JPH11354561A - バンプ形成方法及びバンプ - Google Patents

バンプ形成方法及びバンプ

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JPH11354561A
JPH11354561A JP10161191A JP16119198A JPH11354561A JP H11354561 A JPH11354561 A JP H11354561A JP 10161191 A JP10161191 A JP 10161191A JP 16119198 A JP16119198 A JP 16119198A JP H11354561 A JPH11354561 A JP H11354561A
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JP
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bump
conductor
probe card
conductors
hardness
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JP10161191A
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English (en)
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Shigeru Matsumura
茂 松村
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Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 電気的部品に対して電気的接触を行うための
バンプ及びプローブカードを正確かつ高速に形成するこ
と。 【解決手段】 検査に用いる電気信号を伝達する複数の
導電体１２と、複数の導電体の各々の上に形成され電気
部品と機械的に接触されるバンプ１８とを有する。バン
プ１８は、導電体に融着した下方部分と、バンプの先端
に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状に
型押成形された上方部分とを有する。バンプを電気部品
に押圧する弾性体を更に有する。弾性体により電気部品
の方向へ押圧されるフレキシブルな基板５４を更に有す
る。複数の導電体１２のそれぞれは、基板に接着された
裏面と、バンプが設けられた表面とを有する。バンプ１
８の表面は上方部分の硬度より大きい硬度を有する高硬
度物質でメッキする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気部品に対して
電気的接触を行うバンプ、当該バンプを導電体の上に形
成したプローブカード、及び前記バンプの形成方法に関
する。特に本発明は、導電物質を導電体に融着して形成
されたプローブカード及びバンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】日経マイクロデバイス１９９６年２月号
には、電気部品に対して電気的接触を行うためのバンプ
形状の例が示されている。このようなバンプを形成する
為には、従来、エッチング、メッキ等の方法が用いられ
ていた。しかしながらエッチングによる方法では、生成
できるバンプの形状が著しく制限されている。またバン
プの寸法安定性が悪く、加工時間も長く、さらに製造コ
ストが高く、このため大量生産に向かない。またメッキ
によるバンプ形成方法では、外周が丸いバンプしか製造
することができない。
【０００３】一方、吸引器具により半田ボールを移転し
てバンプを形成する方法が、Ｍ＆Ｅ（工業調査会）１９
９７年９月号に開示されている(Ｐ１６８−Ｐ１６９)。
しかしながら、本方法では半田を融着させるときにバン
プ形状が丸くなり、電気的部品に対して所望の接触を行
うことができない。
【０００４】大久保その他による日本特許公報２６９１
８７５（１９９７年１２月１７日発行、出願は１９９６
年８月３０日に公開）は、ワイヤの先端を融解して形成
したボールを用いてバンプを生成する方法を開示してい
る。また、ワイヤの先端を融解してワイヤの先端にボー
ルを生成する工程は、日本半導体製造装置協会の半導体
製造装置用語辞典（１９９７年１１月２０日発行第４
版）に開示されている（Ｐ２９０）。しかしながらこの
特許公報に記載された方法は、ワイヤの先端を切断する
