JPH0745769A - 樹脂封止型半導体装置のリード切断方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のリード切断方法Info
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- JPH0745769A JPH0745769A JP5132668A JP13266893A JPH0745769A JP H0745769 A JPH0745769 A JP H0745769A JP 5132668 A JP5132668 A JP 5132668A JP 13266893 A JP13266893 A JP 13266893A JP H0745769 A JPH0745769 A JP H0745769A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
リードフレームからリードを切断する際に、切断面にお
けるリード素材の露出部を小さくして半田濡れ性を向上
することができる樹脂封止型半導体装置のリード切断方
法を提供すること。 【構成】 樹脂封止型半導体装置の半田メッキ層3を有
するリードフレーム29をリード13の実装面とは反対
側からリードクランプ9で押さえ且つリードの実装面を
ノッチ成形用ダイ8で支持しノッチ成形用パンチ7によ
りリードの実装面とは反対側の面にノッチ4を形成し該
ノッチ4内に半田メッキ層3を延伸させる工程と、前記
リードフレーム29をリード13の実装面とは反対側か
ら切断ダイ11で押さえ且つリード13の実装面をリー
ドクランプ12で支持し該リード13の実装面側から切
断パンチ10を作用させて半田メッキ層3を延伸させな
がらリードフレーム枠30を切り落す工程とを包含す
る。
Description
リード切断方法に関する。
表面に実装する際に、樹脂封止処理と半田による表面処
理の完了したリードフレームから切り離したリードの先
端部の側面を、プリント基板の表面上の電極パッドに押
し当てて実装し、半田により固着している。このとき、
リードの先端部はリードフレームからの切断時に表面の
半田メッキ層の脱落をできるだけ少なくして半田付け性
能を良くすることが必要である。
で、(a)はリードフレームからリードを切断する前の
状態を示し、(b)はリードフレームからリードを切断
した後の状態を示す。
は、リード素材部2の表面に半田メッキ層3を有するリ
ードフレーム29が樹脂封止部1の近くで、その上面か
らリードクランパ12で締め付けられ、その下面を切断
ダイ11で支持されて、切断パンチ10により切断線3
1においてリード13が切断される。図は、切断パンチ
10がリード13の実装面とは反対側の上方から下降す
るときリードフレーム29を切断する順抜き作業を示し
ているが、リード13の実装面側の下方から切断する逆
抜き作業も行われている。
るような従来のリード切断方法を説明する図で、(a)
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、(b)はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
ドフレーム29の製作時に、予めリード13の切断面に
なりうる部位にリード板厚の1/2に相当する段差27
を実装面とは反対側の上方に設け、半田処理を行い、リ
ード切断する方法であり、その他の作業手順は図4に示
したものと類似である。段差27は切断面になりうる部
分を予め一部切除することになり、切除部の側面には半
田メッキが施されているので、切離しの際には切断部の
一部に半田メッキが残存していることになる。よって、
切断のストロークが短くなり、リード切断面の素材露出
が小さくなる。図9は特開平2ー270360に記載さ
れるような従来のリード切断方法を説明する図で、
(a)はリードフレームからリードを切断する前の状態
を示し、(b)はリードフレームからリードを切断した
後の状態を示す。
ドフレーム29の製作時に、予めリード13の切断面に
なりうる部位にリード板厚の1/3程度の切欠き28を
実装面側の下方から設け、半田処理を行い、リード切断
する方法であり、このようにして図8に示した方法と同
じ効果を出している。
示す従来の方法では、切断面において、リード板厚の9
0%〜95%がリード素材露出部6となるため、実装す
る際に、半田濡れ性が悪く、半田がつきにくくなり、半
田付け強度が弱くなるという問題点があった。
2や特開平2ー270360に記載されるような従来の
リード切断方法では、リードフレームの製作時に、予め
リードの切断面になりうる部位に段差27または切欠き
28を形成させる必要がある。段差27または切欠き2
8はリードフレームの強度を著しく低下させ、搬送中に
リードフレームのソリや曲がりが生じ易く、搬送トラブ
ルが発生し易い。搬送トラブルに起因するリードフレー
ムの変形により、リード切断に際し、位置合わせが困難
となり、切断寸法の精度が規格に合格しないという問題
点があった。
8の内側コーナ部では半田メッキ層の厚さが厚く、半田
量が多くなっているため、半田クズが多く発生し、リー
ドへの半田付着や切断パンチ10及び切断ダイ11の摩
耗が多く発生するという問題点があった。
不良半田付け状態を説明する断面図で、(a)は図7に
示す従来の切断方法によるリードを示し、(b)は図8
に示す従来の切断方法によるリードを示し、(c)は図
9に示す従来の切断方法によるリードを示す。
ドを曲げ加工し、プリント基板22の電極パッド23に
半田付けして実装した状態を示す断面図10において、
(a)(b)(c)いずれの従来の切断方法により切断
されたリード13もその端面におけるリード素材露出部
