JPH11353719A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
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- JPH11353719A JPH11353719A JP10169313A JP16931398A JPH11353719A JP H11353719 A JPH11353719 A JP H11353719A JP 10169313 A JP10169313 A JP 10169313A JP 16931398 A JP16931398 A JP 16931398A JP H11353719 A JPH11353719 A JP H11353719A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
- G11B7/24085—Pits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 現在利用可能でかつ容易な技術を用いて微小
なプリピットやグルーブを有する高密度化対応の光ディ
スク原盤の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 フォトレジスト層形成工程においてフォ
トレジスト層を所定の深さに対応する厚さより十分厚く
形成し、加熱処理工程にてフォトレジスト層をその溶融
点近傍の温度で加熱処理することで、凹部の表面を流動
化させて細かな凹凸を除くことで荒れを取り除くと共に
フォトレジスト層の厚さをピット又はグルーブの所定の
深さに対応する厚さに減少させることにより光ディスク
原盤を作成する。
なプリピットやグルーブを有する高密度化対応の光ディ
スク原盤の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 フォトレジスト層形成工程においてフォ
トレジスト層を所定の深さに対応する厚さより十分厚く
形成し、加熱処理工程にてフォトレジスト層をその溶融
点近傍の温度で加熱処理することで、凹部の表面を流動
化させて細かな凹凸を除くことで荒れを取り除くと共に
フォトレジスト層の厚さをピット又はグルーブの所定の
深さに対応する厚さに減少させることにより光ディスク
原盤を作成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＶＤ−ＲＡＭ、
ＤＶＤ−ＲＷ等の可逆型光ディスクを製造するために必
要な原盤制作に係り、特に高密度記録に対応する光ディ
スク原盤製造技術に関する。
ＤＶＤ−ＲＷ等の可逆型光ディスクを製造するために必
要な原盤制作に係り、特に高密度記録に対応する光ディ
スク原盤製造技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには、再生専用型と書き込み
可能型とがある。これらの光ディスクは、先ず光ディス
ク原盤から電鋳プロセスによりニッケルスタンパを作成
し、このスタンパを用いて射出成形法により、ピット、
グルーブが転写された合成樹脂基板を作成し、記録膜、
反射膜、保護膜等を形成して生産されている。
可能型とがある。これらの光ディスクは、先ず光ディス
ク原盤から電鋳プロセスによりニッケルスタンパを作成
し、このスタンパを用いて射出成形法により、ピット、
グルーブが転写された合成樹脂基板を作成し、記録膜、
反射膜、保護膜等を形成して生産されている。
【０００３】図４は、従来における光ディスク原盤の作
成工程（プロセス）を示す図である。
成工程（プロセス）を示す図である。
【０００４】上述の光ディスク原盤は、現在利用可能で
かつ容易なフォトエッチング技術を用いた図４に示すよ
うなプロセスを経て作成される。先ず、１０ｍｍ程度の
厚さを有するガラス基板上にポジ型フォトレジスト層を
スピンコート法により形成する。ポジ型フォトレジスト
層の厚さｄ1 は、光ディスクのピット、グルーブの深さ
と同程度、例えば１０〜５０ｎｍの厚さに設定される
（Ｓ２１）。
かつ容易なフォトエッチング技術を用いた図４に示すよ
うなプロセスを経て作成される。先ず、１０ｍｍ程度の
厚さを有するガラス基板上にポジ型フォトレジスト層を
スピンコート法により形成する。ポジ型フォトレジスト
層の厚さｄ1 は、光ディスクのピット、グルーブの深さ
と同程度、例えば１０〜５０ｎｍの厚さに設定される
（Ｓ２１）。
【０００５】次いで、記録信号により強度変調された光
ビームを対物レンズで集光し、光ディスクの記録トラッ
クに対応するフォトレジスト層の目標露光部分に対し露