ために多くの工程を必要とする。また複数のバンプを形
成する場合には、各バンプの先端高さが均一にならない
という技術的課題を有する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、上記の
課題を解決することのできるバンプ、プローブカード及
び前記バンプの形成方法を提供することを目的とする。
この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴
の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の
更なる有利な具体例を規定する。
【０００６】即ち、本発明の第１の形態におけるプロー
ブカードは、電気的部品の特性の検査に用いる電気信号
を伝達する複数の導電体と、複数の導電体の各々の上に
形成されたバンプであって電気部品と機械的に接触する
バンプとを有する。バンプは、導電体に融着した下方部
分と、バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さ
くなる先細形状に型押成形された上方部分とを有する。
バンプの上方部分の長さは、少なくとも２０μｍ以上で
あることが望ましい。また先細形状としては、例えば円
錐形状とすることができる。
【０００７】プローブカードには、バンプを電気部品に
押圧する弾性体と、この弾性体により電気部品の方向へ
押圧されるフレキシブルな基板を更に備えても良い。複
数の導電体のそれぞれは、基板に接着された裏面とバン
プが設けられた表面とを有する。他の実施形態として
は、導電性の金属で構成した弾性体を導電体毎に独立に
設けても良い。この場合は複数の導電体のそれぞれを、
弾性体と一体に形成された金属としても良い。バンプを
複数の導電体の各々の上に形成し、バンプの高さを実質
的に同一に型押成形する。またバンプの表面を、導電性
でバンプの上方部分の硬度より大きい硬度を有する高硬
度物質でメッキする。複数の導電体の各々の上に形成さ
れたバンプが電気部品と機械的に接触する。
【０００８】また本電気部品接触用バンプの製造方法
は、バンプを導電体の上に融着させる融着工程と、導電
体の上に融着した導電物質をバンプ成形型により所望の
形状に型押成形する成形工程とを有する。所望の形状と
しては、例えばバンプの先端に近づくにつれて断面の面
積が小さくなる円錐形状等の先細の形状とすることが出
来る。成形工程において、導電体とバンプ成形型に設け
られた窪みの周辺部分との最近接距離は窪みの深さより
小さいことが望ましい。成形したバンプの表面を前記導
電物質より大きい硬度を有するニッケル、パラジウムニ
ッケル等の高硬度物質でメッキし、更に金メッキするこ
とにより、バンプの強度及び接触電気抵抗を下げること
が出来る。
【０００９】さらに、本発明の半導体接触用バンプ形成
方法では、導電物質を有するワイヤの先端部分を放電加
工により融解し、融解した先端部分を導電体に当接させ
る。先端部分が導電体に当接した状態でワイヤを所定の
時間停止させ、ワイヤを導電体から引き離すことにより
先端部分を切断する。導電物質を含むボール状物質を導
電体の上に吸引搬送し、リフローにより融解してから凝
固させてもよい。
【００１０】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【００１１】１．実施形態１ 図１は、本実施形態におけるフレキシブル基板型プロー
ブカードの断面図である。フレキシブル基板型プローブ
カードは、プリント基板５２、プリント基板５２の中央
の開口部を片面側から覆う状態で装着されたフレキシブ
ル基板５４、プリント基板５２の中央部の開口内でフレ
キシブル基板５４を押圧する弾性体５０、及びフレキシ
ブル基板５４上の弾性体５０の反対側に設けられたバン
プ２５を有する。弾性体５０がフレキシブル基板５４を
押圧することにより、バンプ２５が電気部品に対して電
気的に接触し、電気部品の電気的特性を検査することが
できる。
【００１２】図２は、図１のフレキシブル基板５４の底
面図である。フレキシブル基板５４は、電気的特性の検
査に用いる電気信号をバンプ２５へ伝達し、又はバンプ
２５から受け取る複数の導電体１２を有する。誘電物質
を含むワイヤ等を融解して導電体１２の上に融着する事
により、バンプ２５を各導電体１２の先端部に１つづつ
形成する。
【００１３】図３Ａは、導電物質を有するワイヤ１３の
先端部分を放電加工により融解する融解工程を示す。キ
ャピラリ（ボンディングマシン）１６の先からワイヤ１
