JPS6284450A - 光デイスク用基板の製造方法 - Google Patents
光デイスク用基板の製造方法Info
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- JPS6284450A JPS6284450A JP22433285A JP22433285A JPS6284450A JP S6284450 A JPS6284450 A JP S6284450A JP 22433285 A JP22433285 A JP 22433285A JP 22433285 A JP22433285 A JP 22433285A JP S6284450 A JPS6284450 A JP S6284450A
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- Japan
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- photoresist
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- resist master
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- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、追記型、書換型光ディスク用基板の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
本発明は、プリグループの形成方法において、分光感度
の異なる２種類のフォトレジストなガラス板に２層に塗
布して、照射エネルギー密度の異なるレーザビームで露
光、現像すること釦より、グループ深さの異なるプリグ
ループな有する追記型、書換型光ディスク用基板な高精
度に製造可能にしたものである。
の異なる２種類のフォトレジストなガラス板に２層に塗
布して、照射エネルギー密度の異なるレーザビームで露
光、現像すること釦より、グループ深さの異なるプリグ
ループな有する追記型、書換型光ディスク用基板な高精
度に製造可能にしたものである。
現在、光ディスクには記録する位置な制御するに有効な
方法として、あらかじめ同心円状もしくはうず巻状の溝
が形成されている。この溝をプリグループと称しており
、一般＆Ｃけ５ず巻状のプリグループが多く採用されて
いる。プリグループけ単に連続した溝のみではなくて、
セクターフォーマットに従ってあらかじめ記録ビットが
形成されている。記録ビット部と連続溝部は深さｈｔ−
異なり記録ピット部は深さｄｌがλ／４ｎ、連続溝部は
深さｄｌがλ／８ｎになる様に製作される。
方法として、あらかじめ同心円状もしくはうず巻状の溝
が形成されている。この溝をプリグループと称しており
、一般＆Ｃけ５ず巻状のプリグループが多く採用されて
いる。プリグループけ単に連続した溝のみではなくて、
セクターフォーマットに従ってあらかじめ記録ビットが
形成されている。記録ビット部と連続溝部は深さｈｔ−
異なり記録ピット部は深さｄｌがλ／４ｎ、連続溝部は
深さｄｌがλ／８ｎになる様に製作される。
従来、深さの異なるプリグループの形成方法としては、
ガラス原板１にフォトレジスト７ｋｄ＋＝λ／４＊の属
人で塗布し、レーザビームの照射エネルギー密度な替え
て、完全露光部深さがｄ１＝λ／４ｎ。
ガラス原板１にフォトレジスト７ｋｄ＋＝λ／４＊の属
人で塗布し、レーザビームの照射エネルギー密度な替え
て、完全露光部深さがｄ１＝λ／４ｎ。
ハーフ露光部深ざｈ’ｓ ｄｌｒ ＝λ／８ｎになる様
に露光条件、現像条件な選択していた。
に露光条件、現像条件な選択していた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、帥
述の従来技術では、長時間安定したハーフ露光条件を維
持することは困難であり、そのためグループ深さが変化
し、光ディスクの情報読入数り時のＯ／Ｎ Ｇ−低下さ
せる原因となっている。
述の従来技術では、長時間安定したハーフ露光条件を維
持することは困難であり、そのためグループ深さが変化
し、光ディスクの情報読入数り時のＯ／Ｎ Ｇ−低下さ
せる原因となっている。
′＋！几グループ形状が変化することにより、トラッキ
ング精度な低下させる原因ともなり、高品質な光ディス
クな得る上で大きな問題となっていた。
ング精度な低下させる原因ともなり、高品質な光ディス
クな得る上で大きな問題となっていた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、庚申のグループ形状な有する光
ディスク用基板を量産的に提供するところＶＣもる。
の目的とするところは、庚申のグループ形状な有する光
ディスク用基板を量産的に提供するところＶＣもる。
本発明による光ディスク用基板の製造方法は。
レジスト原盤作製工程において、ガラス板ＩＫ第１層目
として低分光感廖のフォトレジスト２な所定厚になる様
に塗布する。その属人は通常λ／８ｎである。必要によ
ってプリベークし次後、第２層目として高分光感度のフ
