JPH1138022A - 光カンチレバー及びその製造方法 - Google Patents
光カンチレバー及びその製造方法Info
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- JPH1138022A JPH1138022A JP19421197A JP19421197A JPH1138022A JP H1138022 A JPH1138022 A JP H1138022A JP 19421197 A JP19421197 A JP 19421197A JP 19421197 A JP19421197 A JP 19421197A JP H1138022 A JPH1138022 A JP H1138022A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査型プローブ顕微鏡等への取付が容易で且
つ、光学的な変位検出を容易にした光カンチレバーとそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板１上に、ａ−Ｓｉ膜２０及びカ
ンチレバー用の金属膜３０を順次積層形成し、金属膜３
０を選択エッチングしてレバー部３ｂの幅に比べて縦横
幅の大きい基端部３ａを持つカンチレバー３をパターン
形成し、ａ−Ｓｉ膜２０を、ＣＦ4＋Ｏ2ガスを用いたＲ
ＩＥによりエッチングすることにより、基端部３ａの直
下にのみ支持体２として残して、レバー部３ｂの直下部
分を除去する。
つ、光学的な変位検出を容易にした光カンチレバーとそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】 透明基板１上に、ａ−Ｓｉ膜２０及びカ
ンチレバー用の金属膜３０を順次積層形成し、金属膜３
０を選択エッチングしてレバー部３ｂの幅に比べて縦横
幅の大きい基端部３ａを持つカンチレバー３をパターン
形成し、ａ−Ｓｉ膜２０を、ＣＦ4＋Ｏ2ガスを用いたＲ
ＩＥによりエッチングすることにより、基端部３ａの直
下にのみ支持体２として残して、レバー部３ｂの直下部
分を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、走査型プローブ
顕微鏡等に用いられる光カンチレバーとその製造方法に
関する。
顕微鏡等に用いられる光カンチレバーとその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や原子
間力顕微鏡（ＡＦＭ）に代表される走査型プローブ顕微
鏡（ＳＰＭ）では、試料表面を走査する触針付きのカン
チレバーが用いられる。カンチレバーは、マイクロマシ
ン技術により作られる。その一つの方法として例えば、
単結晶シリコン基板を用いてこの上に薄膜を堆積し、こ
の薄膜を選択エッチングしてカンチレバーのパターンを
形成した後、不要な基板部分をエッチング除去する方法
がある（例えば、特開平６−１２３２６２１号公報参
照）。基板として用いたシリコンをワイヤ放電加工によ
り加工する方法も提案されている。
間力顕微鏡（ＡＦＭ）に代表される走査型プローブ顕微
鏡（ＳＰＭ）では、試料表面を走査する触針付きのカン
チレバーが用いられる。カンチレバーは、マイクロマシ
ン技術により作られる。その一つの方法として例えば、
単結晶シリコン基板を用いてこの上に薄膜を堆積し、こ
の薄膜を選択エッチングしてカンチレバーのパターンを
形成した後、不要な基板部分をエッチング除去する方法
がある（例えば、特開平６−１２３２６２１号公報参
照）。基板として用いたシリコンをワイヤ放電加工によ
り加工する方法も提案されている。
【０００３】図６は、この様な方法で作られるカンチレ
バー６１を示す。カンチレバー６１の基端部にはシリコ
ン基板６２が台座として残される。カンチレバー６１の
先端（自由端）には、触針６３が取り付けられる。図６
に示すカンチレバーは、ＡＦＭ等の変位検出部に適当な
治具を用いて取り付けられるが、全体が小さいために、
取り付け精度を出すことが難しい。そこで、図７に示す
ように、カンチレバー６１の直下の基板６２を全て除去
することなく、そのまま取り付け用の治具として残すよ
うな加工を行うことが望まれる。
バー６１を示す。カンチレバー６１の基端部にはシリコ
