JPH11354762A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
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- JPH11354762A JPH11354762A JP10155029A JP15502998A JPH11354762A JP H11354762 A JPH11354762 A JP H11354762A JP 10155029 A JP10155029 A JP 10155029A JP 15502998 A JP15502998 A JP 15502998A JP H11354762 A JPH11354762 A JP H11354762A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０００ｎｍ以上の近赤外波長で動作可能な
イメージセンサおよび高感度なイメージセンサを提供す
ること。 【解決手段】 Ｓｉ基板１０１上に集積回路として電子
回路１０２を設けた基板の電子回路上に絶縁層としての
ポリイミド絶縁層１０３を介して光検出部として光検出
器１０４がアレイ状に集積して光検出器アレイを有する
イメージセンサを構成する。
イメージセンサおよび高感度なイメージセンサを提供す
ること。 【解決手段】 Ｓｉ基板１０１上に集積回路として電子
回路１０２を設けた基板の電子回路上に絶縁層としての
ポリイミド絶縁層１０３を介して光検出部として光検出
器１０４がアレイ状に集積して光検出器アレイを有する
イメージセンサを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、イメージセンサに
関し、特に二次元光情報を電子情報に変換するイメージ
センサに関する。
関し、特に二次元光情報を電子情報に変換するイメージ
センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】二次元光情報を電子情報に変換するイメ
ージセンサには、従来、ＣＣＤイメージセンサとＣＭＯ
Ｓイメージセンサが知られている。どちらもＳｉ基板上
のプロセス技術であり、光検出部にはＳｉの光検出器が
用いられている。すなわち、Ｓｉの材料特性で決まる波
長、２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の画像のみを検出
できる。第１の従来の技術の問題点は、１０００ｎｍ以
上の近赤外領域の画像検出が不可能なことである。
ージセンサには、従来、ＣＣＤイメージセンサとＣＭＯ
Ｓイメージセンサが知られている。どちらもＳｉ基板上
のプロセス技術であり、光検出部にはＳｉの光検出器が
用いられている。すなわち、Ｓｉの材料特性で決まる波
長、２００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の画像のみを検出
できる。第１の従来の技術の問題点は、１０００ｎｍ以
上の近赤外領域の画像検出が不可能なことである。
【０００３】また、従来のイメージセンサでは、各画素
の寸法は１０μｍ角程度であるが、光検出器以外の電子
回路がその一部を占めるので、光検出器の面積占有率が
小さい。これは特にＣＭＯイメージセンサで著しく占有
率は高々２０％である。このため、マイクロレンズ等で
集光しないと受光時に大きな損失が生じ、画質とＳ／Ｎ
の劣化が大きくなる。また、光検出器の面積占有率を高
めると、ＣＣＤ部およびＣＭＯＳ部の加工を微細に行う
必要があり、画素の集積度を高めることが困難になる。
第２の従来の技術の問題点は、光検出器の面積占有率が
低いことである。
の寸法は１０μｍ角程度であるが、光検出器以外の電子
回路がその一部を占めるので、光検出器の面積占有率が
小さい。これは特にＣＭＯイメージセンサで著しく占有
率は高々２０％である。このため、マイクロレンズ等で
集光しないと受光時に大きな損失が生じ、画質とＳ／Ｎ
の劣化が大きくなる。また、光検出器の面積占有率を高
めると、ＣＣＤ部およびＣＭＯＳ部の加工を微細に行う
必要があり、画素の集積度を高めることが困難になる。
第２の従来の技術の問題点は、光検出器の面積占有率が
低いことである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