光を行うことにより光ビームの強度分布に応じた潜像を
形成する（Ｓ２２）。さらに、規定度０．２〜０．３Ｎ
程度のアルカリ現像液で数十秒間現像を行うことにより
光ディスクのピット、グルーブに対応する凹部を形成し
（Ｓ２３）、その後水洗し（Ｓ２４）、さらにガラス基
板との密着性を上げるためにフォトレジスト層を８０℃
程度の温度で所定時間加熱処理（低温ベーキング）して
光ディスクの原盤を作成する（Ｓ２５）。
ビームを対物レンズで集光し、光ディスクの記録トラッ
クに対応するフォトレジスト層の目標露光部分に対し露
光を行うことにより光ビームの強度分布に応じた潜像を
形成する（Ｓ２２）。さらに、規定度０．２〜０．３Ｎ
程度のアルカリ現像液で数十秒間現像を行うことにより
光ディスクのピット、グルーブに対応する凹部を形成し
（Ｓ２３）、その後水洗し（Ｓ２４）、さらにガラス基
板との密着性を上げるためにフォトレジスト層を８０℃
程度の温度で所定時間加熱処理（低温ベーキング）して
光ディスクの原盤を作成する（Ｓ２５）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のプロ
セスを用いて、例えばトラックピッチを１μｍ以下、ピ
ット、グルーブの深さを５０ｎｍ以下、ピット、グルー
ブの幅を０．１〜０．５μｍ程度に高密度化された光デ
ィスク原盤を作成する場合は、周知のように露光に用い
る光ビームの強度分布はガウス分布となっているので、
フォトレジスト層の目標露光部分以外の部分においても
光ビームの光エネルギーが漏れて不必要な露光が行われ
てしまう。
セスを用いて、例えばトラックピッチを１μｍ以下、ピ
ット、グルーブの深さを５０ｎｍ以下、ピット、グルー
ブの幅を０．１〜０．５μｍ程度に高密度化された光デ
ィスク原盤を作成する場合は、周知のように露光に用い
る光ビームの強度分布はガウス分布となっているので、
フォトレジスト層の目標露光部分以外の部分においても
光ビームの光エネルギーが漏れて不必要な露光が行われ
てしまう。
【０００７】図５は、このような状態を示した光ディス
ク原盤の一部断面構造図であり、図５中、（ａ）は図４
の露光工程（Ｓ２２）によってガラス基板１０１上に形
成されたフォトレジスト層１０２の断面構造図を示し、
（ｂ）は図４の加熱処理工程（Ｓ２５）によって加熱処
理されたフォトレジスト層１０２の凹部１０３の断面構
造図を示している。
ク原盤の一部断面構造図であり、図５中、（ａ）は図４
の露光工程（Ｓ２２）によってガラス基板１０１上に形
成されたフォトレジスト層１０２の断面構造図を示し、
（ｂ）は図４の加熱処理工程（Ｓ２５）によって加熱処
理されたフォトレジスト層１０２の凹部１０３の断面構
造図を示している。
【０００８】光ディスク原盤は、上述した露光工程（Ｓ
２２）において図５（ａ）に示すフォトレジスト層１０
２の狭い目標露光部分に対し露光を行うこととなり、そ
の結果、図５（ｂ）に示すように、現像、水洗、加熱処
理されたフォトレジスト層１０２の表面に細かな凹凸に
よる荒れが生じ、よって、光ディスクのピット、グルー
ブに対応する凹部１０３の形状が粗くなってしまい、結
果として作成される光ディスクのピット、グルーブの形
状が粗くなってしまうといった問題があった。
２２）において図５（ａ）に示すフォトレジスト層１０
２の狭い目標露光部分に対し露光を行うこととなり、そ
の結果、図５（ｂ）に示すように、現像、水洗、加熱処
理されたフォトレジスト層１０２の表面に細かな凹凸に
よる荒れが生じ、よって、光ディスクのピット、グルー
ブに対応する凹部１０３の形状が粗くなってしまい、結
果として作成される光ディスクのピット、グルーブの形
状が粗くなってしまうといった問題があった。
【０００９】この問題は、トラックピッチが狭くなるほ
ど、又はピット、グルーブの深さが浅くなるほど顕著に
なり、光ディスクの再生信号のＣ／Ｎ、エラーレート等
が悪化する要因となる。
ど、又はピット、グルーブの深さが浅くなるほど顕著に
なり、光ディスクの再生信号のＣ／Ｎ、エラーレート等
が悪化する要因となる。
【００１０】本発明は上述の問題を解決するためになさ
れたものであり、現在利用可能でかつ容易な技術を用い
て微小なプリピットやグルーブを有する高密度化対応の
光ディスク原盤の製造方法を提供することを目的とす
る。
れたものであり、現在利用可能でかつ容易な技術を用い
て微小なプリピットやグルーブを有する高密度化対応の
光ディスク原盤の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
フォトレジスト層をガラス基板上に形成するフォトレジ
スト層形成工程と、フォトレジスト層に対し、記録情報