ン基板６２が台座として残される。カンチレバー６１の
先端（自由端）には、触針６３が取り付けられる。図６
に示すカンチレバーは、ＡＦＭ等の変位検出部に適当な
治具を用いて取り付けられるが、全体が小さいために、
取り付け精度を出すことが難しい。そこで、図７に示す
ように、カンチレバー６１の直下の基板６２を全て除去
することなく、そのまま取り付け用の治具として残すよ
うな加工を行うことが望まれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７の
構造は、レーザ光ビームやＬＥＤ光ビームを用いて変位
検出を行う光カンチレバーとしては不都合がある。なぜ
なら、基板６２の裏面側からレーザ光ビームを照射して
カンチレバー６１の変位を検出することができないから
である。この図７の構造を用いて、光学的にカンチレバ
ーの変位を検出しようとすると、斜め方向から光ビーム
照射を行うといった工夫が必要になる（例えば、特開平
９−５０２３号公報参照）。
構造は、レーザ光ビームやＬＥＤ光ビームを用いて変位
検出を行う光カンチレバーとしては不都合がある。なぜ
なら、基板６２の裏面側からレーザ光ビームを照射して
カンチレバー６１の変位を検出することができないから
である。この図７の構造を用いて、光学的にカンチレバ
ーの変位を検出しようとすると、斜め方向から光ビーム
照射を行うといった工夫が必要になる（例えば、特開平
９−５０２３号公報参照）。
【０００５】この発明は、上記事情を考慮してなされた
もので、走査型プローブ顕微鏡等への取付が容易で且
つ、光学的な変位検出を容易にした光カンチレバーとそ
の製造方法を提供することを目的としている。
もので、走査型プローブ顕微鏡等への取付が容易で且
つ、光学的な変位検出を容易にした光カンチレバーとそ
の製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光カンチ
レバーは、透明基板上に支持体を介して基端部が支持さ
れ、前記透明基板に対して空隙を保持して対向するよう
に先端を自由端とするレバー部を有することを特徴とす
る。この発明に係る静電制御型光カンチレバーは、透明
基板上に透明電極膜及び誘電体膜がこの順に積層形成さ
れ、前記誘電体膜上に支持体を介して基端部が支持さ
れ、前記誘電体膜に対して空隙を保持して対向するよう
に先端を自由端とするレバー部を有することを特徴とす
る。
レバーは、透明基板上に支持体を介して基端部が支持さ
れ、前記透明基板に対して空隙を保持して対向するよう
に先端を自由端とするレバー部を有することを特徴とす
る。この発明に係る静電制御型光カンチレバーは、透明
基板上に透明電極膜及び誘電体膜がこの順に積層形成さ
れ、前記誘電体膜上に支持体を介して基端部が支持さ
れ、前記誘電体膜に対して空隙を保持して対向するよう
に先端を自由端とするレバー部を有することを特徴とす
る。
【０００７】この発明に係る光カンチレバーの製造方法
は、透明基板上に、支持材料膜及びカンチレバー用の金
属膜を順次積層形成する工程と、前記金属膜を選択エッ
チングしてレバー部の幅に比べて縦横幅の大きい基端部
を持つカンチレバーをパターン形成する工程と、前記支
持材料膜を、サイドエッチングが生じるエッチング法で
エッチングすることにより前記基端部の直下にのみ支持
体として残して前記レバー部の直下部分を除去する工程
とを備えたことを特徴とする。
は、透明基板上に、支持材料膜及びカンチレバー用の金
属膜を順次積層形成する工程と、前記金属膜を選択エッ
チングしてレバー部の幅に比べて縦横幅の大きい基端部
を持つカンチレバーをパターン形成する工程と、前記支
持材料膜を、サイドエッチングが生じるエッチング法で
エッチングすることにより前記基端部の直下にのみ支持
体として残して前記レバー部の直下部分を除去する工程
とを備えたことを特徴とする。
【０００８】この発明に係る光カンチレバーの製造方法
はまた、透明基板上に、透明電極膜、誘電体膜、支持材
料膜及びカンチレバー用の金属膜を順次積層形成する工
程と、前記金属膜を選択エッチングしてレバー部の幅に
比べて縦横幅の大きい基端部を持つカンチレバーをパタ
ーン形成する工程と、前記支持材料膜を、サイドエッチ
