JPH11354842A - ＧａＮ系半導体発光素子 - Google Patents
ＧａＮ系半導体発光素子Info
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- JPH11354842A JPH11354842A JP15610498A JP15610498A JPH11354842A JP H11354842 A JPH11354842 A JP H11354842A JP 15610498 A JP15610498 A JP 15610498A JP 15610498 A JP15610498 A JP 15610498A JP H11354842 A JPH11354842 A JP H11354842A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＧａＮ系発光素子のための量子ドットの最適
な態様を示し、より高効率なＧａＮ系発光素子を提供す
ること。 【解決手段】 アンチサーファクタントの作用によって
ＧａＮ系結晶層Ａ上にＧａＮ系の量子ドットｄを形成
し、さらに該量子ドットｄを埋め込むまで前記層Ａ上に
ＧａＮ系結晶層Ｂを成長させてＧａＮ系の量子ドット構
造３を構成し、これを発光に係る部分としてＧａＮ系半
導体発光素子を形成する。このとき、結晶層Ａおよび結
晶層Ｂのバンドギャップを、量子ドットのバンドギャッ
プよりも大きいものとし、個々の量子ドットの高さｈ、
幅ｗ、結晶層Ａの上面における量子ドットの分散の度合
い（密度）ρを、０．５ｎｍ≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎ
ｍ≦ｗ≦２００ｎｍ、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦１０13ｃｍ-2
とする。
な態様を示し、より高効率なＧａＮ系発光素子を提供す
ること。 【解決手段】 アンチサーファクタントの作用によって
ＧａＮ系結晶層Ａ上にＧａＮ系の量子ドットｄを形成
し、さらに該量子ドットｄを埋め込むまで前記層Ａ上に
ＧａＮ系結晶層Ｂを成長させてＧａＮ系の量子ドット構
造３を構成し、これを発光に係る部分としてＧａＮ系半
導体発光素子を形成する。このとき、結晶層Ａおよび結
晶層Ｂのバンドギャップを、量子ドットのバンドギャッ
プよりも大きいものとし、個々の量子ドットの高さｈ、
幅ｗ、結晶層Ａの上面における量子ドットの分散の度合
い（密度）ρを、０．５ｎｍ≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎ
ｍ≦ｗ≦２００ｎｍ、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦１０13ｃｍ-2
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ系材料を用
いた半導体発光素子（以下、「ＧａＮ系発光素子」とも
いう）に関するものであり、詳しくは、発光のメカニズ
ムに係る部分の構造が、ＧａＮ系半導体材料による量子
ドット構造であるものに関する。
いた半導体発光素子（以下、「ＧａＮ系発光素子」とも
いう）に関するものであり、詳しくは、発光のメカニズ
ムに係る部分の構造が、ＧａＮ系半導体材料による量子
ドット構造であるものに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮ系発光素子は、近年高輝度の発光
ダイオード（ＬＥＤ）が実現されたのを機会に研究が活
発に行われており、半導体レーザの室温連続発振の報告
も聞かれる様になっている。
ダイオード（ＬＥＤ）が実現されたのを機会に研究が活
発に行われており、半導体レーザの室温連続発振の報告
も聞かれる様になっている。
【０００３】ＧａＮ系発光素子のなかでも、緑色〜青色
の短い波長の発光が得られ、しかも高い発光効率が得ら
れるものとして、発光層（活性層）にＩｎＧａＮの量子
井戸層を用いたものがある。ＩｎＧａＮを用いて量子井
戸層を形成する場合、その熱力学的な不安定性から、層
全体にわたって均一な組成比にはならず、層中で局所的
にＩｎ組成比の異なった部分が発生する。この部分は量
子ドットに似た性質をもつ。ＩｎＧａＮの量子井戸層を
発光層として用いた発光素子では、この量子ドット的な
部位が、層の厚み方向のみならず３次元的な方向につい
て励起子を閉じ込める作用を示し、この部分でキャリア
の再結合発光が起きると言われており、これがＩｎＧａ
Ｎ量子井戸層が高い発光効率で発光し得る要因の１つと
されている。
の短い波長の発光が得られ、しかも高い発光効率が得ら
れるものとして、発光層（活性層）にＩｎＧａＮの量子
井戸層を用いたものがある。ＩｎＧａＮを用いて量子井
戸層を形成する場合、その熱力学的な不安定性から、層
全体にわたって均一な組成比にはならず、層中で局所的
にＩｎ組成比の異なった部分が発生する。この部分は量
子ドットに似た性質をもつ。ＩｎＧａＮの量子井戸層を
発光層として用いた発光素子では、この量子ドット的な
部位が、層の厚み方向のみならず３次元的な方向につい
て励起子を閉じ込める作用を示し、この部分でキャリア
の再結合発光が起きると言われており、これがＩｎＧａ
Ｎ量子井戸層が高い発光効率で発光し得る要因の１つと
されている。
【０００４】ＩｎＧａＮ量子井戸層中の量子ドット的な
部位は、ＩｎＧａＮ自体の性質によって層中に存在する
ものである。他方、ＧａＡｓ系の材料では、ドット材料
と基板材料との格子不整合を利用した量子ドットの形成
が知られている。これらに対して、近年、ＧａＮ系材料
からなる結晶層の表面に特殊な表面処理を施すことによ
って、該結晶層の表面上にこれと格子整合性の良好なＧ
ａＮ系半導体を量子ドットとして突起状に成長させ得る
ことが明らかとなった (Appl.Phys.Lett.69(1996)4096
）。この量子ドット形成のメカニズムは、前記ＩｎＧ
ａＮや、ＧａＡｓ系における量子ドットの形成とは全く
異なるものである。
部位は、ＩｎＧａＮ自体の性質によって層中に存在する
ものである。他方、ＧａＡｓ系の材料では、ドット材料
と基板材料との格子不整合を利用した量子ドットの形成
が知られている。これらに対して、近年、ＧａＮ系材料
からなる結晶層の表面に特殊な表面処理を施すことによ
って、該結晶層の表面上にこれと格子整合性の良好なＧ
ａＮ系半導体を量子ドットとして突起状に成長させ得る
ことが明らかとなった (Appl.Phys.Lett.69(1996)4096