３が少し出るようにして、ワイヤ１３をキャピラリ１６
で掴む。ワイヤ１３は、金、アルミニウム又は銅材等の
導電物質を有しており、ワイヤ１３と電気トーチ１４と
の間に放電により電子スパークを生じさせてワイヤ１３
の先端を融解する。図３Ｂに示すように、融解したワイ
ヤが表面張力により丸まり、ワイヤ１３の先端にボール
１０が形成される。ボール１０が形成されると、電気ト
ーチ１４はボール１０から引き離される。
【００１４】図４Ａは、融解工程により融解したボール
１０を導電体１２に当接させる当接工程を示す。キャピ
ラリ１６が下降してボール１０が導電体１２に接触す
る。ボール１０が変形して形成されたバンプ基材１８
を、キャピラリ１６の内側の凹部で支えつつ導電体１２
に融着させる。バンプ基材１８を冷却して凝固させるた
めに、バンプ基材１８が導電体１２に押しつけられた状
態で、ワイヤ１３を所定の時間停止させる。
【００１５】図４Ｂは、ワイヤ１３の先端部分に形成さ
れたバンプ基材１８を切断する切断工程を示す。ワイヤ
１３をフレキシブル基板５４の上に設けられた導電体１
２から引き離す方向へ移動させることにより、バンプ基
材１８を導電体１２に残してワイヤ１３から切断する。
本図では、導電体１２から引き離す方向の一例として、
キャピラリ１６で掴んだワイヤ１３を導電体１２の垂直
上方に移動させるている。
【００１６】図５Ａ〜５Ｃは、導電体１２に融着したバ
ンプ基材１８を、窪み２１を有するバンプ成形型２０に
より型押成形する様子を示す。窪み２１の内周面が、バ
ンプ基材１８を押圧してバンプ基材１８を整形する。ま
たバンプ成形型２０は、窪み２１が導電体１２に近接し
すぎることを防ぐために、窪み２１の深さより浅い凹部
２２を窪み２１の周辺部分に有する。なおバンプ成形型
２０は、変形を防止するためにＳＫ材又はそれと同等以
上の硬度を持つ素材で製造することが望ましい。
【００１７】図５Ｂに示すように、型押成形時にはバン
プ基材１８の余剰部分が凹部２２内にはみ出す。バンプ
のはみ出し部分が凹部２２より更に外側にはみ出すと、
隣接するバンプや導電体１２に接触するおそれがある。
これを防ぐためには、導電体１２と窪み２１の周辺部分
との最近接距離はある程度大きいことが望ましい。そこ
で導電体１２と窪み２１の周辺部分との最近接距離が窪
み２１の深さの１／２より大きなるように、即ちバンプ
基材１８の高さの１／３より大きくなるように凹部２２
の深さを定める。更に好ましくは、導電体１２と窪み２
１の周辺部分との最近接距離がバンプ基材１８の高さの
４０パーセント以上となるように凹部２２の深さを定め
る。本実施形態では、バンプ基材１８の高さを４０ミク
ロンメートルとし、導電体１２と窪み２１の周辺部分と
の最近接距離を２０ミクロンメートル（μｍ）、即ちバ
ンプ基材の高さの１／２とした。バンプ成形型２０がバ
ンプ基材１８を成形するために、バンプ成形型２０を数
１０ミリ秒程度バンプ基材１８に押し付けて停止する。
【００１８】図５Ｃは、型押成形されたバンプ基材１８
を示す。整形されたバンプ基材１８は、導電体１２に融
着した下方部分２７と、バンプ２５の先端に近づくにつ
れて断面の面積が小さくなる先細の形状、例えば円錐形
状に成形された上方部分２９とを有する。硬度を高める
ために、成形されたバンプ基材１８の表面にバンプ基材
１８より大きい硬度を有する高硬度物質１５でメッキす
る。高硬度物質１５としては、例えばニッケル又はパラ
ジウムニッケルを用いることができる。電気的部品に対
する電気的接触性を高めるために、高硬度物質１５によ
るメッキの表面に更に金メッキ２３を施す。これによ
り、メッキを施した上方部分２９の長さを少なくとも２
０μｍ以上とする。
【００１９】図６は、図５に示したバンプ成形型２０の
凹部２２の他の形態を示す。バンプ成形型２０に支持体
２４を設けることにより、窪み２１の周辺部と導電体１
２との間に所定の距離を確保する。この支持体２４は、
窪み２１毎に設けても複数の窪み２１に対して１つ設け
ても良い。支持体２４により、窪み２１の周囲に凹部２
２が確保され、窪み２１をはみ出したバンプ基材１８が
隣接するバンプ基材１８又は導電体１２と接触すること
を防ぐことができる。
【００２０】図７は、バンプ２５をフレキシブル基板５
４上に格子状に成形する場合の型押し工程を示す。まず
フレキシブル基板５４上に導電体１２を格子状に設け、
それぞれの導電体１２の上にバンプ基材１８を融着させ
る。次に、窪み２１を格子状に設けたバンプ成形型２０
を、バンプ基材１８に押し付けることにより、バンプ基
材１８を所望の形状に整形する。
【００２１】図８は、図７に示す成形工程により成形さ
