JPH113620A - 酸化物超電導線材およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導線材およびその製造方法Info
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- JPH113620A JPH113620A JP9152410A JP15241097A JPH113620A JP H113620 A JPH113620 A JP H113620A JP 9152410 A JP9152410 A JP 9152410A JP 15241097 A JP15241097 A JP 15241097A JP H113620 A JPH113620 A JP H113620A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い臨界電流密度の超電導体膜を有する酸化
物超電導線材およびその製造方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】 ｛１００｝面が圧延面に平行で＜００１
＞軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有する多結晶金
属基板と、この多結晶金属基板の表面に形成された前記
多結晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層と、この酸化
物結晶層の表面に形成された酸化物超電導体層とを具備
し、前記酸化物結晶層の９０％以上の｛１００｝面が前
記多結晶金属基板の表面に対して１０°以下の角度で平
行であることを特徴とする。
物超電導線材およびその製造方法を提供することを目的
とする。 【解決手段】 ｛１００｝面が圧延面に平行で＜００１
＞軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有する多結晶金
属基板と、この多結晶金属基板の表面に形成された前記
多結晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層と、この酸化
物結晶層の表面に形成された酸化物超電導体層とを具備
し、前記酸化物結晶層の９０％以上の｛１００｝面が前
記多結晶金属基板の表面に対して１０°以下の角度で平
行であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物超電導体を
用いた超電導線材およびその製造方法に関する。
用いた超電導線材およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導体を用いた超電導線材の製
造方法としては、主として次の２つの方法に分類され
る。第１の方法は、多結晶の金属シース中に酸化物超電
導粉末を充填し、これに伸線加工または圧延加工を施し
て、テープ状線材とするものである。この方法によれ
ば、金属シース内部に充填された超電導粉末は、加工に
よって金属シースとともに引き延ばされ、連続的で一様
な超電導テープの前駆体が形成される。この前駆体に、
加工中または加工後に適当な熱処理を施すことによっ
て、酸化物超電導粉末を反応させ、酸化物超電導テープ
状線材が得られる。
造方法としては、主として次の２つの方法に分類され
る。第１の方法は、多結晶の金属シース中に酸化物超電
導粉末を充填し、これに伸線加工または圧延加工を施し
て、テープ状線材とするものである。この方法によれ
ば、金属シース内部に充填された超電導粉末は、加工に
よって金属シースとともに引き延ばされ、連続的で一様
な超電導テープの前駆体が形成される。この前駆体に、
加工中または加工後に適当な熱処理を施すことによっ
て、酸化物超電導粉末を反応させ、酸化物超電導テープ
状線材が得られる。
【０００３】この手法により得られた超電導テープ状線
材の典型例として、Ｂｉ系酸化物超電導体（Ｂｉ２２１
２、Ｂｉ２２２３）を多結晶の銀あるいは銀合金のシー
スで接合被覆した超電導テープ線材が挙げられる（文
献：ＩＳＴＥＣ Ｊｏｕｒｎａｌ，ｖｏｌ．８、Ｎ０．
２、Ｉ９９５、ｐｐ．４６−５１）。この線材は、酸化
物超電導体のｃ軸の結晶配向度が９０％程度、ａ軸、ｂ
軸の結晶整合性が６０％以下と悪い。その結果として、
例えばＢｉ２２２３系線材の７７Ｋ、ゼロテスラにおけ
る臨界電流密度Ｊc は、高々４〜６×１０4 Ａ／ｃｍ2
程度である。但し、この線材の製造方法は、製造速度が
１００ｍ／ｈと早いため、工業的に魅力がある方法とい
える。
材の典型例として、Ｂｉ系酸化物超電導体（Ｂｉ２２１
２、Ｂｉ２２２３）を多結晶の銀あるいは銀合金のシー
スで接合被覆した超電導テープ線材が挙げられる（文
献：ＩＳＴＥＣ Ｊｏｕｒｎａｌ，ｖｏｌ．８、Ｎ０．
２、Ｉ９９５、ｐｐ．４６−５１）。この線材は、酸化
物超電導体のｃ軸の結晶配向度が９０％程度、ａ軸、ｂ
軸の結晶整合性が６０％以下と悪い。その結果として、
例えばＢｉ２２２３系線材の７７Ｋ、ゼロテスラにおけ
る臨界電流密度Ｊc は、高々４〜６×１０4 Ａ／ｃｍ2
程度である。但し、この線材の製造方法は、製造速度が
１００ｍ／ｈと早いため、工業的に魅力がある方法とい
える。
【０００４】第２の方法は、長尺の金属テープ上に結晶
配向制御した中間層を設け、その上に酸化物超電導体を
成膜するものである。この方法では、特に中間層が重要
な役割を果たしている。すなわち、中間層は成膜中の金
属層と酸化物超電導層間の拡散反応を抑制するだけでな
く、結晶配向制御されていることから、その上に成膜し
た酸化物超電導層の配向性も容易に制御することができ
るという特徴を有している。その結果、結晶粒間の結合
性が向上し、従来の方法では得られなかった高い臨界電
流密度が容易に得られるようになる。
配向制御した中間層を設け、その上に酸化物超電導体を
成膜するものである。この方法では、特に中間層が重要
な役割を果たしている。すなわち、中間層は成膜中の金
属層と酸化物超電導層間の拡散反応を抑制するだけでな
く、結晶配向制御されていることから、その上に成膜し
た酸化物超電導層の配向性も容易に制御することができ
るという特徴を有している。その結果、結晶粒間の結合
性が向上し、従来の方法では得られなかった高い臨界電
流密度が容易に得られるようになる。
【０００５】この手法により得られた超電導テープ状線
材の典型例は、ハステロイ合金テープ上に、イオンビー
ムアシステッドデポジシヨン（ＩＢＡＤ）法などにより
結晶配向制御した安定化ジルコニア（ＹＳＺ）をｃ軸配
向およびａ，ｂ軸整合（面内配向）成膜し、その上にレ
ーザーアブレーション法によりＹ１２３（ＹＢａ2 Ｃｕ
3 ０7-y ）系酸化物超電導薄膜を成膜して得たテープ状
線材が挙げられる。このテープ状線材は、ａ，ｂ軸の結
晶整合度が高いため、Ｊc は、７７Ｋ、ゼロテスラにお
いて０．５〜１．０×１０6 Ａ／ｃｍ2 に達する。
材の典型例は、ハステロイ合金テープ上に、イオンビー
ムアシステッドデポジシヨン（ＩＢＡＤ）法などにより
結晶配向制御した安定化ジルコニア（ＹＳＺ）をｃ軸配
向およびａ，ｂ軸整合（面内配向）成膜し、その上にレ
ーザーアブレーション法によりＹ１２３（ＹＢａ2 Ｃｕ
3 ０7-y ）系酸化物超電導薄膜を成膜して得たテープ状
線材が挙げられる。このテープ状線材は、ａ，ｂ軸の結
晶整合度が高いため、Ｊc は、７７Ｋ、ゼロテスラにお
いて０．５〜１．０×１０6 Ａ／ｃｍ2 に達する。
【０００６】しかし、このプロセスの欠点は、成膜速度
が０．００１〜０．０１ｍ／ｈと極めて遅く、長尺の線
材を製造するには工業的には問題が多いことである（文
献：Ｙ．Ｉｉｊｉｍａ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．ｖｏｌ．６０（１９９２）７６９）。
が０．００１〜０．０１ｍ／ｈと極めて遅く、長尺の線
材を製造するには工業的には問題が多いことである（文
献：Ｙ．Ｉｉｊｉｍａ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈ
ｙｓ．Ｌｅｔｔ．ｖｏｌ．６０（１９９２）７６９）。
【０００７】また、同様の例として、ＲＡＢｉＴＳ法と
呼ばれる方法がある（文献：Ｄ．Ｐ．Ｎｏｒｔｏｎ ｅ
ｔ ａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ ｖｏｌ．２７４（１９９
６）７５５）。この方法は、ニッケル金属に圧延加工と
熱処理を加えていわゆる集合組織化したニッケルテープ
とし、この上にＡｇやＰｄ等を電子ビーム蒸着したり、
あるいはＣｅＯ2 やＹＳＺなどをスパッ夕法などを用い
て成膜して面内配向した中間層を形成し、その後さらに
その上に、レーザーアブレーション法によりＹ１２３系
薄膜を成膜する方法である。この方法により得たテープ
状線材も、ａ，ｂ軸の結晶整合度が高いため、７７Ｋ、
ゼロテスラにおいて０．７×１Ｏ6 Ａ／ｃｍ2 に達する
Ｊc が得られている。
呼ばれる方法がある（文献：Ｄ．Ｐ．Ｎｏｒｔｏｎ ｅ
ｔ ａｌ．，Ｓｃｉｅｎｃｅ ｖｏｌ．２７４（１９９
６）７５５）。この方法は、ニッケル金属に圧延加工と
熱処理を加えていわゆる集合組織化したニッケルテープ
とし、この上にＡｇやＰｄ等を電子ビーム蒸着したり、