背景の下になされたもので、１０００ｎｍ以上の近赤外
波長で動作可能なイメージセンサおよび高感度なイメー
ジセンサを提供することにある。
背景の下になされたもので、１０００ｎｍ以上の近赤外
波長で動作可能なイメージセンサおよび高感度なイメー
ジセンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のイメージ
センサは、光検出器アレイを有するイメージセンサであ
って、光検出部と、集積回路部とから構成され、集積回
路部上に絶縁層を介して光検出部がアレイ状に集積され
ていることを特徴とする。
センサは、光検出器アレイを有するイメージセンサであ
って、光検出部と、集積回路部とから構成され、集積回
路部上に絶縁層を介して光検出部がアレイ状に集積され
ていることを特徴とする。
【０００６】請求項２記載のイメージセンサは、請求項
１記載のイメージセンサにおいて、前記集積回路部が電
荷結合素子（ＣＣＤ）を具備し、前記光検出部の各光検
出器の出力を読み出す構成を有することを特徴とする。
１記載のイメージセンサにおいて、前記集積回路部が電
荷結合素子（ＣＣＤ）を具備し、前記光検出部の各光検
出器の出力を読み出す構成を有することを特徴とする。
【０００７】請求項３記載のイメージセンサは、請求項
１または２記載のイメージセンサにおいて、前記集積回
路部がＣＭＯＳ(Complementary Metal-Oxide-Semicondu
ctor) 回路により構成されていることを特徴とする。
１または２記載のイメージセンサにおいて、前記集積回
路部がＣＭＯＳ(Complementary Metal-Oxide-Semicondu
ctor) 回路により構成されていることを特徴とする。
【０００８】請求項４記載のイメージセンサは、請求項
１〜３のいずれかに記載のイメージセンサにおいて、前
記絶縁層がポリイミド材料からなることを特徴とする。
１〜３のいずれかに記載のイメージセンサにおいて、前
記絶縁層がポリイミド材料からなることを特徴とする。
【０００９】請求項５記載のイメージセンサは、請求項
１〜４のいずれかに記載のイメージセンサにおいて、前
記光検出部が波長１０００ｎｍ以上で感度を有する材料
からなる受光層を備えることを特徴とする。
１〜４のいずれかに記載のイメージセンサにおいて、前
記光検出部が波長１０００ｎｍ以上で感度を有する材料
からなる受光層を備えることを特徴とする。
【００１０】請求項６記載のイメージセンサは、請求項
１〜５のいずれかに記載のイメージセンサにおいて、前
記光検出部がＳｉ以外の半導体材料からなる受光層を有
することを特徴とする。
１〜５のいずれかに記載のイメージセンサにおいて、前
記光検出部がＳｉ以外の半導体材料からなる受光層を有
することを特徴とする。
【００１１】請求項７記載のイメージセンサは、請求項
６記載のイメージセンサにおいて、前記光検出部がＩｎ
ＧａＡｓからなる受光層と、ｎ−ＩｎＰ層と、ｐ−Ｉｎ
Ｐ層とを含むことを特徴とする。
６記載のイメージセンサにおいて、前記光検出部がＩｎ
ＧａＡｓからなる受光層と、ｎ−ＩｎＰ層と、ｐ−Ｉｎ
Ｐ層とを含むことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れないことはもちろんである。
実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定さ
れないことはもちろんである。
【００１３】（実施例１）図１に本発明の第１の実施例
を示す。ここで、１０１はＳｉ基板、１０２はＣＣＤを
具備する電子回路、１０３はポリイミド絶縁層、１０４
は光検出器、１０５は電子回路と光検出器を接続する配
線である。図２に本実施例の一つの画素の断面図を示
す。ここで、１０６はＣＣＤ回路、１０７はＬＳＩの層
間絶縁膜、１０８は層間を接続するコンタクトホールを
介したＡｌ配線、１０９はＡｌ配線、１１０はｐ−Ｉｎ
Ｐ層、１１１はｉ−ＩｎＧａＡｓ層、１１２はｎ−Ｉｎ
Ｐ層、１１３はＳｉＮ絶縁膜である。コンタクト抵抗を
低減するために、配線１０とｎ−ＩｎＰ層１１２との間
に高ドープｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、配線１０５とｐ−Ｉ
ｎＰ層１１０との間に高ドープｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層が
