JPH1136086A - エッチング方法とエッチング装置 - Google Patents
エッチング方法とエッチング装置Info
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- JPH1136086A JPH1136086A JP20992797A JP20992797A JPH1136086A JP H1136086 A JPH1136086 A JP H1136086A JP 20992797 A JP20992797 A JP 20992797A JP 20992797 A JP20992797 A JP 20992797A JP H1136086 A JPH1136086 A JP H1136086A
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- etching
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- shaped electrode
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエットエッチングとドライエッチングを並
用することで、それぞれのエッチングの長所を利用す
る。 【解決手段】 水晶やリチウムタンタレート等の圧電性
を有した基板１２上にアルミニウム等を主成分とする金
属薄膜１４の櫛形電極１１のパターンを形成する際に、
精度が良好なドライエッチング方法で、アルミニウム等
を主成分とする金属薄膜１４の６〜９割程度をエッチン
グしたところでドライエッチングをやめる。次に、基板
１２への損傷が少ないウエットエッチング方法に切り換
え、このウェットエッチングにより金属薄膜１４のエッ
チングを完了させる。
用することで、それぞれのエッチングの長所を利用す
る。 【解決手段】 水晶やリチウムタンタレート等の圧電性
を有した基板１２上にアルミニウム等を主成分とする金
属薄膜１４の櫛形電極１１のパターンを形成する際に、
精度が良好なドライエッチング方法で、アルミニウム等
を主成分とする金属薄膜１４の６〜９割程度をエッチン
グしたところでドライエッチングをやめる。次に、基板
１２への損傷が少ないウエットエッチング方法に切り換
え、このウェットエッチングにより金属薄膜１４のエッ
チングを完了させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、弾性表面波フィ
ルターの櫛形電極やグレーティング反射器等を作成する
エッチング方法と、その方法を用いたエッチング装置に
関する。
ルターの櫛形電極やグレーティング反射器等を作成する
エッチング方法と、その方法を用いたエッチング装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図６、図８に示すように、弾性表
面波（以下ＳＡＷと称す）フィルターの櫛形電極１や反
射器を形成するエッチング方法は、酸によるウエットエ
ッチング、又はＲＩＥ等のドライエッチングが用いられ
ていた。また、エッチング装置についても、ウエットエ
ッチングとドライエッチングでは、別々の装置が使用さ
れていた。
面波（以下ＳＡＷと称す）フィルターの櫛形電極１や反
射器を形成するエッチング方法は、酸によるウエットエ
ッチング、又はＲＩＥ等のドライエッチングが用いられ
ていた。また、エッチング装置についても、ウエットエ
ッチングとドライエッチングでは、別々の装置が使用さ
れていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術の場
合、ウエットエッチングでは、内部方向にエッチングし
過ぎたり、図７、図８に示すように、エッチング方向に
外側斜面が形成されるアンダーエッチング等により、パ
ターン精度が十分に得られないという問題があった。従
って、フィルタの中心周波数にバラツキが発生し、ま
た、アルミニウムを主成分とする櫛形電極１の側面が斜
面状になり、表面波の反射が十分に得られず、挿入損失
が増加する問題もあった。また、ドライエッチングで
は、図５に示すように基板３の表面でただちにエッチン
グを終わらないと、基板３がプラズマによって損傷を受
けてしまうという問題がった。さらに基板３の位置によ
りエッチングレートにバラツキが生じやすく、フィルタ
としての挿入損失が増加し、歩留りが悪くなる問題があ
った。
合、ウエットエッチングでは、内部方向にエッチングし
過ぎたり、図７、図８に示すように、エッチング方向に
外側斜面が形成されるアンダーエッチング等により、パ
ターン精度が十分に得られないという問題があった。従
って、フィルタの中心周波数にバラツキが発生し、ま
た、アルミニウムを主成分とする櫛形電極１の側面が斜
面状になり、表面波の反射が十分に得られず、挿入損失
が増加する問題もあった。また、ドライエッチングで
は、図５に示すように基板３の表面でただちにエッチン
グを終わらないと、基板３がプラズマによって損傷を受
けてしまうという問題がった。さらに基板３の位置によ
りエッチングレートにバラツキが生じやすく、フィルタ
としての挿入損失が増加し、歩留りが悪くなる問題があ
った。
【０００４】この発明は、上記従来の技術の問題に鑑み
てなされたものであり、ウエットエッチングとドライエ
ッチングを並用することで、それぞれのエッチングの長
所を利用した弾性表面波フィルタの電極エッチング方法
とエッチング装置を提供することを目的とする。
てなされたものであり、ウエットエッチングとドライエ
ッチングを並用することで、それぞれのエッチングの長
所を利用した弾性表面波フィルタの電極エッチング方法
とエッチング装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、水晶やリチ