あるいはＣｅＯ2 やＹＳＺなどをスパッ夕法などを用い
て成膜して面内配向した中間層を形成し、その後さらに
その上に、レーザーアブレーション法によりＹ１２３系
薄膜を成膜する方法である。この方法により得たテープ
状線材も、ａ，ｂ軸の結晶整合度が高いため、７７Ｋ、
ゼロテスラにおいて０．７×１Ｏ6 Ａ／ｃｍ2 に達する
Ｊc が得られている。
【０００８】しかし、このプロセスは、中間層の形成に
複雑な繰り返し薄膜形成が必要であり、コストが高くな
り、かつ線材としての製造速度が低く、実用線材の製造
プロセスとしては問題が多い。また、以上の方法は、超
電導膜のＪc 自体は高いが、膜厚を厚くしていくと膜質
が劣化したり、膜にクラックが発生するという問題が発
生し、Ｉc を大きくするのに難点がある。
複雑な繰り返し薄膜形成が必要であり、コストが高くな
り、かつ線材としての製造速度が低く、実用線材の製造
プロセスとしては問題が多い。また、以上の方法は、超
電導膜のＪc 自体は高いが、膜厚を厚くしていくと膜質
が劣化したり、膜にクラックが発生するという問題が発
生し、Ｉc を大きくするのに難点がある。
【０００９】ニッケルテープや銅テープを酸化処理し
て、金属表面上にその酸化物層を形成し、これを中間層
として、この上に酸化物超電導層を成膜した例も報告さ
れている（文献：Ａ．Ｇｉｎｓｂａｃｈ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｈｙｓｉｃａ ＣＩ８５−１８９（１９９１）
２１１１）。この方法は、金属テープを酸化するだけで
金属テープ表面に酸化膜を形成し、これを前述のＹＳＺ
やＣｅＯ2 などと同等の中間層とすることをねらったも
ので、大量生産に適しており、実用的な方法と言うこと
が出来る。
て、金属表面上にその酸化物層を形成し、これを中間層
として、この上に酸化物超電導層を成膜した例も報告さ
れている（文献：Ａ．Ｇｉｎｓｂａｃｈ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｈｙｓｉｃａ ＣＩ８５−１８９（１９９１）
２１１１）。この方法は、金属テープを酸化するだけで
金属テープ表面に酸化膜を形成し、これを前述のＹＳＺ
やＣｅＯ2 などと同等の中間層とすることをねらったも
ので、大量生産に適しており、実用的な方法と言うこと
が出来る。
【００１０】しかしながら、この方法では、酸化物結晶
の配向性を向上させることは考慮されておらず、その結
果、この酸化物層上にスパッター法を用いて成膜された
酸化物超電導層のＪc は、高々１×１０3 Ａ／ｃｍ2 程
度であり、前述の高配向テープ線材に比べて三桁程度Ｊ
c が低くなっている。
の配向性を向上させることは考慮されておらず、その結
果、この酸化物層上にスパッター法を用いて成膜された
酸化物超電導層のＪc は、高々１×１０3 Ａ／ｃｍ2 程
度であり、前述の高配向テープ線材に比べて三桁程度Ｊ
c が低くなっている。
【００１１】更には、Ａｇに圧延加工と熱処理を加える
ことによって集合組織となし、この上に直接酸化物超電
導層を成膜させるという方法も提案されている（文献：
ＩＳＴＥＣＪｏｕｒｎａｌ ｖｏｌ．８、Ｎｏ．２、１
９９５、ｐｐ．４４−４６）。この方法によると、最終
的には面内配向したＡｇの｛１ＯＯ｝面が得られる。Ａ
ｇの格子定数は約４．０９オングストロームであり、酸
化物超電導結晶のｃ軸の格子定数に近く、このような結
晶面に酸化物超電導を気相成長させると、エピタキシャ
ル膜が得られることが報告されている。
ことによって集合組織となし、この上に直接酸化物超電
導層を成膜させるという方法も提案されている（文献：
ＩＳＴＥＣＪｏｕｒｎａｌ ｖｏｌ．８、Ｎｏ．２、１
９９５、ｐｐ．４４−４６）。この方法によると、最終
的には面内配向したＡｇの｛１ＯＯ｝面が得られる。Ａ
ｇの格子定数は約４．０９オングストロームであり、酸
化物超電導結晶のｃ軸の格子定数に近く、このような結
晶面に酸化物超電導を気相成長させると、エピタキシャ
ル膜が得られることが報告されている。
【００１２】この方法により得たテープ線材は、タリウ
ム系酸化物超電導体を用いた場合で、７７Ｋ、ゼロテス
ラにおいて１〜１０×１０4 Ａ／ｃｍ2 程度のＪc を有
するが、本質的にＡｇは集合組織化し難く、さらなる配
向性の向上には限界がある。また、Ａｇ自体の融点が大
気中で９６０℃程度と酸化物超電導体の融点に近いた
め、１０００℃に近い高温を必要とする液相エピタキシ
ャル法（文献：ＩＳＴＥＣＪｏｕｒｎａｌ ｖｏｌ．
８、Ｎｏ．２、１９９５、ｐｐ．１８−２２）などの成
膜法では、Ａｇが溶融してしまう恐れがある。
ム系酸化物超電導体を用いた場合で、７７Ｋ、ゼロテス
ラにおいて１〜１０×１０4 Ａ／ｃｍ2 程度のＪc を有
するが、本質的にＡｇは集合組織化し難く、さらなる配
向性の向上には限界がある。また、Ａｇ自体の融点が大
気中で９６０℃程度と酸化物超電導体の融点に近いた
め、１０００℃に近い高温を必要とする液相エピタキシ
ャル法（文献：ＩＳＴＥＣＪｏｕｒｎａｌ ｖｏｌ．
８、Ｎｏ．２、１９９５、ｐｐ．１８−２２）などの成
膜法では、Ａｇが溶融してしまう恐れがある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術の中
で、Ｂｉ２２２３系の超電導物質を用いた超電導線材
は、７７ＫでのＪc が低いという問題があり、７７Ｋで
作動する超電導機器への利用が制限されていた。また、
Ｙ１２３系テープ状線材作製のためのＩＢＡＤ法などで
は、結晶の方位をそろえたＹＳＺ中間層を作製する際
に，真空を必要とするプロセスを用いなければならない
ことと、気相法に基づいているため成膜速度が遅く、か
つ膜厚を厚くしていくと結晶性が低下し、Ｊc が低くな
るという問題点があり、これらの技術を用いて実用の長
尺テープ状線材を作製することは非常に困難である。
で、Ｂｉ２２２３系の超電導物質を用いた超電導線材
は、７７ＫでのＪc が低いという問題があり、７７Ｋで
作動する超電導機器への利用が制限されていた。また、
Ｙ１２３系テープ状線材作製のためのＩＢＡＤ法などで
は、結晶の方位をそろえたＹＳＺ中間層を作製する際
に，真空を必要とするプロセスを用いなければならない
ことと、気相法に基づいているため成膜速度が遅く、か
つ膜厚を厚くしていくと結晶性が低下し、Ｊc が低くな
るという問題点があり、これらの技術を用いて実用の長
尺テープ状線材を作製することは非常に困難である。
【００１４】一方、従来のニッケルや銅を酸化して金属
表面に形成される酸化物層を中間層とする方法では、Ｙ
１２３系結晶の配向性を得ることが難しく、Ｊc を向上
させることができないという難点がある。また、銀の集
合組織を利用する方法も、本質的に高配向の銀の集合組
織を得ることは困難であり、Ｊc を大きくすることがで
きないと言う難点がある。更に、銀の融点が低いことか
ら高温を必要とする成膜法の適用は不可能であり、また
Ａｇが軟化しやすいため、線材としての強度を得ること
ができず、その使用には制限がある。
表面に形成される酸化物層を中間層とする方法では、Ｙ
１２３系結晶の配向性を得ることが難しく、Ｊc を向上
させることができないという難点がある。また、銀の集
合組織を利用する方法も、本質的に高配向の銀の集合組
織を得ることは困難であり、Ｊc を大きくすることがで
きないと言う難点がある。更に、銀の融点が低いことか
ら高温を必要とする成膜法の適用は不可能であり、また
Ａｇが軟化しやすいため、線材としての強度を得ること
ができず、その使用には制限がある。
【００１５】本発明は、上記事情の下になされ、高い臨
界電流密度の超電導体膜を有する酸化物超電導線材を提
供することを目的とするにある。本発明の他の目的は、
高い臨界電流密度の超電導体膜を有する酸化物超電導線
材を、従来よりも簡便に、かつ速い製造速度で製造する
ことを可能とする酸化物超電導線材の製造方法を提供す
ることにある。
界電流密度の超電導体膜を有する酸化物超電導線材を提
供することを目的とするにある。本発明の他の目的は、
高い臨界電流密度の超電導体膜を有する酸化物超電導線
材を、従来よりも簡便に、かつ速い製造速度で製造する
ことを可能とする酸化物超電導線材の製造方法を提供す
ることにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明（請求項１）は、｛１００｝面が圧延面に平
行で＜００１＞軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有
する多結晶金属基板と、この多結晶金属基板の表面に形
成された前記多結晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層
と、この酸化物結晶層の表面に形成された酸化物超電導
体層とを具備し、前記酸化物結晶層の９０％以上の｛１
００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１０°以
下の角度で平行であることを特徴とする超電導線材を提
供する。
め、本発明（請求項１）は、｛１００｝面が圧延面に平
行で＜００１＞軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有
