
れたことを表示する静電気検出表示機構と、からなる静
電気を検出する装置。 - 【請求項２】前記外部からの静電気は、前記電界効果ト
ランジスタのゲートに入力されることを特徴とする請求
項１記載の静電気を検出する装置。 - 【請求項３】前記静電気検出表示機構は、発光ダイオー
ド素子であることを特徴とする請求項２記載の静電気を
検出する装置。 - 【請求項４】前記静電気検出表示機構は、モータである
ことを特徴とする請求項２記載の静電気を検出する装
置。 - 【請求項５】前記静電気検出表示機構は、電子ブザーで
あることを特徴とする請求項２記載の静電気を検出する
装置。 - 【請求項６】内部を絶縁状態に維持する外装体と、 この外装体内部に、外部からの静電気を、静電気の極性
に応じて選択的に入力可能に設けられた第１および第２
の電界効果トランジスタと、 この第１および第２の電界効果トランジスタのそれぞれ
に、電界効果トランジスタのチャネルの種類に対応する
極性の所定の電圧を供給する第１および第２の電源と、 前記第１および第２の電界効果トランジスタと前記対応
する第１および第２の電源との間にそれぞれ設けられ、
外部から静電気が供給されたことおよび静電気の極性を
表示する第１および第２の静電気検出表示機構と、から
なる静電気を検出する装置。 - 【請求項７】前記第１および第２の電解効果トランジス
タは、一方がｐチャネル型で、他方がｎチャネル型であ
ることを特徴とする請求項６記載の静電気を検出する装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10112499A JPH11352170A (ja) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | 静電気を検出する装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9595298 | 1998-04-08 | ||
| JP10-95952 | 1998-04-08 | ||
| JP10112499A JPH11352170A (ja) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | 静電気を検出する装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11352170A true JPH11352170A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=26437117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10112499A Pending JPH11352170A (ja) | 1998-04-08 | 1999-04-08 | 静電気を検出する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11352170A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011027581A1 (ja) * | 2009-09-01 | 2011-03-10 | 有限会社エスピーエム | 静電気検出回路 |
| US7915897B2 (en) | 2008-12-19 | 2011-03-29 | Illinois Tool Works Inc. | Foil-leaf electrometer for static field detection with permanently separating leaves |
| US7924018B2 (en) | 2008-12-19 | 2011-04-12 | Illinois Tool Works Inc. | MEMS electrometer that measures amount of repulsion of adjacent beams from each other for static field detection |
| US7940040B2 (en) | 2008-12-19 | 2011-05-10 | Illinois Tool Works Inc. | Foil-leaf electrometer for static field detection with triggered indicator |
| CN106672890A (zh) * | 2016-12-13 | 2017-05-17 | 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 | 一种灵敏度增强型电场传感器的封装盖板及封装方法 |
| WO2019009071A1 (ja) * | 2017-07-07 | 2019-01-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 静電気可視化用材料、静電気可視化膜、静電気分布可視化装置および静電気分布可視化方法 |
-
1999
- 1999-04-08 JP JP10112499A patent/JPH11352170A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US11789058B2 (en) | 2017-07-07 | 2023-10-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Static electricity-visualizing material, static electricity-visualizing film, static electricity distribution-visualizing device, and static electricity distribution-visualizing method |
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