）。この量子ドット形成のメカニズムは、前記ＩｎＧ
ａＮや、ＧａＡｓ系における量子ドットの形成とは全く
異なるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ＧａＮ
系材料による量子ドットの形成が可能であることは明ら
かとなっている。しかし、この量子ドットを用いてＧａ
Ｎ系発光素子を構成するためには、未だ、量子ドット個
々の大きさ、量子ドット全体の分布の程度などの点で最
適な態様が明らかにはされていない。
系材料による量子ドットの形成が可能であることは明ら
かとなっている。しかし、この量子ドットを用いてＧａ
Ｎ系発光素子を構成するためには、未だ、量子ドット個
々の大きさ、量子ドット全体の分布の程度などの点で最
適な態様が明らかにはされていない。
【０００６】本発明の目的は、上記問題を解決し、Ｇａ
Ｎ系発光素子のための量子ドットの最適な態様を示し、
より高効率なＧａＮ系発光素子を提供することにある。
Ｎ系発光素子のための量子ドットの最適な態様を示し、
より高効率なＧａＮ系発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＧａＮ系半導体
発光素子は、以下の特徴を有するものである。 （１）量子ドット構造を発光に係る部分として有するＧ
ａＮ系半導体発光素子であって、前記量子ドット構造
は、ＧａＮ系材料からなる結晶層（Ａ）と、この層上面
に分散して形成されたＧａＮ系材料からなる量子ドット
と、この量子ドットを埋め込んで前記層上に成長したＧ
ａＮ系材料からなる結晶層（Ｂ）とを有する構造であ
り、結晶層（Ａ）および結晶層（Ｂ）の材料の各々のバ
ンドギャップは、量子ドットの材料のバンドギャップよ
りも大きく、各層の層厚方向についての各々の量子ドッ
トの寸法を高さｈとし、各層の拡がる方向についての各
々の量子ドットの寸法を幅ｗとし、結晶層（Ａ）の上面
における量子ドットの分散の度合いを密度ρとして、
０．５ｎｍ≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎ
ｍ、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦１０13ｃｍ-2、であることを特
徴とするＧａＮ系半導体発光素子。
発光素子は、以下の特徴を有するものである。 （１）量子ドット構造を発光に係る部分として有するＧ
ａＮ系半導体発光素子であって、前記量子ドット構造
は、ＧａＮ系材料からなる結晶層（Ａ）と、この層上面
に分散して形成されたＧａＮ系材料からなる量子ドット
と、この量子ドットを埋め込んで前記層上に成長したＧ
ａＮ系材料からなる結晶層（Ｂ）とを有する構造であ
り、結晶層（Ａ）および結晶層（Ｂ）の材料の各々のバ
ンドギャップは、量子ドットの材料のバンドギャップよ
りも大きく、各層の層厚方向についての各々の量子ドッ
トの寸法を高さｈとし、各層の拡がる方向についての各
々の量子ドットの寸法を幅ｗとし、結晶層（Ａ）の上面
における量子ドットの分散の度合いを密度ρとして、
０．５ｎｍ≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎ
ｍ、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦１０13ｃｍ-2、であることを特
徴とするＧａＮ系半導体発光素子。
【０００８】（２）結晶層（Ａ）と結晶層（Ｂ）とが、
互いに異なる伝導型である上記（１）記載のＧａＮ系半
導体発光素子。
互いに異なる伝導型である上記（１）記載のＧａＮ系半
導体発光素子。
【０００９】（３）量子ドットが、不純物をドーピング
されたＧａＮ系材料からなるものである上記（１）記載
のＧａＮ系半導体発光素子。
されたＧａＮ系材料からなるものである上記（１）記載
のＧａＮ系半導体発光素子。
【００１０】（４）量子ドットに用いられるＧａＮ系材
料をドット材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａ
Ｎ系材料をベース材料とよぶとして、ドット材料とベー
ス材料とが下記（ｉ）の格子整合性を満たす関係にあ
り、結晶層（Ａ）の層上面の表面状態がアンチサーファ
クタントによって変化させられたことによって、ドット
材料が結晶層（Ａ）の層上面に量子ドットとして成長し
たものである上記（１）記載のＧａＮ系半導体発光素
子。 （ｉ）結晶層（Ａ）上面の表面状態を変化させるような
表面処理を施すことなく結晶層（Ａ）上面にドット材料
を直接的に結晶成長させたとき、ドット材料が結晶層
（Ａ）の層上面に膜状に結晶成長し得るようなドット材
料とベース材料との格子整合性。
料をドット材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａ
Ｎ系材料をベース材料とよぶとして、ドット材料とベー
ス材料とが下記（ｉ）の格子整合性を満たす関係にあ
り、結晶層（Ａ）の層上面の表面状態がアンチサーファ
クタントによって変化させられたことによって、ドット
材料が結晶層（Ａ）の層上面に量子ドットとして成長し
たものである上記（１）記載のＧａＮ系半導体発光素
子。 （ｉ）結晶層（Ａ）上面の表面状態を変化させるような
表面処理を施すことなく結晶層（Ａ）上面にドット材料
を直接的に結晶成長させたとき、ドット材料が結晶層
（Ａ）の層上面に膜状に結晶成長し得るようなドット材
料とベース材料との格子整合性。
【００１１】（５）結晶層（Ａ）、量子ドット、結晶層
（Ｂ）のうちの１以上のものが、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ば
れる１以上の元素を含有するＧａＮ系材料からなるもの
である上記（１）記載のＧａＮ系半導体発光素子。
（Ｂ）のうちの１以上のものが、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ば
れる１以上の元素を含有するＧａＮ系材料からなるもの
である上記（１）記載のＧａＮ系半導体発光素子。
【００１２】
【作用】本発明のＧａＮ系発光素子に用いられる量子ド
ットは、ＧａＮ系材料からなる結晶層（上記（１）にお
ける「結晶層（Ａ）」）上に、ＧａＮ系材料を量子ドッ
トとして成長させたものである。ただし、上記（４）の
とおり、量子ドットに用いられるＧａＮ系材料をドット
材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａＮ系材料を
ベース材料とよぶとき、ドット材料とベース材料とは、