する多結晶金属基板と、この多結晶金属基板の表面に形
成された前記多結晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層
と、この酸化物結晶層の表面に形成された酸化物超電導
体層とを具備し、前記酸化物結晶層の９０％以上の｛１
００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１０°以
下の角度で平行であることを特徴とする超電導線材を提
供する。
【００１７】本発明（請求項２）は、上述の超電導線材
（請求項１）において、前記多結晶金属が、ニッケルま
たはニッケルを主成分とするニッケル合金であり、前記
酸化物が、ニッケル酸化物を主成分とするものであるこ
とを特徴とする。
（請求項１）において、前記多結晶金属が、ニッケルま
たはニッケルを主成分とするニッケル合金であり、前記
酸化物が、ニッケル酸化物を主成分とするものであるこ
とを特徴とする。
【００１８】本発明（請求項３）は、上述の超電導線材
（請求項１）において、前記多結晶金属が、銅または銅
を主成分とする銅合金であり、前記酸化物が、銅酸化物
を主成分とするものであることを特徴とする。
（請求項１）において、前記多結晶金属が、銅または銅
を主成分とする銅合金であり、前記酸化物が、銅酸化物
を主成分とするものであることを特徴とする。
【００１９】本発明（請求項４）は、上述の超電導線材
（請求項１）において、前記多結晶金属が、ニッケルと
ニッケル合金、ニッケルと銅、またはニッケルと銅合金
の複合材料であり、その最外層がニッケルであることを
特徴とする。
（請求項１）において、前記多結晶金属が、ニッケルと
ニッケル合金、ニッケルと銅、またはニッケルと銅合金
の複合材料であり、その最外層がニッケルであることを
特徴とする。
【００２０】本発明（請求項５）は、上述の超電導線材
（請求項１〜４）において、前記酸化物結晶層上に、イ
ットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、酸化セリウム
（ＣｅＯ2 ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ2 ）、
および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選ば
れた酸化物層が更に形成されていることを特徴とする。
（請求項１〜４）において、前記酸化物結晶層上に、イ
ットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、酸化セリウム
（ＣｅＯ2 ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ2 ）、
および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選ば
れた酸化物層が更に形成されていることを特徴とする。
【００２１】本発明（請求項６）は、多結晶金属基板に
圧延加工を施す工程と、この圧延加工を施された多結晶
金属基板を、非酸化雰囲気中において９００℃以上の温
度に加熱して、｛１００｝面が圧延面に平行で＜００１
＞軸が圧延方向に平行に配向した（以下、｛１００｝＜
００１＞方位という）圧延集合組織とする工程と、この
圧延集合組織とされた多結晶金属基板を、酸化雰囲気中
において１０００℃以上の温度に加熱して、９０％以上
の｛１００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１
０°以下の角度で平行となるように配向した、前記多結
晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層を形成する工程
と、この酸化物結晶層上に酸化物超電導体層を形成する
工程とを具備することを特徴とする超電導線材の製造方
法を提供する。
圧延加工を施す工程と、この圧延加工を施された多結晶
金属基板を、非酸化雰囲気中において９００℃以上の温
度に加熱して、｛１００｝面が圧延面に平行で＜００１
＞軸が圧延方向に平行に配向した（以下、｛１００｝＜
００１＞方位という）圧延集合組織とする工程と、この
圧延集合組織とされた多結晶金属基板を、酸化雰囲気中
において１０００℃以上の温度に加熱して、９０％以上
の｛１００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１
０°以下の角度で平行となるように配向した、前記多結
晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層を形成する工程
と、この酸化物結晶層上に酸化物超電導体層を形成する
工程とを具備することを特徴とする超電導線材の製造方
法を提供する。
【００２２】なお、この製造方法によれば、９０％以上
の｛１００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１
０°以下の角度で平行となるように配向した多結晶金属
の酸化物からなる酸化物結晶層を形成し易い。
の｛１００｝面が前記多結晶金属基板の表面に対して１
０°以下の角度で平行となるように配向した多結晶金属
の酸化物からなる酸化物結晶層を形成し易い。
【００２３】本発明（請求項７）は、上述の超電導線材
の製造方法（請求項６）において、前記酸化物結晶層上
への酸化物超電導体層の形成は、レーザアブレーション
法により行われることを特徴とする。
の製造方法（請求項６）において、前記酸化物結晶層上
への酸化物超電導体層の形成は、レーザアブレーション
法により行われることを特徴とする。
【００２４】本発明（請求項８）は、上述の超電導線材
の製造方法（請求項６）において、前記酸化物結晶層上
への酸化物超電導体層の形成は、液相エピタキシャル法
により行われることを特徴とする。
の製造方法（請求項６）において、前記酸化物結晶層上
への酸化物超電導体層の形成は、液相エピタキシャル法
により行われることを特徴とする。
【００２５】以上のように構成される本発明に係る超電
導線材において、多結晶金属基板を構成する金属として
は、高融点を有し、加工性に優れ、かつ集合組織化し易
い材料であればよい。そのような金属として、例えば、
ニッケル、銅、コバルト、クロム、マグネシウムなどが
あげられる。また用途によっては、ニッケルにクロム、
バナジウム、シリコン、アルミニウム、亜鉛、または銅
などの元素を添加してニッケルの磁性を低減し、かつ加
工性を改良したニッケル合金を用いても良い。
導線材において、多結晶金属基板を構成する金属として
は、高融点を有し、加工性に優れ、かつ集合組織化し易
い材料であればよい。そのような金属として、例えば、
ニッケル、銅、コバルト、クロム、マグネシウムなどが
あげられる。また用途によっては、ニッケルにクロム、
バナジウム、シリコン、アルミニウム、亜鉛、または銅
などの元素を添加してニッケルの磁性を低減し、かつ加
工性を改良したニッケル合金を用いても良い。
【００２６】また、上述の金属および合金を複合材料化
したものでも良い。複合材料としては、例えば、ニッケ
ル／ニッケル合金、ニッケル／銅、ニッケル／銅合金が
挙げられる。この場合、ニッケルの配合集合組織を利用
するため、最外層がニッケルであることが好ましい。
したものでも良い。複合材料としては、例えば、ニッケ
ル／ニッケル合金、ニッケル／銅、ニッケル／銅合金が
挙げられる。この場合、ニッケルの配合集合組織を利用
するため、最外層がニッケルであることが好ましい。
【００２７】多結晶金属基板は、圧延加工と熱処理によ
り、｛１００｝なる結晶面、＜００１＞なる結晶軸を有
する立方体集合組織とされている。熱処理は、非酸化雰
囲気中で、９００℃以上、好ましくは９００℃〜１１０
０℃の温度で行われる。熱処理温度が９００℃未満で
は、明瞭な｛１００｝＜００１＞方位とならないので、
好ましくない。
り、｛１００｝なる結晶面、＜００１＞なる結晶軸を有
する立方体集合組織とされている。熱処理は、非酸化雰
囲気中で、９００℃以上、好ましくは９００℃〜１１０
０℃の温度で行われる。熱処理温度が９００℃未満で
は、明瞭な｛１００｝＜００１＞方位とならないので、
好ましくない。
【００２８】多結晶金属基板上に形成された酸化物結晶
層は、以上の金属の酸化物からなり、多結晶金属基板の
材質に対応して、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化銅（Ｃ
ｕ2Ｏ）、酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化クロム（Ｃｒ2
Ｏ3 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などが用いられ
る。酸化物結晶層は、酸化雰囲気中で、１０００℃以
上、好ましくは１０００℃〜１３００℃の温度で熱処理
することにより形成することが出来る。熱処理温度が１
０００℃未満では、酸化物結晶の９０％以上の｛１０
０｝面が多結晶金属基板の表面に対して１０°以下の角
度で平行であるような酸化物結晶を得ることが出来ず、
その結果、高い臨界電流密度を得ることが出来ない。
層は、以上の金属の酸化物からなり、多結晶金属基板の