ォトレジスト３を所定厚になる様ＶＣ塗布する。その厚
みは通常λ／８ｎである。
として低分光感廖のフォトレジスト２な所定厚になる様
に塗布する。その属人は通常λ／８ｎである。必要によ
ってプリベークし次後、第２層目として高分光感度のフ
ォトレジスト３を所定厚になる様ＶＣ塗布する。その厚
みは通常λ／８ｎである。
プリベークした後、記録ビット部を形成する場合はレー
ザビーム強度を高エネルギー密度にし露光する。また連
続溝部な形成する場合はレーザビーム強度を低エネルギ
ー密度に１〜露光する。その後現像、ボストベークを行
ないレジスト原盤を完成する。このレジスト原盤から、
スタンパを作製し射出成形法、スタンピング法、７オト
ボリマーによる紫外線重合法等によりプリグループな樹
脂に転写することによって光ディスク用基板を得る。
ザビーム強度を高エネルギー密度にし露光する。また連
続溝部な形成する場合はレーザビーム強度を低エネルギ
ー密度に１〜露光する。その後現像、ボストベークを行
ないレジスト原盤を完成する。このレジスト原盤から、
スタンパを作製し射出成形法、スタンピング法、７オト
ボリマーによる紫外線重合法等によりプリグループな樹
脂に転写することによって光ディスク用基板を得る。
本発明によれば、深さの異なる記録ビット部、連続溝部
とも、非常に安定し突形状で得られる。
とも、非常に安定し突形状で得られる。
２種類のフォトレジストの分光感度を適正に選択すれば
、レーザビームの強度！化、環境温度、湿度の変化、フ
ォトレジストの変化等の影譬をほとんど受けることなく
庚申の深さを有するプリグループが量産的に得られる。
、レーザビームの強度！化、環境温度、湿度の変化、フ
ォトレジストの変化等の影譬をほとんど受けることなく
庚申の深さを有するプリグループが量産的に得られる。
本発明な具体的に図面ケ用いて説明すると、第１図は本
発明によるレジスト原盤作製工程を示す。
発明によるレジスト原盤作製工程を示す。
平滑に研磨されたガラス板ＩＶｃ低分光感度の７オトレ
ジス）２％−スピンナーで約λ／８ｎの厚みになる様に
塗布する。属人はベーキングによる減少分を補正してお
く。プリベークにより溶剤を揮発させた後、第２層目と
して高分光感度のフォトレジスト３１に一スピンナーで
約λ／８ｎの属人になる様に塗布する。この場合も属人
はベーキングによる減少分な補正しておく。この時に使
用する２種類のフォトレジストの照射エネルギー密度に
よる現像特性を第２図（α）に示す。高分光感度のフォ
トレジスト３け照射エネルギー密度ｈｌ Ｊｓジューｌ
Ｌ／ｃｍ”で光分解し、現像深さ／ｌ”−−宇になる。
ジス）２％−スピンナーで約λ／８ｎの厚みになる様に
塗布する。属人はベーキングによる減少分を補正してお
く。プリベークにより溶剤を揮発させた後、第２層目と
して高分光感度のフォトレジスト３１に一スピンナーで
約λ／８ｎの属人になる様に塗布する。この場合も属人
はベーキングによる減少分な補正しておく。この時に使
用する２種類のフォトレジストの照射エネルギー密度に
よる現像特性を第２図（α）に示す。高分光感度のフォ
トレジスト３け照射エネルギー密度ｈｌ Ｊｓジューｌ
Ｌ／ｃｍ”で光分解し、現像深さ／ｌ”−−宇になる。
低分光感度のフォトレジスト２け照射エネルギー密度が
Ｊ！ジュー、３Δ−２で光分解し、現惜深さが飽和する
。そこで第１図のレーザビーム４を用いて露光する時に
、記録ビット部はレーザビームｋ Ｊｌｌジュール２の
強度に、連続溝部はレーザビームＪ１ジューｌＬ／ｃｍ
！の強度に設定する。次に現像しレジスト原盤とする。
Ｊ！ジュー、３Δ−２で光分解し、現惜深さが飽和する
。そこで第１図のレーザビーム４を用いて露光する時に
、記録ビット部はレーザビームｋ Ｊｌｌジュール２の
強度に、連続溝部はレーザビームＪ１ジューｌＬ／ｃｍ
！の強度に設定する。次に現像しレジスト原盤とする。
この後スタンパな作製し、射出成形法等により樹脂にプ
リグループを転写し光ディスク用基板とする。従来の方
法によれば第２図（ｂ）Ｋ示すような現像特性を有する
フォトレジスト５な用いＪｓジｚ −ｙ／＞”の照射エ
ネルギー密度で１７４％の深さの記録ビ９Ｆ部を形成し
、Ｊ４ジュー４１の照射エネルギー密度でλ／ａｎの深
さの連続溝部を形成するととｋなり、連続溝部の深さを
均一に安定して得ることは非常に困難である。
リグループを転写し光ディスク用基板とする。従来の方
法によれば第２図（ｂ）Ｋ示すような現像特性を有する
フォトレジスト５な用いＪｓジｚ −ｙ／＞”の照射エ
ネルギー密度で１７４％の深さの記録ビ９Ｆ部を形成し
、Ｊ４ジュー４１の照射エネルギー密度でλ／ａｎの深
さの連続溝部を形成するととｋなり、連続溝部の深さを
均一に安定して得ることは非常に困難である。
以上述べたように本発明によれば、グループ深さの異な
るプリグループを有する追記型、書換型光ディスク用基
板を高精度に安中製造が可能になる。
るプリグループを有する追記型、書換型光ディスク用基
板を高精度に安中製造が可能になる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の光ディスク用基板め製