に応じて変調された光ビームを照射して露光することに
よりピット又はグルーブに対応する潜像を形成する露光
工程と、露光されたフォトレジスト層を現像してピット
又はグルーブに対応する凹部をフォトレジスト層に形成
する現像工程と、現像されたフォトレジスト層を加熱処
理する加熱処理工程とを含む光ディスク原盤の製造方法
であって、所定の深さのピット又はグルーブに対し、フ
ォトレジスト層形成工程においてフォトレジスト層を所
定の深さに対応する厚さより十分厚く形成し、加熱処理
工程にてフォトレジスト層をその溶融点近傍の温度で加
熱処理することによりフォトレジスト層の厚さを所定の
深さに対応する厚さに減少させることを特徴とする光デ
ィスク原盤の製造方法を用いる。
フォトレジスト層をガラス基板上に形成するフォトレジ
スト層形成工程と、フォトレジスト層に対し、記録情報
に応じて変調された光ビームを照射して露光することに
よりピット又はグルーブに対応する潜像を形成する露光
工程と、露光されたフォトレジスト層を現像してピット
又はグルーブに対応する凹部をフォトレジスト層に形成
する現像工程と、現像されたフォトレジスト層を加熱処
理する加熱処理工程とを含む光ディスク原盤の製造方法
であって、所定の深さのピット又はグルーブに対し、フ
ォトレジスト層形成工程においてフォトレジスト層を所
定の深さに対応する厚さより十分厚く形成し、加熱処理
工程にてフォトレジスト層をその溶融点近傍の温度で加
熱処理することによりフォトレジスト層の厚さを所定の
深さに対応する厚さに減少させることを特徴とする光デ
ィスク原盤の製造方法を用いる。
【００１２】
【作用】本発明は以上のように構成したので、現像工程
においてピット又はグルーブに対応する凹部がフォトレ
ジスト層に粗く形成されたとしても、フォトレジスト層
形成工程においてフォトレジスト層を所定の深さに対応
する厚さより十分厚く形成し、加熱処理工程にてフォト
レジスト層をその溶融点近傍の温度で加熱処理すること
で、凹部の表面を流動化させて細かな凹凸を除くことで
荒れを取り除くと共にフォトレジスト層の厚さをピット
又はグルーブの所定の深さに対応する厚さに減少させる
ので、所定の深さのピット又はグルーブを精度良く作成
することができる。
においてピット又はグルーブに対応する凹部がフォトレ
ジスト層に粗く形成されたとしても、フォトレジスト層
形成工程においてフォトレジスト層を所定の深さに対応
する厚さより十分厚く形成し、加熱処理工程にてフォト
レジスト層をその溶融点近傍の温度で加熱処理すること
で、凹部の表面を流動化させて細かな凹凸を除くことで
荒れを取り除くと共にフォトレジスト層の厚さをピット
又はグルーブの所定の深さに対応する厚さに減少させる
ので、所定の深さのピット又はグルーブを精度良く作成
することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の好適な実施形態を
図をもとに説明する。図１は、本発明の一実施形態にお
ける光ディスク原盤の製造方法を用いた光ディスク原盤
の作成工程を示す図である。また、図２は、図１の各工
程途中における光ディスク原盤の一部断面構造図であ
り、図２中、（ａ）は図１の露光工程（Ｓ２）によって
ガラス基板１０１上に形成されたフォトレジスト層１の
断面構造図を示し、（ｂ）は図１の加熱処理工程（Ｓ
５）によって加熱処理されたフォトレジスト層１の凹部
２の断面構造図を示している。以下、図１及び図２を用
いて光ディスク原盤の製造方法を説明するが、図２中に
おいて上述の図５と同様の構成部分については同一の符
号を付してあり、その説明は重複するのでここでは省略
する。
図をもとに説明する。図１は、本発明の一実施形態にお
ける光ディスク原盤の製造方法を用いた光ディスク原盤
の作成工程を示す図である。また、図２は、図１の各工
程途中における光ディスク原盤の一部断面構造図であ
り、図２中、（ａ）は図１の露光工程（Ｓ２）によって
ガラス基板１０１上に形成されたフォトレジスト層１の
断面構造図を示し、（ｂ）は図１の加熱処理工程（Ｓ
５）によって加熱処理されたフォトレジスト層１の凹部
２の断面構造図を示している。以下、図１及び図２を用
いて光ディスク原盤の製造方法を説明するが、図２中に
おいて上述の図５と同様の構成部分については同一の符
号を付してあり、その説明は重複するのでここでは省略
する。
【００１４】先ずＳ１（フォトレジスト層形成工程）に
おいて、１０ｍｍ程度の厚さを有するガラス基板１０１
上にポジ型フォトレジスト層１をスピンコート法により
形成する。ポジ型フォトレジスト層１の厚さｄ2 は、光