材質に対応して、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化銅（Ｃ
ｕ2Ｏ）、酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化クロム（Ｃｒ2
Ｏ3 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などが用いられ
る。酸化物結晶層は、酸化雰囲気中で、１０００℃以
上、好ましくは１０００℃〜１３００℃の温度で熱処理
することにより形成することが出来る。熱処理温度が１
０００℃未満では、酸化物結晶の９０％以上の｛１０
０｝面が多結晶金属基板の表面に対して１０°以下の角
度で平行であるような酸化物結晶を得ることが出来ず、
その結果、高い臨界電流密度を得ることが出来ない。
【００２９】このように、多結晶金属基板を酸化雰囲気
中で熱処理すると、多結晶金属基板の表面の影響を受け
て、酸化物結晶の９０％以上の｛１００｝面が多結晶金
属基板表面に対して１０°以下の角度で、ほぼ平行であ
る酸化物結晶層が形成される。なお、酸化物結晶層の厚
さは、１〜３００μｍ程度であるのが好ましい。
中で熱処理すると、多結晶金属基板の表面の影響を受け
て、酸化物結晶の９０％以上の｛１００｝面が多結晶金
属基板表面に対して１０°以下の角度で、ほぼ平行であ
る酸化物結晶層が形成される。なお、酸化物結晶層の厚
さは、１〜３００μｍ程度であるのが好ましい。
【００３０】酸化物結晶層上に形成される酸化物超電導
体としては、希土類元素を含有し、ペロブスカイト型構
造を有するもので超伝導状態を実現できるものであれば
よく、そのようなものとして、例えばＲＥＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-y 系（ＲＥは、Ｌａ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類から選ばれた少なくとも１種
の元素を、ｙは酸素欠損を表し、通常は１以下の数）の
酸化物超電導体が挙げられる。
体としては、希土類元素を含有し、ペロブスカイト型構
造を有するもので超伝導状態を実現できるものであれば
よく、そのようなものとして、例えばＲＥＢａ2 Ｃｕ3
Ｏ7-y 系（ＲＥは、Ｌａ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅ
ｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等の希土類から選ばれた少なくとも１種
の元素を、ｙは酸素欠損を表し、通常は１以下の数）の
酸化物超電導体が挙げられる。
【００３１】なお、必要に応じて、酸化物超電導体層の
形成前に、結晶整合性などを考慮して、酸化物結晶層上
に、ＹＳＺ、ＣｅＯ2 、ＳｒＴｉＯ2 、またはＭｇＯな
どの酸化物層を、第２の中間層として成膜しても良い。
この場合、第２の中間層も、下地である多結晶金属基板
表面の影響を受けて、高配向の結晶層が容易に形成され
得る。第２の中間層の膜厚は、０．０５〜５μｍ程度が
好ましい。
形成前に、結晶整合性などを考慮して、酸化物結晶層上
に、ＹＳＺ、ＣｅＯ2 、ＳｒＴｉＯ2 、またはＭｇＯな
どの酸化物層を、第２の中間層として成膜しても良い。
この場合、第２の中間層も、下地である多結晶金属基板
表面の影響を受けて、高配向の結晶層が容易に形成され
得る。第２の中間層の膜厚は、０．０５〜５μｍ程度が
好ましい。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示
し、本発明をより具体的に説明する。本発明において、
多結晶金属基板に形成された酸化物結晶層酸化物表面へ
の超電導体層の成膜は、レーザーアブレーション法や液
相エピタキシャル法等により行うことが出来る。
し、本発明をより具体的に説明する。本発明において、
多結晶金属基板に形成された酸化物結晶層酸化物表面へ
の超電導体層の成膜は、レーザーアブレーション法や液
相エピタキシャル法等により行うことが出来る。
【００３３】一般に、レーザーアブレーション法では、
酸化物超電導体の高速成膜が可能であるが、高品質の膜
を形成するためには、基板を７００〜８００℃程度の高
温に保つ必要がある。また、さらに高速成膜が可能な液
相エビタキシャル法などでは、基板が９００〜１０００
℃の高温融液に浸されるため、融点の低い金属基板上に
直接酸化物超電導層を成膜するのは困難である。そこ
で、基本的には酸化物超電導体の融点以上の融点を有す
る金属基板が必要になる。
酸化物超電導体の高速成膜が可能であるが、高品質の膜
を形成するためには、基板を７００〜８００℃程度の高
温に保つ必要がある。また、さらに高速成膜が可能な液
相エビタキシャル法などでは、基板が９００〜１０００
℃の高温融液に浸されるため、融点の低い金属基板上に
直接酸化物超電導層を成膜するのは困難である。そこ
で、基本的には酸化物超電導体の融点以上の融点を有す
る金属基板が必要になる。
【００３４】また、一般に金属は、酸化雰囲気において
急速に酸化されるため、酸化物超電導体層と金属基板と
の間に拡散障壁層を中間層として形成しておくことが必
要である。更に、中間層上に酸化物超電導体層を形成す
るためには、結晶学的整合性が必要なため、中間層とし
ては、適切な格子定数を有する特定の配向結晶が必要と
なる。
急速に酸化されるため、酸化物超電導体層と金属基板と
の間に拡散障壁層を中間層として形成しておくことが必
要である。更に、中間層上に酸化物超電導体層を形成す
るためには、結晶学的整合性が必要なため、中間層とし
ては、適切な格子定数を有する特定の配向結晶が必要と
なる。
【００３５】以上の要件を満たす金属材料としては、ま
ずニッケルを挙げることができる。ニッケルを高温にお
いて酸化すると、単純構造の酸化ニッケル（ＮｉＯ）の
みが形成される。これは、ＭｇＯなどと同様に安定な酸
化物であって、立方晶をなし、その格子定数も４．１６
オングストロームとＭｇＯに近い。本発明では、ニッケ
ルのような高融点金属を利用する。
ずニッケルを挙げることができる。ニッケルを高温にお
いて酸化すると、単純構造の酸化ニッケル（ＮｉＯ）の
みが形成される。これは、ＭｇＯなどと同様に安定な酸
化物であって、立方晶をなし、その格子定数も４．１６
オングストロームとＭｇＯに近い。本発明では、ニッケ
ルのような高融点金属を利用する。
【００３６】本発明者らは、例えば上述したニッケル金
属基板に圧延加工と非酸素雰囲気下での熱処理とを施す
と、｛１００｝＜００１＞方位の立方体集合組織がで
き、これに、続いて１０００℃以上の高温下で酸化熱処
理を施すと、ニッケル金属基板の｛１００｝面上に、こ
の下地面の影響を受けて、ニッケル金属基板表面に対し
て｛１００｝面がほぼ平行となる、緻密で平滑なＮｉＯ
層が短時間で形成されることを見出した。また、本発明
者らは、形成されたＮｉＯ結晶は、面内においても高度
に配向していることを見出した。この事実は、酸化物超
電導体のＪc を向上させる点において有利に働いてい
る。本発明は、かかる知見に基づくものである。
属基板に圧延加工と非酸素雰囲気下での熱処理とを施す
と、｛１００｝＜００１＞方位の立方体集合組織がで
き、これに、続いて１０００℃以上の高温下で酸化熱処
理を施すと、ニッケル金属基板の｛１００｝面上に、こ
の下地面の影響を受けて、ニッケル金属基板表面に対し
て｛１００｝面がほぼ平行となる、緻密で平滑なＮｉＯ
層が短時間で形成されることを見出した。また、本発明
者らは、形成されたＮｉＯ結晶は、面内においても高度
に配向していることを見出した。この事実は、酸化物超
電導体のＪc を向上させる点において有利に働いてい
る。本発明は、かかる知見に基づくものである。
【００３７】ＮｉＯの融点は２０００℃にも達するた
め、８００〜１０００℃程度の温度領域では極めて安定
であり、一度ＮｉＯ層が形成されてしまうと、その後は
拡散障壁として作用するため、ニッケル金属基板の酸化
速度は急速に低下する。また、ＮｉＯ中のニッケルの拡
散も極めて遅いため、酸化物超電導体層の形成時の酸化
物超電導体層へのニッケルの拡散も無視できるレベルに
抑えられる。
め、８００〜１０００℃程度の温度領域では極めて安定
であり、一度ＮｉＯ層が形成されてしまうと、その後は
拡散障壁として作用するため、ニッケル金属基板の酸化
速度は急速に低下する。また、ＮｉＯ中のニッケルの拡
散も極めて遅いため、酸化物超電導体層の形成時の酸化
物超電導体層へのニッケルの拡散も無視できるレベルに
抑えられる。
【００３８】形成されたニッケル金属基板上のＮｉＯ層
は、これまで述べてきた他の手法において用いられる中
間層と同様に、拡散障壁および酸化物超電導体層形成の
ための優れた配向基板として用いることができる。しか
し、本発明の特筆すべき点は、集合組織化した金属基板
を酸化雰囲気中で酸化処埋することだけで、特定の結晶
方向に強く配向した酸化物中間層を得ることができると
いう点である。
は、これまで述べてきた他の手法において用いられる中
間層と同様に、拡散障壁および酸化物超電導体層形成の
ための優れた配向基板として用いることができる。しか
し、本発明の特筆すべき点は、集合組織化した金属基板