設けられることもある。この構成では、光検出部として
の光検出器１０４と隣接する光検出器１０４との間の分
離部分と電極により光が遮られる部分を除いて受光する
ことが可能であり、光検出器の面積占有率を９０％程度
にすることが可能である。勿論、適当なマイクロレンズ
アレイを素子上面に配置すればほぼ１００％の光を受光
面で受けることができることはいうまでもない。
を示す。ここで、１０１はＳｉ基板、１０２はＣＣＤを
具備する電子回路、１０３はポリイミド絶縁層、１０４
は光検出器、１０５は電子回路と光検出器を接続する配
線である。図２に本実施例の一つの画素の断面図を示
す。ここで、１０６はＣＣＤ回路、１０７はＬＳＩの層
間絶縁膜、１０８は層間を接続するコンタクトホールを
介したＡｌ配線、１０９はＡｌ配線、１１０はｐ−Ｉｎ
Ｐ層、１１１はｉ−ＩｎＧａＡｓ層、１１２はｎ−Ｉｎ
Ｐ層、１１３はＳｉＮ絶縁膜である。コンタクト抵抗を
低減するために、配線１０とｎ−ＩｎＰ層１１２との間
に高ドープｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、配線１０５とｐ−Ｉ
ｎＰ層１１０との間に高ドープｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層が
設けられることもある。この構成では、光検出部として
の光検出器１０４と隣接する光検出器１０４との間の分
離部分と電極により光が遮られる部分を除いて受光する
ことが可能であり、光検出器の面積占有率を９０％程度
にすることが可能である。勿論、適当なマイクロレンズ
アレイを素子上面に配置すればほぼ１００％の光を受光
面で受けることができることはいうまでもない。
【００１４】図３に本実施例のブロック配線図を示す。
ここで、１１４は行方向ＣＣＤアレイ、１１５は光検出
部、１１６は列方向ＣＣＤアレイ、１１７は増幅回路で
ある。電気的および論理的な接続は従来のＣＣＤイメー
ジセンサと同様である。光検出部１１５で検出された光
は電子に変換され、一定の時間蓄積された後、隣接する
行方向ＣＣＤアレイ１１４のＣＣＤに出力され、クロッ
クで順にＣＣＤ間を伝送され、列方向ＣＣＤアレイ１１
６を経て増幅回路１１７に至り、各画素の光量に応じた
電荷が順に増幅回路１１７から出力される。この構成で
は、光検出部１１５で、ＩｎＧａＡｓを受光層に、Ｉｎ
Ｐをｐ／ｎ層に用いている（図２において、ｐ−ＩｎＰ
層１１０，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層１１１およびｎ−ＩｎＰ
層１１２）ので、波長９００ｎｍから１６００ｎｍの程
度の範囲で感度がある。他の半導体材料でも、本発明に
用いることができることはいうまでもない。例えば、波
長１５００ｎｍ以上の中赤外領域では、ＧａＩｎＡｓＳ
ｂ系材料、ＩｎＡｓＳｂＰ系材料を用いることが可能で
あるし、さらに遠赤外領域ではＰｂＳＳｅ系、ＰｂＳｎ
Ｓｅ系、ＰｂＳｎＳｅＴｅ系、ＰｂＳｅＴｅ系の材料を
用いることが可能である。ただし、遠赤外の光検出の場
合は素子を冷却する必要がある。また、光検出器にＳｉ
を用いることも当然可能である。この場合は受光波長は
従来のイメージセンサと同様であるが、面積占有率を高
めることが可能である。また、光検出器の容量がＣＭＯ
Ｓプロセスによる光検出器に比較して低減されるので次
に述べる第２の実施例に対して有効である。その他に
も、ＧａＡｓ，Ｇｅ，ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ
系、ＧａＮＡｓ系、ＧａＳｂ，ＧａＰ，ＧａＡｓＰ系、
ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＧａＳｂ系等の半導体材料を
光検出器に用いることができる。
ここで、１１４は行方向ＣＣＤアレイ、１１５は光検出
部、１１６は列方向ＣＣＤアレイ、１１７は増幅回路で
ある。電気的および論理的な接続は従来のＣＣＤイメー
ジセンサと同様である。光検出部１１５で検出された光
は電子に変換され、一定の時間蓄積された後、隣接する
行方向ＣＣＤアレイ１１４のＣＣＤに出力され、クロッ
クで順にＣＣＤ間を伝送され、列方向ＣＣＤアレイ１１
６を経て増幅回路１１７に至り、各画素の光量に応じた
電荷が順に増幅回路１１７から出力される。この構成で