れた格子状のバンプ２５を示す。バンプ成形型２０に設
けられた窪み２１により、円錐形状のバンプ２５が成形
される。本実施形態によれば、格子状に配置されたバン
プ基材１８を単一のバンプ成形型２０により一度に型押
しするので、バンプの高さを均一にすることができる。
【００２２】２．実施形態２ 実施形態１では、ワイヤ１３の先端部を融着させてバン
プ基材１８を成形した。本実施形態では、導電物質を含
むボール状の物質を予め製造し、これを導電体１２の上
に融着させることによりバンプ基材１８を成形する。図
９Ａ及び９Ｂは、導電物質を含むボール状物質３０を格
納した容器３４、及び吸着器具３２の斜視図である。ボ
ール状物質３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の塑性加
工することのできる導電材料で製造する。このボール状
物質３０を吸着器具３２により吸引し、台５６の上に吸
引搬送する。台５６には、位置決め用の案内棒４８が設
けられており、案内棒４８に対応する案内穴を有するフ
レキシブル基板５４が、案内棒４８により位置決めされ
て台５６の上に設置される。吸着器具３２にも同様に案
内穴４６が設けられており、案内穴４６に案内棒４８が
挿入されることにより、台５６に対して吸着器具３２が
位置決めされる。
【００２３】図１０Ａは、図９Ａに示した容器３４及び
吸着器具３２を横方向から見た断面図である。吸着器具
３２の下面には吸着穴３１が設けられており、吸着器具
３２が矢印方向に向かって下降すると各吸着穴３１にボ
ール状物質３０が１つづつ吸引される。図１０Ｂは、ボ
ール状物質３０を吸着器具３２の吸着穴３１に吸着させ
た状態を示す。吸着穴３１は、導電体１２上のバンプの
形成位置に対応する位置に予め設けられている。
【００２４】図１０Ｃは、ボール状物質３０を吸着器具
３２の吸着穴３１に吸着させてフレキシブル基板５４に
対向する位置へ搬送する工程を示す。位置決め用の案内
穴４６の位置を案内棒４８に合わせる。フレキシブル基
板５４の上面には導電体１２が設けられている。ボール
状物質３０を導電体１２に融着したときに良好な電気伝
導度及び機械的強度が得られるように、導電体１２の上
面には半田ペースト又はフラックス等の導電接着剤３６
を予め散布しておく。
【００２５】図１０Ｄは、ボール状物質３０を導電体１
２の上に設置する工程を示す。ボール状物質３０を導電
体１２の上に設置した後、ボール状物質３０をリフロー
により融解し、凝固させて導電体１２の上面に融着させ
る。融着したバンプ基材を実施形態１と同様にバンプ成
形型２０で型押して先細のバンプを成形する。型押工程
は実施形態１と同様なので説明を省略する。
【００２６】本実施形態によれば、多数のボール状物質
３０を一度に導電体１２の上に配置することができるの
で、形成するバンプの数が多い場合に、実施形態１より
も早くバンプを形成することができる。
【００２７】３．実施形態３ 図１１は、金属プローブ型のプローブカードを示す。実
施形態１から２では、導電体１２はフレキシブル基板５
４の上に設けられていたが、本実施形態では導電体１２
がプリント基板５２の上に直接取り付けられている。本
導電体１２は実施形態１又は２の導電体１２より厚く、
曲げに対するバネ係数が大きい。このため導電体１２自
体の弾性により、バンプ２５を電気部品に押し付けるこ
とができる。実施形態１又は２における導電体１２を本
実施形態のように直接プリント基板５２に取り付けた場
合でも、実施形態１又は２と同様の方法により導電体１
２上にバンプ２５を形成することができる。
【００２８】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば電気的部品に対して電気的接触を行うためのバン
プ及びプローブカードを正確かつ高速に形成することが
できる。以上、本発明を実施の形態を用いて説明した
が、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲
には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改
良を加えることができることが当業者に明らかである。
その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範
囲に含まれることが、添付のクレームの記載から明らか
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１における、フレキシブル基板を用い