を酸化雰囲気中で酸化処埋することだけで、特定の結晶
方向に強く配向した酸化物中間層を得ることができると
いう点である。
【００３９】これは、従来法のように、真空が必要では
なく、また数１０分〜数時間程度の熱処理でよいので、
長尺の金属基板をーつの電気炉で同時に処理することが
でき、従って、他の方法に比べて極めて短時間に大量の
長尺金属基板テープを作製することが可能である。この
ため、本発明により得た酸化物中間層を有する金属基板
は、大量生産に向いており、実用的な線材用途の金属基
板として好適に用いることができる。
なく、また数１０分〜数時間程度の熱処理でよいので、
長尺の金属基板をーつの電気炉で同時に処理することが
でき、従って、他の方法に比べて極めて短時間に大量の
長尺金属基板テープを作製することが可能である。この
ため、本発明により得た酸化物中間層を有する金属基板
は、大量生産に向いており、実用的な線材用途の金属基
板として好適に用いることができる。
【００４０】また、上述したように、必要に応じて、結
晶整合性を制御したり、結晶配向性を制御したい場合に
は、ＮｉＯ層上にさらにＹＳＺ、ＣｅＯ2 、ＳｒＴｉＯ
2 、あるいはＭｇＯなどの酸化物からなる第２の中間層
を成膜してもよい。成膜方法としては、レーザーアブレ
ーション法、スパッタ法、化学気相蒸着法などを挙げる
ことができる。
晶整合性を制御したり、結晶配向性を制御したい場合に
は、ＮｉＯ層上にさらにＹＳＺ、ＣｅＯ2 、ＳｒＴｉＯ
2 、あるいはＭｇＯなどの酸化物からなる第２の中間層
を成膜してもよい。成膜方法としては、レーザーアブレ
ーション法、スパッタ法、化学気相蒸着法などを挙げる
ことができる。
【００４１】更に、上述したように、ニッケルの磁性に
よる交流損失を低減したい場合には、ニッケルにクロ
ム、バナジウム、シリコン、アルミニウム、亜鉛、また
は銅などの元素を添加してニッケルの磁性を低減し、か
つ加工性を改良したニッケル合金を用い、この合金その
ものから出発して集合組織化とＮｉＯ層の形成を行って
も良い。
よる交流損失を低減したい場合には、ニッケルにクロ
ム、バナジウム、シリコン、アルミニウム、亜鉛、また
は銅などの元素を添加してニッケルの磁性を低減し、か
つ加工性を改良したニッケル合金を用い、この合金その
ものから出発して集合組織化とＮｉＯ層の形成を行って
も良い。
【００４２】更にまた、ニッケルと、他の金属や上述の
合金（ニッケル−クロム、ニッケル−バナジウム、ニッ
ケル−シリコン、ニッケル−アルミニウム、ニッケル−
亜鉛、ニッケル−銅等々）とを複合化し、ＮｉＯ層形成
時の熱処理中に拡散によってニッケルを合金化し、磁性
を低減する手段を講じてもよい。この場合は、ニッケル
層は最外層になるように複合化する必要がある。
合金（ニッケル−クロム、ニッケル−バナジウム、ニッ
ケル−シリコン、ニッケル−アルミニウム、ニッケル−
亜鉛、ニッケル−銅等々）とを複合化し、ＮｉＯ層形成
時の熱処理中に拡散によってニッケルを合金化し、磁性
を低減する手段を講じてもよい。この場合は、ニッケル
層は最外層になるように複合化する必要がある。
【００４３】以上の方法は、ニッケル以外の金属、すな
わち銅、コバルト、クロム、マグネシウム等を用いても
同様の効果を得ることができる。このように、本発明に
よれば、簡単な手法により、所定の結晶方位に配向され
た多結晶金属基板上に極めて高度に配向された中間層を
設けることが可能となり、このような中間層を形成する
ことにより、レーザーアブレーシヨン法や液相エピタキ
シャル法などのような酸化物超電導体の融点近傍という
高温を必要とする作製プロセスも採用可能であり、それ
によって、高い臨界電流密度の超電導体膜を有する酸化
物超電導線材を、従来よりも簡便に、かつ速い製造速度
で製造することが可能となる。
わち銅、コバルト、クロム、マグネシウム等を用いても
同様の効果を得ることができる。このように、本発明に
よれば、簡単な手法により、所定の結晶方位に配向され
た多結晶金属基板上に極めて高度に配向された中間層を
設けることが可能となり、このような中間層を形成する
ことにより、レーザーアブレーシヨン法や液相エピタキ
シャル法などのような酸化物超電導体の融点近傍という
高温を必要とする作製プロセスも採用可能であり、それ
によって、高い臨界電流密度の超電導体膜を有する酸化
物超電導線材を、従来よりも簡便に、かつ速い製造速度
で製造することが可能となる。
【００４４】
【実施例】以下、本発明の種々の実施例を示し、本発明
をより具体的に説明する。 実施例１ 最初に、立方体集合組織を有するニッケルテープを作製
した。即ち、直径１０ｍｍの市販のニッケル（９９．９
％純度）棒に圧延加工を施して、厚さ０．１５ｍｍまで
薄くし、テープを得た。このテープをアルゴン雰囲気中
において９００〜１０００℃で１〜２時間アニールし
た。Ｘ線回折によりニッケルの結晶方位を調べたとこ
ろ、９０％以上の結晶粒の｛１００｝面がテープ面に平
行で、かつ＜００１＞軸が圧延方向に平行に揃ってい
る、集合組織となっていることが確認できた。
をより具体的に説明する。 実施例１ 最初に、立方体集合組織を有するニッケルテープを作製
した。即ち、直径１０ｍｍの市販のニッケル（９９．９
％純度）棒に圧延加工を施して、厚さ０．１５ｍｍまで
薄くし、テープを得た。このテープをアルゴン雰囲気中
において９００〜１０００℃で１〜２時間アニールし
た。Ｘ線回折によりニッケルの結晶方位を調べたとこ
ろ、９０％以上の結晶粒の｛１００｝面がテープ面に平
行で、かつ＜００１＞軸が圧延方向に平行に揃ってい
る、集合組織となっていることが確認できた。
【００４５】続いて、このテープを酸素雰囲気中におい
て、８００〜１３００℃の範囲で温度を変化させ、１〜
２時間の酸化処理を施し、ニッケルテープ表面上にＮｉ
Ｏ層を形成した。低温熱処理の場合、＜１１１＞、＜１
１０＞、＜００１＞軸の混在したＮｉＯ層が成長する
が、１０００℃以上になると、＜００１＞軸のみが発達
し、９０％以上のＮｉＯ結晶の｛１００｝面がニッケル
表面に対して１０°以下で平行となった配向結晶が得ら
れた。得られた典型的なＸ線回折パターンを図１に示
す。
て、８００〜１３００℃の範囲で温度を変化させ、１〜
２時間の酸化処理を施し、ニッケルテープ表面上にＮｉ
Ｏ層を形成した。低温熱処理の場合、＜１１１＞、＜１
１０＞、＜００１＞軸の混在したＮｉＯ層が成長する
が、１０００℃以上になると、＜００１＞軸のみが発達
し、９０％以上のＮｉＯ結晶の｛１００｝面がニッケル
表面に対して１０°以下で平行となった配向結晶が得ら
れた。得られた典型的なＸ線回折パターンを図１に示
す。
【００４６】また、この方法で得られた＜００１＞軸配
向したＮｉＯ結晶の極点図を測定すると、面内において
も高度に配向した結晶となっていることが確認された。
典型的な極点図の例を図２に示す。
向したＮｉＯ結晶の極点図を測定すると、面内において
も高度に配向した結晶となっていることが確認された。
典型的な極点図の例を図２に示す。
【００４７】次に、形成されたＮｉ／ＮｉＯテープの
｛１００｝面に、ＫｒＦエキシマレーザーを用いたレー
ザーアブレーシヨン法により、Ｙ１２３酸化物超電導層
を形成した。酸化物超電導層の成膜に際しては、基板温
度を６００〜８００℃、雰囲気ガスとしての酸素ガス圧
力を１〜２００ｍＴｏｒｒの範囲で変えて、Ｙ１２３酸
化物を０．４μｍの厚さに堆積した。この時のレーザー
のエネルギー密度は、２〜３Ｊ／ｃｍ2 、レーザーの繰
り返し周波数は５〜１５へルツとした。
｛１００｝面に、ＫｒＦエキシマレーザーを用いたレー
ザーアブレーシヨン法により、Ｙ１２３酸化物超電導層
を形成した。酸化物超電導層の成膜に際しては、基板温
度を６００〜８００℃、雰囲気ガスとしての酸素ガス圧
力を１〜２００ｍＴｏｒｒの範囲で変えて、Ｙ１２３酸
化物を０．４μｍの厚さに堆積した。この時のレーザー
のエネルギー密度は、２〜３Ｊ／ｃｍ2 、レーザーの繰
り返し周波数は５〜１５へルツとした。
【００４８】得られたＹ１２３酸化物超電導層は、テー
プ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向けた配向を
示した。また、面内ではａ，ｂ軸が配向する傾向を示し
た。また、Ｙ１２３酸化物結晶の配向性は、下地のＮｉ
Ｏ結晶の配向性に大きく依存していた。
プ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向けた配向を
示した。また、面内ではａ，ｂ軸が配向する傾向を示し
た。また、Ｙ１２３酸化物結晶の配向性は、下地のＮｉ
Ｏ結晶の配向性に大きく依存していた。
【００４９】種々の酸化熱処理温度において形成したＮ
ｉＯ結晶上にＹ１２３酸化物超電導層を成膜してなるテ
ープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラでのＪc を測定したとこ
ろ、下記表１に示す結果を得た。
ｉＯ結晶上にＹ１２３酸化物超電導層を成膜してなるテ
ープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラでのＪc を測定したとこ
ろ、下記表１に示す結果を得た。
【００５０】
【表１】
【００５１】上記表１から、Ｊc は、ＮｉＯ結晶の形成