造方法の主要工程であるレジスト原盤作製工程図で、（
ａ）はガラス板、ノ）はレジスト塗布、（Ｃ）けプリベ
ーク、げ）は露光、（ｇ）Ｆｉ現儂の工程である。 第２図（ａ）は第１図で用いるフォトレジストの現像特
性図。 第２図（ｂ）は従来のレジスト原盤作製工程で用いられ
ているフォトレジストの現像特性図。 １・・・・・・ガラス板 ２・・・・・・低分光感度フォトレジスト３・・・・・
・高分光感度フォトレジスト４・・・・・・変調された
レーザビーム５・・・・・・従来のフォトレジスト 以 上
造方法の主要工程であるレジスト原盤作製工程図で、（
ａ）はガラス板、ノ）はレジスト塗布、（Ｃ）けプリベ
ーク、げ）は露光、（ｇ）Ｆｉ現儂の工程である。 第２図（ａ）は第１図で用いるフォトレジストの現像特
性図。 第２図（ｂ）は従来のレジスト原盤作製工程で用いられ
ているフォトレジストの現像特性図。 １・・・・・・ガラス板 ２・・・・・・低分光感度フォトレジスト３・・・・・
・高分光感度フォトレジスト４・・・・・・変調された
レーザビーム５・・・・・・従来のフォトレジスト 以 上
Claims (1)
- ガラス板にフォトレジストを塗布し、変調されたレーザ
ビームで露光し、現像することからなるレジスト原盤作
製工程と、導電化、電鋳、裏面研磨、内外径加工からな
るスタンパ作製工程と、樹脂成形からなる転写工程から
なる光ディスク用基板の製造方法において、レジスト原
盤作製工程がガラス板１層目として低分光感度のフォト
レジスト２を所定厚になる様に塗布し、必要によってプ
リベークし、第２層目として高分光感度のフォトレジス
ト３を所定厚になる様に塗布し、プリベークした後、照
射エネルギ密度の異なる変調されたレーザビーム４を用
いて露光し、現像することによってグループ溝深さの異
なるレジスト原盤を作製することを特徴とする光ディス
ク用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22433285A JPS6284450A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光デイスク用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22433285A JPS6284450A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光デイスク用基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6284450A true JPS6284450A (ja) | 1987-04-17 |
Family
ID=16812095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22433285A Pending JPS6284450A (ja) | 1985-10-08 | 1985-10-08 | 光デイスク用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6284450A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0596439A3 (en) * | 1992-11-05 | 1995-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of making an original disk for manufacturing optical disks. |
| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
| US6219330B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and having first and second photoresist layers |
-
1985
- 1985-10-08 JP JP22433285A patent/JPS6284450A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0596439A3 (en) * | 1992-11-05 | 1995-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Method of making an original disk for manufacturing optical disks. |
| JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
| US6219330B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and having first and second photoresist layers |
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