上記（ｉ）の関係にある。即ち、結晶層（Ａ）の表面状
態を何ら変化させることなく従来通りの結晶成長法・成
長条件にて、ドット材料を結晶層（Ａ）上に成長させた
場合には、従来知られているとおり、ドット材料は膜状
に結晶層（Ａ）上を全面覆い結晶層として成長するＧａ
Ｎ系材料である。即ち、ドット材料とベース材料とは、
少なくともその程度に格子整合しているということであ
る。
ットは、ＧａＮ系材料からなる結晶層（上記（１）にお
ける「結晶層（Ａ）」）上に、ＧａＮ系材料を量子ドッ
トとして成長させたものである。ただし、上記（４）の
とおり、量子ドットに用いられるＧａＮ系材料をドット
材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａＮ系材料を
ベース材料とよぶとき、ドット材料とベース材料とは、
上記（ｉ）の関係にある。即ち、結晶層（Ａ）の表面状
態を何ら変化させることなく従来通りの結晶成長法・成
長条件にて、ドット材料を結晶層（Ａ）上に成長させた
場合には、従来知られているとおり、ドット材料は膜状
に結晶層（Ａ）上を全面覆い結晶層として成長するＧａ
Ｎ系材料である。即ち、ドット材料とベース材料とは、
少なくともその程度に格子整合しているということであ
る。
【００１３】ドット材料とベース材料とが、共にＧａＮ
系材料であってしかも上記のような格子整合の関係にあ
る状態において、結晶層（Ａ）上に、ドット材料である
ＧａＮ系材料を、膜状としてではなく量子ドットとして
成長させるためには、結晶層（Ａ）の層上面にアンチサ
ーファクタント（結晶層（Ａ）の層上面の表面状態を変
化させる物質）を作用させる。結晶層（Ａ）の層上面の
表面状態の変化については、詳しくは解明されていない
が、表面自由エネルギーが小さくなる変化であると考え
られる。表面状態をこのように変化させることによっ
て、ドット材料であるＧａＮ系材料は、ベース材料であ
るＧａＮ系材料からなる結晶層（Ａ）上に、量子ドット
として成長する。
系材料であってしかも上記のような格子整合の関係にあ
る状態において、結晶層（Ａ）上に、ドット材料である
ＧａＮ系材料を、膜状としてではなく量子ドットとして
成長させるためには、結晶層（Ａ）の層上面にアンチサ
ーファクタント（結晶層（Ａ）の層上面の表面状態を変
化させる物質）を作用させる。結晶層（Ａ）の層上面の
表面状態の変化については、詳しくは解明されていない
が、表面自由エネルギーが小さくなる変化であると考え
られる。表面状態をこのように変化させることによっ
て、ドット材料であるＧａＮ系材料は、ベース材料であ
るＧａＮ系材料からなる結晶層（Ａ）上に、量子ドット
として成長する。
【００１４】本発明は、上記のようにＧａＮ系材料から
なる結晶層上にＧａＮ系材料からなる量子ドットを成長
させ、さらにＧａＮ系材料からなる結晶層で量子ドット
を埋め込み、これを発光現象に係る量子ドット構造とし
て発光素子に用いたものである。ここでいう発光現象
は、電子またはホールの注入によって量子ドット中にお
いて、励起子（エトキシ）あるいは電子とホールとが再
結合し発光する現象である。
なる結晶層上にＧａＮ系材料からなる量子ドットを成長
させ、さらにＧａＮ系材料からなる結晶層で量子ドット
を埋め込み、これを発光現象に係る量子ドット構造とし
て発光素子に用いたものである。ここでいう発光現象
は、電子またはホールの注入によって量子ドット中にお
いて、励起子（エトキシ）あるいは電子とホールとが再
結合し発光する現象である。
【００１５】この量子ドット構造において、高効率にて
発光させるためには、個々のドットの大きさ、および量
子ドット全体の分布の程度を最適な範囲とすることが必
要となる。個々の量子ドットの大きさは、量子ドット構
造において発光効率に影響を与える重要な要素であり、
量子閉じ込め効果が十分に得られるサイズであることが
重要である。結晶層（Ａ）上面における量子ドット全体
の分散の度合い（密度）は、面内における発光源の密度
であるため、これもまた発光効率に影響を与える重要な
要素である。
発光させるためには、個々のドットの大きさ、および量
子ドット全体の分布の程度を最適な範囲とすることが必
要となる。個々の量子ドットの大きさは、量子ドット構
造において発光効率に影響を与える重要な要素であり、
量子閉じ込め効果が十分に得られるサイズであることが
重要である。結晶層（Ａ）上面における量子ドット全体
の分散の度合い（密度）は、面内における発光源の密度
であるため、これもまた発光効率に影響を与える重要な
要素である。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のＧａＮ系発光素
子の一例を示す断面図であって、説明のために簡単な構
造のＬＥＤを例として示している。同図のＬＥＤは、結
晶基板１上に、ＧａＮ系材料からなる結晶層を順次成長
させて積み重ね、量子ドット構造３を含む積層体Ｓを形
成し、これにｐ型側の電極５とｎ型側の電極６を設けて
構成したものである。層２はｎ型コンタクト層、層４は
ｐ型コンタクト層であり、いずれもＧａＮ系材料からな
る。
子の一例を示す断面図であって、説明のために簡単な構
造のＬＥＤを例として示している。同図のＬＥＤは、結
晶基板１上に、ＧａＮ系材料からなる結晶層を順次成長
させて積み重ね、量子ドット構造３を含む積層体Ｓを形
成し、これにｐ型側の電極５とｎ型側の電極６を設けて
構成したものである。層２はｎ型コンタクト層、層４は
ｐ型コンタクト層であり、いずれもＧａＮ系材料からな
る。
【００１７】図１の例における伝導型（ｐ型、ｎ型）の
上下位置関係は、伝導型を形成するための加工上の理由
から、結晶基板側をｎ型とし上層側をｐ型とする一般的
なものとなっている。また、同図の例では、結晶基板に
絶縁体（サファイア結晶基板）を用いており、層２の上
面を露出させ、その面に電極６を設けるという電極の配
置となっている。以下、本発明の発光素子の他の態様を
説明する場合にも、ｐ／ｎ型の上下関係、電極配置につ
いては、これと同様の例を挙げて説明する。しかし、ｐ
／ｎ型の上下が逆の態様や、結晶基板が導電性を有する
場合の電極配置なども自由に選択してよい。
上下位置関係は、伝導型を形成するための加工上の理由
から、結晶基板側をｎ型とし上層側をｐ型とする一般的
なものとなっている。また、同図の例では、結晶基板に
絶縁体（サファイア結晶基板）を用いており、層２の上
面を露出させ、その面に電極６を設けるという電極の配
置となっている。以下、本発明の発光素子の他の態様を