温度に大きく依存していることがわかった。また、１０
００℃以上の酸化熱処理温度でＮｉＯ結晶を形成した場
合には、従来のＩＢＡＤ法やＲＡＢｉＴＳ法で得られた
値と同等のＪc が得られることがわかる。
温度に大きく依存していることがわかった。また、１０
００℃以上の酸化熱処理温度でＮｉＯ結晶を形成した場
合には、従来のＩＢＡＤ法やＲＡＢｉＴＳ法で得られた
値と同等のＪc が得られることがわかる。
【００５２】実施例２ 実施例１と同様にして、立方体集合組織を有するＮｉ／
ＮｉＯテープを作製した。次に、作製されたＮｉ／Ｎｉ
Ｏテープ上に、液相エビタキシャル法により酸化物超電
導層を形成した。即ち、まずレーザーアブレーション法
によって、配向結晶成長したＮｉＯの｛１００｝面上
に、種結晶としてＹ１２３層を成膜した。その後、液相
エビタキシャル法によってＹ１２３層を３μｍの厚さに
成膜した。この時の成膜温度は９２０〜９６０℃、成膜
時間は２分とした。
ＮｉＯテープを作製した。次に、作製されたＮｉ／Ｎｉ
Ｏテープ上に、液相エビタキシャル法により酸化物超電
導層を形成した。即ち、まずレーザーアブレーション法
によって、配向結晶成長したＮｉＯの｛１００｝面上
に、種結晶としてＹ１２３層を成膜した。その後、液相
エビタキシャル法によってＹ１２３層を３μｍの厚さに
成膜した。この時の成膜温度は９２０〜９６０℃、成膜
時間は２分とした。
【００５３】このようにして得られた酸化物超電導層の
結晶方位をＸ線回折により解析したところ、いずれも酸
化物超電導体のｃ軸がテープ面に平行に配向していた。
また、酸化物超電導体の面内配向性をＸ線回折の極点図
から解析したところ、いずれも面内配向の傾向を示して
いた。このテープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラにおけるＪ
c を測定したところ、０．１５×１０6 Ａ／ｃｍ2 と高
い値を示した。
結晶方位をＸ線回折により解析したところ、いずれも酸
化物超電導体のｃ軸がテープ面に平行に配向していた。
また、酸化物超電導体の面内配向性をＸ線回折の極点図
から解析したところ、いずれも面内配向の傾向を示して
いた。このテープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラにおけるＪ
c を測定したところ、０．１５×１０6 Ａ／ｃｍ2 と高
い値を示した。
【００５４】実施例３ 実施例１と同様にして、図１に示すように、Ｎｉ基板１
とその上に形成されたＮｉＯ層２とからなる、立方体集
合組織を有するＮｉ／ＮｉＯテープを作製した。次に、
作製されたＮｉ／ＮｉＯテープのＮｉＯ層２の｛１０
０｝面上に、スパッタ法により、ＹＳＺ層３を０．２μ
ｍの厚さに成膜した。その後、ＫｒＦエキシマレーザー
を用いたレーザーアブレーション法により、Ｙ１２３酸
化物超電導層４を形成した。
とその上に形成されたＮｉＯ層２とからなる、立方体集
合組織を有するＮｉ／ＮｉＯテープを作製した。次に、
作製されたＮｉ／ＮｉＯテープのＮｉＯ層２の｛１０
０｝面上に、スパッタ法により、ＹＳＺ層３を０．２μ
ｍの厚さに成膜した。その後、ＫｒＦエキシマレーザー
を用いたレーザーアブレーション法により、Ｙ１２３酸
化物超電導層４を形成した。
【００５５】酸化物超電導層４の成膜に際しては、基板
温度を６００〜８００℃、雰囲気ガスとしての酸素ガス
圧力を１〜２００ｍＴｏｒｒの範囲で変えて、Ｙ１２３
酸化物層４を０．４μｍ堆積した。この時のレーザーの
エネルギー密度は、２〜３Ｊ／ｃｍ2 、レーザーの繰り
返し周波数は５〜１５へルツとした。
温度を６００〜８００℃、雰囲気ガスとしての酸素ガス
圧力を１〜２００ｍＴｏｒｒの範囲で変えて、Ｙ１２３
酸化物層４を０．４μｍ堆積した。この時のレーザーの
エネルギー密度は、２〜３Ｊ／ｃｍ2 、レーザーの繰り
返し周波数は５〜１５へルツとした。
【００５６】得られたＹ１２３酸化物超電導層４は、テ
ープ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向けた配向
を示した。また、面内ではａ，ｂ軸が配向していた。こ
のテープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラでのＪc を測定した
ところ、０．６×１０6 Ａ／ｃｍ2 であり、従来のＩＢ
ＡＤ法やＲＡＢｉＴＳ法で得られた値と同等のＪc が得
られた。
ープ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向けた配向
を示した。また、面内ではａ，ｂ軸が配向していた。こ
のテープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラでのＪc を測定した
ところ、０．６×１０6 Ａ／ｃｍ2 であり、従来のＩＢ
ＡＤ法やＲＡＢｉＴＳ法で得られた値と同等のＪc が得
られた。
【００５７】実施例４ 実施例１と同様にして、立方体集合組織を有するＮｉ／
ＮｉＯテープを作製した。次に、作製されたＮｉ／Ｎｉ
Ｏテープの配向ＮｉＯ層の｛１００｝面上に、スパッタ
法により、ＭｇＯを０．５μｍの厚さに成膜した。続い
て、レーザーアブレーション法により、ＮｉＯ層の｛１
００｝面上に、種結晶としてＹ１２３層を成膜した。そ
の後、液相エピタキシャル法により、Ｙ１２３層を３μ
ｍの厚さに成膜した。この時の成膜温度は、９２０〜９
６０℃とした。
ＮｉＯテープを作製した。次に、作製されたＮｉ／Ｎｉ
Ｏテープの配向ＮｉＯ層の｛１００｝面上に、スパッタ
法により、ＭｇＯを０．５μｍの厚さに成膜した。続い
て、レーザーアブレーション法により、ＮｉＯ層の｛１
００｝面上に、種結晶としてＹ１２３層を成膜した。そ
の後、液相エピタキシャル法により、Ｙ１２３層を３μ
ｍの厚さに成膜した。この時の成膜温度は、９２０〜９
６０℃とした。
【００５８】以上により得られた酸化物超電導層の結晶
方位をＸ線回折により解析したところ、いずれも酸化物
超電導体のｃ軸がテープ面に平行に配向していた。ま
た、酸化物超電導体の面内配向性をＸ線回折の極点図か
ら解析したところ、いずれも面内配向しており、このテ
ープ線材の７７ＫにおけるＪc は、ゼロテスラで０．２
×１０6 Ａ／ｃｍ2 であった。
方位をＸ線回折により解析したところ、いずれも酸化物
超電導体のｃ軸がテープ面に平行に配向していた。ま
た、酸化物超電導体の面内配向性をＸ線回折の極点図か
ら解析したところ、いずれも面内配向しており、このテ
ープ線材の７７ＫにおけるＪc は、ゼロテスラで０．２
×１０6 Ａ／ｃｍ2 であった。
【００５９】実施例５ 最初に、立方体集合組織を有する銅テープを作製した。
即ち、直径１０ｍｍの市販の銅（９９．９％純度）棒に
圧延加工を施して、厚さ０．１５ｍｍまで薄くし、テー
プを得た。このテープをアルゴン雰囲気中において５０
０〜１０００℃で１時間アニールした。Ｘ線回折により
銅の結晶方位を調べたところ、約９５％以上の結晶粒の
｛１００｝面がテープ面に平行で、かつ＜１００＞軸が
圧延方向に平行に揃った集合組織となっていることが確
認できた。
即ち、直径１０ｍｍの市販の銅（９９．９％純度）棒に
圧延加工を施して、厚さ０．１５ｍｍまで薄くし、テー
プを得た。このテープをアルゴン雰囲気中において５０
０〜１０００℃で１時間アニールした。Ｘ線回折により
銅の結晶方位を調べたところ、約９５％以上の結晶粒の
｛１００｝面がテープ面に平行で、かつ＜１００＞軸が
圧延方向に平行に揃った集合組織となっていることが確
認できた。
【００６０】続いて、このテープを、酸素雰囲気中にお
いて５００〜８００℃で１時間の酸化処理を施し、銅テ
ープ表面上にＣｕ2 Ｏ層を２μｍの厚さに形成した。得
られたＣｕ／Ｃｕ2 ０テープの｛１００｝面上に、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザーを用いたレーザーアブレーシヨン法
により、実施例１と同様にしてＹ１２３酸化物超電導層
を０．４μｍの厚さに形成した。
いて５００〜８００℃で１時間の酸化処理を施し、銅テ
ープ表面上にＣｕ2 Ｏ層を２μｍの厚さに形成した。得
られたＣｕ／Ｃｕ2 ０テープの｛１００｝面上に、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザーを用いたレーザーアブレーシヨン法
により、実施例１と同様にしてＹ１２３酸化物超電導層
を０．４μｍの厚さに形成した。
【００６１】このテープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラにお
けるＪc を測定したところ、０．１×１０6 Ａ／ｃｍ2
であった。 実施例６ 直径２０ｍｍのニッケルパイプに銅を挿入し、これをス
エージング加工と圧延加工によって、厚さ０．２ｍｍの
ニッケル／銅複合テープを作製した。このテープをアル
ゴン雰囲気中において９００℃で１時間アニールして、
ニッケル／銅−ニッケル合金／銅複合テープとした。銅
ニッケル合金層は、熱処理中に拡散によって形成された
層である。
けるＪc を測定したところ、０．１×１０6 Ａ／ｃｍ2
であった。 実施例６ 直径２０ｍｍのニッケルパイプに銅を挿入し、これをス
エージング加工と圧延加工によって、厚さ０．２ｍｍの
