JPH11354441A5 - - Google Patents
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- JPH11354441A5 JPH11354441A5 JP1998159481A JP15948198A JPH11354441A5 JP H11354441 A5 JPH11354441 A5 JP H11354441A5 JP 1998159481 A JP1998159481 A JP 1998159481A JP 15948198 A JP15948198 A JP 15948198A JP H11354441 A5 JPH11354441 A5 JP H11354441A5
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Description
【００２２】
また、前記レーザーの照射は、酸素雰囲気中で行なうようにしてもよい。さらに、水蒸気雰囲気中で行うようにしても良い。これにより、前記ＳｉＯ２膜をさらに酸化して緻密化させることができ、このＳｉＯ２膜をゲート絶縁膜の一部として用いる場合には、ＴＦＴ等の特性を向上させることができる。
また、前記レーザーの照射は、酸素雰囲気中で行なうようにしてもよい。さらに、水蒸気雰囲気中で行うようにしても良い。これにより、前記ＳｉＯ２膜をさらに酸化して緻密化させることができ、このＳｉＯ２膜をゲート絶縁膜の一部として用いる場合には、ＴＦＴ等の特性を向上させることができる。
Claims (8)
- 基板上に半導体薄膜を有する半導体装置の製造方法であって、
基板上にアモルファスＳｉ膜を形成する工程と、
前記アモルファスＳｉ膜の上に、該アモルファスＳｉ膜の全面を被覆するＳｉＯ２膜を形成する工程と、
前記ＳｉＯ２膜の上からレーザーを照射して、前記アモルファスＳｉ膜を多結晶Ｓｉ膜に結晶化させる工程と、
を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ＳｉＯ２膜は、前記アモルファスＳｉ膜を酸化させて形成したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ＳｉＯ２膜は、５０Å以下の厚さで形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ＳｉＯ２膜は、Ｏ２雰囲気または大気雰囲気中で熱処理されて形成されてなることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ＳｉＯ２膜は、水蒸気雰囲気中で形成されてなることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ＳｉＯ２膜は、オゾン雰囲気中で形成されてなることを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザーは、酸素雰囲気中で照射されることを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レーザーは、水蒸気雰囲気中で照射されることを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15948198A JPH11354441A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15948198A JPH11354441A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354441A JPH11354441A (ja) | 1999-12-24 |
| JPH11354441A5 true JPH11354441A5 (ja) | 2004-09-24 |
Family
ID=15694722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15948198A Withdrawn JPH11354441A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354441A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6777274B2 (en) * | 2000-01-25 | 2004-08-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low temperature polycrystalline silicon type thin film transistor and a method of the thin film transistor fabrication |
| JP4901020B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2012-03-21 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2005064453A (ja) * | 2003-07-29 | 2005-03-10 | Advanced Display Inc | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| JP4720154B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-07-13 | ウシオ電機株式会社 | フラッシュランプ発光装置 |
| JP2007142027A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置の製造方法 |
| KR20080111693A (ko) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 다결정 실리콘층의 제조 방법, 이를 이용하여 형성된박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는유기전계발광표시장치 |
| JP6403377B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2018-10-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 多結晶化方法 |
-
1998
- 1998-06-08 JP JP15948198A patent/JPH11354441A/ja not_active Withdrawn
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