6、すなわち表面の半田メッキ層が脱落している部分6
が広く、半田付け性が不良な状態にあることを示してい
る。これにたいし、いずれの場合もフィレット24は十
分に形成されている。
にリード素材露出部6が存在するため、フィレット24
の形成が不十分であっても、リード13とプリント基板
22との接着強度が十分である場合がある。実装後の外
観検査時に使用する検査装置は照明を当て、被測定物か
らの反射光を有効な情報に変換して、判定データとして
いる。リード素材が露出している場合は、反射光量が極
度に変化するため、不良と誤判定してしまう。また、目
視により、半田付けを確認する作業ではリード素材露出
部6を検出し、半田なしの不良品と判定してしまう。不
良品が発生すると再確認の作業が必要となり、作業効率
が上がらないという問題点があった。
ので、樹脂封止及び半田による表面処理の終了したリー
ドフレームからリードを切断する際に、切断面における
リード素材の露出部を小さくして半田濡れ性を向上する
ことができる樹脂封止型半導体装置のリード切断方法を
提供することを目的とする。
め、本発明は樹脂封止型半導体装置の半田メッキ層を有
するリードフレームをリードの実装面とは反対側からリ
ードクランプで押さえ且つリードの実装面をノッチ成形
用ダイで支持しノッチ成形用パンチによりリードの実装
面とは反対側の面にノッチを形成し該ノッチ内に半田メ
ッキ層を延伸させる工程と、前記リードフレームをリー
ドの実装面とは反対側から切断ダイで押さえ且つリード
の実装面をリードクランプで支持し該リードの実装面側
から切断パンチを作用させて半田メッキ層を延伸させな
がらリードフレーム枠を切り落す工程とを包含すること
を特徴とする。
面とは反対側の上方からノッチ形成パンチを作用させ、
引き続き後工程で実装面側の下方から切断用パンチを作
用させることにより、リードの切断端面に実装面側と反
実装面側から半田メッキ層が延伸してリード素材の露出
部が少なくなり、半田濡れ性が良くなり、半導体装置を
プリント基板へ実装する際の半田付け性能が向上する。
ード切断方法により切断する半導体の概略構成を示す図
で、(a)は斜視図、(b)は(a)のA−A線上断面
矢視図である。
キ層3を有するリードフレーム29からなる半導体装置
を、該リードフレーム29の長手方向の任意の位置で切
断してリードフレーム枠を切り落す場合について説明す
る。
半導体装置のリード切断方法を工程順に説明する図であ
る。
のリードフレーム29が切断装置のノッチ形成用ダイ8
により下面、すなわちリードの実装面から、且つリード
クランパ9により上面、すなわちリードの実装面と反対
側の面、から挟持固定されて後、ノッチ形成用パンチ7
が下降することにより、図2(c)に示すように、リー
ドフレーム29の上面にVノッチ4が加工される。ノッ
チ形成用パンチ7には、その先端に微小のR加工が施し
てあり、ノッチの深さはリード厚の1/2から1/3程
度である。下降するノッチ形成用パンチ7がリードに接
触してから下死点に至るまでの時間にリードフレーム2
9の半田メッキ層3を上面側からVノッチ4の中に延伸
させている。
を備えた上記リードフレーム29は、切断装置のリード
クランパ12により下面から、且つ切断ダイ11により
上面から挟持固定されて後、切断パンチ10がリード1
3の下面から上昇することにより切断され、この時半田
メッキ層が下面側から切断面、すなわち、リード13の
端面に延伸される。このようにして、樹脂封止部1に接
続したリード13からリードフレーム枠30が切り落さ
れる。
ード切断方法により切断されたリードの先端部の状態を
示す図で、(a)はリードの長手方向断面図、(b)は
リードの先端部の正面図である。
端面において半田メッキ層3が延伸してダレ5を形成す
るには、切断パンチ10と切断ダイ11のクリアランス
をリード板厚の10%〜15%にするのが適当である。
このとき、上下のダレ5の間の素材露出部6が最小とな
る。このように、切断パンチと切断ダイのクリアランス
を大きく設定できるので、切断パンチと切断ダイの耐久
性が向上し、メンテナンス性が良くなる。
ード切断方法により切断されたリードをプリント基板に
実装した状態を示す断面図である。
工し、それらの側面をプリント基板22の電極パッド2
3に半田付けして実装した状態を図4に示す。この状態
において、リード素材は外部に露出せず、リード13と
プリント基板22の間にフィレット24が十分に形成さ
れ、良好な半田付けが行われていることがわかる。
ード切断方法の別の実施例を示す断面図である。
パンチ14はその先端形状が片刃であり、片刃の先端に
微小なR加工を施してあり、該ノッチ形成用パンチ14
の押し込み量をリード板厚の2/3から1/2と深くす
ることができ、半田メッキ層3をノッチの中に、より長
く延伸することができる。その他の作業工程は図2
(a)〜(e)において説明したものと同一である。図
5に示す実施例においても、図3と同様にリード素材の
露出面積をより小さくすることができる。
体装置のリード切断方法により切断されたリードをプリ
ント基板に実装した状態を示す断面図である。
22の間にフィレット24が十分に形成され、良好な半
田付けが行われ、リード素材が外部に露出していないこ
とが明らかである。
及び半田による表面処理済みのリードフレームからリー
ドを個別に切り離す前のノッチ加工工程とリード切断工
程によって、リードの切断面に実装面側と反実装面側の
両方から半田メッキ層が延伸して、切断面におけるリー
ド素材の露出部分が小さくなることで、半田濡れ性が向
上し、基板実装時の半田付け品質が良好となり、さらに
半田付け後の外観検査が容易となる。
法により切断する半導体の概略構成を示す図で、(a)
は斜視図、(b)は(a)のA−A線上断面矢視図であ