は、光検出部１１５で、ＩｎＧａＡｓを受光層に、Ｉｎ
Ｐをｐ／ｎ層に用いている（図２において、ｐ−ＩｎＰ
層１１０，ｉ−ＩｎＧａＡｓ層１１１およびｎ−ＩｎＰ
層１１２）ので、波長９００ｎｍから１６００ｎｍの程
度の範囲で感度がある。他の半導体材料でも、本発明に
用いることができることはいうまでもない。例えば、波
長１５００ｎｍ以上の中赤外領域では、ＧａＩｎＡｓＳ
ｂ系材料、ＩｎＡｓＳｂＰ系材料を用いることが可能で
あるし、さらに遠赤外領域ではＰｂＳＳｅ系、ＰｂＳｎ
Ｓｅ系、ＰｂＳｎＳｅＴｅ系、ＰｂＳｅＴｅ系の材料を
用いることが可能である。ただし、遠赤外の光検出の場
合は素子を冷却する必要がある。また、光検出器にＳｉ
を用いることも当然可能である。この場合は受光波長は
従来のイメージセンサと同様であるが、面積占有率を高
めることが可能である。また、光検出器の容量がＣＭＯ
Ｓプロセスによる光検出器に比較して低減されるので次
に述べる第２の実施例に対して有効である。その他に
も、ＧａＡｓ，Ｇｅ，ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ
系、ＧａＮＡｓ系、ＧａＳｂ，ＧａＰ，ＧａＡｓＰ系、
ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓ，ＩｎＧａＳｂ系等の半導体材料を
光検出器に用いることができる。
【００１５】図４（ａ）〜（ｇ）を参照して製作方法に
ついて説明する。図４（ａ）に示すのはＳｉ基板１０１
上に既に集積回路としてＣＣＤを含む電子回路１０２が
形成された基板であり、表面に光検出器１０４（図１）
と接続するためのＡｌ配線１０９が露出している。Ａｌ
配線１０９はコンタクトホールの底に露出している場合
もあり得る。この状態では基板表面に凹凸があるので、
基板の平坦化が必要である。図４（ｂ）に示すのはポリ
イミド溶液を基板表面に塗布した状態である。この状態
で、温度を上げるとポリイミド１１８が固化する。固化
した後に研磨機によって電極面が露出するまでポリイミ
ド１１８を研磨する。あるいは、数千オングストローム
程度ポリイミド１１８を残し、ドライエッチング装置で
エッチングして電極面を露出させてもよい。これによ
り、Ｓｉ基板上にＣＣＤを含む電子回路１０２が形成さ
れる。研磨して平坦化された状態を図４（ｃ）に示す。
再び別のポリイミド絶縁層１０３を設け、これを介し
て、光検出器の層構造１１９が成長されたＩｎＰ基板１
２０を、光検出器の層構造１１９がポリイミド絶縁層１
０３に接するように張り付ける。ここで、仮固定のため
低温でポリイミド絶縁層１０３を僅かに固化させる（図
４（ｄ））。この状態で余分なＩｎＰ基板１２０を臭素
／メタノール系の高速エッチングおよび塩酸系選択エッ
チングを用いて剥離する。この場合、高速エッチングで
１００ミクロン弱にした後に選択エッチングを行う。こ
のため、光検出器の層構造１１９とＩｎＰ基板１２０の
間にＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰの選択エッチ
ング層（図示しない）を設けてある。この選択エッチン
グ層は硫酸／過酸化水素系エッチャントを用いてエッチ
ングする。この状態を図４（ｅ）に示す。次に各画素に
分割する。これは、Ｓｉ基板１０１上のマーカー（図示
しない）を用いて裏面から近赤外光の照明を用いてマス
ク（図示しない）と位置合わせをすれば、通常のフォト
リソグラフィ技術で可能である。あるいは、部分的に光
検出器の層構造１１９およびポリイミド絶縁層１０３を
エッチングし、ＣＣＤを含む電子回路１０２を露出さ
せ、このＣＣＤを含む電子回路１０２上に設けられたマ
ーカーを用いて位置合わせを行ってもよい。画素への分
割には塩素／アルゴン系ないし、臭素／アルゴン系のリ
アクティブイオンビームエッチング（ＲＩＥ）装置を用
いるのがよい。この分割により、光検出器の層構造１１
９は個々の光検出器１０４（図１）に分離される。この
状態を図４（ｆ）に示す。必要に応じてポリイミド絶縁
層１０３の部分も分割される。また、Ａｌ配線１０９と
の配線のため、ポリイミド絶縁層１０３の一部が酸素系
リアクティブイオンビームエッチング（ＲＩＥ）装置等
でエッチングされる。次に、ポリイミドが完全に固化す
る温度まで温度を上げる処理を行う。この後、配線１０
５によって電極間の配線が行われる。配線後、抵抗を低