たプローブカードの縦断面図である。
【図２】図１に示すフレキシブル基板５４の底面図であ
る。
【図３】導電物質を有するワイヤ１３の先端部分を放電
加工により融解する融解工程を示す。
【図４】融解工程により融解したバンプ基材１８を導電
体１２に当接させる当接工程と、ワイヤ１３を導電体１
２から引き離すことによりバンプ基材１８を導電体１２
に残して切断する切断工程を示す。
【図５】導電体１２の上面に融着したバンプ基材１８
を、バンプ成形型２０により型押成形する状態を示す。
型押成形及びメッキにより形成されたバンプ２５を示
す。
【図６】他の形態のバンプ成形型２０で型押整形したバ
ンプ基材１８を示す。
【図７】格子状に配置されたバンプ基材１８を成形する
工程を示す。
【図８】図７に示した成形工程により格子状に成形され
たバンプ２５を示す。
【図９】導電物質を含むボール状物質３０を、吸着器具
３２により吸引搬送する工程を示す。
【図１０】ボール状物質３０を吸引する工程を横から見
た断面図である。
【図１１】金属プローブ型のプローブカードを示す。
【符号の説明】
１０ ボール １２ 導電体 １３ ワイヤ １４ 電気トーチ １５ 高硬度物質 １６ キャピラリ（ボンディングマシン） １８ バンプ基材 ２０ バンプ成形型 ２１ 窪み ２２ 凹部 ２３ 金メッキ ２４ 支持体 ２５ バンプ ２７ 下方部分 ２９ 上方部分 ３０ ボール状物資 ３１ 吸着穴 ３２ 吸着器具 ３４ 容器 ３６ 導電接着剤 ４６ 案内穴 ４８ 案内棒 ５０ 弾性体 ５２ プリント基板 ５４ フレキシブル基板 ５６ 台

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電気部品に対して電気的接触を行うため
    のバンプを導電体の上に形成するバンプ形成方法におい
    て、 前記バンプと実質的に同じ材料を有する導電物質を前記
    導電体の上に融着させる融着工程と、 前記導電体の上に融着した前記導電物質を、所定の形状
    の窪みを有するバンプ成形型により所望の形状に型押成
    形する成形工程とを備えたことを特徴とするバンプ形成
    方法。
  2. 【請求項２】 前記所望の形状は、前記バンプの先端に
    近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状であ
    ることを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
  3. 【請求項３】 前記先細の形状は、円錐形状であること
    を特徴とする請求項２に記載のバンプ形成方法。
  4. 【請求項４】 前記成形工程において、前記導電体と前
    記バンプ成形型に設けられた前記窪みの周辺部分との最
    近接距離が前記窪みの深さの１／２より大きいことを特
    徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
  5. 【請求項５】 前記成形工程に於いて使用する前記バン
    プ成形型は、前記導電物質の残余の拡幅を抑制する、前
    記窪みの深さより浅い凹部を前記窪みの周辺部分に有す
    ることを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
  6. 【請求項６】 前記成形工程において成形された前記バ
    ンプの表面に前記導電物質より大きい硬度を有する高硬
    度物質でメッキするメッキ工程を更に備えたことを特徴
    とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
  7. 【請求項７】 前記高硬度物質が、ニッケル及びパラジ
    ウムニッケルのいずれかであることを特徴とする請求項
    ６に記載のバンプ形成方法。
  8. 【請求項８】 前記メッキ工程によりメッキされた前記
    バンプの表面に、更に金メッキしたことを特徴とする請
    求項６に記載のバンプ形成方法。
  9. 【請求項９】 前記融着工程は、 前記導電物質を有するワイヤの先端部分を放電加工によ
    り融解する融解工程と、 前記融解工程により融解した前記先端部分を前記導電体
    に当接させる当接工程と、 前記先端部分が前記導電体に当接した状態で前記ワイヤ
    を所定の時間停止させ前記先端部分を前記導電体に融着
    させる停止工程と、 前記ワイヤを前記導電体から引き離すことにより前記先
    端部分を前記導電体部に残して切断する切断工程とを有
    することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方
    法。
  10. 【請求項１０】 前記融着工程は、 前記導電物質を含むボール状物質を、前記導電体の上に
    吸引搬送する搬送工程と、 前記搬送工程により搬送された前記ボール状物質をリフ
    ローにより融解する融解工程と、 前記融解工程により融解した前記ボール状物質を冷やし
    て凝固させる工程とを有することを特徴とする請求項１
    に記載のバンプ形成方法。
  11. 【請求項１１】 電気部品に対して電気的接触を行うた
    めに導電体上に形成されたバンプであって、 前記導電体に融着した下方部分と、 前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さく
    なる先細の形状に形押成形された上方部分とを備えたこ
    とを特徴とするバンプ。
  12. 【請求項１２】 前記先細の形状が円錐形状であること
    を特徴とする請求項１１に記載のバンプ。
  13. 【請求項１３】 前記形押成形されている前記上方部分
    の長さが、少なくとも２０μｍ以上であることを特徴と
    する請求項１１に記載のバンプ。
  14. 【請求項１４】 表面が、前記上方部分の硬度より大き
    い硬度を有する高硬度物質でメッキされていることを特
    徴とする請求項１１に記載のバンプ。
  15. 【請求項１５】 前記高硬度物質が、ニッケル及びパラ
    ジウムニッケルのいずれかであることを特徴とする請求
    項１４に記載のバンプ。
  16. 【請求項１６】 前記高硬度物質によるメッキの表面
    に、更に金メッキされたことを特徴とする請求項１４に
    記載のバンプ。
  17. 【請求項１７】 電気部品に対して電気的に接触し、前
    記電気部品の電気的特性を検査するために用いるプロー
    ブカードであって、 前記検査に用いる電気信号を伝達する複数の導電体と、 前記複数の導電体の各々の上に形成されたバンプであっ
    て、前記電気部品と機械的に接触されるバンプとを備
    え、当該バンプは、 前記導電体に融着した下方部分と、 前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さく
    なる先細の形状に形押成形された上方部分とを有するこ
    とを特徴とするプローブカード。
  18. 【請求項１８】 前記バンプを前記電気部品に押圧する
    弾性体を更に備えることを特徴とする請求項１７に記載
    のプローブカード。
  19. 【請求項１９】 前記弾性体により前記電気部品の方向
    へ押圧されるフレキシブルな基板を更に備え、前記複数
    の導電体のそれぞれが、前記基板に接着された裏面と、
    前記バンプが設けられた表面とを有することを特徴とす
    る請求項１８に記載のプローブカード。
  20. 【請求項２０】 前記弾性体は、導電性の金属でありか
    つ前記複数の導電体毎に独立に設けられていることを特
    徴とする請求項１８に記載のプローブカード。
  21. 【請求項２１】 前記複数の導電体のそれぞれは、当該
    導電体に対応して設けられた前記弾性体と一体に形成さ
    れた金属であることを特徴とする請求項２０に記載のプ
    ローブカード。
  22. 【請求項２２】 前記先細の形状が、円錐形状であるこ
    とを特徴とする請求項１７に記載のプローブカード。
  23. 【請求項２３】 前記複数の導電体の各々の上に形成さ
    れたバンプの高さが、実質的に同一に型押成形されてい
    ることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカー
    ド。
  24. 【請求項２４】 前記バンプの前記上方部分の長さが、
    少なくとも２０μｍ以上であることを特徴とする請求項
    １７に記載のプローブカード。
  25. 【請求項２５】 前記バンプの表面が前記上方部分の硬
    度より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキされてい
    ることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカー
    ド。
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