ウムタンタレート等の圧電性を有した基板上にアルミニ
ウム等を主成分とする金属薄膜の櫛形電極パターンを形
成する際に、精度が良好なドライエッチング方法でアル
ミニウム等を主成分とする金属薄膜の６〜９割程度をエ
ッチングしたところでドライエッチングをやめ、基板へ
の損傷が少ないウエットエッチング方法に切り換え、こ
のウェットエッチングにより上記金属薄膜のエッチング
を完了させる弾性表面波フィルタの電極エッチング方法
である。
ウムタンタレート等の圧電性を有した基板上にアルミニ
ウム等を主成分とする金属薄膜の櫛形電極パターンを形
成する際に、精度が良好なドライエッチング方法でアル
ミニウム等を主成分とする金属薄膜の６〜９割程度をエ
ッチングしたところでドライエッチングをやめ、基板へ
の損傷が少ないウエットエッチング方法に切り換え、こ
のウェットエッチングにより上記金属薄膜のエッチング
を完了させる弾性表面波フィルタの電極エッチング方法
である。
【０００６】またこの発明は、所定のパターンを形成す
るアルミニウム等を主成分とする金属薄膜が圧電性の基
板上に設けられ、この基板上の金属薄膜を所定のパター
ンにエッチングするエッチング装置において、ドライエ
ッチングにより所望のエッチング量の半分以上を行うド
ライエッチング部と、ウエットエッチングにより上記基
板表面にまで届くエッチングを行うウエットエッチング
部とを一体の装置内に有し、自動移送装置によりドライ
エッチング部と、ウエットエッチング部間の移送を行う
エッチング装置である。
るアルミニウム等を主成分とする金属薄膜が圧電性の基
板上に設けられ、この基板上の金属薄膜を所定のパター
ンにエッチングするエッチング装置において、ドライエ
ッチングにより所望のエッチング量の半分以上を行うド
ライエッチング部と、ウエットエッチングにより上記基
板表面にまで届くエッチングを行うウエットエッチング
部とを一体の装置内に有し、自動移送装置によりドライ
エッチング部と、ウエットエッチング部間の移送を行う
エッチング装置である。
【０００７】この発明の弾性表面波フィルタの電極エッ
チング方法とエッチング装置は、ウエットエチングによ
る安定なエッチングと、精度の良いドライエッチングを
適度に組み合わせ、迅速且つ正確で歩留の良いエッチン
グを可能にしたものである。
チング方法とエッチング装置は、ウエットエチングによ
る安定なエッチングと、精度の良いドライエッチングを
適度に組み合わせ、迅速且つ正確で歩留の良いエッチン
グを可能にしたものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態につい
て図面に基づいて説明する。図１、図２はこの発明の実
施の形態のエッチング方法により得られたアルミニウム
等を主成分とする金属薄膜の櫛形電極１１の一部の拡大
図を示す。この実施形態のＳＡＷフィルタは、水晶やリ
チウムタンタレート等の圧電性を有した基板１２の表面
に、アルミニウム等を主成分とする金属薄膜１４により
櫛形電極１１が形成されている。櫛形電極１１は、各々
交互に所定のピッチで対向して設けられ、この櫛形電極
１１の両側方には、等ピッチに金属薄膜１４によるパタ
ーンが形成されたグレーティング反射器が各々配置され
ている。このピッチは、所望の中心周波数で同期する波
長に対応したものである。
て図面に基づいて説明する。図１、図２はこの発明の実
施の形態のエッチング方法により得られたアルミニウム
等を主成分とする金属薄膜の櫛形電極１１の一部の拡大
図を示す。この実施形態のＳＡＷフィルタは、水晶やリ
チウムタンタレート等の圧電性を有した基板１２の表面
に、アルミニウム等を主成分とする金属薄膜１４により
櫛形電極１１が形成されている。櫛形電極１１は、各々
交互に所定のピッチで対向して設けられ、この櫛形電極
１１の両側方には、等ピッチに金属薄膜１４によるパタ
ーンが形成されたグレーティング反射器が各々配置され
ている。このピッチは、所望の中心周波数で同期する波
長に対応したものである。
【０００９】この実施形態のＳＡＷフィルタの櫛形電極
１１の製造に際しては、上記グレーティング反射器も同
時に形成するものであるが、ここでは櫛形電極を例に説
明する。この櫛形電極１１の形成はエッチングにより行
うもので、図３に示すように、金属薄膜１４の表面に、
感光性のレジスト液１６を塗付し、レジスト液１６を乾
燥させた後、所定の位置にマスク１８をあわせて感光さ
せる。このとき、黒くマスクされた部位２０は光を通さ
ず、透明な部位２２だけが光を通す。そして、透明な部
位２２にあるレジスト膜１６が感光し、感光したレジス
ト膜２４が反応するため、現像液で現像すると、マスク
１８と感光したレジスト膜が除去され、感光しないレジ
スト膜２４が残る。
１１の製造に際しては、上記グレーティング反射器も同
時に形成するものであるが、ここでは櫛形電極を例に説
明する。この櫛形電極１１の形成はエッチングにより行
うもので、図３に示すように、金属薄膜１４の表面に、
感光性のレジスト液１６を塗付し、レジスト液１６を乾
燥させた後、所定の位置にマスク１８をあわせて感光さ
せる。このとき、黒くマスクされた部位２０は光を通さ
ず、透明な部位２２だけが光を通す。そして、透明な部
位２２にあるレジスト膜１６が感光し、感光したレジス
ト膜２４が反応するため、現像液で現像すると、マスク
１８と感光したレジスト膜が除去され、感光しないレジ
スト膜２４が残る。
【００１０】その後、先ず、ＲＩＥ等のドライエッチン
グで金属薄膜１４の６〜９割程度をエッチングする。こ
の後、エッチングが基板１２に達する前にウエットエッ
チングに切り換え、金属薄膜１４のエッチングを完了さ
せる。
グで金属薄膜１４の６〜９割程度をエッチングする。こ
の後、エッチングが基板１２に達する前にウエットエッ