減するために４００℃程度のシンタリングが行われる。
必要に応じて、配線１０９と配線１０５との間にＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ等のバリア金属多層膜が
設けられる。この状態を（ｇ）に示す。
ついて説明する。図４（ａ）に示すのはＳｉ基板１０１
上に既に集積回路としてＣＣＤを含む電子回路１０２が
形成された基板であり、表面に光検出器１０４（図１）
と接続するためのＡｌ配線１０９が露出している。Ａｌ
配線１０９はコンタクトホールの底に露出している場合
もあり得る。この状態では基板表面に凹凸があるので、
基板の平坦化が必要である。図４（ｂ）に示すのはポリ
イミド溶液を基板表面に塗布した状態である。この状態
で、温度を上げるとポリイミド１１８が固化する。固化
した後に研磨機によって電極面が露出するまでポリイミ
ド１１８を研磨する。あるいは、数千オングストローム
程度ポリイミド１１８を残し、ドライエッチング装置で
エッチングして電極面を露出させてもよい。これによ
り、Ｓｉ基板上にＣＣＤを含む電子回路１０２が形成さ
れる。研磨して平坦化された状態を図４（ｃ）に示す。
再び別のポリイミド絶縁層１０３を設け、これを介し
て、光検出器の層構造１１９が成長されたＩｎＰ基板１
２０を、光検出器の層構造１１９がポリイミド絶縁層１
０３に接するように張り付ける。ここで、仮固定のため
低温でポリイミド絶縁層１０３を僅かに固化させる（図
４（ｄ））。この状態で余分なＩｎＰ基板１２０を臭素
／メタノール系の高速エッチングおよび塩酸系選択エッ
チングを用いて剥離する。この場合、高速エッチングで
１００ミクロン弱にした後に選択エッチングを行う。こ
のため、光検出器の層構造１１９とＩｎＰ基板１２０の
間にＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰの選択エッチ
ング層（図示しない）を設けてある。この選択エッチン
グ層は硫酸／過酸化水素系エッチャントを用いてエッチ
ングする。この状態を図４（ｅ）に示す。次に各画素に
分割する。これは、Ｓｉ基板１０１上のマーカー（図示
しない）を用いて裏面から近赤外光の照明を用いてマス
ク（図示しない）と位置合わせをすれば、通常のフォト
リソグラフィ技術で可能である。あるいは、部分的に光
検出器の層構造１１９およびポリイミド絶縁層１０３を
エッチングし、ＣＣＤを含む電子回路１０２を露出さ
せ、このＣＣＤを含む電子回路１０２上に設けられたマ
ーカーを用いて位置合わせを行ってもよい。画素への分
割には塩素／アルゴン系ないし、臭素／アルゴン系のリ
アクティブイオンビームエッチング（ＲＩＥ）装置を用
いるのがよい。この分割により、光検出器の層構造１１
９は個々の光検出器１０４（図１）に分離される。この
状態を図４（ｆ）に示す。必要に応じてポリイミド絶縁
層１０３の部分も分割される。また、Ａｌ配線１０９と
の配線のため、ポリイミド絶縁層１０３の一部が酸素系
リアクティブイオンビームエッチング（ＲＩＥ）装置等
でエッチングされる。次に、ポリイミドが完全に固化す
る温度まで温度を上げる処理を行う。この後、配線１０
５によって電極間の配線が行われる。配線後、抵抗を低
減するために４００℃程度のシンタリングが行われる。
必要に応じて、配線１０９と配線１０５との間にＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ等のバリア金属多層膜が
設けられる。この状態を（ｇ）に示す。
【００１６】（実施例２）図５は、集積回路がＣＭＯＳ
回路により構成される本発明の第２の実施例によるイメ
ージセンサを示すブロック配線図である。ここで、１２
１は行デコーダ回路、１２２は増幅回路、１２３は列デ
コーダ回路、１２４は画素内増幅回路である。また、図
６に画素の回路例を示す。本実施例によるイメージセン
サの動作は、通常のＣＣＤイメージセンサと同様であ
り、リセットクロックの周期内で受光して光電変換した
電荷を蓄積し、行指定がイネーブルになると読み出さ
れ、増幅回路１２２で増幅されて列デコーダ回路１２３
内のレジスタに記憶される。これを順次行うことでイメ
ージ情報がパラレル−シリアル変換されて出力される。
本実施例によるイメージセンサは第１の実施例によるイ
メージセンサと同様の製造方法に従って製造できる。
回路により構成される本発明の第２の実施例によるイメ