ングが生じるエッチング法でエッチングすることにより
前記基端部の直下にのみ支持体として残して前記レバー
部の直下部分を除去する工程とを備えたことを特徴とす
る。この発明の製造方法において例えば、前記支持材料
膜をアモルファスシリコン膜、前記金属膜をＮｉ膜とし
て、前記支持材料膜のエッチングをフッ素系ガスとＯ2
ガスのプラズマを用いたドライエッチングにより行う。
はまた、透明基板上に、透明電極膜、誘電体膜、支持材
料膜及びカンチレバー用の金属膜を順次積層形成する工
程と、前記金属膜を選択エッチングしてレバー部の幅に
比べて縦横幅の大きい基端部を持つカンチレバーをパタ
ーン形成する工程と、前記支持材料膜を、サイドエッチ
ングが生じるエッチング法でエッチングすることにより
前記基端部の直下にのみ支持体として残して前記レバー
部の直下部分を除去する工程とを備えたことを特徴とす
る。この発明の製造方法において例えば、前記支持材料
膜をアモルファスシリコン膜、前記金属膜をＮｉ膜とし
て、前記支持材料膜のエッチングをフッ素系ガスとＯ2
ガスのプラズマを用いたドライエッチングにより行う。
【０００９】この発明による光カンチレバーは、透明基
板上にマイクロマシン技術で一体に作られるため、カン
チレバーの変位（位置）を光学的に検出する場合に光ビ
ームを基板を透過して送受することができる。しかも、
透明基板は切り離されることなく、そのまま支持治具と
して用いられ、ＡＦＭ等への取付も容易になる。
板上にマイクロマシン技術で一体に作られるため、カン
チレバーの変位（位置）を光学的に検出する場合に光ビ
ームを基板を透過して送受することができる。しかも、
透明基板は切り離されることなく、そのまま支持治具と
して用いられ、ＡＦＭ等への取付も容易になる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施例を説明する。図１（ａ）（ｂ）は、この発明の
一実施例による光カンチレバーの平面図と断面図であ
る。このカンチレバー３は、ガラス，石英等の透明基板
１上にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）
等の支持体２を介して基端部３ａが支持され、透明基板
１に対して空隙を保持して対向するように先端を自由端
とするレバー部３ｂを有する。基端部３ａ及びレバー部
３ｂは、後述するように基板１上に形成した金属膜をパ
ターン形成して得られたものである。レバー部３ｂの先
端には、触針４が取り付けられる。
の実施例を説明する。図１（ａ）（ｂ）は、この発明の
一実施例による光カンチレバーの平面図と断面図であ
る。このカンチレバー３は、ガラス，石英等の透明基板
１上にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉという）
等の支持体２を介して基端部３ａが支持され、透明基板
１に対して空隙を保持して対向するように先端を自由端
とするレバー部３ｂを有する。基端部３ａ及びレバー部
３ｂは、後述するように基板１上に形成した金属膜をパ
ターン形成して得られたものである。レバー部３ｂの先
端には、触針４が取り付けられる。
【００１１】図２（ａ）〜（ｃ）は、この実施例のカン
チレバーの製造工程を示している。図２（ａ）に示すよ
うに、透明基板１上に先ず、ａ−Ｓｉ膜２０及びＮｉ等
の金属膜３０を順次堆積形成する。次に、図２（ｂ）に
示すように、金属膜３０をウェットエッチングにより選
択エッチングして、図１に示したように、レバー部３ｂ
の幅Ｗ３に比べて縦横幅Ｗ１，Ｗ２の大きい基端部３ａ
を持つカンチレバーをパターン形成する。
チレバーの製造工程を示している。図２（ａ）に示すよ
うに、透明基板１上に先ず、ａ−Ｓｉ膜２０及びＮｉ等
の金属膜３０を順次堆積形成する。次に、図２（ｂ）に
示すように、金属膜３０をウェットエッチングにより選
択エッチングして、図１に示したように、レバー部３ｂ
の幅Ｗ３に比べて縦横幅Ｗ１，Ｗ２の大きい基端部３ａ
を持つカンチレバーをパターン形成する。
【００１２】その後、金属膜３０をエッチングする事な
く、ａ−Ｓｉ膜２０に対してはサイドエッチングが生じ
るようなエッチング法でエッチングすることにより、図
２（ｃ）に示すように、ａ−Ｓｉ膜２０を、基端部３ａ