る。
置のリード切断方法を工程順に説明する図である。
法により切断されたリードの先端部の状態を示す図で、
(a)はリードの長手方向断面図、(b)はリードの先
端部の正面図である。
法により切断されたリードをプリント基板に実装した状
態を示す断面図である。
法の別の実施例を示す断面図である
法により切断されたリードをプリント基板に実装した状
態を示す断面図である。
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、(b)はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、(b)はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
はリードフレームからリードを切断する前の状態を示
し、(b)はリードフレームからリードを切断した後の
状態を示す。
け状態を説明する断面図で、(a)は図7に示す従来の
切断方法によるリードを示し、(b)は図8に示す従来
の切断方法によるリードを示し、(c)は図9に示す従
来の切断方法によるリードを示す。
め、本発明は樹脂封止型半導体装置の半田メッキ層を有
するリードフレームをリードの実装面とは反対側からリ
ードクランプで押さえ且つリードの実装面をノッチ成形
用ダイで支持しノッチ成形用パンチによりリードの実装
面とは反対側の面にノッチを形成し該ノッチ内に半田メ
ッキ層を延伸させる工程と、前記リードフレームをリー
ドの実装面とは反対側から切断ダイで押さえ且つリード
の実装面をリードクランプで支持し該リードの実装面側
から切断パンチを作用させて半田メッキ層を延伸させな
がらリードフレーム枠を切り落す工程とを包含すること
を特徴とする。また、前記ノッチ成形用パンチの先端形
状は両刃または片刃である。また前記刃型の先端に微小
なR加工を施してある。
Claims (1)
- 【請求項1】 樹脂封止型半導体装置の半田メッキ層を
有するリードフレームをリードの実装面とは反対側から
リードクランプで押さえ且つリードの実装面をノッチ成
形用ダイで支持しノッチ成形用パンチによりリードの実
装面とは反対側の面にノッチを形成し該ノッチ内に半田
メッキ層を延伸させる工程と、前記リードフレームをリ
ードの実装面とは反対側から切断ダイで押さえ且つリー
ドの実装面をリードクランプで支持し該リードの実装面
側から切断パンチを作用させて半田メッキ層を延伸させ
ながらリードフレーム枠を切り落す工程とを包含するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置のリード切断方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132668A JP2526846B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5132668A JP2526846B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0745769A true JPH0745769A (ja) | 1995-02-14 |
| JP2526846B2 JP2526846B2 (ja) | 1996-08-21 |
Family
ID=15086709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5132668A Expired - Fee Related JP2526846B2 (ja) | 1993-05-10 | 1993-05-10 | 樹脂封止型半導体装置のリ―ド切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2526846B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10063041A1 (de) * | 2000-12-18 | 2002-07-04 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung |
| JP2002237560A (ja) * | 2000-12-05 | 2002-08-23 | Ueno Seiki Kk | 電子部品のリード電極切断装置 |
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| KR20030042745A (ko) * | 2001-11-23 | 2003-06-02 | 주식회사 씨피씨 | 반도체 패키지의 리드 노칭장치 |
| KR100697623B1 (ko) * | 1999-08-18 | 2007-03-22 | 삼성전자주식회사 | 접착테이프 스트립 및 이를 채용한 칩 스케일형 반도체 패키지 |
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-
1993
- 1993-05-10 JP JP5132668A patent/JP2526846B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015153913A (ja) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | セイコーインスツル株式会社 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2526846B2 (ja) | 1996-08-21 |
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