チングに切り換え、金属薄膜１４のエッチングを完了さ
せる。
【００１１】このエッチング方法は、図４に示すエッチ
ング装置３０により一連の工程として自動的に行われ
る。このエッチング装置３０は、ＲＩＥ等の反応性ガス
プラズマによりエッチングを行うドライエッチングによ
り、所望のエッチング量の半分以上を行うドライエッチ
ング部３２と、酸によるウエットエッチングにより基板
１２表面にまで届くエッチングを行うウエットエッチン
グ部３４とを一体の装置内に有する。そして、自動移送
装置３６によりドライエッチング部３２と、ウエットエ
ッチング部３４間の移送を行う。エッチング装置３０
は、さらに制御部３８と、ガス供給部４０、吸水部４２
等を有し、一連の工程を所定のプログラムにより自動的
に行う。
ング装置３０により一連の工程として自動的に行われ
る。このエッチング装置３０は、ＲＩＥ等の反応性ガス
プラズマによりエッチングを行うドライエッチングによ
り、所望のエッチング量の半分以上を行うドライエッチ
ング部３２と、酸によるウエットエッチングにより基板
１２表面にまで届くエッチングを行うウエットエッチン
グ部３４とを一体の装置内に有する。そして、自動移送
装置３６によりドライエッチング部３２と、ウエットエ
ッチング部３４間の移送を行う。エッチング装置３０
は、さらに制御部３８と、ガス供給部４０、吸水部４２
等を有し、一連の工程を所定のプログラムにより自動的
に行う。
【００１２】この実施形態のエッチング方法と装置によ
れば、図１、図２に示すように、エッチング面が基板１
２に対して垂直に精度良く形成されるドライエッチング
端面１１ａと、基板１２に損傷を与えないウエットエチ
ング端面１１ｂが形成される。従って、櫛形電極１１の
端面は基板１２に対して垂直方向に正確にエッチングさ
れ、しかも、金属薄膜１４の位置によりドライエッチン
グの状況が異なっても、基板１２に達する前にウエット
エッチングに切り換えることにより、安定に基板１２に
損傷を与えないエッチングが行われる。これにより、フ
ィルタ特性の良い櫛形電極１１及びグレーティング反射
器を形成することができ、しかも迅速且つ正確で歩留の
良いエッチングを可能にしたものである。
れば、図１、図２に示すように、エッチング面が基板１
２に対して垂直に精度良く形成されるドライエッチング
端面１１ａと、基板１２に損傷を与えないウエットエチ
ング端面１１ｂが形成される。従って、櫛形電極１１の
端面は基板１２に対して垂直方向に正確にエッチングさ
れ、しかも、金属薄膜１４の位置によりドライエッチン
グの状況が異なっても、基板１２に達する前にウエット
エッチングに切り換えることにより、安定に基板１２に
損傷を与えないエッチングが行われる。これにより、フ
ィルタ特性の良い櫛形電極１１及びグレーティング反射
器を形成することができ、しかも迅速且つ正確で歩留の
良いエッチングを可能にしたものである。
【００１３】
【発明の効果】この発明のエッチング方法と装置は、基
板への損傷が少なく、金属薄膜のエッチングを高精度に
可能にし、精密なパターンを形成できる。従って、ＳＡ
Ｗフィルタの中心周波数のバラツキや挿入損失等のフィ
ルター特性の悪化を防止でき、さらに歩留りも向上させ
ることができる。
板への損傷が少なく、金属薄膜のエッチングを高精度に
可能にし、精密なパターンを形成できる。従って、ＳＡ
Ｗフィルタの中心周波数のバラツキや挿入損失等のフィ
ルター特性の悪化を防止でき、さらに歩留りも向上させ
ることができる。
【図１】この発明の一実施形態のエッチング方法でエッ
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大斜視図である。
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大斜視図である。
【図２】この発明の一実施形態のエッチング方法でエッ
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大平面図である。
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大平面図である。
【図３】この発明の実施形態のエッチング工程を示す流
れ図である。
れ図である。
【図４】この発明の実施形態のエッチング装置の概略図
である。
である。
【図５】従来の技術のドライエッチング方法でエッチン
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大斜視図である。
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大斜視図である。
【図５】従来の技術のドライエッチング方法でエッチン
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大平面図である。
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大平面図である。
【図６】従来の技術のウエットエッチング方法でエッチ
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大斜視図である。
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大斜視図である。
【図７】従来の技術のウエットエッチング方法でエッチ
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大平面図である。
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大平面図である。
１１ 櫛形電極 １２ 基板 １４ 金属薄膜 １６ レジスト膜 １８ マスク