説明する場合にも、ｐ／ｎ型の上下関係、電極配置につ
いては、これと同様の例を挙げて説明する。しかし、ｐ
／ｎ型の上下が逆の態様や、結晶基板が導電性を有する
場合の電極配置なども自由に選択してよい。
【００１８】量子ドット構造３は、結晶層Ａと、多数の
量子ドットｄと、結晶層Ｂとを有する構造であり、これ
らは全てＧａＮ系材料からなるものである。量子ドット
ｄは、結晶層Ａの上面に分散した状態として形成されて
いる。結晶層Ｂは、結晶層Ａの上面のうち量子ドットｄ
が形成されなかった部分を結晶成長の出発面として、量
子ドットを埋め込むまで成長した結晶層である。
量子ドットｄと、結晶層Ｂとを有する構造であり、これ
らは全てＧａＮ系材料からなるものである。量子ドット
ｄは、結晶層Ａの上面に分散した状態として形成されて
いる。結晶層Ｂは、結晶層Ａの上面のうち量子ドットｄ
が形成されなかった部分を結晶成長の出発面として、量
子ドットを埋め込むまで成長した結晶層である。
【００１９】結晶層Ａと結晶層Ｂの導電型は、同じであ
っても、互いに異なるものであってもよく、発光素子に
おける発光部分としてどのように用いるかによって選択
すればよい。図１の例では、量子ドット構造３は、第１
伝導型（図ではｎ型）の結晶層Ａと、多数の量子ドット
ｄと、第２伝導型（図ではｐ型）の結晶層Ｂとからな
り、結晶層Ａと結晶層Ｂがクラッド層としての役割を果
たし、量子ドットｄがその中で発光部としての役割を果
たす。また、結晶層Ａと結晶層Ｂの導電型を同じとし
て、これらをさらにバンドギャップの大きいｐ型、ｎ型
のクラッド層で挟んだ構造としてもよい。
っても、互いに異なるものであってもよく、発光素子に
おける発光部分としてどのように用いるかによって選択
すればよい。図１の例では、量子ドット構造３は、第１
伝導型（図ではｎ型）の結晶層Ａと、多数の量子ドット
ｄと、第２伝導型（図ではｐ型）の結晶層Ｂとからな
り、結晶層Ａと結晶層Ｂがクラッド層としての役割を果
たし、量子ドットｄがその中で発光部としての役割を果
たす。また、結晶層Ａと結晶層Ｂの導電型を同じとし
て、これらをさらにバンドギャップの大きいｐ型、ｎ型
のクラッド層で挟んだ構造としてもよい。
【００２０】結晶層Ａおよび結晶層Ｂの材料の各々のバ
ンドギャップの大きさは、ともに量子ドットの材料のバ
ンドギャップの大きさ以上とする。これは、発光部であ
る量子ドットに電子およびホールを効率よく注入するた
めである。
ンドギャップの大きさは、ともに量子ドットの材料のバ
ンドギャップの大きさ以上とする。これは、発光部であ
る量子ドットに電子およびホールを効率よく注入するた
めである。
【００２１】本発明のＧａＮ系発光素子に用いられるＧ
ａＮ系材料とは、式ＩｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦
１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で決定
される化合物半導体である。なかでもＧａＮ、ＩｎＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮなどが有用なものとして挙げられる。上
記バンドギャップの条件を満たす材料の組合せ例として
は、結晶層Ａおよび結晶層ＢをＡｌＧａＮとし、量子ド
ットをＧａＮとする組合せなど、結晶層Ａおよび結晶層
ＢをＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎとし、量子ドットをＡｌ Y Ｇａ
(1-Y) Ｎとする組合せ（ただし０＜Ｘ、０≦Ｙ、Ｙ＜Ｘ
である）などが挙げられる。
ａＮ系材料とは、式ＩｎX ＧａY ＡｌZ Ｎ（０≦Ｘ≦
１，０≦Ｙ≦１，０≦Ｚ≦１，Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で決定
される化合物半導体である。なかでもＧａＮ、ＩｎＧａ
Ｎ、ＡｌＧａＮなどが有用なものとして挙げられる。上
記バンドギャップの条件を満たす材料の組合せ例として
は、結晶層Ａおよび結晶層ＢをＡｌＧａＮとし、量子ド
ットをＧａＮとする組合せなど、結晶層Ａおよび結晶層
ＢをＡｌx Ｇａ(1-x) Ｎとし、量子ドットをＡｌ Y Ｇａ
(1-Y) Ｎとする組合せ（ただし０＜Ｘ、０≦Ｙ、Ｙ＜Ｘ
である）などが挙げられる。
【００２２】量子ドットを構成するＧａＮ系材料には、
例えば発光強度を増大させることなどを目的として、Ｓ
ｉなどの不純物をドーピングしてもよい。
例えば発光強度を増大させることなどを目的として、Ｓ
ｉなどの不純物をドーピングしてもよい。
【００２３】また、結晶層Ａ、量子ドット、結晶層Ｂの
うちの１以上のものには、それらに用いられるＧａＮ系
材料に、さらに、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ばれる１以上の元
素を含有させてもよい。
うちの１以上のものには、それらに用いられるＧａＮ系
材料に、さらに、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ばれる１以上の元
素を含有させてもよい。
【００２４】上記作用の説明で述べたように、発光を高
効率とするためには、量子ドットの大きさ、および量子
ドット全体の分布の程度を最適な範囲とすべきであり、
本発明はその範囲を与えるものである。個々の量子ドッ
トの形状は、材料や成長条件によって異なるが、多面体
状、柱状、半球状となる。
効率とするためには、量子ドットの大きさ、および量子
ドット全体の分布の程度を最適な範囲とすべきであり、
本発明はその範囲を与えるものである。個々の量子ドッ
トの形状は、材料や成長条件によって異なるが、多面体
状、柱状、半球状となる。
【００２５】個々の量子ドットの大きさは、各層の層厚
方向についての量子ドットの寸法（結晶層Ａの表面から
量子ドットのトップまでの距離）を高さｈとし、各層の
拡がる方向についての量子ドットの最大寸法を幅ｗとし
て好ましい範囲を限定する。量子ドットの高さｈ、幅ｗ
は、発光に寄与する励起子の閉じ込めの意味からは小さ
い方が好ましいが、実際の量子ドット作製における寸法
の制御性などを考慮すると、これらは共に０．５ｎｍ以
上であることが好ましい。また、これらの最大寸法につ
いては、量子効果の観点から、高さｈは５０ｎｍ以下、
幅ｗは２００ｎｍ以下が好ましい。従って、０．５ｎｍ
≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎｍ、が好ま
しい範囲となる。