ディスクのピット、グルーブの深さに対応する厚さより
も十分厚くなるように、例えば５５〜１００ｎｍ程度の
厚さに設定される。
おいて、１０ｍｍ程度の厚さを有するガラス基板１０１
上にポジ型フォトレジスト層１をスピンコート法により
形成する。ポジ型フォトレジスト層１の厚さｄ2 は、光
ディスクのピット、グルーブの深さに対応する厚さより
も十分厚くなるように、例えば５５〜１００ｎｍ程度の
厚さに設定される。
【００１５】次いで、Ｓ２（露光工程）にて、記録信号
により強度変調された光ビームを対物レンズで集光し、
光ディスクの記録トラックに対応するフォトレジスト層
１の目標露光部分に対し露光を行うことにより光ビーム
の強度分布に応じた潜像を形成する（図２（ａ）参
照）。
により強度変調された光ビームを対物レンズで集光し、
光ディスクの記録トラックに対応するフォトレジスト層
１の目標露光部分に対し露光を行うことにより光ビーム
の強度分布に応じた潜像を形成する（図２（ａ）参
照）。
【００１６】次に、Ｓ３（現像工程）にて、規定度０．
２〜０．３Ｎ程度のアルカリ現像液で数十秒間現像を行
い、先のＳ２で形成した潜像部分を取り除くことにより
フォトレジスト層１に光ディスクのピット、グルーブに
対応する凹部２を形成し、その後Ｓ４にて水洗して現像
液やその他付着物等を取り除く。
２〜０．３Ｎ程度のアルカリ現像液で数十秒間現像を行
い、先のＳ２で形成した潜像部分を取り除くことにより
フォトレジスト層１に光ディスクのピット、グルーブに
対応する凹部２を形成し、その後Ｓ４にて水洗して現像
液やその他付着物等を取り除く。
【００１７】次に、Ｓ５（加熱処理工程）にて、上記現
像されたフォトレジスト層１をその溶融点近傍の温度
（例えば９０〜１５０℃、望ましくは１２０〜１５０℃
の範囲内）で加熱処理（高温ベーキング）する。これに
より、フォトレジスト層１は次第に熱収縮するので加熱
時間を適宜調整してフォトレジスト層１の厚さｄ2 が光
ディスクのピット又はグルーブの深さに対応した所定の
深さｄ1 例えば１０〜４５ｎｍ程度となるように減少さ
せる（図２（ｂ）参照）。
像されたフォトレジスト層１をその溶融点近傍の温度
（例えば９０〜１５０℃、望ましくは１２０〜１５０℃
の範囲内）で加熱処理（高温ベーキング）する。これに
より、フォトレジスト層１は次第に熱収縮するので加熱
時間を適宜調整してフォトレジスト層１の厚さｄ2 が光
ディスクのピット又はグルーブの深さに対応した所定の
深さｄ1 例えば１０〜４５ｎｍ程度となるように減少さ
せる（図２（ｂ）参照）。
【００１８】これにより、光ディスクのピット又はグル
ーブの深さに対応した所定の深さのフォトレジスト層１
を容易に正確に作成することができると共にフォトレジ
スト層１とガラス基板１０１との密着性を上げることが
できる。また、この場合に、上記凹部２及びフォトレジ
スト層１の表面は、溶融点近傍の温度による加熱処理に
よって流動化するので、露光時に生じた表面の細かな凹
凸による荒れが消失する。その結果、光ディスクのピッ
ト、グルーブに対応する部分の形状を容易に正確に作成
することができる。
ーブの深さに対応した所定の深さのフォトレジスト層１
を容易に正確に作成することができると共にフォトレジ
スト層１とガラス基板１０１との密着性を上げることが
できる。また、この場合に、上記凹部２及びフォトレジ
スト層１の表面は、溶融点近傍の温度による加熱処理に
よって流動化するので、露光時に生じた表面の細かな凹
凸による荒れが消失する。その結果、光ディスクのピッ
ト、グルーブに対応する部分の形状を容易に正確に作成
することができる。
【００１９】尚、上述の作成工程において、ピット、グ
ルーブは幅０．１〜０．５μｍ、トラックピッチ０．３
〜１．０μｍとなるように形成した。
ルーブは幅０．１〜０．５μｍ、トラックピッチ０．３
〜１．０μｍとなるように形成した。
【００２０】図３は上述した実施形態によって製造され
た光ディスク原盤を用いて作成された可逆型２層光ディ
スクの一部断面構造図である。同図において、２層光デ
ィスクは、上述の光ディスク原盤の製造方法により光デ
ィスク原盤のピット、グルーブに対応する凹部２が転写
された基板３、４上にそれぞれ色素を記録材料とする記
録膜５、６を成膜し、さらに各記録膜５、６上に金属反
射膜７、８をそれぞれ積層し、さらに各反射膜７、８を
保護膜９、１０で被覆して２つの片面光ディスク１１、
１２を作成し、各光ディスク１１、１２の保護膜形成面
側を対向させて接着剤１３により貼り合わせることによ
り両面型２層光ディスクが形成される。この場合に、基
板３、４には精度良く形成された光ディスク原盤の凹部