ニッケル／銅複合テープを作製した。このテープをアル
ゴン雰囲気中において９００℃で１時間アニールして、
ニッケル／銅−ニッケル合金／銅複合テープとした。銅
ニッケル合金層は、熱処理中に拡散によって形成された
層である。
【００６２】Ｘ線回折により最外層のニッケル層の結晶
方位を調べたところ、約９５％以上の結晶粒の｛１０
０｝面がテープ面に平行で、かつその＜１００＞軸方位
が圧延方向に平行に揃っていることが確認できた。続い
て、このテープを酸素雰囲気中において１０００〜１２
００℃で０．５〜１時間の酸化処理を施し、ニッケル表
面にＮｉＯ層を形成した。得られたＮｉＯ結晶は、その
｛１００｝面が下地表面に対して平行となった配向結晶
であった。また、Ｘ線極点図を測定したところ、面内に
おいても高度に配向した結晶となっていることが確認さ
れた。
方位を調べたところ、約９５％以上の結晶粒の｛１０
０｝面がテープ面に平行で、かつその＜１００＞軸方位
が圧延方向に平行に揃っていることが確認できた。続い
て、このテープを酸素雰囲気中において１０００〜１２
００℃で０．５〜１時間の酸化処理を施し、ニッケル表
面にＮｉＯ層を形成した。得られたＮｉＯ結晶は、その
｛１００｝面が下地表面に対して平行となった配向結晶
であった。また、Ｘ線極点図を測定したところ、面内に
おいても高度に配向した結晶となっていることが確認さ
れた。
【００６３】その後、ＫｒＦェキシマレーザーを用いた
レーザーアブレーション法により、Ｙ１２３酸化物超電
導層をＮｉＯ層上に形成した。薄膜作製においては、基
板温度を６００〜８００℃、雰囲気ガスとしての酸素ガ
ス圧力を１〜２００ｍＴｏｒｒの範囲で変えて、Ｙ１２
３酸化物超電導層を０．４μｍの厚さに堆積した。この
時、レーザーのエネルギー密度は２〜３Ｊ／ｃｍ2 、レ
ーザーの繰り返し周波数は５〜１５へルッとした。
レーザーアブレーション法により、Ｙ１２３酸化物超電
導層をＮｉＯ層上に形成した。薄膜作製においては、基
板温度を６００〜８００℃、雰囲気ガスとしての酸素ガ
ス圧力を１〜２００ｍＴｏｒｒの範囲で変えて、Ｙ１２
３酸化物超電導層を０．４μｍの厚さに堆積した。この
時、レーザーのエネルギー密度は２〜３Ｊ／ｃｍ2 、レ
ーザーの繰り返し周波数は５〜１５へルッとした。
【００６４】得られたＹ１２３酸化物超電導薄膜は、テ
ープ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向けた配向
を示した。また面内ではａ，ｂ軸が配向していた。Ｙ１
２３層より下層の下地の構成を調べたところ、銅とニッ
ケルの拡散によって純ニッケル層は存在せず、全て銅−
ニッケル合金となっていた。
ープ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向けた配向
を示した。また面内ではａ，ｂ軸が配向していた。Ｙ１
２３層より下層の下地の構成を調べたところ、銅とニッ
ケルの拡散によって純ニッケル層は存在せず、全て銅−
ニッケル合金となっていた。
【００６５】この線材の７７Ｋ、ゼロテスラにおけるＪ
c を測定したところ、０．３×１０6 Ａ／ｃｍ2 であ
り、従来のＩＢＡＤ法やＲＡＢｉＴＳ法で得られた値と
同等のＪc が得られた。また、この線材の磁化測定によ
り交流損失を評価したところ、純ニッケルのみを用いた
超電導線材に比べて、損失が１／１０以下に低減してい
ることが確認された。これは、ニッケルが銅と合金化し
て強磁性が低減したためである。
c を測定したところ、０．３×１０6 Ａ／ｃｍ2 であ
り、従来のＩＢＡＤ法やＲＡＢｉＴＳ法で得られた値と
同等のＪc が得られた。また、この線材の磁化測定によ
り交流損失を評価したところ、純ニッケルのみを用いた
超電導線材に比べて、損失が１／１０以下に低減してい
ることが確認された。これは、ニッケルが銅と合金化し
て強磁性が低減したためである。
【００６６】実施例７ 直径２０ｍｍのニッケルパイプにニッケル−２０％クロ
ム合金を挿人し、これをスエージング加工と圧延加工に
よって、厚さ０．２ｍｍのニッケル／ニッケル−クロム
合金複合テープを作製した。このテープをアルゴン雰囲
気中において９００℃で１時間アニールした。Ｘ線回折
により、最外層のニッケル層の結晶方位を調べたとこ
ろ、約９５％以上の結晶粒の｛１００｝面がテープ面に
平行で、かつその＜１００＞軸方位が圧延方向に平行に
揃っていることが確認できた。
ム合金を挿人し、これをスエージング加工と圧延加工に
よって、厚さ０．２ｍｍのニッケル／ニッケル−クロム
合金複合テープを作製した。このテープをアルゴン雰囲
気中において９００℃で１時間アニールした。Ｘ線回折
により、最外層のニッケル層の結晶方位を調べたとこ
ろ、約９５％以上の結晶粒の｛１００｝面がテープ面に
平行で、かつその＜１００＞軸方位が圧延方向に平行に
揃っていることが確認できた。
【００６７】続いて、このテープを酸素雰囲気中におい
て１０００〜１２００℃で０．５〜１時間の酸化処理を
施し、ニッケル表面上にＮｉＯ層を形成した。得られた
ＮｉＯ結晶の｛１００｝面は、下地表面に対して平行と
なった配向結晶であった。またＸ線極点図を測定したと
ころ、面内においても高度に配向した結晶となっている
ことが確認された。
て１０００〜１２００℃で０．５〜１時間の酸化処理を
施し、ニッケル表面上にＮｉＯ層を形成した。得られた
ＮｉＯ結晶の｛１００｝面は、下地表面に対して平行と
なった配向結晶であった。またＸ線極点図を測定したと
ころ、面内においても高度に配向した結晶となっている
ことが確認された。
【００６８】その後、実施例６と同様にして、ＫｒＦエ
キシマレーザーを用いたレーザーアブレーション法によ
りＹ１２３酸化物超電導層を０．４μｍの厚さで、Ｎｉ
Ｏ層上に形成した。得られたＹ１２３酸化物超電導薄膜
は、テープ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向け
た配向を示した。また、面内ではａ，ｂ軸が配向してい
た。
キシマレーザーを用いたレーザーアブレーション法によ
りＹ１２３酸化物超電導層を０．４μｍの厚さで、Ｎｉ
Ｏ層上に形成した。得られたＹ１２３酸化物超電導薄膜
は、テープ全体にわたってｃ軸をテープ面に垂直に向け
た配向を示した。また、面内ではａ，ｂ軸が配向してい
た。
【００６９】更に、Ｙ１２３層より下層の下地の構成を
調べたところ、ニッケルとクロムの拡散によって純ニッ
ケル層は存在せず、全てニッケルークロム合金となって
おり、ＮｉＯ層内の一部にはクロム酸化物とニッケルー
クロム酸化物が生じていたことがわかった。また、この
テープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラにおけるＪc を測定し
たところ、０．４×１０6 Ａ／ｃｍ2 であった。
調べたところ、ニッケルとクロムの拡散によって純ニッ
ケル層は存在せず、全てニッケルークロム合金となって
おり、ＮｉＯ層内の一部にはクロム酸化物とニッケルー
クロム酸化物が生じていたことがわかった。また、この
テープ線材の７７Ｋ、ゼロテスラにおけるＪc を測定し
たところ、０．４×１０6 Ａ／ｃｍ2 であった。
【００７０】磁化測定により線材の交流損失を評価した
ところ、純ニッケルのみを用いた超電導線材に比べて損
失が１／５０〜１／１００以下に低減していることが確
認された。これは、ニッケルがクロムと合金化して強磁
性が低減したことによる。
ところ、純ニッケルのみを用いた超電導線材に比べて損
失が１／５０〜１／１００以下に低減していることが確
認された。これは、ニッケルがクロムと合金化して強磁
性が低減したことによる。
【００７１】比較例 実施例１と同様にして、ニッケルテープを作製した。即
ち、直径１０ｍｍの市販のＮｉ（９９．９％純度）棒に
圧延加工を施して、厚さ０．１５ｍｍまで薄くし、テー
プを得た。このテープをアルゴン雰囲気中において１０
００℃で３時間アニールした。Ｘ線回折によりニッケル
の結晶方位を調べたところ、約９５％以上の結晶粒の
｛１００｝面がテープ面に平行で、かつその＜１００＞
軸方位が圧延方向に平行に揃っていることが確認でき
た。
ち、直径１０ｍｍの市販のＮｉ（９９．９％純度）棒に
圧延加工を施して、厚さ０．１５ｍｍまで薄くし、テー
プを得た。このテープをアルゴン雰囲気中において１０
００℃で３時間アニールした。Ｘ線回折によりニッケル
の結晶方位を調べたところ、約９５％以上の結晶粒の
｛１００｝面がテープ面に平行で、かつその＜１００＞
軸方位が圧延方向に平行に揃っていることが確認でき
た。
【００７２】続いて、このテープ上にＮｉＯ層を作製す
ることなく、実施例１と同様のレーザーアブレーシヨン
法によってＹ１２３酸化物超電導体を０．４μｍの厚さ
に形成した。得られたＹ１２３超電導薄膜は、テープ全
体にわたってｃ軸配向は示すものの、面内配向は得られ
なかった。この膜の７７Ｋ、ゼロテスラのＪc を測定し
たところ、３×１０3 Ａ／ｃｍ2 と低い値であった。
ることなく、実施例１と同様のレーザーアブレーシヨン
法によってＹ１２３酸化物超電導体を０．４μｍの厚さ
に形成した。得られたＹ１２３超電導薄膜は、テープ全
体にわたってｃ軸配向は示すものの、面内配向は得られ
なかった。この膜の７７Ｋ、ゼロテスラのＪc を測定し