ージセンサを示すブロック配線図である。ここで、１２
１は行デコーダ回路、１２２は増幅回路、１２３は列デ
コーダ回路、１２４は画素内増幅回路である。また、図
６に画素の回路例を示す。本実施例によるイメージセン
サの動作は、通常のＣＣＤイメージセンサと同様であ
り、リセットクロックの周期内で受光して光電変換した
電荷を蓄積し、行指定がイネーブルになると読み出さ
れ、増幅回路１２２で増幅されて列デコーダ回路１２３
内のレジスタに記憶される。これを順次行うことでイメ
ージ情報がパラレル−シリアル変換されて出力される。
本実施例によるイメージセンサは第１の実施例によるイ
メージセンサと同様の製造方法に従って製造できる。
【００１７】第１および第２の実施例によるイメージセ
ンサは２次元イメージセンサとして説明したが、本発明
は１次元のリニアイメージセンサに適用できることはい
うまでもない。
ンサは２次元イメージセンサとして説明したが、本発明
は１次元のリニアイメージセンサに適用できることはい
うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明では、光
検出部をアレイ上に集積されていることにより、光検出
部の面積占有率が高い高感度のイメージセンサを実現す
ることができる。また、赤外光に対して感度があり、光
検出部の面積占有率が高い高感度のイメージセンサを実
現することができる。
検出部をアレイ上に集積されていることにより、光検出
部の面積占有率が高い高感度のイメージセンサを実現す
ることができる。また、赤外光に対して感度があり、光
検出部の面積占有率が高い高感度のイメージセンサを実
現することができる。
【図１】本発明の第１の実施例によるイメージセンサの
構成図である。
構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例によるイメージセンサの
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例によるイメージセンサの
ブロック配線図である。
ブロック配線図である。
【図４】本発明の第１の実施例によるイメージセンサの
製造方法を説明する断面図であり、（ａ）はＣＣＤを含
む電子回路が形成された基板、（ｂ）はポリイミドを塗
布した基板、（ｃ）は研磨して平坦化した基板、（ｄ）
はポリイミドに光検出器の層構造が成長されたｐ−Ｉｎ
ｐ基板を張り付けられた状態の基板、（ｅ）は選択エッ
チングを行った基板、（ｆ）は各画素に分割した基板、
（ｇ）は電極間の配線を行った基板、をそれぞれ示す。
製造方法を説明する断面図であり、（ａ）はＣＣＤを含
む電子回路が形成された基板、（ｂ）はポリイミドを塗
布した基板、（ｃ）は研磨して平坦化した基板、（ｄ）
はポリイミドに光検出器の層構造が成長されたｐ−Ｉｎ
ｐ基板を張り付けられた状態の基板、（ｅ）は選択エッ
チングを行った基板、（ｆ）は各画素に分割した基板、
（ｇ）は電極間の配線を行った基板、をそれぞれ示す。
【図５】本発明の第２の実施例によるイメージセンサの
ブロック配線図である。
ブロック配線図である。
【図６】本発明の第２の実施例によるイメージセンサの
画素の回路図である。
画素の回路図である。
１０１ Ｓｉ基板 １０２ ＣＣＤを含む電子回路 １０３ ポリイミド絶縁層 １０４ 光検出器 １０５ 配線 １０６ ＣＣＤ回路 １０７ ＬＳＩの層間絶縁膜 １０８ Ａｌ配線 １０９ Ａｌ配線 １１０ ｐ−ＩｎＰ層 １１１ ｉ−ＩｎＧａＡｓ層 １１２ ｎ−ＩｎＰ層 １１３ ＳｉＮ絶縁膜 １１４ 行方向ＣＣＤアレイ １１５ 光検出部 １１６ 列方向ＣＣＤアレイ １１７ 増幅回路 １１８ ポリイミド １１９ 光検出器の層構造 １２０ ＩｎＰ基板 １２１ 行デコーダ回路 １２２ 増幅回路 １２３ 列デコーダ回路 １２４ 画素内増幅回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黒川 隆志 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 光検出器アレイを有するイメージセンサ
であって、 光検出部と、 集積回路部とから構成され、 集積回路部上に絶縁層を介して光検出部がアレイ状に集
積されていることを特徴とするイメージセンサ。 - 【請求項２】 前記集積回路部が電荷結合素子（ＣＣ