の直下にのみ支持体２として残してレバー部３ｂの直下
部分を除去する。具体的には、フッ素系ガス例えば、Ｃ
Ｆ4，Ｃ3Ｆ8等のガスとＯ2ガスの混合ガスプラズマを用
いたドライエッチング法（ＲＩＥ法）を用いる。このガ
ス系では、金属膜３０がＮｉであるとすると金属膜エッ
チングは殆ど生じず、幅の狭いレバー部３ｂの直下のａ
−Ｓｉ膜２０をアンダーカットにより除去することがで
きる。
く、ａ−Ｓｉ膜２０に対してはサイドエッチングが生じ
るようなエッチング法でエッチングすることにより、図
２（ｃ）に示すように、ａ−Ｓｉ膜２０を、基端部３ａ
の直下にのみ支持体２として残してレバー部３ｂの直下
部分を除去する。具体的には、フッ素系ガス例えば、Ｃ
Ｆ4，Ｃ3Ｆ8等のガスとＯ2ガスの混合ガスプラズマを用
いたドライエッチング法（ＲＩＥ法）を用いる。このガ
ス系では、金属膜３０がＮｉであるとすると金属膜エッ
チングは殆ど生じず、幅の狭いレバー部３ｂの直下のａ
−Ｓｉ膜２０をアンダーカットにより除去することがで
きる。
【００１３】レバー部３ｂの長さＬ１は、サブμm から
１mmの範囲で任意に選択でき、幅Ｗ３についても、サブ
μm から５０μm 程度の範囲で選択できる。基端部３ａ
の幅Ｗ１，Ｗ２については、レバー部３ｂの幅Ｗ１に対
して、数倍程度以上あればよい。なお、レバー部３ｂ
は、図示のように残留応力によって先端部が反った形に
なる。この反り量は、金属膜３０の厚み、レバー部３ｂ
の幅と長さにより決まり、これらにより反り量を最適設
計することができる。
１mmの範囲で任意に選択でき、幅Ｗ３についても、サブ
μm から５０μm 程度の範囲で選択できる。基端部３ａ
の幅Ｗ１，Ｗ２については、レバー部３ｂの幅Ｗ１に対
して、数倍程度以上あればよい。なお、レバー部３ｂ
は、図示のように残留応力によって先端部が反った形に
なる。この反り量は、金属膜３０の厚み、レバー部３ｂ
の幅と長さにより決まり、これらにより反り量を最適設
計することができる。
【００１４】図３は、この実施例によるカンチレバー３
をＡＦＭに取り付けた状態を模式的に示す。Ｘ，Ｙ，Ｚ
の３次元駆動が行われるステージ３１上に試料３２が載
置され、カンチレバー３はこの試料３２の表面を走査す
るようにＡＦＭ本体に取り付けられる。変位検出用光学
系３３は、カンチレバー３の上方にＬＤ，ＬＥＤ等の光
源とＰＤ等の受光部を備えて構成される。
をＡＦＭに取り付けた状態を模式的に示す。Ｘ，Ｙ，Ｚ
の３次元駆動が行われるステージ３１上に試料３２が載
置され、カンチレバー３はこの試料３２の表面を走査す
るようにＡＦＭ本体に取り付けられる。変位検出用光学
系３３は、カンチレバー３の上方にＬＤ，ＬＥＤ等の光
源とＰＤ等の受光部を備えて構成される。
【００１５】先の製造工程から明らかなようにこの実施
例では、カンチレバー３を支持する透明基板１がカンチ
レバー３の全体をカバーする大きさがあるから、これを
そのまま取り付け治具として用いて簡単にＡＦＭ本体に
取り付けることができる。また、図示のように、変位検
出用光学系３３とカンチレバー３の間の送受光ビーム３
４は透明基板１を透過してやりとりすることができる。
例では、カンチレバー３を支持する透明基板１がカンチ
レバー３の全体をカバーする大きさがあるから、これを
そのまま取り付け治具として用いて簡単にＡＦＭ本体に
取り付けることができる。また、図示のように、変位検
出用光学系３３とカンチレバー３の間の送受光ビーム３
４は透明基板１を透過してやりとりすることができる。
【００１６】図４（ａ）（ｂ）は、この発明を静電制御
型の光カンチレバー（静電アクチュエータ）に適用した
実施例の平面図と断面図であり、図５（ａ）〜（ｃ）は
その製造工程断面図である。これらの図で、先の実施例
と対応する部分には先の実施例と同じ符号を付して詳細
な説明は省く。
型の光カンチレバー（静電アクチュエータ）に適用した
実施例の平面図と断面図であり、図５（ａ）〜（ｃ）は
その製造工程断面図である。これらの図で、先の実施例
と対応する部分には先の実施例と同じ符号を付して詳細
な説明は省く。
【００１７】この実施例では、透明基板１上には、ＩＴ
Ｏ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ2等の透明電極膜４１及び、ＳｉＯ