２が転写されるので所定の深さのピット又はグルーブが
精度良く作成される。
た光ディスク原盤を用いて作成された可逆型２層光ディ
スクの一部断面構造図である。同図において、２層光デ
ィスクは、上述の光ディスク原盤の製造方法により光デ
ィスク原盤のピット、グルーブに対応する凹部２が転写
された基板３、４上にそれぞれ色素を記録材料とする記
録膜５、６を成膜し、さらに各記録膜５、６上に金属反
射膜７、８をそれぞれ積層し、さらに各反射膜７、８を
保護膜９、１０で被覆して２つの片面光ディスク１１、
１２を作成し、各光ディスク１１、１２の保護膜形成面
側を対向させて接着剤１３により貼り合わせることによ
り両面型２層光ディスクが形成される。この場合に、基
板３、４には精度良く形成された光ディスク原盤の凹部
２が転写されるので所定の深さのピット又はグルーブが
精度良く作成される。
【００２１】なお、上述した実施形態では、ポジ型フォ
トレジスト層を用いて露光を行うことにより光ディスク
のピット、グルーブに対応する凹部を形成するようにし
たが、ネガ型フォトレジスト層を用いて露光を行うこと
により光ディスクのピット、グルーブに対応する凹部を
形成するようにしても良い。
トレジスト層を用いて露光を行うことにより光ディスク
のピット、グルーブに対応する凹部を形成するようにし
たが、ネガ型フォトレジスト層を用いて露光を行うこと
により光ディスクのピット、グルーブに対応する凹部を
形成するようにしても良い。
【００２２】
【発明の効果】本発明は以上のように構成したため、現
像工程においてピット又はグルーブに対応する凹部がフ
ォトレジスト層に粗く形成されたとしても、フォトレジ
スト層形成工程においてフォトレジスト層を所定の深さ
に対応する厚さより十分厚く形成し、加熱処理工程にて
フォトレジスト層をその溶融点近傍の温度で加熱処理す
ることで、凹部の表面を流動化させて細かな凹凸を除く
ことで荒れを取り除くと共にフォトレジスト層の厚さを
ピット又はグルーブの所定の深さに対応する厚さに減少
させるので、所定の深さのピット又はグルーブを精度良
く作成することができる。したがって、本発明を用いれ
ば現在利用可能でかつ容易な技術を用いて高密度化され
た光ディスク原盤を精度良く容易に作成することができ
る。また、このような光ディスク原盤を用いて作成され
た記録用光ディスクは、精度ある凹部が転写されてピッ
ト、グルーブが精度良く形成されるので、これらのピッ
ト、グルーブに基づく光ディスクの再生信号のＣ／Ｎ、
エラーレート等は良好となる。
像工程においてピット又はグルーブに対応する凹部がフ
ォトレジスト層に粗く形成されたとしても、フォトレジ
スト層形成工程においてフォトレジスト層を所定の深さ
に対応する厚さより十分厚く形成し、加熱処理工程にて
フォトレジスト層をその溶融点近傍の温度で加熱処理す
ることで、凹部の表面を流動化させて細かな凹凸を除く
ことで荒れを取り除くと共にフォトレジスト層の厚さを
ピット又はグルーブの所定の深さに対応する厚さに減少
させるので、所定の深さのピット又はグルーブを精度良
く作成することができる。したがって、本発明を用いれ
ば現在利用可能でかつ容易な技術を用いて高密度化され
た光ディスク原盤を精度良く容易に作成することができ
る。また、このような光ディスク原盤を用いて作成され
た記録用光ディスクは、精度ある凹部が転写されてピッ
ト、グルーブが精度良く形成されるので、これらのピッ
ト、グルーブに基づく光ディスクの再生信号のＣ／Ｎ、
エラーレート等は良好となる。
【図１】本発明の一実施形態における光ディスク原盤の
製造方法を用いた光ディスク原盤の作成工程を示す図で
ある。
製造方法を用いた光ディスク原盤の作成工程を示す図で
ある。
【図２】本発明による光ディスク原盤の作成工程におけ
る光ディスク原盤の一部断面構造図である。
る光ディスク原盤の一部断面構造図である。
【図３】本発明によって製造された光ディスク原盤を用
いて作成された可逆型２層光ディスクの一部断面構造図
である。
いて作成された可逆型２層光ディスクの一部断面構造図
である。
【図４】従来における光ディスク原盤の作成工程（プロ
セス）を示す図である。
セス）を示す図である。
【図５】光ディスク原盤の一部断面構造図である。
１・・・・・フォトレジスト層 ２・・・・・凹部
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトレジスト層をガラス基板上に形成
するフォトレジスト層形成工程と、前記フォトレジスト
層に対し、記録情報に応じて変調された光ビームを照射
して露光することによりピット又はグルーブに対応する