方向についての量子ドットの寸法（結晶層Ａの表面から
量子ドットのトップまでの距離）を高さｈとし、各層の
拡がる方向についての量子ドットの最大寸法を幅ｗとし
て好ましい範囲を限定する。量子ドットの高さｈ、幅ｗ
は、発光に寄与する励起子の閉じ込めの意味からは小さ
い方が好ましいが、実際の量子ドット作製における寸法
の制御性などを考慮すると、これらは共に０．５ｎｍ以
上であることが好ましい。また、これらの最大寸法につ
いては、量子効果の観点から、高さｈは５０ｎｍ以下、
幅ｗは２００ｎｍ以下が好ましい。従って、０．５ｎｍ
≦ｈ≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎｍ、が好ま
しい範囲となる。
【００２６】結晶層Ａの上面における量子ドットの分散
の度合いについては、分散の度合いを、密度（単位面積
当たりの量子ドットの数）ρとして表し範囲を限定す
る。密度ρは、量子ドット１つ１つからの発光は弱いの
で、発光効率を考慮すると１０6 ｃｍ-2以上とすること
が好ましく、また、量子ドットの大きさにもよるが、量
子ドット同士が互いに接触しないように１０13ｃｍ-2以
下とすることが好ましい。従って、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦
１０13ｃｍ-2が好ましい範囲となる。
の度合いについては、分散の度合いを、密度（単位面積
当たりの量子ドットの数）ρとして表し範囲を限定す
る。密度ρは、量子ドット１つ１つからの発光は弱いの
で、発光効率を考慮すると１０6 ｃｍ-2以上とすること
が好ましく、また、量子ドットの大きさにもよるが、量
子ドット同士が互いに接触しないように１０13ｃｍ-2以
下とすることが好ましい。従って、１０6 ｃｍ-2≦ρ≦
１０13ｃｍ-2が好ましい範囲となる。
【００２７】結晶層Ａの上面に量子ドットを形成するに
は、上記作用の説明で述べたように、結晶層Ａの上面に
その表面状態を変化させる物質（アンチサーファクタン
ト）を作用させてから量子ドットに用いられるＧａＮ系
材料を結晶成長させる。結晶層Ａの上面にアンチサーフ
ァクタントを作用させるには、結晶層Ａの上面とアンチ
サーファクタントとを接触させればよい。接触の方法は
限定されないが、例えば、ＭＯＣＶＤ法によって、Ａｌ
ＧａＮ結晶層上にＧａＮの量子ドットを形成する場合で
あれば、ＭＯＣＶＤ装置内でＡｌＧａＮ結晶層が成長し
た後、ＭＯＣＶＤ装置内にガス状のアンチサーファクタ
ントを供給すればよい。
は、上記作用の説明で述べたように、結晶層Ａの上面に
その表面状態を変化させる物質（アンチサーファクタン
ト）を作用させてから量子ドットに用いられるＧａＮ系
材料を結晶成長させる。結晶層Ａの上面にアンチサーフ
ァクタントを作用させるには、結晶層Ａの上面とアンチ
サーファクタントとを接触させればよい。接触の方法は
限定されないが、例えば、ＭＯＣＶＤ法によって、Ａｌ
ＧａＮ結晶層上にＧａＮの量子ドットを形成する場合で
あれば、ＭＯＣＶＤ装置内でＡｌＧａＮ結晶層が成長し
た後、ＭＯＣＶＤ装置内にガス状のアンチサーファクタ
ントを供給すればよい。
【００２８】アンチサーファクタントをガス状として供
給するには、例えば、テトラエチルシランをアンチサー
ファクタントとするのであれば、その溶液にＨ2 ガスを
バブリングさせることにより、Ｈ2 ガスをキャリアガス
として供給する方法が挙げられる。
給するには、例えば、テトラエチルシランをアンチサー
ファクタントとするのであれば、その溶液にＨ2 ガスを
バブリングさせることにより、Ｈ2 ガスをキャリアガス
として供給する方法が挙げられる。
【００２９】アンチサーファクタントとして用いられる
物質は、結晶層Ａの材料と量子ドットの材料との組合せ
によって適当なものが選択でき、限定されない。例えば
上記のように、ＡｌＧａＮ結晶層上にＧａＮを量子ドッ
トとして形成させる場合のアンチサーファクタントとし
ては、テトラエチルシランが挙げられる。その他、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、またはこれらの混合ガス、Ｃｐ2 Ｍ
ｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）等が挙げ
られる。
物質は、結晶層Ａの材料と量子ドットの材料との組合せ
によって適当なものが選択でき、限定されない。例えば
上記のように、ＡｌＧａＮ結晶層上にＧａＮを量子ドッ
トとして形成させる場合のアンチサーファクタントとし
ては、テトラエチルシランが挙げられる。その他、Ｓｉ
Ｈ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 、またはこれらの混合ガス、Ｃｐ2 Ｍ
ｇ（ビスシクロペンタジエニルマグネシウム）等が挙げ
られる。
【００３０】個々の量子ドットの大きさ、形状、量子ド
ットの分散の度合いは、アンチサーファクタントの供給
量、量子ドットの成長温度、結晶層Ａの材料の組成をパ
ラメータとして変化させることによって制御することが
できる。量子ドットを成長させるときの結晶成長方法
は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥなどが挙げられる。
ットの分散の度合いは、アンチサーファクタントの供給
量、量子ドットの成長温度、結晶層Ａの材料の組成をパ
ラメータとして変化させることによって制御することが
できる。量子ドットを成長させるときの結晶成長方法
は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥなどが挙げられる。
【００３１】結晶基板は、ＧａＮ系結晶が成長可能なも
のであればよく、例えば、従来からＧａＮ系結晶を成長
させる際に汎用されている、サファイア、水晶、ＳｉＣ
等が挙げられる。なかでも、サファイアのＣ面、Ａ面、
６Ｈ−ＳｉＣ基板、特にＣ面サファイア基板が好まし
い。またこれら材料の表面に、ＧａＮ系結晶との格子定
数や熱膨張係数の違いを緩和するためのＺｎＯ、ＭｇＯ
やＡｌＮ等のバッファー層を設けたものであっても良
く、さらにはＧａＮ系結晶の薄膜を表層に有するもので
もよい。図１の例では、基礎となるサファイア結晶基板
１ａ上に、格子整合性を改善するためのバッファー層１
ｂが形成されたものを結晶基板１として用いている。
のであればよく、例えば、従来からＧａＮ系結晶を成長
させる際に汎用されている、サファイア、水晶、ＳｉＣ
等が挙げられる。なかでも、サファイアのＣ面、Ａ面、