Ｄ）を具備し、 前記光検出部の各光検出器の出力を読み出す構成を有す
ることを特徴とする請求項１記載のイメージセンサ。 - 【請求項３】 前記集積回路部がＣＭＯＳ(Complementa
ry Metal-Oxide-Semiconductor) 回路により構成されて
いることを特徴とする請求項１または２記載のイメージ
センサ。 - 【請求項４】 前記絶縁層がポリイミド材料からなるこ
とを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のイメー
ジセンサ。 - 【請求項５】 前記光検出部が波長１０００ｎｍ以上で
感度を有する材料からなる受光層を備えることを特徴と
する請求項１〜４のいずれかに記載のイメージセンサ。 - 【請求項６】 前記光検出部がＳｉ以外の半導体材料か
らなる受光層を有することを特徴とする請求項１〜５の
いずれかに記載のイメージセンサ。 - 【請求項７】 前記光検出部がＩｎＧａＡｓからなる受
光層と、ｎ−ＩｎＰ層と、ｐ−ＩｎＰ層とを含むことを
特徴とする請求項６記載のイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155029A JPH11354762A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10155029A JPH11354762A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354762A true JPH11354762A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15597124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10155029A Pending JPH11354762A (ja) | 1998-06-03 | 1998-06-03 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354762A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006520099A (ja) * | 2003-03-06 | 2006-08-31 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 負荷読取回路に集積された検出画素マトリックス |
| US7508046B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-03-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodetector |
| US8097857B2 (en) | 2001-05-21 | 2012-01-17 | Pressco Technology Inc. | Apparatus and method for providing snapshot action thermal infrared imaging within automated process control article inspection applications |
Citations (5)
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| JPS6177360A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS631062A (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-06 | Nec Corp | 並列光信号処理半導体素子 |
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| JPH1012898A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置 |
-
1998
- 1998-06-03 JP JP10155029A patent/JPH11354762A/ja active Pending
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