【手続補正書】
【提出日】平成９年１０月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態のエッチング方法でエッ
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大斜視図である。
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大斜視図である。
【図２】この発明の一実施形態のエッチング方法でエッ
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大平面図である。
チングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パター
ンの部分拡大平面図である。
【図３】この発明の実施形態のエッチング工程を示す流
れ図である。
れ図である。
【図４】この発明の実施形態のエッチング装置の概略図
である。
である。
【図５】従来の技術のドライエッチング方法でエッチン
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大斜視図である。
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大斜視図である。
【図６】従来の技術のドライエッチング方法でエッチン
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大平面図である。
グしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターンの
部分拡大平面図である。
【図７】従来の技術のウエットエッチング方法でエッチ
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大斜視図である。
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大斜視図である。
【図８】従来の技術のウエットエッチング方法でエッチ
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大平面図である。
ングしたアルミニウムを主成分とする櫛形電極パターン
の部分拡大平面図である。
【符号の説明】 １１ 櫛形電極 １２ 基板 １４ 金属薄膜 １６ レジスト膜 １８ マスク
Claims (3)
- 【請求項１】 弾性表面波フィルタの導体パターンを
形成する金属薄膜を圧電性の基板上に設け、先ずドライ
エッチングにより所望のエッチング量の半分以上を行
い、この後、ウエットエッチングにより上記基板表面に
まで届くエッチングを行うエッチング方法。 - 【請求項２】 上記導体パターンは、弾性表面波フィ
ルタの櫛形電極及びグレーティング反射器のパターンで
ある請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 所定のパターンを形成する金属薄膜が
圧電性の基板上に設けられ、この基板上の金属薄膜を所
定のパターンにエッチングするエッチング装置におい
て、ドライエッチングにより所望のエッチング量の半分
以上を行うドライエッチング部と、ウエットエッチング
により上記基板表面にまで届くエッチングを行うウエッ
トエッチング部とを有したエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20992797A JPH1136086A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | エッチング方法とエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20992797A JPH1136086A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | エッチング方法とエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1136086A true JPH1136086A (ja) | 1999-02-09 |
Family
ID=16580971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20992797A Pending JPH1136086A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | エッチング方法とエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1136086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009067004A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Nissha Printing Co Ltd | 加飾シートとその製造方法、加飾成形品 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP20992797A patent/JPH1136086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009067004A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Nissha Printing Co Ltd | 加飾シートとその製造方法、加飾成形品 |
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