６Ｈ−ＳｉＣ基板、特にＣ面サファイア基板が好まし
い。またこれら材料の表面に、ＧａＮ系結晶との格子定
数や熱膨張係数の違いを緩和するためのＺｎＯ、ＭｇＯ
やＡｌＮ等のバッファー層を設けたものであっても良
く、さらにはＧａＮ系結晶の薄膜を表層に有するもので
もよい。図１の例では、基礎となるサファイア結晶基板
１ａ上に、格子整合性を改善するためのバッファー層１
ｂが形成されたものを結晶基板１として用いている。
【００３２】
【実施例】本実施例では、図１に示す構造のＬＥＤを実
際に製作した。該ＬＥＤ中における量子ドット構造３
は、ｎ型ＡｌＧａＮ層Ａと、この層上面に分散して形成
されたＧａＮ量子ドットｄと、この量子ドットｄを埋め
込んで前記層Ａ上に成長したｐ型ＡｌＧａＮ層Ｂとから
なるものである。
際に製作した。該ＬＥＤ中における量子ドット構造３
は、ｎ型ＡｌＧａＮ層Ａと、この層上面に分散して形成
されたＧａＮ量子ドットｄと、この量子ドットｄを埋め
込んで前記層Ａ上に成長したｐ型ＡｌＧａＮ層Ｂとから
なるものである。
【００３３】〔結晶基板１の形成〕最も基礎の結晶基板
１ａとしてはサファイアＣ面基板を用いた。まずこのサ
ファイア基板１ａをＭＯＣＶＤ装置内に配置し、水素雰
囲気下で１２００℃まで昇温し、サーマルエッチングを
行った。その後温度を５００℃まで下げＡｌ原料として
トリメチルアルミニウム（以下ＴＭＡ）、Ｎ原料として
アンモニアを流し、ＡｌＮ低温バッファー層１ｂを３０
ｎｍ成長させ、結晶基板１を得た。
１ａとしてはサファイアＣ面基板を用いた。まずこのサ
ファイア基板１ａをＭＯＣＶＤ装置内に配置し、水素雰
囲気下で１２００℃まで昇温し、サーマルエッチングを
行った。その後温度を５００℃まで下げＡｌ原料として
トリメチルアルミニウム（以下ＴＭＡ）、Ｎ原料として
アンモニアを流し、ＡｌＮ低温バッファー層１ｂを３０
ｎｍ成長させ、結晶基板１を得た。
【００３４】〔ｎ型コンタクト層２の形成〕成長温度を
１０００℃に昇温し、Ｇａ原料としてトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア、ドーパント原
料としてシランを流し、ｎ型ＧａＮコンタクト層２を３
μｍ成長させた。
１０００℃に昇温し、Ｇａ原料としてトリメチルガリウ
ム（ＴＭＧ）、Ｎ原料としてアンモニア、ドーパント原
料としてシランを流し、ｎ型ＧａＮコンタクト層２を３
μｍ成長させた。
【００３５】〔量子ドット構造３の形成〕 層Ａの形成；成長温度を１１００℃とし、ＴＭＡ、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、ドーパント原料としてシランを供給
し、ｎ型ＡｌＧａＮ層Ａを０．５μｍ成長させた。 層Ａ上面の表面処理；成長温度を１０００℃とし、Ｈ
2 ガスをキャリアとしてテトラエチルシランを供給し、
層Ａ上面に１０秒間接触させた。 量子ドットｄの形成；ＴＭＧ、アンモニアを供給し、
ＧａＮ量子ドットｄを形成した。量子ドットの高さｈの
平均は６ｎｍ、幅ｗの平均は４０ｎｍであった。また、
結晶層Ａの上面における量子ドットの分散の度合い（密
度、即ち単位面積当たりの量子ドットの数）ρは、約３
×１０9 ｃｍ-2であった。 層Ｂの形成；成長温度を１１００℃とし、ＴＭＡ、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、ドーパント原料としてビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を供給し、ｐ
型ＡｌＧａＮ層Ｂを０．５μｍ成長させ、量子ドット構
造３を得た。
ＭＧ、アンモニア、ドーパント原料としてシランを供給
し、ｎ型ＡｌＧａＮ層Ａを０．５μｍ成長させた。 層Ａ上面の表面処理；成長温度を１０００℃とし、Ｈ
2 ガスをキャリアとしてテトラエチルシランを供給し、
層Ａ上面に１０秒間接触させた。 量子ドットｄの形成；ＴＭＧ、アンモニアを供給し、
ＧａＮ量子ドットｄを形成した。量子ドットの高さｈの
平均は６ｎｍ、幅ｗの平均は４０ｎｍであった。また、
結晶層Ａの上面における量子ドットの分散の度合い（密
度、即ち単位面積当たりの量子ドットの数）ρは、約３
×１０9 ｃｍ-2であった。 層Ｂの形成；成長温度を１１００℃とし、ＴＭＡ、Ｔ
ＭＧ、アンモニア、ドーパント原料としてビスシクロペ
ンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2 Ｍｇ）を供給し、ｐ
型ＡｌＧａＮ層Ｂを０．５μｍ成長させ、量子ドット構
造３を得た。
【００３６】〔ｐ型コンタクト層４の形成〕成長温度を
１０００℃とし、ＴＭＧ、アンモニア、およびドーパン
ト原料としてＣｐ2 Ｍｇを供給し、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層４を１μｍ成長させた。
１０００℃とし、ＴＭＧ、アンモニア、およびドーパン
ト原料としてＣｐ2 Ｍｇを供給し、ｐ型ＧａＮコンタク
ト層４を１μｍ成長させた。
【００３７】〔電極の形成等〕試料を装置から取り出
し、窒素雰囲気、８００℃で２０分間アニール処理を行
った。最後に、ｐ型コンタクト層４の上にｐ型電極５を
形成し、また、ドライエッチングにより積層体の上面か
らｐ型層と量子ドット構造の一部をエッチング除去し、
ｎ型コンタクト層２の上面を露出させ、ｎ型電極６を形
成し、ＬＥＤとした。
し、窒素雰囲気、８００℃で２０分間アニール処理を行
った。最後に、ｐ型コンタクト層４の上にｐ型電極５を
形成し、また、ドライエッチングにより積層体の上面か
らｐ型層と量子ドット構造の一部をエッチング除去し、
ｎ型コンタクト層２の上面を露出させ、ｎ型電極６を形
成し、ＬＥＤとした。
【００３８】このＬＥＤを、Ｔｏ−１８ステム台にマウ
ントし、２０ｍＡでの光度の測定を行ったところ、１０
０ｍｃｄであった。また、発光波長を測定したところ、
通常のＧａＮの発光波長から約８０ｍｅＶ短波長側へず
れており、量子サイズ効果によると考えられるブルーシ
フトが観察された。
ントし、２０ｍＡでの光度の測定を行ったところ、１０
０ｍｃｄであった。また、発光波長を測定したところ、
通常のＧａＮの発光波長から約８０ｍｅＶ短波長側へず
れており、量子サイズ効果によると考えられるブルーシ
フトが観察された。
【００３９】比較例１ 実施例１における量子ドットの密度ρを３×１０5 ｃｍ
-2としたこと以外は、実施例１と同様にＬＥＤを作製し
た。このＬＥＤについて、実施例１と同様に２０ｍＡで