2，Ｓｉ3Ｎ4等の誘電体膜４２が順次形成され、この上
に先の実施例と同様に支持体２に支持されたカンチレバ
ー３が作られている。製造工程的には、透明電極膜４
１，誘電体膜４２，ａ−Ｓｉ膜２０及び金属膜３０をこ
の順に積層形成し（図５（ａ））、以下、先の実施例と
同様に金属膜３０をパターニングしてカンチレバー３を
形成し（図５（ｂ））、その後フッ素系ガスとＯ2ガス
を用いたプラズマによりａ−Ｓｉ膜２０の不要部分をエ
ッチングする（図５（ｃ））。
Ｏ，ＳｎＯ2，ＺｎＯ2等の透明電極膜４１及び、ＳｉＯ
2，Ｓｉ3Ｎ4等の誘電体膜４２が順次形成され、この上
に先の実施例と同様に支持体２に支持されたカンチレバ
ー３が作られている。製造工程的には、透明電極膜４
１，誘電体膜４２，ａ−Ｓｉ膜２０及び金属膜３０をこ
の順に積層形成し（図５（ａ））、以下、先の実施例と
同様に金属膜３０をパターニングしてカンチレバー３を
形成し（図５（ｂ））、その後フッ素系ガスとＯ2ガス
を用いたプラズマによりａ−Ｓｉ膜２０の不要部分をエ
ッチングする（図５（ｃ））。
【００１８】この実施例のカンチレバー３は、図４に示
すように透明電極膜４１とカンチレバー基端部３ａの間
に印加する電圧をオンオフし、或いは交流電圧を印加す
ることにより、静電力によってレバー部３ｂの動きを制
御することができる。なお誘電体膜４２は、空気であっ
てもよい。この実施例によっても、先の実施例と同様の
効果が得られる。
すように透明電極膜４１とカンチレバー基端部３ａの間
に印加する電圧をオンオフし、或いは交流電圧を印加す
ることにより、静電力によってレバー部３ｂの動きを制
御することができる。なお誘電体膜４２は、空気であっ
てもよい。この実施例によっても、先の実施例と同様の
効果が得られる。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、光
カンチレバーは、透明基板上にマイクロマシン技術で一
体に作られ、カンチレバーの変位を光学的に検出する場
合に光ビームを基板を透過して送受することができる。
しかも、透明基板は切り離されることなく支持治具とし
て用いられ、ＡＦＭ等への取付も容易になる。
カンチレバーは、透明基板上にマイクロマシン技術で一
体に作られ、カンチレバーの変位を光学的に検出する場
合に光ビームを基板を透過して送受することができる。
しかも、透明基板は切り離されることなく支持治具とし
て用いられ、ＡＦＭ等への取付も容易になる。
【図１】 この発明の一実施例によるカンチレバーを示
す。
す。
【図２】 同実施例のカンチレバーの製造工程を示す。
【図３】 同実施例のカンチレバーのＡＦＭへの取り付
け状態を示す。
け状態を示す。
【図４】 この発明の他の実施例によるカンチレバーを
示す。
示す。
【図５】 同実施例のカンチレバーの製造工程を示す。
【図６】 従来のカンチレバーを示す。
【図７】 基板を完全除去しないカンチレバーを示す。
１…透明基板、２…支持体、３…カンチレバー、３ａ…
基端部、３ｂ…レバー部、４…触針、２０…ａ−Ｓｉ
膜、３０…金属膜、４１…透明電極膜、４２…誘電体
膜。
基端部、３ｂ…レバー部、４…触針、２０…ａ−Ｓｉ
膜、３０…金属膜、４１…透明電極膜、４２…誘電体
膜。
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板上に支持体を介して基端部が支
持され、前記透明基板に対して空隙を保持して対向する
ように先端を自由端とするレバー部を有することを特徴
とする光カンチレバー。 - 【請求項２】 透明基板上に透明電極膜及び誘電体膜が
この順に積層形成され、前記誘電体膜上に支持体を介し
て基端部が支持され、前記誘電体膜に対して空隙を保持
して対向するように先端を自由端とするレバー部を有す
ることを特徴とする静電制御型光カンチレバー。 - 【請求項３】 透明基板上に、支持材料膜及びカンチレ
バー用の金属膜を順次積層形成する工程と、 前記金属膜を選択エッチングしてレバー部の幅に比べて
縦横幅の大きい基端部を持つカンチレバーをパターン形
成する工程と、 前記支持材料膜を、サイドエッチングが生じるエッチン
グ法でエッチングすることにより前記基端部の直下にの