潜像を形成する露光工程と、前記露光されたフォトレジ
スト層を現像して前記ピット又はグルーブに対応する凹
部を前記フォトレジスト層に形成する現像工程と、前記
現像されたフォトレジスト層を加熱処理する加熱処理工
程とを含む光ディスク原盤の製造方法であって、 所定の深さのピット又はグルーブに対し、前記フォトレ
ジスト層形成工程において前記フォトレジスト層を前記
所定の深さに対応する厚さより十分厚く形成し、 前記加熱処理工程にて前記フォトレジスト層をその溶融
点近傍の温度で加熱処理することにより前記フォトレジ
スト層の厚さを前記所定の深さに対応する厚さに減少さ
せることを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項２】 前記ピット又はグルーブは、その深さが
１０〜４５ｎｍ、その幅が０．１〜０．５μｍ、トラッ
クピッチが０．３〜１．０μｍであり、前記フォトレジ
スト層形成工程において塗布されるフォトレジスト層の
厚さは、５５〜１００ｎｍであることを特徴とする請求
項１に記載の光ディスク原盤の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169313A JPH11353719A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 光ディスク原盤の製造方法 |
| US09/324,051 US20010028994A1 (en) | 1998-06-02 | 1999-06-02 | Method of manufacturing an optical disk original recording |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10169313A JPH11353719A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11353719A true JPH11353719A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15884228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10169313A Pending JPH11353719A (ja) | 1998-06-02 | 1998-06-02 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010028994A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11353719A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002298449A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Canon Inc | 光ディスク原盤、光ディスク基板用スタンパー、及びこれらの製造方法、並びに光磁気記録媒体 |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP10169313A patent/JPH11353719A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-02 US US09/324,051 patent/US20010028994A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002298449A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Canon Inc | 光ディスク原盤、光ディスク基板用スタンパー、及びこれらの製造方法、並びに光磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010028994A1 (en) | 2001-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040907 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041105 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041130 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050329 |