の光度および発光波長の測定を行ったところ、発光波長
のブルーシフトは観察されたが、光度は１０ｍｃｄであ
った。
-2としたこと以外は、実施例１と同様にＬＥＤを作製し
た。このＬＥＤについて、実施例１と同様に２０ｍＡで
の光度および発光波長の測定を行ったところ、発光波長
のブルーシフトは観察されたが、光度は１０ｍｃｄであ
った。
【００４０】比較例２ 実施例１における量子ドットの密度ρを３×１０14ｃｍ
-2としたこと以外は、実施例１と同様にＬＥＤを作製し
た。このＬＥＤについて、実施例１と同様に２０ｍＡで
の光度および発光波長の測定を行ったところ、光度は１
０ｍｃｄであり、発光波長はブルーシフトが無く、通常
のＧａＮの発光波長と同じであった。また、本比較例と
同じ条件にて層Ａ上に量子ドットを形成し、該量子ドッ
トの形成が完了した時点で層Ａ上面をＡＦＭで観察した
ところ、隣合った量子ドット同士が接触し１つに合体し
ていることが確認された。
-2としたこと以外は、実施例１と同様にＬＥＤを作製し
た。このＬＥＤについて、実施例１と同様に２０ｍＡで
の光度および発光波長の測定を行ったところ、光度は１
０ｍｃｄであり、発光波長はブルーシフトが無く、通常
のＧａＮの発光波長と同じであった。また、本比較例と
同じ条件にて層Ａ上に量子ドットを形成し、該量子ドッ
トの形成が完了した時点で層Ａ上面をＡＦＭで観察した
ところ、隣合った量子ドット同士が接触し１つに合体し
ていることが確認された。
【００４１】比較例３ 実施例１における量子ドットの高さｈの平均を６０ｎｍ
とし、幅ｗの平均を５００ｎｍとしたこと以外は、実施
例１と同様にＬＥＤを作製した。このＬＥＤについて、
実施例１と同様に２０ｍＡでの光度および発光波長の測
定を行ったところ、光度は２５ｍｃｄであり、発光波長
はブルーシフトが無く、通常のＧａＮの発光波長と同じ
であった。また、本比較例と同じ条件にて層Ａ上に量子
ドットを形成し、該量子ドットの形成が完了した時点で
層Ａ上面をＡＦＭで観察したところ、隣合った量子ドッ
ト同士が接触し１つに合体していることが確認された。
とし、幅ｗの平均を５００ｎｍとしたこと以外は、実施
例１と同様にＬＥＤを作製した。このＬＥＤについて、
実施例１と同様に２０ｍＡでの光度および発光波長の測
定を行ったところ、光度は２５ｍｃｄであり、発光波長
はブルーシフトが無く、通常のＧａＮの発光波長と同じ
であった。また、本比較例と同じ条件にて層Ａ上に量子
ドットを形成し、該量子ドットの形成が完了した時点で
層Ａ上面をＡＦＭで観察したところ、隣合った量子ドッ
ト同士が接触し１つに合体していることが確認された。
【００４２】比較例４ 比較例３における量子ドットの密度を１×１０5 ｃｍ-2
としたこと以外は、比較例３と同様にＬＥＤを作製し、
本発明による限定範囲よりも大きい量子ドット形状と、
本発明による限定範囲よりも小さい密度とを組合せた場
合の特性を調べた。このＬＥＤについて、２０ｍＡでの
光度、発光波長を測定し、また、同一条件でのサンプル
に対して量子ドットの形成が完了した時点での層Ａ上面
をＡＦＭで観察したところ、隣合った量子ドット同士
は、互いに接触することなく、独立していたが、光度は
１０ｍｃｄであり、発光波長はブルーシフトが無く、通
常のＧａＮの発光波長と同じであった。
としたこと以外は、比較例３と同様にＬＥＤを作製し、
本発明による限定範囲よりも大きい量子ドット形状と、
本発明による限定範囲よりも小さい密度とを組合せた場
合の特性を調べた。このＬＥＤについて、２０ｍＡでの
光度、発光波長を測定し、また、同一条件でのサンプル
に対して量子ドットの形成が完了した時点での層Ａ上面
をＡＦＭで観察したところ、隣合った量子ドット同士
は、互いに接触することなく、独立していたが、光度は
１０ｍｃｄであり、発光波長はブルーシフトが無く、通
常のＧａＮの発光波長と同じであった。
【００４３】
【発明の効果】本発明のＧａＮ系発光素子は、ＧａＮ系
材料からなる量子ドット構造を発光に係る部分として有
するものであり、しかも、量子ドット構造の最適な態様
として、個々の量子ドットの高さ、幅、量子ドットの分
散の度合いの適正な範囲を限定しているので、より高効
率なＧａＮ系発光素子が得られるようになった。
材料からなる量子ドット構造を発光に係る部分として有
するものであり、しかも、量子ドット構造の最適な態様
として、個々の量子ドットの高さ、幅、量子ドットの分
散の度合いの適正な範囲を限定しているので、より高効
率なＧａＮ系発光素子が得られるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＧａＮ系発光素子の一例を示す断面図
である。同図では、説明のために、各層の厚み、量子ド
ット・電極の寸法などを誇張して示しており、実際の比
率とは異なる。また、他の層と区別するために、電極、
層Ａ、Ｂにハッチングを施している。
である。同図では、説明のために、各層の厚み、量子ド
ット・電極の寸法などを誇張して示しており、実際の比
率とは異なる。また、他の層と区別するために、電極、
層Ａ、Ｂにハッチングを施している。
１ 結晶基板 ２ ｎ型コンタクト層 ３ 量子ドット構造 ４ ｐ型コンタクト層 Ａ 量子ドット構造を構成するＧａＮ系結晶層 ｄ 量子ドット構造を構成する個々の量子ドット Ｂ 量子ドット構造を構成するＧａＮ系結晶層 ５ ｐ型電極 ６ ｎ型電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 悟 北海道札幌市中央区宮の森一条13丁目２− ３ ソレアード宮の森３−２ (72)発明者 青柳 克信 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 (72)発明者 大内 洋一郎 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 岡川 広明 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 只友 一行 兵庫県伊丹市池尻４丁目３番地 三菱電線 工業株式会社伊丹製作所内
Claims (5)
- 【請求項１】 量子ドット構造を発光に係る部分として
有するＧａＮ系半導体発光素子であって、 前記量子ドット構造は、ＧａＮ系材料からなる結晶層
（Ａ）と、この層上面に分散して形成されたＧａＮ系材
料からなる量子ドットと、この量子ドットを埋め込んで
前記層上に成長したＧａＮ系材料からなる結晶層（Ｂ）
とを有する構造であり、 結晶層（Ａ）および結晶層（Ｂ）の材料の各々のバンド
