JPH1051005A5 - - Google Patents

Description

【００６６】
まず、基板としては耐熱性の高い石英基板４０１を用意する。勿論、シリコン基板やＳＯＩ構造を有するＳＩＭＯＸ基板等であっても構わない。そして、バッファ層となる酸化珪素膜４０２、結晶性珪素膜４０３を形成する。結晶性珪素膜４０３の形成方法は実施例１に従えば良いが、次の熱酸化処理により膜厚が減少するので、それを考慮して多めに成膜しておく必要がある。

Claims (4)

1. 絶縁性を有する基板上に形成された活性層と、
   前記活性層を覆うゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
   を少なくとも有する半導体装置において、
   前記ゲイト絶縁膜は少なくともその一部に前記活性層を熱酸化して得られる熱酸化膜を有し、
   前記熱酸化膜は前記活性層の主表面のみに接して形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁性を有する基板上に形成された活性層と、
   前記活性層を覆うゲイト絶縁膜と、
   前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、
   を少なくとも有する半導体装置において、
   前記ゲイト絶縁膜は少なくともその一部に前記活性層を熱酸化して得られる熱酸化膜を有し、
   前記活性層の主表面には前記熱酸化膜が接しており、前記活性層の側面には前記熱酸化膜以外の絶縁膜が接していることを特徴とする半導体装置。
3. 絶縁性を有する基板上に結晶性珪素膜を形成し、
   前記結晶性珪素膜に対して熱酸化処理を施すことにより表面に熱酸化膜を形成し、
   前記熱酸化膜を残したまま前記結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成し、
   ゲイト絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法において、
   前記ゲイト絶縁膜を形成するときに前記活性層の主表面には前記熱酸化膜が残存していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 絶縁性を有する基板上に結晶性珪素膜を形成し、
   前記結晶性珪素膜に対して熱酸化処理を施すことにより表面に熱酸化膜を形成し、
   前記熱酸化膜を残したまま前記結晶性珪素膜をパターニングして活性層を形成する半導体装置の作製方法において、
   前記熱酸化膜をそのままゲイト絶縁膜として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。