み支持体として残して前記レバー部の直下部分を除去す
る工程と、を備えたことを特徴とする光カンチレバーの
製造方法。 - 【請求項４】 透明基板上に、透明電極膜、誘電体膜、
支持材料膜及びカンチレバー用の金属膜を順次積層形成
する工程と、 前記金属膜を選択エッチングしてレバー部の幅に比べて
縦横幅の大きい基端部を持つカンチレバーをパターン形
成する工程と、 前記支持材料膜を、サイドエッチングが生じるエッチン
グ法でエッチングすることにより前記基端部の直下にの
み支持体として残して前記レバー部の直下部分を除去す
る工程と、を備えたことを特徴とする光カンチレバーの
製造方法。 - 【請求項５】 前記支持材料膜をアモルファスシリコン
膜、前記金属膜をＮｉ膜として、前記支持材料膜のエッ
チングをフッ素系ガスとＯ2ガスのプラズマを用いたド
ライエッチングにより行うことを特徴とする請求項３又
は４に記載の光カンチレバーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19421197A JPH1138022A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 光カンチレバー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19421197A JPH1138022A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 光カンチレバー及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1138022A true JPH1138022A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16320806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19421197A Pending JPH1138022A (ja) | 1997-07-18 | 1997-07-18 | 光カンチレバー及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1138022A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1351256A2 (en) | 2002-03-29 | 2003-10-08 | Xerox Corporation | Scanning probe system with spring probe |
| JP2011252849A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Shimadzu Corp | 原子間力顕微鏡におけるカンチレバー励振方法及び原子間力顕微鏡 |
-
1997
- 1997-07-18 JP JP19421197A patent/JPH1138022A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1351256A2 (en) | 2002-03-29 | 2003-10-08 | Xerox Corporation | Scanning probe system with spring probe |
| EP1351256A3 (en) * | 2002-03-29 | 2006-05-17 | Xerox Corporation | Scanning probe system with spring probe |
| EP2287624A3 (en) * | 2002-03-29 | 2011-03-23 | Xerox Corporation | Scanning Probe System |
| JP2011252849A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | Shimadzu Corp | 原子間力顕微鏡におけるカンチレバー励振方法及び原子間力顕微鏡 |
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