ギャップは、量子ドットの材料のバンドギャップよりも
大きく、 各層の層厚方向についての各々の量子ドットの寸法を高
さｈとし、各層の拡がる方向についての各々の量子ドッ
トの寸法を幅ｗとし、結晶層（Ａ）の上面における量子
ドットの分散の度合いを密度ρとして、０．５ｎｍ≦ｈ
≦５０ｎｍ、０．５ｎｍ≦ｗ≦２００ｎｍ、１０6 ｃｍ
-2≦ρ≦１０13ｃｍ-2、であることを特徴とするＧａＮ
系半導体発光素子。 - 【請求項２】 結晶層（Ａ）と結晶層（Ｂ）とが、互い
に異なる伝導型である請求項１記載のＧａＮ系半導体発
光素子。 - 【請求項３】 量子ドットが、不純物をドーピングされ
たＧａＮ系材料からなるものである請求項１記載のＧａ
Ｎ系半導体発光素子。 - 【請求項４】 量子ドットに用いられるＧａＮ系材料を
ドット材料とよび、結晶層（Ａ）に用いられるＧａＮ系
材料をベース材料とよぶとして、ドット材料とベース材
料とが下記（ｉ）の格子整合性を満たす関係にあり、結
晶層（Ａ）の層上面の表面状態がアンチサーファクタン
トによって変化させられたことによって、ドット材料が
結晶層（Ａ）の層上面に量子ドットとして成長したもの
である請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子。 （ｉ）結晶層（Ａ）上面の表面状態を変化させるような
表面処理を施すことなく結晶層（Ａ）上面にドット材料
を直接的に結晶成長させたとき、ドット材料が結晶層
（Ａ）の層上面に膜状に結晶成長し得るようなドット材
料とベース材料との格子整合性。 - 【請求項５】 結晶層（Ａ）、量子ドット、結晶層
（Ｂ）のうちの１以上のものが、Ｂ、Ａｓ、Ｐから選ば
れる１以上の元素を含有するＧａＮ系材料からなるもの
である請求項１記載のＧａＮ系半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15610498A JPH11354842A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | ＧａＮ系半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15610498A JPH11354842A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | ＧａＮ系半導体発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354842A true JPH11354842A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15620404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15610498A Pending JPH11354842A (ja) | 1998-06-04 | 1998-06-04 | ＧａＮ系半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11354842A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6541797B1 (en) * | 1997-12-04 | 2003-04-01 | Showa Denko K. K. | Group-III nitride semiconductor light-emitting device |
| US6610606B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-08-26 | Shiro Sakai | Method for manufacturing nitride compound based semiconductor device using an RIE to clean a GaN-based layer |
| KR100416493B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2004-01-31 | 광주과학기술원 | 백색 발광 장치 및 그 제조방법 |
| US6861270B2 (en) | 2000-06-01 | 2005-03-01 | Shiro Sakai | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor and light emitting element |
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| JP2006140357A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| KR100754396B1 (ko) | 2006-02-16 | 2007-08-31 | 삼성전자주식회사 | 양자점 발광소자 및 그 제조방법 |
| USRE40163E1 (en) | 2000-11-30 | 2008-03-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor light-emitting element |
| USRE40485E1 (en) | 2000-12-04 | 2008-09-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Semiconductor light-emitting element |
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| KR100974789B1 (ko) | 2003-01-13 | 2010-08-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화갈륨계 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| CN116093223A (zh) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
-
1998
- 1998-06-04 JP JP15610498A patent/JPH11354842A/ja active Pending
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