たところ、３×１０3 Ａ／ｃｍ2 と低い値であった。
【００７３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
圧延加工と熱処理とにより所定の結晶方位に配向された
多結晶金属基板の表面に、酸化熱処理によって極めて高
度に配向された酸化膜を形成し、この酸化膜上に酸化物
超導電体層を形成することにより、レーザーアブレーシ
ヨン法や液相エピタキシャル法などのような酸化物超電
導体の融点近傍という高温を必要とする作製プロセスも
採用可能であり、それによって、高い臨界電流密度の超
電導体膜を有する酸化物超電導線材を、従来よりも簡便
に、かつ速い製造速度で製造することが可能となる。ま
た、多結晶金属基板として複合材料や合金を用いること
により、金属単体からなる基板が有する磁性を低減し、
交流損失を低下させることも可能である。
圧延加工と熱処理とにより所定の結晶方位に配向された
多結晶金属基板の表面に、酸化熱処理によって極めて高
度に配向された酸化膜を形成し、この酸化膜上に酸化物
超導電体層を形成することにより、レーザーアブレーシ
ヨン法や液相エピタキシャル法などのような酸化物超電
導体の融点近傍という高温を必要とする作製プロセスも
採用可能であり、それによって、高い臨界電流密度の超
電導体膜を有する酸化物超電導線材を、従来よりも簡便
に、かつ速い製造速度で製造することが可能となる。ま
た、多結晶金属基板として複合材料や合金を用いること
により、金属単体からなる基板が有する磁性を低減し、
交流損失を低下させることも可能である。
【図１】本発明の一実施例において得たＮｉ／ＮｉＯテ
ープのＸ線回折パターンを示す図。
ープのＸ線回折パターンを示す図。
【図２】本発明の一実施例において得たＮｉ／ＮｉＯテ
ープのＮｉＯ結晶（１１１）面の極点図。
ープのＮｉＯ結晶（１１１）面の極点図。
【図３】本発明の他の実施例に係る酸化物超電導テープ
を示す断面図。
を示す断面図。
１…Ｎｉ基板 ２…ＮｉＯ層 ３…ＹＳＺ層 ４…Ｙ１２３層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 腰塚 直巳 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内 (72)発明者 田中 靖三 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 ｛１００｝面が圧延面に平行で＜００１
＞軸が圧延方向に平行な圧延集合組織を有する多結晶金
属基板と、この多結晶金属基板の表面に形成された前記
多結晶金属の酸化物からなる酸化物結晶層と、この酸化
物結晶層の表面に形成された酸化物超電導体層とを具備
し、前記酸化物結晶層の９０％以上の｛１００｝面が前
記多結晶金属基板の表面に対して１０°以下の角度で平
行であることを特徴とする超電導線材。 - 【請求項２】 前記多結晶金属が、ニッケルまたはニッ
ケルを主成分とするニッケル合金であり、前記酸化物
が、ニッケル酸化物を主成分とするものであることを特
徴とする請求項１に記載の超電導線材。 - 【請求項３】 前記多結晶金属が、銅または銅を主成分
とする銅合金であり、前記酸化物が、銅酸化物を主成分
とするものであることを特徴とする請求項１に記載の超
電導線材。 - 【請求項４】 前記多結晶金属が、ニッケルとニッケル
合金、ニッケルと銅、またはニッケルと銅合金の複合材
料であり、その最外層がニッケルであることを特徴とす
る請求項１に記載の超電導線材。 - 【請求項５】 前記酸化物結晶層上に、イットリア安定
化ジルコニア（ＹＳＺ）、酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）、
酸化ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ2 ）、および酸化マグ
ネシウム（ＭｇＯ）からなる群から選ばれた酸化物層が
更に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４
のいずれかの項に記載の超電導線材。 - 【請求項６】 多結晶金属基板に圧延加工を施す工程
と、この圧延加工を施された多結晶金属基板を、非酸化
雰囲気中において９００℃以上の温度に加熱して、｛１
００｝面が圧延面に平行で＜００１＞軸が圧延方向に平
行な圧延集合組織とする工程と、この圧延集合組織とさ
れた多結晶金属基板を、酸化雰囲気中において１０００
℃以上の温度に加熱して、前記多結晶金属の酸化物から
なる酸化物結晶層を形成する工程と、この酸化物結晶層
上に酸化物超電導体層を形成する工程とを具備すること
を特徴とする超電導線材の製造方法。 - 【請求項７】 前記酸化物結晶層上への酸化物超電導体
層の形成は、レーザアブレーション法により行われるこ
とを特徴とする請求項６に記載の超電導線材の製造方
法。 - 【請求項８】 前記酸化物結晶層上への酸化物超電導体
層の形成は、液相エピタキシャル法により行われること
を特徴とする請求項６に記載の超電導線材の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15241097A JP3587956B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
| US09/088,915 US6226858B1 (en) | 1997-06-10 | 1998-06-02 | Method of manufacturing an oxide superconductor wire |
| DE69841032T DE69841032D1 (de) | 1997-06-10 | 1998-06-08 | Oxydsupraleitender Draht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP98110409A EP0884787B1 (en) | 1997-06-10 | 1998-06-08 | Oxide superconductor wire and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15241097A JP3587956B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113620A true JPH113620A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3587956B2 JP3587956B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=15539913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15241097A Expired - Fee Related JP3587956B2 (ja) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | 酸化物超電導線材およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6226858B1 (ja) |
| EP (1) | EP0884787B1 (ja) |
| JP (1) | JP3587956B2 (ja) |
| DE (1) | DE69841032D1 (ja) |
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| JP2001110256A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Toshiba Corp | 超電導複合体及び超電導複合体の製造方法 |
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| KR100738373B1 (ko) | 2006-01-04 | 2007-07-12 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 2축 배향성을 갖는 금속 선재를 제조하기 위한 시스템 및방법 |
| JP2007200831A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-08-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 超電導体用基材およびその製造方法 |
| JP2009117358A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 酸化物超電導線材用複合基板、その製造方法、及び超電導線材 |
| WO2010058823A1 (ja) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | 財団法人 国際超電導産業技術研究センター | 超電導膜成膜用基板、超電導線材及びそれらの製造方法 |
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